JP2013038221A - Light emitting device - Google Patents
Light emitting device Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013038221A JP2013038221A JP2011173060A JP2011173060A JP2013038221A JP 2013038221 A JP2013038221 A JP 2013038221A JP 2011173060 A JP2011173060 A JP 2011173060A JP 2011173060 A JP2011173060 A JP 2011173060A JP 2013038221 A JP2013038221 A JP 2013038221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting device
- emitting element
- sealing resin
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Abstract
Description
本発明は、全方位出射型発光デバイスにおいて出射した光を外部に関する。 The present invention relates to light emitted from an omnidirectional light emitting device.
発光デバイス、特に全方位出射型発光デバイスでは、その発光効率を向上させることが肝要である。発光デバイスの発光効率向上策としては、発光層で発光する際の内部量子効率の向上と同様、発光した光を外部に取り出す際の光取出し効率の向上も重要である。 In a light emitting device, particularly an omnidirectional light emitting device, it is important to improve the light emission efficiency. As a measure for improving the light emission efficiency of the light emitting device, it is also important to improve the light extraction efficiency when taking out the emitted light to the outside as well as improving the internal quantum efficiency when emitting light in the light emitting layer.
かかる問題に対処した従来技術として、特許文献1の発光デバイスがある。
特許文献1に開示された発光デバイスを図27に図示する。
特許文献1に記載された発光デバイス800は、表面、裏面の両面から光を出射する発光素子810をボンディングワイヤ840によりリードフレーム830に接続し、発光素子810を懸垂状に設置する。そして、透明封止樹脂850により、一体的に結合された発光素子810とボンディングワイヤ840とリードフレーム830の一部とを覆い360°で発光できる発光デバイス800を構成し、発光素子810から放射された光に対する遮蔽物を極力排除して、光取出し効率の向上を図っている。
As a conventional technique that addresses such a problem, there is a light-emitting device disclosed in Patent Document 1.
The light emitting device disclosed in Patent Document 1 is shown in FIG.
In a
しかしながら、上記特許文献1に記載された発光デバイス800では、リードフレーム830の一部が透明封止樹脂850内に存在して光路を遮断している。そのため、リードフレーム830が発光素子810からの光の一部を吸収して損失となったり、リードフレーム830で反射した光が発光素子810に再入射して、発光素子810内で吸収され損失となったりするおそれがある。したがって、特許文献1の発光デバイス800も光取出し効率という観点からは不十分であるという問題がある。
However, in the
また、特許文献1と同様に、全方位出射型を採用して光取出し効率の改善を図った発光デバイスとして、特許文献2の発光デバイスがある。 Similarly to Patent Document 1, there is a light emitting device disclosed in Patent Document 2 as a light emitting device that employs an omnidirectional emission type to improve light extraction efficiency.
特許文献2に記載された発光デバイスを図28に図示する。
特許文献2に記載された発光デバイス900は、表面、裏面の両面から光を出射する発光素子910を透明基板920上に実装し、それらをリード端子930、ボンディングワイヤ940、942とともに略球形の透明封止樹脂950に埋設して、光を全周方向に放射させることにより、光取出し効率の向上を図っている。
The light emitting device described in Patent Document 2 is shown in FIG.
In the
特許文献2の発光デバイス900では、透明封止樹脂950を球形状とすることにより、透明封止樹脂950の中央に埋設された発光素子910から出射した光の光軸と、透明封止樹脂950とその周囲の空気層との界面が互いに垂直に近い状態で均質化され、光取り出し効率が向上するという効果がある。
In the
しかしながら、上記特許文献2に記載された発光デバイス900も、上述の特許文献1と同様、リード端子930の一部が透明封止樹脂950内に存在して光路を遮断している。そのため、リード端子930が発光素子910からの光の一部を吸収して損失となったり、リード端子930で反射した光が発光素子910に再入射して、発光素子910内で吸収され損失となったりするおそれがある。したがって、特許文献2の発光デバイス900も特許文献1同様、光取出し効率という観点からは不十分であるという問題がある。
However, also in the
上述した特許文献1あるいは特許文献2の発光デバイスに共通する問題点は、透明封止樹脂内にフレームあるいは端子が存在するため、それらが発光素子からの光を遮ったり、
光路を変更したりすることにより損失が発生し、その分光の取出し効率の低下をまねいているという点である。
The problem common to the light-emitting device of Patent Document 1 or Patent Document 2 described above is that a frame or a terminal is present in the transparent sealing resin, so that they block light from the light-emitting element,
The loss is caused by changing the optical path, and the efficiency of taking out the spectrum is reduced.
本発明は、以上のような背景技術に鑑み、全方位出射型発光デバイスにおいて、透明封止樹脂内から、発光素子より出射された光の光路を遮る要因となる物を極力排除し、さらなる光取出し効率の向上を図ることを目的としている。 In view of the background art as described above, the present invention eliminates, as much as possible, an object that obstructs an optical path of light emitted from a light emitting element from within a transparent sealing resin in an omnidirectional light emitting device. The purpose is to improve the extraction efficiency.
