JP2006337029A

JP2006337029A - 静電気放電分析装置及び方法

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Publication number: JP2006337029A
Application number: JP2005158407A
Authority: JP
Inventors: Shinya Yamaguchi; 愼哉山口; Jiro Yoneda; 二朗米田; Kenji Nagase; 健二長瀬
Original assignee: Fujitsu Ltd
Current assignee: Fujitsu Ltd
Priority date: 2005-05-31
Filing date: 2005-05-31
Publication date: 2006-12-14

Abstract

【課題】本発明は静電気放電分析装置及び方法に関し，各種の電子装置への静電気放電（ＥＳＤ）による放電メカニズムの把握及び対策効果を容易に確認することができることを目的とする。
【解決手段】被測定装置を構成する基板，ケーブルの構成，サイズ，材質やＬＳＩの等価回路のデータ，試験環境，放電電圧等の試験条件の入力に応じて被測定装置のモデルデータと試験条件のデータを生成するモデル生成部と，モデルデータに対して，試験条件のデータによる静電気放電の印加をシミュレートすることによりＬＳＩの入力部の電圧や被測定装置の電流値等を算出する計算部と，計算部により求めた結果について予め設定した規定値と比較する分析部と，分析部で規定値を越えたことが検出されると，その改善方法を発生して，モデル生成部へ変更データを供給する対策アドバイス部とを備えるよう構成する。
【選択図】図１

Description

本発明は，各種の電子装置に対する静電気放電（ＥＳＤ：Electro-Static Discharge) の分析を行う静電気放電分析装置及び方法に関する。

携帯電話装置，ＰＤＡ，ノートパソコン，ＤＶＤ装置，車載用カーナビ等の各種の電子装置は，静電気放電に対して誤動作や障害が発生しないことを保証するため，静電気を発生させて被試験装置の状態を分析または試験するＥＳＤ分析装置が必要とされている。

従来，電子装置に対する静電気による影響を分析する技術としては，ＥＳＤ放電銃を使い，実際に対象とする電子装置に静電気を印加して，電子装置が誤動作しないかを実際に電子装置を動かすことで確認し，静電気の電圧を変化させたり，環境を変えることで実際に電子装置を使用する様々な条件で分析を行う方法が用いられる。

また，従来の技術として，情報処理装置等の電子装置に対する静電気による影響を測定するため，静電気を電子装置に印加して故障が発生した時の周囲に発生している静電気放電（静電気ノイズ）の検出を行い，検出した大量のデータをＰＣカードに格納し，そのＰＣカードに格納された放電ノイズデータを分析し，放電ノイズのうちで静電気放電に起因するデータの抽出作業を高精度に行うためのデータ分析システムが提案されている（特許文献１参照）。その提案されたデータ分析システムでは，データに付加された時間情報を参照して，所定時間内に予め定めた数以上のデータが存在することを条件として，その条件を満足するデータを，元データから除き，除かれたデータ以外のデータを表示手段に表示するものである。これにより，時間に応じたノイズ信号の周波数分布を得ることができる。
特開平８−２８５９０５号公報

従来の実際の装置に静電気を印加して測定を行う方法では，測定環境（測定場所，測定者，天候等）の影響を受けて，測定結果のばらつきが大きいという問題があり，如何にこのバラツキを無くし，定量的な分析をすることが要求されている。

静電気は目に見えないことから，どのような経路で静電気が流れるのかを把握することが難しく，実際に装置に静電気を印加することなくシミュレートにより静電気の放電のメカニズムを可視化することができなかった。

また，上記特許文献１の技術では，電子装置に対して実際に加えた静電気放電により発生した放電ノイズの検出データを記録したＰＣカードについて，分析を行う場合の技術であり，電子装置に静電気が流れるメカニズムをシミュレートするものではない。

本発明は各種の電子装置への静電気放電（ＥＳＤ）による放電メカニズムの把握及び対策効果を容易に確認することができる静電気放電分析装置及び方法を提供することを目的とする。

