JP2006295694A - Amチューナ - Google Patents
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Abstract
【課題】 受信周波数に同調させるトランスを小型に構成してAMチューナを小型化する。
【解決手段】 アンテナ1に結合されたRF増幅素子13と、その次段に設けられた高周波トランス17と、高周波トランス17に結合され、高周波トランスと共に可変同調回路を構成する可変容量手段18aとを備え、高周波トランス17は互いに誘導結合する一次巻線17a及び二次巻線17bと、一次巻線17a及び二次巻線17bの一端同士をグランドに接続する結合用インダクタ17cとを有し、結合用インダクタ17cをチップコイルで構成した。
【選択図】 図1
【解決手段】 アンテナ1に結合されたRF増幅素子13と、その次段に設けられた高周波トランス17と、高周波トランス17に結合され、高周波トランスと共に可変同調回路を構成する可変容量手段18aとを備え、高周波トランス17は互いに誘導結合する一次巻線17a及び二次巻線17bと、一次巻線17a及び二次巻線17bの一端同士をグランドに接続する結合用インダクタ17cとを有し、結合用インダクタ17cをチップコイルで構成した。
【選択図】 図1
Description
本発明は携帯電話等に組み込むのに好適なAMチューナに関する。
従来のAMチューナは図3に示すような構成を有している。アンテナ1から供給された信号はRF(無線周波)バンドパスフィルタ3を介してRF増幅回路4に入力されて増幅され、高周波トランスRFT1と同調を取るために調整用として用いられ電圧によって容量が可変するバリキャップ(varicap)VC1と微調整用として用いられるトリマコンデンサCV1を含む第1同調回路5、および同様に高周波トランスRFT2とバリキャップVC2とトリマコンデンサCV2を含む第2同調回路6との複同調回路5、6の可変容量によって同調が取られ、その信号成分は後段のミキサ回路7に送出される。
この複同調回路5、6の選択度Qによって特性の良し悪しが定まり、選択度Qが高くなると希望周波数以外を減衰させるので、通常Qの値が高くなるように設計する必要があるが、この際複同調回路5、6はその選択度Qが後段の回路とインピーダンスマッチングが図れるように設定される。
また、ミキサ回路7では、局部発振回路8から供給された局部発振周波数fbと受信信号faとを混合することにより双方の周波数の差の中間周波数を得て後段の回路に出力するように構成され、最終的にこれらの回路を介してアンテナ1で受信されたfa中心の搬送波から音声信号が抽出される(例えば、特許文献1参照。)。
また、ミキサ回路7では、局部発振回路8から供給された局部発振周波数fbと受信信号faとを混合することにより双方の周波数の差の中間周波数を得て後段の回路に出力するように構成され、最終的にこれらの回路を介してアンテナ1で受信されたfa中心の搬送波から音声信号が抽出される(例えば、特許文献1参照。)。
上記の高周波トランスRF1及びRF2は、通常、誘導結合された一次巻線と二次巻線とがシールドケース内に組み込まれて構成される
複同調回路を構成する高周波トランスの巻線は、受信周波数が低いことと、一次巻線と二次巻線のみで相互に結合させる必要があることからそのインダクタンス値が大きくなるので、トランスが大型になるという欠点がある。
本発明は、受信周波数に同調させるトランスを小型に構成してAMチューナを小型化することを目的とする。
上記課題に対し、第1の解決手段として、アンテナに結合されたRF増幅素子と、その次段に設けられた高周波トランスと、前記高周波トランスに結合され、前記高周波トランスと共に可変同調回路を構成する可変容量手段とを備え、前記高周波トランスは互いに誘導結合する一次巻線及び二次巻線と、前記一次巻線及び二次巻線の一端同士をグランドに接続する結合用インダクタとを有し、前記結合用インダクタをチップコイルで構成した。
また、第2の解決手段として、前記一次巻線の他端を前記RF増幅素子の出力端に結合し、前記二次巻線の他端を前記可変容量手段の一端に接続し、前記可変容量手段の他端を接地した。
また、第3の解決手段として、前記高周波トランスの次段には少なくとも周波数変換回路を有するAM受信用集積回路を設け、前記可変容量手段を前記AM受信用集積回路内に構成した。
また、第4の解決手段として、前記一次巻線の他端と前記二次巻線の他端との間を第1の容量素子によって接続し、前記一次巻線及び前記二次巻線と前記第1の容量素子とによってAM受信帯域よりも高い帯域にトラップを形成した。
また、第5の解決手段として、前記第1の容量素子をチップコンデンサで構成し、前記一次巻線と前記二次巻線と前記チップコイルと前記チップコンデンサとをシールドケース内に収納した。
また、第6の解決手段として、前記RF増幅素子は電界効果トランジスタで構成され、前記電界効果トランジスタの入力側にローパスフィルタを設け、前記ローパスフィルタは前記アンテナと前記電界効果トランジスタの入力端との間に結合されたインダクタンス素子と、前記電界効果トランジスタの入力端とグランドとの間に接続された第2の容量素子とを有し、前記インダクタンス素子に第3の容量素子を並列に接続して並列共振回路を構成し、前記並列共振回路の共振周波数を前記並列共振回路と前記第2の容量素子とによる直列共振周波数よりも高くし、前記直列共振周波数をAM受信帯の最高周波数近傍となるように設定した。
