JP2006276253A - Organic electroluminescence pixel circuit - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To effectively compensate fluctuation of a threshold voltage of a driver transistor. <P>SOLUTION: A drive controlling transistor T5 is inserted between the driver transistor T4 for applying a drive current corresponding to a gate potential Vg from a power supply PVdd to an organic electroluminescence element EL and the organic electroluminescence element EL and a short-circuiting transistor T3 is provided which controls whether or not the driver transistor T4 is to be diode-connected. A selection transistor T1 for controlling whether or not a data signal from a data line DL is to be supplied to the control terminal of the driver transistor T4 is placed, and a capacitor Cs is inserted between the selection transistor T1 and the control terminal of the driver transistor T4 and a connection between a terminal of the capacitor Cs on the side of the selection transistor T1 and the power supply PVdd is switched on and off by a potential controlling transistor T2. <P>COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT

Description

有機EL素子へ供給する駆動電流をデータ信号に応じて制御する有機EL画素回路に関する。   The present invention relates to an organic EL pixel circuit that controls a drive current supplied to an organic EL element in accordance with a data signal.

自発光素子であるエレクトロルミネッセンス(Electroluminescence:以下EL)素子を各画素に発光素子として用いたEL表示装置は、自発光型であると共に、薄く消費電力が小さい等の有利な点があり、液晶表示装置(LCD)やCRTなどの表示装置に代わる表示装置として注目されている。   An EL display device using an electroluminescence (hereinafter referred to as EL) element, which is a self-luminous element, as a light-emitting element for each pixel is advantageous in that it is self-luminous and thin and consumes less power. It attracts attention as a display device that replaces a display device such as a device (LCD) or CRT.

特に、EL素子を個別に制御する薄膜トランジスタ(TFT)などのスイッチ素子を各画素に設け、画素毎にEL素子を制御するアクティブマトリクス型EL表示装置では、高精細な表示が可能である。   In particular, an active matrix EL display device in which a switching element such as a thin film transistor (TFT) for individually controlling an EL element is provided in each pixel and the EL element is controlled for each pixel enables high-definition display.

このアクティブマトリクス型EL表示装置では、基板上に複数本のゲートラインが行(水平)方向に延び、複数本のデータライン及び電源ラインが列(垂直)方向に延びており、各画素は有機EL素子と、選択TFT、駆動用TFT及び保持容量を備えている。ゲートラインを選択することで選択TFTをオンし、データライン上のデータ電圧(電圧ビデオ信号)を保持容量に充電し、この電圧で駆動TFTをオンして電源ラインからの電力を有機EL素子に流している。   In this active matrix EL display device, a plurality of gate lines extend in a row (horizontal) direction on a substrate, a plurality of data lines and a power supply line extend in a column (vertical) direction, and each pixel is an organic EL. An element, a selection TFT, a driving TFT, and a storage capacitor are provided. The selection TFT is turned on by selecting the gate line, the data voltage (voltage video signal) on the data line is charged to the holding capacitor, and the driving TFT is turned on with this voltage, and the power from the power supply line is supplied to the organic EL element. It is flowing.

特表2002−514320公報Special Table 2002-514320

しかし、このような画素回路において、マトリクス状に配置された画素回路の駆動TFTのしきい値電圧がばらつくと、輝度がばらつくことになり、表示品質が低下するという問題がある。そして、表示パネル全体の画素回路を構成するTFTについて、その特性を同一にすることは難しく、そのオンオフのしきい値がばらつくことを防止することは難しい。   However, in such a pixel circuit, if the threshold voltage of the driving TFTs of the pixel circuits arranged in a matrix varies, there is a problem that the luminance varies and the display quality deteriorates. In addition, it is difficult to make the characteristics of the TFTs constituting the pixel circuit of the entire display panel the same, and it is difficult to prevent the ON / OFF threshold value from varying.

そこで、駆動TFTにおけるしきい値のバラツキの表示に対する影響を防止することが望まれる。   Therefore, it is desirable to prevent the influence on the display of the variation in threshold value in the driving TFT.

ここで、TFTのしきい値の変動への影響を防止するための回路については、従来より各種の提案がある(例えば、上記特許文献1)。   Here, various proposals have conventionally been made on a circuit for preventing the influence on the fluctuation of the threshold value of the TFT (for example, Patent Document 1).