図１は本発明の原理構成を示す図である。図中，１は静電気放電分析の対象となる携帯電話等の携帯端末，ＤＶＤ装置等の各種の電子装置（以下，被測定装置という）のモデルを生成するモデル生成部，１ａはモデル・データ生成手段，１ｂは試験環境設定手段，１ｃは放電ノイズ設定手段，１０は試験環境データベース，１１はノイズ源データベース，２は計算部，２ａは計算により求めた被測定装置への静電気放電により入力するＬＳＩの入力電圧計算手段，２ｂは計算により求めた被測定装置に発生する磁界強度，静電気により被測定装置に発生する電流値及び電流伝達経路を求める電流値経路計算手段，３は計算部２で求めた入力電圧信号，磁界強度，電流値等の値を予め設定された規定値と比較する分析部，３０は判定データベース，４は分析部３における分析の結果が規定値を越えた場合の対策を指示する対策アドバイス部，４０は対策データベース，５は入力部，６は表示部である。

最初に入力部５からモデル生成部１へ被測定装置をモデル化するのに必要な各種のデータ，すなわち伝送線路，基板，ケーブル，板金，筐体（表面，裏面のカバー）などの形状，サイズ，材質等を入力すると共に，被測定装置のＬＳＩの等価回路を入力することでモデル・データ生成手段１ａにより被測定装置のモデル・データが生成され，試験環境データベース１０に格納された試験環境の中から試験を行いたい環境が入力されることで試験環境設定手段１ｂにより試験環境が設定される。更に，ノイズ源データベース１１に格納された静電気放電の電圧，波形，時間等の各種のパターンから試験を行いたいノイズ源を選択することで放電ノイズが設定される。こうして，入力された各種の条件によりモデル生成部１では公知の時間領域電磁界差分法（ＦＤＴＤ：Finite Differential Time Domain)を用いたシミュレータにより静電気放電分析に必要な被測定装置のモデル化データが生成され，試験環境及び印加ノイズの内容のデータが設定されて，計算部２へ供給される。

計算部２は，設定された被測定装置のモデル，試験環境及び印加ノイズのデータに対して，マクスウェル電磁方程式による電界と磁界を時間領域で差分法により解く時間領域電磁界差分法（ＦＤＴＤ）を用いたシミュレータにより計算を行い，ＬＳＩの入力電圧計算手段２ａにより被測定装置のＬＳＩの入力電圧値を求め，電流値経路計算手段２ｂにより被測定装置に発生する磁界強度とその磁界強度の変化により発生する静電気電流値，及び電流の伝達経路を求める。この時求められた計算結果は分析部３に供給されると共に表示部６に出力されて電圧，電流の値及び被測定装置上の電流の伝達経路を表す画像に変換して表示する。分析部３は，計算部２で求めたＬＳＩへの入力電圧値，静電気電流値及び電流経路について，予め静電気放電により発生しても問題がない値（入力電圧値，静電気電流）または状態（伝達経路等）である規定値が格納された判定データベース３０の値と比較する。判定データベース３０の規定値（状態を含む）は各種の電子装置についてそれぞれの機能に影響を与えない数値が，予め規格を制定する機関や，メーカー等により決められている。分析部３における比較結果は表示部６に表示され，計算により得られた値（状態）が規定値以内であれば，静電気放電による影響が無いことが表示されてこの静電気放電分析を終了するが，規定値を越えているという比較結果が発生すると，対策アドバイス部４に分析結果が出力される。この場合，その比較結果が発生する計算部２における計算値（状態）が発生した要因を解消するか，計算値を減少させるための改善方法を対策データベース４０を探索することにより検出する。対策データベース４０により検出した対策法（アドバイス）は表示部６に表示すると共に，対策により回路，形状，サイズ，材質等を変更することが指示された場合は，その変更内容（回路，材料，形状等のデータ）をモデル生成部１に入力する。モデル生成部１は変更された内容が入力されると被測定装置のモデルデータを変更して，その変更した内容により計算部２による計算を行い，分析部３による分析，対策アドバイス部４による変更という各部の動作が実行される。

本発明によれば被測定装置の実物に対して静電気放電を実際に印加することなく，被測定装置のモデルに対し，任意の電圧，波形を持つ静電気放電の印加時の入力電圧，電磁波，静電気電流，電流経路をシミュレートして，可視化し，静電気の放電メカニズムの把握を容易にすると共に静電気放電への対策効果の確認を容易にすることができる。

図２は本発明による静電気放電分析のフローチャートであり，図１に示す各部の機能をプロセッサ（ＣＰＵ，ＲＡＭ，ＲＯＭを含む），ＣＲＴ，液晶等のディスプレイ等の表示部，キーボード，マウス等の入力部，ハードディスク，ＤＶＤ，ＣＤ，フレキシブルディスク等の外部記憶装置を含むコンピュータにより実現するものである。

