JP2006277790A - 欠陥検出回路及びそれを備えた記憶媒体再生装置 - Google Patents

欠陥検出回路及びそれを備えた記憶媒体再生装置 Download PDF

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Abstract

【課題】記憶媒体から読み出したRF信号からこの記憶媒体上の欠陥を正確に検出すること。
【解決手段】 記憶媒体から読み出したRF信号のピークをホールドすることによってピークホールド信号を生成し、このピークホールド信号の周波数成分の一部を除去して、このピークホールド信号の変動成分を抽出する。そして、このピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上又負側の閾値以下となったことを検出することによって、欠陥検出信号を生成して出力する。
【選択図】 図2

Description

本発明は、記憶媒体再生装置の欠陥検出回路に関し、さらに詳しくは、記憶媒体から読み出したRF信号からこの記憶媒体上の欠陥を検出する欠陥検出回路及びそれを設けた記憶媒体再生装置に関する。
近年、大量のデータを記録することができる大容量の記録媒体として、光ディスクが広く用いられており、このような光ディスクに記録されたデータは、光ディスク再生装置を用いて再生されている。
光ディスク再生装置は、まず光ディスクに読み取り用の光を照射し、その反射光から光ピックアップを用いてRF信号を生成する。続いて、このRF信号に基づいて入力信号を生成した後、この入力信号を信号処理回路で処理することによって光ディスクに記録させたデータを再生する。
ところで、光ディスク再生装置において再生する光ディスク上にキズや汚れ等などがある場合、光ディスクからの光の反射量が著しく小さくなる暗欠陥や、光ディスクからの光の反射量が著しく大きくなる明欠陥が発生することがある。このような暗欠陥や明欠陥が発生すると、光ディスク再生装置は、光ディスクからデータを正確に読み取ることができないことがある。
そのため、光ディスク再生装置は、光ディスク上の欠陥を検出する欠陥検出回路を有しており、この欠陥検出回路から出力される信号に基づいて光ピックアップのフォーカス制御やトラッキング制御等のサーボ制御を行うことによりデータを正確に再生するようにしている(たとえば、特許文献1参照。)。
この欠陥検出回路100は、図6に示すように、光ディスクに読み取り用として照射された光の反射光から光ピックアップを用いてRF信号を生成するRF信号生成器101と、第1のピークホールド回路102と、この第1のピークホールド回路102の時定数よりも大きい時定数を有する第2のピークホールド回路103と、第2のピークホールド回路103の出力の振幅レベルを調整するレベル調整回路104と、第1のピークホールド回路102の出力とレベル調整回路104の出力とを比較する比較回路105とから構成される。
このように構成した欠陥検出回路100では、第1のピークホールド回路102は、入力信号S100に対する信号追従性が早い回路構成となっており、入力信号S100とほぼ同時に変化するピークホールド信号S101を出力するようになっている。
一方、第2のピークホールド回路103は、第1のピークホールド回路102よりも時定数が長く信号追従性の遅い回路構成となっているため、ピークホールド信号S101よりも緩慢に変動する中間信号S102を出力するようになっている。
レベル調整回路104は、中間信号S102の信号レベルが暗欠陥発生部分以外でピークホールド信号S101の信号レベルよりも低くなるようにレベル調整した閾値信号S103を生成する。
比較回路105は、ピークホールド信号S101の信号レベルが閾値信号S103の信号レベルよりも低い場合に、「H」レベルとなる検出信号S104(以下、「欠陥検出信号」とする。)を出力する。
そして、光ピックアップは、この欠陥検出回路100が欠陥検出信号を出力する間サーボの動作を停止したサーボホールド状態なる。その後、検出信号S104が再び「L」レベルとなったときに、サーボホールド状態を解除することによって光ディスク上の欠陥に対処する。
つまり、光ディスク再生装置は、図7に示すように、検出信号S104を生成する際に、入力信号S100に対する信号追従性が早いピークホールド信号S101と、このピークホールド信号S101よりも信号追従性の遅い閾値信号S103とを比較することによって検出信号S104を生成する。
特開2000−90446号公報
ところが、光ディスク再生装置において再生する光ディスク上にキズや汚れ等などがある場合、光ディスクからの光の反射量が著しく小さくなる暗欠陥だけでなく、光ディスクからの光の反射量が著しく大きくなる明欠陥が発生することがある。
一方、上述のような光ディスク再生装置においては、暗欠陥の検出はできるものの、光ディスクからの光の反射量が著しく大きくなる明欠陥を検出することができない。したがって、このような場合には、光ディスクからデータを正確に読み取ることができない。
そこで、本発明は、暗欠陥のみならず明欠陥をも検出することができる記憶媒体再生装置を提供することを目的とする。
そこで、請求項1に記載の発明は、記憶媒体から読み出したRF信号からこの記憶媒体上の欠陥を検出する欠陥検出回路であって、前記RF信号のピークをホールドすることによってピークホールド信号を生成するピークホールド信号生成部と、前記ピークホールド信号の周波数成分の一部を除去して、このピークホールド信号の変動成分を抽出するフィルタ部と、前記ピークホールド信号の変動成分に基づいて、欠陥検出信号を生成して出力する欠陥検出信号生成部とを備えたことを特徴とする。
また、請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明であって、前記欠陥検出信号生成部は、前記ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上であることを検出し、その後前記ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下となったことを検出することによって、欠陥検出信号を生成して出力することを特徴とする。
また、請求項3に記載の発明は、請求項1又は請求項2に記載の発明であって、前記欠陥検出信号生成部は、前記ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下であることを検出し、その後前記ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上となったことを検出することによって、前記欠陥検出信号を生成して出力することを特徴とする。
また、請求項4に記載の発明は、請求項1に記載の発明であって、前記欠陥検出信号生成部は、前記ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上であることを検出すると第1の信号の出力を開始し、前記ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下であることを検出すると第2の信号の出力を開始する比較部と、演算値を保持すると共に、前記フィルタ回路からピークホールド信号の変動成分を抽出し、前記比較部から第1の信号を受信すると、前記演算値をインクリメントする一方、前記フィルタ回路からピークホールド信号の変動成分を抽出し、前記比較部から第2の信号を受信すると、前記演算値をデクリメントする演算部と、この演算値に応じた電圧の信号を出力する出力部とを備え、前記出力部から出力される電圧の信号に応じて、前記欠陥検出信号を生成して出力することを特徴とする。
また、請求項5に記載の発明は、請求項1に記載の発明であって、前記欠陥検出信号生成部は、前記変動成分と正側又は負側の閾値とを比較することによって、前記変動成分が正側の閾値以上又は負側の閾値以下であることを検出する比較部を備え、前記比較部の出力に基づいて、前記欠陥検出信号を生成して出力することを特徴とする。
また、請求項6に記載の発明は、請求項5のいずれか一項に記載の発明であって、前記欠陥検出信号生成部は、少なくとも3段階の電圧レベルの出力信号を出力する出力部と、前記比較部で正側の閾値以上の変動成分を検出したとき、前記出力信号の電圧レベルを1段階上げると共に、前記比較部で負側の閾値以下の変動成分を検出したとき、前記出力信号の電圧レベルを1段階下げる演算部とを備え、前記出力部の出力に基づいて、前記欠陥検出信号を生成して出力することを特徴とする。
また、請求項7に記載の発明は、請求項1〜6のいずれか一項に記載の発明であって、前記フィルタ部は、ハイパスフィルタ又はバンドパスフィルタを有することを特徴とする。
また、請求項8に記載の発明は、記憶媒体から読み出したRF信号からこの記憶媒体上の欠陥を検出する欠陥検出回路を設けた記憶媒体再生装置であって、前記欠陥検出回路は、前記RF信号のピークをホールドすることによってピークホールド信号を生成するピークホールド信号生成部と、前記ピークホールド信号の周波数成分の一部を除去して、このピークホールド信号の変動成分を抽出するフィルタ部と、前記ピークホールド信号の変動成分に基づいて、欠陥検出信号を生成して出力する欠陥検出信号生成部とを備えたことを特徴とする。
請求項1に記載の発明によれば、記憶媒体から読み出したRF信号からこの記憶媒体上の欠陥を検出する欠陥検出回路であって、前記RF信号のピークをホールドすることによってピークホールド信号を生成するピークホールド信号生成部と、前記ピークホールド信号の周波数成分の一部を除去して、このピークホールド信号の変動成分を抽出するフィルタ部と、前記ピークホールド信号の変動成分に基づいて、欠陥検出信号を生成して出力する欠陥検出信号生成部とを備えたので、ピークホールド信号の周波数成分の一部を除去することにより容易にその変動成分を抽出することができ、この変動成分を使用することによって、暗欠陥のみならず明欠陥を検出することができる欠陥検出回路を提供できる。
また、請求項2に記載の発明によれば、前記欠陥検出信号生成部は、前記ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上であることを検出し、その後前記ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下となったことを検出することによって、前記欠陥検出信号を生成して出力するので、RF信号の正側へのレベル変動を検出することによって、欠陥検出信号を生成することができる。しかも、ピークホールド信号の変動成分のうち、所定レベル以上の変動のみを検出することができるため、耐ノイズ性に優れている。
また、請求項3に記載の発明によれば、前記欠陥検出信号生成部は、前記ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下であることを検出し、その後前記ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上となったことを検出することによって、前記欠陥検出信号を生成して出力するので、RF信号の負側へのレベル変動を検出することによって、欠陥検出信号を生成することができる。しかも、ピークホールド信号の変動成分のうち、所定レベル以上の変動のみを検出することができるため、耐ノイズ性に優れている。
また、請求項4に記載の発明によれば、前記欠陥検出信号生成部は、前記ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上であることを検出すると第1の信号の出力を開始し、前記ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下であることを検出すると第2の信号の出力を開始する比較部と、演算値を保持すると共に、前記フィルタ回路からピークホールド信号の変動成分を抽出し、前記比較部から第1の信号を受信すると、前記演算値をインクリメントする一方、前記フィルタ回路からピークホールド信号の変動成分を抽出し、前記比較部から第2の信号を受信すると、前記演算値をデクリメントする演算部と、この演算値に応じた電圧の信号を出力する出力部とを備え、前記出力部から出力される電圧の信号に応じて、前記欠陥検出信号を生成して出力するので、比較部で検出される変動成分が正側の変動か負側の変動かの違いで、それぞれ動作を変えることにより、暗欠陥及び明欠陥を検出することができる。しかも、出力部が3値の電圧レベルを出力することができるため、暗欠陥と明欠陥とを区別可能な欠陥検出信号を生成することができる。
また、請求項5に記載の発明によれば、前記欠陥検出信号生成部は、前記変動成分と正側又は負側の閾値とを比較することによって、前記変動成分が正側の閾値以上又は負側の閾値以下であることを検出する比較部を備え、前記比較部の出力に基づいて、前記欠陥検出信号を生成して出力するので、ピークホールド信号の変動成分のうち、所定レベル以上の変動のみを検出することができるため、耐ノイズ性に優れ、確実に明欠陥及び暗欠陥を検出することができる。
また、請求項6に記載の発明によれば、前記欠陥検出信号生成部は、少なくとも3段階の電圧レベルの出力信号を出力する出力部と、前記比較部で正側の閾値以上の変動成分を検出したとき、前記出力信号の電圧レベルを1段階上げると共に、前記比較部で負側の閾値以下の変動成分を検出したとき、前記出力信号の電圧レベルを1段階下げる演算部とを備え、前記出力部の出力に基づいて、前記欠陥検出信号を生成して出力するので、比較部で検出される変動成分が正側の変動か負側の変動かの違いで、それぞれ動作を変えることにより、暗欠陥及び明欠陥を検出することができる。しかも、出力部が3値の電圧レベルを出力することができるため、暗欠陥と明欠陥とを区別可能な欠陥検出信号を生成することができる。
また、請求項7に記載の発明によれば、前記フィルタ部は、ハイパスフィルタ又はバンドパスフィルタを有するので、ピークホールド信号の変動成分を抽出が容易となる。
また、請求項8に記載の発明によれば、記憶媒体から読み出したRF信号からこの記憶媒体上の欠陥を検出する欠陥検出回路を設けた記憶媒体再生装置であって、前記欠陥検出回路は、前記RF信号のピークをホールドすることによってピークホールド信号を生成するピークホールド信号生成部と、前記ピークホールド信号の周波数成分の一部を除去して、このピークホールド信号の変動成分を抽出するフィルタ部と、前記ピークホールド信号の変動成分に基づいて、欠陥検出信号を生成して出力する欠陥検出信号生成部とを備えたので、ピークホールド信号の周波数成分の一部を除去することにより容易にその変動成分を抽出することができ、この変動成分を使用することによって、暗欠陥のみならず明欠陥を検出することができる記憶媒体再生装置を提供できる。
本発明に係る欠陥検出回路及びそれを備えた記憶媒体再生装置は、RF信号のピークをホールドすることによって生成したピークホールド信号の周波数成分の一部を除去し、このピークホールド信号の変動成分を抽出することによって、欠陥検出信号を生成して出力するものである。
したがって、ピークホールド信号の周波数成分の一部を除去するハイパスフィルタやバンドパスフィルタを利用することによって、容易に記憶媒体上の欠陥を検出することができる。
しかも、ピークホールド信号の変動成分のうち、所定レベル以上の変動のみを検出するから、耐ノイズ性に優れ、確実に明欠陥及び暗欠陥を検出することができる。
また、ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上であることを検出し、その後ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下となったことを検出することによって、RF信号の正側の変動を検出する。さらに、ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下であることを検出し、その後ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上となったことを検出することによって、RF信号の負側の変動を検出する。
このようにRF信号が正側の変動か負側の変動かによって、暗欠陥と明欠陥とを区別して検出することが可能となる。
以下に、本発明に係る記憶媒体再生装置である光ディスク再生装置1について図面を参照しながら具体的に説明する。
光ディスク再生装置1は、図1に示すように、光ピックアップ2と、RFアンプ3と、欠陥検出回路4と、サーボ制御回路5とを有している。図1中の6は、記憶媒体である光ディスクである。
光ピックアップ2は、光ディスク6にデータ読み取り用の光を照射し、この光の反射量に応じたアナログデータ信号S1を生成してRFアンプ3に入力する。
RFアンプ3は、光ピックアップ2から入力されたアナログデータ信号S1を増幅させることによりRF(Radio Frequency)信号S2を生成して、欠陥検出回路4とサーボ制御回路5に入力する。
欠陥検出回路4は、暗欠陥検出信号及び明欠陥検出信号をそれぞれ生成すると共に、これらの信号をそれぞれ出力信号S9,10としてサーボ制御回路へ出力する。すなわち、欠陥検出回路4は、RFアンプ3から出力されたRF信号S2に基づいて光ディスク6上の欠陥を検出している間、欠陥検出信号を生成してサーボ制御回路5に入力する。
なお、明欠陥検出信号は、データ記録時に光ディスク6上に付着していたゴミや汚れがデータ再生時に取れたこと等によって、光ピックアップ2が読み取る光の反射量が著しく大きくなる明欠陥の検出を示すための信号である。また、暗欠陥検出信号は、データを再生する際に、光ディスク6上にゴミや汚れ等が付着していること等によって光ピックアップ2が読み取る光の反射量が著しく小さくなる暗欠陥の検出を示す信号である。
サーボ制御回路5は、RFアンプ3から出力されるRF信号S2と、欠陥検出回路4から出力される出力信号S9,10とに基づいて光ピックアップ2のサーボ制御を行うためのサーボ制御信号S4を光ピックアップ2に出力する。
このサーボ制御回路5は、欠陥検出回路4から欠陥検出信号が入力されていない期間においては、通常のサーボ制御を行うためのサーボ制御信号S4を光ピックアップ2に出力する一方、欠陥検出回路4から欠陥検出信号が入力されている期間においては、RF信号S2の低域成分のみを抽出することにより生成した一定の駆動信号であるサーボ制御信号S4を光ピックアップ2に出力することにより、サーボをホールド状態にするように構成している。
以下に、本実施の形態に係る光ディスク再生装置に内蔵している欠陥検出回路4と、サーボ制御回路5について、図2、図3を参照しながら、さらに具体的に説明する。
欠陥検出回路4は、図2に示すように、ピークホールド部7と、フィルタ部8と、欠陥検出信号生成部9とから構成される。
ピークホールド部7は、RFアンプ3から出力されるRF信号S2に対する信号追従性が早い回路構成としており、RFアンプ3から出力されるRF信号S2のピークの変化を敏感にホールドしたピークホールド信号S5を生成するピークホールド回路から構成される。
フィルタ部8は、ピークホールド信号S5の周波数成分の一部である低周波成分を除去して、このピークホールド信号S5の変動成分の信号S6を抽出するハイパスフィルタ回路である。また、このフィルタ部8は、ピークホールド信号S5から低周波成分を除去した後の信号の振幅を調整する調整回路をも有しており、ハイパスフィルタ回路で低周波成分を除去されたピークホールド信号は、この調整回路によって振幅が調整されて変動成分の信号S6として出力される。なお、このフィルタ部8は、ハイパスフィルタ回路ではなく、バンドパスフィルタ回路を用いるようにしてもよい。このようにすれば、高周波成分のノイズを除去することができる。
欠陥検出信号生成部9は、フィルタ部8から出力される変動成分の信号S6に基づいて、欠陥検出信号を生成して出力するように構成されており、比較部10と明欠陥/暗欠陥信号生成器11とを有している。
比較部10は、変動成分の信号S6と正側及び負側の閾値とを比較することによって、変動成分の信号S6に応じた出力信号S7を生成する比較器である。すなわち、変動成分の信号S6と正側及び負側の閾値とを比較し、変動成分の信号S6が正側の閾値(たとえば、1.2V)以上であることを検出すると第1の信号として3Vの電圧の出力を開始し、変動成分の信号S6が負側の閾値(例えば、−1.2V)以下であることを検出すると第2の信号として−3Vの電圧の出力を開始する。
ここで、この比較部10は、出力信号S7として、第1の信号の出力を開始した後は、負側の閾値以下の変動成分の信号S6の入力があるまで第1の信号を出力するようにラッチし、又第2の信号の出力を開始したあとは、正側の閾値以上の変動成分の信号S6の入力があるまで第2の信号を出力するようにラッチするように構成されている。なお、比較部10は、初期状態では、中間電位0Vを出力するように構成されている。
明欠陥/暗欠陥信号生成器11は、演算値を保持すると共に、比較部10からの出力信号S7に基づいて演算値を変更する演算部12と、この演算値に応じた電圧の信号を出力する出力部13を有している。
そして、演算部12は、正側の閾値以上又は負側の閾値以下になった変動成分S6を抽出し、さらに比較部10から出力信号S7として第1の信号を受信すると、演算値をインクリメントし、一方、正側の閾値以上又は負側の閾値以下になった変動成分S6を抽出し、sさらに第2の信号を受信すると、演算値をデクリメントする。
ここで、演算値は−1,0、1の3値とするが、3値をとることができるものであれば、これに限られるものではない。また、出力部13は、演算値が−1,0、1のとき、それぞれ−3V,0V,3Vの電圧の出力するように構成されている。
る。
このように、明欠陥/暗欠陥信号生成器11は、3段階の電圧レベルの出力信号を出力する出力部13と、所定の変動成分を検出し、比較部10から第1の信号が入力されたとき、出力部13から出力する信号の電圧レベルを1段階上げると共に、所定の変動成分を検出し、比較部10から第2の信号が入力されたとき、出力部13から出力する信号の電圧レベルを1段階下げる演算部12とを有している。
さらに、明欠陥/暗欠陥信号生成器11は、出力部13から出力される信号S8が−3Vのときに、暗欠陥の検出を示す検出信号(以下、「暗欠陥検出信号」とする。)を生成する暗欠陥信号生成回路14と、出力部13から出力される信号が3Vのときに、明欠陥の検出を示す検出信号(以下、「明欠陥検出信号」とする。)を生成する明欠陥信号生成回路15とを有している。
暗欠陥信号生成回路14は、光ピックアップ2が読み取る光の反射量が著しく小さくなる暗欠陥を検出するための回路であり、暗欠陥を検出して暗欠陥検出信号を出力する。また、明欠陥信号生成回路15は、光ピックアップ2が読み取る光の反射量が著しく大きくなる明欠陥を検出するための回路であり、明欠陥を検出して明欠陥検出信号を出力する。
以上のように構成された欠陥検出回路4の動作について、図3を参照して具体的に説明する。
まず、図3に示すように、期間aにおいては、暗欠陥及び明欠陥がなくピークホールド信号S5は安定しており、信号S6〜S10には変動がない。
次に、期間bにおいて、光ディスク6上の欠陥のためにピークホールド信号S5のレベルが急激に下がると、フィルタ部8によって変動成分の信号S6が負側に所定レベル以上変動する。これにより、比較部10は、変動成分の信号S6が負側の閾値以下であることを検出して、出力信号S7として−3Vの電圧の出力を開始する。
演算部12は、負側の閾値以下になった変動成分S6を抽出し、比較部10から出力信号S7として第2の信号を受信すると、演算部12は、演算値をデクリメントして、−1とする。これにより、出力部13は、暗欠陥検出信号として、−3Vの信号を出力する。そして、暗欠陥信号生成回路14は、暗欠陥検出信号をサーボ制御回路5へ出力する。
また、期間bにおいて、光ディスク6上の欠陥のためにレベルが下がったピークホールド信号S5が通常レベルに戻るとき、このピークホールド信号S5は急激にその電圧が上昇する。そして、フィルタ部8によって変動成分の信号S6が正側に所定レベル以上変動する。これにより、比較部10は、変動成分の信号S6が正側の閾値以上であることを検出して、出力信号S7として3Vの電圧の出力を開始する。
演算部12は、正側の閾値以上になった変動成分S6を抽出し、比較部10から出力信号S7として第1の信号を受信すると、演算値をインクリメントして、0とする。これにより、出力部13は、0Vの信号を出力する。そして、暗欠陥信号生成回路14は、サーボ制御回路5へ暗欠陥検出信号を出力することを中止する。
このように、比較部10及び明欠陥/暗欠陥信号生成器11で構成される欠陥検出信号生成部9は、ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上であることを検出し、その後ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下となったことを検出することによって、暗欠陥検出信号を生成することができる。
次に、期間dにおいて、光ディスク6上の欠陥のためにピークホールド信号S5のレベルが急激に上昇すると、フィルタ部8によって変動成分の信号S6が正側に所定レベル以上変動する。これにより、比較部10は、変動成分の信号S6が正側の閾値以上であることを検出して、出力信号S7として3Vの電圧の出力を開始する。なお、比較部10は、既に3Vの電圧を出力しているため、見かけ上比較部10から出力される信号に変化はない。
演算部12は、正側の閾値以上になった変動成分S6を抽出し、比較部10から出力信号S7として第2の信号を受信すると、演算値をインクリメントして、1とする。これにより、出力部13は、明欠陥検出信号として、3Vの信号を出力する。そして、暗欠陥信号生成回路14は、明欠陥検出信号をサーボ制御回路5へ出力する。
また、期間dにおいて、光ディスク6上の欠陥のためにレベルが上昇したピークホールド信号S5が通常レベルに戻るとき、このピークホールド信号S5は急激にその電圧が下がる。そして、フィルタ部8によって変動成分の信号S6が負側に所定レベル以上変動する。これにより、比較部10は、変動成分の信号S6が負側の閾値以下であることを検出して、出力信号S7として−3Vの電圧の出力を開始する。
出力信号S7として−3Vの電圧の出力を開始されると、演算部12は、演算値をデクリメントして、0とする。これにより、出力部13は、0Vの信号を出力する。そして、明欠陥信号生成回路15は、サーボ制御回路5へ明欠陥検出信号を出力することを中止する。
このように、比較部10及び明欠陥/暗欠陥信号生成器11で構成される欠陥検出信号生成部9は、ピークホールド信号の変動成分S6が正側の閾値以上であることを検出し、その後前記ピークホールド信号の変動成分S6が負側の閾値以下となったことを検出することによって、明欠陥検出信号を生成することができる。
なお、上述の本発明の実施形態では、比較部10が、変動成分の信号S6が正側の閾値以上であると検出すると第1の信号の出力を開始すると共に、変動成分の信号S6が負側の閾値以下になるまで、第1の信号の出力を維持し、変動成分の信号S6が負側の閾値以下であると検出すると第2の信号の出力を開始すると共に、変動成分の信号S6が正側の閾値以上になるまで、第2の信号の出力を維持するようにしたが、図4に示すように、変動成分の信号S6が正側の閾値以上であることを検出している期間だけ第1の信号を出力し、変動成分の信号S6が負側の閾値以下であることを検出している期間だけ第2の信号を出力するようにしてもよい。
このようにすれば、演算部12の構成が簡易となる。すなわち、比較部10から出力信号S7aとしてパルス状の第1の信号を受信したときに、演算値をインクリメントし、一方、パルス状の第2の信号を受信したときに、演算値をデクリメントするように演算部12を構成することができる。したがって、演算部12に変動成分S6を入力する必要がなく、構成が簡易となる。
また、上述の本発明の実施形態における欠陥検出回路4では、明欠陥検出信号と暗欠陥検出信号とを分けて出力するようにしたが、これらを分けずに、一つの欠陥検出信号としてサーボ制御回路5へ出力するようすることもでき、このようにすれば欠陥検出回路4の構成がより簡易なものとなる。
すなわち、比較部10において、変動成分の信号S6が正側の閾値以上又は負側の閾値以下になった期間、3Vの電圧を出力することによってパルス信号を生成し、明欠陥/暗欠陥信号生成器11では、比較部10から生成されるパルス信号が出力されるたびに、0Vの電圧の出力と3Vの電圧の出力を入れ替えるようにする。
このように構成された比較部10からの出力信号S7b及び明欠陥/暗欠陥信号生成器11から出力S8bは、図5に示すようになる。そして、明欠陥/暗欠陥信号生成器11から出力S8bは、サーボ制御回路5に入力される。なお、明欠陥/暗欠陥信号生成器11から3Vの電圧が出力されることによって、暗欠陥検出信号又は明欠陥検出信号としてサーボ制御回路5へ出力されることになる。
本発明の実施形態に係る光ディスク再生装置の全体的な構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る欠陥検出回路の概略構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る欠陥検出回路の欠陥検出動作を示す波形図である。 本発明の実施形態に係る別の欠陥検出回路の動作を示す波形図である。 本発明の実施形態に係る別の欠陥検出回路の動作を示す波形図である。 従来の欠陥検出回路の概略構成を示す図である。 従来の欠陥検出回路の動作を示す波形図である。
符号の説明
4 欠陥検出回路
6 光ディスク
7 ピークホールド部
8 フィルタ部
9 欠陥検出信号生成部
10 比較部
12 演算部
13 出力部

Claims (8)

  1. 記憶媒体から読み出したRF信号からこの記憶媒体上の欠陥を検出する欠陥検出回路であって、
    前記RF信号のピークをホールドすることによってピークホールド信号を生成するピークホールド信号生成部と、
    前記ピークホールド信号の周波数成分の一部を除去して、このピークホールド信号の変動成分を抽出するフィルタ部と、
    前記ピークホールド信号の変動成分に基づいて、欠陥検出信号を生成して出力する欠陥検出信号生成部と
    を備えたことを特徴とする欠陥検出回路。
  2. 前記欠陥検出信号生成部は、
    前記ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上であることを検出し、その後前記ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下となったことを検出することによって、前記欠陥検出信号を生成して出力することを特徴とする請求項1に記載の欠陥検出回路。
  3. 前記欠陥検出信号生成部は、
    前記ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下であることを検出し、その後前記ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上となったことを検出することによって、前記欠陥検出信号を生成して出力することを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の欠陥検出回路。
  4. 前記欠陥検出信号生成部は、
    前記ピークホールド信号の変動成分が正側の閾値以上であることを検出すると第1の信号の出力を開始し、前記ピークホールド信号の変動成分が負側の閾値以下であることを検出すると第2の信号の出力を開始する比較部と、
    演算値を保持すると共に、前記フィルタ回路からピークホールド信号の変動成分を抽出し、前記比較部から第1の信号を受信すると、前記演算値をインクリメントする一方、前記フィルタ回路からピークホールド信号の変動成分を抽出し、前記比較部から第2の信号を受信すると、前記演算値をデクリメントする演算部と、この演算値に応じた電圧の信号を出力する出力部とを備え、
    前記出力部から出力される電圧の信号に応じて、前記欠陥検出信号を生成して出力する
    ことを特徴とする請求項1に記載の欠陥検出回路。
  5. 前記欠陥検出信号生成部は、
    前記変動成分と正側又は負側の閾値とを比較することによって、前記変動成分が正側の閾値以上又は負側の閾値以下であることを検出する比較部を備え、
    前記比較部の出力に基づいて、前記欠陥検出信号を生成して出力する
    ことを特徴とする請求項1に記載の欠陥検出回路。
  6. 前記欠陥検出信号生成部は、
    少なくとも3段階の電圧レベルの出力信号を出力する出力部と、
    前記比較部で正側の閾値以上の変動成分を検出したとき、前記出力信号の電圧レベルを1段階上げると共に、前記比較部で負側の閾値以下の変動成分を検出したとき、前記出力信号の電圧レベルを1段階下げる演算部とを備え、
    前記出力部の出力に基づいて、前記欠陥検出信号を生成して出力する
    ことを特徴とする請求項5に記載の欠陥検出回路。
  7. 前記フィルタ部は、ハイパスフィルタ又はバンドパスフィルタを有することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載の欠陥検出回路。
  8. 記憶媒体から読み出したRF信号からこの記憶媒体上の欠陥を検出する欠陥検出回路を設けた記憶媒体再生装置であって、
    前記欠陥検出回路は、
    前記RF信号のピークをホールドすることによってピークホールド信号を生成するピークホールド信号生成部と、
    前記ピークホールド信号の周波数成分の一部を除去して、このピークホールド信号の変動成分を抽出するフィルタ部と、
    前記ピークホールド信号の変動成分に基づいて、欠陥検出信号を生成して出力する欠陥検出信号生成部と
    を備えたことを特徴とする記憶媒体再生装置。



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