JP2006278255A - 有機el素子及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 発光に寄与しないキャリアの密度を低減できる構成を備えた有機EL素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る有機EL素子は、陽極13、ホール注入層14、有機発光層15、及び陰極18を順に重ねてなる積層体を少なくとも備えた有機EL素子10であって、有機発光層15と陰極18との間にバッファ層17を配してなり、このバッファ層17は析出金属からなることを特徴とする。その際、前記析出金属としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの組合せが好ましい。
【選択図】 図1

Description

本発明は、有機EL素子及びその製造方法に係り、より詳細には、駆動低電圧化と高効率化、高輝度化を図ることが可能な、有機EL素子及びその製造方法に関する。
図6は、従来の有機EL素子の一例を示す模式的な断面図である。従来の高分子を用いた有機EL素子50にあっては、図6に示すように、高分子の有機発光層55をPEDOT/PSSからなる陽極54とCaなどの低仕事関数の陰極56で挟み込んだ構造が主流である(例えば、非特許文献1、非特許文献2参照)。
しかしながら、陰極を構成するCaは酸化されやすいことから、酸化されにくい高仕事関数の元素(例えば金属元素)をCaに置換して陰極に用いることが期待されている。
図7は、有機EL素子におけるホール電流損失を説明するエネルギーダイヤグラムを示す図である。図7に示すように、有機発光層が高分子からなる有機EL素子にあっては、陰極にAlやAgなどの高仕事関数の金属が用いられているため、陰極から有機発光層への電子注入障壁が大きい(図6)。そのため、電子が有機発光層に注入されず、高分子の有機発光層はホール輸送性のものが多いので、結果として過剰ホールが陽極から陰極へ流れてしまい、発光効率の低下を招く虞がある(例えば、非特許文献3、非特許文献4参照)。
ゆえに、発光に寄与しないキャリアの密度を低減することによって、高輝度化や高効率化が図れる構成を備えた有機EL素子及びその製造方法の開発が期待されていた。
「有機ELディスプレイにおける高輝度・高効率・長寿命化技術」、技術情報協会、第5章、p158〜159(2004) 「有機EL素子とその工業化最前線」、エヌ・ティー・エス、第2編、第4章、第4節、p181〜183 M.A.Baldo,et al,Appl.Phys.Lett.,75,4(1999) C.Adachi,et al,Appl.Phys.Lett.,77,904(2000)
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、発光に寄与しないキャリアの密度を低減できる構成を備えた有機EL素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の請求項1に係る有機EL素子は、陽極、ホール注入層、有機発光層、及び陰極を順に重ねてなる積層体を少なくとも備えた有機EL素子であって、前記有機発光層と前記陰極との間にバッファ層を配してなり、該バッファ層は析出金属からなることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る有機EL素子は、請求項1において、前記析出金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの組合せからなることを特徴とする。
本発明の請求項3に係る有機EL素子は、請求項1において、前記有機発光層は、3次元架橋構造を備えていることを特徴とする。
本発明の請求項4に係る有機EL素子の製造方法は、陽極、ホール注入層、有機発光層、及び陰極を順に重ねてなる積層体を少なくとも備えた有機EL素子の製造方法であって、前記有機発光層上に析出金属の生成能力を有する材料を形成する工程Aと、不活性ガスの雰囲気中において前記材料に対して熱処理を施し、該材料から析出金属を生成する工程Bと、前記析出金属を覆うように前記陰極を形成する工程Cと、を少なくとも具備したことを特徴とする。
本発明の請求項1に係る有機EL素子は、有機発光層と陰極との間にバッファ層を配し、このバッファ層を析出金属からなる構成とした。ゆえに、電極間に電圧を印加すると、陽極側からホール注入層に注入されたホールは、続いて有機発光層に注入され、バッファ層側へホッピング伝導していく。一方で、析出金属からなるバッファ層は低仕事関数なので、比較的容易にバッファ層から有機発光層へ電子注入が行われ、ホールが陰極に抜ける前に、大部分のホールと再結合することができる。よって、本発明によれば、発光に寄与しないキャリアの密度を低減できる構成を備えた有機EL素子の提供が可能となる。