図２のＳ１〜Ｓ４はモデル生成のための処理であり，最初に被測定装置（この説明では，携帯電話機とする）の伝送線路，ＬＳＩを搭載する基板，各基板間を結ぶケーブル，部品の支持や保護のための板金，被測定装置の表面や裏面のカバーを含む筐体，等の形状，構造，材料（特性）等のデータ入力に応じて，入力データから時間領域電磁界差分法を用いるミュレータによる分析に適応する被測定装置のモデルが生成される（図２のＳ１）。生成されたモデルデータはメモリ（図示省略）に格納される。続いて，被測定装置内のＬＳＩの等価回路（ドライバ，レシーバ等を含む）のデータ入力に応じて，時間領域電磁界シミュレータに適応するＬＳＩのモデルが生成され（図２のＳ２），同様にメモリに格納される。

図３に分析モデルの構成例を示す。この例は被測定装置として折り畳型の携帯電話機を選択した例を示し，図３のＡ．は分析モデルの全体図，Ｂ．は分析モデルの拡大図，Ｃ．は分析モデルの側面図である。図３には携帯電話機を開いた状態を示し，図３のＡ．〜Ｃ．において２０は受話器を含む表示部，２１は表示部２０と本体部２２との間の信号を伝送するためのフレキシブルケーブル（ＦＰＣ），２２は携帯電話機のキーやＬＳＩを含む本体部，２３は携帯電話機を置いた水平結合板，２４は基準グランド（アース），２５は静電気放電を発生源の等価回路であるＥＳＤ印加波源（抵抗，コンデンサ及び波形源とで構成），２５０はＥＳＤが印加される位置を表すＥＳＤ印加部，２６は水平結合板２３と基準グランンド２４間の２つの等価抵抗４７０ＫΩｐｓを表す。図３のＡ．に示す携帯電話機を構成する２０〜２２の各部を図３のＢ．に分析モデル拡大図として示す。

図３のＣ．は全体図の側面図であり，表示部２０において，２００は第１のＭＧ（マグネシュウム）板金，２０１は第２のＭＧ板金，２０２はＬＳＩ等が設けられる基板，２０３は基板２０２にフレキシブルケーブル（ＦＰＣ）２１を接続するコネクタ，２０４は基板２０２に設けられたＬＳＩ内のレシーバ（ＲＶ），２０５はレシーバを覆う板金である。また，フレキシブルケーブル２１を構成する２１０は信号配線，２１１はシグナルグランド（ＳＧ：信号線のアース電位），２１２はフレームグランド（ＦＧ：フレーム上のアース電位）である。本体部２２において，２２０は表示部２０の基板２０２のコネクタに接続されたフレキシブルケーブル２１の信号配線２１０とＳＧ２１１とが接続されるコネクタ，２２１はＬＳＩのドライバ（ＤＶ），２２２は本体部２２と水平結合板２３間を接続する除電ケーブルである。

図２に戻って，ステップＳ３において任意の試験環境を入力する。この場合，試験環境データベース１０に予め格納された各種の試験環境のデータを表示装置に表示して，その中から希望する試験環境を選択することにより入力されて，メモリに設定される。図４に各種のデータベースのデータ構成例を示し，図４のＡ．が試験環境データベース（ＤＢ）の構成例である。試験環境として，試験場所，基準大地面設定，基準大地面高さ，水平結合板，垂直結合板，絶縁シート，壁反射影響，周囲温度，周囲湿度，気圧，試験空間等の項目があり，太線で囲んだ「リファレンス」は標準の規定値を表し，「パラメータ選択」はリファレンスを選択しない場合に各項目について選択可能なパラメータが設定されている。

試験環境の入力に続いて，ＥＳＤ印加ノイズ源を設定する（図２のＳ４）。この場合，図４のＢ．に示すようなデータ構成を持つノイズ源データベース（ＤＢ）の各種のノイズ源のデータを表示装置に表示して，希望する条件のノイズ源を選択する。図４のＢ．の例では，放電銃（ガン）種類，ＥＳＤ波形形状，ＥＳＤ印加電圧，ＥＳＤ印加等価回路等の各項目が設けられ，各項目について図に示すように選択可能なデータが設けられている。