上述した課題を解決するために、本発明による発光デバイスは、下記に記載の手段を採用する。すなわち本発明の発光デバイスは、発光素子と、発光素子を埋設する透光性部材と、一端が発光素子に接続され、他端が透光性部材の外部へと引き出された1対の接続線とを有することを特徴とする。
ここで、本発明において「接続線」とは、Alワイヤ、Auワイヤ等の一般的なボンディングワイヤ、もしくはAuリボン等の線状あるいは帯状の発光素子接続媒体を意味する。
In order to solve the above-described problems, the light-emitting device according to the present invention employs the following means. That is, the light-emitting device of the present invention includes a light-emitting element, a translucent member in which the light-emitting element is embedded, a pair of connection lines in which one end is connected to the light-emitting element and the other end is drawn to the outside of the translucent member. It is characterized by having.
Here, the “connection line” in the present invention means a general bonding wire such as an Al wire or an Au wire, or a linear or belt-like light emitting element connection medium such as an Au ribbon.
また、本発明による発光デバイスは、接続線の一端が、発光素子が実装されているサブマウントを介して発光素子に接続されてもよい。 In the light emitting device according to the present invention, one end of the connection line may be connected to the light emitting element through a submount on which the light emitting element is mounted.
また、本発明による発光デバイスは、1対の接続線の他端がそれぞれ接続される1対のリードフレームをさらに有してもよい。 The light emitting device according to the present invention may further include a pair of lead frames to which the other ends of the pair of connection lines are respectively connected.
また、本発明による発光デバイスは、1対のリードフレームの少なくとも一方の、接続線の他端に接続される側の端面が、発光素子から出射する光の光軸に対し、垂直とならないようにしてもよい。 In addition, the light emitting device according to the present invention prevents the end surface of at least one of the pair of lead frames connected to the other end of the connection line from being perpendicular to the optical axis of the light emitted from the light emitting element. May be.
また、本発明による発光デバイスは、透光性部材の中に発光素子から出射された光の波長を変換する波長変換材料を略均一に含んでいる波長変換部材で、発光素子の全周囲を覆われていることが好ましい。 In addition, the light emitting device according to the present invention is a wavelength conversion member that includes a wavelength conversion material that substantially uniformly converts the wavelength of light emitted from the light emitting element in the translucent member, and covers the entire periphery of the light emitting element. It is preferable that
また、本発明による発光デバイスは、上記波長変換部材をさらに透光性部材で全周囲を覆っていることが好ましい。 In the light emitting device according to the present invention, it is preferable that the wavelength conversion member is further covered with a translucent member.
また、本発明における透光性部材、もしくは波長変換部材の形状は、発光素子を中心とする球形状であることが好ましい。 In addition, the shape of the translucent member or the wavelength conversion member in the present invention is preferably a spherical shape centering on the light emitting element.
また、本発明における波長変換部材の形状は、透光性部材と略同心の球形状であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the shape of the wavelength conversion member in this invention is a spherical shape substantially concentric with a translucent member.
発光デバイスを、発光素子と、発光素子を埋設する透光性部材と、一端が発光素子に接続され、他端が透光性部材の外部へと引き出された1対の接続線とで構成することにより、透光性部材内部に存在する、発光素子から出射された光の光路を遮る要因となる物を最
大限排除することが可能となる。
すなわち、本発明は、透明封止樹脂内に光の遮蔽物が存在した場合、その遮蔽物における光の吸収あるいは反射が、比較的大きな光取出し効率の低下をまねいているという本発明者らが見出した知見に基づいている。
The light-emitting device includes a light-emitting element, a translucent member in which the light-emitting element is embedded, and a pair of connection lines with one end connected to the light-emitting element and the other end drawn out of the translucent member. As a result, it is possible to eliminate as much as possible the factors present in the translucent member that obstruct the optical path of the light emitted from the light emitting element.
That is, according to the present invention, when there is a light shielding object in the transparent sealing resin, the present inventors have said that light absorption or reflection at the shielding object causes a relatively large decrease in light extraction efficiency. Based on findings found.
上記知見に基づき、本発明による発光デバイスは、従来透明封止樹脂内に配されていたフレームあるいは端子を透明封止樹脂内から排除した。そして、透明封止樹脂内には必要最低限の発光素子接続媒体としての接続線のみを配することにより、上記要因による光取出し効率の低下を極限まで防ぐことが可能となった。 Based on the above knowledge, the light-emitting device according to the present invention excludes the frame or the terminal that has been conventionally arranged in the transparent sealing resin from the transparent sealing resin. In addition, by providing only the minimum connection line as the light emitting element connection medium in the transparent sealing resin, it is possible to prevent the light extraction efficiency from being lowered due to the above factors to the limit.
また、本発明の発光デバイスは、1対のリードフレームの少なくとも一方の、接続線の他端に接続される側の端面が、発光素子から出射する光の光軸に対し、垂直とならないようにすることもできる。このような発光デバイスによれば、発光デバイスをボンディングワイヤのような接続線からさらにリードフレームのような接続端子に接続して構成するような場合であっても、透明封止樹脂内に遮蔽物としてのリードフレームが存在せず、かつ発光素子から出射した光が発光素子と対峙するリードフレームの端面において反射し、透明封止樹脂あるいは発光素子に再入射するのを防ぐことが可能になる。 Further, in the light emitting device of the present invention, at least one of the pair of lead frames, the end face on the side connected to the other end of the connection line is not perpendicular to the optical axis of the light emitted from the light emitting element. You can also According to such a light-emitting device, even if the light-emitting device is configured by connecting a connection line such as a bonding wire to a connection terminal such as a lead frame, a shielding object is provided in the transparent sealing resin. As a result, it is possible to prevent the light emitted from the light emitting element from being reflected on the end face of the lead frame facing the light emitting element and reentering the transparent sealing resin or the light emitting element.
