JP2006311651A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 外部電源が遮断された場合において、外部電源の遮断に伴う必要な処理を実行できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 外部電源が遮断された後、内部電源電位Vcp>外部電源電位exVddが成立すると、電源遮断検知部4は、出力ノードN1から「H」レベルの遮断信号OUTを出力する。内部電源電位Vppは、遮断信号OUTの駆動源として用いられ、遮断信号OUTの電位は、内部電源電位Vppにほぼ等しくなる。NMOSトランジスタ28および30は、電源遮断検知部4から「H」レベルの遮断信号OUTを受けると、内部電源電位VcpおよびVddを有するノードから接地電位を有するノードへ電流を流入させる。すると、内部電源電位Vcp,Vddは接地電位まで低下し、初期化される。
【選択図】 図2
【解決手段】 外部電源が遮断された後、内部電源電位Vcp>外部電源電位exVddが成立すると、電源遮断検知部4は、出力ノードN1から「H」レベルの遮断信号OUTを出力する。内部電源電位Vppは、遮断信号OUTの駆動源として用いられ、遮断信号OUTの電位は、内部電源電位Vppにほぼ等しくなる。NMOSトランジスタ28および30は、電源遮断検知部4から「H」レベルの遮断信号OUTを受けると、内部電源電位VcpおよびVddを有するノードから接地電位を有するノードへ電流を流入させる。すると、内部電源電位Vcp,Vddは接地電位まで低下し、初期化される。
【選択図】 図2
Description
この発明は、外部電源の投入および遮断に応じて必要な処理を行う半導体装置に関し、特に外部電源が遮断された場合において、残留電力を駆動源として必要な処理を行う半導体装置に関するものである。
一般的な半導体装置は、外部から供給される外部電源を受け、互いに異なる複数の内部電位を発生する電源部を備える。電源部を構成するコンデンサや供給先の負荷に存在する容量分などの影響により、外部電源が遮断された場合でも、電源部の発生する電位は瞬時に低下せず、所定の時定数をもって低下する。すなわち、半導体装置は、外部電源の遮断直後において、その時定数に応じた駆動源を確保できる。
ところで、半導体装置は、電源投入時に残留電荷などによる誤動作を防止するため、初期化処理を行うのが一般的である。さらに、外部電源が何らかの理由で瞬間的に遮断された後に供給が再開される、いわゆる電源バンプが生じた場合にも、誤動作を防止するため、同様の初期化処理が必要である。
たとえば、特許文献1には、複数の外部電源が供給される半導体装置において、瞬停や遮断が生じた場合に、外部電源同士の電位が逆転することによる誤動作を防止し、確実に初期化処理を行うための回路構成が開示されている。
また、特許文献2には、外部電源が遮断されている時間が短時間であっても、残留電荷を十分に放電できる半導体装置が開示されている。
特開2003−69405号公報
特開2001−102535号公報
従来の半導体装置は、外部電源が投入された後に初期化処理を行うように設計されている。そのため、外部電源の遮断された時間が短時間である場合には、外部電源が投入されたタイミングにおいて、電源部の電位が初期状態である接地電位まで低下しておらず、初期化処理を正常に実行できないという問題があった。
また、特許文献2に開示されているように、外部電源が投入されたタイミングにおいて、残留電荷を放電する構成とすると、誤動作の防止は可能となるが、初期化処理の開始が遅延するという問題があった。
すなわち、従来の半導体装置においては、外部電源が遮断された場合において、電源遮断に伴う処理が行われていなかったので、外部電源の投入時に必要な処理を行わざるを得なかった。その結果、初期化処理が正常に実行できないという問題、および初期化処理の開始が遅延するという問題が生じていた。
そこで、この発明は、かかる問題を解決するためになされたものであり、その目的は、外部電源が遮断された場合において、外部電源の遮断に伴う必要な処理を実行できる半導体装置を提供することである。
この発明によれば、外部電源から供給される電力を受けて、所定の時定数をもつ第1の電位を発生する第1の電源部と、外部電源が遮断されたか否かを判断し、外部電源が遮断されたことを検知すると、第1の電源部の電位を駆動源として遮断信号を出力する電源遮断検知部と、電源遮断検知部から遮断信号を受けて、外部電源の遮断に伴う処理を実行する遮断処理部とを備える半導体装置である。
