JP2006278924A - Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit - Google Patents

Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit Download PDF

Info

Publication number
JP2006278924A
JP2006278924A JP2005098841A JP2005098841A JP2006278924A JP 2006278924 A JP2006278924 A JP 2006278924A JP 2005098841 A JP2005098841 A JP 2005098841A JP 2005098841 A JP2005098841 A JP 2005098841A JP 2006278924 A JP2006278924 A JP 2006278924A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor light
light emitting
lead
emitting device
emitting element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005098841A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuya Muranaka
哲也 村中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2005098841A priority Critical patent/JP2006278924A/en
Publication of JP2006278924A publication Critical patent/JP2006278924A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/1815—Shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor light emitting device in which optical external extraction efficiency is improved, and a semiconductor light emitting unit using it. <P>SOLUTION: The semiconductor light emitting unit comprises a first and second leads, in which each end is arranged oppositely and extends in almost opposite directions each other; a semiconductor light emitting element mounted on the above-mentioned first lead; a bonding wire connecting a first electrode of the above-mentioned light emitting element with the above-mentioned second lead; and a sealing resin, which consists of a material making a light emitted from the above-mentioned semiconductor element penetrate, and seals the above-mentioned light emitting element, a portion of the above-mentioned first lead, a portion of the above-mentioned second lead, and the above-mentioned bonding wire enclosed by series curved surface. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

本発明は、半導体発光装置及び半導体発光ユニットに関する。特に、本発明は、光外部取り出し効率が改善された半導体発光装置及びそれを用いた半導体発光ユニットに関する。   The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting unit. In particular, the present invention relates to a semiconductor light emitting device with improved light outside extraction efficiency and a semiconductor light emitting unit using the same.

液晶ディスプレイのバックライト、携帯電話の照明などの用途において、半導体発光装置には、高密度実装が要求される。ガラスエポキシ基板などに実装される場合には、いわゆる表面実装型（ＳＭＤ：Surface Mount Device）の構造が、多く使われる。一般に、表面実装型の半導体発光装置においては、半導体発光素子からの放射光のうちの、光取り出し面側へ放射される光（上方に向かう光）と、水平方向へ放射される光（リフレクタにより上方に反射される）は外部へ取り出されるが、半導体発光素子の下方のマウント面に向かう光は外部へ取り出すことが困難である。この結果、指向特性を表すパラメータのうち、半値全角は１８０度以下となる。   In applications such as liquid crystal display backlights and mobile phone lighting, high-density mounting is required for semiconductor light-emitting devices. When mounted on a glass epoxy substrate or the like, a so-called surface mount type (SMD) structure is often used. In general, in a surface-mount type semiconductor light emitting device, of light emitted from a semiconductor light emitting element, light emitted toward the light extraction surface (upward light) and light emitted horizontally (by a reflector) Is reflected to the outside), but it is difficult to extract the light directed to the mounting surface below the semiconductor light emitting element to the outside. As a result, among the parameters representing the directivity characteristics, the full width at half maximum is 180 degrees or less.

光外部取り出し効率を改善するために、透明基板上に半導体発光素子をマウントし、その上下に透明樹脂体を形成して、上下方向に光を取り出すようにした照明装置が開示されている（例えば、特許文献１）。しかし、その配光特性は、全周囲すなわち３６０度に亘り分布するものではなく、上下方向に偏ったものとなる。また、透明基板を透明樹脂体に封止する際に、気泡や空洞などが形成されやすい。
特許第３１７２９４７号公報 In order to improve the external light extraction efficiency, a lighting device is disclosed in which a semiconductor light emitting element is mounted on a transparent substrate, a transparent resin body is formed on the top and bottom thereof, and light is extracted in the vertical direction (for example, Patent Document 1). However, the light distribution characteristic is not distributed over the entire circumference, that is, 360 degrees, but is biased in the vertical direction. Further, when the transparent substrate is sealed with the transparent resin body, bubbles, cavities and the like are easily formed.
Japanese Patent No. 3172947

本発明は、光外部取り出し効率が改善された半導体発光装置及びそれを用いた半導体発光ユニットを提供する。   The present invention provides a semiconductor light emitting device with improved light outside extraction efficiency and a semiconductor light emitting unit using the same.

本発明の一態様によれば、
端部同士が対向配置され、互いに略反対方向に延在する第１及び第２リードと、
前記第１リードの上にマウントされた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の第１の電極と、前記第２リードと、を接続するボンディングワイヤと、
前記半導体発光素子から放出される光を透過させる材料からなり、前記半導体発光素子と、前記第１リードの一部と、前記第２リードの一部と、前記ボンディングワイヤと、を封止し、連続曲面により取り囲まれた封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置が提供される。 According to one aspect of the invention,
A first lead and a second lead, the ends of which are opposed to each other and extending in substantially opposite directions;
A semiconductor light emitting device mounted on the first lead;
A bonding wire connecting the first electrode of the semiconductor light emitting element and the second lead;
It is made of a material that transmits light emitted from the semiconductor light emitting element, and seals the semiconductor light emitting element, a part of the first lead, a part of the second lead, and the bonding wire. A sealing resin surrounded by a continuous curved surface;
There is provided a semiconductor light emitting device characterized by comprising:

また、本発明の他の一態様によれば、
凹部と、前記凹部に隣接して設けられた第１電極及び第２電極と、を有する基板と、
前記封止樹脂の少なくとも一部が前記凹部に収容され、前記第１リード及び前記第２リードが前記第１電極及び第２電極にそれぞれ接続された、請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置と、
を備えたことを特徴とする半導体発光ユニットが提供される。 According to another aspect of the present invention,
A substrate having a recess, and a first electrode and a second electrode provided adjacent to the recess,
At least one part of the said sealing resin is accommodated in the said recessed part, The said 1st lead and the said 2nd lead are each connected to the said 1st electrode and the 2nd electrode, The any one of Claims 1-3 A semiconductor light emitting device according to the description;
A semiconductor light emitting unit is provided.

また、本発明のさらに他の一態様によれば、
貫通穴と、前記貫通穴に隣接して設けられた第１電極及び第２電極と、を有する基板と、
前記封止樹脂が前記貫通穴を貫通して設けられ、前記第１リード及び前記第２リードが前記第１電極及び第２電極にそれぞれ接続された、請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置と、
を備えたことを特徴とする半導体発光ユニットが提供される。 According to yet another aspect of the present invention,
A substrate having a through hole and a first electrode and a second electrode provided adjacent to the through hole;
The sealing resin is provided through the through hole, and the first lead and the second lead are connected to the first electrode and the second electrode, respectively. A semiconductor light emitting device according to the description;
A semiconductor light emitting unit is provided.

本発明によれば、１８０度以上の広い放射角度を有した光外部取り出し効率が改善された半導体発光装置及びそれを用いたリフレクタ内蔵型の半導体発光ユニットが提供される。   According to the present invention, there are provided a semiconductor light emitting device having a wide radiation angle of 180 degrees or more and improved light external extraction efficiency and a reflector built-in semiconductor light emitting unit using the same.

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の第一の実施例にかかる半導体発光装置を表す斜視図である。すなわち、本実施例の半導体発光装置２８においては、半導体発光素子１０が、連続曲面により取り囲まれた封止樹脂２２によって封止されている。半導体発光素子１０は、封止樹脂２２内に水平方向に延在する第一リード１４の上に、ＡｕＳｎ共晶半田や銀ペーストなど（図示せず）を用いて接着されている。第二リード１６の端部は、第一リード１４の端部と対向し、第一リード１４とは反対方向に延在している。この第二リード１６と、半導体発光素子１０の一方の電極と、は、ボンディングワイヤ１２によって接続される。第一リード１４および第二リード１６は、通常の表面実装型と同様に、多数個連結されたリードフレーム状態で組み立てられ、最終的に分離することが出来るので生産性が良い。リードフレームの材料としては、例えば、ＣｕやＣｕ系合金などが使用出来る。   FIG. 1 is a perspective view showing a semiconductor light emitting device according to a first embodiment of the present invention. That is, in the semiconductor light emitting device 28 of this example, the semiconductor light emitting element 10 is sealed with the sealing resin 22 surrounded by the continuous curved surface. The semiconductor light emitting element 10 is bonded onto the first lead 14 extending in the horizontal direction in the sealing resin 22 using AuSn eutectic solder, silver paste or the like (not shown). The end of the second lead 16 faces the end of the first lead 14 and extends in the opposite direction to the first lead 14. The second lead 16 and one electrode of the semiconductor light emitting element 10 are connected by a bonding wire 12. Since the first lead 14 and the second lead 16 are assembled in a lead frame state in which a large number of lead leads 16 and the second lead 16 are connected together and can be finally separated, the productivity is good. As a material of the lead frame, for example, Cu or Cu-based alloy can be used.