しかし、この提案では、しきい値変動の補償をするための回路を必要とする。従って、このような回路を用いると、画素回路の素子数が増加し、開口率が小さくなってしまうという問題があった。また、補償のための回路を追加した場合、画素回路を駆動するための周辺回路についても変更が必要となるという問題もあった。   However, this proposal requires a circuit for compensating for threshold fluctuation. Therefore, when such a circuit is used, there is a problem that the number of elements of the pixel circuit increases and the aperture ratio becomes small. In addition, when a circuit for compensation is added, there is a problem that a peripheral circuit for driving the pixel circuit needs to be changed.

本発明は、効果的に駆動トランジスタのしきい値電圧の変動を補償できる画素回路を提供する。   The present invention provides a pixel circuit that can effectively compensate for fluctuations in the threshold voltage of a driving transistor.

本発明は、制御端の電位に応じた駆動電流を電源から有機EL素子に流す駆動トランジスタと、発光セットラインによって制御され、前記駆動トランジスタの前記駆動電流をオンオフする駆動制御トランジスタと、前記駆動トランジスタをダイオード接続するか否かを制御する短絡トランジスタと、データラインからのデータ信号を前記駆動トランジスタの制御端へ供給するか否かを制御する選択トランジスタと、この選択トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御端との間に挿入配置された容量と、この容量の前記選択トランジスタ側と、前記発光セットラインとの間の接続をオンオフする電位制御トランジスタと、を有することを特徴とする。   The present invention includes a drive transistor that causes a drive current corresponding to a potential at a control end to flow from a power source to an organic EL element, a drive control transistor that is controlled by a light emission set line and that turns on and off the drive current of the drive transistor, and the drive transistor A short-circuit transistor that controls whether or not a diode is connected, a selection transistor that controls whether or not to supply a data signal from a data line to the control terminal of the drive transistor, and the control of the selection transistor and the drive transistor And a potential control transistor for turning on and off the connection between the capacitor and the light emitting set line.

また、前記選択トランジスタの制御端に接続され、前記選択トランジスタのオンオフを制御する制御ラインを有し、この制御ラインには、前記電位制御トランジスタの制御端も接続され、かつ前記選択トランジスタと、前記電位制御トランジスタは、相補的にオンオフされることが好適である。   A control line connected to a control terminal of the selection transistor and configured to control on / off of the selection transistor; the control line is also connected to a control terminal of the potential control transistor; and the selection transistor, The potential control transistors are preferably turned on and off in a complementary manner.

また、前記制御ラインには、前記短絡トランジスタの制御端も接続され、かつ前記選択トランジスタと、前記短絡トランジスタは、同時にオンオフされることが好適である。   Further, it is preferable that a control terminal of the short-circuit transistor is connected to the control line, and the selection transistor and the short-circuit transistor are simultaneously turned on / off.

また、前記発光セットラインは、前記制御ラインによって選択トランジスタがオンされた後に、発光制御トランジスタをオフする電圧にセットされ、前記制御ラインによって選択トランジスタがオフされた後に、発光制御トランジスタをオンする電圧にセットされることが好適である。   The light emission set line is set to a voltage for turning off the light emission control transistor after the selection transistor is turned on by the control line, and the voltage for turning on the light emission control transistor after the selection transistor is turned off by the control line. Is preferably set to

以上のように、本発明によれば、選択トランジスタをオンした状態で、短絡トランジスタをオンすることによって、駆動トランジスタの制御端電圧をデータ電圧および駆動トランジスタのしきい値電圧に応じたものにセットすることができる。従って、駆動トランジスタのしきい値電圧の変動によらず、データ電圧に応じた駆動電流を有機EL素子に供給することができる。   As described above, according to the present invention, the control terminal voltage of the drive transistor is set according to the data voltage and the threshold voltage of the drive transistor by turning on the short-circuit transistor while the selection transistor is turned on. can do. Therefore, a driving current corresponding to the data voltage can be supplied to the organic EL element regardless of the fluctuation of the threshold voltage of the driving transistor.

また、電位制御トランジスタの一端は、発光セットラインに接続されている。発光セットラインは、所定の電源からの電圧がセットされるため、その電圧は有機EL素子に流れる電流などの影響を基本的に受けず安定している。そこで、駆動トランジスタの制御端電圧を正確にセットすることができる。   One end of the potential control transistor is connected to the light emission set line. Since the light emission set line is set with a voltage from a predetermined power source, the voltage is basically not affected by the current flowing through the organic EL element and is stable. Therefore, the control terminal voltage of the driving transistor can be set accurately.

