JP2006338983A - 透明導電性成形物及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 SiOx(Xは0.5以上2.0未満)と酸化ビスマス(Bi2O3)を含有し、体積固有抵抗が0.01Ωcm未満である透明導電性成形物。
【選択図】 なし
Description
[SiOx粉末の合成]
モノシランガス、アルゴンガス、酸素ガス(いずれも、純度が99.999質量%以上)を用意し、それぞれのガスを、質量流量計を通じて石英ガラス製反応容器(内径60mm×長さ1500mm)に導入した。モノシランガスは、石英ガラス製のモノシランガス導入管(内径5mm)を通し、アルゴンガスと混合して反応容器内に吹き出すようにして供給した。また酸素ガスは、石英ガラス製の酸化性ガス導入管(内径5mm)を通し、アルゴンガスと混合して反応容器内に吹き出すようにして供給した。
この粉末に対して、市販のBi2O3粉末(Aldrich社製、純度99.999%)を、質量比でBi2O3:SiOx=2:1になるように混合した後、成形用金型を用いて10MPaの圧力で圧粉体を成形した。これを大気中400℃で1時間加熱して仮焼体を得た。
[SiOx粉末の合成]
粒径150μm以下、純度99.9%の石英(SiO2)粉末及び粒径250μm以下、純度99.99%の金属シリコン(Si)粉末を、SiO2:Siの質量比が1:1になるように、ヘンシェルミキサーで混合した。これを開口部を有する蓋付きの黒鉛製るつぼに充填し、アルゴン置換した高周波加熱炉内に配した。次いで圧力101kPaにて炉内にアルゴンを流通させながら、黒鉛るつぼを2300℃まで加熱し、るつぼ蓋の開口部から発生したガスを、配管を通じアルゴンガスにて炉外まで搬送し、配管内のガス温度が500℃以下になる地点に捕集用タンクを設置して、反応ガスから析出した粉末を捕集した。
この粉末に対して、市販のBi粉末(Aldrich社製、純度99.99%)を質量比でBi:SiOx=5:6になるように混合した後、成形用金型を用いて10MPaの圧力で圧粉体を成形し、大気中650℃で3時間加熱して仮焼体を得た。
市販のSiO(X=1)粉末(Merck社製「Patinal−7725」)に対して、実施例1で用いたBi2O3粉末を質量比でBi2O3:SiOx=1:2になるように混合した後黒鉛製のダイスに装填して、アルゴン雰囲気下、温度500℃、圧力20MPaで2時間ホットプレス成形を行い仮焼体を得た。
SiO(X=1)粉末の代わりに市販のSiO2粉末(Aldrich社製、99.9%)を使用したこと以外は、実施例3と同様にしてPETフィルム上に厚さ10μmの薄膜状の成形物を形成させ、XPSで分析したところ、SiO2とBi2O3とのピークが認められた。
透明な石英基板上に、プラズマCVD法でアモルファスシリコン(a−Si)膜を形成し、さらにゲート絶縁膜用SiO2膜及びゲート電極用金属膜を重ねて形成した後、パターニング、ソース部・ドレイン部への不純物のドーピング等を行って、薄膜トランジスタ(TFT)を形成した。
実施例3及び比較例1のPETフィルム上に形成させた薄膜状成形物を、そのままで温度20℃、相対湿度65%の条件にてスタティックオネストメーターを用い、接地状態で10kVのコロナ放電を10秒間印加後、帯電電位と電位の半減時間を測定した。
実施例3及び比較例1のPETフィルム上に形成させた薄膜状成形物を、接地状態にして、ネットワークアナライザーを用いて、薄膜状成形物形成面から反対側の面への、100MHz〜6GHzの電磁波の透過減衰率を自由空間法にて測定した。
Claims (7)
- SiOx(Xは0.5以上2.0未満)と酸化ビスマス(Bi2O3)を含有し、体積固有抵抗が0.01Ωcm未満であることを特徴とする透明導電性成形物。
- 前記SiOxの含有量が30〜99質量%、酸化ビスマスの含有量が1〜70質量%であることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性成形物。
- 透光性の基材上に設けられていることを特徴とする請求項1または2に記載の透明導電性成形物。
- 基材上に、SiOx(Xは0.5以上2.0未満)と、ビスマス(Bi)又は酸化ビスマス(Bi2O3)とからなる混合物を蒸着することを特徴とする透明導電性成形物の製造方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電性成形物からなることを特徴とする透明電極。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電性成形物からなることを特徴とする帯電防止膜。
- 請求項1〜3のいずれかに記載の透明導電性成形物からなることを特徴とする電磁波遮蔽材料。
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