図１には、封止樹脂の形状が上部と下部とで異なる具体例を表した。すなわち、封止樹脂２２は、上に凸な曲線を垂直軸Ａ−Ａ’の周りに回転して得られた第一回転体部１８と、下に凸な曲線を垂直軸Ａ−Ａ’の周りに回転して得られた第二回転体部２０と、から構成される。これら第一回転体部１８と第二回転体部２０との接続部の表面形状は、連続した曲面とすることが望ましいが、本発明はこれには限定されない。半導体発光素子１０、第一リード１４、第二リード１６及びボンディングワイヤ１２は、第一回転体部１８、第二回転体部２０のうちのいずれの領域に封止されていても良いし、境界面であっても良い。要は、外部環境から半導体発光素子１０を保護するとともに、発光の取り出し効率が高く、また熱による封止樹脂２２の膨張及び収縮による応力から半導体発光素子１０を保護することが大切である。
なお、第２実施例として後述するように、第一回転体部１８と第二回転体部２０は、例えば、球や楕円体を用いた同一形状であっても良い。 FIG. 1 shows a specific example in which the shape of the sealing resin is different between the upper part and the lower part. That is, the sealing resin 22 includes a first rotating body portion 18 obtained by rotating an upwardly convex curve around the vertical axis AA ′, and a downwardly convex curve of the vertical axis AA ′. And a second rotating body portion 20 obtained by rotating around. The surface shape of the connecting portion between the first rotating body portion 18 and the second rotating body portion 20 is preferably a continuous curved surface, but the present invention is not limited to this. The semiconductor light emitting element 10, the first lead 14, the second lead 16, and the bonding wire 12 may be sealed in any region of the first rotating body portion 18 and the second rotating body portion 20. It may be a surface. In short, it is important to protect the semiconductor light emitting element 10 from the external environment, have high light emission extraction efficiency, and protect the semiconductor light emitting element 10 from stress due to expansion and contraction of the sealing resin 22 due to heat.
As will be described later as the second embodiment, the first rotating body 18 and the second rotating body 20 may have the same shape using, for example, a sphere or an ellipsoid.

また、本実施例にかかる第一リード１４及び第二リード１６の形状は、封止樹脂２２の内部では水平方向に延伸する板状であり、封止樹脂２２の外側では垂直方向に延伸する板状の、Ｌ字型である。すなわち、第一リード１４及び第二リード１６は、封止樹脂２２の外側に突出し垂直方向に延伸する第一突出部１５および第二突出部１７をそれぞれ有する。第一リード１４及び第二リード１６は、Ｌ字型でなくてもよいが、第一突出部１５および第二突出部１７が実装時に外部端子と接続容易な形状を有することが望ましい。   In addition, the first lead 14 and the second lead 16 according to the present embodiment have a plate shape extending in the horizontal direction inside the sealing resin 22 and a plate extending in the vertical direction outside the sealing resin 22. The shape is L-shaped. That is, the first lead 14 and the second lead 16 respectively have a first protrusion 15 and a second protrusion 17 that protrude outside the sealing resin 22 and extend in the vertical direction. The first lead 14 and the second lead 16 may not be L-shaped, but it is desirable that the first protrusion 15 and the second protrusion 17 have a shape that can be easily connected to an external terminal during mounting.

封止樹脂２２の材料としては、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂が使用出来る。第一回転体部１８及び第二回転体部２０の形状を有するモールド金型に、半導体発光素子１０が接着されたリードフレームを固定し、液状の封止樹脂を注入する。ゲートすなわち樹脂の注入口の位置は、リードの端子側に設置される。後に詳述するように、ゲートをリード１４（あるいは１６）に隣接して設けることにより、樹脂２２が硬化して金型から取り出した後にゲートの部分に形成される「バリ」の影響を最小限に抑えることができる。つまり、光の取り出し面に「バリ」が形成されると、不要な散乱や吸収が生ずるおそれがあるが、リード１４（または１６）に隣接してゲートを形成すれば、このような「バリ」の影響を最小限に抑えることができる。なお、封止樹脂材料としては、エポキシ系樹脂やシリコーン系樹脂が使用可能である。これら樹脂は、加熱硬化により、所定の形状に成形される。   As a material of the sealing resin 22, an epoxy resin or a silicone resin can be used. A lead frame to which the semiconductor light emitting element 10 is bonded is fixed to a mold having the shape of the first rotating body 18 and the second rotating body 20, and a liquid sealing resin is injected. The position of the gate, that is, the resin inlet, is set on the terminal side of the lead. As will be described in detail later, by providing the gate adjacent to the lead 14 (or 16), the influence of “burrs” formed in the gate portion after the resin 22 is cured and removed from the mold is minimized. Can be suppressed. That is, if “burrs” are formed on the light extraction surface, unnecessary scattering and absorption may occur. However, if a gate is formed adjacent to the lead 14 (or 16), such “burrs” are formed. Can be minimized. In addition, as a sealing resin material, an epoxy resin or a silicone resin can be used. These resins are formed into a predetermined shape by heat curing.

また、半導体発光素子１０は、例えば、一辺が０．５ミリメータで高さが０．３ミリメータ程度の正方柱状とすることができ、これを封止する封止樹脂２２は、例えば、直径が１０ミリメータ程度の略球形状とすることができる。   Further, the semiconductor light emitting element 10 can be formed in a square pillar shape having a side of 0.5 mm and a height of about 0.3 mm, for example, and the sealing resin 22 for sealing the semiconductor light emitting element 10 has a diameter of 10 for example. It can be a substantially spherical shape on the order of millimeters.

第一の実施例においては、半導体発光素子１０からの放射光が、リードや埋め込み樹脂などの遮光体で遮蔽されることを大幅に低減できる効果を有する。この結果、半導体発光素子１０が本来有する指向特性を損なうことなく、１８０度以上の広い放射角度が確保できる。また、半導体発光装置２８を構成する部品は少なく、製造工程が簡素となる効果も有する。   In the first embodiment, there is an effect that the radiation light from the semiconductor light emitting element 10 can be greatly reduced from being shielded by a light shielding body such as a lead or an embedded resin. As a result, a wide radiation angle of 180 degrees or more can be ensured without impairing the directivity characteristic that the semiconductor light emitting element 10 originally has. Moreover, there are few parts which comprise the semiconductor light-emitting device 28, and it has the effect that a manufacturing process is simplified.

また、封止樹脂２２を構成する第一回転体部１８と第二回転体部２０の形状を違いに異なるものとすることにより、半導体発光素子１０から上方（および斜め上方）に放出される光の集光特性と、下方（および斜め下方）に放出される光の集光特性と、をそれぞれ独立に制御することができる。その結果として、半導体発光素子１０から放出される光の分布や、また半導体発光装置として要求される配光特性などに応じて、略３６０度の範囲にわたり、最適な発光強度分布を得ることができる。   Further, the light emitted from the semiconductor light emitting element 10 upward (and obliquely upward) by making the first rotary body 18 and the second rotary body 20 constituting the sealing resin 22 different in shape. And the light condensing characteristic of light emitted downward (and obliquely downward) can be controlled independently. As a result, an optimum emission intensity distribution can be obtained over a range of approximately 360 degrees according to the distribution of light emitted from the semiconductor light emitting element 10 and the light distribution characteristics required for the semiconductor light emitting device. .

さらにまた、半導体発光素子１０の周囲をほぼ同様の厚みの封止樹脂２２で覆うことにより、封止樹脂２２の熱膨張や収縮に伴う応力を半導体発光素子１０に対して等方的に作用させることができる。その結果として、半導体発光素子１０に対する熱応力の負荷を軽減し、半導体発光素子１０の劣化や故障などを抑制できる。   Furthermore, by covering the periphery of the semiconductor light emitting element 10 with the sealing resin 22 having substantially the same thickness, the stress associated with the thermal expansion and contraction of the sealing resin 22 is applied to the semiconductor light emitting element 10 isotropically. be able to. As a result, the load of thermal stress on the semiconductor light emitting element 10 can be reduced, and deterioration or failure of the semiconductor light emitting element 10 can be suppressed.