この発明によれば、第1の電源部は所定の時定数をもつ第1の電位を発生するので、外部電源が遮断された直後から所定の時定数の期間において、第1の電源部は所定の電位を維持する。そのため、電源遮断検知部は、第1の電源部から供給される電位を駆動源として、遮断信号を出力できる。さらに、遮断処理部は、その遮断信号に基づいて遮断処理を行う。よって、外部電源が遮断された場合において、外部電源の遮断に伴う処理を実行する半導体装置を実現できる。
この発明の実施の形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図中の同一または相当部分については、同一符号を付してその説明は繰返さない。
[実施の形態1]
図1は、実施の形態1に従う半導体装置100の概略構成図である。
図1は、実施の形態1に従う半導体装置100の概略構成図である。
図1を参照して、半導体装置100は、参照電位発生部10と、電源部2と、電源遮断検知部4と、遮断処理部6と、電源投入検知部8とからなる。
参照電位発生部10は、外部電源から供給される電力を受けて、半導体装置100の基準電位となる参照電位Vrefを発生する。そして、参照電位発生部10は、参照電位Vrefを電源部2および電源投入検知部8へ与える。
電源部2は、参照電位発生部10から与えられる参照電位Vrefに基づいて、外部電源から供給される電力を受けて、互いに異なる3つの内部電源電位を発生する。そして、電源部2は、それぞれの内部電源電位を電源遮断検知部4、遮断処理部6および電源投入検知部8へ与える。また、電源部2は、Vpp電源部2.1と、Vcp電源部2.2と、Vdd電源部2.3とからなる。
Vpp電源部2.1は、昇圧電位と呼ばれる外部電源の電位より高い内部電源電位Vppを発生する。なお、接地電位に対する内部電源電位Vppの規定値は、約3.3Vである。
Vcp電源部2.2は、セルプレート電位と呼ばれる主にDRAM(Dynamic Random Access Memory)の対向電極を駆動するための内部電源電位Vcpを発生する。なお、接地電位に対する内部電源電位Vcpの規定値は、約0.9Vである。
Vdd電源部2.3は、電源電位と呼ばれる各回路を駆動するための内部電源電位Vddを発生する。なお、接地電位に対する内部電源電位Vddの規定値は、約1.8Vである。
電源遮断検知部4は、外部電源電位exVddと内部電源電位Vcpとを比較することにより、外部電源が遮断されたことを検知し、その遮断信号OUTを遮断処理部6へ出力する。また、電源遮断検知部4は、内部電源電位Vppを駆動源として、遮断信号OUTを出力する。
遮断処理部6は、電源遮断検知部4から遮断信号OUTを受けると、内部電源電位VcpおよびVddが速やかに接地電位まで低下させるように、Vcp電源部2.2およびVdd電源部2.3の残留電荷を接地へ放電する。
電源投入検知部8は、内部電源電位Vddと参照電位Vrefとを比較することにより、外部電源が投入されたことを検知し、初期化信号RESETをメモリなどの各回路(図示しない)へ与える。
図2は、電源遮断検知部4および遮断処理部6の概略回路図である。
図2を参照して、電源遮断検知部4は、NMOSトランジスタ20,22と、PMOSトランジスタ24,26とからなる。そして、電源遮断検知部4は、外部電源の遮断信号OUTを出力ノードN1から遮断処理部6へ出力する。
図2を参照して、電源遮断検知部4は、NMOSトランジスタ20,22と、PMOSトランジスタ24,26とからなる。そして、電源遮断検知部4は、外部電源の遮断信号OUTを出力ノードN1から遮断処理部6へ出力する。
NMOSトランジスタ20およびPMOSトランジスタ24は、内部電源電位Vppを有するノードと外部電源電位exVddを有するノードとの間に直列に接続される。NMOSトランジスタ20のゲートには、内部電源電位Vcpが入力される。NMOSトランジスタ22およびPMOSトランジスタ26は、内部電源電位Vppを有するノードと接地電位を有するノードとの間に直列に接続される。NMOSトランジスタ22のゲートには、外部電源電位exVddが入力される。PMOSトランジスタ24および26のゲートは、PMOSトランジスタ24のドレインと接続される。PMOSトランジスタ26およびNMOSトランジスタ22のドレインは、電源遮断検知部4の出力ノードN1と接続される。
遮断処理部6は、NMOSトランジスタ28,30からなる。
