JP2006303841A - 弾性表面波素子片および弾性表面波フィルタ - Google Patents

Abstract

【課題】 横モードスプリアスを抑制しつつ共振周波数の低域側に生じるスプリアスを低減できるようにする。
【解決手段】 弾性表面波素子片２０は、圧電基板２２の表面にすだれ状電極からなる入力用ＩＤＴ２４と出力用ＩＤＴ２６と、これらのＩＤＴ２４、２６を挟んで配置した格子状の反射器４４、４４とを備えている。入力用ＩＤＴ２４、出力用ＩＤＴ２６は、電極指３６、３８、４０、４４が一対の直線部と、各直線部間に斜めに折り曲げて形成されて前記各直線部を相互に接続する接続部とからなる。弾性表面波素子片２０は、ＩＤＴ２４、２６を構成している電極指の形成ピッチをＰｔ、反射器４４を構成している各導体ストリップ４６の形成ピッチをＰｒとしたときに、０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦０．９９９となっている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）を利用した弾性表面波素子片および弾性表面波フィルタに関する。

弾性表面波フィルタ（ＳＡＷフィルタ）は、高周波への対応が容易であって、小型、量産性に優れているところから、種々の電子機器に使用されている。特に、最近は、通信の高速化、通信機器の小型、高周波化に伴って通信分野において広く利用されている。弾性表面波フィルタを構成する弾性表面波素子片は、水晶などの圧電基板の表面にすだれ状電極からなる入力用ＩＤＴ（Interdigital Transducer）と出力用ＩＤＴとを有する。図９は、従来の弾性表面波素子片の一例を模式的に示した平面図である。

弾性表面波素子片１０は、水晶板などからなる圧電基板１２の表面中央部に、入力用ＩＤＴ１４と、出力用ＩＤＴ１６とを有している。各ＩＤＴ１４、１６は、それぞれ一対の櫛型電極から構成してあり、すだれ状に形成してある。また、弾性表面波素子片１０は、これらのＩＤＴ１４、１６を挟んで格子状の反射器１８が設けてある。

このような弾性表面波素子片１０は、一般にインピーダンスが高く、弾性表面波フィルタとして使用した場合に、回路とのインピーダンスをマッチングさせるのに容易でない。このため、低インピーダンスの弾性表面波素子片が求められている。弾性表面波素子片１０のインピーダンスを低くする方法として、ＩＤＴ１４、１６の電極指の交差幅Ｗを大きくすることが知られている。ところが、交差幅Ｗを大きくすると、弾性表面波の伝播方向と直交した方向にエネルギーが分布する横モードのスプリアスが発生し、フィルタ特性を劣化させる。そこで、本願発明者は、ＩＤＴ１４、１６の電極指を弾性表面波の伝播方向に直交した複数の直線部と、これらの直線部間に斜めに折り曲げて設けた接続部とから形成し、低インピーダンス化を図るとともに、横モードスプリアスの影響を排除できる弾性表面波素子片を開発した（例えば、特許文献１）。

ところで、図９に示したように、ＩＤＴ１４、１６を挟んで両側に反射器１８を配置すると、反射器１８、１８間において弾性表面波が反射され、この反射に基づくスプリアスが主共振周波数の低域側に現れる。このことは、特許文献１に記載されている弾性表面波素子片においても同様である。図１０は、入力用ＩＤＴと出力用ＩＤＴとの各電極指が、直線部と斜めに折り曲げて形成した接続部とからなる４００ＭＨｚ帯の弾性表面波素子片の周波数特性を模式的に示したものである。図１０の横軸は、共振Ａ１、Ａ２の共振周波数の中間の周波数を中心周波数ｆ_０とした周波数偏差ΔｆをＭＨｚで表している。また、縦軸は、減衰量をｄＢで表している。

