JP2006292586A - トランジスタの特性を測定する回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ウエハ上に形成されるトランジスタの特性ばらつきを測定する回路の面積効率を向上させる。
【解決手段】 m×n個のセル回路2がマトリックスに配置されている。各セル回路2は、それぞれ第1および第2のトランジスタを含んで構成される。制御回路3は、セル回路マトリックスの行ごとに対応するセル回路2を制御する。制御回路4は、セル回路マトリックスの列ごとに対応するセル回路2を制御する。各セル回路2において、第1のトランジスタの特性を測定するときは、第2のトランジスタがスイッチとして使用され、第2のトランジスタの特性を測定するときは、第1のトランジスタがスイッチとして使用される。
【選択図】 図1
【解決手段】 m×n個のセル回路2がマトリックスに配置されている。各セル回路2は、それぞれ第1および第2のトランジスタを含んで構成される。制御回路3は、セル回路マトリックスの行ごとに対応するセル回路2を制御する。制御回路4は、セル回路マトリックスの列ごとに対応するセル回路2を制御する。各セル回路2において、第1のトランジスタの特性を測定するときは、第2のトランジスタがスイッチとして使用され、第2のトランジスタの特性を測定するときは、第1のトランジスタがスイッチとして使用される。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ウエハ上に形成されるトランジスタの特性を測定する回路に係わり、特に、ウエハ上に形成される多数のMOSトランジスタの閾値電圧のばらつきを測定する回路に係わる。
近年、半導体集積回路の微細化が進み、ウエハ上に膨大な数の素子が形成されるようになってきている。しかし、ウエハ上に形成される素子の特性を完全に均一化することは困難であり、いわゆる製造ばらつきが発生してしまう。このため、従来より、ウエハ上に形成される素子(特に、トランジスタ)の特性のばらつきを測定または評価する方法が提案されている。
図4(a)は、従来のばらつき測定回路の構成を示す図である。このばらつき測定回路100は、ウエハ上の所定箇所(または、所定の複数箇所)に形成され、トランジスタの閾値電圧のばらつきを測定するために使用される。
ばらつき測定回路100は、m×n個のセル回路101、Y軸デコーダ102、X軸デコーダ103、セレクタ104を備える。m×n個のセル回路101は、互いに同じ構成であり、マトリックスに並んで配置されている。また、各セル回路101の出力は、それぞれセレクタ104に接続されている。Y軸デコーダ102は、マトリックスの中から任意の行を選択するための選択信号Sy を出力する。X軸デコーダ103は、マトリックスの中から任意の列を選択するための選択信号Sx を出力する。セレクタ104は、選択信号Sx に対応する信号を選択して出力する。
各セル回路101は、図4(b)に示すように、互いに直列的に接続されたスイッチ用トランジスタM1および測定対象トランジスタM2を含んで構成される。また、各セル回路101には、それぞれ電圧VDDが印加されている。測定対象トランジスタM2のゲートには、常時、ゲート電圧VGが印加される。また、スイッチ用トランジスタM1のゲートには、選択信号Sy (H:オン、L:オフ)が与えられる。
選択信号Sy がLレベルであれば、スイッチ用トランジスタM1はオフ状態なので、測定対象トランジスタM2に電圧VDDは与えられない。このとき、測定対象トランジスタM2の閾値電圧の測定は行われない。一方、選択信号Sy がHレベルであれば、スイッチ用トランジスタM1がオン状態となり、測定対象トランジスタM2に電圧VDDが与えられる。このとき、測定対象トランジスタM2のゲートには、ゲート電圧VGが与えられている。よって、測定対象トランジスタM2の閾値電圧を「Vth」とすると、セル回路101の出力電圧Vout は「VG−Vth」となる。すなわち、出力電圧Vout をモニタすることにより、測定対象トランジスタM2の閾値電圧Vthを測定することができる。
