JP2006291140A - セルロースアシレートフィルム、偏光板、および液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 広い波長域にわたりＲｅおよびＲｔｈの変化が小さい優れた光学性能を有するセルロースアシレートフィルムを提供する。また、けん化処理や、光照射に対する光学性能の変動、特にＲｔｈの変動が小さい耐久性に優れたセルロースアシレートフィルムを提供する。さらにまた、広い波長域にわたりＲｅおよびＲｔｈの変化が小さく、かつ耐久性に優れた優れたセルロースアシレートフィルムにより作製した偏光板などの光学材料を提供すること、およびこれらを用いた広視野角で表示品位の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ７００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下に極大吸収波長を少なくとも１つ有する近近赤外線吸収剤を少なくとも１つ含有し、かつ特定の紫外線吸収剤を少なくとも１つ含有することを特徴とするセルロースアシレートフィルム、並びにそれを用いた偏光板および液晶表示装置。
【選択図】 なし

Description

本発明は、セルロースアシレートフィルム、偏光板、および液晶表示装置に関する。

従来、セルロースアシレートフィルムはその強靭性と難燃性から写真用支持体や各種光学材料に用いられてきた。特に、近年は液晶表示装置用の光学透明フィルムとして多く用いられている。セルロースアシレートフィルムは、光学的に透明性が高いことと、光学的に等方性が高いことから、液晶表示装置のように偏光を取り扱う装置用の光学透明フィルムとして優れており、これまで偏光子の保護フィルムや、斜め方向から見た表示を良化（視野角補償）できる光学補償フィルムの支持体として用いられてきた。

最近の液晶表示装置においては、視野角特性の改善がより強く要求されるようになっており、偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体などの光学透明フィルムは、より光学的に等方性であることが求められている。光学的に等方性であるとは、光学フィルムの複屈折と厚みの積で表されるレターデーション値が小さいことが重要である。とりわけ、斜め方向からの表示良化のためには、正面方向のレターデーション（Ｒｅ）だけでなく、膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を小さくする必要がある。具体的には光学透明フィルムの光学性能を評価した際に、フィルム正面から測定したＲｅが小さく、角度を変えて測定してもそのＲｅが変化しないことが要求される。

これまでに、正面のＲｅを小さくしたセルロースアシレートフィルムはあったが、角度によるＲｅ変化が小さい、すなわちＲｔｈが小さいセルロースアシレートフィルムは作製が難しかった。セルロースアシレートフィルムの正面のＲｅをほぼゼロとし、またレターデーションの角度変化も小さい、すなわちＲｔｈもほぼゼロとした、光学的に等方性である光学透明フィルムが強く望まれている。

一方、セルロースアシレートフィルムに種々の機能を持たせるために、様々な添加剤を添加することも行われてきた。特許文献１等に、近赤外線吸収剤を含有するセルロースアシレートフィルムが開示されており、電子機器の誤作動防止の赤外線カットフィルターの技術として提案されている。

レターデーションの調整のために添加剤を用いる技術としては、特許文献２に二色性を示すレターデーション調整剤として赤外線吸収剤および／または紫外線吸収剤を用い、該レターデーション調整剤を屈折率異方性を有する樹脂に混合して得られるフィルムのＲｅが広い波長域にわたり変化を小さくする技術が提案されている。
また、特許文献３には赤外吸収染料を含有する光学フィルムが開示され、Ｒｅ、Ｒｔｈの値を小さくし得る技術が提案されている。さらに紫外線吸収剤を併用することによって、赤外吸収性が長期にわたって安定に得られることが記載されている。
特開２００４−３０２１７７号公報 特開２００４−３２５５２３号公報 特開２００１−１９４５２２号公報

最近の液晶表示装置においては、表示色味の改善も要求されるようになっている。そのため偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体などの光学透明フィルムは、可視領域でＲｅやＲｔｈを小さくするだけでなく、波長によるＲｅやＲｔｈの変化、すなわち
波長分散を小さくすることが求められている。

また、セルロースアシレートフィルムは偏光板の透明保護フィルムとして広く利用されており、表面処理としてアルカリ水溶液でけん化処理を施すことが一般的である。しかし、赤外線吸収剤を含有するフィルムはけん化処理により光学性能、特にＲｔｈが変動しやすいという問題があり解決が望まれていた。
さらにモバイルや車載用途等、屋外で使用する場合が増加しており、光学性能、特にＲｔｈの曝光に対する耐久性も重要になってきている。
特許文献２や３に開示されている紫外線吸収剤を用いた態様では、セルロースアシレートフィルムの光学性能、特にＲｔｈの耐久性においても不十分であった。

本発明の目的は、広い波長域にわたりＲｅおよびＲｔｈの変化が小さい優れた光学性能を有するセルロースアシレートフィルムを提供することである。
また本発明の別の目的は、けん化処理や、光照射に対する光学性能の変動、特にＲｔｈの変動が小さい耐久性に優れたセルロースアシレートフィルムを提供することである。
さらにまた本発明のさらなる目的は、広い波長域にわたりＲｅおよびＲｔｈの変化が小さく、かつ耐久性に優れたセルロースアシレートフィルムにより作製した偏光板などの光学材料を提供すること、およびこれらを用いた広視野角で表示品位の高い液晶表示装置を提供することにある。

本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、以下に記載するセルロースアシレートフィルムにより、本発明の課題を達成することができた。
（１） ７００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下に極大吸収波長を少なくとも１つ有する近赤外線吸収剤を少なくとも１つ含有し、かつ下記一般式（Ｕ）で表される紫外線吸収剤を少なくとも１つ含有することを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
一般式（Ｕ）： Ｑ⁷¹−Ｑ⁷²−ＯＨ
（式中、Ｑ⁷¹は１，３，５-トリアジン環、Ｑ⁷²は芳香族環を表す。）
（２） セルロースアシレートフィルムのレターデーション値が、
膜厚方向のレターデーションＲｔｈの４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲における変動が25nm以下、および
正面方向のレターデーションＲｅの４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲における変動が１０ｎｍ以下、
の少なくともいずれかを満たすことを特徴とする（１）に記載のセルロースアシレートフィルム。
（３） 波長６３０ｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈおよび正面方向のレターデーションＲｅが、各々下記式の範囲を満たすことを特徴とする（１）または（２）に記載のセルロースアシレートフィルム。
−２５ｎｍ≦Ｒｔｈ≦２５ｎｍ、
０ｎｍ≦Ｒｅ≦１０ｎｍ
（４） 波長６３０ｎｍにおける正面方向のレターデーションＲｅおよび膜厚方向のレターデーションＲｔｈの値が下記式ｉ）およびii）の少なくとも１つを満たすことを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
ｉ） ｜Ｒｅ×Ｒｔｈ｜≦２００
ii） ０．１≦｜Ｒｔｈ｜／Ｒｅ≦５．０（Ｒｅ≧１）
（５） セルロースアシレートのアシル置換度が２.９０〜３．００であり、その平均重合度が１８０〜５５０であることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（６） セルロースアシレートのアシル置換基がアセチル基のみからなり、その全置換度が２．８５〜２．９５であり、その平均重合度が１８０〜５５０であることを特徴とする
（１）〜（５）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（７） 波長６３０ｎｍにおける正面方向のレターデーションＲｅおよび膜厚方向のレターデーションＲｔｈの値が下記式を満たすこと特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
｜Ｒｅ_(MAX)−Ｒｅ_(MIN)｜≦５かつ｜Ｒｔｈ_(MAX)−Ｒｔｈ_(MIN)｜≦１０
［式中、Ｒｅ_(MAX)、Ｒｔｈ_(MAX)は任意に切り出した１ｍ四方のフィルムの最大レターデーション値、Ｒｅ_(MIN)、Ｒｔｈ_(MIN)は最小値である。］
（８） 膜厚が１０〜１２０μｍであることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（９） セルロースアシレートフィルムが延伸されて得られたものであり、該延伸倍率が、搬送方向に対して垂直な方向（幅方向）に１％以上１００％以下であることを特徴とする（１）〜（８）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（１０） 延伸されて得られたセルロースアシレートフィルムにおいて、正面方向のレターデーションＲｅが下記式を満足すること特徴とする（９）に記載のセルロースアシレートフィルム。
｜Ｒｅ(ｎ)−Ｒｅ(０)｜／ｎ≦１．０
［式中、Ｒｅ(ｎ)はｎ(％)延伸したフィルムのＲｅ、Ｒｅ(０)は延伸していないフィルムの波長630nmにおけるＲｅである］
（１１） 偏光子の両側に保護フィルムが貼り合わされてなる偏光板において、該保護フィルムの少なくとも１枚が（１）〜（１０）のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする偏光板。
（１２） 液晶セルおよびその両側に配置された二枚の偏光板からなり、少なくとも１枚の偏光板が（１１）に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
（１３） 液晶表示装置がＩＰＳモードであることを特徴とする（１２）記載の液晶表示装置。

本発明により、広い波長域にわたりＲｅおよびＲｔｈの変化が小さい優れた光学性能を有するセルロースアシレートフィルムを提供することができる。
またけん化処理や、光照射に対する光学性能の変動、特にＲｔｈの変動が小さい耐久性に優れたセルロースアシレートフィルムを提供することができる。
さらに、広い波長域にわたりＲｅおよびＲｔｈの変化が小さく、かつ耐久性に優れた優れたセルロースアシレートフィルムにより作製した偏光板などの光学材料を提供すること、およびこれらを用いた広視野角で表示品位の高い液晶表示装置を提供することができる。

セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい特性を有している。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈの値を大きくする、もしくは長波長側のＲｅ、Ｒｔｈを小さくすることによって波長範囲における変動を平滑にすることが可能である。
光の波長と屈折率とは、Ｋｒａｍｅｒｓ−Ｋｒｏｎｉｇの関係式から化合物の吸収極大の近傍で屈折率が大きく変化し、吸収極大の短波長側では負の屈折率が、吸収極大の長波長側では正の屈折率が発現することが知られている。

紫外線吸収剤は可視領域の短波長側に正の屈折率を発現し、短波長側のＲｔｈの値を大きくすることができる。また７００〜１２００ｎｍに吸収極大を有する近赤外線吸収剤は可視領域の長波長側に負の屈折率を発現し、長波長側のＲｅ、Ｒｔｈの値を低下することができる。

［近赤外線吸収剤］
本発明のセルロースアシレートフィルムは７００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下に極大吸収波長を有する近赤外線吸収剤を少なくとも１つ含有する。
以下、近赤外線吸収剤について説明する。

本発明に用いられる近赤外線吸収剤は少なくとも１つの極大吸収波長が７００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下にあることが好ましく、８００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であることがより好ましい。本発明において極大吸収波長はジクロロメタンを溶媒として測定して得られた値を指す。
本発明に用いられる近赤外線吸収剤は、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の波長領域に実質的に吸収を有さないことが好ましく、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域に実質的に吸収を有さないことがより好ましい。実質的に吸収を有さないとは近赤外線吸収剤の１．０ｇ／リットルのジクロロメタン溶液のセル長１ｃｍでの吸光度が５．０以下であり、２．０以下であることがより好ましく、０〜１．０であることがさらに好ましい。

近赤外線吸収剤としては、例えば、シアニン系化合物、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、ポリメチン系化合物、チオール系金属錯塩、アミノチオフェレート系金属錯塩、インモニウム系化合物、ジインモニウム系化合物、アミニウム塩、ピリリウム系化合物、スクアリリウム系化合物、クロコニウム系化合物、トリアリルメタン系化合物、アズレニウム系化合物、インドフェノール系化合物およびアントラキノン系化合物等の有機化合物、及びアルミニウム塩等の無機化合物等を挙げることができる。

好ましい近赤外線吸収剤としては、フタロシアニン系化合物、ナフタロシアニン系化合物、インモニウム系化合物、ジインモニウム系化合物、アミニウム塩、ポリメチン系化合物、ベンゼンジチオール金属錯体、およびアミノチオフェレート系金属錯塩等を挙げることができる。

具体的には、特開昭６１−１５４８８８、特開昭６１−１９７２８１、特開昭６１−２４６０９１、特開昭６３−３７９９１、特開昭６３−３９３８８、特開昭６２−２３３２８８、特開昭６３−３１２８８９、特開平２−４３２６９、特開平２−１３８３８２、特開平２−２９６８８５、特開平３−４３４６１、特開平３−７７８４０、特開平３−１０００６６、特開平３−６２８７８、特願平３−３３８５５７、特願平３−９９７３０、特願平３−２５２４１４等に開示されているフタロシアンニン類あるいはナフタロシアニン類、特開昭６１−２９１６５１、特開昭６１−２９１６５２、特開昭６２−１５２６０、特開昭６２−１３２９６３、特開平１−１２９０６８、特開平１−１７２４５８等に開示されているようなアントラキノン類が挙げられる。

好ましいシアニン化合物は下記一般式（Ｃ）で表される化合物を挙げることができる。
一般式（Ｃ）

式中、Ｑ¹、Ｑ²は、縮合環を有してもよい５員または６員の含窒素へテロ環を形成するための原子群を示す。Ｒ³、Ｒ⁴は、炭素数１〜８のアルキル基を示す。ｎは、２〜４の整数を示す。
Ｑ¹、Ｑ²は、縮合環を有してもよい５員または６員の含窒素へテロ環を形成するための原子群を示し、すなわち、Ｑ¹、Ｑ²は、これらに隣接する炭素原子に結合する窒素原子とともに互いに結合して５員または６員の含窒素へテロ環を形成し、この含窒素へテロ環は、縮合環を有していてもよい。この縮合環としては、縮合ベンゼン環、縮合ナフタレン環等が挙げられる。

縮合環を有してもよい５員または６員の含窒素へテロ環としては、インドレニン環、４，５−ベンゾインドレニン環、５，６−ベンゾインドレニン環、チアゾール環、ベンゾチアゾール環、オキサゾール環、ベンゾオキサゾール環、ピリジン環、キノリン環、イミダゾール環、ベンゾイミダゾール環、セレナゾール環、ベンゾセレナゾール環、ピリミジン環等が挙げられる。

これらの環には、ハロゲン原子、アリール基、炭素数１〜４のアルキル基、同じくアルコキシ基、同じくアルキルアミノスルファミド基、炭素数１〜８のアルキルアミノ基等が置換していてもよい。

ハロゲン原子としては、臭素原子、塩素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。

アリール基としては、単環であっても縮合環を有するものであってもよく、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられる。これらは、さらに置換基を有していてもよい。

炭素数１〜４のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、トリフルオロメチル基等が挙げられる。

炭素数１〜４のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、テトラフルオロプロポキシ基等が挙げられる。

炭素数１〜４のアルキルアミノスルファミド基としては、例えば、メチルアミノスルファミド基、エチルアミノスルファミド基、プロピルアミノスルファミド基、ブチルアミノスルファミド基等が挙げられる。

炭素数１〜８のアルキルアミノ基としては、例えば、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ基等が挙げられる。

また、Ｒ³、Ｒ⁴は、炭素数１〜８のアルキル基を示す。これらには、ヒドロキシ基、ハロゲン原子（例えば、Ｆ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ等）、アルコキシ基（例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基等）等が置換していてもよい。