図１０に示されているように、共振Ａ１の低域側に弾性表面波の反射器間における反射によるスプリアスＳが現れる。このような弾性表面波素子片をフィルタとして使用する場合、共振Ａ１とスプリアスＳとの減衰量の差ａは、一般に１０ｄＢ以上あることが望まれている。そして、特許文献２には、入力用ＩＤＴと出力用ＩＤＴとに付与した重み付けを、ＩＤＴ電極配列の中心と不一致で、かつＩＤＴ電極端面とも不一致の非対称とすることにより、スプリアスＳを抑制した弾性表面波フィルタが開示してある。
特開２００５−１２５４４号公報 特開平６−３３４４６９号公報

しかし、特許文献２に記載してある弾性表面波フィルタは、ＩＤＴに重み付けをして、電極指の交差幅を変化させているため、全体として見ると電極指の交差幅が実質的に小さくなり、インピーダンスが高くなる。そして、特許文献２に記載の弾性表面波フィルタは、低インピーダンス化を図るために、電極指の交差幅を大きくすると、横モードのスプリアスがフィルタの帯域幅の中に生じてフィルタ特性を劣化させる。

本発明は、前記従来技術の欠点を解消するためになされたもので、横モードスプリアスを抑制しつつ共振周波数の低域側に生じるスプリアスを低減できるようにすることを目的としている。
また、本発明は、低インピーダンス化を容易に図ることができるようにすることを目的としている。
さらに、本発明は、フィルタの帯域幅を容易に拡げることができるようにすることなどを目的としている。

上記の目的を達成するために、本発明に係る弾性表面波素子片は、圧電基板の表面にすだれ状電極と、このすだれ状電極を挟んで配置した格子状の反射器とを備えた弾性表面波素子片において、前記すだれ状電極の電極指は、複数の直線部と、各直線部間に斜めに折り曲げて形成されて前記各直線部を相互に接続する接続部とからなり、前記各電極指の形成ピッチをＰｔ、前記反射器を構成している各導体ストリップの形成ピッチをＰｒとしたときに、０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦０．９９９である、ことを特徴としている。

このようになっている本発明は、すだれ状電極を構成している電極指の形成ピッチＰｔと、反射器を構成している導体ストリップの形成ピッチＰｒとの比Ｐｔ／Ｐｒを０．９９７〜０．９９９としたことにより、共振周波数の低域側に現れる弾性表面波の反射器間における反射によるスプリアスを低減することができる。しかも、電極指は、直線部と斜めに折り曲げて形成した接続部とからなっているため、直線部を短くすることにより、横モードによるスプリアスを共振周波数から遠ざけることができる。また、直線部の数を多くすることにより、全体としての電極指の交差幅を大きくすることができ、低インピーダンス化を図ることができる。

各電極指の対応する直線部によって形成される複数のトラックは、トラック間における電極指の交差幅を相互に異ならせることができる。すだれ状電極によって生成される弾性表面波は、電極指の交差幅の大きさによって異なることが知られている。したがって、電極指の直線部からなる交差幅の大きさ、すなわちトラック幅を相互に異ならせることにより、各トラックにおいて生成される弾性表面波の周波数が異なる。そこで、各トラックにおいて発生させた弾性表面波を合成することにより、帯域幅を広くすることができる。
また、本発明に係る弾性表面波フィルタは、上記した弾性表面波素子片を備えていることを特徴としている。これにより、上記した作用効果を得ることができる。

本発明に係る弾性表面波素子片および弾性表面波フィルタの好ましい実施の形態を、添付図面に従って詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る弾性表面波素子片の平面図である。図１において、弾性表面波素子片２０は、圧電基板２２の表面中央部に入力用ＩＤＴ２４と出力用ＩＤＴ２６が設けてある。圧電基板２２は、実施形態の場合、水晶板からなっている。そして、水晶板からなる圧電基板２２は、平面視矩形状に形成してある。なお、圧電基板は、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ_３）やニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ_３）などの他の圧電体であってもよい。