次に、本発明の第二の実施例として、封止樹脂２４の形状を球とした場合の半導体発光装置について説明する。   Next, as a second embodiment of the present invention, a semiconductor light emitting device when the shape of the sealing resin 24 is a sphere will be described.

図２及び図３は、本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置２８を例示する模式である。すなわち、図２は、半導体発光装置２８の模式断面図であり、図３は、半導体発光装置２８の模式平面図である。これらの図については、図１に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。   2 and 3 are schematic views illustrating a semiconductor light emitting device 28 according to the second embodiment of the invention. That is, FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the semiconductor light emitting device 28, and FIG. 3 is a schematic plan view of the semiconductor light emitting device 28. In these figures, elements similar to those described above with reference to FIG.

第二の実施例においては、第一回転体部および第二回転体部は、それぞれ同一の球の半球部により構成される。つまり、封止樹脂２４は球形を有する。このようにすると、第一の実施例において得られる効果に加えて、封止樹脂２４の形状を球とすることにより、モールド金型製作が容易で、かつ指向特性など要求仕様に合わせた設計が容易となる効果がさらに得られる。   In the second embodiment, each of the first rotating body portion and the second rotating body portion is constituted by a hemispherical portion of the same sphere. That is, the sealing resin 24 has a spherical shape. In this way, in addition to the effects obtained in the first embodiment, by making the shape of the sealing resin 24 into a sphere, the mold can be easily manufactured and the design according to the required specifications such as directivity can be achieved. Further advantageous effects can be obtained.

次に、本実施例の半導体発光装置の製造方法について説明する。
このような半導体発光装置は、鋳型を用いたモールド法により製造できる。
図４及び図５は、本実施例の半導体発光装置の製造に用いることができる鋳型の模式平面図である。
すなわち、図４は下側の鋳型の合わせ面、図５は上側の鋳型の合わせ面をそれぞれ眺めた模式図である。 Next, a method for manufacturing the semiconductor light emitting device of this example will be described.
Such a semiconductor light emitting device can be manufactured by a molding method using a mold.
4 and 5 are schematic plan views of molds that can be used for manufacturing the semiconductor light emitting device of this embodiment.
That is, FIG. 4 is a schematic view of the lower mold mating surface, and FIG. 5 is a schematic view of the upper mold mating surface.

下側の鋳型１０２には、略半球状のキャビティＣが設けられている。そして、このキャビティＣに連通するように、凹状のリード溝１０６、１０８が設けられている。リード溝１０６、１０８には、リードフレームに接続された状態の第一リード１４及び第二リード１６が嵌入され固定される。これら以外の合わせ面は、略平坦とされている。また、上側の鋳型と位置合わせするために、図示しない嵌合凹凸部などが適宜設けられる場合もある。   The lower mold 102 is provided with a substantially hemispherical cavity C. Recessed lead grooves 106 and 108 are provided so as to communicate with the cavity C. In the lead grooves 106 and 108, the first lead 14 and the second lead 16 connected to the lead frame are fitted and fixed. The mating surfaces other than these are substantially flat. Further, in order to align with the upper mold, there may be a fitting uneven portion (not shown) as appropriate.

一方、上側の鋳型１０４にも、略半球状のキャビティＣが設けられている。そして、このキャビティＣに連通するように、凹状のゲート１１０、１１２が設けられている。   On the other hand, the upper mold 104 is also provided with a substantially hemispherical cavity C. Recessed gates 110 and 112 are provided so as to communicate with the cavity C.

図６及び図７は、これら鋳型を用いたモールド工程を説明するための断面図である。
すなわち、図６に表したように、鋳型１０２のリード溝１０６、１０８には、リードフレーム（図示せず）に接続された状態のリード１６、１４がそれぞれ嵌入され固定される。この時ね半導体発光素子１０はマウントされ、ワイヤ１２も接続された状態にある。 6 and 7 are cross-sectional views for explaining a molding process using these molds.
That is, as shown in FIG. 6, the leads 16 and 14 connected to the lead frame (not shown) are fitted and fixed in the lead grooves 106 and 108 of the mold 102, respectively. At this time, the semiconductor light emitting element 10 is mounted and the wire 12 is also connected.

そして、この上に鋳型１０４が位置合わせされ、合わせ面を密着させるように固定される。この時、リード１６、１４の上に、ゲート１１０、１１２が配置される。この状態において、上下の鋳型のキャビティＣが一体的に略球状の空間を形成する。そして、この球状の空間にゲート１１０、１１２が連通した状態が形成される。   Then, the mold 104 is positioned on this and fixed so that the mating surfaces are brought into close contact with each other. At this time, the gates 110 and 112 are disposed on the leads 16 and 14. In this state, the cavities C of the upper and lower molds integrally form a substantially spherical space. And the state which the gates 110 and 112 connected to this spherical space is formed.

しかる後に、図６に矢印Ａで例示したように、ゲート１１０、１１２の一方から液体状態の樹脂を注入する。注入された樹脂は、キャビティＣにより形成された略球状の空間を充填する。この時、ゲート１１０、１１２の他方は、いわゆる「空気抜き」の通路として作用する。すなわち、注入された樹脂により押し出された空気は、ゲート１１０、１１２の他方を通って排出される。この時、本実施形態によれば、一対のゲート１１０、１１２が略対向して配置しているので、「空気抜き」が効率よく実施されるという効果が得られる。つまり、対向配置された一対のゲート１１０、１１２の一方から樹脂を注入した場合、他方のキャビティから空気が順次排出されながら、樹脂は球状のキャビティを片側からまんべんなく充填し、キャビティを漏れなく充填することができる。その結果として、気泡や空洞などの発生が抑制され、   Thereafter, as illustrated by an arrow A in FIG. 6, liquid resin is injected from one of the gates 110 and 112. The injected resin fills the substantially spherical space formed by the cavity C. At this time, the other of the gates 110 and 112 acts as a so-called “air vent” passage. That is, the air pushed out by the injected resin is discharged through the other of the gates 110 and 112. At this time, according to the present embodiment, since the pair of gates 110 and 112 are disposed substantially opposite to each other, an effect that “air bleeding” is efficiently performed can be obtained. In other words, when resin is injected from one of the pair of gates 110 and 112 arranged opposite to each other, the resin fills the spherical cavities evenly from one side while sequentially discharging air from the other cavity, and fills the cavities without omission. be able to. As a result, the generation of bubbles and cavities is suppressed,

図７は、樹脂２４が充填された状態を表す。このように樹脂を充填し、硬化させた後に、球状にモールドされた封止樹脂２４をリード１４、１６とともに鋳型１０２、１０４から取り外す。しかる後に、同図に符号Ｄ及びＥで表したゲートの部分で樹脂を切断し、球状の封止樹脂２４から突出したリード１４、１６の部分の上に残留するゲート部分の樹脂を除去する。   FIG. 7 shows a state in which the resin 24 is filled. After the resin is filled and cured in this way, the sealing resin 24 molded in a spherical shape is removed from the molds 102 and 104 together with the leads 14 and 16. Thereafter, the resin is cut at the gate portions denoted by reference characters D and E in the same figure, and the resin at the gate portions remaining on the portions of the leads 14 and 16 protruding from the spherical sealing resin 24 is removed.

この後、リード１４、１６をリードフレームから切断し、その突出部を適宜折り曲げて第一突出部１５、第二突出部１７を形成することにより、本実施例の半導体発光装置が完成する。   Thereafter, the leads 14 and 16 are cut from the lead frame, and the protrusions are appropriately bent to form the first protrusions 15 and the second protrusions 17, thereby completing the semiconductor light emitting device of this embodiment.