NMOSトランジスタ28は、内部電源電位Vcpを有するノードと接地電位を有するノードとの間に直列に接続される。NMOSトランジスタ30は、内部電源電位Vddを有するノードと接地電位を有するノードとの間に直列に接続される。NMOSトランジスタ28および30のゲートは、電源遮断検知部4の出力ノードN1と接続され、遮断信号OUTが入力される。
NMOSトランジスタ28は、内部電源電位Vcpを有するノードと接地電位を有するノードとの間に直列に接続される。NMOSトランジスタ30は、内部電源電位Vddを有するノードと接地電位を有するノードとの間に直列に接続される。NMOSトランジスタ28および30のゲートは、電源遮断検知部4の出力ノードN1と接続され、遮断信号OUTが入力される。
以下、電源遮断検知部4および遮断処理部6の動作について説明する。
図3は、外部電源が遮断された場合における電源遮断検知部4および遮断処理部6の動作を説明する図である。
図3は、外部電源が遮断された場合における電源遮断検知部4および遮断処理部6の動作を説明する図である。
図3(a)は、内部電源電位の時間的変化の一例を示す。
図3(b)は、遮断信号OUTの時間的変化の一例を示す。
図3(b)は、遮断信号OUTの時間的変化の一例を示す。
図3(c)は、遮断処理部6による内部電源電位の時間的変化の一例を示す。
なお、図3(a),(b)および(c)においては、接地電位を基準(0V)としている。
なお、図3(a),(b)および(c)においては、接地電位を基準(0V)としている。
図3(a)を参照して、外部電源が遮断され、瞬間的に外部電源電位exVddが低下すると、それに伴い内部電源電位Vpp,Vcp,Vddも低下し始める。しかし、Vpp電源部2.1、Vcp電源部2.2およびVdd電源部2.3は、それぞれ容量に応じた寄生容量および寄生抵抗を含んでいるため、内部電源電位Vpp,Vcp,Vddは、それぞれ所定の時定数をもって低下する。
図2および図3(b)を参照して、NMOSトランジスタ22のゲートには、外部電源電位exVddが入力されるので、外部電源が遮断される以前の通常状態において、NMOSトランジスタ22のゲートには「H」レベルの電位が入力される。そのため、NMOSトランジスタ22のチャネル抵抗は減少し、電源遮断検知部4は、出力ノードN1から「L」レベルの遮断信号OUTを出力する。
次に、外部電源が遮断されると、外部電源電位exVddは、接地電位とほぼ等しくなる。そのため、NMOSトランジスタ20および22のソースには、いずれも接地電位が入力されることになる。よって、電源遮断検知部4は、カレントミラー回路として機能する。すなわち、電源遮断検知部4は、NMOSトランジスタ20のゲートに入力される内部電源電位VcpとNMOSトランジスタ22のゲートに入力される外部電源電位exVddとを比較し、その比較結果を出力する。
図3(b)を参照して、外部電源が遮断された後、内部電源電位Vcp>外部電源電位exVddが成立する(S1)と、電源遮断検知部4は、出力ノードN1から「H」レベルの遮断信号OUTを出力する。すなわち、遮断信号OUTは、「L」レベルから「H」レベル(内部電源電位Vpp)へ反転する。なお、遮断信号OUTの電位は、内部電源電位Vppとほぼ等しくなり、内部電源電位Vppの低下に伴って、遮断信号OUTの電位も低下する。
上述のように、電源遮断検知部4は、外部電源が遮断されると、外部電源電位exVddが低下する時間(時定数)と、内部電源電位Vcpが低下する時間(時定数)との時間差(時定数の差)を利用して、遮断信号OUTを出力する。すなわち、Vcp電源部2.2は、電源遮断検知部4が内部電源電位Vcpと外部電源電位exVddとの比較に要する時間より長い時定数をもつ。
ここで、内部電源電位Vppは、その時定数を活用して、遮断信号OUTの駆動源として用いられるが、後述するように、他の内部電源電位Vcp,Vddは、その時定数に起因した誤動作を生じる場合がある。
そこで、遮断処理部6は、外部電源が遮断された後、外部電源が復帰するまでの間に、内部電源電位Vcp,Vddが接地電位と等しくなるように、初期化する。
再度、図2を参照して、遮断処理部6のNMOSトランジスタ28のゲートには、電源遮断検知部4からの遮断信号OUTが入力される。そのため、「H」レベルの遮断信号OUTを受けると、NMOSトランジスタ28のチャネル抵抗が小さくなり、内部電源電位Vcpを有するノードから接地電位を有するノードへ電流が流入する。