入力用ＩＤＴ２４と出力用ＩＤＴ２６とは、それぞれが一対の櫛型電極２８（２８ａ、２８ｂ）、３０（３０ａ、３０ｂ）からなりたっている。各櫛型電極２８、３０は、それぞれの一端が相互に接続された複数の電極指３６、３８、４０、４２を備えている。そして、入力用ＩＤＴ２４は、一対の櫛型電極２８の電極指３６、３８が互いにかみ合うように、かつ等間隔に配置され、すだれ状をなしている。同様に、出力用ＩＤＴ２６は、一対の櫛型電極３０の各電極指４０、４２が互いにかみ合うように、かつ等間隔に配置され、すだれ状をなしている。

また、弾性表面波素子片２０は、一対の反射器４４を備えている。これらの反射器４４は、入力用ＩＤＴ２４、出力用ＩＤＴ２６を挟んでＩＤＴ２４、２６の外側に配置してある。各反射器４４は、それぞれ両端が相互に接続された複数の導体ストリップ４６を備えた格子状に形成してある。反射器４４および各櫛型電極２８、３０は、実施形態の場合、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金から形成してある。すなわち、反射器４４および櫛型電極２８、３０は、圧電基板２２の表面にＡｌまたはＡｌ合金をスパッタリングや蒸着によって成膜し、それを所定の形状にフォトエッチングして形成してある。

入力用ＩＤＴ２４は、一対の櫛型電極２８ａ、２８ｂ間に電気信号が入力すると、圧電基板２２を励振して圧電基板２２に弾性表面波を生成する。入力用ＩＤＴ２４によって励振された弾性表面波は、図１の左右方向に伝播する。そして、一対の反射器４４は、伝播してきた弾性表面波をＩＤＴ２４、２６側に反射する。一方、出力用ＩＤＴ２６は、圧電基板２２を伝播してくる弾性表面波を電気信号に変換し、弾性表面波の振幅に応じた電気信号を出力する。

櫛型電極２８ａの各電極指３６は、それぞれが複数（この実施形態の場合２つ）の直線部３６ａ、３６ｂと、これら直線部３６ａ、３６ｂ間に設けられて各直線部３６ａ、３６ｂを相互に接続する接続部３６ｃとからなっている。すなわち、電極指３６は、接続部３６ｃによって分割された弾性表面波の伝播方向と直交した方向に延在する２つの直線部３６ａ、３６ｂを有する。そして、接続部３６ｃは、斜めに折り曲げて形成してあって、実施形態の場合、直線部３６ａ、３６ｂの形成位置が弾性表面波の伝播方向にλ／２ずれている。また、接続部３６ｃによって分割された２つの直線部３６ａ、３６ｂは、弾性表面波の伝播方向と直交した方向における間隔ｇ１が実施形態の場合、３λ以下にしてある。この間隔ｇ１は、後述するように、各直線部３６ａ、３６ｂによる励振によって生ずる横モードの結合状態を確保するため、できるだけ小さくすることが好ましく、１λ以下が望ましい。

他の櫛型電極２８ｂ、３０ａ、３０ｂの各電極指３８、４０、４２は、電極指３６と同様に、折り曲げて形成した接続部（符号ｃを付して示した）と、接続部によって接続された２つの直線部（符号ａ、ｂを付して示した）とから形成してある。そして、各電極指のａ、ｂを付して示したそれぞれの直線部は、接続部によって弾性表面波の伝播方向においてλ／２だけ相互に位置がずれている。このため、櫛型電極２８ｂの電極指３８は、バスバー側（基端側）の直線部３８ａが弾性表面波の伝播方向において、櫛型電極２８ａの電極指３６の基端側直線部３６ａと対応した位置に形成され、電極指３８の先端側の直線部３８ｂが電極指３６の先端側の直線部３６ｂと対応した位置に形成してある。