したがって、透明封止樹脂あるいは発光素子に再入射した光が損失となり、光の取出し効率が低下するのを抑制することが可能となる。 Therefore, it is possible to suppress the light re-incident on the transparent sealing resin or the light emitting element from being lost and the light extraction efficiency from being lowered.
以下、図面を用いて本発明を適用した発光デバイスの実施形態を説明する。
以下の説明では、同一の部品および構成要素には同一の符号を付してある。従って、それらの名称および機能も同じであるので、それらについての詳細な説明は繰り返さない。
また、以下の図面においては、各部構成の寸法比率は説明に応じて適宜誇張して描かれており、必ずしも実際の寸法比率を示すものではない。
Hereinafter, an embodiment of a light emitting device to which the present invention is applied will be described with reference to the drawings.
In the following description, the same parts and components are denoted by the same reference numerals. Therefore, since their names and functions are also the same, detailed description thereof will not be repeated.
Moreover, in the following drawings, the dimensional ratio of each component is exaggerated as appropriate according to the description, and does not necessarily indicate the actual dimensional ratio.
(第一の実施形態)
図1、図2を用いて本発明の第一の実施形態を説明する。本実施形態に係る発光デバイス100は、発光素子110、接続線としてのボンディングワイヤ120、透光性部材としての透明封止樹脂130から構成される。
(First embodiment)
A first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The
発光素子110は表面および裏面の両面から出射するタイプの発光ダイオード(LED)であり、例えば、サファイア等の透明基板上にN型層、発光層、P型層をこの順に積層したものを用いることができる。発光素子110の表面上の正極、負極の電極にボンディングワイヤ120が接続され、発光素子110とボンディングワイヤ120の一部を球形状の透明封止樹脂130で覆っている。発光素子110、透明封止樹脂130の大きさは特に限定されるものではないが、一例として、発光素子110の縦×横×厚さを0.3mm×0.3mm×200μm、透明封止樹脂130の直径を1.5mm程度とすることができる。
The
透明封止樹脂130としては、透光性のあるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などを用いることができる。
また、ボンディングワイヤ120としては、20〜30μmφ程度のAuワイヤ、Alワイヤ等の一般的な材料を用いることができる。あるいは、発光素子110に流れる電流条件によっては、Auリボン等を用いてもよい。その際、ボンディングワイヤあるいはリボンの太さないし幅は、発光素子110からの光を極力遮らないように、必要最低限のサイズとすることが肝要である。
As the
Further, as the
上述のようにして構成した発光デバイス100は、両ボンディングワイヤ120に所定の電源を接続することにより、発光デバイス100の360°全方向に光を出射する全方向出射型発光デバイスとなる。LEDは側面からも発光するからである。
The
かかる発光デバイス100とすることにより、発光素子の表面、裏面のいずれか1面から光を出射する場合に比べて光の取り出し効率を向上させることができる。発光素子110内に、損失の原因となる、光路を折り返すための反射部分、すなわち1面から光を出射させる場合に、光出射面に対し発光層と反対側に設ける反射ミラー等が存在しないからである。
By setting it as this
さらに、本発明による発光デバイス100は、従来透明封止樹脂130内に配されていたフレームあるいは端子を透明封止樹脂130内から排除した。そして、透明封止樹脂130内には必要最低限の発光素子接続線としてのボンディングワイヤ120のみを配することにより、光取出し効率の低下を防ぐことを可能としている。これは、透明封止樹脂内に光の遮蔽物が存在した場合、その遮蔽物における光の吸収あるいは反射が、比較的大きな光取出し効率の低下をまねいているという本発明者らが見出した知見に基づいている。
Further, in the
また、本実施形態では、透明封止樹脂130を球形状とすることにより、透明封止樹脂130の中央に配された発光素子110から出射した光の光軸と、透明封止樹脂130とその周囲の空気層との界面が互いに垂直に近い状態で均質化され、光取り出し効率がより向上するという効果もある。
In the present embodiment, the
上記のように構成した発光デバイス100を、基板140に実装した場合の断面図を図3に図示する。発光デバイス100は、照明等の用途に応じて、透明封止樹脂130の外部へと導出されたボンディングワイヤ120を、基板140の配線層142に超音波熱圧着等一般的なボンディング方法で接続することにより実装することができる。
基板140としては、ガラスエポキシ基板、フレキシブル基板、SiC等のセラミック基板、金属基板等を用いることができる。基板140の表面は、発光素子110より基板140に向けて出射された光を前方(発光素子110の方向)に反射すべく、全面を反射性に形成してもよい。
A cross-sectional view of the
As the
本実施形態では、基板140をガラスエポキシ基板とし、ガラスエポキシ基板上に絶縁層160を設け、その上に配線層142を設けている。
基板140の表面を反射性にするためには、例えば、白色顔料を含有した樹脂を塗布して絶縁層160を形成すればよい。また、配線層142も反射率を高くすべく、銅配線にNiメッキ、その上にAgメッキを施したものを好適に用いることができる。
In this embodiment, the
In order to make the surface of the
上述のように、本発明では、発光デバイス100を、発光素子110と、発光素子110を埋設する透明封止樹脂130と、一端が発光素子110に接続され、他端が透明封止樹脂130の外部へと引き出された1対のボンディングワイヤ120とで構成することにより、透明封止樹脂130内部に存在する、発光素子110から出射された光の光路を遮る要因となる物を最大限排除した。
As described above, in the present invention, the
すなわち、本発明では、透明封止樹脂130内には、発光素子110以外の構成としてボンディングワイヤ120のみを配し、かつ、そのボンディングワイヤ120をそのまま透明封止樹脂130外へと引き出して、基板等へ直接実装可能な構成としている。このような本発明の構成によれば、透明封止樹脂130の内外において、発光デバイスから出射した光に対する影響が無視し得る程度であるボンディングワイヤ120のみが存在することになり、しかもそのボンディングワイヤ120を必要最低限の太さとすることにより、全方位出射型発光デバイスにおいて、光取出し効率の低下を極限まで防ぐという効果を奏することができる。
That is, in the present invention, only the
(第一の実施形態の第一の変形例)
図4、図5を用いて本発明の第一の実施形態の第一の変形例を説明する。本変形例に係る発光デバイス200は、透明封止樹脂230の形状を球形状から四角柱形状とした点が第一の実施形態と異なる。それ以外の構成は第一の実施形態と同様であり、各構成は同様の機能を有する。