ばらつき測定回路100は、Y軸デコーダ102が生成する選択信号Sy およびX軸デコーダ103が生成する選択信号Sx を適切に切り替えながら組み合わせることにより、m×n個のセル回路101の各出力電圧Vout を順番に測定する。これにより、m×n個の測定対象トランジスタM2の閾値電圧Vthを取得できる。そして、得られたデータを分析することにより、ウエハ上に形成される素子の特性のばらつきを知ることが出来る。なお、上記測定回路に関連する技術は、例えば、特許文献1に記載されている。
特開2003−66093号公報(図1、明細書の段落0014〜0017)
上記構成のばらつき測定回路100においては、各セル回路101は、それぞれスイッチ用トランジスタM1および測定対象トランジスタM2を含んで構成される。すなわち、各セル回路101は、それぞれ測定対象とならないスイッチ用トランジスタM1を含んでいる。したがって、従来の技術では、面積効率が悪く、ばらつき測定回路100の回路規模が大きくなってしまう。
本発明の目的は、ウエハ上に形成されるトランジスタの特性ばらつきを測定する回路の面積効率を向上させることである。
本発明のトランジスタ特性測定回路は、それぞれが互いに直列的に接続された第1および第2のトランジスタを含むマトリックスに配置された複数のセル回路、上記複数のセル回路の第1のトランジスタを上記マトリックスの行ごとに制御する第1の制御回路、上記複数のセル回路の第2のトランジスタを上記マトリックスの列ごとに制御する第2の制御回路、を備える。そして、上記第1および第2の制御回路は、上記複数のセル回路を順番に選択する。また、各選択されたセル回路は、上記第1および第2の制御回路による制御に従って、それぞれ上記第1および第2のトランジスタの特性を表す信号を出力する。
上記構成のトランジスタ特性測定回路によれば、すべてのセル回路についてそれぞれ第1および第2のトランジスタの特性を測定することができる。すなわち、セル回路ごとにスイッチングのためのトランジスタを用意する必要がない。
上記構成のトランジスタ特性測定回路は、各第1のトランジスタの特性を測定する際には、上記第1の制御回路は、対応する第1のトランジスタの制御端子に特性測定用電圧を与え、上記第2の制御回路は、対応する第2のトランジスタの制御端子にその第2のトランジスタをオン状態に制御するための制御電圧を与える。また、各第2のトランジスタの特性を測定する際には、上記第1の制御回路は、対応する第1のトランジスタの制御端子にその第1のトランジスタをオン状態に制御するための制御電圧を与え、上記第2の制御回路は、対応する第2のトランジスタの制御端子に特性測定用電圧を与える。このような構成とすれば、第1のトランジスタの特性を測定する際には、第2のトランジスタがセル回路を選択するためのスイッチとして動作し、第2のトランジスタの特性を測定する際には、第1のトランジスタがセル回路を選択するためのスイッチとして動作する。
なお、上記第1および第2のトランジスタは、例えば、それぞれMOSトランジスタである。この場合、各MOSトランジスタの閾値電圧が測定される。
本発明によれば、ウエハ上に形成されるトランジスタの特性ばらつきを測定する回路の面積効率を向上させることができる。
図1は、本発明の実施形態のトランジスタ特性測定回路の構成を示す図である。トランジスタ特性測定回路としてのばらつき測定回路1は、ウエハ上の所定箇所(または、所定の複数箇所)に形成され、トランジスタの閾値電圧のばらつきを測定するために使用される。
ばらつき測定回路1は、m×n個のセル回路2、制御回路3(第1の制御回路)、制御回路4(第2の制御回路)、セレクタ5を備える。m×n個の各セル回路2は、互いに直列的に接続されたトランジスタ(第1のトランジスタ)M1およびトランジスタ(第2のトランジスタ)M2を含んで構成されており、マトリックスに並んで配置される。また、各セル回路2の出力は、それぞれセレクタ5に接続されている。