第1の解決手段によれば、アンテナに結合されたRF増幅素子と、その次段に設けられた高周波トランスと、高周波トランスに結合され、高周波トランスと共に可変同調回路を構成する可変容量手段とを備え、高周波トランスは互いに誘導結合する一次巻線及び二次巻線と、一次巻線及び二次巻線の一端同士をグランドに接続する結合用インダクタとを有し、結合用インダクタをチップコイルで構成したので、高周波トランスの小型化が図れる。
また、第2の解決手段によれば、一次巻線の他端をRF増幅素子の出力端に結合し、二次巻線の他端を可変容量手段の一端に接続し、可変容量手段の他端を接地したので、高周波トランスの二次巻線と結合用インダクタと可変容量手段とによって受信周波数に同調する同調回路が構成できる。しかも、高周波トランスのインピーダンスを高くでき、増幅素子とのインピーダンス整合が得られやすくなる。
また、第3の解決手段として、高周波トランスの次段には少なくとも周波数変換回路を有するAM受信用集積回路を設け、可変容量手段を前記AM受信用集積回路内に構成したので、同調回路の小型化も図れる。
また、第4の解決手段によれば、一次巻線の他端と二次巻線の他端との間を第1の容量素子によって接続し、一次巻線及び二次巻線と第1の容量素子とによってAM受信帯域よりも高い帯域にトラップを形成したので、AM受信帯よりも高い周波数帯の妨害波を減衰できる。
また、第5の解決手段によれば、第1の容量素子をチップコンデンサで構成し、一次巻線と二次巻線とチップコイルとチップコンデンサとをシールドケース内に収納したので、高周波トランスの小型化が図れる。
また、第6の解決手段によれば、RF増幅素子は電界効果トランジスタで構成され、電界効果トランジスタの入力側にローパスフィルタを設け、ローパスフィルタはアンテナと電界効果トランジスタの入力端との間に結合されたインダクタンス素子と、電界効果トランジスタの入力端とグランドとの間に接続された第2の容量素子とを有し、インダクタンス素子に第3の容量素子を並列に接続して並列共振回路を構成し、並列共振回路の共振周波数を並列共振回路と第2の容量素子とによる直列共振周波数よりも高くし、直列共振周波数をAM受信帯の最高周波数近傍となるように設定したので、電界効果トランジスタの利得が高域側で漸次低下するのを補正して受信帯域内の総合利得特性をフラットにできる。また、AM受信帯よりも高い周波数帯域に存在する信号による妨害波の影響を受けにくくできる。
図1に本発明のAMチューナを示す。アンテナ11にはヘッドフォン用のラインが兼用される。アンテナ11と高周波アンプ用の増幅素子(電界効果トランジスタ、以下FET)13との間にはローパスフィルタ12が介挿される。ローパスフィルタ12は、アンテナ11とFET13の入力端(ゲート)との間に結合されたインダクタンス素子12aと、FET13のゲートとグランドとの間に接続された第2の容量素子12bと、インダクタンス素子12aに並列接続された第3の容量素子12cとを有する。
インダクタンス素子12aと第3の容量素子12cとによって並列共振回路が構成される。この並列共振回路と第2の容量素子12bとによる直列共振周波数はAM受信周波数帯の最高周波数近傍(およそ1.6MHz)に設定され、並列共振回路の共振周波数はそれよりも高い、およそ2乃至3MHzの間に設定される。
そして、FET13の入力インピーダンスは比較的高いので、ゲートにおけるローパスフィルタ12の電圧利得は図2に示すように、およそ1.6MHz近傍にピークを有し、2乃至3MHzの間にトラップを有する特性となる。従って、FET13の利得が高域側で漸次低下するのを補正して受信帯域内の総合利得特性をフラットにする。また、AM受信帯よりも高い周波数帯域に存在する信号による妨害波の影響を受けにくくしている。
FET13のゲートに与えるバイアス電圧は電源電圧Bを分圧する抵抗14、15によって得られ、このバイアス電圧はインダクタンス素子12aを介して与えられる。
FET13のソースは接地され、出力端であるドレインは抵抗値の小さなQダンピング用の抵抗16を介して高周波トランス17に結合される。高周波トランス17は一次巻線17aとそれに誘導結合された二次巻線17bと、一次巻線17aの一端と二次巻線17bの一端とをグランドに接続する結合用インダクタ17cとを有し、抵抗16はFET13のドレインと一次巻線17aの他端との間に接続される。結合用インダクタ17cはチップ型のコイル、すなわちチップコイルで構成される。また、一次巻線17aの他端と二次巻線17bの他端との間には第1の容量素子17dが接続される。FET13のドレインにはインダクタ17c、一次巻線17a、抵抗16を介して電源電圧が供給される。
第1の容量素子17dは一次巻線17aと二次巻線17bとの間に接続され、しかも、一次巻線17aと二次巻線17bは誘導結合しているので、第1の容量素子17dと一次巻線17a及び二次巻線17bとによって並列共振回路(すなわちトラップ回路)を構成する。その並列共振周波数をAM受信帯域よりも高くすることによって、AM受信帯よりも高い周波数帯域に存在する信号を減衰して妨害波の影響を一層受けにくくしている。この共振周波数は第1の容量素子17dの容量値によって設定される。第1の容量素子17dもチップ型の容量素子、すなわちチップコンデンサで構成される。そして、一次巻線17aと二次巻線17bとインダクタ17cと第1の容量素子17dはシールドケース17e内に収納される。インダクタ17cと第1の容量素子17dとをチップ型の部品にすることで高周波トランスを小型化できる。