以下、本発明の実施形態について、図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は、実施形態に係る画素回路の構成を示している。データラインDLは、垂直方向に伸び、画素の表示輝度についてのデータ信号(データ電圧Vsig)を画素回路に供給する。データラインDLは、1列の画素に対し1本設けられており、垂直方向の画素に対し、その画素のデータ電圧Vsigを順次供給する。   FIG. 1 shows a configuration of a pixel circuit according to the embodiment. The data line DL extends in the vertical direction and supplies a data signal (data voltage Vsig) about the display luminance of the pixel to the pixel circuit. One data line DL is provided for one column of pixels, and sequentially supplies the data voltage Vsig of the pixel to the pixels in the vertical direction.

このデータラインDLには、nチャネルの選択トランジスタT1のドレインが接続されており、この選択トランジスタT1のソースは、コンデンサCsの一端に接続されている。選択トランジスタT1のゲートは、水平方向に伸びるゲートラインGLに接続されている。このゲートラインGLには、水平方向の各画素回路の選択トランジスタT1のゲートが接続されている。   The data line DL is connected to the drain of an n-channel selection transistor T1, and the source of the selection transistor T1 is connected to one end of a capacitor Cs. The gate of the selection transistor T1 is connected to a gate line GL extending in the horizontal direction. The gate line GL is connected to the gate of the selection transistor T1 of each pixel circuit in the horizontal direction.

このゲートラインGLには、pチャンネルの電位制御トランジスタT2のゲートが接続されている。従って、選択トランジスタT1がオンの時に電位制御トランジスタT2がオフ、選択トランジスタT1がオフの時に電位制御トランジスタT2がオンとなる。電位制御トランジスタT2のソースは発光セットラインESに接続され、ドレインはコンデンサCsと選択トランジスタT1のソースに接続されている。   The gate of the p-channel potential control transistor T2 is connected to the gate line GL. Accordingly, the potential control transistor T2 is turned off when the selection transistor T1 is on, and the potential control transistor T2 is turned on when the selection transistor T1 is off. The source of the potential control transistor T2 is connected to the light emission set line ES, and the drain is connected to the capacitor Cs and the source of the selection transistor T1.

コンデンサCsの他端は、pチャンネルの駆動トランジスタT4のゲートに接続されている。駆動トランジスタT4のソースは電源ラインPVddに接続され、ドレインはnチャネルの駆動制御トランジスタT5のドレインに接続されている。駆動制御トランジスタT5のソースは、有機EL素子ELのアノードに接続されており、ゲートは、水平方向に伸びる発光セットラインESに接続されている。また、有機EL素子ELのカソードは、低電圧のカソード電源CVに接続されている。なお、電源ラインPVddも垂直方向に伸びており、垂直方向の各画素に電源電圧PVddを供給する。   The other end of the capacitor Cs is connected to the gate of the p-channel drive transistor T4. The source of the drive transistor T4 is connected to the power supply line PVdd, and the drain is connected to the drain of the n-channel drive control transistor T5. The source of the drive control transistor T5 is connected to the anode of the organic EL element EL, and the gate is connected to the light emission set line ES extending in the horizontal direction. The cathode of the organic EL element EL is connected to a low voltage cathode power source CV. The power supply line PVdd also extends in the vertical direction, and supplies the power supply voltage PVdd to each pixel in the vertical direction.

さらに、駆動トランジスタT4のゲートには、nチャネルの短絡トランジスタT3のドレインが接続されており、この短絡トランジスタT3のソースは、駆動トランジスタT4のドレインに、またゲートは、ゲートラインGLに接続されている。   Further, the drain of the n-channel short-circuit transistor T3 is connected to the gate of the drive transistor T4, the source of the short-circuit transistor T3 is connected to the drain of the drive transistor T4, and the gate is connected to the gate line GL. Yes.

このように、本実施形態では、垂直方向にデータラインDLと、電源ラインPVddが配置され、水平方向にゲートラインGLと、発光セットラインESが配置されている。   Thus, in this embodiment, the data line DL and the power supply line PVdd are arranged in the vertical direction, and the gate line GL and the light emission set line ES are arranged in the horizontal direction.

次に、この画素回路の動作について、説明する。   Next, the operation of this pixel circuit will be described.