上記の図２のステップＳ１〜Ｓ４により入力された被試験装置のモデル，試験環境及びＥＳＤ印加ノイズ源が入力されて，メモリに格納されると，既知のＦＤＴＤ法を用いた電磁波シミュレータの計算を行い，(1) ＬＳＩの入力部に発生する電圧値を求め，(2) 被測定装置に発生する磁界強度から静電気電流値を求め，その静電気電流の伝達経路を求めて（図２のＳ５），求めた電圧値や，静電気電流を表示装置に表示する（同Ｓ６）。

図５は電磁波シミュレータによる電流計算の説明図である。図５のＡ．において，５０は測定対象エリアであり，ｍ行×ｎ列のマトリクスに分割することができ，５０ａは測定対象エリア５０内の計算対象として指定できる最小単位（マトリクス内の格子１個分）の例である。この指定された最小単位５０ａについて，静電気の印加時から任意の時間における単位面積当たりの電流の時間変化量を求めることができる。

計算された電流がＧＵＩ（Graphical User Interface) で表示装置に表示され，さらにこの画面上で測定エリアを指定すると，指定された測定エリア内の電流を計算する（図２のＳ７）。この測定エリアについて計算により求めた電流値や，各エリアの電流の合計値も上記ステップＳ６と同様に表示することができる。

図５のＣ．に電流の合計の表示例を示す。このグラフの縦軸は電流（Ａ），横軸は時間（sec)を表し，図中の「しきい値」は後述するステップＳ８において実行される判定データベース（図１，図２の３０）の規定情報として規定された電流値を表すことにより，分析を行うことができる。測定エリア内の電流がしきい値を越えないで，良好な場合は，別のエリアを指定することにより計算を行って，分析することができる。

電圧及び電流を求める方法を図５のＤ．に示す。静電気放電により発生する電圧Ｖ(t) は，指定した線分上で，各電界とその電界が設定されている格子辺の長さとの積和であり，次の式で表される。但し，Ｅ_L(t) は，線分Ｌ（ｘ，ｙ，ｚ成分を持つ立方体の一辺）上の静電気放電の電圧を表す。

Ｖ(t) ＝ΣΔＬ＊Ｅ_L(t) （Ｌ＝x,y,z)
図５のＤ．に示す例では指定した線分をＬ１，Ｌ２とすると，次の式で求められる。

Ｖ(t) ＝Ｅ１(t) ＊Ｌ１＋Ｅ２(t) ＊Ｌ２
また，電流波形Ｉ(t) は指定エリア上で，各磁界とその磁界が設定されている格子辺の長さ（磁界は格子の中点で定義するので格子辺の長さは格子の中点から次の格子の中点まで）との積和であり，次の式で表される。

Ｉ(t) ＝ΣΔＬ＊Ｈ_L(t) （Ｌ＝x,y,z)
図２に戻って，ステップＳ５で求めた(1) のＬＳＩの入力部に発生する電圧の波形形状（立ち上がり，立ち下がりの時間，継続時間），ピーク値，位相を含むデータ，及び(2) の静電気の電流値と電流経路について，それぞれ判定データベース（図１，図２の３０）の規定情報と比較して，規定情報の条件を満たすか，条件を満たさないかを判定する（図２のＳ８）。この時に使用する判定データベース３０の構成例を図４のＣ．に示す。この例では，被試験装置である携帯電話機のＥＳＤ耐力値，ＬＳＩ端子電圧値，静電気電流値，静電気伝達経路，等の項目が設けられており，それぞれに対して規定情報（規格や標準として設定された条件，または自主的に決めた条件）が設定されている。

このステップＳ８における判定において規定情報の条件を満たす場合は，静電気放電分析の処理を終了するが，満たさない場合は，対策データベース（図１の４０）を用いた静電気の対策法をアドバイスする処理が行われる（図２のＳ８）。対策データベース（ＤＢ）の構成例を図４のＤ．に示す。この例では，上記ステップＳ７における判定において，「ＥＳＤ耐力値」，「ＬＳＩ端子電圧」，「静電気電流値」，「静電気伝達経路」の各項目について規定情報に規定する各条件を満たさなかった場合に対応して，それぞれ対策法１，対策法２，対策法３及び対策法４が設定されている。例えば，「静電気伝達経路」について「ＬＳＩ直上なし」（ＬＳＩ上に静電気電流は流れない）という条件を満たしていない場合，対策法４として「ＬＳＩ直上にシールド板金の設置」という対策アドバイスが求められる。