制御回路3は、行選択信号に従って、マトリックスの行ごとにセル回路2のトランジスタM1を制御する。一方、制御回路4は、列選択信号に従って、マトリックスの列ごとにセル回路2のトランジスタM2を制御する。なお、モード切替え信号Mについては後で説明する。そして、セレクタ5は、制御回路4からの指示に従って、対応するセル回路2の出力を選択する。
上記構成のばらつき測定回路1において、m×n個のセル回路2の各出力電圧を順番に測定する。これにより、各セル回路2の中に設けられている各トランジスタの特性を測定することができる。
図2は、セル回路2の実施例である。セル回路2は、互いに直列的に接続されたトランジスタ(第1のトランジスタ)M1およびトランジスタ(第2のトランジスタ)M2を含んで構成される。各トランジスタM1、M2は、この実施例では、それぞれnMOSトランジスタである。
トランジスタM1のドレインには、電源電圧VDDが印加されている。また、トランジスタM1のソースは、トランジスタM2のドレインに接続されている。さらに、トランジスタM2のソースには、電流源11が接続されている。そして、トランジスタM1のゲート(制御端子)には、制御回路3により生成される制御信号C1が与えられる。同様に、トランジスタM2のゲート(制御端子)には、制御回路4により生成される制御信号C2が与えられる。
制御信号C1、C2は、「Hレベル」「Lレベル」「ゲート電圧VG」のいずれか1つが設定される。「Hレベル」は、トランジスタM1、M2をオン状態に制御するための電圧である。「Lレベル」は、トランジスタM1、M2をオフ状態に制御するための電圧である。「ゲート電圧VG(特性測定用電圧)」は、トランジスタM1、M2の閾値電圧(ゲート・ソース間電圧)を測定するために適切な電圧である。
上記構成のセル回路2において、トランジスタM1の閾値電圧Vth1 を測定するときには、トランジスタM1のゲートに「制御信号C1=ゲート電圧VG」を与えると共に、トランジスタM2のゲートには「制御信号C2=Hレベル」を与える。これにより、トランジスタM2はオン状態となる。ここで、トランジスタM2のオン抵抗が無視できる程度に小さいものとする。そうすると、セル回路1の出力電圧Vout は、下式で表すことができる。すなわち、出力電圧Vout をモニタすれば、トランジスタM1の閾値電圧Vth1 を測定することができる。
Vout =VG−Vth1
一方、トランジスタM2の閾値電圧Vth2 を測定するときには、トランジスタM1のゲートに「制御信号C1=Hレベル」を与えると共に、トランジスタM2のゲートには「制御信号C2=ゲート電圧VG」を与える。これにより、トランジスタM1はオン状態となる。ここで、トランジスタM1のオン抵抗が無視できる程度に小さいものとすると、セル回路1の出力電圧Vout は、下式で表すことができる。すなわち、出力電圧Vout に基づいてトランジスタM2の閾値電圧Vth2 を測定することができる。
Vout =VG−Vth2
次に、図3を参照しながら、ばらつき測定回路1の動作を説明する。なお、ここでは、説明を簡単にするために、2×2個のセル回路2(2aa、2ab、2ba、2bb)がマトリックスに配置された構成について説明する。
Vout =VG−Vth1
一方、トランジスタM2の閾値電圧Vth2 を測定するときには、トランジスタM1のゲートに「制御信号C1=Hレベル」を与えると共に、トランジスタM2のゲートには「制御信号C2=ゲート電圧VG」を与える。これにより、トランジスタM1はオン状態となる。ここで、トランジスタM1のオン抵抗が無視できる程度に小さいものとすると、セル回路1の出力電圧Vout は、下式で表すことができる。すなわち、出力電圧Vout に基づいてトランジスタM2の閾値電圧Vth2 を測定することができる。