以上説明した方法によれば、ゲート１１０、１１２をリード１６、１４に隣接して設けることにより、樹脂の「バリ」などによる光の散乱や吸収の影響を最小限に抑えることができる。つまり、略球状の封止樹脂２４の表面を滑らかに形成し、光の取り出し効率を高いレベルに維持できる。
また、リード１４、１６の延伸方向に対して平行な方向に樹脂を注入することにより、注入の際の樹脂の圧力によるリード１４、１６の「曲がり」などの発生を抑制できる。また、リードの延伸方向に対して平行な方向に樹脂を注入することにより、気泡や空洞などの発生も抑制できる。 According to the method described above, by providing the gates 110 and 112 adjacent to the leads 16 and 14, it is possible to minimize the influence of light scattering and absorption due to resin “burrs” and the like. That is, the surface of the substantially spherical sealing resin 24 can be formed smoothly, and the light extraction efficiency can be maintained at a high level.
Further, by injecting the resin in a direction parallel to the extending direction of the leads 14 and 16, it is possible to suppress the occurrence of “bending” of the leads 14 and 16 due to the pressure of the resin at the time of injection. Moreover, by injecting the resin in a direction parallel to the extending direction of the leads, generation of bubbles and cavities can be suppressed.

次に、本発明の実施例にかかる半導体発光装置に用いることができる半導体発光素子の構造について説明する。   Next, the structure of the semiconductor light emitting element that can be used in the semiconductor light emitting device according to the example of the present invention will be described.

図８は、本発明の実施例にかかる半導体発光装置に用いられる半導体発光素子の構造の一例を表す模式断面図である。すなわち、同図には、半導体発光素子１０の構造の一例が例示される。
半導体発光素子１０は、活性層３２を挟んで、第一クラッド層３０及び第二クラッド層３４を含むＩｎＧａＡｌＰ系多層膜３６を有する。この多層膜３６は、図示しないＧａＡｓ基板上にエピタキシャル成長され、その後、ＧａＰ接着層３８を介して、ＧａＰ基板４０にウェーハ状態で接着される。この後、可視光に対して光損失の大きいＧａＡｓ基板（図示せず）が除去される。ＧａＰ基板４０は、可視光に対して、吸収は小さいので、光損失をほとんど生じることなく光を透過させ外部に放射できる。１８０度以上の広い角度にわたり、光を有効に外部に取り出す半導体発光装置のメリットを生かすために、半導体発光素子１０も広角度に光を放射することが望ましい。 FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of the structure of a semiconductor light emitting element used in the semiconductor light emitting device according to the example of the invention. That is, the figure illustrates an example of the structure of the semiconductor light emitting element 10.
The semiconductor light emitting device 10 includes an InGaAlP-based multilayer film 36 including a first cladding layer 30 and a second cladding layer 34 with an active layer 32 interposed therebetween. The multilayer film 36 is epitaxially grown on a GaAs substrate (not shown), and then bonded to the GaP substrate 40 in a wafer state via a GaP adhesive layer 38. Thereafter, a GaAs substrate (not shown) having a large optical loss with respect to visible light is removed. Since the GaP substrate 40 has little absorption with respect to visible light, the GaP substrate 40 can transmit light and emit it to the outside with almost no light loss. It is desirable that the semiconductor light emitting element 10 also emits light at a wide angle in order to take advantage of the semiconductor light emitting device that effectively extracts light to the outside over a wide angle of 180 degrees or more.

このような半導体発光素子１０は、その下部電極４２をマウント面としてリードにマウントしてもよく、または上部電極４４をマウント面としてリードにマウントしてもよい。いずれの場合も、マウント面とされない上部電極４４及び下部電極４２は、光の遮蔽や吸収を低減するために、電流が効率よく注入される範囲において、小さくすることが望ましい。   Such a semiconductor light emitting device 10 may be mounted on a lead with the lower electrode 42 as a mount surface, or may be mounted on a lead with the upper electrode 44 as a mount surface. In any case, it is desirable that the upper electrode 44 and the lower electrode 42 that are not mounted surfaces be small in a range where current is efficiently injected in order to reduce light shielding and absorption.

なお、ＩｎＧａＡｌＰ系多層膜３６からは、波長帯５００〜７００ナノメータの可視光が放射される。一方、ＩｎＧａＡｌＮ系化合物半導体を用いた場合には、波長帯３５０〜５００ナノメータの紫外光〜青緑色光が放射される。この場合、さらに、封止樹脂２２中に蛍光体を分散配置させることにより、半導体発光素子１０からの放射光の波長変換が可能となる。この結果、白色光や種々の波長の可視光が得られる。   The InGaAlP-based multilayer film 36 emits visible light having a wavelength band of 500 to 700 nanometers. On the other hand, when an InGaAlN-based compound semiconductor is used, ultraviolet light to blue-green light having a wavelength band of 350 to 500 nanometers is emitted. In this case, the wavelength of the emitted light from the semiconductor light emitting device 10 can be converted by further dispersing the phosphors in the sealing resin 22. As a result, white light and visible light with various wavelengths can be obtained.

図８に例示した半導体発光素子１０を用いて第二の実施例の半導体発光装置を試作した結果、表面実装型の半導体発光装置と比較して、ほぼ２．０倍の光外部取り出し効率が得られた。   As a result of trial manufacture of the semiconductor light-emitting device of the second embodiment using the semiconductor light-emitting element 10 illustrated in FIG. 8, the optical external extraction efficiency is approximately 2.0 times that of the surface-mounted semiconductor light-emitting device. It was.

次に、前述した第二の実施例にかかる半導体発光装置が実装された半導体発光ユニットについて説明する。   Next, a semiconductor light emitting unit on which the semiconductor light emitting device according to the second embodiment described above is mounted will be described.

図９は、本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置を実装した半導体発光ユニットの要部構成を表す模式断面図である。
また、図１０は、この半導体発光ユニットの要部構成を表す模式平面図である。 FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing the main configuration of a semiconductor light emitting unit in which the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention is mounted.
FIG. 10 is a schematic plan view showing the main configuration of the semiconductor light emitting unit.

同図には、第二の実施例にかかる半導体発光装置２８が実装された半導体発光ユニットの要部構成が例示される。同図に表すように、半導体発光ユニットは、表面に絶縁体５２が形成された基板５０上に半導体発光装置２８が実装され、絶縁体５２上に形成された第一リード１４と第二リード１６とによって半導体発光装置２８が他の素子と電気的に接続されている構造を有する。   The figure illustrates the main configuration of a semiconductor light emitting unit on which the semiconductor light emitting device 28 according to the second embodiment is mounted. As shown in the figure, the semiconductor light emitting unit has a semiconductor light emitting device 28 mounted on a substrate 50 having an insulator 52 formed on the surface thereof, and a first lead 14 and a second lead 16 formed on the insulator 52. Thus, the semiconductor light emitting device 28 is electrically connected to other elements.

金属などからなる基板５０の表面には、球状の半導体発光装置２８の形状に対応して、凹部が形成されている。この凹部の表面は、鏡面状に加工され、反射率を高めるために鏡面メッキが施されたリフレクタ５８が形成されている。基板５０としては、熱伝導率が高いＣｕ、Ｃｕ−Ｗ合金、Ａｌなどを使うことができる。熱伝導率の高い材料を用いることにより、半導体発光素子１０から放出される熱の放熱性を向上させることができる。なお、絶縁性を確保するために、基板５０を樹脂やセラミックスなどの絶縁体で形成してもよい。   A concave portion is formed on the surface of the substrate 50 made of metal or the like corresponding to the shape of the spherical semiconductor light emitting device 28. The surface of the concave portion is processed into a mirror surface, and a reflector 58 is formed which is mirror-plated to increase the reflectance. As the substrate 50, Cu, Cu—W alloy, Al or the like having high thermal conductivity can be used. By using a material having a high thermal conductivity, it is possible to improve the heat dissipation of heat emitted from the semiconductor light emitting device 10. In order to ensure insulation, the substrate 50 may be formed of an insulator such as resin or ceramic.