この対策アドバイスの処理において，最初の被測定装置のモデルに対して対策に従って新たな構成（回路素子，アース接続，シールド板金等の設置）が追加または変更された場合，修正された被測定装置のモデルに従って，ステップＳ１，Ｓ２による入力が行われ，ステップＳ３以下のフローチャートによる処理が繰り返される。

上記のステップＳ８における計算結果の分析の具体例を図６を用いて説明する。図６は分析モデルについて求めた静電気電流の説明図を示し，図６のＡ．は上記図３のＢ．に示すモデルについて静電気放電により求めた静電気電流の流れを表示装置に表示したものである。このモデルの中のＲＶ（レシーバ）２０４の位置で発生する電圧を図６のＢ．に示す。Ｂ．において縦軸は電圧，横軸は時間（ｎｓ：ナノ秒）を表し，フィルタ無しの波形図が対策を施してない場合の波形であり，高い電圧レベルを持ち長い周期で振動する波形である。図６のＣ．はＲＶ（レシーバ）と他の回路との間にリセット配線が設けられてフィルタが無い構成を表し，この場合に発生する静電気放電による電圧波形の発生を抑止するため，対策データベースにより，図６のＤ．に示すようにＣ（コンデンサ）とＲ（抵抗）を組み合わせたフィルタを設ける。このフィルタを設けた場合のモデルによるシミュレーションにより，静電気放電が抑止されてＲＶ位置の電圧波形は図６のＢ．の中のフィルタ有の場合の波形が得られる。この波形で示すように，フィルタを設けたことにより静電気放電によりＲＶ（レシーバ）に発生する電圧はそのレベルが小さく，周期も短いため被測定装置（携帯電話機）の機能に影響を与えない。

（付記１）電子装置である被測定装置に対する静電気放電を分析する静電気放電分析装置において，被測定装置を構成する基板，ケーブルの構成，サイズ，材質のデータ，ＬＳＩの等価回路のデータ及び試験環境や放電電圧や波形を含む試験条件の入力に応じて被測定装置のモデルデータと試験条件のデータを生成するモデル生成部と，前記モデル生成部で生成したモデルデータに対して，前記試験条件のデータによる静電気放電の印加をシミュレートすることにより前記ＬＳＩの入力部に発生する電圧値及び被測定装置に発生する電流値等を算出する計算部と，前記計算部により求めたＬＳＩの入力部に発生する電圧値及び被測定装置に発生する電流値及び電流経路について予め設定した規定値と比較する分析部と，前記分析部で規定値を越えたことが検出されると，該規定値を越えた各項目についてそれぞれの対策方法を発生して，対策方法により被測定装置の構成が変更されると前記モデル生成部へ変更データを入力する対策アドバイス部とを備えることを特徴とする静電気放電分析装置。

（付記２）付記１において，前記モデル生成部は，試験を行う場合の試験場所，基準大地面設定，基準大地面高さ，水平結合板，垂直結合板，絶縁シート，壁反射影響，周囲温度，周囲湿度，気圧，試験空間等の項目を設定するための各データを格納した試験環境データベースと，静電気放電の電圧，波形，時間等の各種の条件を設定するための各データを格納したノイズ源データベースとを備えることを特徴とする静電気放電分析装置。

（付記３）付記１において，前記計算部は，前記設定された被測定装置のモデルに対し，前記設定された試験環境及び設定された静電気放電を印加した場合に前記被測定装置の電子回路の入力に発生する電圧値と，被測定装置により生じる静電気電流値と電流伝達経路を時間領域電磁界差分法のシミュレータにより計算し，前記判別部は予め各計算値に対応して許容可能な規定値を格納した判定データベースを備え，前記計算部の計算結果について前記判定データベースを用いて判定することを特徴とする静電気放電分析装置。

（付記４）付記１において，前記計算部は，時間領域電磁界差分法のシミュレータにより算出した磁界から，被測定装置の流れる静電気電流を算出する際に，被測定装置の任意の磁界面をｍ×ｎのマトリクスに分割し，静電気放電を印加時から任意の時間における単位面積当たりの電流の時間変化量を求めることにより算出し，前記算出した電流量を表示する表示部を備えることを特徴とする静電気放電分析装置。

