JP2006309098A - リブと先細櫛歯を備えたmems走査ミラーの寸法諸元 - Google Patents
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Abstract
【課題】 MEMS走査ミラーの設計に関し、共振周波数での振動の安定性を改良し、デバイスの光学解像を保証する装置を提供する。
【解決手段】 超小型電気機械システム(MEMS)ミラーデバイスは、ミラーと、接着パッドと、ばねと、ミラーに接続されている梁とを含んでいる。ミラーは、1000ミクロンより広く1200ミクロン未満の幅と、4000ミクロンより長く5500ミクロン未満の長さと、240ミクロンより厚い厚さを有している。各梁は、複数の回転櫛歯を含んでおり、複数のばねによって接着パッドに接続されている。
【選択図】 図1A
【解決手段】 超小型電気機械システム(MEMS)ミラーデバイスは、ミラーと、接着パッドと、ばねと、ミラーに接続されている梁とを含んでいる。ミラーは、1000ミクロンより広く1200ミクロン未満の幅と、4000ミクロンより長く5500ミクロン未満の長さと、240ミクロンより厚い厚さを有している。各梁は、複数の回転櫛歯を含んでおり、複数のばねによって接着パッドに接続されている。
【選択図】 図1A
Description
本発明は、超小型電気機械システム(MEMS)デバイスに関しており、具体的にはMEMS走査ミラーに関する。
MEMS走査ミラーのための様々な静電櫛型駆動器の設計が提案されてきた。これらのデバイスの広大な用途には、バーコードリーダー、レーザープリンター、共焦点型顕微鏡、投射型ディスプレイ、背面映写テレビ、及び着用型ディスプレイが含まれる。通常、MEMS走査ミラーは、大きな走査角度を実現するため、その主共振周波数で駆動される。安定した作動を保証するには、ミラーとその付帯する可動構造体を、最も低い主共振周波数において所望のモード形状で、確実に振動させるのが極めて重要である。多くの用途において、高い光学解像度を保証するために、ミラーの寸法を大きくし、ミラー表面を平坦にしなければならない。多くの用途で、ミラーの振動/走査速度も速くなければならない。ミラーの寸法と走査速度を増すとミラーの動的平面度が悪化することは、既知である。走査ミラーは、ミラー表面が平坦でなければ、多くの用途で役に立たない。更に、主共振周波数は、必要なモード形状と不必要なモード形状の間の連結の可能性を回避するため、他の構造振動周波数から遠く離しておかなければならない。
望ましくない構造振動は、ミラーの動的変形を増大し、光学解像度が低下することになる。更に、構造振動モードの中には、回転方向可動櫛歯と静止櫛歯の接触を引き起こし、駆動器全体を破壊するものもある。従って、MEMS走査ミラーの設計には、共振周波数での振動の安定性を効果的に改良し、且つこれらのデバイスの光学解像を保証する装置と方法が必要とされている。
本発明の或る実施形態では、超小型電気機械システム(MEMS)ミラーデバイスは、ミラーと、接着パッドと、ばねと、ミラーに接続されている梁とを含んでいる。ミラーは、1000ミクロンから1200ミクロンの幅と、4000ミクロンから5500ミクロンの長さと、240ミクロンより大きい厚さを有している。各梁は、複数の回転櫛歯を含んでおり、複数のばねで接着パッドに接続されている。
各図面を通して、同様又は同じ要素には、同じ参照番号を付して示している。
図1Aは、本発明の或る実施形態によるMEMS走査ミラーデバイス400を示している。デバイス400は、最上部に接着されてはいるが、下側層404と電気的に絶縁されている上側層402を含んでいる。
図1B及び1Cは、上側層402の詳細を示している。上側層402は、楕円形の上側ミラー層406を含んでいる。上側ミラー層406は、その上面にトレンチ/溝408を含んでいる。トレンチ408は、上側ミラー層406の質量を下げて、全動的変形を最小にしている。全動的変形を最小にすることによって、デバイス400の光学解像度を向上させている。トレンチ408は、図では上面全体に沿って走っているが、回転軸414から遠い上側ミラー層406の外周部に沿って配置するのが最も効果的である。後に詳細に説明するが、トレンチ408は、上側ミラー層406を貫通してエッチングされることのないようにその幅を制御することによって、他の構成要素と同時にエッチングすることもできる。代わりに、エッチング中に上側ミラー層406を保護し、トレンチ408が貫通してエッチングされないようにするため、シャドーマスクを使用することもできる。トレンチ408の位置と数は、有限要素解析によって改良することができる。間隙409A及び409Bは、上側ミラー層406を、上側層402の周囲の構成要素から分離している。後に説明するが、間隙409Aと409Bの幅は脆い構成要素の周りの間隙の幅より広くなるよう設計されており、エッチング処理の間に、捕捉されたガスが、脆い構成要素ではなく上側ミラー層406の周りを通って抜け出すことができるようになっている。
上側ミラー層406の相対する側辺は、複数の支持取付部410によって、梁状構造体412Aと412Bの近位端に接続されている。上側ミラー層406を複数の位置で梁412A及び412Bに接続することによって、上側ミラー層406の動的変形は最小になる。支持取付部410の位置と数は、有限要素解析によって改良することができる。
梁412Aと412Bの回転軸414に対する反対の側は、回転櫛歯416に接続されている。回転櫛歯416は、それぞれ、基部の長方形断面の断面積よりも端部の長方形断面の断面積が小さい先細の本体を有している。回転櫛歯416の端部の寸法を小さくし、それによって重量を軽くすることにより、構造体全体の慣性が下がる。構造慣性を下げることによって、走査速度を上げ、又は/及び駆動電圧を下げることができる。或る実施形態では、回転櫛歯416は、そのモード周波数を整調することによって可動構造体の駆動効率を上げるのに用いられる静電バイアス力を提供する。別の実施形態では、回転櫛歯416は、ミラーを駆動する静電駆動力を提供する。更に別の実施形態では、回転櫛歯416は、静電バイアス力と静電駆動力の両方を提供する。