Vout =VG−Vth2
次に、図3を参照しながら、ばらつき測定回路1の動作を説明する。なお、ここでは、説明を簡単にするために、2×2個のセル回路2(2aa、2ab、2ba、2bb)がマトリックスに配置された構成について説明する。
制御回路3は、マトリックスの行ごとに、セレクタ31、32を備える。セレクタ31は、モード切替え信号Mに従って「Hレベル」または「ゲート電圧VG」を選択する。ここで、モード切替え信号M(M=1,2)は、トランジスタM1、M2のいずれを測定対象とするのかを選択する。そして、セレクタ31は、モード切替え信号Mとして「1」が与えられると「ゲート電圧VG」を選択し、モード切替え信号Mとして「2」が与えられると「Hレベル」を選択する。セレクタ32は、デコーダ33により当該行が選択されたときにセレクタ31の出力を選択し、そうでない場合には「Lレベル」を選択する。そして、セレクタ32の出力は、対応する行の各セル回路2のトランジスタM1のゲートに与えられる。なお、デコーダ33は、行選択信号に従って対応する行を選択する。
制御回路4は、基本的には制御回路3と同じ構成である。ただし、制御回路4は、マトリックスの列ごとに、セレクタ41、42を備える。セレクタ41は、モード切替え信号Mとして「1」が与えられると「Hレベル」を選択し、モード切替え信号Mとして「2」が与えられると「ゲート電圧VG」を選択する。セレクタ42は、デコーダ43により当該列が選択されたときにセレクタ41の出力を選択し、そうでない場合には「Lレベル」を選択する。そして、セレクタ42の出力は、対応する列の各セル回路2のトランジスタM2のゲートに与えられる。なお、デコーダ43は、列選択信号に従って対応する列を選択する。
セレクタ5は、デコーダ43がa列を選択したときは、a列からの出力(すなわち、セル回路2aa/2baの出力)を選択し、デコーダ43がb列を選択したときは、b列からの出力(すなわち、セル回路2ab/2bbの出力)を選択する。
ここで、より具体的に、ばらつき測定回路1の動作について説明する。
<セル回路2aa、2abのトランジスタM1を測定するとき>
この場合、モード切替え信号Mとして「1」が入力される。また、制御回路3のデコーダ33によってa行が選択される。そうすると、制御回路3は、セル回路2aa、2abのトランジスタM1のゲートに「ゲート電圧VG」を与える。このとき、他の行のセル回路2ba、2bbのトランジスタM1のゲートには「Lレベル」が与えられる。
<セル回路2aa、2abのトランジスタM1を測定するとき>
この場合、モード切替え信号Mとして「1」が入力される。また、制御回路3のデコーダ33によってa行が選択される。そうすると、制御回路3は、セル回路2aa、2abのトランジスタM1のゲートに「ゲート電圧VG」を与える。このとき、他の行のセル回路2ba、2bbのトランジスタM1のゲートには「Lレベル」が与えられる。
制御回路4のデコーダ43は、列選択信号に従って、各列を1つずつ順番に選択していく。ここで、モード切替え信号Mは「1」である。よって、制御回路4は、各列のトランジスタM2のゲートに対して順番に「Hレベル」を与えることになる。
制御回路4のデコーダ43によってa列が選択されたときは、セル回路2aa、2baのトランジスタM2のみがオン状態に制御される。このとき、セル回路2aaのトランジスタM1のゲートには「ゲート電圧VG」が与えられているが、セル回路2baのトランジスタM1のゲートには「Lレベル」が与えられている。よって、セレクタ5のa入力には、セル回路2aaのトランジスタM1の「VG−Vth1 」が与えられる。そして、セレクタ5は、デコーダ43からの指示に従って、セル回路2aaのトランジスタM1の「VG−Vth1 」を選択して出力する。すなわち、セル回路2aaのトランジスタM1の閾値電圧を測定できる。