(First modification of the first embodiment)
A first modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. The
本変形例によっても、透明封止樹脂230内に、必要最低限の構成である発光素子接続線としてのボンディングワイヤ120のみが配されることになり、光取出し効率の低下を極限まで防ぐという第一の実施形態と同様の効果を奏することができる。本変形例で例示するように、透明封止樹脂230の形状は、発光デバイス200の配光等を考慮して任意に選択することが可能である。
Also according to this modification, only the
(第一の実施形態の第二の変形例)
図6を用いて本発明の第一の実施形態の第二の変形例を説明する。本変形例に係る発光デバイス250は、発光素子110をサブマウント260にフリップチップ実装し、サブ
マウント260の背面に接続線としてのボンディングワイヤ120を接続し、ボンディングワイヤ120の一部を除き全体を透明封止樹脂130で覆って構成している。
(Second modification of the first embodiment)
A second modification of the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the
サブマウント260は、透光性を有するシリカガラス等で形成し、その表面、裏面および側面に、サブマウント260の表面および裏面を接続する配線層をAuスパッタ等で形成している(図示せず)。
The
本変形例によっても、透明封止樹脂130内に、必要最低限の構成である発光素子接続線としてのボンディングワイヤ120のみが配されることになり、光取出し効率の低下を極限まで防ぐという第一の実施形態と同様の効果を奏することができる。さらに、本変形例では、発光素子110がより扱い易くなるという効果がある。
ここで、本発明による発光デバイスの製造方法について説明する。
Also according to this modification, only the
Here, a method for manufacturing a light emitting device according to the present invention will be described.
[発光デバイス100の製造方法1]
図1に示す発光デバイス100の製造工程を図7ないし図12を用いて説明する。
まず、図7に図示するように、素子把持部532およびワイヤ把持部534を備えたジグ530の、素子把持部532で発光素子110を固定する。
[Method 1 for Manufacturing Light-Emitting Device 100]
A manufacturing process of the
First, as illustrated in FIG. 7, the
つぎに、図8に図示するように、発光素子110の電極にボンディングワイヤ120を接続し、ボンディングワイヤ120の他端をワイヤ把持部534で固定する。この時のワイヤの形状は、発光デバイス100の最終形態として必要な長さを確保すべくループを大きくとる。
Next, as illustrated in FIG. 8, the
つぎに、図9に図示するように、素子把持部532の固定を解除するとワイヤの弾性で発光素子110は押し上げられる。
Next, as shown in FIG. 9, when the fixing of the
つぎに、図10に図示するように、発光素子110の周囲に透明封止樹脂130を数回滴下する。この滴下の過程において、透明封止樹脂130は表面張力により発光素子110を中心とした球形状となる。
Next, as illustrated in FIG. 10, the
つぎに、図11に図示するように、ワイヤ把持部534の固定を解除し、ボンディングワイヤ120を開放する。
以上の製造工程により、図12に図示するごとく、発光デバイス100を得ることができる。
Next, as shown in FIG. 11, the fixing of the
Through the above manufacturing process, the
[発光デバイス100の製造方法2]
図1に示す発光デバイス100の製造工程の別法を図13ないし図16を用いて説明する。
まず、図13に図示するように、ワイヤ把持部542を備えたジグ540とステージ520を準備する。そして、ステージ520に発光素子110を吸引固定もしくは、樹脂、粘着テープ等で仮固定して、ジグ540と位置合わせする。
[Method 2 for Manufacturing Light-Emitting Device 100]
Another method for manufacturing the
First, as shown in FIG. 13, a
つぎに、図14に図示するように、発光素子110の電極にボンディングワイヤ120を接続し、ボンディングワイヤ120の他端をワイヤ把持部542で固定する。
つぎに、図15に図示するように、ステージ520による吸着を解除して、あるいはステージ520と発光素子110との間の樹脂あるいは粘着テープを剥離してステージ520を取り除く。
Next, as illustrated in FIG. 14, the
Next, as shown in FIG. 15, the suction by the
つぎに、図16に図示するように、発光素子110の周囲に透明封止樹脂130を数回滴下すると、透明封止樹脂130は表面張力により発光素子110を中心とした球形状と
なる。
Next, as illustrated in FIG. 16, when the
つぎに、図11と同様に、ワイヤ把持部542の固定を解除し、ボンディングワイヤ120を開放する。
以上の製造工程により、図12に図示するごとく、発光デバイス100を得ることができる。
Next, similarly to FIG. 11, the fixing of the
Through the above manufacturing process, the
(第二の実施形態)
図17を用いて本発明の第二の実施形態を説明する。本実施形態に係る発光デバイス600は、発光素子110をボンディングワイヤ620により接続端子としてのリードフレーム610に接続している。そして、ボンディングワイヤ620の一部は透明封止樹脂130で封止するが、リードフレーム610は封止しない点に本発明の特徴がある。リードフレーム610が透明封止樹脂130内に存在すると、その部分における光の吸収あるいは反射が光の取出し効率低下の要因となるからである。
リードフレーム610の材料としては、例えばCuコアにAuコートしたものを用いることができる。
(Second embodiment)
A second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. In the
As a material of the
以上のように、リードフレームを用いた発光デバイスにおいては、従来リードフレームの一部を透明封止樹脂内に封止していたが、本発明では、このリードフレームもあえて透明封止樹脂の外部に配した。そして、発光素子とリードフレームとの間を、発光デバイスから出射した光に対する影響が無視し得る程度である接続線としてのボンディングワイヤで接続している。 As described above, in a light emitting device using a lead frame, a part of the conventional lead frame is sealed in a transparent sealing resin. However, in the present invention, this lead frame is also intentionally provided outside the transparent sealing resin. Arranged. Then, the light emitting element and the lead frame are connected by a bonding wire as a connection line that has a negligible influence on the light emitted from the light emitting device.