基板５０上には、ガラスエポキシ基板や樹脂、レジストなどの絶縁体５２が設けられている。また、半導体発光装置２８の第一リード１４を電気的に接続するための第一電極５４、及び第二リード１６を電気的に接続するための第二電極５６が、それぞれ絶縁体５２の上に形成されている。半導体発光装置２８のリード第一突出部１５及び第二突出部１７は、絶縁体５２上に設けられた電極端部と導電性接着剤や、溶着や溶接または半田などにより接続される。基板５０の上に設けられた絶縁体５２、または他の絶縁基板により、半導体発光装置と他の素子とは電気的に分離される。この結果、半導体発光装置を集積させ、さらには、制御回路をも集積させた半導体発光ユニットが実現できる。第二の実施例にかかる半導体発光装置２８は、前述したように表面実装型と比較してほぼ２．０倍の光外部取り出し効率が得られている。従って、下方に放射された光が効率よくリフレクタ５８で反射されることにより、図９〜図１０に例示した半導体発光ユニットにおいても、表面実装型を用いた発光ユニットと比較して、２倍に近い光外部取り出し効率が得られる。   On the substrate 50, an insulator 52 such as a glass epoxy substrate, a resin, or a resist is provided. A first electrode 54 for electrically connecting the first lead 14 of the semiconductor light emitting device 28 and a second electrode 56 for electrically connecting the second lead 16 are respectively formed on the insulator 52. Is formed. The lead first protrusion 15 and the second protrusion 17 of the semiconductor light emitting device 28 are connected to the electrode end provided on the insulator 52 by a conductive adhesive, welding, welding or soldering. The semiconductor light emitting device and other elements are electrically separated by an insulator 52 provided on the substrate 50 or another insulating substrate. As a result, a semiconductor light emitting unit in which the semiconductor light emitting devices are integrated and the control circuit is also integrated can be realized. As described above, the semiconductor light emitting device 28 according to the second example has a light extraction efficiency of about 2.0 times that of the surface mount type. Therefore, the light emitted downward is efficiently reflected by the reflector 58, so that the semiconductor light emitting unit illustrated in FIGS. 9 to 10 also doubles the light emitting unit using the surface mount type. Near light extraction efficiency can be obtained.

次に、本具体例の半導体発光ユニットに実装された、本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置の作用について説明する。   Next, the operation of the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention mounted on the semiconductor light emitting unit of this example will be described.

図１１〜図１３は、本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置およびこれを用いた半導体発光ユニットの作用を説明する模式断面図である。同図については、図１に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。なお、これらの図では、第一リード１４、第二リード１６及びボンディングワイヤ１２を省略した。   11 to 13 are schematic cross-sectional views for explaining the operation of the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention and the semiconductor light emitting unit using the same. In the figure, the same elements as those described above with reference to FIG. In these drawings, the first lead 14, the second lead 16, and the bonding wire 12 are omitted.

図１１は、半導体発光素子１０が、ほぼ垂直軸Ａ−Ａ’上でかつ、球の中心よりも上方（基板５０表面より距離Ｄ１だけ上方）に位置する場合における代表的光線を例示する。半導体発光素子１０から上方に向かう光Ｌ１及びＬ２は、封止樹脂２４の表面における、屈折率差により屈折が生じるものの、光は外部に有効に取り出せる。なお、エポキシ系樹脂の屈折率は約１．５である。水平方向へ向かう光Ｌ３は封止樹脂２４の外部に取り出せるものの、図に例示されるように、すべてが有効利用できるとは限らない。また、斜め下方に向かう光でリフレクタ５８に入射しない光の一部は、封止樹脂２４と空気の界面において、全反射を生じて、複雑な放射となることがある。   FIG. 11 illustrates a typical light beam when the semiconductor light emitting element 10 is located substantially on the vertical axis A-A ′ and above the center of the sphere (a distance D1 above the surface of the substrate 50). Lights L1 and L2 traveling upward from the semiconductor light emitting element 10 are refracted due to a difference in refractive index on the surface of the sealing resin 24, but the light can be effectively extracted outside. The refractive index of the epoxy resin is about 1.5. Although the light L3 directed in the horizontal direction can be extracted outside the sealing resin 24, not all of them can be effectively used as illustrated in the figure. In addition, part of the light that is obliquely downward and not incident on the reflector 58 may be totally radiated at the interface between the sealing resin 24 and the air, resulting in complicated radiation.

リフレクタ５８に入射した光は反射されて、Ｌ４およびＬ５に例示される光路をたどり、有効に外部に取り出すことができる。すなわち、基板５０と半導体発光素子１０との距離Ｄ１がゼロでなくとも、光取り出し効率の向上が可能である。   The light that has entered the reflector 58 is reflected, follows the optical paths exemplified by L4 and L5, and can be effectively extracted outside. That is, even if the distance D1 between the substrate 50 and the semiconductor light emitting element 10 is not zero, the light extraction efficiency can be improved.

図１２は、半導体発光素子１０が、ほぼ球の中心に位置する場合の作用を説明するための模式断面図である。発光中心が、球の中心と一致すれば、上方への光は、ほとんど屈折されることなく外部へ放射され、下方への光もリフレクタ５８で反射されて、ほとんど屈折されることなく外部に放射される。従って、指向特性は、半導体発光素子１０が本来有する指向特性に近くなり、発光ユニットまたはシステムへの応用が極めて容易となる。光の損失は、ほぼ第一リード１４及び第二リード１６における吸収だけに抑えられる。   FIG. 12 is a schematic cross-sectional view for explaining the operation when the semiconductor light emitting element 10 is located substantially at the center of the sphere. If the emission center coincides with the center of the sphere, the upward light is radiated to the outside with almost no refraction, and the downward light is also reflected by the reflector 58 and radiated to the outside with almost no refraction. Is done. Accordingly, the directivity is close to the directivity inherent to the semiconductor light emitting element 10, and the application to the light emitting unit or system becomes extremely easy. The loss of light is suppressed to only absorption in the first lead 14 and the second lead 16.

図１３は、半導体発光素子１０が、基板５０の表面から距離Ｄ２だけ、下方に位置する場合の作用を説明するための模式断面図である。   FIG. 13 is a schematic cross-sectional view for explaining the operation when the semiconductor light emitting element 10 is positioned below the surface of the substrate 50 by a distance D2.

上方に向かう光Ｇ１及びＧ２は、屈折率差により屈折を生じるがほぼ有効に光を外部に取り出せる。水平方向へ向かい、リフレクタ５８に入射する光Ｇ３は、反射された後、上方に放射される。また、下方へ向かう光Ｇ４も、リフレクタによる反射後、上方へ放射され取り出すことができる。指向特性は、半導体発光素子１０が、本来有するパターンとは異なり、距離Ｄ２に依存して変化するものの、外部には、光が有効に取り出しうる。また、図１２に例示されたほぼ球の中心に発光中心がある場合には、反射光が半導体発光素子１０の付近に集中する可能性がある。しかし、図１３で例示される例においては、反射光が発光中心すなわち半導体発光素子１０には集中しにくいので、その影響を受けない効果がある。   The upwardly directed light beams G1 and G2 are refracted due to the difference in refractive index, but light can be extracted almost effectively. The light G3 that goes in the horizontal direction and enters the reflector 58 is reflected and then emitted upward. Further, the downwardly directed light G4 can also be emitted and extracted after being reflected by the reflector. Although the directivity characteristic differs depending on the distance D2 unlike the pattern that the semiconductor light emitting element 10 originally has, light can be effectively extracted outside. In addition, when the light emission center is approximately at the center of the sphere illustrated in FIG. 12, the reflected light may be concentrated in the vicinity of the semiconductor light emitting element 10. However, in the example illustrated in FIG. 13, the reflected light is less likely to concentrate on the light emission center, that is, the semiconductor light emitting element 10, so that there is an effect that the reflected light is not affected.

本実施形態においては、半導体発光素子１０を、封止樹脂２４の外部表面に極めて接近させた場合には、封止効果が減少したり、膨張・収縮による応力集中などの影響が現れることがあるが、そのような場合を除けば、用途に応じて、半導体発光素子１０の位置を選択できる。多くの場合に、半導体発光素子１０を取り囲む封止樹脂の厚みを半導体発光素子１０のチップ厚み程度以上とすれば、信頼性の問題が生じる可能性は極めて少ない。   In the present embodiment, when the semiconductor light emitting element 10 is brought very close to the outer surface of the sealing resin 24, the sealing effect may be reduced or the influence of stress concentration due to expansion / contraction may appear. However, except for such a case, the position of the semiconductor light emitting element 10 can be selected according to the application. In many cases, if the thickness of the sealing resin surrounding the semiconductor light emitting element 10 is set to be equal to or larger than the chip thickness of the semiconductor light emitting element 10, there is very little possibility of causing a problem of reliability.

また、半導体発光素子が封止樹脂の垂直軸から離れると、光度はほぼ維持されたまま指向特性の非対称性が強まる。従って、用途に応じて、半導体発光素子の位置を調整することができる。   Further, when the semiconductor light emitting element is separated from the vertical axis of the sealing resin, the asymmetry of the directivity is increased while the luminous intensity is substantially maintained. Therefore, the position of the semiconductor light emitting element can be adjusted according to the application.