また、NMOSトランジスタ30のゲートには、電源遮断検知部4からの遮断信号OUTが入力される。そのため、「H」レベルの遮断信号OUTを受けると、NMOSトランジスタ30のチャネル抵抗が小さくなり、内部電源電位Vddを有するノードから接地電位を有するノードへ電流が流入する。
図3(c)を参照して、外部電源が遮断され、電源遮断検知部4から「H」レベルの遮断信号OUTが出力されると、内部電源電位Vcpを有するノードおよび内部電源電位Vddを有するノードに存在する残留電荷が、接地電位を有するノードへ放電され、内部電源電位Vcpおよび内部電源電位Vddは急速に低下する。
なお、内部電源電位Vcpの低下に伴い、遮断信号OUTが「L」レベルに反転する(S2)が、その時点において、遮断処理部6は放電を完了しているので問題は生じない。
上述のように、遮断処理部6は、外部電源が遮断されると、所定の時定数をもつVcp電源部2.2およびVdd電源部2.3を放電することにより初期化し、外部電源が復帰した場合における初期化処理が確実に行われるようにする。また、Vpp電源部2.1は、遮断処理部6が遮断処理を実行する時間以上の時定数をもつので、遮断信号OUTのレベルが低下し、Vcp電源部2.2およびVdd電源部2.3の放電が不完全となることはない。
(電源投入検知部)
図4は、電源投入検知部8の概略回路図である。
図4は、電源投入検知部8の概略回路図である。
図4を参照して、電源投入検知部8は、比較部40と、出力部50とからなる。
比較部40は、NMOSトランジスタ42,44と、PMOSトランジスタ46,48とからなる。
比較部40は、NMOSトランジスタ42,44と、PMOSトランジスタ46,48とからなる。
NMOSトランジスタ42およびPMOSトランジスタ46は、外部電源電位exVddを有するノードと内部電源電位Vddを有するノードとの間に直列に接続される。NMOSトランジスタ42のゲートには、参照電位Vrefが入力される。NMOSトランジスタ44およびPMOSトランジスタ48は、外部電源電位exVddを有するノードと接地電位を有するノードとの間に直列に接続される。NMOSトランジスタ44のゲートには、内部電源電位Vddが入力される。PMOSトランジスタ46および48のゲートは、PMOSトランジスタ46のドレインと接続される。NMOSトランジスタ44およびPMOSトランジスタ48のドレインは、出力ノードN2と接続される。
出力部50は、NMOSトランジスタ52と、PMOSトランジスタ54とからなる。
NMOSトランジスタ52およびPMOSトランジスタ54は、外部電源電位exVddを有するノードと接地電位を有するノードとの間に直列に接続される。NMOSトランジスタ52およびPMOSトランジスタ54のゲートは、比較部40の出力ノードN2と接続される。
NMOSトランジスタ52およびPMOSトランジスタ54は、外部電源電位exVddを有するノードと接地電位を有するノードとの間に直列に接続される。NMOSトランジスタ52およびPMOSトランジスタ54のゲートは、比較部40の出力ノードN2と接続される。
以下、電源投入検知部8の動作について説明する。
図5は、外部電源が投入された場合における電源投入検知部8の動作を説明する図である。なお、図5においては、接地電位を基準(0V)としている。
図5は、外部電源が投入された場合における電源投入検知部8の動作を説明する図である。なお、図5においては、接地電位を基準(0V)としている。
図5を参照して、外部電源が投入されると、外部電源電位exVddは、急激に上昇する。その上昇に追従して、参照電位Vrefも上昇する。
一方、内部電源電位Vddの上昇速度は、寄生容量および寄生抵抗が原因となり、外部電源電位exVddの上昇速度より遅い。すなわち、内部電源電位Vddが規定値に達するまでの時間は、外部電源電位exVddおよび参照電位Vrefがそれぞれ規定値に達するまでの時間よりも長い。また、参照電位Vrefの規定値は、内部電源電位Vddの規定値より低く設定される。
そして、電源投入検知部8は、外部電源が投入されると、参照電圧Vrefが上昇する時間(時定数)と、内部電源電位Vddが上昇する時間(時定数)との時間差(時定数の差)を利用して、初期化信号RESETを出力する。すなわち、Vdd電源部2.3は、参照電位発生部10の時定数に対して、電源投入検知部8が内部電源電位Vddと参照電位Vrefとの比較に要する時間より長い時定数をもつ。