したがって、本実施形態によっても、透明封止樹脂130内に、必要最低限の構成である発光素子接続線としてのボンディングワイヤ620のみが配されることになり、光取出し効率の低下を極限まで防ぐという第一の実施形態と同様の効果を奏することができる。
さらに、本実施形態では、発光デバイス600の実装構造がより強固になるという効果がある。
Therefore, also according to the present embodiment, only the
Furthermore, in this embodiment, there is an effect that the mounting structure of the
[発光デバイス600の製造方法]
ここで、図17に示す発光デバイス600の製造工程を図18ないし図23を用いて説明する。
[Method for Manufacturing Light-Emitting Device 600]
Here, a manufacturing process of the
まず、図18に図示するように、ステージ520に発光素子110を吸引固定もしくは、樹脂、粘着テープ等で仮固定して、リードフレーム610と位置合わせする。
つぎに、図19に図示すように、ボンディングワイヤ620で発光素子110の電極とリードフレーム610とを接続する。
First, as illustrated in FIG. 18, the
Next, as shown in FIG. 19, the electrode of the
つぎに、図20に図示するように、ステージ520による吸着を解除して、あるいはステージ520と発光素子110との間の樹脂あるいは粘着テープを剥離してステージ520を取り除く。
Next, as shown in FIG. 20, the suction by the
つぎに、図21に図示するように、発光素子110の周囲に透明封止樹脂130を数回滴下すると、透明封止樹脂130は表面張力により発光素子110を中心とした球形状となる。
以上の製造工程により、図17に図示する発光デバイス600を得ることができる。
Next, as illustrated in FIG. 21, when the
Through the above manufacturing process, the light-emitting
ここで、透明封止樹脂130を球形状に形成する別法について説明する。
図22に別法の一例を図示する。
図22に図示する方法では、まず半球形状の透光性樹脂630をジグ660で固定し、
その透光性樹脂630上に透明ダイボンドペースト640等で発光素子110をダイボンディングする。そして、発光素子110とリードフレーム610とをボンディングワイヤ620で接続する。しかる後に、発光素子110および透光性樹脂630上に、透明封止樹脂130を数回滴下して半球形状とし、発光デバイス600を得ることができる。
Here, another method for forming the
FIG. 22 shows an example of another method.
