JP2006311591A - Da変換器、及び液晶表示装置の駆動回路 - Google Patents

Da変換器、及び液晶表示装置の駆動回路 Download PDF

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世明 藍
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Abstract

【課題】 小面積で構成され、かつ多階調の電圧を安定して出力するDA変換器を提供する。
【解決手段】
階調電圧として複数の基準電圧を抵抗の電圧降下を利用して発生させる電圧生成回路と、基準電圧のいずれか一つを第1の出力として選択する第1の制御回路と、第1の出力に対応する諧調電圧に隣接する基準電圧を第2の出力として選択する第2の制御回路と、第1の出力と第2の出力との間に直列に接続された第1の抵抗、第2の抵抗、第3の抵抗、及び第4の抵抗と、第2の抵抗に対して直列に接続された第1のスイッチ手段と、第3の抵抗に対して直列に接続された第2のスイッチ手段と、を有し、第1の出力と第2の出力とを分圧し、第3の出力として選択する第3の制御回路とを有する。
【選択図】 図2

Description

本発明は、液晶駆動回路などに用いられる階調表示電圧発生回路及びDA変換回路に関するものである。
近年の液晶表示装置の大型化に伴い、液晶駆動装置の様々な性能の向上が望まれている。特に鮮やかな色彩を表示するために、高階調が望まれている。近年の技術では、階調電圧がRGB各々10ビット(1024)で約10億色の液晶表示装置も登場してきている。よって、高諧調化を望む上で、外部から入力されたデジタル信号をアナログ信号に変換するDA変換器の性能の向上は不可欠である。DA変換器に関する技術は、例えば、下記特許文献1及び特許文献2に記載されている。
特開昭62−024713号公報 特許文献1には、トランスミッションゲートのオン抵抗を利用して階調電圧の分割を行うDA変換器が記載されている。
特開2000−183747号公報 図3は、2ビットのストリング抵抗方式のDA変換器であり、図4は、3ビットのストリング抵抗方式のDA変換器である。ストリング抵抗方式のDA変換器の場合単純に階調電圧のビット数が1つ増えるごとに素子数は倍になり面積も倍となる。特許文献2には、表示色数の増加や多階調化等により必要とされる階調電圧が増えた場合にも回路構成素子数の急激な増加をせずに実現できる発明が記載されている。
しかしながら、上述の特許文献1に開示された技術では、一つのストリング抵抗に対して並列に数百チャネルの出力デコーダー回路を接続することが考慮されていなかった。ストリング抵抗に対してデコーダー回路は高抵抗であるが、並列に数百も接続することにより各デコーダーへの分流が生じ、ストリング抵抗における電圧降下が変動してしまう恐れがある。
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、多ビットDA変換器でありながら、安定した階調電圧を取り出すことを可能とするDA変換器を提供することにある。
本発明のDA変換器では、上述した課題を解決すべく、階調電圧として複数の基準電圧を抵抗の電圧降下を利用して発生させる電圧生成回路と、基準電圧のいずれか一つを第1の出力として選択する第1の制御回路と、第1の出力に対応する諧調電圧に隣接する基準電圧を第2の出力として選択する第2の制御回路と、第1の出力と第2の出力との間に直列に接続された第1の抵抗、第2の抵抗、第3の抵抗、及び第4の抵抗と、第2の抵抗に対して直列に接続された第1のスイッチ手段と、第3の抵抗に対して直列に接続された第2のスイッチ手段と、を有し、第1の出力と第2の出力とを分圧し、第3の出力として選択する第3の制御回路とを有する。
本発明のDA変換器の構成を取ることで、多ビットDA変換器でありながら、安定した階調電圧を提供できると共にかつ小面積で構成されるDA変換器を提供することが可能となる。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を詳細に説明する。なお、以下の説明及び添付の図面において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一の符号を付すことにより重複説明を省略する。