梁412Aと412Bは、蛇行ばねによって、下側層404の上に取り付けられている接着パッドに接続されている。具体的には、梁412Aは、蛇行ばね422−1によって接着パッド424に接続されている遠位端と、蛇行ばね422−2及び422−3によって、梁412A内に形成されている接着パッド426に接続されている中間区画とを有している。同様に、梁412Bは、蛇行ばね428−1によって接着パッド430に接続されている遠位端と、蛇行ばね428−2及び428−3によって、梁412B内に形成されている接着パッド432に接続されている中間区画とを有している。従って、梁412Aと412Bは、ばねによって、上側ミラー層406の回転軸414に沿う分布様式で接続されている。梁412Aと412Bは、その質量を低減するための穴433を含んでいる。
ばねの剛性と位置の分布を注意深く調整することによって、可動構造体の全てのモード周波数を効果的に分離し、所望の回転モードを最も低い共振周波数で設計することができる。主共振周波数は最も低く他の構造モード周波数とは遠く離れているので、ミラーの回転が他の望ましくない振動モードを励起することはない。複数のばねを用いることによって、各ばねの最大応力及び歪みは、一対のねじり梁だけで支持されている従来型の走査ミラー設計より小さくなる。各ばねの応力及び歪みが下がるので、各ばねの信頼性は改良され、回転角度は大きくなる。
上側層402は、回転櫛歯416と面内で互いに噛み合っている固定櫛歯434を含んでいる。固定櫛歯434は、回転櫛歯416と同様の先細本体を有している。或る実施形態では、固定櫛歯434は、そのモード周波数を調整することによって可動構造体の駆動効率を高めるのに用いられる静電バイアス力を提供する。別の実施形態では、固定櫛歯434は、上側ミラー層406を駆動する静電駆動力を提供する。更に別の実施形態では、固定櫛歯434は、静電バイアス力と静電駆動力の両方を提供する。固定櫛歯434は、下側層404の上に取り付けられている接着パッド436に接続されている。
図1D、1E、1F、1Gは、下側層404の詳細を示している。下側層404は、楕円形プレート464からの突出部462を有する下側ミラー層460を含んでいる。間隙465は、下側ミラー層460を下側層404内の周囲の構成要素から分離している。図1Fに示すように、プレート464の底面464は反射面として作用し、他の構造体は、下側層404の底面のアッセンブリ整列マーク466を使ってミラーと整列させることができる。下側ミラー層460の上面467は、上側ミラー層406の下面に接着され、最終ミラーを形成する。図1Gに示すように、最終ミラーはI字型梁状の構造体を有しており、上側ミラー層406が上部フランジを、突出部462がウェブを、プレート464が下部フランジを形成している。I字型梁状の構造体は、ミラー質量の大部分を取り除き、且つミラー構造体の剛性を上げている。従って、下側ミラー面の動的変形を最小にする。下側ミラー面の全動的変形を最小にすることによって、デバイス400の光学解像度が改良される。I字型梁状の構造体の形状は、有限要素解析によって改良することができる。
下側層404は、可動構造体の接着パッドを上側層402に係留するための表面を含んでいる。具体的には、アンカーパッド468及び470は、対応する接着パッド426及び432を取り付けるための面を提供しており、アンカーパッド472は、接着パッド424、430及び436を取り付けるための面を提供している。
下側層404は、回転櫛歯416と面外で噛み合う固定櫛歯474を含んでいる。換言すれば、固定櫛歯474は、上から見たとき又は最終ミラーが回転するときに噛み合う。固定櫛歯474は、櫛歯416及び434と同様に、先細の本体を有している。図1Eに示すように、固定櫛歯474とアンカーパッド472の間には、間隙482が設けられている。間隙482は、隣接する固定櫛歯474の間の間隙484より広い幅を有しているので、間隙482は間隙484より深く下側層404内にエッチングされる。間隙482の方が深いので、回転櫛歯416は、下側層404と接触することなく、より大きな角度で回転することができる。或る実施形態では、固定櫛歯474は、最終ミラーを駆動する静電駆動力を提供する。別の実施形態では、固定櫛歯474は、可動構造体の駆動効率を高めるのに用いられる静電バイアス力を提供する。別の実施形態では、固定櫛歯474は、静電駆動力と静電バイアス力の両方を提供する。更に別の実施形態では、回転櫛歯416と固定櫛歯474の間の静電容量を感知して、ミラーの回転位置が求められる。
図2は、本発明の或る実施形態による、デバイス400を作るための方法500を示している。工程は段階0で始まり、シリコンウェーハ502は、上面に形成された二酸化ケイ素層504と、下面に形成された二酸化ケイ素層506を有している。ウェーハ502は、デバイス400の下側層404(図1E)を形成するのに用いられる。
段階1で、フォトレジスト508を酸化物層506上に堆積し、露光し、リソグラフィ処理して現像し、1つ又は複数のリソグラフィ整列マーク511(段階3に示している)を画定する。
段階2で、ウェーハ502の下面にエッチングを施し、フォトレジスト508で保護されていない酸化物層506の部分を取り除く。或る実施形態では、酸化物層506にはドライエッチングが施される。ウェーハ502の上面にはフォトレジスト510を堆積して、下面のエッチングから保護する。
段階3で、ウェーハ502の下側ウェーハ面にエッチングを施し、酸化物層506で保護されていないウェーハ502の部分を取り除き、リソグラフィ整列マーク511を形成する。シリコンのドライエッチングの後、残っていたフォトレジスト508と510は剥ぎ取られる。
段階4で、フォトレジスト510を再び塗付し、露光し、リソグラフィ処理で現像し、ウェーハ502の上面に、下側ミラー層460(図1E)と、表面468、470及び472(図1E)と、固定櫛歯474(図1E)とを画定する。用いられているマスクは、下側ウェーハ面のリソグラフィ整列マーク511と整列している。
段階5で、ウェーハ502の上面にエッチングを施し、フォトレジスト510で保護されていない酸化物層504の部分を取り除く。或る実施形態では、酸化物層504にドライエッチングを施す。
段階6で、ウェーハ502の上面にエッチングを施し、酸化物層504で保護されていないウェーハ502の部分を取り除き、下側ミラー層460(図1E)と、表面468、470及び472と、固定櫛歯474(図1E)とを形成する。その後、ウェット又はドライエッチングで、残っていたフォトレジスト510を剥ぎ取り、酸化物層504と506を取り除く。
段階7で、シリコンウェーハ512を、ウェーハ502の上面に接着する。ウェーハ512は、上側ウェーハ面上に形成されている二酸化ケイ素層514と、下側ウェーハ面上に形成されている二酸化ケイ素層516を有している。ウェーハ512は、デバイス400の上側層402(図1C)を形成するのに用いられる。或る実施形態では、ウェーハ512と502は、ケイ素融合によって接着する。