In the method illustrated in FIG. 22, first, a hemispherical
The
図23に透明封止樹脂130を球形状に形成する別法の他の例を図示する。
図23に図示する方法では、それぞれ半球形状の凹部を有する金型650の組を準備し、それらの金型を組み合わせて、リードフレーム610にボンディングワイヤ620で接続された発光素子110を取り囲む球形状の空間を形成する。その空間に透明封止樹脂130を注入することにより、発光素子110が球形状の透明封止樹脂130に取り囲まれた発光デバイス600を得ることができる。
FIG. 23 illustrates another example of another method for forming the
In the method illustrated in FIG. 23, a set of
(第三の実施形態)
図24を用いて本発明の第三の実施形態を説明する。本実施形態に係る発光デバイス700は、第二の実施形態においてリードフレームの形状を変えたものであり、リードフレーム710の端面を加工して、カーブ712を設けている。その他の構成については第二の実施形態と同様であり、各構成は同様の機能を有する。
(Third embodiment)
A third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The
第二の実施形態では、リードフレーム610を封止しないように構成して、リードフレーム610における光の吸収あるいは反射によって光の取出し効率が低下するのを抑制するようにしていた。
In the second embodiment, the
上記のように、リードフレーム610を透明封止樹脂130内から排除することにより、本発明の目的は達成することができるのであるが、本実施形態では、わずかながら存在する透明封止樹脂130外のリードフレーム610における反射の影響をも抑制し、光の取出し効率をさらに向上させるようにしている。
As described above, by removing the
上記目的を達成するため、本実施形態では、図24に図示するように、透明封止樹脂130の外部に引き出されたボンディングワイヤ620に接続される側のリードフレーム710の端面を加工して、カーブ712を設けている。リードフレーム710の端面をこのように加工することにより、発光素子110から、リードフレーム710の発光素子110と対峙する端面に向けて出射し、その端面で反射する光の光路を透明封止樹脂130に戻らないように変更する。
In order to achieve the above object, in this embodiment, as shown in FIG. 24, the end surface of the
リードフレーム710の端面の加工はカーブに限らず傾斜であってもよい。要は、リードフレーム710の端面が、発光素子110から出射する光の光軸に対して垂直とならないようにされていれば、本発明の目的を達成することができる。
The processing of the end face of the
上記の構成によって、透明封止樹脂130外のリードフレーム710の端面で反射した光が透明封止樹脂130内、あるいは発光素子110内で吸収され、損失となって、光の取出し効率が低下するのを抑制することができる。
With the above configuration, the light reflected by the end face of the
(第四の実施形態)
図25を用いて本発明の第四の実施形態を説明する。本実施形態に係る発光デバイス300は、図1に図示する第一の実施形態の発光デバイス100において、透明封止樹脂130に蛍光体粒子310を略均一に含有させて構成している。その他の構成については第一の実施形態と同様であり、各構成は同様の機能を有する。
(Fourth embodiment)
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The
発光デバイスにおいては、発光素子から出射した光を蛍光体により波長変換し、白色光等のさまざまな色を得るということが一般的に行われている。このような発光デバイスに
おいては、発光素子を埋設する透明封止樹脂に蛍光体を一様に含有させることにより、発光素子の周囲に配された蛍光体が、発光素子から出射された光の一部を吸収して他の色の光を発光し波長変換する。発光デバイスは、波長変換された光と発光素子から直接出射された光との混合等により所望の色を放射する。
In a light emitting device, it is a common practice to change the wavelength of light emitted from a light emitting element with a phosphor to obtain various colors such as white light. In such a light-emitting device, the phosphor disposed uniformly around the light-emitting element is made to contain one of the light emitted from the light-emitting element by uniformly including the phosphor in the transparent sealing resin in which the light-emitting element is embedded. The part is absorbed and light of other colors is emitted to convert the wavelength. The light emitting device emits a desired color by mixing the wavelength-converted light and the light directly emitted from the light emitting element.
本実施形態は、本発明をこのような波長変換型発光デバイスに適用したものである。
発光素子110、蛍光体粒子310の材料等は特に限定されないが、一例として、発光素子110を波長450nm程度(青色)のInGaN等の窒化物系化合物半導体とし、蛍光体粒子310を青色光を吸収して黄色光を発光するYAG(イットリウム・アルミニウム・ガーネット)系蛍光体とし、発光デバイス300の発光色を疑似白色とすることができる。
In the present embodiment, the present invention is applied to such a wavelength conversion type light emitting device.
The material of the
本実施形態で例示するように、本発明は、波長変換型発光デバイスに適用した場合においても、蛍光体粒子310を含有する透明封止樹脂130内に、必要最低限の構成である発光素子接続線としてのボンディングワイヤ120のみが配されることになり、光取出し効率の低下を極限まで防ぐという第一の実施形態と同様の効果を奏することができる。
As exemplified in the present embodiment, even when the present invention is applied to a wavelength conversion type light emitting device, a light emitting element connection having a minimum necessary configuration is included in the
(第五の実施形態)
図26を用いて本発明の第五の実施形態を説明する。本実施形態に係る発光デバイス400は、波長変換部材としての蛍光体層410を発光素子110の全周囲に設け、さらにその全周囲を透明封止樹脂130で覆って構成している。
本実施形態は、第四の実施形態において、さらに光取出し効率の向上を企図したものである。
(Fifth embodiment)
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. The
The present embodiment is intended to further improve the light extraction efficiency in the fourth embodiment.
蛍光体層410としては、例えば蛍光体粒子を含有させた透明封止樹脂を用いることができる。蛍光体粒子を分散させる透明封止樹脂は、透明封止樹脂130と同じものであることが好ましい。
As the
発光素子110、蛍光体層410の材料等は特に限定されないが、一例として、第四の実施形態における例示と同様とすることができる。
本実施形態では、蛍光体層410の形状を、球形状の透明封止樹脂130と略同心の球形状としている。しかしながら、これに限定されず、発光素子110の面に沿って一様の厚さとすることもできる。
The materials of the
In the present embodiment, the
本実施形態の発光デバイス400は、発光素子110にボンディングワイヤ120をボンディングした後、蛍光体粒子310を含有させた透明封止樹脂を滴下して球形状に固化させ蛍光体層410を形成し、ついで透明封止樹脂130で球形状に封止して得ることができる。
In the
上記のように構成された発光デバイス400によれば、つぎのような効果を得ることができる。
すなわち、図25に図示する第四の実施形態のように、発光素子の周囲に配された透明封止樹脂に蛍光体粒子を一様に含有させた場合には、透明封止樹脂とその周囲の空気層との界面近傍まで蛍光体粒子が存在するため、透明封止樹脂とその周囲の空気層との界面近辺まで蛍光体粒子による散乱が発生する。散乱する方向がさまざまであることに起因して、透明封止樹脂から空気層へ入射する場合の臨界角以上となる光線の割合が多くなり、透明封止樹脂と空気層との界面で全反射する光が増える。全反射した光は、全反射を繰り返すうちに発光デバイス内で吸収され、結果的に光取出し効率の低下をまねくおそれがあった。
According to the
That is, as in the fourth embodiment illustrated in FIG. 25, when the phosphor particles are uniformly contained in the transparent sealing resin arranged around the light emitting element, the transparent sealing resin and its surroundings Since the phosphor particles exist up to the vicinity of the interface with the air layer, scattering by the phosphor particles occurs up to the vicinity of the interface between the transparent sealing resin and the surrounding air layer. Due to the various scattering directions, the ratio of light rays exceeding the critical angle when entering from the transparent sealing resin to the air layer increases, and total reflection occurs at the interface between the transparent sealing resin and the air layer. The light to be increased. The totally reflected light is absorbed in the light emitting device while repeating the total reflection, and as a result, the light extraction efficiency may be lowered.
