JP2006312562A - カーボンナノチューブ複合構造及びその製造方法 - Google Patents
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 72
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 title claims abstract description 69
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 69
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000002048 multi walled nanotube Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000002109 single walled nanotube Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 11
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 4
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 abstract description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 26
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 19
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 10
- 239000002079 double walled nanotube Substances 0.000 description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 6
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N C60 fullerene Chemical compound C12=C3C(C4=C56)=C7C8=C5C5=C9C%10=C6C6=C4C1=C1C4=C6C6=C%10C%10=C9C9=C%11C5=C8C5=C8C7=C3C3=C7C2=C1C1=C2C4=C6C4=C%10C6=C9C9=C%11C5=C5C8=C3C3=C7C1=C1C2=C4C6=C2C9=C5C3=C12 XMWRBQBLMFGWIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-IGMARMGPSA-N Carbon-12 Chemical compound [12C] OKTJSMMVPCPJKN-IGMARMGPSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-OUBTZVSYSA-N Carbon-13 Chemical compound [13C] OKTJSMMVPCPJKN-OUBTZVSYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001241 arc-discharge method Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910003472 fullerene Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004050 hot filament vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910021392 nanocarbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
【解決手段】 層数を異にするカーボンナノチューブ、即ち、多層カーボンナノチューブ1や単層カーボンナノチューブ2が連続して且つ一体に形成されて成り、単層カーボンナノチューブ2の先端部分2Aは、例えばFED電子源に用いた場合、電界集中が起こり易いので、良好な電子放出を行なうことができる。
【選択図】 図1
Description
カーボンナノチューブの成長には触媒金属が必要となるため、金属触媒薄膜や金属触媒微粒子(例えば、ニッケル、コバルト、鉄)をスパッタリング法などを適用して基板上に蒸着する。尚、基板としては、シリコン、シリコン酸化膜、サファイア、アルミナ、金属薄膜などを用いる。
(3)
(A)
カーボンナノチューブの成長は、真空チャンバー内で行う。チャンバー内は、予め高真空、例えば10-3Paのオーダーの真空とする。
(B)
温度600C°の水素雰囲気中で基板のクリーニングを行なう。
(C)
ホットフィラメントを点火し、基板表面温度を590C°とし、原料ガスとしてアセチレンとアルゴンの混合ガス(混合比1:9)を真空チャンバー内に導入する。尚、原料ガスとしては、分圧比は変わるが、アセチレンの他にメタンやアルコールを用いることができる。
(D)
同時に、原料ガスに水素を混入する。その割合は、混合ガス5sccmに対し水素1995sccmである。
(E)
前記条件でカーボンナノチューブを成長させた場合、略単層のカーボンナノチューブが得られる。
(A)
単層カーボンナノチューブの場合と同じく、2層カーボンナノチューブの場合も、成長は、真空チャンバー内で行う。チャンバー内は、予め高真空、例えば10-3Pa程度の真空とする。
(B)
温度600C°の水素雰囲気中で基板のクリーニングを行なう。
(C)
ホットフィラメントを点火し、基板表面温度を590C°とし、原料ガスとしてアセチレンとアルゴンの混合ガス(混合比1:9)を真空チャンバー内に導入する。
(D)
同時に、原料ガスに水素を混入する。その割合は、混合ガス200sccmに対し水素1800sccmである。
(E)
前記条件でカーボンナノチューブを成長させた場合、主とし層数が2であるカーボンナノチューブが得られる。
2層より層数の多い多層カーボンナノチューブを成長させる場合、混合ガスと水素の分圧比を変化させることで制御可能である。この分圧比を変えることを除く他のプロセス条件は、単層や2層のカーボンナノチューブに関する成長条件と同じである。
1B及び1C 層数を異にする多層カーボンナノチューブ
2 単層カーボンナノチューブ
2A 単層カーボンナノチューブ2の先端部分
Claims (4)
- 層数を異にするカーボンナノチューブが連続して且つ一体に形成されてなること
を特徴とするカーボンナノチューブ複合構造。 - カーボンナノチューブを成長させる為の原料となる混合ガスと水素との分圧比を成長工程中に変化して層数を異にするカーボンナノチューブを連続して且つ一体に成長させる工程
が含まれてなることを特徴とするカーボンナノチューブ複合構造の製造方法。 - トランジスタを構成するカーボンナノチューブの一端側若しくは両端側を覆うカーボンナノチューブ
を備えてなることを特徴とするカーボンナノチューブ複合構造。 - 単層カーボンナノチューブと多層カーボンナノチューブとが連続して交互に一体に形成されてなること
を特徴とするカーボンナノチューブ複合構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005134790A JP5332074B2 (ja) | 2005-05-06 | 2005-05-06 | カーボンナノチューブ複合構造及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005134790A JP5332074B2 (ja) | 2005-05-06 | 2005-05-06 | カーボンナノチューブ複合構造及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006312562A true JP2006312562A (ja) | 2006-11-16 |
JP5332074B2 JP5332074B2 (ja) | 2013-11-06 |
Family
ID=37534205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005134790A Expired - Fee Related JP5332074B2 (ja) | 2005-05-06 | 2005-05-06 | カーボンナノチューブ複合構造及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5332074B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009041140A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 擬似円筒状単層中空炭素繊維 |
JP2018186260A (ja) * | 2017-04-25 | 2018-11-22 | 国立大学法人横浜国立大学 | 熱電発電デバイスおよび熱輸送デバイス |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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