JP2006332198A - 基板処理装置および基板乾燥方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この基板処理装置は、スピンチャック1に保持された基板Wの上方に設けられた遮断板10の基板対向面11に、赤外LED26を備えている。基板Wにリンス液を供給してリンス処理を行い、基板Wに付着しているリンス液の大部分を振り切った後、基板Wに向けて赤外LED26から赤外光を照射する。これにより、基板W自体は赤外光をほとんど透過するので基板Wは加熱されず、基板Wに付着している微小液滴は赤外光を吸収するので加熱されて蒸発する。
【選択図】 図6(d)
Description
基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用
基板等に代表される各種の被処理基板を処理するための基板処理装置および基板乾燥方法
に関する。
いう。)の表面に対して処理液(薬液または純水)を供給する処理が行われる。とくに、
ウエハを洗浄するための基板洗浄装置では、ウエハの表面に洗浄処理のための薬液が供給
され、その後に純水が供給されてリンス処理が行われる。このリンス処理の後のウエハ表
面には純水が付着しているので、この純水を除去するために、ウエハを高速回転させてウ
エハ表面の純水を振り切るための乾燥処理が行われる。
態で回転するスピンチャックと、このスピンチャックを高速回転させるための回転駆動機
構とを備えている。この構成により、回転に伴って純水に働く遠心力を利用して、純水を
振り切り、基板の乾燥を達成している。
料からなる絶縁膜をいう。)が形成されたウエハなどでは、ウエハ表面は、疎水性になっ
ている。そのため、ウエハ表面に純水を供給してリンス処理を行い、スピンチャックを高
速回転させると、その初期段階において、遠心力が大きいウエハ周辺部の純水は迅速に除去されるが、その一方で、遠心力の小さいウエハ中央部においては一時的に純水の膜が取り残された状態となる。その後、ウエハ中央部の純水の膜も小さな遠心力によってウエハ外方へと振り切られるが、この際、ウエハ中央部の純水の膜が分裂して多数の微小液滴となり、この多数の微小液滴がすでに乾燥された疎水性のウエハ周辺部を通過するために、この微小液滴がウエハ周辺部において放射状に残った状態となる。
また、Low−k膜は多孔質であるため、リンス処理の際のリンス液がLow−k膜の内部に浸透しやすい。そのため、従来、リンス液が内部に浸透したウエハは、減圧雰囲気下のホットプレート上で加熱されることによって、乾燥処理されていた。しかし、ウエハが高温になると、ウエハ表面の金属膜(たとえば銅膜)が酸化されるという問題が生じる。そのため、ウエハの過度な昇温を招くことなく、Low−k膜の内部に浸透したリンス液を除去することが課題となっていた。
処理対象の基板は、表面が疎水性の基板であっても親水性の基板であってもよいが、本願発明は、特に表面に微小液滴が残留しやすい疎水性の基板に対してより有効である。
なお、リンス液としては、純水のほか、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水などの機能水、または希薄濃度(たとえば1ppm程度)のアンモニア水、希薄フッ酸水溶液などを用いてもよい。
この構成によれば、基板に対向する平面部材の対向面に複数個の赤外発光ダイオードが設けられているので、基板の表面に対して、均一に赤外光を照射することができる。したがって、基板の表面を均一に乾燥させることができる。
この構成によれば、複数個の赤外発光ダイオードが設けられた対向面が基板を覆うように配置されているので、常に基板表面に赤外光を照射することができる。したがって、基板表面を最も効率的に乾燥させることができる。
この構成によれば、赤外発光ダイオードが基板に赤外光を照射して、リンス液を加熱し、蒸発させることによって発生する蒸気を排気孔によって効率的に排気し、平面部材の対向面と基板との間の雰囲気を効率的に置換することができる。このため、基板表面の乾燥速度を向上させることができる。
この構成によれば、複数個の赤外発光ダイオードが設けられた平面部材を回転させることによって基板と複数個の赤外発光ダイオードとの位置関係を相対的に変化させることができるので、基板の表面に対して、より均一に赤外光を照射することができる。したがって、基板の表面を均一に乾燥させることができる。
この構成によれば、レーザーダイオードは、高出力で、指向性の高いレーザー光を照射するため、より効率的に基板に赤外光を照射することができる。
この構成によれば、リンス液の主成分である水は、赤外光の波長が3μmと6μmに吸収率の高いピークを持っているので、このピークの波長の赤外光を主に照射することによって、より効率的に基板に付着しているリンス液を選択加熱し、蒸発させることができる。
この構成によれば、請求項1に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
この構成によれば、請求項2に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
この構成によれば、請求項3に関連して述べた効果と同様な効果を奏することができる。
図1は、この発明の第1の実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解図である。この基板処理装置は、たとえば半導体ウエハのようなほぼ円形の基板Wに対して処理液による処理を施すための枚葉式の処理装置であり、基板Wをほぼ水平な姿勢で保持するとともに、その中心を通るほぼ鉛直な回転軸線まわりに回転させることが可能なスピンチャック1を備えている。基板Wは、たとえば、表面にLow−k膜が形成されたシリコンウエハや、表面に弗酸などのエッチング液によってエッチング処理された後のシリコンウエハのように、デバイス形成面が疎水性表面となっている基板である。このような基板Wが、そのデバイス形成面(疎水性表面)を上方に向けてスピンチャック1に保持される。
スピンチャック1の上方には、基板Wよりも大きい径を有し、基板Wの上面に対向する基板対向面11を下面に有する円板状の遮断板10が設けられている。遮断板10の上面には、スピンチャック1の回転軸3の軸線に対して平行にずれた軸線を中心に回転する回転軸12が固定されている。この回転軸12は、中空軸であり、その内部には、基板Wの上面の中央部分に向けて不活性ガスとしての窒素ガスを供給するための窒素ガス供給通路18が形成されている。この窒素ガス供給通路18から供給された窒素ガスは、基板Wの上面と遮断板10の下面(基板対向面11)との間の空間に供給される。窒素ガス供給通路18には、窒素ガスバルブ19および流量調整部30を介して窒素ガスが供給されるようになっている。流量調整部30は、窒素ガス供給通路18に供給される窒素ガスの供給流量を変更(たとえば2段階に変更)するためのものである。窒素ガス供給通路18の周囲には、基板Wの上面と基板対向面11との間の空間内を排気するための排気通路29が形成されており、この排気通路29は排気機構(図示せず)に接続されている。
スピンチャック1の斜め上方には、基板Wの上面に処理液を供給するための処理液ノズル15が設けられている。この処理液ノズル15には、薬液バルブ16からの薬液または純水バルブ17からの純水(脱イオン化された水。リンス液の一例)が供給できるようになっている。また、処理液ノズル15を基板Wの上面の処理液供給位置と、基板W上から退避した退避位置との間で揺動させるためのノズル移動機構25が設けられている。
このような薬液処理が一定時間に渡って行われると、次に、制御装置40は、図6(b)
に示すように、基板W上の薬液を純水に置換するリンス処理工程を実行する。すなわち、制御装置40は、薬液バルブ8,16を閉じ、代わって純水バルブ9,17を開く。これにより、基板Wの上下面に純水が供給されるとともに、スピンチャック1とともに基板Wが水平姿勢で回転され、基板Wの上下面全域に純水が広がる。こうして、基板Wの上下面において薬液が純水に置換されていく。所定量の純水が供給された後、制御装置40は、ノズル移動機構25を制御して処理液ノズル15を基板Wの上方の処理液供給位置から退避位置に移動させる。このリンス処理工程中には、窒素ガスバルブ19が開かれ、基板Wの上方空間が窒素ガス雰囲気とされることが好ましい。
以上のようにこの実施形態によれば、スピンチャック1を高速回転させて振り切り乾燥工程を行った後に、基板Wに赤外光を照射する赤外LED乾燥工程を行うことによって、基板W上に残った放射状の微小液滴を加熱し、蒸発させることができる。このとき、赤外光は、水には吸収されて、水を加熱するが、基板Wをほとんど透過するので、基板Wを加熱することはない。したがって、基板Wをほとんど加熱することなく、基板Wを乾燥させることができるので、ウォーターマークが形成されることなく、基板Wを乾燥させることができる。
また、前記の実施形態では、赤外LED26は、基板対向面11の全面に格子状に配置したが、千鳥格子状に配置したもの、複数列の赤外LEDアレイを等間隔に配置したもの、あるいは複数列の同心円状に配置したものでもよく、基板W上に均一に赤外光が照射されるように赤外LEDは配置されればよい。