さらに、各反射器４４を構成している導体ストリップ４６は、電極指３６、３８、４０、４２と同様に形成してある。すなわち、導体ストリップ４６は、電極指の接続部と対応した位置に、斜めに折り曲げて形成した導体接続部４６ｃを有し、この導体接続部４６ｃよって、一対の直線部４６ａ、４６ｂに分割されている。

なお、実施形態においては、電極指３６の直線部３６ａと、電極指３８の直線部３８ｂとの弾性表面波の伝播方向における重なり部（第１トラック４８）の長さ（第１交差幅Ｂ１１）と、電極指３６の直線部３６ｂと電極指３８の直線部３８ａとの弾性表面波の伝播方向における重なり部（第２トラック５０）の長さ（第２交差幅Ｂ１２）とは同じ（Ｂ１１＝Ｂ１２）にしてある。したがって、入力用ＩＤＴ２４における電極指のトータルの交差幅Ｗは、第１交差幅Ｂ１１と第２交差幅Ｂ１２との和となる。出力用ＩＤＴ２６の一対の櫛型電極３０ａ、３０ｂ間においても、入力用ＩＤＴ２４と同様である。すなわち、弾性表面波素子片２０は、ＩＤＴ２４、２６が電極指の直線部の、弾性表面波の伝播方向における重なり部からなる第１トラック４８と第２トラック５０とによって形成してある。

各櫛型電極２８、３０は、櫛歯となる電極指３６、３８、４０、４２の形成間隔がλとなっている。したがって、入力用ＩＤＴ２４、出力用ＩＤＴ２６のそれぞれのすだれ状電極を構成している電極指３６、３８、４０、４２の形成ピッチＰｔがλ／２となっている。一方、各反射器４４は、導体ストリップ４６の形成ピッチＰｒがλｒ／２となっている。そして、弾性表面波素子片２０は、実施形態の場合、入力用ＩＤＴ２４、出力用ＩＤＴ２６を構成している電極指の形成ピッチＰｔと、反射器４４を構成している導体ストリップ４６の形成ピッチＰｒとの比が、図１０に示したスプリアスＳを小さくするために、０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦０．９９９にしてある。これは次の理由による。

発明者は、ＩＤＴの電極指の形成ピッチＰｔと反射器の導体ストリップの形成ピッチＰｒとを種々に変えて、図１に示した弾性表面波素子片２０を作製した。そして、これらのピッチの比Ｐｔ／Ｐｒと、図１０に示した共振Ａ１に対するスプリアスＳの減衰量の差ａとの関係を調べた。図２は、その結果を示したものである。図２においては、横軸がＩＤＴ２４、２６の電極指の形成ピッチＰｔと反射器４４の導体ストリップ４６の形成ピッチＰｒとの比Ｐｔ／Ｐｒであり、縦軸が図１０に示した減衰量の差ａである。

図２に示してあるように、Ｐｔ／Ｐｒの値が小さいほど減衰量の差ａが小さく、Ｐｔ／Ｐｒの値が１に近づくほど差ａが大きくなる。すなわち、Ｐｔ／Ｐｒの値が小さいほどスプリアスＳが大きくなり、大きいほどスプリアスＳが小さくなることを示している。そして、前記したように、フィルタにおいては、差ａが１０ｄＢ以上あることが望ましい。したがって、図１に示した弾性表面波素子片２０の場合、減衰量の差ａを１０ｄＢ以上にするには、Ｐｔ／Ｐｒの値が０．９９７以上である必要がある。なお、図２において、Ｐｔ／Ｐｒ＝１のときにおける差ａがＰｔ／Ｐｒ＝０．９９９の場合より小さくなっているが、これはスプリアスＳより低域側の別のスプリアスが大きくなるためである。

一方、フィルタにおいては、図１０に示した共振Ａ１と共振Ａ２との減衰量の差ｂが小さいことが望まれている。この差ｂは、一般に１．５ｄＢ以下であることが要求されている。そこで、発明者は、前記の比Ｐｔ／Ｐｒと減衰量の差ｂとの関係を調べて見た。その結果を図３に示す。図３における横軸は比Ｐｔ／Ｐｒであり、縦軸は減衰量の差ｂをｄＢで表したものである。

