JP2006339339A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 受光部2が形成された半導体基板3と、凹部18に光透過性材料13を充填することによって構成された導波路11が形成された絶縁層8と、絶縁層上の受光部周辺領域に対応する領域Aに形成された光透過性材料から成る凸状部14と、凸状部同士の間隙に充填されたレンズ材料15を有するCMOS型固体撮像装置1であって、凸状部は凹部に光透過性材料を充填する際に同時に形成されている。
【選択図】 図1
Description
図3は従来のCMOS型固体撮像装置を説明するための模式的な断面図であり、ここで示すCMOS型固体撮像装置101は、受光部102がマトリクス状に設けられた半導体基板103上に、絶縁や表面保護或いは表面平坦化の機能を有する例えばシリコン酸化膜104が形成され、シリコン酸化膜上には表面保護や受光部へ水素を供給する機能を有する例えばシリコン窒化膜105が形成されている。また、シリコン窒化膜上には、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層106が形成され、このシリコン酸化膜からなる絶縁層上に配線層107が形成されている。
また、最上層の配線層の上方には、レンズ構成層111に形成された凹状部112にレンズ材料113を充填することによって構成された層内レンズ114が形成され、層内レンズの上方にはカラーフィルタ115を介してオンチップレンズ116が形成されている。
図1は本発明を適用した固体撮像装置の一例であるCMOS型固体撮像装置を説明するための模式的な断面図であり、ここで示すCMOS型固体撮像装置1は、受光部2がマトリクス状に設けられた半導体基板3上に、絶縁や表面保護或いは表面平坦化の機能を有する例えばシリコン酸化膜4が形成され、シリコン酸化膜上には表面保護や受光部への水素を供給する機能を有する例えばシリコン窒化膜5が形成されている。また、シリコン窒化膜上には、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層6が形成され、このシリコン酸化膜からなる絶縁層上に配線層7が形成されている。
2 受光部
3 半導体基板
4 シリコン酸化膜
5 シリコン窒化膜
6 絶縁層
7 配線層
8 絶縁層
9 溝
10 バリア膜
11 導波路
12 反射膜
13 光透過性材料
14 凸状部
15 レンズ材料
16 層内レンズ
17 導波路形成用レジスト膜
18 凹部
19 金属膜
20 カラーフィルタ
21 オンチップレンズ
Claims (4)
- 受光部が形成された半導体基板と、
該半導体基板上に形成され、前記受光部上に凹状部が設けられた絶縁層と、
前記凹状部内に形成された第1の光透過性材料から成る埋め込み層と、
前記絶縁層上に形成され、前記凹状部の周辺領域に凸状部が設けられた前記第1の光透過性材料から成るレンズ構成層と、
該レンズ構成層上に形成された第2の光透過性材料から成るレンズ材層とを備える固体撮像装置であって、
前記レンズ構成層は、前記埋め込み層を形成する際に形成された
固体撮像装置。 - 前記レンズ材層の上面が平坦化された
請求項1に記載の固体撮像装置。 - 受光部が形成された半導体基板と、該半導体基板上に形成され、前記受光部上に凹状部が設けられた絶縁層と、前記凹状部内に形成された第1の光透過性材料から成る埋め込み層とを有する固体撮像装置の製造方法において、
前記埋め込み層を形成すると共に、前記絶縁層上に前記凹状部の周辺領域に凸状部が設けられた前記第1の光透過性材料から成るレンズ構成層を形成する工程と、
該レンズ構成層上に第2の光透過性材料から成るレンズ材層を形成する工程とを備える
ことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。 - 高密度プラズマCVD法によって前記埋め込み層を形成すると共に、前記レンズ構成層を形成する
ことを特徴とする請求項3に記載の固体撮像装置の製造方法。
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