本発明の請求項4に係る有機EL素子の製造方法は、まず工程Aにより、有機発光層上に、析出金属の生成能力を有する材料を溶剤に溶解させ、これを塗布することにより設ける。次いで、不活性ガスの雰囲気中において前記材料に対して熱処理を施すことにより、溶剤とともに材料中の不要な部位を分解揮発させて、該材料から析出金属を生成する。その後、この析出金属を覆うように陰極を形成する。ゆえに、熱処理にて析出金属が生成される際に酸化されること無く、安定して微細な粒径を有する析出金属が得られる。したがって、析出金属はその導電性能を十分に発揮できることから、本発明に係る製法は、高輝度かつ高効率発光の有機EL素子の安定した製造に寄与する。
以下では、本発明に係る有機EL素子の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明に係る有機EL素子の一例を示す模式的な断面図であり、分かりやすいように構成要素を適宜誇張して描いてある。
図1に示した有機EL素子は、基本的に基材12とその一面に設けられた導電層(陽極)13からなる基板11上に、導電層13と接して、ホール注入層14、有機発光層15、及び陰極18を順に重ねてなる積層体を少なくとも備えた有機EL素子10であり、さらに、有機発光層15と陰極18との間にバッファ層17を配してなり、このバッファ層17は析出金属からなる。
ここで、基材12としては、電気絶縁性を備えるとともに、発光層から外部へ発光した光の出射能力に優れた透過性を有する材料が好ましく、例えばガラスやPET(Polyethylene terephthalate)、PEN(Polyethylene naphthalate)などが挙げられる。
陽極として機能する導電層13は、表面粗さが数nm程度であり、抵抗の低いITO、IZO、FTO等からなる単層の透明導電膜や、耐熱性に優れたFTO/ITO積層体(ITOが下層、FTOが上層)が好ましい。
ホール注入層14は、PEDOT/PSS(独国/バイエル社製)、PETDHK/TBHFA(ケミプロ化成社製)などの材料から選択するとよい。
有機発光層15としては、例えば、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフェニレン誘導体などのπ共役系高分子や、ポリビニルカルバゾールやポリアルミニウムキノリート錯体などの非π共役系材料が好ましい。中でも、加熱や光による3次元架橋構造を付与できる材料を選択することにより、その上に塗布する溶液中の溶媒によって有機発光層が溶解してしまう問題を防ぐことができる。これによって、材料の自由度が増すことが期待できるので望ましい。具体的には、光で架橋するタイプとしては、C.David Mullerらが報告[Nature, 829-832, 421(2003)]している、ポリスパイロ系高分子材料などが挙げられる。また、熱で架橋するタイプとしては、J.H.Burroughesらが報告[Nature, 347(1990)539]している、前駆体水溶液から重合するポリパラフェニレンビニレンが例示される。
バッファ層17をなす析出金属を生成する材料としては、低仕事関数の金属、および金属塩からなるものが好ましい。金属としては、Li,Na,K,Sr,Csなどのアルカリ金属や、Mg,Ca,Baなどのアルカリ土類金属などの材料が挙げられる。また、ここで金属塩とは、アルカリ金属やアルカリ土類金属の塩を指しており、例えばMF,MCl,MBr,MI,MO,MS,MSO,MCOなど(Mはアルカリ金属)や、RF,RCl,RBR,RI,RO,RS,RSO,RCOなど(Rはアルカリ土類金属)などが挙げられる。
バッファ層17をなす析出金属を生成するためには、例えばネオデカン酸金属塩を溶剤に溶解させ、これを有機発光層7上に塗布し、さらにその上に後述する陰極11を設けた後、加熱処理を施し、ネオデカン酸部位を分解揮発させることにより、有機発光層7と陰極11との間に析出させる。この場合、使用する溶剤としては、例えばテルピネオールやトルエンなどが好適であるが、基本的にネオデカン酸金属塩を溶解もしくは分散できる溶剤であればよい。ただし、有機発光層7の上に塗布することから、下地をなす有機発光層7を溶解させないタイプの溶剤を用いる必要がある。その際、バッファ層17の厚みは、およそ20nm程度が望ましい。一方、金属塩を導入する場合は、水やアルコールに金属塩を溶解、もしくは分散させて塗布し、乾燥することで成膜される。厚みは1nm程度が望ましい。