図29は上述の問題を発光素子から出射された光線の光路により説明した図である。図29においては、発光デバイス970内の発光素子972より出射された光が、透明封止樹脂974に略均一に含有された蛍光体粒子976によって反射され、さらに透明封止樹脂974と空気層との界面で全反射する様子を黒矢印で示している。点線の矢印は、蛍光体粒子976がない場合の光線の光路を示す。
特に球形状の透明封止樹脂を用いる場合には、発光素子972より出射した光が透明封止樹脂974と空気層の界面に対して等方的に略垂直に入射することにより、全反射を抑えて光の損失を低減するという特性を生かし切れなくなるおそれがある。
FIG. 29 is a diagram illustrating the above-described problem by the optical path of the light beam emitted from the light emitting element. In FIG. 29, the light emitted from the
Particularly when a spherical transparent sealing resin is used, the light emitted from the
かかる問題に対し、本実施形態においては、発光素子110を覆い、発光素子110から出射された光の波長を変換する蛍光体層410を、発光素子110と透明封止樹脂130との間に設けたことで、透明封止樹脂130と空気層との界面に対して、蛍光体層410で波長変換された光束を点光源に近い状態とすることが可能となる。
For this problem, in the present embodiment, a
すなわち、発光素子110より出射した光は蛍光体層410の内部で散乱するものの、蛍光体層410が従来より薄く形成されているため光路を曲げられる頻度が減少する。蛍光体層410から出射した光は、その後透明封止樹脂130内を遮られることなく直進する。したがって、発光素子110は、透明封止樹脂130の外形に対して点光源に近い状態となる。
That is, although the light emitted from the
そのため、透明封止樹脂130から空気層へと入射する光線において臨界角以下の光線が増え、透明封止樹脂130と空気層との界面での全反射が低減される。その結果、波長変換タイプの発光デバイスにおいて、さらなる光取出し効率の向上を図ることが可能となる。
For this reason, light rays having a critical angle or less increase in light rays incident from the
なお、本発明の発光デバイスは、上記の構成に限定されるものではなく、種々の変形例や応用例が可能である。
すなわち、上記各実施形態のそれぞれで開示された内容は、任意に組み合わせて採用することが可能である。
The light emitting device of the present invention is not limited to the above configuration, and various modifications and applications can be made.
That is, the contents disclosed in each of the above embodiments can be arbitrarily combined and employed.
また、上記各実施形態においては、球形状と四角柱形状の透明封止樹脂を例示して説明したが、回転楕円体その他任意の形状の透明封止樹脂について本発明の適用が可能である。
さらに、上記各実施形態では、透明基板上に半導体層を積層した表裏面発光型の発光素子を例示して説明したが、薄膜LED等他の形態の発光素子にも本発明を適用することが可能である。
In each of the above embodiments, the transparent sealing resin having a spherical shape and a quadrangular prism shape is described as an example. However, the present invention can be applied to a transparent sealing resin having a spheroidal shape or any other shape.
Further, in each of the above embodiments, the front and back surface light emitting elements in which a semiconductor layer is laminated on a transparent substrate have been exemplified and described. However, the present invention can also be applied to other forms of light emitting elements such as thin film LEDs. Is possible.
100 発光デバイス
110 発光素子
120 ボンディングワイヤ
130 透明封止樹脂
140 基板
142 配線層
160 絶縁層
200 発光デバイス
230 透明封止樹脂
250 発光デバイス
260 サブマウント
300 発光デバイス
310 蛍光体粒子
400 発光デバイス
410 蛍光体層
520 ステージ
530 ジグ
532 素子把持部
534 ワイヤ把持部
540 ジグ
542 ワイヤ把持部
600 発光デバイス
610 リードフレーム
620 ボンディングワイヤ
630 透光性樹脂
640 透明ダイボンドペースト
650 金型
660 ジグ
700 発光デバイス
710 リードフレーム
712 カーブ
800 発光デバイス
810 発光素子
830 リードフレーム
840 ボンディングワイヤ
850 透明封止樹脂
900 発光デバイス
910 発光素子
920 透明基板
930 リード端子
940、942 ボンディングワイヤ
950 透明封止樹脂
970 発光デバイス
972 発光素子
974 透明封止樹脂
976 蛍光体粒子
DESCRIPTION OF
Claims (8)
該発光素子を埋設する透光性部材と、
一端が前記発光素子に接続され、他端が前記透光性部材の外部へと引き出された1対の接続線と、を有する発光デバイス。 A light emitting element;
A translucent member in which the light emitting element is embedded;
A light-emitting device having a pair of connection lines with one end connected to the light-emitting element and the other end drawn out of the translucent member.
