JP2006298740A - シリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明は第一に四塩化珪素と亜鉛を高温気相中で反応させてシリコンを製造するに当たり、非酸化性雰囲気中で行い、シリコン結晶として析出した後該系内でシリコンの融点以上に加熱して融体化した後に、シリコン結晶又は融体で取り出す高純度シリコンの製造方法であり、第二に雰囲気ガスの循環機構と亜鉛ガスの供給機構、該亜鉛ガスの供給機構の下流側に四塩化珪素供給機構を有し、結晶成長部を経てガス分離機構と生成シリコン保持槽、並びに生成ガスの回収機構とを有し、該機構の各部分に温度制御機構を有する高純度シリコン製造装置である。
【選択図】 図1
Description
「実施例1」
「実施例2」
「実施例3」
2 反応部(2Zn+SiCl4→Si+2ZnCl2)
3 析出部
4 融解部
5 亜鉛(Zn)ガス供給部
6 四塩化珪素(SiCl4)供給部
7 フィルター
8 シリコン保持部
9 電解槽(ZnCl2→Zn+Cl2)
10 融体シリコン加工部(単結晶引き上げ/多結晶)
11 四塩化珪素生成/精製部
12 亜鉛ガス化
13 融体シリコン
14 雰囲気ガス循環(ZnCl2又はZnCl2+Zn)
15 雰囲気ガス分岐
16 融体亜鉛
17 塩素(Cl2)ガス
18 四塩化珪素(SiCl4)
19 粗製シリコン
20 アルゴンガスボンベ(アルゴンガス供給)
21 反応ガス(Ar+Zn+ZnCl2)
22 雰囲気ガス循環(Ar又はMr+Zn又はAr+Zn+ZnCl2)
Claims (18)
- 四塩化珪素と亜鉛を高温気相中で反応させてシリコンを製造するに当たり、非酸化性雰囲気中で反応を行い、シリコン結晶として析出させ、ついで該系内でシリコンの融点以上に加熱して融体化した後に、シリコンを結晶又は融体で取り出すことを特徴とする高純度シリコンの製造方法。
- 非酸化性雰囲気が不活性ガス雰囲気であることを特徴とする請求項1の高純度シリコンの製造方法。
- 非酸化性雰囲気が塩化亜鉛ガス雰囲気であることを特徴とする請求項1の高純度シリコンの製造方法。
- 四塩化珪素と亜鉛の反応を1250℃以上で行うことを特徴とする請求項1の高純度シリコンの製造方法。
- シリコン結晶が繊維状の結晶の集積体であり、1100から1250℃で生成させることを特徴とする請求項1の高純度シリコンの製造方法。
- 融体化を1410から1500℃で行いシリコン融体として下部のシリコン保持槽に移動させ保持するようにしたことを特徴とする請求項1から5の高純度シリコンの製造方法。
- 製品シリコンをシリコン保持槽から取り出した融体を直接引き上げ法により単結晶、あるいは単結晶に近い多結晶とすることを特徴とする請求項1から6の高純度シリコンの製造方法。
- 製品シリコンがシリコン保持槽から鋳型に移し温度分布を加えながら結晶化させた多結晶であることを特徴とする請求項1から6の高純度シリコンの製造方法。
- 雰囲気ガスの循環機構と亜鉛ガスの供給機構、該亜鉛ガスの供給機構の下流側に四塩化珪素供給機構を有し、結晶成長部を経てガス分離機構と生成シリコン保持槽、並びに生成ガスの回収機構とを有し、該機構の各部分に温度制御機構を有する高純度シリコン製造装置。
- 雰囲気ガスが塩化亜鉛又は塩化亜鉛と亜鉛の混合ガスであることを特徴とする請求項9の高純度シリコン製造装置。
- 四塩化珪素供給部分の温度を1200から1400℃で保持してなることを特徴とする請求項9の高純度シリコン製造装置。
- 四塩化珪素供給口からシリコン結晶溶解部に至る間を温度1100℃から1250℃に保持してシリコン樹脂状結晶の成長を促進するようにしたことを特徴とする請求項9の高純度シリコン製造装置。
- 反応物であるシリコンを雰囲気ガスと共に反応槽内を移動させることを特徴とする請求項9から12の高純度シリコンの製造装置。
- ガス分離部のガス流下流側にガス取り出し口を設け、系内ガスの一部を取り出して系内ガス量をほぼ一定に保つと共に、取り出したガスを回収するようにしたことを特徴とする請求項9の高純度シリコン製造装置。
- 取り出した系内ガスを冷却液化後電解装置に送るようにしたことを特徴とする請求項9から14の高純度シリコン製造装置。
- 生成シリコン保持槽が誘導加熱機構と槽冷却機構を有し、槽壁が実質的に固体シリコンで覆われると共に、実質的に保持シリコンは融体で保持されるようにした事を特徴とする請求項9から15の高純度シリコン製造装置。
- シリコン保持槽にシリコン引き上げ機構が接続されてなる事を特徴とする請求項9から16の高純度シリコンの製造装置。
- シリコン保持槽にシリコン結晶化機構が接続されてなる事を特徴とする請求項9から16の高純度シリコン製造装置。
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Cited By (7)
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---|---|---|---|---|
JP2007217262A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Kinotech Corp | シリコン製造装置 |
WO2009054117A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Kinotech Solar Energy Corporation | シリコン製造装置及び方法 |
WO2009110474A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | 住友化学株式会社 | シリコンの製造方法、及びシリコンの製造装置 |
WO2009151070A1 (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 株式会社シリコンプラス | 多結晶体の製造方法及びポリシリコンの製造装置 |
JP2011132091A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Cosmo Oil Co Ltd | 分離回収装置及び分離回収方法 |
JP2012101210A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Cs Gijutsu Kenkyusho:Kk | 排ガス処理装置 |
JP2017530077A (ja) * | 2014-09-29 | 2017-10-12 | エルジー・ケム・リミテッド | 高効率ハイブリッド水平型反応器を利用したポリシリコン製造装置及び製造方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004035382A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Takayuki Shimamune | 多結晶シリコンの製造方法 |
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004035382A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-02-05 | Takayuki Shimamune | 多結晶シリコンの製造方法 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007217262A (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-30 | Kinotech Corp | シリコン製造装置 |
WO2009054117A1 (ja) * | 2007-10-23 | 2009-04-30 | Kinotech Solar Energy Corporation | シリコン製造装置及び方法 |
WO2009110474A1 (ja) * | 2008-03-04 | 2009-09-11 | 住友化学株式会社 | シリコンの製造方法、及びシリコンの製造装置 |
WO2009151070A1 (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-17 | 株式会社シリコンプラス | 多結晶体の製造方法及びポリシリコンの製造装置 |
JP2009299141A (ja) * | 2008-06-13 | 2009-12-24 | Silicon Plus Corp | 周期表14族元素の多結晶体の製造方法 |
JP2011132091A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Cosmo Oil Co Ltd | 分離回収装置及び分離回収方法 |
JP2012101210A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Cs Gijutsu Kenkyusho:Kk | 排ガス処理装置 |
JP2017530077A (ja) * | 2014-09-29 | 2017-10-12 | エルジー・ケム・リミテッド | 高効率ハイブリッド水平型反応器を利用したポリシリコン製造装置及び製造方法 |
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