図4および図5を参照して、比較部40は、参照電位Vrefと内部電源電位Vddとを比較し、その比較結果を出力ノードN2から出力するカレントミラー回路である。
外部電源の投入直後においては、参照電位Vrefと内部電源電位Vddとの差が小さいため、比較部40は、出力ノードN2から「L」レベルの信号を出力する。
NMOSトランジスタ52およびPMOSトランジスタ54のゲートには、出力ノードN2からの初期化信号RESETが入力されるため、「L」レベルの信号を受けると、NMOSトランジスタ52のチャネル抵抗は大きくなり、PMOSトランジスタ54のチャネル抵抗は小さくなる。よって、出力部50は、「H」レベル(外部電源電位exVdd)の初期化信号RESETを出力する(S5)。
そして、参照電位Vrefと内部電源電位Vddとの差が大きくなると、参照電位Vref>内部電源電位Vddが成立するため、比較部40は、出力ノードN2から「H」レベルの信号を出力する。
すると、NMOSトランジスタ52のチャネル抵抗は小さくなり、PMOSトランジスタ54のチャネル抵抗は大きくなる。よって、出力部50は、「L」レベル(接地電位)の初期化信号RESETを出力する(S6)。
さらに、内部電源電位Vddが上昇し、内部電源電位Vdd>参照電位Vrefが成立すると、比較部40は、出力ノードN2から「L」レベルの信号を出力する。
すると、NMOSトランジスタ52のチャネル抵抗は大きくなり、PMOSトランジスタ54のチャネル抵抗は小さくなる。よって、出力部50は、「H」レベル(外部電源電位exVdd)の初期化信号RESETを出力する(S7)。
上述のように、電源投入検知部8は、外部電源電位exVddが規定値に達した直後に、「L」レベルから「H」レベルへ反転する初期化信号RESETを出力する。そして、半導体装置100に含まれるメモリなどの各回路(図示しない)は、その初期化信号RESETに応じて、初期化処理を行う。
さらに、メモリなどの各回路は、外部電源電位exVddが規定値に達した後でないと駆動源が供給されないので、初期化信号RESETは、外部電源電位exVddが規定値に達した後に出力される必要がある。
(電源バンプ)
外部電源が何らかの理由で瞬間的に遮断した後に復帰する、いわゆる電源バンプが生じた場合における、電源投入検知部8の動作について説明する。
外部電源が何らかの理由で瞬間的に遮断した後に復帰する、いわゆる電源バンプが生じた場合における、電源投入検知部8の動作について説明する。
図6は、遮断処理部6が存在しない場合における、電源バンプ発生時の電源投入検知部8の動作を説明する図である。
図6(a)は、内部電源電位の時間的変化の一例である。
図6(b)は、初期化信号RESETの時間的変化の一例を示す。
図6(b)は、初期化信号RESETの時間的変化の一例を示す。
なお、図6(a)および(b)においては、接地電位を基準(0V)としている。
図6(a)を参照して、電源バンプが生じると、外部電源電位exVddおよび参照電位Vrefは、瞬間的に接地電位まで低下する。そして、外部電源が復帰すると、その電位は急速に規定値まで上昇する。
図6(a)を参照して、電源バンプが生じると、外部電源電位exVddおよび参照電位Vrefは、瞬間的に接地電位まで低下する。そして、外部電源が復帰すると、その電位は急速に規定値まで上昇する。
一方、内部電源電位Vpp,Vcp,Vddは、それぞれ時定数を有しているので、電源バンプが生じた場合にも、それぞれの電位は所定の速度で低下し、瞬間的にゼロとなることはない。そのため、それぞれの時定数が電源バンプによる外部電源の遮断時間より長ければ、各々の内部電源電位は、接地電位まで低下する前に規定値へ回復する。
図6(b)を参照して、電源バンプが発生した場合には、内部電源電位Vddが接地電位まで低下しないので、常に、内部電源電位Vdd>参照電位Vrefが成立する。図5に示したように、電源投入検知部8は、内部電源電位Vdd>参照電位Vrefが成立したタイミングで「L」レベルから「H」レベルに反転する初期化信号RESETを出力するが、電源バンプが発生した場合には、初期化信号RESETは、外部電源電位exVddとほぼ等しくなり、初期化信号RESETとして機能しない。
したがって、電源遮断検知部4を正常に機能させるためには、電源バンプが発生した直後において、内部電源電位Vddを速やかに初期状態、すなわち、接地電位まで低下させる必要がある。
そのため、上述のように遮断処理部6は、外部電源が遮断されると、Vdd電源部2.2を放電し、内部電源電位Vddを接地電位にする。