（付記５）電子装置である被測定装置に対する静電気放電を分析するための静電気放電分析方法において，被測定装置を構成する基板，ケーブルの構成，サイズ，材質のデータ，ＬＳＩの等価回路のデータ及び試験環境や放電電圧や波形を含む試験条件の入力に応じて被測定装置のモデルデータと試験条件のデータを生成し，前記生成したモデルデータに対して，前記試験条件のデータによる静電気放電の印加をシミュレートして前記ＬＳＩの入力部に発生する電圧値及び被測定装置に発生する電流値と電流経路を算出し，前記算出されたＬＳＩの入力部の電圧値及び被測定装置に発生する電流値及び電流経路について予め設定した規定値と比較し，前記規定値を越えたことが検出されると，該規定値を越えた各項目についてその改善方法を格納した対策データベースと照合して対策方法を生成し，前記生成した対策方法により被測定装置の構成が変更されると前記モデル生成部へ変更データを入力することを特徴とする静電気放電分析方法。

本発明の原理構成を示す図である。本発明による静電気放電分析のフローチャートを示す図である。分析モデルの構成例を示す図である。各種のデータベースの構成例を示す図である。電磁波シミュレータにおける電流計算の説明図である。分析モデルについて求めた静電気電流の説明図である。

符号の説明

１モデル生成部
１ａモデル・データ生成手段
１ｂ試験環境設定手段
１ｃ放電ノイズ設定手段
１０試験環境データベース
１１ノイズ源データベース
２計算部
２ａ入力電圧計算手段
２ｂ電流値経路計算手段
３分析部
３０判定データベース（ＤＢ）
４対策アドバイス部
４０対策データベース
５入力部
６表示部

Claims

電子装置である被測定装置に対する静電気放電を分析する静電気放電分析装置において，
被測定装置を構成する基板，ケーブルの構成，サイズ，材質のデータ，ＬＳＩの等価回路のデータ及び試験環境や放電電圧や波形を含む試験条件の入力に応じて被測定装置のモデルデータと試験条件のデータを生成するモデル生成部と，
前記モデル生成部で生成したモデルデータに対して，前記試験条件のデータによる静電気放電の印加をシミュレートすることにより前記ＬＳＩの入力部に発生する電圧値及び被測定装置に発生する電流値等を算出する計算部と，
前記計算部により求めたＬＳＩの入力部に発生する電圧値及び被測定装置に発生する電流値及び電流経路について予め設定した規定値と比較する分析部と，
前記分析部で規定値を越えたことが検出されると，該規定値を越えた各項目についてそれぞれの対策方法を発生して，対策方法により被測定装置の構成が変更されると前記モデル生成部へ変更データを入力する対策アドバイス部と，
を備えることを特徴とする静電気放電分析装置。
請求項１において，
前記モデル生成部は，試験を行う場合の試験場所，基準大地面設定，基準大地面高さ，水平結合板，垂直結合板，絶縁シート，壁反射影響，周囲温度，周囲湿度，気圧，試験空間等の項目を設定するための各データを格納した試験環境データベースと，静電気放電の電圧，波形，時間等の各種の条件を設定するための各データを格納したノイズ源データベースとを備えることを特徴とする静電気放電分析装置。
請求項１において，
前記計算部は，時間領域電磁界差分法のシミュレータにより算出した磁界から，被測定装置の流れる電流を算出する際に，被測定装置の任意の磁界面をｍ×ｎのマトリクスに分割し，静電気放電を印加時から任意の時間における単位面積当たりの電流の時間変化量を求めることにより算出し，前記算出した電流量を表示する表示部を備えることを特徴とする静電気放電分析装置。
電子装置である被測定装置に対する静電気放電を分析するための静電気放電分析方法において，
被測定装置を構成する基板，ケーブルの構成，サイズ，材質のデータ，ＬＳＩの等価回路のデータ及び試験環境や放電電圧や波形を含む試験条件の入力に応じて被測定装置のモデルデータと試験条件のデータを生成し，
前記生成したモデルデータに対して，前記試験条件のデータによる静電気放電の印加をシミュレートして前記ＬＳＩの入力部に発生する電圧値及び被測定装置に発生する電流値と電流経路を算出し，
前記算出されたＬＳＩの入力部の電圧値及び被測定装置に発生する電流値及び電流経路について予め設定した規定値と比較し，
前記規定値を越えたことが検出されると，該規定値を越えた各項目についてその改善方法を格納した対策データベースと照合して対策方法を生成し，
前記生成した対策方法により被測定装置の構成が変更されると前記モデル生成部へ変更データを入力することを特徴とする静電気放電分析方法。