段階8で、フォトレジスト518を酸化物層514上に堆積し、露光し、リソグラフィ処理で現像し、上側層402(図1C)の構成要素を画定する。用いられるマスクは、下側ウェーハ面上のリソグラフィ整列マーク511と整列している。段階8では、更に、1つ又は複数のリソグラフィ整列マーク521(段階10に示している)と分離トレンチ519(段階10に示している)も画定する。ウェーハ512内に或る特定の深さエッチングされるトレンチ408(図1C)を、ウェーハ512を貫いてエッチングされる他の構成要素を取り囲む間隙と共にエッチングするため、トレンチ408の寸法と、他の構成要素の間隙の寸法は、違う寸法になっている。
段階9で、ウェーハ512の上面にエッチングを施し、フォトレジスト518で保護されていない酸化物層514の部分を取り除く。或る実施形態では、酸化物層514にはドライエッチングが施される。その後、残っていたフォトレジスト518を剥ぎ取る。
段階10で、ウェーハ512の上面にエッチングを施し、酸化物層514で保護されていないウェーハ512の部分を取り除き、上側層402(図1C)の構成要素を形成する。或る実施形態では、ウェーハ512は、DRIE処理を使って、酸化物層516で形成されているエッチングストッパに達するまでエッチングされる。デバイス400の上部が貫通してエッチングされたとき、接着されたウェーハ502と512の間に捕捉されていたガスが抜け出し、櫛歯のような脆い構成要素に損傷を与える恐れがある。そのような損傷を回避するために、上側ミラー層406(図1C)の周りの間隙409Aと409B(図1C)は、他の構成要素の周りの間隙より広くなるように設計されており、間隙409Aと409Bの下の酸化物層516が他の間隙より前に貫通してエッチングされるようになっている。これにより、空気は、構造的に強力な構成要素である上側ミラー層406の周りを通って抜け出せるようになっている。
段階11で、ミラーの上面をシャドーマスク面522で保護して、上側ミラー層406が貫通してエッチングされないようにする。この段階は、慣性低減トレンチ408の幅が他の間隙より狭くて、貫通してエッチングされることがなければ、随意である。しかしながら、シャドーマスクは、より広い幅を有する慣性低減トレンチ408を作り、より多くの質量を取り除き、回転構造体の慣性を更に下げるのに適している。
段階12で、フォトレジスト520をウェーハ502の下面に堆積し、感光し、現像して、ウェーハ502の下面に、アッセンブリ整列マーク466(図1F)と、分離トレンチ509(段階13に示している)と、下側ミラー層460(図1E)を下側層404(図1E)から分離するための間隙465(図1E)を画定する。用いられているマスクは、ウェーハ上面のリソグラフィ整列マーク521と整列している。
段階13で、ウェーハ502の下面にエッチングを施し、フォトレジスト520で保護されていないウェーハ502の部分を取り除き、アッセンブリ整列マーク466(図1F)と分離トレンチ509を形成し、下側ミラー層460(図1E)を層404(図1E)から分離する。或る実施形態では、ウェーハ502は、DRIE処理を使ってエッチングされる。
段階14で、酸化物層516の部分を構造体から取り除き、デバイス400の様々な構成要素を、対応する接着パッドとアンカーパッドの間の接着を維持しながら解放する。或る実施形態では、酸化物層516の部分は、フッ化水素酸ウェットエッチングを使って取り除かれる。
段階15で、下側ミラー層460(図1F)の下面に反射材料(例えばアルミニウム)を堆積させてミラー面を作る。或る実施形態では、シャドーマスクを用いて反射材料を堆積させる領域を画定する。
段階16で、ウェーハ502と512から成るデバイス400を個々の部品に切り分ける。或る実施形態では、ウェーハ502と512は、分離トレンチ509と519(段階15に示している)を使ってダイシングすることによって個々の部品に切り分ける。
図1Aを参照しながら或る実施形態のデバイス400の作動について説明する。回転櫛歯416は、接着パッド424を介して連結され、電圧源476(例えば接地部)から基準電圧を受け取る。固定櫛歯434は、接着パッド436を介して連結され、電圧源478(例えばDC電圧源)から定常電圧を受け取る。固定櫛歯474(図1Dと1E)は、接着パッド472を介して連結され、電圧源480(例えばAC電圧源)から振動電圧を受け取る。従って、回転櫛歯416と固定櫛歯434の間の定常電圧差は、デバイス400の固有振動数を変化させ、回転櫛歯416と固定櫛歯474(図1Dと1E)の間のAC電圧差は、ミラーを、所望の走査周波数で、所望の走査角度で振動させる。
図1Hを参照しながら別の実施形態のデバイス400の作動について説明する。回転櫛歯416は、接着パッド424を介して連結され、電圧源476(例えばDC電圧源)から定常電圧を受け取る。固定櫛歯434は、接着パッド436を介して連結され、AC電圧源480から振動電圧を受け取る。固定櫛歯474(図1Dと1E)は、接着パッド472を介して連結され、DC電圧源478から定常電圧を受け取る。回転櫛歯416と固定櫛歯434の間で、定常電圧差は、デバイス400の固有振動数と回転振幅を変化させ、AC電圧は、ミラーを、所望の走査周波数で、所望の走査角度で振動させる。更に、回転櫛歯416と固定櫛歯474(図1Dと1E)の間の定常電圧差を用いて、デバイス400の回転角度の振幅を変化させることもできる。回転櫛歯416と固定櫛歯474の間の静電容量を、各接着パッド436と472で感知して、デバイス400の回転角度を求めることもできる。
図1Iを参照しながら別の実施形態のデバイス400の作動について説明する。回転櫛歯416は、接着パッド424を介して連結され、AC電圧源480から振動電圧を受け取る。固定櫛歯434は、接着パッド436を介して連結され、DC電圧源476から定常電圧を受け取る。固定櫛歯474(図1Dと1E)は、接着パッド472を介して連結され、DC電圧源478から定常電圧を受け取る。回転櫛歯416と固定櫛歯434との間で、定常電圧差は、デバイス400の固有振動数と回転振幅を変化させ、回転櫛歯416と固定櫛歯434の間のAC電圧差は、ミラーを、所望の走査周波数で、所望の走査角度で振動させる。回転櫛歯416と固定櫛歯474(図1Dと1E)の間の定常電圧差を用いて、デバイス400の回転角度の振幅を変化させることもできる。回転櫛歯416と固定櫛歯474との間の静電容量を、各接着パッド436と472で感知して、デバイス400の回転角度を求めることもできる。