The light emitting device according to claim 7, wherein the wavelength conversion member has a spherical shape substantially concentric with the translucent member.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011173060A JP5745970B2 (en) | 2011-08-08 | 2011-08-08 | Light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2011173060A JP5745970B2 (en) | 2011-08-08 | 2011-08-08 | Light emitting device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013038221A true JP2013038221A (en) | 2013-02-21 |
JP5745970B2 JP5745970B2 (en) | 2015-07-08 |
Family
ID=47887546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011173060A Expired - Fee Related JP5745970B2 (en) | 2011-08-08 | 2011-08-08 | Light emitting device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5745970B2 (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013179623A1 (en) * | 2012-05-31 | 2016-01-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | LED module |
Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186467A (en) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Matsushita Electron Corp | Semiconductor device, lead frame used at manufacturing the device, and manufacture of lead frame |
JP2000315823A (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Runaraito Kk | Light emitting diode and manufacture thereof |
JP2004228387A (en) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Koha Co Ltd | Light emitting device |
JP2005191138A (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | Light-emitting device |
JP2006278924A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit |
JP2007081046A (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Wen-Gung Sung | Multi-directional light emitting diode |
JP2007207895A (en) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Kyocera Corp | Light emitting device and light emitting module |
CN101026206A (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-29 | 亿光电子工业股份有限公司 | White light-emitting diode package structure |
JP2007250979A (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Zeniya Sangyo Kk | Semiconductor package |
JP2007273763A (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sony Corp | Semiconductor device and its manufacturing method |
WO2009145298A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | シャープ株式会社 | Light emitting device, planar light source, liquid crystal display device and method for manufacturing light emitting device |
KR20100005408A (en) * | 2008-07-07 | 2010-01-15 | 삼성전기주식회사 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
-
2011
- 2011-08-08 JP JP2011173060A patent/JP5745970B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186467A (en) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Matsushita Electron Corp | Semiconductor device, lead frame used at manufacturing the device, and manufacture of lead frame |
JP2000315823A (en) * | 1999-04-30 | 2000-11-14 | Runaraito Kk | Light emitting diode and manufacture thereof |
JP2004228387A (en) * | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Koha Co Ltd | Light emitting device |
JP2005191138A (en) * | 2003-12-24 | 2005-07-14 | Kyocera Corp | Light-emitting device |
JP2006278924A (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-12 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting unit |
JP2007081046A (en) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Wen-Gung Sung | Multi-directional light emitting diode |
JP2007207895A (en) * | 2006-01-31 | 2007-08-16 | Kyocera Corp | Light emitting device and light emitting module |
CN101026206A (en) * | 2006-02-23 | 2007-08-29 | 亿光电子工业股份有限公司 | White light-emitting diode package structure |
JP2007250979A (en) * | 2006-03-17 | 2007-09-27 | Zeniya Sangyo Kk | Semiconductor package |
JP2007273763A (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Sony Corp | Semiconductor device and its manufacturing method |
WO2009145298A1 (en) * | 2008-05-30 | 2009-12-03 | シャープ株式会社 | Light emitting device, planar light source, liquid crystal display device and method for manufacturing light emitting device |
KR20100005408A (en) * | 2008-07-07 | 2010-01-15 | 삼성전기주식회사 | Light emitting device and manufacturing method thereof |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2013179623A1 (en) * | 2012-05-31 | 2016-01-18 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | LED module |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5745970B2 (en) | 2015-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9882097B2 (en) | Optoelectronic semiconductor chip, optoelectronic semiconductor component, and a method for producing an optoelectronic semiconductor component | |
US9947848B2 (en) | Semiconductor light emitting device and method for producing the same | |
JP4918238B2 (en) | Light emitting device | |
JP5507821B2 (en) | Light emitting device | |
JP5068472B2 (en) | Method for manufacturing light emitting device | |
TWI505508B (en) | Led package with increased feature sizes | |
US7935978B2 (en) | Light emitting device and method for manufacturing the same | |
JP3978451B2 (en) | Light emitting device | |
JP4773755B2 (en) | Chip-type semiconductor light emitting device | |
JP2007242856A (en) | Chip-type semiconductor light emitting device | |
US9966509B2 (en) | Light emitting apparatus and lighting apparatus | |
JP5036222B2 (en) | Light emitting device | |
KR100659900B1 (en) | Device for emitting white light and fabricating method thereof | |
TW201727945A (en) | Light emitting device | |
JP4718405B2 (en) | Lighting equipment | |
JP2018019023A (en) | Light-emitting device and method for manufacturing the same | |
JP4847793B2 (en) | Light emitting device | |
JP6665143B2 (en) | Light emitting device manufacturing method | |
JP2007214592A (en) | Light emitting apparatus | |
JP2005064111A (en) | High luminance light emitting diode | |
JP4709405B2 (en) | Light emitting diode | |
JP5745970B2 (en) | Light emitting device | |
JP5749599B2 (en) | Light emitting device | |
US20170077362A1 (en) | Light-emitting apparatus and illumination apparatus | |
KR101655464B1 (en) | Light emitting device package, method for fabricating the same and lighting system including the same |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD07 | Notification of extinguishment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7427 Effective date: 20130531 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140514 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150127 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150319 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150414 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150507 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5745970 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |