JP2006319077A - 金属酸化物誘電体膜の形成方法及び半導体記憶装置の製造方法 - Google Patents
金属酸化物誘電体膜の形成方法及び半導体記憶装置の製造方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 下部電極210上に薄いシリコン窒化膜212を形成する熱窒化工程と、金属有機物前駆体を使用して基体200上に非晶質金属酸化物誘電体膜213aを堆積させる成膜工程と、酸素雰囲気内において基体を非晶質金属酸化物誘電体膜213aの結晶化温度よりも低い第1の温度で加熱する第1の熱処理工程と、酸素雰囲気内において基体200を金属酸化物誘電体膜213aの結晶化温度よりも高い第2の温度で加熱する第2の熱処理工程と、第1及び第2の熱処理工程よりも長い時間にわたって、基体を非晶質金属酸化物誘電体膜の結晶化温度よりも低い第3の温度からそれよりも低い所定の温度まで徐冷しながら加熱する第3の熱処理工程と、半導体記憶装置の製造プロセスを完了させる工程からなる。
【選択図】 図1
Description
201 メモリセル要部
202 P型シリコン基板
202a ポリシリコン層
203 STI
204 N型拡散領域
205 ゲート絶縁膜
206 ゲート電極(ワード線)
207 コンタクトプラグ
208 層間絶縁膜
209 ビット線
210 下部電極
211 セルキャパシタ用深孔
212 シリコン窒化膜
213 キャパシタ絶縁膜(誘電体膜)
213a 非晶質の金属酸化物誘電体膜(酸化タンタル)
214 上部電極
215 層間絶縁膜
Claims (8)
- 基体上に金属酸化物誘電体膜を形成する方法であって、
前記基体上に非晶質の金属酸化物誘電体膜を堆積させる成膜工程と、
酸素雰囲気内において前記基体を前記金属酸化物誘電体膜の結晶化温度よりも低い第1の温度で加熱する第1の熱処理工程と、
酸素雰囲気内において前記基体を前記金属酸化物誘電体膜の結晶化温度よりも高い第2の温度で加熱することにより前記金属酸化物誘電体膜を結晶化させる第2の熱処理工程と、
前記基体を前記金属酸化物誘電体膜の結晶化温度よりも低い第3の温度に加熱した後、前記第1及び第2の熱処理工程よりも長い時間にわたって、前記第3の温度よりも低い所定の温度まで徐冷する第3の熱処理工程を含むことを特徴とする金属酸化物誘電体膜の形成方法。 - 前記第3の熱処理工程は、酸素雰囲気内において行うことを特徴とする請求項1に記載の金属酸化物誘電体膜の形成方法。
- 前記第1及び第2の熱処理工程における加熱を60乃至180秒間行い、
前記第3の熱処理工程における徐冷を60乃至100分間行うことを特徴とする請求項1又は2に記載の金属酸化物誘電体膜の形成方法。 - 前記第1の熱処理工程における前記第1の温度は、600乃至650℃であり、
前記第2の熱処理工程における前記第2の温度は、750乃至800℃であり、
前記第3の熱処理工程における前記第3の温度は、680乃至730℃であることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の金属酸化物誘電体膜の形成方法。 - 前記金属酸化物誘電体膜は、酸化タンタル(TaO)からなること特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の金属酸化物誘電体膜の形成方法。
- 前記成膜工程に先立って、前記基体を熱窒化する工程をさらに含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1項に記載の金属酸化物誘電体膜の形成方法。
- 第2の熱処理工程は、急速熱処理装置を用いて加熱する工程であり、
前記第3の熱処理工程は、拡散炉を用いて加熱する工程であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の金属酸化物誘電体膜の形成方法。 - セルトランジスタ及び前記セルトランジスタに接続されたセルキャパシタを含む半導体記憶装置の製造方法であって、前記セルキャパシタの下部電極を覆う金属酸化物誘電体膜を形成する誘電体膜形成工程を備え、前記誘電体膜形成工程は、
前記下部電極を覆う非晶質の金属酸化物誘電体膜を堆積させる成膜工程と、
酸素雰囲気内において前記金属酸化物誘電体膜を結晶化温度よりも低い第1の温度で加熱する第1の熱処理工程と、
酸素雰囲気内において前記金属酸化物誘電体膜を結晶化温度よりも高い第2の温度で加熱することにより前記金属酸化物誘電体膜を結晶化させる第2の熱処理工程と、
前記金属酸化物誘電体膜を結晶化温度よりも低い第3の温度に加熱した後、前記第1及び第2の熱処理工程よりも長い時間にわたって、前記第3の温度よりも低い所定の温度まで徐冷する第3の熱処理工程を含むことを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。
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