図1Jを参照しながら別の実施形態のデバイス400の作動について説明する。回転櫛歯416は、接着パッド424を介して連結され、DC電圧源476から定常電圧を受け取る。固定櫛歯434は、接着パッド436を介して連結され、AC電圧源480Aから振動電圧を受け取る。固定櫛歯474(図1Dと1E)は、接着パッド472を介して連結され、AC電圧源480Bから振動電圧を受け取る。AC電圧源480Bによって供給される振動電圧は、電圧源480Aによって供給される振動電圧と位相が違う(例えば、180度位相がずれている)。回転櫛歯416と固定櫛歯434との間で、定常電圧差は、デバイス400の固有振動数と回転振幅を変化させ、AC電圧差は、ミラーを、所望の走査周波数で、所望の走査角度で振動させる。回転櫛歯416と固定櫛歯474(図1Dと1E)の間のAC電圧差を用いて、ミラーを、所望の走査周波数で、所望の走査角度で振動させることもできる。回転櫛歯416と固定櫛歯474の間の静電容量を、各接着パッド436と472で感知して、デバイス400の回転角度を求めることもできる。
図1Kを参照しながら別の実施形態のデバイス400の作動について説明する。回転櫛歯416は、接着パッド424を介して連結され、AC電圧源480Aから振動電圧を受け取る。固定櫛歯434は、接着パッド436を介して連結され、DC電圧源476から定常電圧を受け取る。固定櫛歯474(図1Dと1E)は、接着パッド472を介して連結され、AC電圧源480Bから振動電圧を受け取る。回転櫛歯416と固定櫛歯434の間で、DC電圧差は、デバイス400の固有振動数と回転振幅を変化させ、AC電圧差は、ミラーを、所望の走査周波数で、所望の走査角度で振動させる。回転櫛歯416と固定櫛歯474(図1Dと1E)の間で、DC電圧差を用いて、デバイス400の回転角度の振幅を変化させることもでき、振動電圧差を使って、ミラーを、所望の走査周波数で、所望の走査角度で振動させることもできる。回転櫛歯416と固定櫛歯474の間の静電容量を、各接着パッド436と472で感知して、デバイス400の回転角度を求めることもできる。
図3、4、5、6、7及び8は、本発明の或る実施形態のMEMS走査ミラーデバイス600を示している。デバイス600は、下側層604(図6と7)の上に接着され、下側層604から電気的に絶縁されている上側層602(図3と4)を含んでいる。
図3、図4に示すように、上側層602は、幅Aと長さBを有する楕円形ミラー606を含んでいる。ミラー606は、幅Cを有する間隙609Aと609Bで周囲の構成要素(例えば、接着パッド636)から分離されている。間隙609Aと609Bの幅Cは、もっと脆い構成要素の周りの間隙の幅より大きく設計されており、捕捉されていたガスが、エッチング処理中に、脆い構成要素の周りではなくミラー606の周りから抜け出せるようになっている。整列マーク666は、他の構成要素をデバイス600に整列させるため接着パッド636内に形成されている。
ミラー606の相対する側辺は、複数の支持取付部610で、梁状の構造体612Aと612Bの近位端に接続されている。ミラー606を複数の位置で梁612A及び612Bに接続することによって、ミラー606の動的変形は最小になる。支持取付部610の位置と数は、有限要素解析を通して改良することができる。各梁612Aと612Bは、長さDと幅Eを有している。
梁612Aと612Bの回転軸614に対して反対側の側辺は、回転櫛歯616に接続されている(図5に拡大して示している)。各回転櫛歯616は、基部幅F、端部幅G、長さH及びピッチWで構成された先細の本体を有している。回転櫛歯616の端部の寸法を小さくして重量を下げることにより、構造体全体の慣性が下がる。構造体の慣性を下げることによって、走査速度を高め、又は/及び駆動電圧を下げることができる。或る実施形態では、回転櫛歯616は、そのモード周波数を調整することによって、可動構造体の駆動効率を上げるのに用いられる静電バイアス力を提供する。別の実施形態では、回転櫛歯616は、ミラーを駆動する静電駆動力を提供する。更に別の実施形態では、回転櫛歯616は、静電バイアス力と静電駆動力の両方を提供する。
梁612Aと612Bは、蛇行ばね(「ヒンジ」としても知られている)によって、下側層604の上に取り付けられている接着パッドに接続されている。具体的には、梁612Aは、蛇行ばね622−1によって接着パッド624に接続されている遠位端を有している。更に、梁612Aは、(1)蛇行ばね622−2及び622−3によって、梁612A内に形成されている接着パッド626−1に、(2)蛇行ばね622−4及び622−5によって、梁612A内に形成されている接着パッド626−2に、(3)蛇行ばね622−6及び622−7によって、梁612A内に形成されている接着パッド626−3に、(4)蛇行ばね622−8及び622−9によって、梁612A内に形成されている接着パッド626−4に、接続されている中間区画と有している。
同様に、梁612Bは、蛇行ばね628−1によって接着パッド630に接続されている遠位端を有している。更に、梁612Bは、(1)蛇行ばね628−2及び628−3によって、梁612B内に形成されている接着パッド632−1に、(2)蛇行ばね628−4及び628−5によって、梁612B内に形成されている接着パッド632−2に、(3)蛇行ばね628−6及び628−7によって、梁612B内に形成されている接着パッド632−3に、(4)蛇行ばね628−8及び628−9によって、梁612B内に形成されている接着パッド632−4に、接続されている中間区画を有している。
従って、梁612Aと612Bは、ばねによって、ミラー606の回転軸414に沿う分布様式で接続されている。各蛇行ばね622と628は、幅Iを有しており(図4)、長さJを有する5つの部分から成っている。各接着パッド626と632は、高さKと幅Lを有している。
ばねの剛性と位置の分布を注意深く調整することによって、可動構造体の全てのモード周波数を効果的に分離し、所望の回転モードを最も低い共振周波数で設計することができる。主共振周波数は最も低く他の構造モード周波数とは遠く離れているので、ミラーの回転が他の望ましくない振動モードを励起することはない。複数のばねを用いることによって、各ばねの最大応力及び歪みは、一対のねじり梁だけで支持されている従来型の走査ミラー設計より小さくなる。各ばねの応力及び歪みが下がるので、各ばねの信頼性は改良され、回転角度は大きくなる。