図2に示すように、この画素回路は、ゲートラインGL、発光セットラインESの状態(Hレベル,Lレベル)に応じて、(i)ディスチャージ(GL=Hレベル,ES=Hレベル)、(ii)リセット(GL=Hレベル,ES=Lレベル)、(iii)電位固定(GL=Lレベル,ES=Lレベル)、(iv)発光(GL=Lレベル,ES=Hレベル)の4つの状態があり、これを繰り返す。すなわち、各データラインに点順次でデータ電圧をセットし、データラインDLのデータを有効にした状態で、(i)ディスチャージを行い、その後(ii)リセットによって、コンデンサCsの充電電圧を決定し、(iii)においてゲート電圧Vgを固定し、(v)固定されたゲート電圧に応じた駆動電流で有機EL素子ELが発光する。   As shown in FIG. 2, this pixel circuit includes (i) discharge (GL = H level, ES = H level), (in accordance with the state (H level, L level) of the gate line GL and the light emission set line ES. ii) Reset (GL = H level, ES = L level), (iii) Potential fixed (GL = L level, ES = L level), (iv) Light emission (GL = L level, ES = H level) There is a state and repeats this. That is, the data voltage is set dot-sequentially to each data line, and (i) discharge is performed in a state where the data on the data line DL is valid, and then (ii) the charging voltage of the capacitor Cs is determined by resetting. In (iii), the gate voltage Vg is fixed, and (v) the organic EL element EL emits light with a driving current corresponding to the fixed gate voltage.

また、データラインDLにおけるデータは、図に示すように、(i)ディスチャージ工程の前に有効になり、(iii)固定工程の後に無効になる。従って、(i)ディスチャージ工程から(iii)固定工程まではデータラインに有効なデータがセットされている。   Further, as shown in the drawing, the data in the data line DL becomes valid before (i) the discharge process, and (iii) becomes invalid after the fixing process. Therefore, valid data is set in the data line from (i) the discharge process to (iii) the fixing process.

以下、それぞれの状態について、説明する。   Hereinafter, each state will be described.

(i)ディスチャージ(GL=Hレベル,ES=Hレベル)
まず、データラインDLにデータ電圧Vsigが供給されている状態で、ゲートラインGL、発光セットラインESの両方をHレベルにする。これによって、選択トランジスタT1、駆動制御トランジスタT5、短絡トランジスタT3がオン、電位制御トランジスタT2がオフとなる。従って、図3に示すように、コンデンサCsの選択トランジスタT1側の電圧Vn=Vsigという状態で、電源ラインPVddからの電流が駆動トランジスタT4、駆動制御トランジスタT5、有機EL素子ELを介しカソード電源CVに流れ、これによって駆動トランジスタT4のゲートに保持されていた電荷が引き抜かれる。これによって、駆動トランジスタT4のゲート電圧Vgは、所定の低電圧になる。
(I) Discharge (GL = H level, ES = H level)
First, in a state where the data voltage Vsig is supplied to the data line DL, both the gate line GL and the light emission set line ES are set to the H level. As a result, the selection transistor T1, the drive control transistor T5, and the short-circuit transistor T3 are turned on, and the potential control transistor T2 is turned off. Therefore, as shown in FIG. 3, with the voltage Vn = Vsig on the selection transistor T1 side of the capacitor Cs, the current from the power supply line PVdd passes through the drive transistor T4, the drive control transistor T5, and the organic EL element EL, and the cathode power supply CV. As a result, the charge held at the gate of the drive transistor T4 is extracted. As a result, the gate voltage Vg of the drive transistor T4 becomes a predetermined low voltage.

(ii)リセット(GL=Hレベル,ES=Lレベル)
上述のディスチャージの状態から発光セットラインESをLレベル(ローレベル)に変更する。これによって、図4に示すように、駆動制御トランジスタT5がオフとなり、駆動トランジスタT4のゲート電圧Vg=Vg0=PVdd−|Vtp|にリセットされる。ここで、このVtpは、駆動トランジスタT4のしきい値電圧である。すなわち、駆動トランジスタT4はソースが電源PVddに接続されている状態で、短絡トランジスタT3によって、ゲートドレイン間が短絡されているため、そのゲート電圧が、電源PVddより駆動トランジスタT4のしきい値電圧|Vtp|だけ低い電圧にセットされてオフされる。このときコンデンサCsの選択トランジスタT1側の電位Vn=Vsigであり、コンデンサCsには|Vsig−(PVdd−|Vtp|)|の電圧が充電される。
(Ii) Reset (GL = H level, ES = L level)
The light emission set line ES is changed to L level (low level) from the above discharge state. As a result, as shown in FIG. 4, the drive control transistor T5 is turned off, and the gate voltage Vg = Vg0 = PVdd− | Vtp | of the drive transistor T4 is reset. Here, Vtp is the threshold voltage of the drive transistor T4. That is, since the gate of the drive transistor T4 is short-circuited between the gate and the drain by the short circuit transistor T3 in a state where the source is connected to the power source PVdd, the gate voltage of the drive transistor T4 from the power source PVdd is | It is set to a voltage lower by Vtp | and turned off. At this time, the potential Vn of the capacitor Cs on the selection transistor T1 side is Vsig, and the capacitor Cs is charged with a voltage of | Vsig− (PVdd− | Vtp |) |.