図7は、遮断処理部6が機能する場合における、電源バンプ発生時の電源投入検知部8の動作を説明する図である。
図7(a)は、内部電源電位の時間的変化の一例である。
図7(b)は、遮断信号OUTの時間的変化の一例を示す。
図7(b)は、遮断信号OUTの時間的変化の一例を示す。
図7(c)は、初期化信号RESETの時間的変化の一例を示す。
なお、図7(a),(b)および(c)においては、接地電位を基準(0V)としている。
なお、図7(a),(b)および(c)においては、接地電位を基準(0V)としている。
図7(a)を参照して、電源バンプが発生し、外部電源電位exVdd<内部電源電位Vcpが成立する(S10)と、電源遮断検知部4は、「H」レベルの遮断信号OUTを出力する。
図7(b)を参照して、遮断処理部6は、「H」レベルの遮断信号OUTを受け、Vcp電源部2.2およびVdd電源部2.3を放電する。すると、内部電源電位VcpおよびVddは、急速に接地電位まで低下する。そして、内部電源電位VcpおよびVddが接地電位まで低下した後、外部電源が復帰すると、外部電源電位exVdd、参照電位Vref、内部電源電位VcpおよびVddは、それぞれ所定の速度で上昇を開始する。すなわち、内部電源電位Vppを除いて、全くの初期状態において電源が投入された状態と等価になる。
図7(c)を参照して、外部電源が遮断されてから復帰するまでの期間において、内部電源電位Vddが接地電位まで低下するので、電源投入検知部8は、初期状態において外部電源が投入されるのと同様に、初期化信号RESETを出力できる。
この発明の実施の形態1によれば、Vpp電源部は、所定の時定数をもつ内部電源電位Vppを発生するため、外部電源が遮断された場合にも、Vpp電源部は、残留している電荷に応じた電力を供給できる。そのため、電源遮断検知部は、内部電源電位Vppを駆動源として、遮断信号を出力でき、遮断処理部は、その遮断信号に基づいて遮断処理を行う。よって、外部電源が遮断された場合において、外部電源の遮断に伴う処理を実行する半導体装置を実現できる。
また、この発明の実施の形態1によれば、電源遮断検知部は、外部電源電位exVddと内部電源電位Vcpとを比較して外部電源が遮断されたか否かを判断するので、内部電源と予め定められた電位レベルとを比較して判断する場合に比べて、判断に要する時間が短くて済む。そのため、電源遮断検知部は、内部電源電位Vppが低下する前に、遮断信号を出力できる。
さらに、この発明の実施の形態1によれば、遮断処理部は、遮断信号を受けると、内部電源電位Vddを接地に放電し、接地電位にするので、内部電源電位Vddと参照電位Vrefとの立ち上がり時間の差に基づいて外部電源の投入を判断する電源投入検知部における誤動作を回避できる。
[実施の形態2]
実施の形態1においては、外部電源が遮断されると、内部電源電位を放電して初期化する構成について説明した。
実施の形態1においては、外部電源が遮断されると、内部電源電位を放電して初期化する構成について説明した。
実施の形態2においては、外部電源が遮断されると、揮発性の記憶領域に存在するデータを退避して、データを保護する構成について説明する。
図8は、実施の形態2に従う半導体装置200の概略構成図である。
図8を参照して、半導体装置200は、電源部2と、電源遮断検知部4と、演算部90と、データ退避部60とからなる。
図8を参照して、半導体装置200は、電源部2と、電源遮断検知部4と、演算部90と、データ退避部60とからなる。
電源部2と、電源遮断検知部4とは、実施の形態1と同様であるので、詳細な説明は繰返さない。
演算部90は、電源部2から内部電源電位Vpp,Vcp,Vddを受けて、演算処理を行う。そして、演算部90は、キャッシュメモリやDRAMなどの揮発性の記憶領域を備え、演算処理にかかるデータをその記憶領域に一時的に格納する。
データ退避部60は、電源遮断検知部4から遮断信号OUTを受けると、Vpp電源部2.1から供給される電力を駆動源として、演算部90からデータを読出して格納する。
図9は、データ退避部60の概略回路図である。
図9を参照して、データ退避部60は、ラッチ部62と、反転部68と、ゲート部74と、不揮発性記憶部80とからなる。
図9を参照して、データ退避部60は、ラッチ部62と、反転部68と、ゲート部74と、不揮発性記憶部80とからなる。
ラッチ部62は、内部電源電位Vppを駆動源として動作し、演算部90から受けたデータを保持する。そして、ラッチ部62は、インバータ64,66からなる。