この場合においても、比Ｐｔ／Ｐｒの値が小さいほど差ｂが小さくなり、Ｐｔ／Ｐｒの値が大きくなるほど差ｂも大きくなる。そして、差ｂを１．５ｄＢ以下にするためには、Ｐｔ／Ｐｒを０．９９９以下にする必要がある。したがって、図１に示した弾性表面波素子片２０は、図２と図３とを考慮すると、０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦０．９９９にする必要がある。Ｐｔ／Ｐｒの値を０．９９７〜０．９９９の範囲に設定することにより、弾性表面波素子片２０を用いてフィルタを形成した場合に、スプリアスＳによる特性の劣化のない高精度なフィルタを得ることができる。

図４と図５は、上記のことを確認するためにＰｔ／Ｐｒの値を変えて作製した弾性表面波素子片２０の図１０に対応した周波数特性を示した図である。図４は、Ｐｔ／Ｐｒの値が０．９９４の弾性表面波素子片２０である。この場合、共振Ａ１とスプリアスＳとの減衰量の差が１０ｄＢより小さくなっている。一方、Ｐｔ／Ｐｒの値が０．９９８である図５場合は、共振Ａ１とスプリアスＳとの減衰量の差が１０ｄＢより大きくなっている。しかも、共振Ａ１と共振Ａ２との減衰量の差はほとんどない。

第１実施形態の弾性表面波素子片２０は、入力用ＩＤＴ２４に電気信号が供給されると、圧電効果により圧電基板２２に弾性表面波が生成される。この弾性表面波は、電極指３６、３８の長手方向に直交した方向に沿って伝搬し、出力用ＩＤＴ２６に達する。また、弾性表面波は、一対の反射器４４によってＩＤＴ２４、２６側に反射され、圧電基板２２に閉じ込められる。一方、出力側ＩＤＴ２６は、弾性表面波が伝播してくると、弾性表面波の振幅に応じた電圧が電極指４０、４２間に発生し、所定のフィルタ特性に応じた信号として抽出することができる。

そして、弾性表面波素子片２０は、入力用ＩＤＴ２４、出力用ＩＤＴ２６が第１トラック４８と第２トラック５０とを有するように形成してあるため、各トラック４８、５０の交差幅Ｂ１１、Ｂ１２を従来の交差幅より小さくすることができる。したがって、詳細を後述するように、各トラック４８、５０において発生する横モードによるスプリアスを弾性表面波の目標周波数（設計周波数）の低周波数側に遠ざけることができる。このため、弾性表面波素子片２０は、横モードスプリアスによるフィルタ特性の劣化を防ぐことができる。しかも、各トラック４８、５０の交差幅の和Ｂ１１＋Ｂ１２を図９に示した従来の弾性表面波素子片１０の交差幅Ｗと同じにすることにより、第１交差幅Ｂ１１または第２交差幅Ｂ１２のみを有する弾性表面波素子片より低インピーダンス化することが可能となる。

そして、実施形態の弾性表面波素子片２０は、各電極指に形成した一対の直線部が弾性表面波の伝播方向において相互にλ／２ずれて配置してある。このため、第１トラック４８において生じた横モードと第２トラック５０において生じた横モードとの位相が反転し、両者が滑らかに結合された状態となり、１次〜３次の横モードが図１の右側に示したような波形になる。なお、発明者の実験によると、同一の電極指に形成した一対の直線部間における弾性表面波の伝播方向のずれは、電極指の形成ピッチをＰｔとしたときに、３λ／８≦Ｐｔ≦５λ／８の範囲にあればフィルタ特性に大きな影響を与えないことが確認された。