以上、図１１〜図１３を参照しつつ説明したように、広い角度で光を放射する半導体発光装置からの放射光の一部を、基板の凹部に設けたリフレクタで反射させることにより、放射光のうち無効となる部分を低減し、外部光取り出し効率が改善された半導体発光ユニットが可能となる。   As described above with reference to FIGS. 11 to 13, the radiated light is reflected by reflecting a part of the radiated light from the semiconductor light emitting device that emits light at a wide angle by the reflector provided in the concave portion of the substrate. Among these, the ineffective portion is reduced, and a semiconductor light emitting unit with improved external light extraction efficiency becomes possible.

また、本実施形態によれば、半導体発光装置を高い密度で集積させた半導体発光ユニットを実現できる。
図１４は、本実施形態の半導体発光ユニットの模式平面図である。
本実施形態の半導体発光装置２８は、上方から眺めた時に、略円形であり、リードの接続部分もコンパクトであるので、極めて高い密度で集積化させることが可能である。同図に例示した如く、基板５０の上に、半導体発光装置２８を千鳥格子状に配置し、その間隔を極めて小さくすることができる。その結果として、発光輝度が極めて高い半導体発光ユニットを実現できる。このような高い輝度の半導体発光ユニットは、例えば、自動車のストップランプなど、各種の用途に用いて好適である。
なお、本発明においては、半導体発光装置２８の配置は千鳥格子状には限定されず、正
図１５は、本発明の第三の実施例にかかる半導体発光装置２８および半導体発光ユニットの要部構成を表す模式断面図である。同図については、図１に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 In addition, according to the present embodiment, a semiconductor light emitting unit in which semiconductor light emitting devices are integrated at a high density can be realized.
FIG. 14 is a schematic plan view of the semiconductor light emitting unit of the present embodiment.
The semiconductor light emitting device 28 of the present embodiment is substantially circular when viewed from above, and the lead connecting portion is also compact, so that it can be integrated at a very high density. As illustrated in the figure, the semiconductor light emitting devices 28 can be arranged in a staggered pattern on the substrate 50, and the interval between them can be made extremely small. As a result, it is possible to realize a semiconductor light emitting unit with extremely high emission luminance. Such a high-luminance semiconductor light-emitting unit is suitable for use in various applications such as an automobile stop lamp.
In the present invention, the arrangement of the semiconductor light emitting devices 28 is not limited to the staggered pattern, and FIG. 15 is a schematic view of the main parts of the semiconductor light emitting device 28 and the semiconductor light emitting unit according to the third embodiment of the present invention. It is a schematic cross section showing composition. In the figure, the same elements as those described above with reference to FIG.

本具体例の場合、第一回転体部１８は、半球であり、第二回転体部２０は、半楕円体である。半導体発光素子１０は、基板５０のほぼ表面の高さの位置に設けられている。上方への光Ｋ１及びＫ２は、図１２とほぼ同一の放射となる。一方、下方へ向かう光Ｋ４及びＫ５は、楕円体曲面状のリフレクタ６０で反射されるが、半導体発光素子１０の位置に戻ることなく、封止樹脂表面から外部に放射される。この結果、発光中心が、第一回転体部が構成する球の中心にありながら、反射光が発光中心の影響を受けずに外部へ有効に放射される。また、第二回転体部は楕円であるため、高さを低減した薄型の半導体発光装置および半導体発光ユニットが実現出来る。   In this specific example, the first rotating body 18 is a hemisphere, and the second rotating body 20 is a semi-ellipsoid. The semiconductor light emitting element 10 is provided at a position substantially at the height of the surface of the substrate 50. The upward light beams K1 and K2 emit almost the same radiation as in FIG. On the other hand, the downwardly directed light K4 and K5 is reflected by the ellipsoidal curved reflector 60, but is radiated to the outside from the surface of the sealing resin without returning to the position of the semiconductor light emitting element 10. As a result, while the light emission center is at the center of the sphere formed by the first rotating body portion, the reflected light is effectively radiated to the outside without being affected by the light emission center. Further, since the second rotating body portion is elliptical, a thin semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit with reduced height can be realized.

次に、半導体発光素子１０を下方に向けて半導体発光装置２８を実装した半導体発光ユニットについて説明する。
図１６は、本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置が実装された他の半導体発光ユニットの要部構成を表す模式断面図である。
また、図１７は、この半導体発光ユニットの要部を上方から眺めた模式図である。これらの図についても、図１に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 Next, a semiconductor light emitting unit in which the semiconductor light emitting device 28 is mounted with the semiconductor light emitting element 10 facing downward will be described.
FIG. 16: is a schematic cross section showing the principal part structure of the other semiconductor light-emitting unit with which the semiconductor light-emitting device concerning the 2nd Example of this invention was mounted.
FIG. 17 is a schematic view of the main part of the semiconductor light emitting unit as viewed from above. Also in these drawings, the same elements as those described above with reference to FIG.

すなわち、本具体例においては、半導体発光装置２８が、半導体発光素子１０を下方に向けて、半導体発光ユニットに取り付けられている。
このようにすると、前述した第一の実施例にかかる半導体発光ユニットとは異なる
において得られる効果に加えて、さらなる効果が得られる。すなわち、この構造において配光分布が得られる。従って、すでに半導体発光素子の配光特性やモールド位置が決まっている場合に、半導体発光装置２８の上下を逆にすることにより、指向特性を変化させることが可能となる。 That is, in this specific example, the semiconductor light emitting device 28 is attached to the semiconductor light emitting unit with the semiconductor light emitting element 10 facing downward.
If it does in this way, in addition to the effect acquired in different from the semiconductor light-emitting unit concerning the 1st example mentioned above, the further effect will be acquired. That is, a light distribution is obtained in this structure. Therefore, when the light distribution characteristics and mold position of the semiconductor light emitting element are already determined, the directivity can be changed by turning the semiconductor light emitting device 28 upside down.

次に、本発明の第四の実施例として、封止樹脂の形状を“ラグビーボール”形状とした場合の半導体発光装置について説明する。   Next, as a fourth embodiment of the present invention, a semiconductor light emitting device in which the shape of the sealing resin is a “rugby ball” shape will be described.

図１８は、本発明の第四の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。
また、図１９は、この半導体発光装置の模式平面図である。これらの図については、図１に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。 FIG. 18 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor light emitting device according to the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 19 is a schematic plan view of the semiconductor light emitting device. In these figures, elements similar to those described above with reference to FIG.

本実施例における封止樹脂２６の形状は、楕円曲線を水平軸Ｂ−Ｂ’の周りに回転した“ラグビーボール”形状である。このようにすると、前述した第一の実施例にかかる半導体発光装置において得られる効果に加えて、さらなる効果が得られる。すなわち、薄型にできるとともに、平面サイズ（すなわち幅）を小型化できて、発光ユニットの高密度化に有効となる。   The shape of the sealing resin 26 in this embodiment is a “rugby ball” shape in which an elliptic curve is rotated around the horizontal axis B-B ′. In this case, in addition to the effects obtained in the semiconductor light emitting device according to the first embodiment described above, further effects can be obtained. That is, the thickness can be reduced and the planar size (that is, the width) can be reduced, which is effective for increasing the density of the light emitting units.

図２０は、本発明の第五の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。
また、図２１は、この半導体発光装置の模式平面図である。
すなわち、本実施例においては、第一リード１４と第二リード１６のうちの封止樹脂２４から突出した部分１５、１７が、ほぼ直線状に延伸している。すなわち、第一突出部１５、第二突出部１７がＬ字状に折り曲げられていない。 FIG. 20 is a schematic sectional view showing a semiconductor light emitting device according to the fifth embodiment of the present invention.
FIG. 21 is a schematic plan view of the semiconductor light emitting device.
That is, in the present embodiment, the portions 15 and 17 projecting from the sealing resin 24 of the first lead 14 and the second lead 16 extend substantially linearly. That is, the first protrusion 15 and the second protrusion 17 are not bent into an L shape.