図1は、本発明の第1の実施の形態におけるDA変換器100の回路図である。まず、本実施例の構成を説明する。DA変換器100は、3ビットのデジタル信号をアナログ信号へ変換する回路である。DA変換器100は、電圧生成回路101、第1の制御回路102、第2の制御回路103、第3の制御回路104から構成されている。電圧生成回路101は、複数の基準電圧を生成する回路であって、電圧V0から抵抗等(ストリング抵抗と呼ぶこともある)により電圧降下させたV1〜V4を出力する。V0〜V4はV0からV4にかけて順次電圧が低くなっている。以後、V0〜V4を総称して階調電圧と呼ぶ。図3及び図4に示すストリング抵抗方式のDA変換器では、2個の階調電圧が必要であるが、本実施例のDA変換器では、2n-1+1個の階調電圧であればよい。本実施例では、5つ(2ビット+1)の電圧を出力しているが、出力される電圧の個数の基本は、2n+1であるが限定はされない。
第1の制御回路102は、電圧生成回路101で出力された複数の階調電圧のうち一つを選択して第1の出力Vout1として出力する。本実施例では、階調電圧のうち偶数番目に当たる電圧の一つを入力された3ビットのデジタル信号のうち、上位2ビットのデジタル信号に応じて選択している。第2の制御回路103は、第1の制御回路102で選択された階調電圧である第1の出力Vout1に隣接する階調電圧を上位2ビットのデジタル信号に応じて選択し、第2の出力Vout2として出力する。本実施例においては、階調電圧のうち奇数番目に当たり、かつ第1の出力Vout1に隣接する電圧を選択している。第1の制御回路102及び第2の制御回路103は、隣接する2つの階調電圧が選択される制御回路であればよい。第3の制御回路104は、第1の入力Vin1と第2の入力Vin2を有していて、第1の入力Vin1と第2の入力Vin2とに第1の出力Vout1と第2の出力Vout2とが接続されている。ただし、DA変換器は、階調電圧の単調性を満たす必要がある。本実施例の第1の制御回路102及び第2の制御回路103では、必ずしもVout1>Vout2とはならないことがある。よって、本実施例においては、第1の制御回路102及び第2の制御回路103によっては、切り替え回路105を挿入する必要がある。切り替え回路105は、第1の入力端子、第2の入力端子、第1の出力端子、及び第2の出力端子を有している。また、3ビットデジタル信号のうち、中間ビットのデジタル信号によって制御されて第1の入力端子から入力された信号を第1の出力端子又は第2の出力端子へ出力する。第2の入力端子から入力された信号は、第1の入力端子から入力された信号とは別の第1の出力端子又は第2の出力端子へ出力される。
また、第3の制御回路104は、第1の入力Vin1と第2の入力Vin2とに応じて第3の出力Vout3を出力する。第1の入力Vin1から第3の出力Vout3にかけて順次第1の抵抗R11及び第1のスイッチ手段S11が形成されている。第2の入力Vin2から第3の出力Vout3にかけて順次第2の抵抗R12及び第2のスイッチ手段S12が形成されている。第1の抵抗R11と第2の抵抗R12とは、同一の抵抗値を有する。ここで、同一とは、近似的な同一を示し、プロセスバラツキによる誤差は同一に包含される。階調電圧のビット数が多くなると第1の出力Vout1と第2の出力Vout2との電圧差は小さくなりプロセスバラツキによる誤差は許容される。以下の実施例においても同様の扱いとする。
また、第1の抵抗R11及び第2の抵抗R12の抵抗値は、第1の制御回路102及び第2の制御回路103で導通状態となっているMOSトランジスタのオン抵抗と、第3の出力Vout3の先に接続される増幅器(図示せず)の入力容量とを考慮して決定されている。説明の都合上、入力のデジタルデータを下位ビットから順に1D、2D、3Dと表す。また、反転信号を1DB、2DB、3DBと表す。