この場合、各電極指の各直線部分の１次横モードは、主応答となるのに対して、２次横モード以上はスプリアスとなる。そして、直線部分の２次横モードによる電荷は、各ＩＤＴ２４、２６内で相殺される。一方、各直線部の３次の横モードによる電荷は、相殺されることなくスプリアスとして現れる。すなわち、各直線分における偶数次の横モードによる電荷は相殺され、奇数次の横モードによる電荷がスプリアスとして現れる。しかし、実施形態の弾性表面波素子片２０は、トータルの交差幅を小さくすることなく、各直線部の交差幅Ｂ１１、Ｂ１２を小さくすることができるため、奇数次の横モードによるスプリアスを所定の周波数範囲から遠ざけることができる。なお、一対の直線部（例えば３６ａ、３６ｂ）の弾性表面波の伝播方向と直交する方向の間隔ｇ１が３λより大きくなると、第１トラック４８と第２トラック５０で発生した横モードが滑らかな結合状態にならず、スプリアスの原因となるおそれがある。したがって、間隔ｇ１は、できるだけ小さくする方がよく、望ましくは１λ以下にする。

図６は、第２実施の形態に係る弾性表面波素子片の平面図である。この実施形態に係る弾性表面波素子片６０は、入力用ＩＤＴ２４と、出力用ＩＤＴ２６とが弾性表面波の伝播方向に形成してある。各ＩＤＴ２４、２６は、それぞれ一対の櫛型電極６２（６２ａ、６２ｂ）、６４（６４ａ、６４ｂ）によってすだれ状に形成してある。各櫛型電極６２、６４の電極指６６、６８、７０、７２は、それぞれ弾性表面波の伝播方向と直交した方向に沿って５つの直線部を有している。これらの直線部は、千鳥状に配置してあり、隣接した直線部同士が斜めに折り曲げて形成した接続部によって接続してある点が第１実施形態の電極指と異なっている。したがって、入力用ＩＤＴ２４、出力用ＩＤＴ２６は、交差幅Ｂ２１〜Ｂ２５を有する第１トラック７４〜第５トラック７８の５つのトラックが形成してある。各トラック７４〜７８の交差幅Ｂ２１〜Ｂ２５は、この実施形態の場合、同じに形成してある。ＩＤＴ２４、２６の他の点は、第１実施形態と同様である。また、一対の反射器４４は、それぞれの導体ストリップ８０が各電極指の接続部と対応した位置に、斜めに折り曲げて形成した導体接続部を有する。これらの導体接続部は、同一の導体ストリップ８０に形成された５つの直線部の隣接する直線部同士を相互に接続している。反射器４４の他の点は、第１実施形態と同様である。

各櫛型電極６２、６４の電極指６６、６８、７０、７２は、形成間隔がλとなっている。このため、入力用ＩＤＴ２４は、すだれ状電極を構成している電極指６６、６８の形成ピッチＰｔがλ／２となっている。同様に、出力用ＩＤＴ２６は、電極指７０、７２の形成ピッチＰｔがλ／２となっている。また、反射器４４は、隣接する導体ストリップ８０の形成ピッチＰｒがλｒ／２となっている。そして、弾性表面波素子片６０は、ＩＤＴ２４、２６の電極指の形成ピッチＰｔと、反射器４４の導体ストリップ８０の形成ピッチＰｒとの比Ｐｔ／Ｐｒが、０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦０．９９９にしてある。

これにより、第２実施形態の弾性表面波素子片６０は、前記実施形態と同様に、弾性表面波の反射器４４、４４間の反射に基づくスプリアスを低減することができる。しかも、直線部の数を５つにすることによって、各トラックの交差幅の総和（Ｂ２１＋Ｂ２２＋Ｂ２３＋Ｂ２４＋Ｂ２５）からなるトータル交差幅を大きくすることができ、負荷インピーダンスをより小さくすることができる。また、トータル交差幅を第１実施形態と同じにした場合に、各トラックの交差幅Ｂ２１〜Ｂ２５を第１実施形態の各交差幅Ｂ１１、Ｂ１２より小さくすることができ、横モードによるスプリアスを設計周波数からさらに遠ざけることができる。しかも、弾性表面波素子片６０は、同一の電極指に形成した５つの直線部が千鳥状に配置してあるため、ＩＤＴ２４、２６の弾性表面波の伝播方向における幅を小さくすることができ、素子片の小型化を図ることができる。なお、直線部は、千鳥状に配置しなくともよい。また、直線部の数は、任意に設定することができる。