インバータ64および66は、互いに導通方向が反対となるように接続され、ラッチ回路を構成する。
反転部68は、電源遮断検知部4から受けた遮断信号OUTを反転し、ゲート部74へ出力する。そして、反転部68は、NMOSトランジスタ70と、PMOSトランジスタ72とからなる。
NMOSトランジスタ70およびPMOSトランジスタ72は、内部電源電位Vppを有するノードと接地電位を有するノードとの間に直列に接続される。そして、NMOSトランジスタ70およびPMOSトランジスタ72のゲートには、電源遮断検知部4から遮断信号OUTが入力される。
ゲート部74は、電源遮断検知部4からの遮断信号OUTに応じて、ラッチ部62に保持されているデータを不揮発性記憶部80へ出力する。そして、ゲート部74は、NMOSトランジスタ76とPMOSトランジスタ78とからなる。
NMOSトランジスタ76およびPMOSトランジスタ78は、ラッチ部62と不揮発性記憶部80との間に並列に接続される。そして、NMOSトランジスタ76のゲートには、電源遮断部からの遮断信号OUTが入力される。また、PMOSトランジスタ78のゲートには、反転部68からの出力が入力される。
不揮発性記憶部80は、内部電源電位Vppを駆動源として動作し、ゲート部74を介して、ラッチ部62から受けたデータを格納する。なお、不揮発性記憶部80は、たとえば、ROM(Read Only Memory)やフラッシュメモリなどからなる。
以下、データ退避部60の動作について説明する。
図3(b)および図9を参照して、外部電源が遮断される前において、電源遮断検知部4は、「L」レベルの遮断信号OUTを出力する。
図3(b)および図9を参照して、外部電源が遮断される前において、電源遮断検知部4は、「L」レベルの遮断信号OUTを出力する。
反転部68において、「L」レベルの遮断信号を受けて、NMOSトランジスタ70はチャネル抵抗が増加し、PMOSトランジスタ72はチャネル抵抗が減少する。よって、反転部68は、「H」レベルの信号をゲート部74へ出力する。
ゲート部74において、NMOSトランジスタ76は、「L」レベルの遮断信号を受けて、チャネル抵抗が増加し、PMOSトランジスタ78は、「H」レベルの信号を受けて、チャネル抵抗が増加する。よって、ゲート部74は、ラッチ部62と不揮発性記憶部80とを切断状態にする。
次に、外部電源が遮断されると、電源遮断検知部4は、「H」レベルの遮断信号OUTを出力する。
反転部68において、「H」レベルの遮断信号を受けて、NMOSトランジスタ70はチャネル抵抗が減少し、PMOSトランジスタ72はチャネル抵抗が増加する。よって、反転部68は、「L」レベルの信号をゲート部74へ出力する。
ゲート部74において、NMOSトランジスタ76は、「H」レベルの遮断信号を受けて、チャネル抵抗が減少し、PMOSトランジスタ78は、「L」レベルの信号を受けて、チャネル抵抗が減少する。よって、ゲート部74は、ラッチ部62と不揮発性記憶部80とを接続状態にする。
すると、ラッチ部62に保持されているデータが不揮発性記憶部80へ転送され、格納される。
上述のように、データ退避部60は、外部電源が遮断されると、演算部90内に存在するデータが消滅しないように、そのデータを不揮発性記憶部80へ格納し、外部電源遮断に伴う処理を行う。
なお、さらに、実施の形態1において説明した電源投入検知部からの初期化信号RESETを受けて、不揮発性記憶部へ格納したデータを再度演算部へ戻すような構成としてもよい。
実施の形態2によれば、データ退避部は、電源遮断検知部からの遮断信号に基づいて、演算部におけるデータを不揮発性記憶部に退避する。よって、外部電源の遮断による演算部のデータ消滅を回避することができるため、電源バンプなどが生じても演算処理を一時的に停止した後、元の状態へ復帰して、演算処理を再開可能な半導体装置を実現できる。
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した説明ではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