第1の制御回路102及び第2の制御回路103は、MOSトランジスタの選択及び非選択により第1の出力Vout1及び第2の出力Vout2を決定している。nビットのDA変換器であればn−1のMOSトランジスタが選択されて第1の出力Vout1又は第2の出力Vout2が出力される。よって、第1の制御回路102及び第2の制御回路103のMOSトランジスタのオン抵抗は、n−1個のMOSトランジスタのオン抵抗の総和になる。本実施例を例にすれば、3ビットのDA変換器であって、1D又は1DB、2D又は2DB、及び3D又は3DBで制御される3つのMOSトランジスタのオン抵抗の総和である。なお1Dより2D、2Dより3Dで制御されるMOSトランジスタの方が面積的に大きく、またオン抵抗は小さい。
近年の液晶表示装置の駆動回路などにおいて使用されるDA変換器では、一つのストリング抵抗に200個の第1の制御回路102又は第2の制御回路103が並列に接続される。ストリング抵抗の変動を1%以下に抑えるためには、並列に接続するチャネル数をX、ストリング抵抗RA、第1の制御回路102のMOSトランジスタのオン抵抗をRB、第1の抵抗をRCとすると、100*X*RA≦RB+RC の条件を満たすように第1の抵抗R11を設定する必要がある。第2の抵抗R12も考慮すると、第1の抵抗R11及び第2の抵抗R12を直列に接続されたものがストリング抵抗RAに対して並列に接続されているため実際には、100*X*RA≦2(RB+RC)の条件を満たすように第1の抵抗R11及び第2の抵抗R12を設定する必要がある。上記チャネル数が200の場合は約10000倍となる。
また、動作速度を考慮すると、DA変換器の後段に接続される増幅器の入力容量を考慮する必要がある。増幅器の入力容量をCとする。設定値に対して90%の値までの立ち上がりの時間を1μsとすると、時定数は、1≧ln10(RB+RC)C を満たす必要があり、 RB+RC≦C/ln10 を満たすことにより必要な動作速度を得ることが可能である。ただし、ストリング抵抗の変動量は仕様により様々なのでY%とすると、
(50/Y)*X*RA≦RB+RC≦C/ln10
を満たすように第1の抵抗R11を挿入する。第2の抵抗R12に関しても同様である。
次に、動作の説明を行う。第2の制御回路102は、入力のデジタルデータ2D、2DB、3D、3DBに応じて階調電圧のうち偶数番目の電圧を選択する。第3の制御回路103は、入力のデジタルデータ3D、3DBに応じて階調電圧のうち奇数番目の電圧を選択する。ここで、第1の出力Vout1と第2の出力Vout2とは、隣接する階調電圧が選択される。
例えば、1D=0の場合、第3の制御回路104は、第1の出力Vout1と第2の出力Vout2とを切り替え回路105を経由し、最下位1ビットのデジタル信号により第1の入力Vin1と第2の入力Vin2を入力とし、第1のスイッチS12をオンさせることで、第2の入力Vin2を第3の出力Vout3として出力する。1D=1の場合、第1のスイッチS11及び、第2のスイッチS12をオンする。第1の制御回路及び第2の制御回路のMOSトランジスタのオン抵抗並びに第1の抵抗R11及び第2の抵抗R12の抵抗値はどちらも同じであることにより第3の出力Vout3には、第1の入力Vin1と第2の入力Vin2の中間の電圧が出力される。
本実施例のDA変換器の構成によれば、電圧生成回路101で生成される階調電圧は従来と同様に出力が可能であり、さらに、第1の制御回路102、第2の制御回路103、及び第3の制御回路104、切り替え回路105を備えたことにより、第1の入力Vin1と第2の入力Vin2との中間電圧を生成することが可能となり階調電圧の単調性を保つことも可能となる。
また、従来技術のようなnビットの階調電圧を出力するDA変換器からn+1ビットの階調電圧を出力するDA変換器へ変更する場合、nビットのDA変換器を2つ合わせるのと同等の面積になり、約2倍の面積になっていた。本実施例の構成によれば、nビットの階調電圧を出力するDA変換器と同じ面積規模の第1の制御回路102と第2の制御回路103に加えて第3の制御回路104及び切り替え回路105の制御によりn+1ビットの階調電圧を生成することを可能とし、面積の増大を削減することが可能となる。特に、nの値が大きくなればなるほど効果は大きくなる。
また、第1の制御回路102及び第2の制御回路103の接続個数が多くなったとしても、合成抵抗の値を調整することが可能な第1の抵抗R11及び第2の抵抗R12を挿入したことにより、各階調電圧の精度を高く保つことが可能になる。さらに、DA変換器の後段に接続される増幅器の入力容量を考慮して第1の抵抗R11及び第2の抵抗R12を挿入することで、高速な動作が実現可能となる。