図７は、第３実施形態に係る弾性表面波素子片の平面図である。図７に示した弾性表面波素子片９０は、入力用ＩＤＴ２４と出力用ＩＤＴ２６とがそれぞれ一対の櫛型電極９２（９２ａ、９２ｂ）、９４（９４ａ、９４ｂ）から形成してある。各櫛型電極９２、９４は、電極指９６、９８、１００、１０２がそれぞれ３つの直線部と、これらの直線部間に折り曲げて斜めに形成した接続部とから形成してある。したがって、各ＩＤＴ２４、２６は、直線部からなる第１トラック１０４、第２トラック１０６、第３トラック１０８の３つのトラックを形成している。しかし、この実施形態においては、各トラック１０４、１０６、１０８の幅（電極指の交差幅）Ｂ３１、Ｂ３２、Ｂ３３が相互に異なっている。

すなわち、櫛型電極９２ａ、９４ａの電極指９６、１００は、バスバーに接続した基端側の直線部が一番長く、先端側にいくほど直線部が短くなっている。逆に櫛型電極９２ｂ、９４ｂの電極指９８、１０２は、バスバーに接続した基端側の直線部が一番短く、先端側にいくほど長くなっている。これらのトラック１０４、１０６、１０８の幅（電極指の交差幅）Ｂ３１〜Ｂ３３は、各トラックにおいて励振する弾性表面波の中心周波数をどのように設定するかによって定められる。

また、入力用ＩＤＴ２４と出力用ＩＤＴ２６とを挟んで設けた一対の反射器４４は、導体ストリップ１１０が各トラック１０４〜１０８に対応させた長さの異なる３つの直線部と、各直線部間に折り曲げて斜めに形成した導体接続部とからなっている。そして、ＩＤＴ２４、２６を構成する電極指の形成ピッチＰｔ（＝λ／２）と、反射器４４を構成する導体ストリップ１１０の形成ピッチＰｒとの比Ｐｔ／Ｐｒが０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦０．９９９にしてある。

これにより、第３実施形態の弾性表面波素子片９０は、前記実施形態と同様の効果を得ることができる。しかも、弾性表面波素子片９０は、各トラック１０４〜１０８の幅Ｂ３１〜Ｂ３３が相互に異なっているため、各トラック１０４〜１０８によって生成される弾性表面波の周波数が異なり、帯域幅の広いフィルタを形成することができる。

なお、直線部の長さの順番は、任意に設定することができる。すなわち、図７に示す実施形態では、第１トラック１０４の幅Ｂ３１を一番広くし、第２トラック１０６、第３トラック１０８の順に幅を狭くした場合を示したが、第２トラック１０６の幅Ｂ３２を一番広くしてもよいし、第３トラック１０８の幅Ｂ３３を一番広くしてもよい。また、２つまたは４つ以上のトラックを形成して、それぞれのトラック幅を異ならせてもよい。