陰極18をなす材料としては、高仕事関数かつ高導電性が得られるような材料が好適であり、例えばAgやC、Ni、Au、Crなどが挙げられる。汎用の真空プロセスを用いる成膜法、例えば蒸着法やスパッタ法などにより形成すればよい。また、陰極18の作製法としては、この他にウェットプロセス法の一つである、金属を析出させる方法を用いてもよい。その際は、結晶粒子の径が小さくなるように金属を析出させることがポイントとなる。例えば、ネオデカン酸金属塩を溶剤に溶解させた溶液を塗布し、加熱してネオデカン酸部位を分解揮発させることにより金属を析出させる手法が好ましく、平均粒径が20nm程度の結晶を析出させることが可能である。あるいは、酸化銀ナノ粒子などを添加し、ペースト化したものをスクリーン印刷などで成膜しても構わない。
図2は、本発明に係る有機EL素子の製造方法を示す模式的な断面図である。
以下では、上述した各材料を用いて有機EL素子を作製手順の一例について述べる。
まず、透明な基材12の一方の面上に透明導電材料の溶液を塗布し、乾燥することにより透明な導電層13を形成し、これを基板11として用いる。その際、基材12としてはガラスが、陽極をなす導電層13としては耐熱性に優れたFTO/ITO積層体(ITOが下層、FTOが上層)が、それぞれ好適に用いられる[図2(a)]。
次に、基板11を構成する導電層13上にホール注入層14を、例えば塗布法により設ける[図2(b)]。ホール注入層14をなす材料としては、例えばPEDOT/PSS(独国のバイエル社製)、PETDHK/TBHFA(ケミプロ化成社製)などの材料が好適である。次いで、このホール注入層14上に、高分子発光材料を溶剤に溶解したものを塗布し、乾燥することによりて有機発光層15を形成する[図2(c)]。場合によっては、加熱や光を照射して架橋させておく。ホール注入層14と有機発光層15はキャリア輸送層16として機能する。
さらに、有機発光層15上に脂肪酸金属塩(ネオデカン酸金属塩)の溶液を塗布し、乾燥することによりバッファ層17’を形成する[図2(d)]。バッファ層17’は希薄溶液を用い、ディップコート法により成膜するとよい。次いで、このバッファ層17’を不活性ガスの雰囲気中において加熱を施すことにより、脂肪酸金属塩から金属を析出させて析出金属からなるバッファ層17を形成する[図2(e)]。その後、バッファ層17を包み込むように有機発光層15上に陰極18としてAlなどの導電性金属膜を蒸着法により形成する[図2(f)]。
図3は、本発明に係る有機EL素子の両極間に電圧を印加した際のエネルギーダイヤグラムの一例を示す図である。
図3に示すように、陽極として機能する導電層13からホール注入層14へ注入されたホールは、次に有機発光層15に注入された後、バッファ層17側へホッピング伝導していく。一方、バッファ層17は低仕事関数材料からなるので、比較的容易にバッファ層17から有機発光層15へ電子の注入が行われ、ホールが陰極18へ抜ける前に、大部分のホールと再結合することができる。
ゆえに、、本発明に係る有機EL素子においては、発光に寄与しないキャリアの密度を極力削減することができ、高輝度、高効率発光の素子が実現される。
また、陰極18にもバッファ層17と同じ析出金属を適用すれば、高価な設備投資や多大な稼働コストを要する真空プロセスを用いることなしに、高効率積層型有機EL素子を実現できる。ゆえに、陰極18も析出金属とした構成を採用することにより、本発明に係る有機EL素子は、高輝度、高効率発光が可能であることに加え、低コストも同時に図れるのでより好ましい。
以下では、本発明を実施例によって説明する。基本的な部分は、前述した実施態様と共通しており、それらには、同一参照符号を付し、重複する説明を適宜省略する。
(実施例1)
本例は、図1に示した有機EL素子において、バッファ層17の析出金属としてカルシウム(Ca)を用いた場合である。
基板11としては、ガラスからなる(透明)基材12の一方の面にITO膜からなる(透明)導電層13を陽極として配したものを用いた。
導電層13の上に、(独)バイエル社製、Bytron PAI 4083 をスピンコート法にて塗布し、乾燥させることにより、厚さが約100nmのホール注入層14を形成した。
次に、ホール注入層14の上に、(独)Covi on 社製、P2をクロロホルムに溶解させた溶液をスピンコート法にて塗布し、乾燥させることにより、厚さが約80nmの発光層15を形成した。その後、強度0.1mW/cm、波長365nmの光を5分間照射することにより、有機発光層15を不溶化させた。
また、有機発光層15の上に、ネオデカン酸カルシウムをテルピネオールに0.1wt%溶解させた溶液をスピンコート法にて塗布し、N雰囲気下で熱処理(150℃、60分間)を施すことにより、カルシウムを析出させることで、厚さが約200nmのバッファ層17を形成した。
さらに、バッファ層17の上に、銀からなる薄膜を蒸着法にて成膜し、厚さ250nmの陰極18を形成することにより、素子A(図4の●印)を作製した。
(実施例2)
本例では、バッファ層17の析出金属としてカルシウム(Ca)に代えてストロンチウム(Sr)を用いた点のみ実施例1と異なる。他の点は実施例1と同一とし素子B(図4の○印)を作製した。
(比較例1)
本例では、有機発光層15と陰極18との間にバッファ層17を設けない点のみ実施例1と異なる。他の点は実施例1と同一とし素子C(図4の▽印)を作製した。
(比較例2)
本例では、バッファ層17として析出金属に代えて真空蒸着法により作製したカルシウムを用いた点のみ実施例1と異なる。他の点は実施例1と同一とし素子D(図4の△印)を作製した。
図4は、作製した各素子の輝度電圧特性を纏めたグラフである。このグラフより、以下の点が明らかとなった。
(1)析出金属としてCaまたはSrを設けることにより、低電圧でも高い輝度が得られることが分かった。例えば、輝度100(cd/m)を得るためには、バッファ層を設けない素子Cでは電圧11(V)を印加が必要であるのに対して、素子Aや素子Bでは電圧5(V)を印加するだけでよい。
(2)電圧7(V)にて比較すると、バッファ層に析出金属を採用した素子Aと素子Bの輝度は双方とも、バッファ層を設けない素子Cのおよそ10万倍、バッファ層を蒸着法で形成した素子Dのおよそ100倍となっている。すなわち、析出金属からなるバッファ層の採用は著しい輝度の向上をもたらす。
以上の結果より、析出金属からなるバッファ層17を有機発光層15と陰極18との間に設けてなる有機EL素子10は、低電圧で高輝度化を達成できることが判明した。
図5は、析出金属がCaからなるバッファ層を設けた素子Aの断面SEM写真である。この写真より、有機発光層15と陰極18との間に析出されたCa金属からなるバッファ層17が確認される。
なお、析出したCa金属(素子A)と蒸着したCa金属(素子D)とは、このような試料の断面方向から、バッファ層領域に対して電子線を局部的に照射し、その回折パターンを観測することにより識別される。素子Aの場合は、Ca元素のみのピークが主として観測されるのに対して、素子Dの場合は、Ca元素のピークに加えてC元素のピークが観測されることから、両者は区別できる。
本発明の有機EL素子の一例を示す模式的な断面図である。 本発明に係る有機EL素子の製造方法を示す模式的な断面図である。 本発明に係る有機EL素子の両極間に電圧を印加した際のエネルギーダイヤグラムの一例を示す図である。 本発明に係る有機EL素子の輝度電圧特性を纏めたグラフである。 本発明に係る有機EL素子の断面SEM写真である。 従来の有機EL素子の一例を示す模式的な断面図である。 従来の有機EL素子の両極間に電圧を印加した際のエネルギーダイヤグラムの一例を示す図である。
符号の説明
10 有機EL素子、11 基板、12 基材、13 陽極、14 ホール注入層、15 有機発光層、16 キャリア輸送層、17 バッファ層、18 陰極。

Claims (4)

  1. 陽極、ホール注入層、有機発光層、及び陰極を順に重ねてなる積層体を少なくとも備えた有機EL素子であって、
    前記有機発光層と前記陰極との間にバッファ層を配してなり、該バッファ層は析出金属からなることを特徴とする有機EL素子。
  2. 前記析出金属は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、又はこれらの組合せからなることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
  3. 前記有機発光層は、3次元架橋構造を備えていることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
  4. 陽極、ホール注入層、有機発光層、及び陰極を順に重ねてなる積層体を少なくとも備えた有機EL素子の製造方法であって、
    前記有機発光層上に析出金属の生成能力を有する材料を形成する工程Aと、
    不活性ガスの雰囲気中において前記材料に対して熱処理を施し、該材料から析出金属を生成する工程Bと、
    前記析出金属を覆うように前記陰極を形成する工程Cと、
    を少なくとも具備したことを特徴とする有機EL素子の製造方法。
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JP2010219410A (ja) * 2009-03-18 2010-09-30 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、それを用いた表示装置及び照明装置

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