さらに、ｎは、２〜４の整数を示す。

好ましいフタロシアニンあるいはナフタロシアンは下記一般式（Ｉ）あるいは一般式（II）で表される化合物を挙げることができる。
一般式（Ｉ）

一般式（ＩＩ）

式（Ｉ）、（II）中、Ａ¹ 〜Ａ⁸ は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は未置換のアルキル基、あるいは置換又は未置換のアルコキシ基を表し、かつ、Ａ¹ とＡ² 、Ａ³ とＡ⁴ 、Ａ⁵ とＡ⁶ 、およびＡ⁷ とＡ⁸ の各組み合わせにおいて、同時に水素原子で
ある組み合わせとなることはない。他方、Ｂ¹ 〜Ｂ⁸は各々独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換又は未置換のアルキル基、置換又は未置換のアリール基、置換又は未置換のアルコキシ基、置換又は未置換のアリールオキシ基、置換又は未置換のアルキルチオ基、あるいは置換又は未置換のアリールチオ基を表す。Ｍは２価の金属原子、３価又は４価の置換金属原子、またはオキシ金属を表す。

式（Ｉ）、（II）中、Ａ¹ 〜Ａ⁸ 或いはＢ¹ 〜Ｂ⁸ で表される置換又は未置換のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、n-プロピル基、iso-プロピル基、n-ブチル基、iso-ブチル基、sec-ブチル基、t-ブチル基、n-ペンチル基、iso-ペンチル基、neo-ペンチル基、1,2-ジメチル−プロピル基、n-ヘキシル基、cyclo-ヘキシル基、1,3-ジメチル-ブチル基、1-iso-プロピルプロピル基、1,2-ジメチルブチル基、n-ヘプチル基、1,4-ジメチルペンチル基、2-メチル1-iso-プロピルプロピル基、1-エチル-3-メチルブチル基、n-オクチル基、2-エチルヘキシル基、3-メチル-1-iso-プロピルブチル基、2-メチル-1-iso-プロピル基、1-t-ブチル-2-メチルプロピル基、n-ノニル基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキル基、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシエチル基、プロポキシエチル基、ブトキシエチル基、γ−メトキシプロピル基、γ−エトキシプロピル基、メトキシエトキシエチル基、エトキシエトキシエチル基、ジメトキシメチル基、ジエトキシメチル基、ジメトキシエチル基、ジエトキシエチル基等のアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルキル基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキル基、クロロメチル基、2,2,2-トリクロロエチル基、トリフルオロメチル基、2,2,2-トリクロロエチル基、1,1,1,3,3,3,-ヘキサフルオロ-2-プロピル基等のハロゲン化アルキル基、アルキルアミノアルキル基、ジアルキルアミノアルキル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アルキルアミノカルボニルアルキル基、アルコキシスルホニルアルキル基、アルキルスルホニル基などが挙げられる。

また、置換または未置換のアルコキシ基の例としては、メトキシ基、エトキシ基、n-プロピルオキシ基、iso-プロピルオキシ基、n-ブチルオキシ基、iso-ブチルオキシ基、sec-ブチルオキシ基、t-ブチルオキシ基、n-ペンチルオキシ基、iso-ペンチルオキシ基、neo-ペンチルオキシ基、1,2-ジメチル−プロピルオキシ基、n-ヘキシルオキシ基、cyclo-ヘキシルオキシ基、1,3-ジメチル-ブチルオキシ基、1-iso-プロピルプロピルオキシ基、1,2-ジメチルブチルオキシ基、n-ヘプチルオキシ基、1,4-ジメチルペンチルオキシ基、2-メチル-1-iso-プロピルプロピルオキシ基、1-エチル-3-メチルブチルオキシ基、n-オクチルオキシ基、2-エチルヘキシルオキシ基、3-メチル-1-iso-プロピルブチルオキシ基、2-メチル-1-iso-プロピルオキシ基、1-t-ブチル-2-メチルプロピルオキシ基、n-ノニルオキシ基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルコキシ基、メトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、プロポキシエトキシ基、ブトキシエトキシ基、γ−メトキシプロピルオキシ基、γ−エトキシプロピルオキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、ジメトキシメトキシ基、ジエトキシメトキシ基、ジメトキシエトキシ基、ジエトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基、ブチルオキシエトキシエトキシ基等のアルコキシアルコキシアルコキシ基、アルコキシアルコキシアルコキシアルコキシ基、クロロメトキシ基、2,2,2-トリクロロエトキシ基、トリフルオロメトキシ基、2,2,2-トリクロロエトキシ基、1,1,1,3,3,3,-ヘキサフルオロ-2-プロピルオキシ基等のハロゲン化アルコキシ基、ジメチルアミノエトキシ基、ジエチルアミノエトキシ基などのアルキルアミノアルコキシ基、ジアルキルアミノアルコキシ基等が挙げられる。

Ｂ¹ 〜Ｂ⁸ で表される置換又は未置換のアリール基の例としては、フェニル基、クロロフェニル基、ジクロロフェニル基、ブロモフェニル基、フッ素化フェニル基、ヨウ素化フェニル基等のハロゲン化フェニル基、トリル基、キシリル基、メシチル基、エチルフェニル基、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、ピリジル基などが挙げられる。置換又
は未置換のアリールオキシ基の例としては、フェノキシ基、ナフトキシ基、アルキルフェノキシ基、等が挙げられ、置換又は未置換のアルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、n-プロピルチオ基、iso-プロピルチオ基、n-ブチルチオ基、iso-ブチルチオ基、sec-ブチルチオ基、t-ブチルチオ基、n-ペンチルチオ基、iso-ペンチルチオ基、neo-ペンチルチオ基、1,2-ジメチル−プロピルチオ基、n-ヘキシルチオ基、cyclo-ヘキシルチオ基、1,3-ジメチル-ブチルチオ基、1-iso-プロピルプロピルチオ基、1,2-ジメチルブチルチオ基、n-ヘプチルチオ基、1,4-ジメチルペンチルチオ基、2-メチル1-iso-プロピルプロピルチオ基、1-エチル-3-メチルブチルチオ基、n-オクチルチオ基、2-エチルヘキシルチオ基、3-メチル-1-iso-プロピルブチルチオ基、2-メチル-1-iso-プロピルチオ基、1-t-ブチル-2-メチルプロピルチオ基、n-ノニルチオ基等の炭素数１〜２０の直鎖又は分岐のアルキルチオ基、メトキシメチルチオ基、メトキシエチルチオ基、エトキシエチルチオ基、プロポキシエチルチオ基、ブトキシエチルチオ基、γ−メトキシプロピルチオ基、γ−エトキシプロピルチオ基、メトキシエトキシエチルチオ基、エトキシエトキシエチルチオ基、ジメトキシメチルチオ基、ジエトキシメチルチオ基、ジメトキシエチルチオ基、ジエトキシエチルチオ基等のアルコキシアルキルチオ基、アルコキシアルコキシアルキルチオ基、アルコキシアルコキシアルコキシアルキルチオ基、クロロメチルチオ基、2,2,2-トリクロロエチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基、2,2,2-トリクロロエチルチオ基、1,1,1,3,3,3,-ヘキサフルオロ-2-プロピルチオ基等のハロゲン化アルキルチオ基、ジメチルアミノエチルシチオ基、ジエチルアミノエチルチオ基等のアルキルアミノアルキルチオ基、ジアルキルアミノアルキルチオ基等が挙げられる。置換又は未置換のアリールチオ基の例としては、フェニルチオ基、ナフチルチオ基、アルキルフェニルチオ基、等が挙げる。

また、Ｍで表される２価金属の例としては、Ｃｕ（II），Ｚｎ（II），Ｃｏ（II），Ｎｉ（II），Ｒｕ（II），Ｒｈ（II），Ｐｄ（II），Ｐｔ（II），Ｍｎ（II），Ｍｇ（II），Ｔｉ（II），Ｂｅ（II），Ｃａ（II），Ｂａ（II），Ｃｄ（II），Ｈｇ（II），Ｐｂ（II），Ｓｎ（II）などが挙げられる。１置換の３価金属の例としては、Ａｌ−Ｃｌ，Ａｌ−Ｂｒ，Ａｌ−Ｆ，Ａｌ−Ｉ，Ｇａ−Ｃｌ，Ｇａ−Ｆ，Ｇａ−Ｉ，Ｇａ−Ｂｒ，Ｉｎ−Ｃｌ，Ｉｎ−Ｂｒ，Ｉｎ−Ｉ，Ｉｎ−Ｆ，Ｔｌ−Ｃｌ，Ｔｌ−Ｂｒ，Ｔｌ−Ｉ，Ｔｌ−Ｆ，Ａｌ−Ｃ₆ Ｈ₅ ，Ａｌ−Ｃ₆ Ｈ₄ （ＣＨ₃ ），Ｉｎ−Ｃ₆ Ｈ₅ ，Ｉｎ−Ｃ₆ Ｈ₄ （ＣＨ₃ ），Ｉｎ−Ｃ₆ Ｈ₅ ，Ｍｎ（ＯＨ），Ｍｎ（ＯＣ₆ Ｈ₅），Ｍｎ〔ＯＳｉ（ＣＨ₃ ）₃ 〕，Ｆｅ−Ｃｌ，Ｒｕ−Ｃｌ等が挙げられる。２置換の４価金属の例としては、ＣｒＣｌ₂ ，ＳｉＣｌ₂ ，ＳｉＢｒ₂ ，ＳｉＦ₂ ，ＳｉＩ₂ ，ＺｒＣｌ₂ ，ＧｅＣｌ₂ ，ＧｅＢｒ₂ ，ＧｅＩ₂ ，ＧｅＦ₂ ，ＳｎＣｌ₂ ，ＳｎＢｒ₂ ，ＳｎＦ₂ ，ＴｉＣｌ₂ ，ＴｉＢｒ₂ ，ＴｉＦ₂ ，Ｓｉ（ＯＨ）₂ ，Ｇｅ（ＯＨ）₂ ，Ｚｒ（ＯＨ）₂ ，Ｍｎ（ＯＨ）₂ ，Ｓｎ（ＯＨ）₂ ，ＴｉＲ₂ ，ＣｒＲ₂ ，ＳｉＲ₂ ，ＳｎＲ₂ ，ＧｅＲ₂ 〔Ｒはアルキル基、フェニル基、ナフチル基、およびその誘導体を表す〕，Ｓｉ（ＯＲ'）₂ ，Ｓｎ（ＯＲ'）₂ ，Ｇｅ（ＯＲ'）₂ ，Ｔｉ（ＯＲ'）₂ ，Ｃｒ（ＯＲ'）₂ 〔Ｒ'はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、トリアルキルシリル基、ジアルキルアルコキシシリル基およびその誘導体を表す〕，Ｓｎ（ＳＲ"）₂ ，Ｇｅ（ＳＲ"）₂ （Ｒ"はアルキル基、フェニル基、ナフチル基、およびその誘導体を表す）などが挙げられる。オキシ金属の例としては、ＶＯ，ＭｎＯ，ＴｉＯなどが挙げられる。

好ましいポリメチン系化合物として下記一般式（Ｂ）で表される化合物を挙げることができる。
一般式（Ｂ）

Ｒ³〜Ｒ⁶は水素原子または一価の有機残基であって、Ｒ³とＲ⁴またはＲ⁵とＲ⁶の組み合わせで環を形成してもよい。またＲ³〜Ｒ⁶の末端は芳香環に結合する窒素原子に対してオ
ルト位に位置する炭素に結合して環を形成してもよい。Ｒ⁷〜Ｒ¹⁰は水素原子、ハロゲンまたは一価の有機残基を示す。ｎは０〜３の整数を示す。Ｘ^-は、ハロゲンイオン、無機酸イオン、有機酸イオンを示す。

Ｒ³〜Ｒ⁶中、一価の有機残基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の５〜６員環のシクロアルキル基；ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基等の炭素数１０以下のアリールアルキル基等が挙げられる。また環形成の場合、Ｒ³〜Ｒ⁶はエチレン、プロピレンおよびトリメチレンより選ばれるアルキレン基を意味し、この場合、窒素原子に結合しない他端は、窒素原子のオルト位に当たるベンゼン核炭素と結合するか、Ｒ³とＲ⁴の他端同志またはＲ⁵とＲ⁶の他端同志で結合して、環を形成する。

またＲ⁷〜Ｒ¹⁰中、一価の有機残基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基等の炭素数１〜６のアルキル基；シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の５〜６員環のシクロアルキル基；メトキシ基、エトキシ基、プロピオキシ基、ブトキシ基、ペントキシ基、ヘキシルオキシ基等の炭素数１〜６のアルコキシ基；アセチル基；式−Ｎ（Ｒ¹¹）Ｒ¹²で表されるアミノ基を例示することができる。

なお、式−Ｎ（Ｒ¹¹）Ｒ¹²において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²は前記に例示の炭素数１〜６のアルキル基；５員または６員環のシクロアルキル基；アリール基；またはエチレン、プロピレンおよびトリメチレンより選ばれるアルキレン基を意味し、アルキレン基の場合、窒素原子に結合しない他端は、窒素原子のオルト位に当たるベンゼン核炭素と結合するか、Ｒ¹¹とＲ¹²の他端同志で結合して環を形成する。

製造の容易性と商品化および特に要望される吸収波長特性の点から、前記一般式（２）において−Ｎ（Ｒ³）Ｒ⁴と−Ｎ（Ｒ⁵）Ｒ⁶とがジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基およびピロリジノ基から選ばれる同一の基であり、Ｒ⁷とＲ⁸とがメチル基、エチル基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、メトキシ基、エトキシ基、および塩素原子から選ばれる同一の基であり、Ｒ⁹とＲ¹⁰とがいずれも水素原子であり、ｎが０または１である化合物が好ましい。

前記ハロゲンイオンとしては、例えば、ヨウ素イオン、臭素イオン、塩素イオン、フッ素イオン等が挙げられる。

前記無機酸イオンとしては、例えば、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、硝酸イオン等が挙げられる。

前記有機酸イオンとしては、例えば、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン等が挙げられる。

好ましいチオール系金属錯塩として下記一般式（Ａ）で表されるベンゼンジチオール金属錯体を挙げることができる。
一般式（Ａ）

式中、Ｒ⁵は水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜８のアルキルアミノ基、アリール基、ハロゲン原子または−ＣＯＲ⁶もしくは、−ＳＯ₂Ｒ⁶で表される基を示す。Ｒ⁶、Ｒ⁷は、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜８のアルキルアミノ基、アリール基、ハロゲン原子、置換基を有してもよいモルホリノ基、同じくピペリジノ基、同じくピロリジノ基、同じくチオモルホリノ基または同じくピペラジノ基を示す。ｍは１〜４の整数を示す。Ａ⁺は第４級アンモニウムイオンまたは第４級ホスホニウムイオンを示す。Ｍは遷移金属原子を表す。

炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

炭素数１〜８のアルキルアミノ基としては、例えば、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−イソプロピルアミノ基、Ｎ−ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ−ｎ−ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−メチルエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−エチル−イソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−イソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ基等が挙げられる。

アリール基としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、４−エチルフェニル基、２−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、２−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−クロロ−４−ブロモフェニル基、４−アミノフェニル基、２，４−ジアミノフェニル基、２，４−ジニトロフェニル基、２−アセチルフェニル基、４−アセチルフェニル基、２−ヒドロキシフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、２−メチルチオフェニル基、４−メチルチオフェニル基等が挙げられる。

