JP2006310473A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 N+ソース領域17A,17Bと接触することなく、ボディ領域14と接触するダイオード電極22と、ボディ領域14と接触することなく、N+ソース領域17A,17Bと接触するセンス電極24A,24Bと、ダイオード電極22とセンス電極24A,24Bとの間にボディ領域14とN+ソース領域17A,17Bとの境界部分Bを覆う絶縁膜25とを備える半導体素子12を設けた。
【選択図】 図3
Description
図3は、本発明の第1の実施の形態による半導体装置の断面図である。なお、図3の左端に位置する半導体素子12には、半導体素子12の動作電流IMと寄生ダイオードのターンオンに伴う順電流(電流ID)とが流れている状態を模式的に示す。
図6は、本発明の第2の実施の形態による半導体装置の断面図である。なお、図6において、第1の実施の形態の半導体装置10と同一構成部分には同一符号を付す。
図7は、本発明の第3の実施の形態による半導体装置の断面図である。
11,51 基板
12,52 半導体素子
13,53 第1導電型領域
14 ボディ領域
15 チャネル領域
17A,17B,57A,57B N+ソース領域
18,59 ゲート絶縁膜
19,34,61 ゲート電極
22,63A,63B ダイオード電極
24,24A,24B,62A,62B センス電極
25,65,66 絶縁膜
27,68 N+領域
28,69 ドレイン電極
31〜33,35〜38 配線
41,56 他の半導体素子
42,71A,71B ソース電極
58 トレンチ
B,E 境界部分
C,D 接続部分
Claims (5)
- 基板と、該基板に設けられ、ボディ領域とチャネル領域とを有する第1導電型領域と、該第1導電型領域に接合して形成され、第1導電型領域とは異なる導電型を有する第2導電型領域とを有する半導体素子を備えた半導体装置において、
前記半導体素子は、前記第2導電型領域と接触することなく、前記ボディ領域と接触する第1の電極と、該ボディ領域と接触することなく、該第2導電型領域と接触する第2の電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。 - ゲート電極とドレイン電極とをさらに設けたことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記半導体素子は、前記第1の電極と第2の電極との間に絶縁膜を有し、
前記絶縁膜は、前記ボディ領域と第2導電型領域との境界部分を覆うことを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。 - 前記半導体素子とは別に、前記ボディ領域及び第2導電型領域と接触するソース電極を備えた他の半導体素子を設けたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記他の半導体素子は、MOSFETであることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
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