上側層602は、更に、回転櫛歯616と面内で互いに噛み合っている固定櫛歯634(図5で拡大して示している)を含んでいる。固定櫛歯634は、それぞれ、基部幅M、端部幅N、長さO、回転櫛歯634との一定の間隔P、及びピッチWで構成される先細の本体を有している。或る実施形態では、固定櫛歯634は、そのモード周波数を調整することによって、可動構造体の駆動効率を高めるのに用いられる静電バイアス力を提供する。別の実施形態では、固定櫛歯634は、ミラー606を駆動する静電駆動力を提供する。更に別の実施形態では、固定櫛歯634は、静電バイアス力と静電駆動力の両方を提供する。固定櫛歯634は、下側層604の上に取り付けられている接着パッド636に接続されている。
パッド652は、上側層602をエッチングして接着パッド624と636を形成した後で画定される。パッド652は、接着パッド624及び636から距離AJだけ離されている。更に、接着パッド636は、間隙609A及び609Bから少なくとも距離AKだけ離されている。
図6と図7に示すように、下側層604は、リブ660を含んでおり、リブは、ミラー606の下面に接着されている。リブ660は、ミラーの質量をそれほど増やすことなくミラー606の剛性を上げる働きをする。従って、これにより、ミラー606の動的変形が最小になる。ミラー606の全動的変形を最小にすることによって、デバイス600の光学解像度は改良される。リブ660は、下側層604の構成要素から間隙665だけ離されている。リブ660は楕円形で、水平方向横断梁が垂直方向横断梁と相互接続している。リブ660の形状は、有限要素解析を通して改良することができる。
下側層604は、接着パッドを上側層602に係留するための面を含んでいる。具体的には、(1)アンカーパッド668−1、668−2、668−3、668−4は、対応する接着パッド626−1、626−2、626−3、626−4(図3)を取り付けるための面を提供し、(2)アンカーパッド670−1、670−2、670−3、670−4は、対応する接着パッド632−1、632−2、632−3、632−4(図4)を取り付けるための面を提供し、(3)アンカーパッド672は、接着パッド624、630、636、652(図3及び図4)を取り付けるための面を提供している。
下側層604は、回転櫛歯616と面外で噛み合っている、互いに反対側の固定櫛歯674と675(図8に拡大して示している)を含んでいる。換言すると、これらの櫛歯は、上から見たとき又はミラー606が回転するときに噛み合う。各固定櫛歯674は、基部幅Q、端部幅R、長さS、ピッチWの先細本体を有している。固定櫛歯674の端部は、回転軸614と一致する中心線615から距離Xに位置している。各固定櫛歯675は、基部幅T、端部幅U、長さV、ピッチWの先細本体を有している。固定櫛歯675の端部は、中心線615から距離Yに位置している。間隙682は、固定櫛歯674、675とアンカーパッド672の間に設けられている。間隙682は隣接する固定櫛歯474の間の間隙より広い幅を有しているので、間隙682は下側層604の中により深くエッチングされる。間隙682が広いので、回転櫛歯616は、下側層604と接触することなく、より大きな角度で回転することができる。
或る実施形態では、回転櫛歯616と固定櫛歯674及び675の間の静電容量を感知して、ミラーの回転位置を求める。或る実施形態では、固定櫛歯674は固定櫛歯675より広い表面積を有しているので、回転櫛歯616が固定櫛歯674内に回転して入ったときに生成される静電容量は、回転櫛歯616が固定櫛歯675内に回転して入ったときに生成される静電容量より大きい。従って、ミラーの回転方向を検出することができる。
図9は、本発明の或る実施形態によるデバイス600を作るための方法800を示している。工程は段階0’で始まり、シリコンウェーハ802は、上面に形成された二酸化ケイ素層804と、下面に形成された二酸化ケイ素層806を有している。ウェーハ802は、デバイス600の下側層604(図6及び図7)を形成するのに用いられる。シリコンウェーハ802は厚さZを、二酸化ケイ素層804は厚さAAを、二酸化ケイ素層806は厚さABを有している。
段階1’で、フォトレジスト808を酸化物層806上に堆積し、露光し、リソグラフィ処理して現像し、1つ又は複数のリソグラフィ整列マーク811(段階3’に示している)を画定する。
段階2’で、ウェーハ802の下面にエッチングを施し、フォトレジスト808で保護されていない酸化物層806の部分を取り除く。或る実施形態では、酸化物層806にはドライエッチングが施される。ウェーハ802の上面にはフォトレジスト810を堆積して、下面のエッチングから保護する。
段階3’で、ウェーハ802の下側ウェーハ面にエッチングを施し、酸化物層806で保護されていないウェーハ802の部分を取り除き、リソグラフィ整列マーク811を形成する。シリコンのドライエッチングの後、残っていたフォトレジスト808と810は剥ぎ取られる。
段階4’で、フォトレジスト810を再び塗付し、露光し、リソグラフィ処理で現像し、ウェーハ802の上面に、リブ660(図6)と、アンカーパッド668−1から668−4、670−1から670−4及び672(図6及び図7)と、固定櫛歯674、675(図6、図7及び図8)とを画定する。用いられているマスクは、下側ウェーハ面のリソグラフィ整列マーク811と整列している。
段階5’で、ウェーハ802の上面にエッチングを施し、フォトレジスト810で保護されていない酸化物層804の部分を取り除く。或る実施形態では、酸化物層804にドライエッチングを施す。
段階6’で、ウェーハ802の上面にエッチングを施し、酸化物層804で保護されていないウェーハ802の部分を取り除き、リブ660(図6)と、アンカーパッド668−1から668−4、670−1から670−4及び672(図6及び図7)と、固定櫛歯674、675(図6、図7及び図8)とを形成する。リブ660は、他の構成要素から自由にエッチングされるが、アンカーパッド668−1から668−4、670−1から670−4及び672は高さACに、櫛歯674と675は高さADにエッチングされる。その後、ウェット又はドライエッチングで、残っていたフォトレジスト810を剥ぎ取り、酸化物層804と806を取り除く。
段階7’で、シリコンウェーハ812を、ウェーハ802の上面に接着する。ウェーハ812は、上側ウェーハ面上に形成されている二酸化ケイ素層814と、下側ウェーハ面上に形成されている二酸化ケイ素層816を有している。ウェーハ812は、デバイス600の上側層602(図3及び図4)を形成するのに用いられる。シリコンウェーハ812は厚さAEを、二酸化ケイ素層814は厚さAFを、二酸化ケイ素層816は厚さAGを有している。或る実施形態では、ウェーハ812と802は、ケイ素融合によって接着する。
段階8’で、フォトレジスト818を酸化物層814上に堆積し、露光し、リソグラフィ処理で現像して、上側層602(図3、図4及び図5)の構成要素を画定する。用いられるマスクは、下側ウェーハ面上のリソグラフィ整列マーク811と整列している。段階8’では、更に、1つ又は複数のリソグラフィ整列マーク821(段階11’に示している)と分離トレンチ819(段階11’に示している)も画定する。
段階9’で、ウェーハ812の上面にエッチングを施し、フォトレジスト818で保護されていない酸化物層814の部分を取り除く。或る実施形態では、酸化物層814にはドライエッチングが施される。その後、残っていたフォトレジスト818を剥ぎ取る。
段階10’で、ウェーハ812の上面にエッチングを施し、酸化物層814で保護されていないウェーハ812の部分を取り除き、上側層402(図3、図4、図5)の構成要素を形成する。或る実施形態では、ウェーハ812は、DRIE処理を使って、酸化物層816で形成されているエッチングストッパに達するまでエッチングされる。デバイス600の上部が貫通してエッチングされたとき、接着されたウェーハ802と812の間に捕捉されていたガスが抜け出し、櫛歯や蛇行ばねのような脆い構成要素に損傷を与える恐れがある。そのような損傷を回避するために、ミラー606(図3)の周りの間隙609Aと609B(図3)は、他の構成要素の周りの間隙より広くなるように設計されており、間隙609Aと609Bの下の酸化物層816が他の間隙より前に露出するようになっている。これにより、空気は、構造的に強力な構成要素であるミラー606の周りを通って抜け出せるようになっている。
段階11’で、フォトレジスト820を、ウェーハ802の下面に堆積し、露光し、ウェーハ802の下面に現像して、リブ660(図6)を下側層604(図6)から分離するための分離トレンチ809(段階12’で示している)と間隙665(図6及び段階12’)を画定する。用いられているマスクは、上部ウェーハ面のリソグラフィ整列マーク821と整列している。
段階12’で、ウェーハ802の下面にエッチングを施して、フォトレジスト820で保護されていないウェーハ802の部分を取り除き、分離トレンチ809を形成し、リブ660(図6)を下側層604(図6)から分離する。分離トレンチ809は、深さAHを有している。或る実施形態では、ウェーハ802は、DRIE処理を使ってエッチングされる。
段階13’で、酸化物層816の部分を構造体から取り除き、デバイス600の様々な構成要素を、対応する接着パッドとアンカーパッドの間、及びミラーとリブの間の接着を維持しながら解放する。或る実施形態では、酸化物層816の部分は、フッ化水素酸ウェットエッチングを使って取り除かれる。
段階14’で、ミラー606(図3)の上面に反射材料(例えばアルミニウム)を堆積させてミラー面を作る。或る実施形態では、シャドーマスクを用いて反射材料を堆積させる領域を画定する。
段階15’で、ウェーハ802と812から成るデバイス600を個々の部品に切り分ける。或る実施形態では、ウェーハ802と812は、分離トレンチ809と819(段階14’に示している)を使ってダイシングすることによって個々の部品に切り分ける。
或る実施形態によるデバイス600の作動について説明する。回転櫛歯616は、接着パッド624を介して連結され、電圧源676からバイアス電圧(例えば、設置又はDC電圧)を受け取る。これは、デバイス600の固有振動数を変えるのに用いられる。固定櫛歯634は、接着パッド636を介して連結され、電圧源678から駆動電圧(例えば、ゼロオフセット有り又は無しのAC電圧)を受け取る。これは、ミラー606を、所望の走査周波数で、所望の走査角度で振動させるのに用いられる。固定櫛歯674と675は、接着パッド672を介して、静電容量メーター680に連結されている。これは、ミラー606の回転角度を検出するのに用いられる。
図10は、本発明の或る実施例による、ミラーの質量をそれ程増やすことなくミラー606の剛性を上げるのに用いられる別のリブ1060を示している。リブ1060は、中央線615の両側に突き出ている3本の梁1064を有する中間区画1062を含んでいる。中間区画1062は、更に、リブ1060の質量を減じる穴1066を含んでいる。リブ1060の形状は、更に有限要素解析することによって改良することができる。
開示されている実施形態の特徴を、他に様々に適用し組み合わせることも、本発明の範囲内にある。例えば、デバイス400と600は、レーザー印刷、バーコード走査及び超小型ディスプレイに用いることができる。特許請求の範囲は、数多くの実施形態を包含している。
400、600 超小型電気機械システム(MEMS)ミラーデバイス
402、602 上側層
404、604 下側層
406、460、606 ミラー
660、1060 リブ
412、612、1064 梁
416、616 回転櫛歯
424、426、430、432、436、624、626、630、632、634、636、652 接着パッド
422、428、622、828 ばね
434、474、634、674、675 固定櫛歯
414、614 回転軸
680 静電容量メーター
468、470、472、668、670、672 アンカーパッド
402、602 上側層
404、604 下側層
406、460、606 ミラー
660、1060 リブ
412、612、1064 梁
416、616 回転櫛歯
424、426、430、432、436、624、626、630、632、634、636、652 接着パッド
422、428、622、828 ばね
434、474、634、674、675 固定櫛歯
414、614 回転軸
680 静電容量メーター
468、470、472、668、670、672 アンカーパッド
Claims (41)
- 超小型電気機械システム(MEMS)ミラーデバイスであって、
1000ミクロンより広く1200ミクロン未満の幅と、4000ミクロンより長く5500ミクロン未満の長さと、240ミクロンより大きい厚さを有するミラーと、
前記ミラーに接続されており、それぞれ複数の回転櫛歯を備えている複数の梁と、
接着パッドと、
ばねと、