ハロゲン原子としては、例えば、ヨウ素原子、臭素原子、塩素原子、フッ素原子等が挙げられる。

上記のＲ⁶、および上記のＲ⁷は、それぞれ炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜８のアルキルアミノ基、アリール基、ハロゲン原子、置換基を有してもよいモルホリノ基、同じくピペリジノ基、同じくピロリジノ基、同じくチオモルホリノ基または同じくピペラジノ基を示す。

置換基を有してもよいモルホリノ基としては、例えば、モルホリノ基、２−メチルモルホリノ基、３−メチルモルホリノ基、４−メチルモルホリノ基、２−エチルモルホリノ基、４−ｎ−プロピルモルホリノ基、３−ｎ−ブチルモルホリノ基、２，４−ジメチルモルホリノ基、２，６−ジメチルモルホリノ基、４−フェニルモルホニル基等が挙げられる。

置換基を有してもよいピペリジノ基としては、例えば、ピペリジノ基、２−メチルピペリジノ基、３−メチルピペリジノ基、４−メチルピペリジノ基、２−エチルピペリジノ基、４−ｎ−プロピルピペリジノ基、３−ｎ−ブチルピペリジノ基、２，４−ジメチルピペリジノ基、２，６−ジメチルピペリジノ基、４−フェニルピペリジノ基等が挙げられる。

置換基を有してもよいピロリジノ基としては、例えば、ピロリジノ基、２−メチルピロリジノ基、３−メチルピロリジノ基、４−メチルピロリジノ基、２−エチルピロリジノ基、４−ｎ−プロピルピロリジノ基、３−ｎ−ブチルピロリジノ基、２，４−ジメチルピロリジノ基、２，５−ジメチルピロリジノ基、４−フェニルピロリジノ基等が挙げられる。

置換基を有してもよいチオモルホリノ基としては、例えば、チオモルホリノ基、２−メチルチオモルホリノ基、３−メチルチオモルホリノ基、４−メチルチオモルホリノ基、２−エチルチオモルホリノ基、４−ｎ−プロピルチオモルホリノ基、３−ｎ−ブチルチオモルホリノ基、２，４−ジメチルチオモルホリノ基、２，６−ジメチルチオモルホリノ基、４−フェニルチオモルホリノ基等が挙げられる。

置換基を有してもよいピペラジノ基としては、例えば、ピペラジノ基、２−メチルピペラジノ基、３−メチルピペラジノ基、４−メチルピペラジノ基、２−エチルピペラジノ基、４−ｎ−プロピルピペラジノ基、３−ｎ−ブチルピペラジノ基、２，４−ジメチルピペラジノ基、２，６−ジメチルピペラジノ基、４−フェニルピペラジノ基、２−ピリミジルピペラジノ基等が挙げられる。

Ｒ⁵が、上記した各種の置換基のうち、ｔｅｒｔ−ブチル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、モルホリノカルボニル基、ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、ピペラジノカルボニル基、フェニルカルボニル基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノカルボニル基、モルホリノスルホニル基、ピロリジノスルホニル基、ピペリジノスルホニル基、４−メチルピペラジノスルホニル基、４−クロロフェニルスルホニル基、塩素原子を用いると好ましい。

第４級アンモニウムイオンとしては、例えば、テトラメチルアンモニウムイオン、テトラエチルアンモニウムイオン、テトラ−ｎ−ブチルアンモニウムイオン、テトラフェニルアンモニウムイオン、テトラベンジルアンモニウムイオン、トリメチルベンジルアンモニウムイオン、Ｎ−メチルピリジニウムイオン等が挙げられる。

第４級ホスホニウムイオンとしては、例えば、テトラメチルホスホニウムイオン、テトラエチルホスホニウムイオン、テトラ−ｎ−ブチルホスホニウムイオン、テトラフェニルホスホニウムイオン、テトラベンジルホスホニウムイオン、トリメチルベンジルホスホニウムイオン等が挙げられる。

Ｍで表される遷移金属原子はニッケル、銅、コバルト、白金、パラジウム原子が好ましく、ニッケル原子がより好ましい。

好ましいジインモニウム系化合物として下記一般式（Ｄ）で表される化合物を挙げることができる。
一般式（Ｄ）

式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜８のアルキルアミノ基またはアリール基を、Ｘ^-は、ハロゲンイオン、無機酸イオン、有機酸イオンを示す。
Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜８のアルキルアミノ基またはアリール基を示す。また、Ｘ^-は、ハロゲンイオン、無機酸イオン、有機酸イオンを示す。

炭素数１〜６のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ−ペンチル基、ｎｅｏ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、イソヘキシル基、シクロヘキシル基等が挙げられる。

炭素数１〜８のアルキルアミノ基としては、例えば、Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−エチルアミノ基、Ｎ−イソプロピルアミノ基、Ｎ−ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ−ｎ−ブチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−メチルエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ基、Ｎ，Ｎ−エチル−イソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−イソプロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミノ基、Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ基等が挙げられる。

アリール基としては、例えば、フェニル基、２−メチルフェニル基、３−メチルフェニル基、４−メチルフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基、４−エチルフェニル基、２−ｎ−プロピルフェニル基、４−ｎ−ブチルフェニル基、２−クロロフェニル基、４−クロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２−クロロ−４−ブロモフェニル基、４−アミノフェニル基、２，４−ジアミノフェニル基、２，４−ジニトロフェニル基、２−アセチルフェニル基、４−アセチルフェニル基、２−ヒドロキシフェニル基、４−ヒドロキシフェニル基、２−メトキシフェニル基、４−メトキシフェニル基、２−メチルチオフェニル基、４−メチルチオフェニル基等が挙げられる。

ハロゲンイオンとしては、例えば、ヨウ素イオン、臭素イオン、塩素イオン、フッ素イオン等が挙げられる。

無機酸イオンとしては、例えば、ヘキサフルオロアンチモン酸イオン、過塩素酸イオン、テトラフルオロホウ素酸イオン、ヘキサフルオロリン酸イオン、硝酸イオン等が挙げられる。

有機酸イオンとしては、例えば、酢酸イオン、トリフルオロ酢酸イオン、メタンスルホン酸イオン、トリフルオロメタンスルホン酸イオン、ベンゼンスルホン酸イオン等が挙げられる。

上述したジインモニウム塩は、例えば、日本カーリット株式会社の商品名ＣＩＲ−１０８０、ＣＩＲ−１０８１、日本化薬株式会社の商品名ＩＲＧ−０２２、ＩＲＧ−０２３、ＩＲＧ−０４０として市販されているものを用いることができる。

好ましいアミノチオフェレート系金属錯塩として下記一般式（Ｅ）で表される化合物を挙げることができる。
一般式（Ｅ）

ＸはＳまたはＳｅを表し、Ｍは、金属元素を表す。Ｒ₁ 〜Ｒ₈ はそれぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アミノ基、置換アミノ基またはシアノ基を表わし、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₀はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基，シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいアラルキル基を表わし、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₀のうちの少なくとも１つは水素原子ではない。

ＸはＳまたはＳｅを表し、好ましくはＳであり、Ｍは、金属元素を表し、２〜３価の遷移金属が好適に用いられる。好ましくはＮｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｔｉ、ＳｎまたはＣｕ、さらに好ましくはＮｉ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｃｏが用いられ、Ｎｉである場合が最も好ましい。 中でも、ＸがＳであり、ＭがＮｉである場合、性能的にも優れ、かつ経済的にも有利であることから好ましい。Ｒ₁ 〜Ｒ₈ は、それぞれ独立に、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アミノ基、置換アミノ基またはシアノ基を表わし、好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アミノ基、置換アミノ基またはシアン基を表し、さらに好ましくは、水素原子；メチル基、エチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基などの炭素数１〜５のアルキル基；アリール基、ベンジル基、フェネチル基などのアラルキル基；メトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基などの炭素数１〜５のアルコキシ基；フェノキシ基、メチルフェノキシ基などの炭素数６〜１０のアリールオキシ基；ニトロ基；塩素原子、臭素原子、フッ素原子などのハロゲン原子；アミノ基；ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジフェニルアミノ基などの置換アミノ基；またはシアノ基が挙げられ、特に好ましくは、水素原子が用いられる。最も好ましいのは、Ｒ₁ 〜Ｒ₈ が全て水素原子である場合である。

Ｘ₁ 〜Ｘ₁₀は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルコキシ基，ニトロ基，シアノ基、置換されていてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアリール基または置換基を有していてもよいアラルキル基を表す。具体的には、水素原子、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基などの炭素数１〜５のアルコキシ基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基などの炭素数６〜１０のアリールオキシ基、ニトロ基，シアノ基，メチル基、エチル基、ｉ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基などの炭素数１〜５のアルキル基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基等の置換アルキル基、アリール基、ベンジル基、フェネチル基などのアラキル基が挙げられ、好ましくは、水素原子及びフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヒドロキシ基、メトキシ基、エトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ブトキシ基などの炭素数１〜５のアルコキシ基、トリクロロメチル基、トリフルオロメチル基、フェノキシ基、メチルフェノキシ基、ニトロ基、シアノ基等の電子吸引性基が挙げられ、Ｘ₁ 〜Ｘ₁₀の中で、少なくともひとつは、水素原子でない。さらに好ましくはＸ₁ 〜Ｘ₁₀の少なくとも１つがフッ素原子、塩素原子、またはシアノ基であり、残りは水素原子であるのが望ましい。中でも、一般式（Ｅ）で表される有機金属錯体が左右対称である場合が、色素としての安定性や合成の容易さの面から好ましい。Ｘ₁ 〜Ｘ₅ 、及びＸ₆ 〜Ｘ₁₀のうちのそれぞれ１〜３個、さらに好ましくは１〜２個が、フッ素原子、塩素原子、またはシアノ基であり、残りが水素原子であるのが望ましい。

好ましいスクワリリウム系またはクロコニウム系化合物として下記一般式（Ｆ）で表される化合物を挙げることができる。
一般式（Ｆ）

一般式（Ｆ）において、Ｘは硫黄原子又は酸素原子を表し、Ｒ₁、Ｒ₂は水素及び１価の任意の基を表し、ｍ、ｎは０、１、２、３又は４を表す。
一般式（Ｆ）を更に説明する。式中、Ｒ₁、Ｒ₂は各々１価の置換基を表す。１価の置換基には特に制限はないが、アルキル基（例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、メトキシエチル基、メトキシエトキシエチル基、２−エチルヘキシル基、２
−ヘキシルデシル基、ベンジル基等）、アリール基（例えばフェニル基、４−クロロフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基等）であることが好ましく、アルキル基であることがより好ましく、ｔ−ブチル基であることが特に好ましい。Ｒ₁、Ｒ₂は共同して環を形成してもよい。ｍ、ｎは各々０から４の整数を表し、２以下であることが好ましい。

好ましいクロコニウム系化合物として下記一般式（Ｇ）で表される化合物を挙げることができる。
一般式（Ｇ）

一般式（Ｇ）において、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅及びＲ₆は各々１価の置換基を表す。ｌ、ｍは０〜４の整数を表す。
一般式（Ｇ）の置換基を更に詳しく説明する。式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅及びＲ₆が各々表す１価の置換基には制限はないが、アルキル基（例えば、メチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔ−ブチル基、メトキシエチル基、メトキシエトキシエチル基、２−エチルヘキシル基、２−ヘキシルデシル基、ベンジル基等）、アリール基（例えば、フェニル基、４−クロロフェニル基、２，６−ジメチルフェニル基等）、ヒドロキシル基、アシル基（例えば、アセチル基等）であることが好ましく、アルキル基、アリール基、ヒドロキシル基であることがより好ましく、中でも、炭素数５以上の置換基、エーテル結合を有する置換基また、ヒドロキシル基を有していることが好ましい。更には、アルキル基であることが最も好ましい。特に、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄は炭素数５以上の置換基またはエーテル結合をもつ置換基であることが有機溶媒に対する溶解度が改良されて特に好ましい。また、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃、Ｒ₄、Ｒ₅及びＲ₆は協同して環を形成してもよく、例えばＲ₁、Ｒ₂、Ｒ₅が協同してジュロリジル基を形成してもよい。ｌ、ｍは各々０〜４の整数を表し、０または１であることが好ましい。

近赤外線吸収剤は上記のカチオン体とアニオン体との対イオン結合体として使用してもよい。具体的には一般式（Ａ）のアニオン体と一般式（Ｂ）または（Ｃ）のカチオン体の対イオン結合体が好ましい例として挙げられる。

上記の近赤外線吸収剤は、例えば特公昭４３−２５３３５号公報、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，８８巻、４３頁（１９６６）、特開平９−３０９８８６号公報、特開平１０−４５７６７号公報、国際公開第９８／３４９８８号パンフレット、および特開２００１−８９４９２号公報に記載されている方法と同様の方法で合成することができる。

以下に本発明に用いられる近赤外線吸収剤の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

本発明において近赤外線吸収剤は単独あるいは２種類以上混合して用いることができる。

本発明において近赤外線吸収剤はセルロースアシレート１００質量部に対して、０．００１〜３０質量部、好ましくは０．０１〜１０質量部用いられる。近赤外線吸収剤の添加方法は、アルコールやメチレンクロライド、ジオキソランの有機溶媒に溶解してから、ドープに添加するか、または直接ドープ組成中に添加してもよい。

[一般式（Ｕ）で表される紫外線吸収剤]
以下に、一般式（Ｕ）で表される紫外線吸収剤について説明する。
一般式（Ｕ）：Ｑ⁷¹−Ｑ⁷²−ＯＨ
一般式（Ｕ）において、Ｑ⁷¹で表されるトリアジン環は更に置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。

Ｑ⁷²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、
例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（Ｕ）で表される紫外線吸収剤は、好ましくは下記一般式（Ｕ−１）で表される１，３，５−トリアジン環を有する化合物である。
一般式（Ｕ−１）：

一般式（Ｕ−１）中、Ｒ⁷⁰¹は、炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基；炭素数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；フェニル基、ＯＨ、炭素数１〜１８のアルコキシ基、炭素数５〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数３〜１８のアルケニルオキシ基、ハロゲン原子、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ⁷⁰⁴、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁵、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ⁷⁰⁶、−ＣＯ−ＮＨ₂、−ＣＯ−ＮＨＲ⁷⁰⁷、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ⁷⁰⁷）（Ｒ⁷⁰⁸）、ＣＮ、ＮＨ₂、ＮＨＲ⁷⁰⁷、−Ｎ（Ｒ⁷⁰⁷）（Ｒ⁷⁰⁸）、−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁵、フェノキシ基、炭素数１〜１８のアルキル基で置換されたフェノキシ基、フェニル−炭素数１〜４のアルコキシ基、炭素数６〜１５のビシクロアルコキシ基、炭素数６〜１５のビシクロアルキルアルコキシ基、炭素数６〜１５のビシクロアルケニルアルコキシ基、もしくは炭素数６〜１５のトリシクロアルコキシ基で置換された炭素数１〜１８のアルキル基；ＯＨ、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基もしくは−Ｏ−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁵で置換された炭素数５〜１２のシクロアルキル基；グリシジル基；−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁹；又は−ＳＯ₂−Ｒ⁷¹⁰を表すか；あるいは、１つ以上の酸素原子で中断され、及び／又はＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換された炭素数３〜５０のアルキル基を表すか；あるいは、−Ａ⁷¹；−ＣＨ₂−ＣＨ（Ｘ⁷¹Ａ⁷¹）−ＣＨ₂−Ｏ−Ｒ⁷¹²；−ＣＲ⁷¹³Ｒ'⁷¹³−（ＣＨ₂）_m−Ｘ⁷¹−Ａ⁷¹；−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＡ⁷¹）−Ｒ⁷¹⁴；−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ₂−Ｘ⁷¹Ａ⁷¹；

−ＣＲ⁷¹⁵Ｒ'⁷¹⁵−Ｃ（＝ＣＨ₂）−Ｒ"⁷¹⁵；−ＣＲ⁷¹³Ｒ'⁷¹³−（ＣＨ₂）_m−ＣＯ−Ｘ⁷¹−Ａ⁷¹；−ＣＲ⁷¹³Ｒ'⁷¹³−（ＣＨ₂）_m−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ⁷¹⁵Ｒ'⁷¹⁵−Ｃ（＝ＣＨ₂）−Ｒ"⁷¹⁵又は−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ⁷¹⁵Ｒ'⁷¹⁵−Ｃ（＝ＣＨ₂）−Ｒ"⁷¹⁵｛Ａ⁷¹は−ＣＯ−ＣＲ⁷¹⁶＝ＣＨ−Ｒ⁷¹⁷を表す｝を表す。

Ｒ⁷⁰²は、互いに独立して、炭素数６〜１８のアルキル基；炭素数２〜６のアルケニル基；フェニル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；ＣＯＯＲ⁷⁰⁴；ＣＮ；−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁵；ハロゲン原子；トリフルオロメチル基；又は−Ｏ−Ｒ⁷⁰³を表す。Ｒ⁷⁰³はＲ⁷⁰¹に対して与えられた定義と同一である。Ｒ⁷⁰⁴は、炭素数１〜１８のアルキル基；炭
素数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基を表すか；又は、１つ以上の−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ⁷⁰⁷−、−Ｓ−で中断され、且つＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換されていてもよい、炭素数３〜５０のアルキル基を表す。

Ｒ⁷⁰⁵は、Ｈ；炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数２〜１８のアルケニル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基；フェニル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素数６〜１５のビシクロアルキル基；炭素数６〜１５のビシクロアルケニル基；又は炭素数６〜１５のトリシクロアルキル基を表す。Ｒ⁷⁰⁶は、Ｈ；炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；又は炭素数５〜１２のシクロアルキル基を表す。Ｒ⁷⁰⁷及びＲ⁷⁰⁸は、互いに独立して、炭素数１〜１２のアルキル基；炭素数３〜１２のアルコキシアルキル基；炭素数４〜１６のジアルキルアミノアルキル基；又は炭素数５〜１２のシクロアルキル基を表し；あるいは、Ｒ⁷⁰⁷及びＲ⁷⁰⁸は一緒になって、炭素数３〜９のアルキレン基、炭素数３〜９のオキサアルキレン基又は炭素数３〜９のアザアルキレン基を表す。

Ｒ⁷⁰⁹は、炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数２〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素数６〜１５のビシクロアルキル基；炭素数６〜１５のビシクロアルキルアルキル基；炭素数６〜１５のビシクロアルケニル基；又は炭素数６〜１５のトリシクロアルキル基を表す。Ｒ⁷¹⁰は、炭素数１〜１２のアルキル基；フェニル基；ナフチル基；又は炭素数７〜１４のアルキルフェニル基を表す。

Ｒ⁷¹¹は、互いに独立して、Ｈ；炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数３〜６のアルケニル基；フェニル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；ハロゲン原子；又は炭素数１〜１８のアルコキシ基を表す。

Ｒ⁷¹²は、炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数３〜８のアルケノキシ基、ハロゲン原子又はトリフルオロメチル基で１〜３回置換されたフェニル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基；炭素数６〜１５のトリシクロアルキル基；炭素数６〜１５のビシクロアルキル基；炭素数６〜１５のビシクロアルキルアルキル基；炭素数６〜１５のビシクロアルケニルアルキル基；−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁵を表すか；又はＲ⁷¹²は、１つ以上の−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ⁷⁰⁷−、−Ｓ−で中断され、且つＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換されていてもよい、炭素数３〜５０のアルキル基を表す。

Ｒ⁷¹³及びＲ'⁷¹³は、互いに独立して、Ｈ；炭素数１〜１８のアルキル基；フェニル基を表す。Ｒ⁷¹⁴は、炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数３〜１２のアルコキシアルキル基；フェニル基；又はフェニル−炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ⁷¹⁵、Ｒ'⁷¹⁵及びＲ"⁷¹⁵は、互いに独立して、Ｈ又はＣＨ₃を表す。Ｒ⁷¹⁶は、Ｈ；−ＣＨ₂−ＣＯＯ−Ｒ⁷⁰⁴；炭素数１〜４のアルキル基；又はＣＮを表す。Ｒ⁷¹⁷は、Ｈ；−ＣＯＯＲ⁷⁰⁴；炭素数１〜１７のアルキル基；又はフェニル基を表す。

Ｘ⁷¹は、−ＮＨ−；−ＮＲ⁷⁰⁷−；−Ｏ−；−ＮＨ−（ＣＨ₂）_p−ＮＨ−；又は−Ｏ−（ＣＨ₂）_q−ＮＨ−を表す。指数ｍは０〜１９の整数を表し；ｎは１〜８の整数を表し；ｐは０〜４の整数を表し；ｑは２〜４の整数を表す。但し式（７−２）中、基Ｒ⁷⁰¹、Ｒ⁷⁰²及びＲ⁷¹¹の少なくとも１つが２個以上の炭素原子を含む。

さらに一般式（Ｕ−１）の化合物について説明する。
アルキル基としての基Ｒ⁷⁰¹〜Ｒ⁷¹⁰、Ｒ⁷¹²〜Ｒ⁷¹⁴、Ｒ⁷¹⁶及びＲ⁷¹⁷は、直鎖もしくは分枝鎖状のアルキル基であり、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、２−エチルブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、１−メチルペンチル基、１，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、イソヘプチル基、１，１，３，３−テトラメチルブチル基、１−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、ｎ−オクチル基、２−エチルヘキシル基、１，１，３−トリメチルヘキシル基、１，１，３，３−テトラメチルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、１−メチルウンデシル基、ドデシル基、１，１，３，３，５，５−ヘキサメチルヘキシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基又はオクタデシル基である。

炭素数５〜１２のシクロアルキル基としてのＲ⁷⁰¹、Ｒ⁷⁰³〜Ｒ⁷⁰⁹及びＲ⁷¹²は、例えばシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、シクロウンデシル基、シクロドデシル基である。好ましいのもはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロオクチル基及びシクロドデシル基である。

アルケニル基としてのＲ⁷⁰⁶、Ｒ⁷⁰⁹、Ｒ⁷¹¹及びＲ⁷¹²は、特にアリル基、イソプロペニル基、２−ブテニル基、３−ブテニル基、イソブテニル基、ｎ−ペンタ−２，４−ジエチル基、３−メチル−ブテ−２−エニル基、ｎ−オクテ−２−エニル基、ｎ−ドデセ−２−エニル基、イソドデセニル基、ｎ−ドデセ−２−エニル基及びｎ−オクタデセ−４−エニル基が含まれる。

置換されたアルキル基、シクロアルキル基又はフェニル基は、１回以上置換されることができ、且つ結合している炭素原子において（α−位において）、又は他の炭素原子において、置換基をもつことができ；置換基がヘテロ原子によって（例えばアルコキシ基）結合する場合、その結合は、好ましくはα−位においてではなく、且つ置換されたアルキル基は２つ、特には３つ又はそれ以上の炭素原子を含む。２つ以上の置換基を有するときは、それらの置換基は、好ましくは異なる炭素原子と結合するのがよい。

アルキル基が−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ⁷⁰⁷−、−Ｓ−により中断されるとき、そのアルキル基はこれらの基の１つ以上で中断されていてもよく、それぞれの場合、一般に１つの結合中に１つの基が挿入されており、且つヘテロ−ヘテロ結合、例えばＯ−Ｏ、Ｓ−Ｓ、ＮＨ−ＮＨ等は生じず；中断されたアルキル基がさらに置換されている場合には、置換基は、一般にヘテロ原子に対してα位にないのがよい。１つの基の中で２以上の−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ⁷⁰⁷−、−Ｓ−のタイプの中断する基が存在する場合、それらは一般に同一であるのがよい。

アリール基は、一般に芳香族炭化水素基であり、例えばフェニル基、ビフェニルイル基又はナフチル基であり、好ましくはフェニル基及びビフェニルイル基である。アラルアルキル基は、一般にアリール基、特にフェニル基により置換されたアルキル基であり；従って炭素数７〜２０のアラルアルキル基は、例えばベンジル基、α−メチルベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、フェニルブチル基、フェニルペンチル基及びフェニルヘキシル基を含み；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基は好ましくはベンジル基、α−メチルベンジル基及びα，α−ジメチルベンジル基である。

アルキルフェニル基及びアルキルフェノキシ基は、それぞれ、アルキル基で置換されたフェニル基又はフェノキシ基である。

ハロゲン置換基となるハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子であり、より好ましいものはフッ素原子又は塩素原子であり、特に塩素原子であることが好ましい。

炭素数１〜２０のアルキレン基は、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基、ペンチレン基、ヘキシレン基等である。ここにアルキル鎖はまた枝分かれでき、例えばイソプロピレン基である。

炭素数４〜１２のシクロアルケニル基は、例えば２−シクロブテニ−２−イル基、２−シクロペンテニ−１−イル基、２，４−シクロペンタジエニ−１−イル基、２−シクロヘキセ−１−イル基、２−シクロヘプテニ−１−イル基、又は２−シクロオクテニ−１−イル基である。

炭素数６〜１５のビシクロアルキル基は、例えばボルニル基、ノルボルニル基、［２．２．２］ビシクロオクチル基である。ボルニル基及びノルボルニル基、特にボルニル基及びノルボルニ−２−イル基が 好ましい。

炭素数６〜１５のビシクロアルコキシ基は、例えばボルニルオキシ基又はノルボルニ−２−イルオキシ基である。

炭素数６〜１５のビシクロアルキル−アルキル基又は−アルコキシ基は、ビシクロアルキル基で置換されたアルキル基又はアルコキシ基で、炭素原子の総数が６〜１５であるものであり；具体例はノルボルナン−２−メチル基及びノルボルニル−２−メトキシ基である。

炭素数６〜１５のビシクロアルケニル基は、例えば、ノルボルネニル基、ノルボルナジエニル基である。好ましいものは、ノルボルネニル基、特にノルボルネ−５−エン基である。

炭素数６〜１５のビシクロアルケニルアルコキシ基は、ビシクロアルケニル基で置換されたアルコキシ基で、炭素原子の総数が６〜１５であるものであり；ある実例はノルボルネ−５−エン−２−メトキシ基である。

炭素数６〜１５のトリシクロアルキル基は、例えば、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基である。好ましいものは１−アダマンチル基で示される。

炭素数６〜１５のトリシクロアルコキシ基は、例えば、アダマンチルオキシ基である。炭素数３〜１２のヘテロアリール基は、好ましくは、ピリジニル基、ピリミジニル基、トリアジニル基、ピロリル基、フラニル基、チオフェニル又はキノリニル基である。

式（７−１）で表される化合物は、さらに好ましくは、式中、Ｒ⁷⁰¹が、炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基；炭素数３〜１２のアルケニル基；フェニル基；フェニル基、ＯＨ、炭素数１〜１８のアルコキシ基、炭素数５〜１２のシクロアルコキシ基、炭素数３〜１８のアルケニルオキシ基、ハロゲン原子、−ＣＯＯＨ、−ＣＯＯＲ⁷⁰⁴、−Ｏ−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁵、−Ｏ−ＣＯ−Ｏ−Ｒ⁷⁰⁶、−ＣＯ−ＮＨ₂、−ＣＯ−ＮＨＲ⁷⁰⁷、−ＣＯ−Ｎ（Ｒ⁷⁰⁷）（Ｒ⁷⁰⁸）、ＣＮ、ＮＨ₂、ＮＨＲ⁷⁰⁷、−Ｎ（Ｒ⁷⁰⁷）（Ｒ⁷⁰⁸）、−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁵、フェノキシ基、炭素数１〜１８のアルキル基で置換されたフェノキシ基、フェニル−炭素数１〜４のアルコキシ基、ボルニルオキシ基、ノルボルニ−２−イルオキシ基、ノルボルニル−２−メトキシ基、ノルボルネ−５−エン−２−メトキシ基、アダマンチルオキシ基で置換された炭素数１〜１８のアルキル基；ＯＨ、炭素数
１〜４のアルキル基、炭素数２〜６のアルケニル基及び／又は−Ｏ−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁵で置換された炭素数５〜１２のシクロアルキル基；グリシジル基；−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁹又は−ＳＯ₂−Ｒ⁷¹⁰を表すか；あるいは、Ｒ⁷⁰¹は１以上の酸素原子で中断された及び／又はＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換された炭素数３〜５０のアルキル基を表すか；あるいは、Ｒ⁷⁰¹は−Ａ⁷¹；−ＣＨ₂−ＣＨ（Ｘ⁷¹Ａ⁷¹）−ＣＨ₂−Ｏ−Ｒ⁷¹²；−ＣＲ⁷¹³Ｒ'⁷¹³−（ＣＨ₂）_m−Ｘ⁷¹−Ａ⁷¹；−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＡ）−Ｒ⁷¹⁴；−ＣＨ₂−ＣＨ（ＯＨ）−ＣＨ₂−Ｘ⁷¹Ａ⁷¹；

−ＣＲ⁷¹⁵Ｒ'⁷¹⁵−Ｃ（＝ＣＨ₂）−Ｒ"⁷¹⁵；−ＣＲ⁷¹³Ｒ'⁷¹³−（ＣＨ₂）_m−ＣＯ−Ｘ⁷¹−Ａ⁷¹；−ＣＲ⁷¹³Ｒ'⁷¹³−（ＣＨ₂）_m−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ⁷¹⁵Ｒ'⁷¹⁵−Ｃ（＝ＣＨ₂）−Ｒ"⁷¹⁵又は−ＣＯ−Ｏ−ＣＲ⁷¹⁵Ｒ'⁷¹⁵−Ｃ（＝ＣＨ₂）−Ｒ"⁷¹⁵（式中、Ａ⁷¹は−ＣＯ−ＣＲ⁷¹⁶＝ＣＨ−Ｒ⁷¹⁷を表す）のいずれかを表す。Ｒ⁷⁰²は、炭素数６〜１８のアルキル基；炭素数２〜６のアルケニル基；フェニル基；−Ｏ−Ｒ⁷⁰³又は−ＮＨ−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁵を表す。そしてＲ⁷⁰³は、互いに独立して、Ｒ⁷⁰¹に対して与えられた定義と同一である。

Ｒ⁷⁰⁴は、炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基を表すか；あるいはＲ⁷⁰⁴は、１つ以上の−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ⁷⁰⁷−、−Ｓ−で中断され、且つＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換されていてもよい、炭素数３〜５０のアルキル基を表す。

Ｒ⁷⁰⁵は、Ｈ；炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数２〜１８のアルケニル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基；フェニル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；ノルボルニ−２−イル基；ノルボルネ−５−エニ−２−イル基；アダマンチル基を表す。Ｒ⁷⁰⁶は、Ｈ；炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基を表す。

Ｒ⁷⁰⁷及びＲ⁷⁰⁸は、互いに独立して炭素数１〜１２のアルキル基；炭素数３〜１２のアルコキシアルキル基；炭素数４〜１６のジアルキルアミノアルキル基を表すか；又は炭素数５〜１２のシクロアルキル基を表し；あるいはＲ⁷⁰⁷及びＲ⁷⁰⁸は、一緒になって、炭素数３〜９のアルキレン基；炭素数３〜９のオキサアルキレン基又は炭素数３〜９のアザアルキレン基を表す。Ｒ⁷⁰⁹は、炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数２〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基；炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；ノルボルニ−２−イル基；ノルボルネ−５−エニ−２−イル基；アダマンチル基を表す。

Ｒ⁷¹⁰は、炭素数１〜１２のアルキル基；フェニル基；ナフチル基；又は炭素数７〜１４のアルキルフェニル基を表す。Ｒ⁷¹¹は、互いに独立して、Ｈ；炭素数１〜１８のアルキル基；又は炭素数７〜１１のフェニルアルキル基を表す。

Ｒ⁷¹²は、炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数３〜１８のアルケニル基；フェニル基；炭素数１〜８のアルキル基、炭素数１〜８のアルコキシ基、炭素数３〜８のアルケノキシ基、ハロゲン原子又はトリフルオロメチル基で１〜３回置換されたフェニル基を表すか；又は炭素数７〜１１のフェニルアルキル基；炭素数５〜１２のシクロアルキル基；１−アダマンチル基；２−アダマンチル基；ノルボルニル基；ノルボルナン−２−メチル−；−ＣＯ−Ｒ⁷⁰⁵を表し；又はＲ⁷¹²は、１つ以上の−Ｏ−、−ＮＨ−、−ＮＲ⁷⁰⁷−、−Ｓ−で中断され、且つＯＨ、フェノキシ基もしくは炭素数７〜１８のアルキルフェノキシ基で置換されていてもよい、炭素数３〜５０のアルキル基を表す。

Ｒ⁷¹³及びＲ'⁷¹³は、互いに独立して、Ｈ；炭素数１〜１８のアルキル基；フェニル基を表す。Ｒ⁷¹⁴は、炭素数１〜１８のアルキル基；炭素数３〜１２のアルコキシアルキル基；フェニル基；フェニル−炭素数１〜４のアルキル基を表す。Ｒ⁷¹⁵、Ｒ'⁷¹⁵及びＲ"⁷¹⁵は、互いに独立して、Ｈ又はＣＨ₃を表す。Ｒ⁷¹⁶は、Ｈ；−ＣＨ₂−ＣＯＯ−Ｒ⁷⁰⁴；炭素数１〜４のアルキル基；又はＣＮを表す。Ｒ⁷¹⁷は、Ｈ；−ＣＯＯＲ⁷⁰⁴；炭素数１〜１７のアルキル基；又はフェニル基を表す。

Ｘ⁷¹は−ＮＨ−；−ＮＲ⁷¹⁷−；−Ｏ−；−ＮＨ−（ＣＨ₂）_p−ＮＨ−；又は−Ｏ−（ＣＨ₂）_q−ＮＨ−を表す。指数ｍは０〜１９の整数を表し；ｎは１〜８の整数を表し；ｐは０〜４の整数を表し；ｑは２〜４の整数を表す。

一般式（Ｕ）及び（Ｕ−１）で表される化合物は、慣用の方法により、例えば特開平１１−１２２１９号公報、欧州特許第４３４６０８号明細書、又はＨ．Ｂｒｕｎｅｔｔｉ及びＣ．Ｅ．Ｌｕｔｈｉ，"Ｈｅｌｖ．Ｃｈｉｍ．Ａｃｔａ"，５５巻、ｐ．１５６６（１９７２年）などの刊行物に示される方法に従って、又はそれと同様に、相当するフェノールへのハロトリアジンのフリーデル−クラフツ付加によって、公知の化合物と同様に得ることができる。

次に、一般式（Ｕ）又は一般式（Ｕ−１）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

本発明における紫外線吸収剤は、揮散性の観点から、分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であってもよいし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でもよい。

上記の範囲内とすることで、紫外線吸収剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散することがなく好ましい。

（紫外線吸収剤の添加量）
紫外線吸収剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１〜３０質量％であることが好ましく、０．１〜２０質量％であることがより好ましく、０．２〜１０質量％であることが特に好ましい。

本発明において近赤外線吸収剤と紫外線吸収剤の添加量の重量比は紫外線吸収剤１．０質量部に対して近赤外線吸収剤は０．００１質量部以上１．０質量部未満であることが好ましく、０．０２質量部以上０．５質量部以下であることがより好ましい。

（紫外線吸収剤の添加方法）
またこれら紫外線吸収剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら紫外線吸収剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ド
ープ調製工程の最後に行ってもよい。
本発明において近赤外線吸収剤と紫外線吸収剤は同一層内に存在することが好ましく、少なくとも同一ドープ内に含有されたドープを用いて流延することが好ましい。

以下にレターデーションＲｅおよびＲｔｈについて詳細に説明する。
本発明において、Ｒｅ(λ)、Ｒｔｈ(λ)は各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。
本発明のセルロースアシレートフィルムのレターデーションの測定方法について説明する。

（面内のレターデーションＲｅ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、Ｒｅ(λ)は自動複屈折計KOBRA 21ADH（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定した。また、Ｒｔｈ(λ)は前記Ｒｅ(λ)、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力し算出した。

（Ｒｅ、Ｒｔｈの400nm以上700nm以下の波長範囲での変動）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、エリプソメーターＭ−１５０(日本分光（株）製)において波長７００ｎｍから４００ｎｍの光をフィルム法線方向に入射させることにより各波長でのＲｅをもとめ、Ｒｅの波長による変動を測定した。また、Ｒｔｈの波長による変動については、前記Ｒｅ、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から７００〜４００ｎｍの波長の光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長７００〜４００ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力して算出した。

本発明において、光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さいセルロースアシレートフィルムとしては、波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅ₍₆₃₀₎が１０ｎｍ以下（０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０）でかつ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ₍₆₃₀₎の絶対値が２５ｎｍ以下（｜Ｒｔｈ｜≦２５ｎｍ）であることが好ましい。さらに好ましくは、０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦５かつ｜Ｒｔｈ｜≦２０ｎｍであり、０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦２かつ｜Ｒｔｈ｜≦１５ｎｍであることが特に好ましい。

４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下での波長範囲でのＲｅ、Ｒｔｈの変動（以下、波長分散とも呼ぶ）は、Ｒｅが１０以下かつＲｔｈが２５以下であることが好ましい。さらに好ましくは、Ｒｅが５以下かつＲｔｈが１０以下であり、Ｒｅが３以下かつＲｔｈが５以下であることが特に好ましい。

本発明のセルロースアシレートフィルムの波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅ₍₆₃₀₎と膜厚方向のレターデーションＲｔｈ₍₆₃₀₎はその積｜Ｒｅ×Ｒｔｈ｜が２００以下であることが好ましく、１００以下であることがより好ましく、５０以下であることがさらに好ましい。

また、本発明のセルロースアシレートフィルムの波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅが１以上の値の場合、膜厚方向のレターデーションＲｔｈと下記関係を満
たすことが好ましい。
０．１≦｜Ｒth｜／Ｒｅ≦５．０
さらに好ましくは以下の関係をともに満たすことがより好ましい。
ｉ） ｜Ｒｅ×Ｒｔｈ｜≦２００
ii） ０．１≦｜Ｒth｜／Ｒｅ≦５．０（Ｒｅ≧１）

[セルロースアシレート原料綿]
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

[セルロースアシレート置換度]
次に上述のセルロースを原料に製造されるセルロースアシレートについて記載する。本発明に用いられるセルロースアシレートはセルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換基はアシル基の炭素原子数が２のアセチル基から炭素原子数が２２のものまでいずれも用いることができる。本発明においてセルロースアシレートのセルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度を得ることができる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することが出来る。

上述のように本発明に用いられるセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基へのアシル置換度が２．５０〜３．００であることが好ましい。さらには置換度が２．８０〜３．００であることが好ましく、２．９０〜３．００であることがより好ましい。

セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく特に限定されず、単一でも２種類以上の混合物でもよい。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、へプタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイル、iso−ブタノイル、ｔ−ブタノイル、シクロヘキサンカルボニル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイル基などを挙げることが出来る。これらの中でも、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ドデカノイル、オクタデカノイル、ｔ−ブタノイル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルなどが好ましく、アセチル、プロピオニル、ブタノイルがより好ましい。最も好ましい基はアセチル基である。アシル基がアセチルの場合、その全置換度は２.５０〜２．９５が好ましく、２.８５〜２．９５がより好ましく、２．９０〜２．９５がさらに好ましい。

上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２.５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフィルムの光学異方性が低下でき、好ましい。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらに好ましくは２．６５〜３．００である。

[セルロースアシレートの重合度]
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアセテートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００が更に好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が高すぎるとセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になる。重合度が低すぎると作製したフィルムの強度が低下してしまう。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。特開平９−９５５３８に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明に用いられるセルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。本発明に用いられるこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）ｐ．７〜１２に詳細に記載されている。

本発明に用いられるセルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。

[セルロースアシレートへの添加剤]
本発明に用いられるセルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、上記の赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、その他に可塑剤、劣化防止剤、微粒子など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。

[マット剤微粒子]
本発明のセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒
子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットルが好ましく、１００〜２００ｇ／リットルがさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、セルロースアシレートフィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ²あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。

使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

[可塑剤、劣化防止剤、剥離剤]
上記の近赤外線吸収剤、紫外線吸収剤の他に、本発明のセルロースアシレートフィルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、劣化防止剤、剥離剤など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その
融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号などに記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。更にまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）ｐ．１６〜２２に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

[化合物添加の比率]
本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート重量に対して５〜４５％であることが好ましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらに好ましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤などであり、分子量としては３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましく、１０００以下がさらに好ましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する( フィルムからの泣き出し)などの問題が生じやすくなる。

[セルロースアシレート溶液の有機溶媒]
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。本発明において主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

以上本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。また主溶媒以外にセルロースアシレートの貧溶媒を用いてもよい。貧溶媒は主溶媒に対して５〜５０％用いてよく、５〜３０％がより好ましい。貧溶媒は例えば、メタノール、エタノール、ブタノール等が挙げられる。

その他、本発明に用いられるセルロースアシレート溶液及びフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６、特開平１２−９５８７７、特開平１０−３２４７７４、特開平８−１５２５１４、特開平１０−３３０５３８、特開平９−９５５３８、特開平９−９５５５７、特開平１０−２３５６６４、特開平１２−６３５３４、特開平１１−２１３７９、特開平１０−１８２８５３、特開平１０−２７８０５６、特開平１０−２７９７０２、特開平１０−３２３８５３、特開平１０−２３７１８６、特開平１１−６０８０
７、特開平１１−１５２３４２、特開平１１−２９２９８８、特開平１１−６０７５２、特開平１１−６０７５２号公報などに記載されている。これらの特許によると本発明に用いられるセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。

[セルロースアシレートフィルムの製造工程]
[溶解工程]
本発明に用いられるセルロースアシレート溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）ｐ．２２〜２５に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。

（ドープ溶液の透明度）
本発明におけるセルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることが好ましい。より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上であることが好ましい。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出した。

［流延、乾燥、巻き取り工程］
次に、本発明におけるセルロースアシレート溶液を用いたフィルムの製造方法について述べる。本発明のセルロースアシレートフィルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いられる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。本発明のセルロースアシレートフィルムの主な用途である、電子ディスプレイ用の光学部材である機能性保護フィルムやハロゲン化銀写真感光材料に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）ｐ．２５〜３０に詳細に記載されており、流延（共流延を含む），金属支持体，乾燥，剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
本発明のセルロースアシレートフィルムの流延性膜工程上の任意の点における残留溶剤含有率は下式で定義される。
（Ｗt−Ｗ0）×100／Ｗ0
Ｗt：実測ドープ膜の測定重量
Ｗ0：乾燥終了後さらに110℃３時間乾燥したフィルム重量
剥離点における残留溶剤含有率をは５％〜９０％が好ましく、該残留溶剤のうち貧溶剤の含有率が１０％〜９５％であることが好ましい。

［延伸］
本発明のセルロースアシレートフィルムは延伸を施してもよく、延伸は一軸延伸、二軸延伸のどちらでも可能である。
二軸延伸には、同時二軸延伸法と逐次二軸延伸法があるが、連続製造の観点から逐次二軸延伸方法が好ましく、ドープを流延した後、バンドもしくはドラムよりフィルムを剥ぎ取り、幅方向（長手方法）に延伸した後、長手方向（幅方向）に延伸される。
幅方向に延伸する方法は、例えば、特開昭６２-１１５０３５号、特開平４-１５２１２５号、同４-２８４２１１号、同４-２９８３１０号、同１１-４８２７１号などの各公報に記載されている。フィルムの延伸は、常温または加熱条件下で実施する。加熱温度は、フィルムのガラス転移温度以下であることが好ましい。フィルムは、乾燥中の処理で延伸することができ、特に溶媒が残存する場合は有効である。長手方向の延伸の場合、例えば、フィルムの搬送ローラーの速度を調節して、フィルムの剥ぎ取り速度よりもフィルムの巻き取り速度の方を速くするとフィルムは延伸される。幅方向の延伸の場合、フィルムの巾をテンターで保持しながら搬送して、テンターの巾を徐々に広げることによってもフィルムを延伸できる。フィルムの乾燥後に、延伸機を用いて延伸すること（好ましくはロング延伸機を用いる一軸延伸）もできる。
本発明のセルロースアシレートフィルムの、搬送方向（長手方向）の延伸倍率（元の長さに対する延伸による増加分の比率）は、１〜１００％の範囲にあることが好ましく、１〜５０％の範囲にあることがさらに好ましく、１〜３５％の範囲にあることが最も好ましい。また搬送方向に対して垂直な方向（幅方向）の延伸倍率は１〜１００％にあることが好ましく、５〜５０％の範囲にあることがさらに好ましく、１０〜４０％の範囲にあることが最も好ましい。
本発明のセルロースアシレートフィルムの延伸終了時の残留溶剤含有率は延伸開始時に対して４０％〜８０％であることが好ましい。

［膜厚］
本発明のセルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。
本発明のセルロースアシレートフィルムの任意に切り出した1ｍ四方のフィルムの厚さの最大値と最小値の差は厚さの平均値に対し１０％以下であることが好ましく、５％以下であることがより好ましい。

［分光透過率］
本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、波長４００ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることが好ましい。

［高湿度処理後のフィルムの光学性能変化］
［セルロースアシレートフィルム物性評価］
本発明のセルロースアシレートフィルムの環境変化による光学性能の変化については、６０℃９０％ＲＨに２４０時間処理したフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

[高温度処理後のフィルムの光学性能変化]
また、８０℃２４０時間処理したフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることが好ましい。より好ましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらに好ましい。

[フィルム加熱処理後の化合物揮散量]
本発明のセルロースアシレートフィルムに好ましく用いることができる、Ｒｔｈを低下させる化合物と、ΔＲｔｈを低下させる化合物は、８０℃２４０時間処理したフィルムからの化合物の揮散量が３０％以下であることが好ましい。より好ましくは２５％以下以下であり、２０％以下であることがさらに好ましい。
なお、フィルムからの揮散量は、８０℃２４０時間処理したフィルムおよび未処理のフィルムをそれぞれ溶媒に溶かし出し、液体高速クロマトグラフィーにて化合物を検出し、化合物のピーク面積をフィルム中に残存した化合物量として、下記式により算出した。
揮散量（％）＝ ｛（未処理品中の残存化合物量）−（処理品中の残存化合物量）｝/（未処理品中の残存化合物量）×１００

[フィルムのガラス転移温度Ｔｇ]
本発明のセルロースアシレートフィルムのガラス転移温度Ｔｇは、８０〜１６５℃である。耐熱性の観点から、Ｔｇが１００〜１６０℃であることがより好ましく、１１０〜１５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度Ｔｇの測定は、本発明のセルロースアシレートフィルム試料１０ｍｇを、常温から２００度まで昇降温速度５℃／分で示差走査熱量計（ＤＳＣ２９１０、Ｔ．Ａ．インスツルメント）で熱量測定を行い、ガラス転移温度Ｔｇを算出した。

[フィルムのヘイズ]
本発明のセルロースアシレートフィルムのヘイズは０．０１〜２．０％であることが好ましい。より好ましくは０．０５〜１．５％であり、０．１〜１．０％であることがさらに好ましい。光学フィルムとしてフィルムの透明性は重要である。ヘイズの測定は、本発明のセルロースアシレートフィルム試料４０ｍｍ×８０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨでヘイズメーター（ＨＧＭ−２ＤＰ、スガ試験機）でＪＩＳ Ｋ−６７１４に従って測定した。

[フィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性]
本発明のセルロースアシレートフィルムの面内のレターデーションＲｅおよび膜厚方向のレターデーションＲｔｈはともに湿度による変化が小さいことが好ましい。具体的には、２５℃１０％ＲＨにおけるＲｔｈ値と２５℃８０％ＲＨにおけるＲｔｈ値の差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）が０〜５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは０〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは０〜３５ｎｍである。

[フィルムの平衡含水率]
本発明のセルロースアシレートフィルムの平衡含水率は、偏光板の保護フィルムとして用いる際、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマーとの接着性を損なわないために、膜厚のいかんに関わらず、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率が、０〜４％であることが好ましい。０.１〜３．５％であることがより好ましく、１〜３％であることが特に好ましい。４％以上の平衡含水率であると、偏光板の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体として用いる際にレターデーションの湿度変化による依存性が大きくなりすぎてしまい好ましくない。
含水率の測定法は、本発明のセルロースアシレートフィルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを水分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定した。水分量（ｇ）を試料重量（ｇ）で除して算出した。

[フィルムの透湿度]
本発明のセルロースアシレートフィルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳＺ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００〜２０００ｇ／ｍ²・２４ｈであることが好ましい。５００〜１６００ｇ／ｍ²・２４ｈ
であることがより好ましく、６００〜１２００ｇ／ｍ²・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ²・２４ｈを越えると、フィルムのＲｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまう。また、本発明のセルロースアシレートフィルムに光学異方性層を積層して光学補償フィルムとした場合も、Ｒｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまい好ましくない。この光学補償フィルムや偏光板が液晶表示装置に組み込まれた場合、色味の変化や視野角の低下を引き起こす。また、セルロースアシレートフィルムの透湿度が４００ｇ／ｍ²・２４ｈ未満では、偏光膜の両面などに貼り付けて偏光板を作製する場合に、セルロースアシレートフィルムにより接着剤の乾燥が妨げられ、接着不良を生じる。
セルロースアシレートフィルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる。そこでどのような膜厚のサンプルでも基準を８０μｍに設け換算する必要がある。膜厚の換算は、（８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ）として求めた。
透湿度の測定法は、「高分子の物性II」（高分子実験講座４ 共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、本発明のセルロースアシレートフィルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨ及び６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、東洋精機（株））にて、ＪＩＳ Ｚ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ²）し、透湿度＝調湿後重量−調湿前重量で求めた。

[フィルムの吸湿膨張係数]
本発明のセルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は３０×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましい。吸湿膨張係数は、１５×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１０×１０^-5／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０^-5／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。この吸湿膨張係数を調節することで、本発明のセルロースアシレートフィルムを光学補償フィルム支持体として用いた際、光学補償フィルムの光学補償機能を維持したまま、額縁状の透過率上昇すなわち歪みによる光漏れを防止することができる。

[フィルムの寸度変化]
本発明のセルロースアシレートフィルムの寸度安定性は、６０℃、９０％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高湿）の寸度変化率および９０℃、５％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高温）の寸度変化率がいずれも０.５％以下であることが好ましい。
より好ましくは０.３％以下であり、さらに好ましくは０.１５％以下である。
具体的な測定方法としては、セルロースアシレートフィルム試料３０ｍｍ×１２０ｍｍを２枚用意し、２５℃、６０％ＲＨで２４時間調湿し、自動ピンゲージ（新東科学（株））にて、両端に６ｍｍφの穴を１００ｍｍの間隔で開け、パンチ間隔の原寸（Ｌ０）とした。１枚の試料を６０℃、９０％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ１）を測定、もう１枚の試料を９０℃、５％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ２）を測定した。すべての間隔の測定において最小目盛り１／１０００ｍｍまで測定した。６０℃、９０％ＲＨ（高湿）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ１｜／Ｌ０｝×１００、９０℃、５％ＲＨ（高温）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ２｜／Ｌ０｝×１００、として寸度変化率を求めた。

[フィルムの弾性率]
本発明のセルロースアシレートフィルムの弾性率は、２００〜５００ｋｇｆ/ｍｍ²であることが好ましい、より好ましくは２４０〜４７０ｋｇｆ/ｍｍ²であり、さらに好ましくは２７０〜４４０ｋｇｆ/ｍｍ²である。具体的な測定方法としては、東洋ボールドウィン製万能引っ張り試験機ＳＴＭ Ｔ５０ＢＰを用い、２３℃・７０％雰囲気中、引っ張り速
度１０％／分で０．５％伸びにおける応力を測定し、弾性率を求めた。

[フィルムの光弾性係数]
本発明のセルロースアシレートフィルムの光弾性係数は、５０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることが好ましい。３０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることがより好ましく、２０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることがさらに好ましい。具体的な測定方法としては、セルロースアシレートフィルム試料１２ｍｍ×１２０ｍｍの長軸方向に対して引っ張り応力をかけ、その際のレターデーションをエリプソメーター（Ｍ１５０、日本分光（株））で測定し、応力に対するレターデーションの変化量から光弾性係数を算出した。

[延伸前後における正面レターデーション変化]
試料１００×１００ｍｍを用意し、固定一軸延伸機を用いて温度１４０℃の条件下で機械搬送方向（ＭＤ方向）または垂直方向（ＴＤ方向）に延伸を行った。延伸前後における各試料の波長６３０ｎｍにおける正面レターデーションを自動複屈折計ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨを用いて測定した。遅相軸の検出は上記のレターデーション測定の際に得られる配向角から決定した。延伸によってＲｅの変化が小さいことが好ましく、具体的にはＲｅ(ｎ)をｎ(％)延伸したフィルムの面内正面レターデーション(ｎｍ)、Ｒｅ(０)を延伸していないフィルムの面内正面レターデーション(ｎｍ)としたときに、｜Ｒｅ(ｎ)−Ｒｅ(０)｜／ｎ≦１．０を有することが好ましく、｜Ｒｅ(ｎ)−Ｒｅ(０)｜／ｎ≦０．３以下がさらに好ましい。

（本発明のセルロースアシレートフィルムの評価方法）
本発明のセルロースアシレートフィルムの評価に当たって、以下の方法で測定して実施した。

［分光特性、分光透過率］
試料１３ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで分光光度計（Ｕ−３２１０、（株）日立製作所）にて、波長３００〜４５０ｎｍにおける透過率を測定した。傾斜幅は７２％の波長−５％の波長で求めた。限界波長は、（傾斜幅／２）＋５％の波長で表した。吸収端は、透過率０．４％の波長で表す。これより３８０ｎｍおよび３５０ｎｍの透過率を評価した。

[フィルム表面の性状]
本発明のセルロースアシレートフィルムの表面は、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４に基づく該膜の表面凹凸の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、及び最大高さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下であることが好ましい。好ましくは、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下、及び最大高さ（Ｒｙ）が０．２μｍ以下である。膜表面の凹と凸の形状は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により評価することが出来る。

[セルロースアシレートフィルムのレターデーションの面内ばらつき]
本発明のセルロースアシレートフィルムは次の式を満たすことが好ましい。
｜Ｒｅ_(MAX)−Ｒｅ_(MIN)｜≦５かつ｜Ｒｔｈ_(MAX)−Ｒｔｈ_(MIN)｜≦１０
［式中、Ｒｅ_(MAX)、Ｒｔｈ_(MAX)−は任意に切り出した1ｍ四方のフィルムの最大レターデーション値、Ｒｅ_(MIN)、Ｒｔｈ_(MIN)は最小値である。］
さらに好ましくは下式である。
｜Ｒｅ_(MAX)−Ｒｅ_(MIN)｜≦３かつ｜Ｒｔｈ_(MAX)−Ｒｔｈ_(MIN)｜≦５

[フィルムの保留性]
本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、フィルムに添加した各種化合物の
保留性が要求される。具体的には、本発明のセルロースアシレートフィルムを８０℃／９０％ＲＨの条件下に４８時間静置した場合のフィルムの質量変化が、０〜５％であることが好ましい。より好ましくは０〜３％であり、さらに好ましくは０〜２％である。

＜保留性の評価方法＞
試料を１０ｃｍ×１０ｃｍのサイズに断裁し、２３℃、５５％ＲＨの雰囲気下で２４時間放置後の質量を測定して、８０±５℃、９０±１０％ＲＨの条件下で４８時間放置した。処理後の試料の表面を軽く拭き、２３℃、５５％ＲＨで１日放置後の質量を測定して、以下の方法で保留性を計算した。
保留性（質量％）＝｛（放置前の質量−放置後の質量）／放置前の質量｝×１００

[フィルムの力学特性]
（カール）
本発明のセルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値は、−１０／ｍ〜＋１０／ｍであることが好ましい。本発明のセルロースアシレートフィルムには後述する表面処理、光学異方性層を塗設する際のラビング処理の実施や配向膜、光学異方性層の塗設や貼合などを長尺で行う際に、本発明のセルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値が前述の範囲外では、フィルムのハンドリングに支障をきたし、フィルムの切断が起きることがある。また、フィルムのエッジや中央部などで、フィルムが搬送ロールと強く接触するために発塵しやすくなり、フィルム上への異物付着が多くなり、本発明のセルロースアシレートフィルムを光学補償フィルム支持体として用いた際、光学補償フィルムの点欠陥や塗布スジの頻度が許容値を超えることがある。又、カールを上述の範囲とすることで光学異方性層を設置するときに発生しやすい色斑故障を低減できるほか、偏光膜貼り合せ時に気泡が入ることを防ぐことができ、好ましい。
カール値は、アメリカ国家規格協会の規定する測定方法（ＡＮＳＩ／ＡＳＣＰＨ１．２９−１９８５）に従い測定することができる。

（引裂き強度）
ＪＩＳＫ７１２８−２：１９９８の引裂き試験方法に基ずく引裂き強度（エルメンドルフ引裂き法）が、本発明のセルロースアシレートフィルムの膜厚が２０〜８０μｍの範囲において、２ｇ以上が好ましい。より好ましくは、５〜２５ｇであり、更には６〜２５ｇである。又、６０μｍ換算で８ｇ以上が好ましく、より好ましくは８〜１５ｇである。具体的には、試料片５０ｍｍ×６４ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨの条件下に２時間調湿した後に軽荷重引裂き強度試験機を用いて測定できる。

［フィルムの残留溶剤量］
本発明のセルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤量が、０．０１〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましい。より好ましくは０．０１〜１．０質量％である。本発明のセルロースアシレートフィルムを支持体として用いる際、残留溶剤量は１．５％以下とすることでカールを抑制できる。１．０％以下であることがより好ましい。これは、前述のソルベントキャスト方法による成膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由堆積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。

［表面処理］
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起され
る気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）ｐ．３０〜３２に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［鹸化処理］
本発明のセルロースアシレートフィルムを偏光板の透明保護フィルムとして用いる場合の表面処理の有効な手段の１つとしてアルカリ鹸化処理が上げられる。
以下、アルカリ鹸化処理を具体的に説明する。
セルロースアシレートフィルムのアルカリ鹸化処理は、フィルム表面をアルカリ溶液に浸漬した後、酸性溶液で中和し、水洗して乾燥するサイクルで行われることが好ましい。アルカリ溶液としては、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液が挙げられ、水酸化イオンの濃度は０．１〜５．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることが好ましく、０．５〜４．０ｍｏｌ／Ｌの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液温度は、室温ないし９０℃の範囲にあることが好ましく、４０ないし７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。

上記鹸化処理においてセルロースアシレートフィルム中の近赤外線吸収剤または紫外線吸収剤の含量は下記関係を満たすことが好ましい。
０．９＜Ｃrs/Ｃr0≦１．０
Ｃr0：鹸化処理前の含量、Ｃrs：鹸化処理後の含量
さらに好ましくは、
０．９５＜Ｃrs/Ｃr0≦１．０
である。

アルカリ鹸化処理後のフィルム表面の接触角が５５°以下であることが好ましい。より好ましくは５０°以下であり、４５°以下であることがさらに好ましい。接触角の評価法はアルカリ鹸化処理後のフィルム表面に直径３ｍｍの水滴を落とし、フィルム表面と水滴のなす角をもとめる通常の手法によって親疎水性の評価として用いることができる。
固体の表面エネルギーは、「ぬれの基礎と応用」（リアライズ社 １９８９．１２．１０発行）に記載のように接触角法、湿潤熱法、および吸着法により求めることができる。本発明のセルロースアシレートフィルムの場合、接触角法を用いることが好ましい。
具体的には、表面エネルギーが既知である２種の溶液をセルロースアシレートフィルムに滴下し、液滴の表面とフィルム表面との交点において、液滴に引いた接線とフィルム表面のなす角で、液滴を含む方の角を接触角と定義し、計算によりフィルムの表面エネルギーを算出できる。

［フィルム表面を鹸化処理する前と鹸化処理した後におけるＲｅ、Ｒｔｈ値の変化］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、フィルム表面をアルカリ溶液で鹸化処理する前と鹸化処理した後におけるＲｔｈ値の変化が、下式を満たすことが好ましい。
｜Ｒｔｈ(0)−Ｒｔｈ(S)｜≦２０
より好ましくは
｜Ｒｔｈ(0)−Ｒｔｈ(S)｜≦１５
であり、さらに好ましくは、
｜Ｒｔｈ(0)−Ｒｔｈ(S)｜≦１０
である。
さらに、フィルム表面をアルカリ溶液で鹸化処理する前と鹸化処理した後におけるＲｅ値の変化が、下式を満たすことが好ましい。
｜Ｒｅ(0)−Ｒｅ(S)｜≦１０
より好ましくは
｜Ｒｅ(0)−Ｒｅ(S)｜≦８
であり、さらに好ましくは、
｜Ｒｅ(0)−Ｒｅ(S)｜≦５
である。
Ｒｔｈ値の変動がより重要であり、Ｒｔｈ値の変動が小さいことが優先して好ましい。
Ｒｅ(0)、Ｒｅ(S)及びＲｔｈ(0)、Ｒｔｈ(S)は上記の方法と同条件で調湿を行った後測定した。
上記の範囲内であれば、保護フィルムの光学性能に遜色なく、偏光板、光学補償フィルム、液晶表示装置に適用した際に、光漏れが起こらない。

（耐光性）
本発明のセルロースアシレートフィルムの光耐久性の指標として、スーパーキセノン光を２００時間照射したフィルムのＲｔｈ値の変動を測定した。キセノン光照射は、セルロースアシレートフィルム単体で、スーパーキセノンウェザーメーターSX-75（スガ試験機（株）製、６０℃５０％ＲＨ条件）にてキセノン光を２２万ルクス２００時間照射した。所定時間の経過後、フィルムを恒温槽から取り出し、上記と同様に調湿を行った後、測定した。本発明のセルロースアシレートフィルムは、光照射する前とした後におけるＲｔｈ値の変化が１５以下であることが好ましい。より好ましくは１０以下、さらに好ましくは５以下である。

また、光耐久性の指標色差ΔＥ^*ａｂを用いてもよく、上記と同様の条件でスーパーキセノン光を照射し、その前後の色差ΔＥ^*ａｂが２０以下であることが好ましい。より好ましくは１８以下であり、１５以下であることがさらに好ましい。色差の測定は、ＵＶ３１００（島津製作所製）を用いた。測定の仕方は、フィルムを２５℃６０％ＲＨに２時間以上調湿した後にキセノン光照射前のフィルムのカラー測定を行ない初期値（Ｌ０^*、ａ０^*、ｂ０^*）を求めた。その後、フィルム単体で、６０℃５０％ＲＨ条件にてキセノン光を照射し、所定時間の経過後、フィルムを恒温槽から取り出し、２５℃６０％ＲＨに２時間調湿した後に、再びカラー測定を行い、照射経時後の値（Ｌ１^*、ａ１^*、ｂ１^*）を求めた。これらから、色差ΔＥ^*ａｂ＝（（Ｌ０^*−Ｌ１^*）²＋（a０^*−a１^*）²＋（ｂ０^*−ｂ１^*）²）^0.5を求めた。

また、本発明において耐光性の試験には、同様の加速試験であるカーボンアーク照射を用いてもよい。

［機能層］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、その用途として光学材料と写真感光材料に適用される。特に光学材料が液晶表示装置用部材であることが好ましい。
光学材料として本発明のセルロースアシレートフィルムを用いるに際し、各種の機能層を付与して機能性光学フィルムとしてもよい。それらは、例えば、帯電防止層、硬化樹脂層（透明ハードコート層）、反射防止層、易接着層、防眩層、光学補償層、配向層、液晶層などである。本発明のセルロースアシレートフィルムに用いることができるこれらの機能層及びその材料としては、界面活性剤、滑り剤、マット剤、帯電防止層、ハードコート層などが挙げられ、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）ｐ．３２〜４５に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。
本発明の偏光板は、偏光子の両側に保護フィルムが貼りあわされ、該保護フィルムの少なくとも１枚が本発明のセルロースアシレートフィルムである（図１（Ａ））。偏光板の保護フィルムとして、前記の機能性光学フィルムを用いることも好ましい（図１（Ｂ））。
本発明の液晶表示装置は、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両
側に配置された二枚の偏光板を配置した構成であり、該偏光板の少なくとも１枚が本発明の偏光板である。機能層として光学異方性層を積層した光学補償フィルムを用いることも好ましく、液晶表示装置が、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償フィルムを配置した構成も好ましい。本発明のセルロースアシレートフィルムを光学材料として適用する際の液晶表示装置の一例を図２に示すが、これに限定されない。
液晶表示装置としては、ＴＮ、ＩＰＳ、ＦＬＣ、ＡＦＬＣ、ＯＣＢ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＶＡおよびＨＡＮが好ましい。

次に、本発明のセルロースアシレートフィルムの各用途について順次説明する。
［用途（偏光板）］
本発明のセルロースアシレートフィルムは特に偏光板保護フィルム用として有用である。偏光板保護フィルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースアシレートフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号、特開平６−１１８２３２号に記載されているような易接着加工を施してもよい。
保護フィルム処理面と偏光子を貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。
偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護フィルムで構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成される。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。
液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明のセルロースアシレートフィルムを適用した偏光板保護フィルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フィルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護フィルムをこの部分に用いることが得に好ましい。

［用途（光学補償フィルム）］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償フィルムに用いると特に効果がある。なお、光学補償フィルムとは、一般に液晶表示装置に用いられ、位相差を補償する光学材料のことを指し、位相差板、光学補償シートなどと同義である。光学補償フィルムは複屈折性を有し、液晶表示装置の表示画面の着色を取り除いたり、視野角特性を改善したりする目的で用いられる。

したがって本発明のセルロースアシレートフィルムを液晶表示装置の光学補償フィルムに用いる場合、併用する光学異方性層のＲｅおよびＲｔｈはＲｅ＝０〜２００ｎｍかつ｜Ｒｔｈ｜＝０〜４００ｎｍであることが好ましく、この範囲であればどのような光学異方性層でも良い。本発明のセルロースアシレートフィルムが使用される液晶表示装置の液晶セルの光学性能や駆動方式に制限されず、光学補償フィルムとして要求される、どのような光学異方性層も併用することができる。併用される光学異方性層としては、液晶性化合物を含有する組成物から形成しても良いし、複屈折を持つポリマーフィルムから形成しても良い。
前記液晶性化合物としては、ディスコティック液晶性化合物または棒状液晶性化合物が好ましい。

（ディスコティック液晶性化合物）
本発明に使用可能なディスコティック液晶性化合物の例には、様々な文献（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅ ｅｔ ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｒ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，ｖｏｌ．７１，ｐａｇｅ １１１（１９８１）；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ．Ｋｏｈｎｅ ｅｔ ａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．，ｐａｇｅ １７９４（１９８５）；Ｊ．Ｚｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．１１６，ｐａｇｅ ２６５５（１９９４））に記載の化合物が含まれる。

光学異方性層において、ディスコティック液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。ディスコティック液晶性分子の重合については、特開平８−２７２８４公報に記載がある。ディスコティック液晶性分子を重合により固定するためには、ディスコティック液晶性分子の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。ただし、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に、連結基を導入する。重合性基を有するディスコティック液晶性分子について、特開２００１−４３８７号公報に開示されている。

（棒状液晶性化合物）
本発明において、使用可能な棒状液晶性化合物の例には、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が含まれる。以上のような低分子液晶性化合物だけではなく、高分子液晶性化合物も用いることができる。

光学異方性層において、棒状液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。本発明に使用可能な重合性棒状液晶性化合物の例には、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１９０巻、２２５５頁（１９８９年）、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ５巻、１０７頁（１９９３年）、米国特許４６８３３２７号、同５６２２６４８号、同５７７０１０７号明細書、国際公開第９５／２２５８６号、同９５／２４４５５号、同９７／００６００号、同９８／２３５８０号、同９８／５２９０５号パンフレット、特開平１−２７２５５１号、同６−１６６１６号、同７−１１０４６９号、同１１−８００８１号、および特開２００１−３２８９７３号公報などに記載の化合物が含まれる。

（ポリマーフィルムからなる光学異方性層）
上記した様に、光学異方性層はポリマーフィルムから形成してもよい。ポリマーフィルムは、光学異方性を発現し得るポリマーから形成する。そのようなポリマーの例には、ポリオレフィン（例、ポリエチレン、ポリプロピレン、ノルボルネン系ポリマー）、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステルおよびセルロースエステル（例、セルローストリアセーテート、セルロースジアセテート）が含まれる。また、これらのポリマーの共重合体あるいはポリマー混合物を用いてもよい。

ポリマーフィルムの光学異方性は、延伸により得ることが好ましい。延伸は一軸延伸または二軸延伸であることが好ましい。具体的には、２つ以上のロールの周速差を利用した
縦一軸延伸、またはポリマーフィルムの両サイドを掴んで幅方向に延伸するテンター延伸、これらを組み合わせての二軸延伸が好ましい。なお、二枚以上のポリマーフィルムを用いて、二枚以上のフィルム全体の光学的性質が前記の条件を満足してもよい。ポリマーフィルムは、複屈折のムラを少なくするためにソルベントキャスト法により製造することが好ましい。ポリマーフィルムの厚さは、２０〜５００μｍであることが好ましく、４０〜１００μｍであることが最も好ましい。

また、光学異方性層を形成するポリマーフィルムとして、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、およびポリアリールエーテルケトン、からなる群から選ばれる少なくとも一種のポリマー材料を用い、これを溶媒に溶解した溶液を基材に塗布し、溶媒を乾燥させてフィルム化する方法も好ましく用いることができる。この際、上記ポリマーフィルムと基材とを延伸して光学異方性を発現させて光学異方性層として用いる手法も好ましく用いることができ、本発明のセルロースアシレートフィルムは上記基材として好ましく用いることができる。また、上記ポリマーフィルムを別の基材の上で作製しておき、ポリマーフィルムを基材から剥離させたのちに本発明のセルロースアシレートフィルムと貼合し、あわせて光学異方性層として用いることも好ましい。この手法ではポリマーフィルムの厚さを薄くすることができ、５０μｍ以下であることが好ましく、１〜２０μｍであることがより好ましい。

（一般的な液晶表示装置の構成）
セルロースアシレートフィルムを光学補償フィルムに用いる場合は、偏光素子の透過軸と、セルロースアシレートフィルムを含む光学補償フィルムの遅相軸とをどのような角度で配置しても構わない。液晶表示装置は、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償フィルムを配置した構成を有している。
液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さらにガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けてもよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの基板は、一般に５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有する。

（液晶表示装置の種類）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）、およびＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。本発明のセルロースアシレートフィルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。

（ＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の偏光板保護フィルムまたは光学補償フィルムの支持体として用いてもよい。ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古くから良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムについては、特開平３−９３２５号、特開平６
−１４８４２９号、特開平８−５０２０６号、特開平９−２６５７２号の各公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１４３や、Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１０６８）に記載がある。

（ＳＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の偏光板保護フィルムまたは光学補償フィルムの支持体として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。

（ＶＡ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の偏光板保護フィルムまたは光学補償フィルムの支持体としても用いられる。ＶＡ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムのＲｅレターデーション値を０乃至１５０ｎｍとし、Ｒｔｈレターデーション値を７０乃至４００ｎｍとすることが好ましい。Ｒｅレターデーション値は、２０乃至７０ｎｍであることが更に好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に二枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は７０乃至２５０ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に一枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は１５０乃至４００ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であっても構わない。

（ＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＩＰＳモードおよびＥＣＢモードの液晶セルを有するＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置の偏光板保護フィルムまたは光学補償フィルムの支持体としても用いることができる。これらのモードは黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において本発明のセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板は色味の改善、視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、液晶セルの上下の前記偏光板の保護フィルムのうち、液晶セルと偏光板との間に配置された保護フィルム（セル側の保護フィルム）に本発明のセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板を少なくとも片側一方に用いることが好ましい。更に好ましくは、偏光板の保護フィルムと液晶セルの間に光学異方性層を配置し、配置された光学異方性層のレターデーションの値を、液晶層のΔｎ・ｄの値の２倍以下に設定するのが好ましい。

（ＯＣＢ型液晶表示装置およびＨＡＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の偏光板保護フィルムまたは光学補償フィルムの支持体としても用いることができる。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムには、レターデーションの絶対値が最小となる方向が光学補償フィルムの面内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムの光学的性質も、光学的異方性層の光学的性質、支持体の光学的性質および光学的異方性層と支持体との配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムについては、特開平９−１９７３９７号公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖ
ｏｌ．３８（１９９９）ｐ．２８３７）に記載がある。

（反射型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の偏光板保護フィルムまたは光学補償フィルムとしても用いることが出来る。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号公報、国際公開第９８／４８３２０号パンフレット、特許第３０２２４７７号明細書の各文献に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償フィルムについては、国際公開第００／６５３８４号パンフレットに記載がある。

（その他の液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の偏光板保護フィルムまたは光学補償フィルムの支持体としても用いることが出来る。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ ｅｔ ａｌ．， ＳＩＤ ９８ Ｄｉｇｅｓｔ １０８９ （１９９８））に記載がある。

（ハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルム）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、またハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルムへの適用が好ましく実施できる。ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲＴ、ＥＬ等のフラットパネルディスプレイの視認性を向上する目的で、本発明のセルロースアシレートフィルムの片面または両面にハードコート層、防眩層、反射防止層の何れかあるいは全てを付与することができる。このような防眩フィルム、反射防止フィルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報公技番号２００１−１７４５号（２００１年３月１５日発行、発明協会）ｐ．５４〜５７に詳細に記載されており、本発明のセルロースアシレートフィルムを好ましく用いることができる。

（写真フィルム支持体）
さらに本発明のセルロースアシレートフィルムは、ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としても適用でき、下記特許等に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が適用できる。それらの技術については、特開２０００−１０５４４５にカラーネガティブに関する記載が詳細に挙げられており、本発明のセルロースアシレートフィルムが好ましく用いられる。またカラー反転ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としての適用も好ましく、特開平１１−２８２１１９に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が適用できる。

（透明基板）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、液晶表示装置の液晶セルガラス基板の代替、すなわち駆動液晶を封入する透明基板としても用いることができる。
液晶を封入する透明基板はガスバリア性に優れる必要があることから、必要に応じて本発明のセルロースアシレートフィルムの表面にガスバリアー層を設けてもよい。ガスバリアー層の形態や材質は特に限定されないが、本発明のセルロースアシレートフィルムの少なくとも片面にＳｉＯ₂等を蒸着したり、あるいは塩化ビニリデン系ポリマーやビニルアルコール系ポリマーなど相対的にガスバリアー性の高いポリマーのコート層を設ける方法が考えられ、これらを適宜使用できる。
また液晶を封入する透明基板として用いるには、電圧印加によって液晶を駆動するため
の透明電極を設けてもよい。透明電極としては特に限定されないが、本発明のセルロースアシレートフィルムの少なくとも片面に、金属膜、金属酸化物膜などを積層することによって透明電極を設けることができる。中でも透明性、導電性、機械的特性の点から、金属酸化物膜が好ましく、なかでも酸化スズを主として酸化亜鉛を２〜１５％含む酸化インジウムの薄膜が好ましく使用できる。これら技術の詳細は例えば、特開２００１−１２５０７９や特開２０００−２２７６０３などに公開されている。

以下に本発明の実施例を挙げるが、これらに限定されるものではない。

［実施例１］
〔セルロースアシレートフィルム１の作製〕
＜セルロースアシレート溶液の調整＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ａを調製した。

（セルロースアシレート溶液Ａ組成）
アセチル置換度２．９２のセルロースアセテート １００質量部
（平均重合度３１０）
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２質量部
メタノール（第２溶媒） ６０質量部

＜マット剤溶液の調製＞
下記の組成物を分散機に投入し、攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。

（マット剤溶液組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液
｛AEROSIL R972、日本アエロジル（株）製｝ １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒） ３．４質量部
セルロースアシレート溶液Ａ １０．３質量部

＜波長分散調整剤溶液の調製＞
下記の組成物を別のミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、波長分散調整剤溶液を調製した。

（波長分散調整剤溶液組成）
紫外線吸収剤ＵＶ−１９ ２．１質量部
近赤外線吸収剤ＩＲ−４８ ０．２質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ６２．５質量部
エタノール（第２溶媒） ７．９質量部
セルロースアシレート溶液Ａ １２．８質量部

＜セルロースアシレートフィルム１の作製＞
セルロースアシレート溶液Ａの９４．６質量部、マット剤溶液１．３質量部、波長分散調整剤溶液２．５質量部を各々濾過後に投入し、加熱しながら充分に攪拌して各成分を溶解し、ドープを調製した。ドープをバンド流延機を用いて流延した。残留溶剤量３７質量％で剥ぎ取り後に１４０℃で４０分間乾燥させ、厚み８０μｍのセルロースアシレートフィルム試料１を作製した。
上記組成でセルロースアセテート１００gに対する添加量はＵＶ−１９は０．５g、近赤外
線吸収剤ＩＲ−４８は０．０５gであった。

〔セルロースアシレートフィルム２〜１３の作製〕
近赤外線吸収剤および紫外線吸収剤の種類、添加量を下表の内容に変更した以外は同様にしてセルロースアシレートフィルム試料２〜１３を作製した。
セルロースアシレートフィルム試料１〜１３の膜厚は何れも７９．５〜８０．５μｍの範囲であった。また試料１〜１３では、任意に切り出した1ｍ四方のフィルムの厚さの最大値と最小値の差は厚さの平均値に対し何れも５％以内であった。

セルロースアシレートフィルム試料１〜１３について各々光学性能を測定した。結果を表２に示す。尚、けん化処理前後での光学性能の変動および光照射に対する耐久性の評価については、以下のとおり測定を行った。

（けん化処理前後での光学性能の変動）
セルロースアシレートフィルム試料１〜１３を２．０ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に、６０℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。けん化を施した前後のフィルム試料のＲｔｈを上記同様、調湿を行った後、測定した。両者の測定値の差の絶対値を算出した。

（光照射に対する耐久性）
本発明のセルロースアシレートフィルムの光耐久性の指標として、スーパーキセノン光を２００時間照射したフィルムのＲｔｈ値の変動を測定した。キセノン光照射は、セルロースアシレートフィルム単体で、スーパーキセノンウェザーメーターSX-75（スガ試験機（株）製、６０℃５０％ＲＨ条件）にてキセノン光を２２万ルクスで２００時間照射した。所定時間の経過後、フィルムを恒温槽から取り出し、上記と同様に調湿を行った後、測定した。

また、セルロースアシレートフィルム試料１〜１３のＲｅ、Ｒｔｈの1ｍ四方のフィルム内でのばらつきを測定したところ、何れの試料も｜Ｒｅ_(MAX)−Ｒｅ_(MIN)｜は３ｎｍ以下、｜Ｒｔｈ_(MAX)−Ｒｔｈ_(MIN)｜は５ｎｍ以下であった。

表２の結果から、近赤外線吸収剤と一般式（Ｕ）で表される紫外線吸収剤（以下、トリアジン系紫外線吸収剤とも言う。）を併用することで、Rthの４００〜７００ｎｍの波長範囲での変動を、ベンゾトリアゾール系やベンゾフェノン系紫外線吸収剤と併用した場合より小さくすることが可能である。これは近赤外線吸収剤がトリアジン系紫外線吸収剤存在下で好適な状態となり、近赤外線吸収剤の優れたＲｔｈ調整効果を引き出していると推定される。また、Rthのけん化処理での変動についても、近赤外線吸収剤をトリアジン系紫外線吸収剤と併用した場合に顕著な効果が得られた。キセノン照射での変動においてもトリアジン系紫外線吸収剤を組あわせた場合に優れた結果を示した。

［実施例２］
〔セルロースアシレートフィルム試料２１の作成〕
実施例１のセルロースアシレートフィルム試料１において、近赤外線吸収剤ＩＲ−４８を例示化合物ＩＲ−１３（極大波長814nm）に１倍質量部に置き換えた以外は同様にしてセルロースアシレートフィルム試料２１を作成した。
セルロースアシレートフィルム試料２１のRth及びReの400〜700nmの範囲の変動、けん化処理前後およびキセノン光照射前後のRth変動はセルロースアシレートフィルム試料１と同等の好ましい結果を得た。

［実施例３］
〔セルロースアシレートフィルム試料３１の作成〕
実施例１のセルロースアシレートフィルム試料１において、近赤外線吸収剤ＩＲ−４８を例示化合物ＩＲ−２３（極大波長888nm）に１倍質量部に置き換えた以外は同様にしてセルロースアシレートフィルム試料３１を作成した。
セルロースアシレートフィルム試料３１のRth及びReの400〜700nmの範囲の変動、けん化処理前後およびキセノン光照射前後のRth変動はセルロースアシレートフィルム試料１と同等の好ましい結果を得た。

［実施例４］
〔セルロースアシレートフィルム試料４１の作成〕
実施例１のセルロースアシレートフィルム試料１において、近赤外線吸収剤ＩＲ−４８を例示化合物ＩＲ−４７（極大波長835nm）に１倍質量部に置き換えた以外は同様にしてセルロースアシレートフィルム試料４１を作成した。
セルロースアシレートフィルム試料４１のRth及びReの400〜700nmの範囲の変動、けん化処理前後およびキセノン光照射前後のRth変動はセルロースアシレートフィルム試料１と同等の好ましい結果を得た。

［実施例５］
〔セルロースアシレートフィルム試料５１の作成〕
実施例１のセルロースアシレートフィルム試料１において、近赤外線吸収剤ＩＲ−４８を例示化合物ＩＲ−３５（極大波長1000nm）に１倍質量部に置き換えた以外は同様にしてセルロースアシレートフィルム試料５１を作成した。
セルロースアシレートフィルム試料５１のRth及びReの400〜700nmの範囲の変動、けん化処理前後およびキセノン光照射前後のRth変動はセルロースアシレートフィルム試料１と同等の好ましい結果を得た。

［実施例６］
〔セルロースアシレートフィルム試料６１の作成〕
＜セルロースアシレート溶液の調製＞
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｂを調製した。

（セルロースアシレート溶液Ｂ組成）
アセチル置換度２．８６のセルロースアセテート １００質量部
（平均重合度310）
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４００質量部
メタノール（第２溶媒） ６０質量部

＜波長分散調整剤溶液の調製＞
下記の組成物を別のミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、波長分散調整剤溶液Ｂを調製した。

（波長分散調整剤溶液Ｂ組成）
下記紫外線吸収剤ＵＶ−ａ ０．２質量部
下記紫外線吸収剤ＵＶ−ｂ ０．２質量部
紫外線吸収剤ＵＶ−１９ ０．４質量部
近赤外線吸収剤ＩＲ−４８ ０．０８質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７０．０質量部
メタノール（第２溶媒） １０．４質量部

＜セルロースアシレートフィルム試料６１の作製＞
セルロースアシレート溶液Ｂを４７７質量部に、実施例１のマット剤溶液５．２質量部、及び波長分散調整剤溶液Ｂの３５質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。溶媒含有率５５質量％の場外で剥ぎ取り、フィルムの巾方向の両端をピンテンター（特開平４−１００９号の図３に記載のピンテンター）で固定し、溶媒含有率が３ないし５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が７％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み８０μｍのセルロースアシレートフィルム試料６１を作製した。

このようにして作製したセルロースアシレートフィルム試料６１を実施例１と同様にして評価した結果を表３に示した。Rth及びReの400〜700nmの範囲の変動、けん化処理前後およびキセノン光照射前後のRth変動が小さく好ましいことが分かった。また、セルロースアシレートフィルム試料６１の延伸によるReの変化率（ ｜Ｒｅ(ｎ)−Ｒｅ(０)｜／ｎ）は０．２４であり、延伸前後のReの変化も小さく好ましいことが分かった。

［実施例７］
＜鹸化処理＞
実施例１のセルロースアシレートフィルム試料１０を、１．５ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．０５ｍｏｌ／Ｌの硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムの表面をケン化した。

＜偏光板の作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を作製した。
次に、けん化処理したセルロースアシレートフィルム試料１０を、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて偏光膜の片側に貼り付けた。
市販のセルローストリアセテートフィルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）を上記と同様にケン化処理し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、偏光膜のセルロースアシレートフィルム試料１０を貼り付けた側とは反対側に貼り付けた。このようにして、偏光板（１）を作製した。

＜位相差フィルムつき偏光板の作製＞
厚さ１００μmのノルボルネン系樹脂フィルム（ＪＳＲ社製、アートン）をテンター延伸機にて175℃延伸処理して、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの屈折率特性を有して、Ｒｅが40nm、Ｒthが３０nmの位相差フィルムを作製し、粘着剤を用いて前記偏光板（１）のセルロースアシレートフィルム１０側に貼り付けて、位相差フィルムつき偏光板（２）を作製した。

［実施例８］
（ＩＰＳ液晶表示装置への実装評価）
実施例１で作製した本発明のセルロースアシレートフィルム試料１を用いて実施例７と同様にして偏光板を作製し、位相差フィルムの代わりに一軸延伸した光学補償フィルムを貼合して光学補償機能つき偏光板（３）を作製した。この際、光学補償フィルムの正面方向のレターデーションの遅相軸を偏光板の透過軸と直交させることで、正面方向の特性を何ら変えることなく視覚特性を向上させることができる。光学補償フィルムの正面方向のレターデーションＲｅは２７０ｎｍ、厚さ方向のレターデーションＲｔｈは０ｎｍでＮｚファクターは０．５のものを用いた。
上記のようにして作製した本発明のセルロースアシレートフィルム試料１を用いた偏光板と光学補償フィルムの積層して得られた光学補償機能つき偏光板（３）、ＩＰＳ型の液晶セル、本発明のセルロースアシレートフィルム試料１を用いた偏光板(３)、の順番に上から重ね合わせて組み込んだ表示装置を作製した。この際、上下の偏光板の透過軸を直交させ、上側の偏光板の透過軸は液晶セルの分子長軸方向と平行（すなわち光学補償層の遅相軸と液晶セルの分子長軸方向は直交）とした。液晶セルや電極・基板はＩＰＳとして従来から用いられているものがそのまま使用できる。液晶セルの配向は水平配向であり、液晶は正の誘電率異方性を有しており、ＩＰＳ液晶用に開発され市販されているものを用いることができる。液晶セルの物性は、液晶のΔｎ：０．０９９、液晶層のセルギャップ：３．０μｍ、プレチルト角：５度、ラビング方向：基板上下とも７５度とした。
以上のようにして作製した液晶表示装置において、装置正面からの方位角方向４５度、極角方向７０度における黒表示時の光漏れ率を測定したところ、０．１％以下であった。本発明のセルロースアシレートフィルムにより作製した光学補償フィルムおよび偏光板は、光漏れ率が十分小さく、コントラスト視野角が広く好ましいことがわかった。

本発明の偏光板と機能性光学フィルムを複合した構成例を示した説明図である。 本発明の偏光板が使用される液晶表示装置の一例を示した説明図である。

符号の説明

１、１ａ、１ｂ 保護フィルム
２ 偏光子
３ 機能層
４ 粘着層
１１ 上側偏光板
１２ 上側偏光板吸収軸
１３ 上光学異方性層
１４ 上光学異方性層配向制御方向
１５ 液晶セル上側基板
１６ 上側基板配向制御方向
１７ 液晶分子
１８ 液晶セル下側基板
１９ 下基板配向制御方向
２０ 下光学異方性層
２１ 下光学異方性層配向制御方向
２２ 下側側偏光板
２３ 下側偏光板吸収軸

Claims (13)

1. ７００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下に極大吸収波長を少なくとも１つ有する近赤外線吸収剤を少なくとも１つ含有し、かつ下記一般式（Ｕ）で表される紫外線吸収剤を少なくとも１つ含有することを特徴とするセルロースアシレートフィルム。
   一般式（Ｕ）： Ｑ⁷¹−Ｑ⁷²−ＯＨ
   （式中、Ｑ⁷¹は１，３，５−トリアジン環、Ｑ⁷²は芳香族環を表す。）
2. セルロースアシレートフィルムのレターデーション値が、
   膜厚方向のレターデーションＲｔｈの４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲における変動が２５ｎｍ以下、および
   正面方向のレターデーションＲｅの４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の波長範囲における変動が１０ｎｍ以下、
   の少なくともいずれかを満たすことを特徴とする請求項１に記載のセルロースアシレートフィルム。
3. 波長６３０ｎｍにおける膜厚方向のレターデーションＲｔｈおよび正面方向のレターデーションＲｅが、各々下記式の範囲を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載のセルロースアシレートフィルム。
   −２５ｎｍ≦Ｒｔｈ≦２５ｎｍ、
   ０ｎｍ≦Ｒｅ≦１０ｎｍ
4. 波長６３０ｎｍにおける正面方向のレターデーションＲｅおよび膜厚方向のレターデーションＲｔｈの値が下記式ｉ）およびii）の少なくとも１つを満たすことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
   ｉ） ｜Ｒｅ×Ｒｔｈ｜≦２００
   ii） ０．１≦｜Ｒｔｈ｜／Ｒｅ≦５．０（Ｒｅ≧１）
5. セルロースアシレートのアシル置換度が２.９０〜３．００であり、その平均重合度が１８０〜５５０であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
6. セルロースアシレートのアシル置換基がアセチル基のみからなり、その全置換度が２．８５〜２．９５であり、その平均重合度が１８０〜５５０であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
7. 波長６３０ｎｍにおける正面方向のレターデーションＲｅおよび膜厚方向のレターデーションＲｔｈの値が下記式を満たすこと特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
   ｜Ｒｅ_(MAX)−Ｒｅ_(MIN)｜≦５かつ｜Ｒｔｈ_(MAX)−Ｒｔｈ_(MIN)｜≦１０
   ［式中、Ｒｅ_(MAX)、Ｒｔｈ_(MAX)は任意に切り出した１ｍ四方のフィルムの最大レターデーション値、Ｒｅ_(MIN)、Ｒｔｈ_(MIN)は最小値である。］
8. 膜厚が１０〜１２０μｍであることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
9. セルロースアシレートフィルムが延伸されて得られたものであり、該延伸倍率が、搬送方向に対して垂直な方向（幅方向）に１％以上１００％以下であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
10. 延伸されて得られたセルロースアシレートフィルムにおいて、正面方向のレターデーションＲｅが下記式を満足すること特徴とする請求項９に記載のセルロースアシレートフィルム。
    ｜Ｒｅ(ｎ)−Ｒｅ(０)｜／ｎ≦１．０
    ［式中、Ｒｅ(ｎ)はｎ(％)延伸したフィルムのＲｅ、Ｒｅ(０)は延伸していないフィルムの波長６３０ｎｍにおけるＲｅである］
11. 偏光子の両側に保護フィルムが貼り合わされてなる偏光板において、該保護フィルムの少なくとも１枚が請求項１〜１０のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする偏光板。
12. 液晶セルおよびその両側に配置された二枚の偏光板からなり、少なくとも１枚の偏光板が請求項１１に記載の偏光板であることを特徴とする液晶表示装置。
13. 液晶表示装置がＩＰＳモードであることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示装置。
    

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