図８は、第１実施形態の弾性表面波素子片２０を備えた弾性表面波フィルタの一例を示す説明図である。図８において、弾性表面波フィルタ１２０は、弾性表面波素子片２０がパッケージ１２２に収容してある。パッケージ１２２は、弾性表面波素子片２０を収容する収容凹部１２４を形成するパッケージベース１２６と、収容凹部１２４を封止するリッド１２８とを備えた構成である。パッケージベース１２６は、収容凹部１２４内に電極パッド１３０が設けてあり、外面に電極パッド１３０と電気的に接続した外部電極１３２が設けてある。弾性表面波素子片２０は、パッケージベース１２６の収容凹部１２４の底面に接着剤（図示せず）を介して実装してある。そして、弾性表面波素子片２０は、入力用ＩＤＴ２４と出力用ＩＤＴ２６とが、ボンディングワイヤ１３４を介して電極パッド１３０に電気的に接続してある。また、パッケージベース１２６の上面には、リッド１２８が気密に接合してある。これにより、弾性表面波素子片２０は、弾性表面波フィルタ１２０として様々な電子機器に搭載することが可能になる。

本発明の第１実施形態に係る弾性表面波素子片の平面図である。 ＩＤＴの電極指の形成ピッチと反射器の導体ストリップの形成ピッチとの比と、図１０における減衰量の差ａとの関係を示す図である。 ＩＤＴの電極指の形成ピッチと反射器の導体ストリップの形成ピッチとの比と、図１０における減衰量の差ｂとの関係を示す図である。 ＩＤＴの電極指の形成ピッチＰｔと反射器の導体ストリップの形成ピッチＰｒとの比が０．９９４のときの、弾性表面波素子片の周波数特性を示す図である。 ＩＤＴの電極指の形成ピッチＰｔと反射器の導体ストリップの形成ピッチＰｒとの比が０．９９８のときの、弾性表面波素子片の周波数特性を示す図である。 第２実施形態に係る弾性表面波素子片の平面図である。 第３実施形態に係る弾性表面波素子片の平面図である。 実施の形態に係る弾性表面波フィルタの一例を示す説明図である。 従来の弾性表面波素子片を模式的に示した平面図である。 従来の弾性表面波素子片の周波数特性を示す模式図である。

符号の説明

２０………弾性表面波素子片、２２………圧電基板、２４………入力用ＩＤＴ、２６………出力用ＩＤＴ、２８ａ、２８ｂ………櫛型電極、３０ａ、３０ｂ………櫛型電極、３６、３８、４０、４２………電極指、３６ａ〜４２ａ………直線部、３６ｂ〜４２ｂ………直線部、３６ｃ〜４２ｃ………接続部、４４………反射器、４６………導体ストリップ、４８………第１トラック、５０………第２トラック、６０、９０………弾性表面波素子片、６２ａ、６２ｂ………櫛型電極、６４ａ、６４ｂ………櫛型電極、６６、６８、７０、７２………電極指、７４………第１トラック、７５………第２トラック、７６………第３トラック、７７………第４トラック、７８………第５トラック、８０………導体ストリップ、９２ａ、９２ｂ………櫛型電極、９４ａ、９４ｂ………櫛型電極、９６、９８、１００、１０２………電極指、１０４………第１トラック、１０６………第２トラック、１０８………第３トラック、１１０………導体ストリップ、１２０………弾性表面波フィルタ、１２２………パッケージ、１２６………パッケージベース、１２８………リッド。

Claims (3)

1. 圧電基板の表面にすだれ状電極と、このすだれ状電極を挟んで配置した格子状の反射器とを備えた弾性表面波素子片において、
   前記すだれ状電極の電極指は、複数の直線部と、各直線部間に斜めに折り曲げて形成されて前記各直線部を相互に接続する接続部とからなり、
   前記各電極指の形成ピッチをＰｔ、前記反射器を構成している各導体ストリップの形成ピッチをＰｒとしたときに、
   ０．９９７≦Ｐｔ／Ｐｒ≦０．９９９
   である、
   ことを特徴とする弾性表面波素子片。
2. 請求項１に記載の弾性表面波素子片において、
   前記各電極指の対応する直線部によって形成される複数のトラックは、トラック間における電極指の交差幅が相互に異なっていることを特徴とする弾性表面波素子片。
3. 請求項１または２に記載の弾性表面波素子片を備えていることを特徴とする弾性表面波フィルタ。

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