を備えており、前記梁は、それぞれ、複数のばねによって前記接着パッドに接続されていることを特徴とするデバイス。 - 前記各梁は、800ミクロンより広く1400ミクロン未満の幅と、3000ミクロンより長く9000ミクロン未満の長さと、120ミクロンより厚く240ミクロンより薄い厚さを有していることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記各回転櫛歯は、8ミクロンより広く14ミクロン未満の基部幅と、4ミクロンより広く10ミクロン未満の端部幅と、400ミクロンより長く900ミクロンより短い長さと、120ミクロンより厚く240ミクロンより薄い厚さと、30ミクロンより大きく50ミクロン未満のピッチとを備えていることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記各ばねは、20ミクロンより広く60ミクロン未満の幅と、600ミクロンより長い全長と、120ミクロンより厚く240ミクロンより薄い厚さと、を備えていることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ミラーは、垂直方向横断梁と相互接続している水平方向横断梁を有するリブを含んでおり、各横断梁は、450ミクロンより厚く550ミクロンより薄い厚さを有していることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記接着パッドの幾つかは、前記梁内に画定され、少なくとも1つのばねに接続されていることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記接着パッドの幾つかは、それぞれ、350ミクロンを上回り700ミクロン未満の幅及び高さと、120ミクロンより厚く240ミクロン未満の厚さとを有していることを特徴とする、請求項6に記載のデバイス。
- 第1の複数の固定櫛歯を更に備えており、前記第1の複数の固定櫛歯と前記複数の回転櫛歯は、面内で噛み合うことを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記複数の回転櫛歯のそれぞれと前記第1の複数の回転櫛歯のそれぞれとの間の空間は、8ミクロンより広く14ミクロン未満であることを特徴とする、請求項8に記載のデバイス。
- 前記第1の複数の固定櫛歯は、それぞれ、8ミクロンより広く14ミクロン未満の基部幅と、4ミクロンより広く10ミクロン未満の端部幅と、400ミクロンより長く900ミクロン未満の長さと、120ミクロンより厚く240ミクロン未満の厚さと、30ミクロンより広く50ミクロン未満のピッチとを有していることを特徴とする、請求項8に記載のデバイス。
- 前記複数の回転櫛歯は、第1の定常又は振動電圧に連結されており、前記複数の固定櫛歯は、第2の定常又は振動電圧に連結されていることを特徴とする、請求項8に記載のデバイス。
- 第2の複数の固定櫛歯と、第3の複数の固定櫛歯とを更に備えており、前記第2及び第3の複数の固定櫛歯は、前記複数の回転櫛歯と、面外で噛み合うことを特徴とする、請求項8に記載のデバイス。
- 前記第2の複数の固定櫛歯は、それぞれ、8ミクロンより広く14ミクロン未満の基部幅と、4ミクロンより広く10ミクロン未満の端部幅と、150ミクロンより長く500ミクロン未満の長さと、250ミクロンより高く450ミクロン未満の高さと、30ミクロンより広く50ミクロン未満のピッチとを有していることを特徴とする、請求項12に記載のデバイス。
- 前記第3の複数の固定櫛歯は、それぞれ、6ミクロンより広く14ミクロン未満の基部幅と、4ミクロンより広く10ミクロン未満の端部幅と、150ミクロンより長く500ミクロン未満の長さと、250ミクロンより高く450ミクロン未満の高さと、30ミクロンより広く50ミクロン未満のピッチとを有していることを特徴とする、請求項13に記載のデバイス。
- 前記第2の複数の固定櫛歯の端部は、回転軸から500ミクロンより遠く700ミクロン未満に位置しており、前記第3の複数の固定櫛歯の端部は、前記回転軸から500ミクロンより遠く700ミクロン未満に位置していることを特徴とする、請求項14に記載のデバイス。
- 前記第2及び第3の複数の固定櫛歯は、前記ミラーの回転角度を感知するため静電容量メーターに連結されていることを特徴とする、請求項11に記載のデバイス。
- 前記ミラーを取り囲んでいる間隙は、150ミクロンより広く350ミクロン未満の幅を有していることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ミラーの回りのパッドは、前記ミラーを取り囲んでいる前記間隙から400ミクロンよい厚い最狭厚さを有していることを特徴とする、請求項17に記載のデバイス。
- 少なくとも2つの梁と、10個のばねと、6つの接着パッドとを備えていることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記デバイスは、レーザー印刷、バーコード走査、及び超小型第ディスプレイの用途から成るグループから選択される用途に用いられることを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 前記ミラーは、中間区画と、前記中間区画の相対する両側辺から突き出ている梁とを備えたリブ含んでおり、前記リブは、450ミクロンより厚く550ミクロン未満の厚さを有することを特徴とする、請求項1に記載のデバイス。
- 超小型電気機械システム(MEMS)ミラーデバイスであって、
下側層と、上側層とを備えており、
前記下側層は、
リブと、
第1の複数の固定櫛歯と、
第2の複数の固定櫛歯と、
アンカーパッドと、を備えており、
前記上側層は、
前記リブに接着された下面を有するミラーであって、1000ミクロンより広く1110ミクロン未満の幅と、4000ミクロンより長く5500ミクロン未満の長さと、1200ミクロンより厚い厚さを有するミラーと、
前記ミラーに接続されている複数の梁であって、それぞれが複数の回転櫛歯を備えている梁と、
前記アンカーパッドの上に接着され、且つ前記アンカーパッドから電気的に遮断されている接着パッドと、
前記各梁を前記接着パッドに接続しているばねと、
前記接着パッドの1つに接続されている第3の複数の固定櫛歯と、
を備えており、