このようにしても、第一リード１４と第二リード１６のそれぞれに電気的な接続を形成することは容易である。
図２２は、本実施例の半導体発光装置を搭載した半導体発光ユニットの一例を表す模式図である。このように、略直線状に延伸した第一突出部１５、第二突出部１７を、第一電極５４、第二電極５６に導電性接着剤や半田、溶着あるいは溶接などの方法により接続することができる。
図２３は、本発明の第五の実施例にかかる半導体発光ユニットを表す模式断面図である。同図については、図１乃至図２２に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
本実施例においては、基板５０が薄く形成され、貫通穴が設けられている。そして、半導体発光装置２８は、基板５０の貫通穴を貫通してその上下に露出している。半導体発光素子１０から放出された光は、封止樹脂２４を透過し、同図に矢印で例示した如く基板５０の上面側と下面側に向けてそれぞれ放出される。つまり、薄型基板を用いて、いわゆる「両面発光型」の半導体発光ユニットが実現できる。薄板状の両面発光型の半導体発光ユニットは、単なる照明やバックライトなどの用途のみならず、従来なかった新規なディスプレイや表示などの各種の用途に用いることが可能である。 Even in this case, it is easy to form an electrical connection to each of the first lead 14 and the second lead 16.
FIG. 22 is a schematic diagram illustrating an example of a semiconductor light emitting unit on which the semiconductor light emitting device of this example is mounted. In this way, the first projecting portion 15 and the second projecting portion 17 extending substantially linearly are connected to the first electrode 54 and the second electrode 56 by a method such as conductive adhesive, solder, welding, or welding. Can do.
FIG. 23 is a schematic cross-sectional view showing a semiconductor light emitting unit according to the fifth embodiment of the present invention. In this figure, the same elements as those described above with reference to FIGS. 1 to 22 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof is omitted.
In the present embodiment, the substrate 50 is formed thin and provided with a through hole. The semiconductor light emitting device 28 passes through the through hole of the substrate 50 and is exposed above and below. The light emitted from the semiconductor light emitting element 10 passes through the sealing resin 24 and is emitted toward the upper surface side and the lower surface side of the substrate 50 as illustrated by the arrows in FIG. That is, a so-called “double-sided light emitting type” semiconductor light emitting unit can be realized by using a thin substrate. The thin plate-like double-sided light emitting semiconductor light emitting unit can be used not only for simple lighting and backlighting but also for various uses such as a novel display and display which have not been conventionally used.

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態につき説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。   The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples.

例えば、半導体発光素子としては、ＩｎＧａＡｌＰ系やＩｎＧａＡｌＮ系に限定されず、各種の化合物半導体を用いたものでよい。放射光に関しても、広く紫外光〜可視光にわたり、かつ蛍光体により波長変換されたものであっても良い。   For example, the semiconductor light emitting element is not limited to an InGaAlP system or an InGaAlN system, but may be one using various compound semiconductors. The emitted light may also be a wide range of ultraviolet light to visible light and wavelength-converted by a phosphor.

その他、半導体発光装置及び半導体発光ユニットを構成する、半導体発光素子、封止樹脂、蛍光体、リード、基板、リフレクタ、電極、絶縁体などの各要素の形状、サイズ、材質、配置関係などに関して当業者が各種の設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。   In addition, regarding the shape, size, material, arrangement relation, etc. of each element such as a semiconductor light emitting element, a sealing resin, a phosphor, a lead, a substrate, a reflector, an electrode, and an insulator constituting a semiconductor light emitting device and a semiconductor light emitting unit Even if a trader adds various design changes, it is included in the scope of the present invention as long as it has the gist of the present invention.

本発明の第一の実施例にかかる半導体発光装置を表す斜視図である。It is a perspective view showing the semiconductor light-emitting device concerning the 1st Example of this invention. 本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing the semiconductor light-emitting device concerning the 2nd example of the present invention. 本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式平面図である。It is a model top view showing the semiconductor light-emitting device concerning the 2nd Example of this invention. 本発明の半導体発光装置の製造に用いることができる鋳型の模式平面図である。It is a model top view of the casting_mold | template which can be used for manufacture of the semiconductor light-emitting device of this invention. 本発明の半導体発光装置の製造に用いることができる鋳型の模式平面図である。It is a model top view of the casting_mold | template which can be used for manufacture of the semiconductor light-emitting device of this invention. モールド工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating a mold process. モールド工程を説明するための断面図である。It is sectional drawing for demonstrating a mold process. 本発明の実施例にかかる半導体発光装置に用いられる半導体発光素子の一例を表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing an example of the semiconductor light-emitting element used for the semiconductor light-emitting device concerning the Example of this invention. 本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置を実装した半導体発光ユニットの要部構成を表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing the principal part structure of the semiconductor light-emitting unit which mounted the semiconductor light-emitting device concerning the 2nd Example of this invention. 本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置を実装した半導体発光ユニットの要部構成を表す模式平面図である。It is a schematic plan view showing the principal part structure of the semiconductor light-emitting unit which mounted the semiconductor light-emitting device concerning the 2nd Example of this invention. 本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置およびこれを用いた半導体発光ユニットの作用を説明する模式断面図である。It is a schematic cross section explaining the operation of the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention and the semiconductor light emitting unit using the same. 本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置およびこれを用いた半導体発光ユニットの作用を説明する模式断面図である。It is a schematic cross section explaining the operation of the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention and the semiconductor light emitting unit using the same. 本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置およびこれを用いた半導体発光ユニットの作用を説明する模式断面図である。It is a schematic cross section explaining the operation of the semiconductor light emitting device according to the second embodiment of the present invention and the semiconductor light emitting unit using the same. 本発明の実施形態の半導体発光ユニットの模式平面図である。It is a schematic plan view of the semiconductor light-emitting unit of the embodiment of the present invention. 本発明の第三の実施例にかかる半導体発光装置を実装した半導体発光ユニットの要部構成を表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing the principal part structure of the semiconductor light-emitting unit which mounted the semiconductor light-emitting device concerning the 3rd Example of this invention. 本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置が実装された他の半導体発光ユニットの要部構成を表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing the principal part structure of the other semiconductor light-emitting unit with which the semiconductor light-emitting device concerning the 2nd Example of this invention was mounted. 本発明の第二の実施例にかかる半導体発光装置が実装された他の半導体発光ユニットの要部構成を表す模式平面図である。It is a schematic plan view showing the principal part structure of the other semiconductor light-emitting unit with which the semiconductor light-emitting device concerning the 2nd Example of this invention was mounted. 本発明の第四の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing the semiconductor light-emitting device concerning the 4th example of the present invention. 本発明の第四の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式平面図である。It is a model top view showing the semiconductor light-emitting device concerning the 4th Example of this invention. 本発明の第五の実施例にかかる半導体発光装置を表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing the semiconductor light-emitting device concerning the 5th Example of this invention. 図２０の半導体発光装置の模式平面図である。FIG. 21 is a schematic plan view of the semiconductor light emitting device of FIG. 20. 第五の実施例の半導体発光装置を搭載した半導体発光ユニットの一例を表す模式図である。It is a schematic diagram showing an example of the semiconductor light-emitting unit carrying the semiconductor light-emitting device of the 5th Example. 本発明の第五の実施例にかかる半導体発光ユニットを表す模式断面図である。It is a schematic cross section showing the semiconductor light-emitting unit concerning the 5th example of the present invention.