高周波トランス17の次段にはAM受信用IC(集積回路)18が設けられる。AM受信用IC18内には二次巻線17bの他端とグランドとの間に接続される可変容量手段18aと、その後段に結合される周波数変換用のミキサ18b等が構成される。可変容量手段18aは選局用として用いられ、図示しない選局回路によって容量値が設定され、高周波トランス17の二次巻線17b及びインダクタ17cと可変容量手段18aとによって受信すべき信号に同調する同調回路が形成される。
また、FET13の出力インピーダンスは比較的高いが、一次巻線17aとインダクタ17cとが直列接続されていることから、一次巻線17aの他端(FET13のドレイン端)から二次巻線17b側を見たインピーダンスが高くなるので、FET13の出力インピーダンスに整合することができる。
11:アンテナ
12:ローパスフィルタ
12a:インダクタンス素子
12b:第2の容量素子
12c:第3の容量素子
13:増幅素子(電界効果トランジスタ)
14、15、16:抵抗
17:高周波トランス
17a:一次巻線
17b:二次巻線
17c:結合用インダクタ
17d:第1の容量素子
17e:シールドケース
18:AM受信用IC
18a:可変容量手段
18b:ミキサ
12:ローパスフィルタ
12a:インダクタンス素子
12b:第2の容量素子
12c:第3の容量素子
13:増幅素子(電界効果トランジスタ)
14、15、16:抵抗
17:高周波トランス
17a:一次巻線
17b:二次巻線
17c:結合用インダクタ
17d:第1の容量素子
17e:シールドケース
18:AM受信用IC
18a:可変容量手段
18b:ミキサ
Claims (6)
- アンテナに結合されたRF増幅素子と、その次段に設けられた高周波トランスと、前記高周波トランスに結合され、前記高周波トランスと共に可変同調回路を構成する可変容量手段とを備え、前記高周波トランスは互いに誘導結合する一次巻線及び二次巻線と、前記一次巻線及び二次巻線の一端同士をグランドに接続する結合用インダクタとを有し、前記結合用インダクタをチップコイルで構成したことを特徴とするAMチューナ。
- 前記一次巻線の他端を前記RF増幅素子の出力端に結合し、前記二次巻線の他端を前記可変容量手段の一端に接続し、前記可変容量手段の他端を接地したことを特徴とする請求項1に記載のAMチューナ。
- 前記高周波トランスの次段には少なくとも周波数変換回路を有するAM受信用集積回路を設け、前記可変容量手段を前記AM受信用集積回路内に構成したことを特徴とする請求項1又は2に記載のAMチチューナ。
- 前記一次巻線の他端と前記二次巻線の他端との間を第1の容量素子によって接続し、前記一次巻線及び前記二次巻線と前記第1の容量素子とによってAM受信帯域よりも高い帯域にトラップを形成したことを特徴とする請求項2又は3に記載のAMチューナ。
- 前記第1の容量素子をチップコンデンサで構成し、前記一次巻線と前記二次巻線と前記チップコイルと前記チップコンデンサとをシールドケース内に収納したことを特徴とする請求項4に記載のAMチューナ。
- 前記RF増幅素子は電界効果トランジスタで構成され、前記電界効果トランジスタの入力側にローパスフィルタを設け、前記ローパスフィルタは前記アンテナと前記電界効果トランジスタの入力端との間に結合されたインダクタンス素子と、前記電界効果トランジスタの入力端とグランドとの間に接続された第2の容量素子とを有し、前記インダクタンス素子に第3の容量素子を並列に接続して並列共振回路を構成し、前記並列共振回路の共振周波数を前記並列共振回路と前記第2の容量素子とによる直列共振周波数よりも高くし、前記直列共振周波数をAM受信帯の最高周波数近傍となるように設定したことを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記載のAMチューナ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005115709A JP2006295694A (ja) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | Amチューナ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005115709A JP2006295694A (ja) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | Amチューナ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006295694A true JP2006295694A (ja) | 2006-10-26 |
Family
ID=37415754
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005115709A Withdrawn JP2006295694A (ja) | 2005-04-13 | 2005-04-13 | Amチューナ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006295694A (ja) |
-
2005
- 2005-04-13 JP JP2005115709A patent/JP2006295694A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20080701 |