一方、制御回路4のデコーダ43によってb列が選択されたときは、セル回路2ab、2bbのトランジスタM2のみがオン状態に制御される。したがって、この場合、セル回路2abのトランジスタM1の「VG−Vth1 」がセレクタ5により選択されて出力される。即ち、セル回路2abのトランジスタM1の閾値電圧を測定できる。
<セル回路2ba、2bbのトランジスタM1を測定するとき>
この動作は、基本的に、セル回路2aa、2abのトランジスタM1を測定する場合の動作と同じである。ただし、制御回路3のデコーダ33によってb行が選択される。
<セル回路2aa、2abのトランジスタM2を測定するとき>
この場合、モード切替え信号Mとして「2」が入力される。また、制御回路3のデコーダ33によってa行が選択される。そうすると、制御回路3は、セル回路2aa、2abのトランジスタM1のゲートに「Hレベル」を与える。一方、他の行のセル回路2ba、2abのトランジスタM1のゲートには「Lレベル」が与えられる。よって、セル回路2aa、2abのトランジスタM1がオン状態に制御され、他のトランジスタM1はオフ状態に制御される。
<セル回路2ba、2bbのトランジスタM1を測定するとき>
この動作は、基本的に、セル回路2aa、2abのトランジスタM1を測定する場合の動作と同じである。ただし、制御回路3のデコーダ33によってb行が選択される。
<セル回路2aa、2abのトランジスタM2を測定するとき>
この場合、モード切替え信号Mとして「2」が入力される。また、制御回路3のデコーダ33によってa行が選択される。そうすると、制御回路3は、セル回路2aa、2abのトランジスタM1のゲートに「Hレベル」を与える。一方、他の行のセル回路2ba、2abのトランジスタM1のゲートには「Lレベル」が与えられる。よって、セル回路2aa、2abのトランジスタM1がオン状態に制御され、他のトランジスタM1はオフ状態に制御される。
一方、制御回路4は、モード切替え信号Mとして「2」が入力されているときは、各列のトランジスタM2のゲートに対して順番に「ゲート電圧VG」を与える。
制御回路4のデコーダ43によってa列が選択されると、セル回路2aa、2baの各トランジスタM2に「ゲート電圧VG」が与えられる。このとき、セル回路2aaのトランジスタM1はオン状態であるが、セル回路2baのトランジスタM1はオフ状態である。よって、この場合、セル回路2aaのトランジスタM2の閾値電圧Vth2 を測定することができる。同様に、制御回路4のデコーダ43によってb列が選択されると、セル回路2abのトランジスタM2の閾値電圧Vth2 を測定することができる。
<セル回路2ba、2bbのトランジスタM2を測定するとき>
この動作は、基本的に、セル回路2aa、2abのトランジスタM2を測定する場合の動作と同じである。ただし、制御回路3のデコーダ33によってb行が選択される。
制御回路4のデコーダ43によってa列が選択されると、セル回路2aa、2baの各トランジスタM2に「ゲート電圧VG」が与えられる。このとき、セル回路2aaのトランジスタM1はオン状態であるが、セル回路2baのトランジスタM1はオフ状態である。よって、この場合、セル回路2aaのトランジスタM2の閾値電圧Vth2 を測定することができる。同様に、制御回路4のデコーダ43によってb列が選択されると、セル回路2abのトランジスタM2の閾値電圧Vth2 を測定することができる。
<セル回路2ba、2bbのトランジスタM2を測定するとき>
この動作は、基本的に、セル回路2aa、2abのトランジスタM2を測定する場合の動作と同じである。ただし、制御回路3のデコーダ33によってb行が選択される。
このように、実施形態のばらつき測定回路1においては、各セル回路2がそれぞれ1組のトランジスタM1、M2を備えており、その双方のトランジスタの特性を測定することができる。例えば、図3に示す2×2マトリックス構成においては、8個のトランジスタ(すなわち、4個のトランジスタM1、及び4個のトランジスタM2)の特性を測定できる。すなわち、m×nマトリックス構成においては、2×m×n個のトランジスタの特性を測定できる。