符号の説明Explanation of symbols

１０ 半導体発光素子
１２ ボンディングワイヤ
１４ 第一リード
１５ 第一突出部
１６ 第二リード
１７ 第二突出部
１８ 第一回転体部
２０ 第二回転体部
２２ 封止樹脂
２４ 封止樹脂
２６ 封止樹脂
２８ 半導体発光装置
３０ 第一クラッド層
３２ 活性層
３４ 第二クラッド層
３６ ＩｎＧａＡｌＰ系多層膜
３８ ＧａＰ接着層
４０ ＧａＰ基板
４２ 下部電極
４４ 上部電極
５０ 基板
５２ 絶縁体
５４ 第一電極
５６ 第二電極
５８ リフレクタ
６０ リフレクタ DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Semiconductor light-emitting device 12 Bonding wire 14 1st lead 15 1st protrusion part 16 2nd lead 17 2nd protrusion part 18 1st rotary body part 20 2nd rotary body part 22 Sealing resin 24 Sealing resin 26 Sealing resin 28 Semiconductor light emitting device 30 First clad layer 32 Active layer 34 Second clad layer 36 InGaAlP-based multilayer film 38 GaP adhesive layer 40 GaP substrate 42 Lower electrode 44 Upper electrode 50 Substrate 52 Insulator 54 First electrode 56 Second electrode 58 Reflector 60 Reflector

Claims (5)

端部同士が対向配置され、互いに略反対方向に延在する第１及び第２リードと、
前記第１リードの上にマウントされた半導体発光素子と、
前記半導体発光素子の第１の電極と、前記第２リードと、を接続するボンディングワイヤと、
前記半導体発光素子から放出される光を透過させる材料からなり、前記半導体発光素子と、前記第１リードの一部と、前記第２リードの一部と、前記ボンディングワイヤと、を封止し、連続曲面により取り囲まれた封止樹脂と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置。 A first lead and a second lead, the ends of which are opposed to each other and extending in substantially opposite directions;
A semiconductor light emitting device mounted on the first lead;
A bonding wire connecting the first electrode of the semiconductor light emitting element and the second lead;
It is made of a material that transmits light emitted from the semiconductor light emitting element, and seals the semiconductor light emitting element, a part of the first lead, a part of the second lead, and the bonding wire. A sealing resin surrounded by a continuous curved surface;
A semiconductor light emitting device comprising: 前記封止樹脂は、略球状であり、
前記半導体発光素子は、前記略球状のほぼ中心に設けられたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置。 The sealing resin is substantially spherical,
The semiconductor light emitting device according to claim 1, wherein the semiconductor light emitting element is provided at a substantially center of the substantially spherical shape. 前記封止樹脂をモールドする際のゲートが前記第１リード及び第２リードの少なくともいずれかに隣接して設けられたことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。   The semiconductor light-emitting device according to claim 1, wherein a gate for molding the sealing resin is provided adjacent to at least one of the first lead and the second lead. 凹部と、前記凹部に隣接して設けられた第１電極及び第２電極と、を有する基板と、
前記封止樹脂の少なくとも一部が前記凹部に収容され、前記第１リード及び前記第２リードが前記第１電極及び第２電極にそれぞれ接続された、請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置と、
を備えたことを特徴とする半導体発光ユニット。 A substrate having a recess, and a first electrode and a second electrode provided adjacent to the recess,
At least one part of the said sealing resin is accommodated in the said recessed part, The said 1st lead and the said 2nd lead are each connected to the said 1st electrode and the 2nd electrode, The any one of Claims 1-3 A semiconductor light emitting device according to the description;
A semiconductor light-emitting unit comprising: 貫通穴と、前記貫通穴に隣接して設けられた第１電極及び第２電極と、を有する基板と、
前記封止樹脂が前記貫通穴を貫通して設けられ、前記第１リード及び前記第２リードが前記第１電極及び第２電極にそれぞれ接続された、請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置と、
を備えたことを特徴とする半導体発光ユニット。

A substrate having a through hole and a first electrode and a second electrode provided adjacent to the through hole;
The sealing resin is provided through the through hole, and the first lead and the second lead are connected to the first electrode and the second electrode, respectively. A semiconductor light emitting device according to the description;
A semiconductor light-emitting unit comprising:

JP2005098841A 2005-03-30 2005-03-30 Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit Pending JP2006278924A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005098841A JP2006278924A (en) 2005-03-30 2005-03-30 Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005098841A JP2006278924A (en) 2005-03-30 2005-03-30 Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006278924A true JP2006278924A (en) 2006-10-12

Family

ID=37213322

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005098841A Pending JP2006278924A (en) 2005-03-30 2005-03-30 Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006278924A (en)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009004698A (en) * 2007-06-25 2009-01-08 Kyocera Corp Illuminating light source
JP2009283883A (en) * 2008-05-20 2009-12-03 Jungjin Nextech Co Ltd Lead frame assembly for mounting light emitting diode chip, and method of manufacturing the same
JP2009295551A (en) * 2008-06-09 2009-12-17 Stanley Electric Co Ltd Lamp fitting and semiconductor light-emitting light source
JP2010028071A (en) * 2008-07-16 2010-02-04 Samsung Electro Mechanics Co Ltd Light emitting device, and backlight unit including the same
JP2010510658A (en) * 2006-11-15 2010-04-02 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア Spherical LED with high light extraction efficiency
JP2013038222A (en) * 2011-08-08 2013-02-21 Citizen Holdings Co Ltd Light emitting device
JP2013038221A (en) * 2011-08-08 2013-02-21 Citizen Holdings Co Ltd Light emitting device
JP2014003334A (en) * 2013-09-25 2014-01-09 Sanyo Electric Co Ltd Light-emitting device and lighting fixture including the same
JP2014146784A (en) * 2013-01-28 2014-08-14 Harvatek Corp White light package containing plural blue light emitting diodes
US8922101B2 (en) 2008-01-18 2014-12-30 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light-emitting device
CN113707787A (en) * 2020-05-22 2021-11-26 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Spherical inverted micro LED, manufacturing method thereof and display panel
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010510658A (en) * 2006-11-15 2010-04-02 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア Spherical LED with high light extraction efficiency
JP2009004698A (en) * 2007-06-25 2009-01-08 Kyocera Corp Illuminating light source
US8922101B2 (en) 2008-01-18 2014-12-30 Ushio Denki Kabushiki Kaisha Light-emitting device
JP2009283883A (en) * 2008-05-20 2009-12-03 Jungjin Nextech Co Ltd Lead frame assembly for mounting light emitting diode chip, and method of manufacturing the same
JP2009295551A (en) * 2008-06-09 2009-12-17 Stanley Electric Co Ltd Lamp fitting and semiconductor light-emitting light source
JP2010028071A (en) * 2008-07-16 2010-02-04 Samsung Electro Mechanics Co Ltd Light emitting device, and backlight unit including the same
JP2013038222A (en) * 2011-08-08 2013-02-21 Citizen Holdings Co Ltd Light emitting device
JP2013038221A (en) * 2011-08-08 2013-02-21 Citizen Holdings Co Ltd Light emitting device
JP2014146784A (en) * 2013-01-28 2014-08-14 Harvatek Corp White light package containing plural blue light emitting diodes
US9224718B2 (en) 2013-01-28 2015-12-29 Harvatek Corporation White light emitting diodes package containing plural blue light-emitting diodes
JP2014003334A (en) * 2013-09-25 2014-01-09 Sanyo Electric Co Ltd Light-emitting device and lighting fixture including the same
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
US11796163B2 (en) 2020-05-12 2023-10-24 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
CN113707787A (en) * 2020-05-22 2021-11-26 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Spherical inverted micro LED, manufacturing method thereof and display panel
CN113707787B (en) * 2020-05-22 2023-07-18 重庆康佳光电技术研究院有限公司 Spherical flip-chip micro LED, manufacturing method thereof and display panel
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2006278924A (en) Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit
KR101488448B1 (en) Led package and method for fabricating the same
US7111964B2 (en) LED package
JP4902411B2 (en) LED package, LED package manufacturing method, lighting device, LCD backlight and liquid crystal display
JP4432275B2 (en) Light source device
US20040223315A1 (en) Light emitting apparatus and method of making same
JP4254276B2 (en) Light emitting device and manufacturing method thereof
JP4739842B2 (en) Surface mount type LED
US20090315068A1 (en) Light emitting device
JP2006073547A (en) Surface-mounting led
KR20080048492A (en) Light emitting diodes and lasers diodes with color converters
US20130153952A1 (en) Light emitting device, and package array for light emitting device
JP3138795U (en) Semiconductor light emitting device and planar light source using semiconductor light emitting device
KR100667504B1 (en) Light emitting device package and method for fabricating the same
JP2007116095A (en) Light-emitting apparatus
JP2004281606A (en) Light emitting device and its manufacturing method
US9159893B2 (en) Light emitting device including lead having terminal part and exposed part, and method for manufacturing the same
JP2005064111A (en) High luminance light emitting diode
US9615493B2 (en) Light emitting device, and method for manufacturing circuit board
US20130153942A1 (en) Light emitting device, circuit board, packaging array for light emitting device, and method for manufacturing packaging array for light emitting device
US20150076541A1 (en) Light-emitting device
JP5286122B2 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing semiconductor light emitting device
KR100754884B1 (en) Light-emitting device and method of manufacturing the same
JP5696441B2 (en) Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, and package array for light emitting device
KR101423455B1 (en) Led package and method for fabricating the same