2 電源部、2.1 Vpp電源部、2.2 Vcp電源部、2.3 Vdd電源部、4 電源遮断検知部、6 遮断処理部、8 電源投入検知部、10 参照電位発生部、20,22,28,30,42,44,52,70,76 NMOSトランジスタ、24,26,46,48,54,72,78 PMOSトランジスタ、40 比較部、50 出力部、60 データ退避部、62 ラッチ部、64,66 インバータ、68 反転部、74 ゲート部、80 不揮発性記憶部、90 演算部、100,200 半導体装置、N1,N2 出力ノード、OUT 遮断信号、RESET 初期化信号、exVdd 外部電源電位、Vpp,Vdd,Vcp 内部電源電位、Vref 参照電位。
Claims (6)
- 外部電源から供給される電力を受けて、所定の時定数をもつ第1の電位を発生する第1の電源部と、
前記外部電源が遮断されたか否かを判断し、前記外部電源が遮断されたことを検知すると、前記第1の電源部の電位を駆動源として遮断信号を出力する電源遮断検知部と、
前記電源遮断検知部から前記遮断信号を受けて、前記外部電源の遮断に伴う処理を実行する遮断処理部とを備える、半導体装置。 - 前記所定の時定数は、前記遮断処理部が前記外部電源の遮断に伴う処理を実行する時間より長い、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記外部電源から供給される電力を受けて、前記外部電源の電位より低い第2の電位を発生する第2の電源部をさらに備え、
前記電源遮断検知部は、前記第2の電源部の電位と前記外部電源の電位とを比較し、前記外部電源の電位が前記第2の電源部の電位より低い場合に前記外部電源が遮断されたと判断し、
前記第2の電源部は、前記電源遮断検知部が前記第2の電源部の電位と前記外部電源の電位との比較に要する時間より長い時定数をもつ、請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記外部電源が投入されたか否かを判断し、前記外部電源が投入されたことを検知すると、初期化信号を出力する電源投入検知部と、
前記外部電源から供給される電力を受けて、参照電位を発生する参照電位発生部と、
前記外部電源から供給される電力を受けて、前記参照電位より高い第3の電位を発生する第3の電源部とをさらに備え、
前記電源投入検知部は、前記第3の電源部の電位と前記参照電位発生部の電位とを比較し、前記第3の電源部の電位が前記参照電源発生部の電位より高い場合に前記外部電源が投入されたと判断し、
前記第3の電源部は、前記参照電位発生部の時定数に対して、前記電源投入検知部が前記第3の電源部の電位と前記参照電位発生部の電位との比較に要する時間より長い時定数をもち、
前記遮断処理部は、前記遮断信号を受けて、前記第3の電源部を放電させる、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記遮断処理部は、前記遮断信号を受けて、揮発性の記憶領域に存在するデータを退避するデータ退避部を含む、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記データ退避部は、
不揮発性の記憶領域からなる記憶部と、
前記遮断信号に応じてデータを転送するゲート部とを含む、請求項5に記載の半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005128248A JP2006311651A (ja) | 2005-04-26 | 2005-04-26 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005128248A JP2006311651A (ja) | 2005-04-26 | 2005-04-26 | 半導体装置 |
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JP2006311651A true JP2006311651A (ja) | 2006-11-09 |
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JP2005128248A Withdrawn JP2006311651A (ja) | 2005-04-26 | 2005-04-26 | 半導体装置 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2006311651A (ja) |
-
2005
- 2005-04-26 JP JP2005128248A patent/JP2006311651A/ja not_active Withdrawn
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