これに対して、図4に示す従来の構成では、各セル回路101がスイッチ用トランジスタM1および測定対象トランジスタM2を含んで構成される。そして、1つのセル回路について1個のトランジスタの特性しか測定することができない。すなわち、m×nマトリックス構成においては、m×n個のトランジスタの特性を測定できるだけである。
ここで、実施形態のばらつき測定回路1のセル回路2および図4に示す従来技術のセル回路101は、いずれも2個のトランジスタを含んで構成されており、互いにほぼ同じサイズである。よって、実施形態のばらつき測定回路1は、図4に示す従来技術と比較すると、同じ回路規模で2倍の個数のトランジスタの特性を測定が可能である。換言すれば、同じ個数のトランジスタの特性を測定する場合、回路サイズを概ね半分にすることができる。すなわち、面積効率が約2倍向上する。
なお、実施形態のばらつき測定回路1の制御回路3、4は、図4に示す従来技術のデコーダ102、103と比べてその構成がやや複雑になる。しかし、特定対象のトランジスタの個数が多い場合(例えば、1000×1000個のセル回路を有する場合)には、ばらつき測定回路1全体に対する制御回路3、4の占有面積は僅かである。よって、本発明の構成は、従来技術に対して面積効率が十分に向上する。
また、上述の実施例では、nMOSトランジスタの閾値電圧を測定する構成について示したが、pMOSトランジスタについて測定することも可能である。さらに、本発明は、閾値電圧以外の他の特性を測定すること、あるいはMOSトランジスタ以外のトランジスタの特性を測定することを排除するものではない。
さらに、上述の実施例では、各セル回路2は、2個のトランジスタが接続された2段構成であるが、n個のトランジスタが接続されたn段構成であってもよい。
1 トランジスタ特性測定回路としてのばらつき測定回路
2 セル回路
3 第1の制御回路としての制御回路
4 第2の制御回路としての制御回路
5 セレクタ
11 電流源
31、32 セレクタ
33 デコーダ
41、42 セレクタ
43 デコーダ
2 セル回路
3 第1の制御回路としての制御回路
4 第2の制御回路としての制御回路
5 セレクタ
11 電流源
31、32 セレクタ
33 デコーダ
41、42 セレクタ
43 デコーダ
Claims (3)
- それぞれが互いに直列的に接続された第1および第2のトランジスタを含む、マトリックスに配置された複数のセル回路と、
上記複数のセル回路の第1のトランジスタを上記マトリックスの行ごとに制御する第1の制御回路と、
上記複数のセル回路の第2のトランジスタを上記マトリックスの列ごとに制御する第2の制御回路とを備え、
上記第1および第2の制御回路は、上記複数のセル回路を順番に選択し、
各選択されたセル回路は、上記第1および第2の制御回路による制御に従って、それぞれ上記第1および第2のトランジスタの特性を表す信号を出力する
ことを特徴とするトランジスタ特性測定回路。 - 各第1のトランジスタの特性を測定する際には、
上記第1の制御回路は、対応する第1のトランジスタの制御端子に特性測定用電圧を与え、
上記第2の制御回路は、対応する第2のトランジスタの制御端子にその第2のトランジスタをオン状態に制御するための制御電圧を与え、
各第2のトランジスタの特性を測定する際には、
上記第1の制御回路は、対応する第1のトランジスタの制御端子にその第1のトランジスタをオン状態に制御するための制御電圧を与え、
上記第2の制御回路は、対応する第2のトランジスタの制御端子に特性測定用電圧を与える、
ことを特徴とする請求項1に記載のトランジスタ特性測定回路。 - 上記第1および第2のトランジスタは、それぞれMOSトランジスタである
ことを特徴とする請求項2に記載のトランジスタ特性測定回路。
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