前記第1及び第2の複数の固定櫛歯は、前記回転櫛歯と面外で噛み合い、前記第3の複数の固定櫛歯は、前記複数の回転櫛歯と面内で噛み合うことを特徴とするデバイス。 - 前記各梁は、800ミクロンより広く1400ミクロン未満の幅と、3000ミクロンより長く9000ミクロン未満の長さと、120ミクロンより厚く240ミクロン未満の厚さを有していることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記各回転櫛歯は、8ミクロンより広く14ミクロン未満の基部幅と、4ミクロンより広く10ミクロン未満の端部幅と、400ミクロンより長く900ミクロン未満の長さと、120ミクロンより厚く240ミクロン未満の厚さと、30ミクロンより大きく50ミクロン未満のピッチとを備えていることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記各ばねは、20ミクロンより広く60ミクロン未満の幅と、600ミクロンより長い全長と、120ミクロンより厚く240ミクロン未満の厚さを有していることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記各横断梁は、450ミクロンより厚く550ミクロン未満の厚さを有していることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記接着パッドの幾つかは、前記梁内に画定され、少なくとも1つのばねに接続されていることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記接着パッドの幾つかは、それぞれ、350ミクロンを超え700ミクロン未満の幅及び高さと、120ミクロンより厚く240ミクロン未満の厚さを有していることを特徴とする、請求項27に記載のデバイス。
- 前記第1の複数の固定櫛歯は、それぞれ、8ミクロンより広く14ミクロン未満の基部幅と、4ミクロンより広く10ミクロン未満の端部幅と、150ミクロンより長く500ミクロン未満の長さと、250ミクロンより高く450ミクロン未満の高さと、30ミクロンより広く50ミクロン未満のピッチとを有していることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記第2の複数の固定櫛歯は、それぞれ、6ミクロンより広く14ミクロン未満の基部幅と、4ミクロンより広く10ミクロン未満の端部幅と、150ミクロンより長く500ミクロン未満の長さと、250ミクロンより高く450ミクロン未満の高さと、30ミクロンより広く50ミクロン未満のピッチとを有していることを特徴とする、請求項29に記載のデバイス。
- 前記第2の複数の固定櫛歯の端部は、回転軸から500ミクロンより遠く700ミクロン未満に位置しており、前記第3の複数の固定櫛歯の端部は、前記回転軸から500ミクロンより遠く700ミクロン未満に位置していることを特徴とする、請求項30に記載のデバイス。
- 前記第3の複数の固定櫛歯は、それぞれ、8ミクロンより広く14ミクロン未満の基部幅と、4ミクロンより広く10ミクロン未満の端部幅と、400ミクロンより長く900ミクロン未満の長さと、120ミクロンより厚く240ミクロン未満の厚さと、30ミクロンより広く50ミクロン未満のピッチとを有していることを特徴とする、請求項30に記載のデバイス。
- 前記複数の回転櫛歯は第1定常又は振動電圧に連結されており、前記第3の複数の固定櫛歯は、第2の定常又は振動電圧に連結されていることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記第1及び第2の複数の固定櫛歯は、前記ミラーの回転角度を感知するため静電容量メーターに連結されていることを特徴とする、請求項33に記載のデバイス。
- 前記ミラーを取り囲んでいる間隙は、150ミクロンより広く350ミクロン未満の幅を有していることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記第3の複数の固定櫛歯に接続されている前記1つの接着パッドは、前記ミラーを取り囲んでいる前記間隙から400ミクロンよい厚い最狭厚さを有していることを特徴とする、請求項35に記載のデバイス。
- 少なくとも2つの梁と、10個のばねと、6つの接着パッドと、5つのアンカーパッドとを備えていることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記複数の回転櫛歯のそれぞれと前記第3の複数の固定櫛歯のそれぞれとの間の間隔は、8ミクロンより広く14ミクロン未満であることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記デバイスは、レーザー印刷、バーコード走査、及び超小型第ディスプレイ用途から成るグループから選択される用途に用いられることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記リブは、垂直方向横断梁と相互接続している水平方向横断梁を備えており、前記各横断梁は、450ミクロンより厚く550ミクロン未満の厚さを有していることを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
- 前記リブは、中間区画と、前記中間区画の相対する両側辺から突き出ている梁とを備えており、前記リブは、450ミクロンより厚く550ミクロン未満の厚さを有することを特徴とする、請求項22に記載のデバイス。
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JP (1) | JP2006309098A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008197139A (ja) * | 2007-02-08 | 2008-08-28 | Ricoh Co Ltd | 光走査装置 |
KR101109286B1 (ko) | 2008-02-20 | 2012-01-31 | 캐논 가부시끼가이샤 | 요동 구조체, 그것을 사용한 요동체 장치, 광편향 장치 및 화상 형성 장치 |
WO2013111266A1 (ja) * | 2012-01-24 | 2013-08-01 | パイオニア株式会社 | アクチュエータ |
JP2017173351A (ja) * | 2016-03-18 | 2017-09-28 | 株式会社豊田中央研究所 | Mems装置 |
-
2005
- 2005-05-02 JP JP2005161933A patent/JP2006309098A/ja active Pending
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