図2は本発明の第2の実施の形態におけるDA変換器である。以下の説明おいて第1の実施の形態と同一の部分に関しての説明は省略する。本実施例は、4ビットのDA変換器である。よって、説明の都合上、入力のデジタルデータを下位ビットから順に1D、2D、3D、4Dと表す。
本発明の第2の実施の形態における第3の制御回路204は、第1の実施の形態の第3の制御回路104に加えて、直列に接続された第3の抵抗R23、第3のスイッチ手段206、第4のスイッチ手段207、及び第4の抵抗R24が第1の抵抗と第1のスイッチ手段との間のノード及び第2の抵抗と第2のスイッチ手段との間のノードに接続されている。なお、第3のスイッチ手段及び第4のスイッチ手段は、第1の制御回路及び第2の制御回路を構成しているMOSトランジスタと同一の種類で構成されている。例えば本実施の形態においては、第3のスイッチ手段及び第4のスイッチ手段は、1D又は1DBで制御されるトランジスタ、2D又は2DBで制御されるトランジスタ、及び3D又は3DBで制御されるトランジスタをそれぞれ一つずつ直列接続したものである。
次に動作の説明を行う。例えば1D=0、2D=0の場合は、第1のスイッチ手段S22をオンさせ、第2のスイッチ手段S22、第3のスイッチ手段206及び第4のスイッチ手段207をオフすることで、第2の入力Vin2を直接第3の出力Vout3として出力する。次に、1D=0、2D=1の場合は、第2のスイッチS22、第3のスイッチ206、及び第4のスイッチ207がオンし、第1のスイッチS21がオフすることにより第3の出力Vout3は、第2の入力Vin2より第1の入力Vin1と第2の入力Vin2の電圧の差の1/4高い電圧を出力する。次に、1D=1、2D=0の場合は、第1のスイッチS21及び第2のスイッチS22がオンし、第3のスイッチ206及び第4のスイッチ207がオフすることにより第3の出力Vout3は、第1の入力Vin1と第2の入力Vin2の中間電圧を出力する。最後に、1D=1、2D=1の場合は、第1のスイッチS21、第3のスイッチ206、及び第4のスイッチS24がオンし、第2のスイッチS22がオフすることにより、第3の出力Vout3は、第2の入力Vin2より第1の入力Vin1と第2の入力Vin2の電圧の差の3/4高い電圧を出力する。
入力のデジタルデータの下位2ビット1D及び2Dで、第3の制御回路204を制御することにより、第1の入力Vin1と第2の入力Vin2から新たに3種類の電圧を取り出すことが可能となる。よって、下位2ビットの1D及び2Dを制御することにより、電圧生成回路101で生成された2つの電圧から5種類の電圧を取り出すことが可能となる。
また、従来技術のようなnビットの階調電圧を出力するDA変換器からn+2ビットの階調電圧を出力するDA変換器へ変更する場合、nビットのDA変換器を4つ合わせるのと同等の面積になり、約4倍の面積になっていた。本実施例の構成によれば、nビットの階調電圧を出力するDA変換器と同じ面積規模の第1の制御回路202と第2の制御回路203に加えて第3の制御回路204及び切り替え回路205の制御によりn+2ビットの階調電圧を生成することを可能とし、面積の増大を削減することが可能となる。特に、nの値が大きくなればなるほど効果は大きくなる。
また、上記階調電圧を取り出すために挿入した抵抗が第3のスイッチ手段206及び第4のスイッチ手段207のオン抵抗であるために、第1の制御回路202及び第2の制御回路203のMOSトランジスタとサイズもプロセス条件も同じであるためオン抵抗を同一に設定することが可能である。また、バックバイアス特性等も同じにすることが可能であり、より精度の高い階調電圧を出力することが可能となる。なお実施例1において得られる効果は当然本実施例においても得ることが出来ることはいうまでもない。
本発明の第1の実施の形態におけるDA変換器の回路図である。 本発明の第2の実施の形態におけるDA変換器の回路図である。 従来の2ビットのDA変換器の回路図である。 従来の3ビットのDA変換器の回路図である。
符号の説明
100 DA変換器
101 電圧生成回路
102 第1の制御回路
103 第2の制御回路
104 第3の制御回路
S11 第1のスイッチ
R11 第1の抵抗
Vout1 第1の出力