また、前記の実施形態では、リンス液として純水が用いられているが、炭酸水、電解イオン水、水素水、磁気水などの機能水、または希薄濃度(たとえば1ppm程度)のアンモニア水などをリンス液として用いることもできる。
また、前述の実施形態では、デバイス形成面(上面)が疎水性の基板Wを例にとったが、親水性の基板に対しても、この発明を適用できる。さらに、前述の実施形態では、円形の基板Wを処理対象とする場合について説明したが、液晶表示装置用ガラス基板やプラズマディプレイ用ガラス基板のような角形基板を処理する装置に対しても、この発明を適用することができる。
2 チャック回転駆動機構
3 回転軸
4 スピンベース
5 挟持部材
6 下面処理液供給管
7 下面ノズル
8 薬液バルブ
9 純水バルブ
10 遮断板
11 基板対向面
12 回転軸
13 挟持部材駆動機構
15 処理液ノズル
16 薬液バルブ
17 純水バルブ
18 窒素ガス供給通路
18a 窒素ガス供給口
19 窒素ガスバルブ
20 アーム
21 遮断板昇降駆動機構
22 遮断板回転駆動機構
25 ノズル移動機構
26 赤外LED
27 排気穴
28 中空室
29 排気通路
30 流量調整部
35 支持部
36 挟持部
40 制御装置
W 基板
Ow 基板の中心
Claims (12)
- 基板を保持するための基板保持手段と、
基板に付着している水分を加熱して蒸発させるために、前記基板保持手段に保持されている基板に赤外光を照射する赤外発光ダイオードと、
を備えることを特徴とする基板処理装置。 - 前記水分は、基板をリンスするためのリンス液を含み、
前記基板保持手段に保持されている基板に前記リンス液を供給するためのリンス液供給手段と、
前記リンス液供給手段によって基板にリンス液が供給された後に、前記赤外発光ダイオードによって基板に赤外光が照射されるように、前記リンス液供給手段および前記赤外発光ダイオードの動作を制御する制御部と、
をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の基板処理装置。 - 前記基板保持手段に保持されている基板を回転させるための基板回転手段をさらに備え、
前記制御部は、前記基板回転手段によって基板が回転させられることによって基板に付着しているリンス液の大部分が振り切られた後に、前記赤外発光ダイオードによって、基板表面に残ったリンス液を加熱して蒸発させるように、前記基板回転手段および前記赤外発光ダイオードの動作を制御するものであることを特徴とする請求項2記載の基板処理装置。 - 前記基板保持手段に保持されている基板の少なくとも一方面側に配置され、基板に対向する対向面を有する平面部材をさらに備え、
前記赤外発光ダイオードは、前記平面部材の対向面に複数個設けられていることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記平面部材の対向面は、基板を覆う大きさに形成されていることを特徴とする請求項4記載の基板処理装置。
- 前記平面部材の対向面には、前記基板保持手段に保持された基板と前記平面部材の対向面との間の雰囲気を排気するための排気孔が開口していることを特徴とする請求項4または5記載の基板処理装置。
- 前記基板保持手段に保持されている基板の表面に対して垂直な軸を中心として、前記平面部材を回転させる平面部材回転手段をさらに備えることを特徴とする請求項4ないし6のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記赤外発光ダイオードは、赤外レーザを発光するレーザーダイオードを含むことを特徴とする請求項1ないし7のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記赤外発光ダイオードは、3μmまたは6μmの波長を含む赤外光を照射することを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板を保持する基板保持工程と、
前記基板保持工程で保持された基板に赤外光を照射して、基板に付着した水分を加熱して蒸発させる赤外光照射工程とを備えたことを特徴とする基板乾燥方法。 - 前記赤外線照射工程に先立って、前記基板保持工程で保持された基板にリンス液を供給するリンス液供給工程をさらに備え、
前記基板に付着した水分は、前記リンス液供給工程において供給されるリンス液を含むことを特徴とする請求項10記載の基板乾燥方法。 - 前記リンス液供給工程の後であって、前記赤外光照射工程に先立って、基板を回転させることによって基板に付着したリンス液を振り切る振り切り工程を備えたことを特徴とする請求項11記載の基板乾燥方法。
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