1D 1ビット目のデジタルデータ

Claims (10)

  1. 階調電圧として複数の基準電圧を抵抗の電圧降下を利用して発生させる電圧生成回路と、
    前記階調電圧のうち偶数番目の基準電圧のいずれか一つを第1の出力として選択する第1の制御回路と、
    前記第1の出力に対応する前記諧調電圧に隣り合う前記基準電圧であって、前記階調電圧のうち奇数番目の基準電圧を第2の出力として選択する第2の制御回路と、
    前記第1の出力と前記第2の出力との間に直列に接続された第1の抵抗、第2の抵抗、第3の抵抗、及び第4の抵抗と、前記第2の抵抗に対して直列に接続された第1のスイッチ手段と、前記第3の抵抗に対して直列に接続された第2のスイッチ手段と、を有し、前記第1の出力と前記第2の出力とを分圧し、第3の出力として選択する第3の制御回路と、
    を備えたことを特徴とするDA変換器。
  2. 前記第1〜4の抵抗は同一の抵抗値を有することを特徴とする請求項1に記載nおDA変換器。
  3. 前記第1の制御回路のオン抵抗と前記第1のスイッチ手段のオン抵抗は等しいこと特徴とする請求項1に記載のDA変換器。
  4. 前記第1のスイッチ手段は、前記第1の出力と前記第2の出力とを分圧する際の前記第1の制御回路のオン抵抗を補正することを特徴とする請求項1に記載のDA変換器。
  5. 階調電圧として複数の基準電圧を抵抗の電圧降下を利用して発生させる電圧生成回路からデジタル信号に応じて、アナログ電圧を選択するDA変換器であって、
    前記階調電圧のうち偶数番目の基準電圧のいずれか一つを第1の出力として選択する第1の制御回路と、前記第1の出力に対応する前記諧調電圧に隣り合う前記基準電圧であって、前記階調電圧のうち奇数番目の基準電圧を第2の出力として選択する第2の制御回路と、前記第1の出力と前記第2の出力との間に直列に接続された第1の抵抗、第2の抵抗、第3の抵抗、及び第4の抵抗と、前記第2の抵抗に対して直列に接続された第1のスイッチ手段と、前記第3の抵抗に対して直列に接続された第2のスイッチ手段と、を有し、前記第1の出力と前記第2の出力とを分圧し、第3の出力として選択する第3の制御回路と、を備えたDA変換器を複数備え、
    前記電圧生成回路に対して複数の前記DA変換器が並列に接続されたことを特徴とする液晶表示装置の駆動回路。
  6. 階調電圧として複数の基準電圧を抵抗の電圧降下を利用して発生させる電圧生成回路と、
    前記基準電圧のいずれか一つを第1の出力として選択する第1の制御回路と、
    前記第1の出力に対応する前記諧調電圧に隣接する前記基準電圧を第2の出力として選択する第2の制御回路と、
    前記第1の出力と前記第2の出力とに応じて出力する第3の出力を有し、前記第1の出力と前記第3の出力との間には第1の抵抗と第1のスイッチ手段とを有し、前記第2の出力と前記第3の出力との間には第2の抵抗と第2のスイッチ手段とを有する第3の制御回路とを有し、
    前記第3の制御回路は、前記第1の抵抗と前記第1のスイッチ手段との間のノードと前記第2の抵抗と前記第2のスイッチ手段との間のノードとの間に接続された第3の抵抗、第3のスイッチ手段、第4の抵抗、及び第4のスイッチ手段を有することを特徴とするDA変換器。
  7. 前記第3の抵抗及び前記第4の抵抗は、前記第1の抵抗及び前記第2の抵抗と同一の抵抗値を持つことを特徴とする請求項6に記載のDA変換器。
  8. 前記第3のスイッチ手段及び前記第4のスイッチ手段は、前記第1の制御回路及び前記第2の制御回路の導通時の抵抗値と同一の抵抗値を持つこと特徴とする請求項6に記載のDA変換器。
  9. 前記第3のスイッチ手段及び第4のスイッチ手段は、MOSトランジスタで構成されており、また、前記第1の制御回路及び第2の制御回路もMOSトランジスタで構成されており、MOSトランジスタの構成面積が同一であることを特徴とする請求項6又は請求項8のいずれかに記載のDA変換器。
  10. 前記第3のスイッチ手段及び前記第4のスイッチ手段は、前記第1の制御回路又は前記第2の制御回路の導通経路のトランジスタの個数と同じであることを特徴とする請求項6又は請求項9のいずれかに記載のDA変換器。

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