(iii)電位固定(GL=Lレベル,ES=Lレベル)
次に、ゲートラインGLをLレベルとして、選択トランジスタT1、短絡トランジスタT3をオフ、電位制御トランジスタT2をオンする。このとき、発光セットラインESの電圧は、Lレベルであり、ゲートラインGLのLレベルの電圧VVBBと同一の電圧に設定されている。従って、Vsig>Vn>VVBBであり、選択トランジスタT1がオフにならなければ、電位制御トランジスタT2はオンしない。このように、選択トランジスタT1がオフした後に、電位制御トランジスタT2がオンするため、コンデンサCsに充電された電圧は維持され、データ電圧が破壊されることはない。
(Iii) Potential fixed (GL = L level, ES = L level)
Next, the gate line GL is set to L level, the selection transistor T1 and the short-circuit transistor T3 are turned off, and the potential control transistor T2 is turned on. At this time, the voltage of the light emission set line ES is at the L level and is set to the same voltage as the L level voltage VVBB of the gate line GL. Therefore, if Vsig>Vn> VVBB and the selection transistor T1 is not turned off, the potential control transistor T2 is not turned on. Thus, since the potential control transistor T2 is turned on after the selection transistor T1 is turned off, the voltage charged in the capacitor Cs is maintained, and the data voltage is not destroyed.

そして、選択トランジスタT1がオフし、電位制御トランジスタT2がオンすることで、図5に示すように、駆動トランジスタT4のゲートは、ドレインから切り離され、一方電位制御トランジスタT2がオンすることで、Vnは、発光セットラインES=VVBBに、電位制御トランジスタT2のしきい値電圧|VtpT2|を加算した電圧になる(Vn≒VVBB+IVtpT2|)。 Then, when the selection transistor T1 is turned off and the potential control transistor T2 is turned on, as shown in FIG. 5, the gate of the drive transistor T4 is disconnected from the drain, while when the potential control transistor T2 is turned on, Vn Is a voltage obtained by adding the threshold voltage | V tpT2 | of the potential control transistor T2 to the light emission set line ES = VVBB (Vn≈VVBB + IV tpT2 |).

(iv)発光(GL=Lレベル,ES=Hレベル)
次に、発光セットラインESをHレベルにすることによって、図6に示すように、駆動制御トランジスタT5がオンする。また、発光セットラインESの電位がPVddにセットされることで、駆動トランジスタT4のゲート電位がPVdd−VVBBだけ、シフトする。なお、このときの電圧シフト量は、駆動トランジスタT4のゲート容量Cpの影響を受ける。
(Iv) Light emission (GL = L level, ES = H level)
Next, by setting the light emission set line ES to the H level, the drive control transistor T5 is turned on as shown in FIG. Further, when the potential of the light emission set line ES is set to PVdd, the gate potential of the drive transistor T4 is shifted by PVdd−VVBB. Note that the voltage shift amount at this time is affected by the gate capacitance Cp of the drive transistor T4.

このように、電圧がシフトされ、駆動制御トランジスタT5がオンすることで駆動トランジスタT4からの駆動電流が有機EL素子ELに流れる。このときの駆動電流は、駆動トランジスタT4のゲート電圧によって決定される、駆動トランジスタT4のドレイン電流となるが、このドレイン電流は駆動トランジスタT4のしきい値電圧Vtpとは、関係ないものとなり、しきい値電圧の変動に伴う発光量の変動を抑えることができる。   In this way, the voltage is shifted and the drive control transistor T5 is turned on, so that the drive current from the drive transistor T4 flows to the organic EL element EL. The drive current at this time is the drain current of the drive transistor T4, which is determined by the gate voltage of the drive transistor T4. This drain current is not related to the threshold voltage Vtp of the drive transistor T4. It is possible to suppress fluctuations in the amount of light emission accompanying fluctuations in threshold voltage.

また、電位制御トランジスタT2のドレインは、発光セットラインESに接続されている。この発光セットラインESは、Hレベルの際に電源電圧PVddにセットされるが、この発光セットラインESは、有機EL素子ELに電流を供給する電源供給ラインPVddとは、独立して電源電圧PVddの供給を受ける。従って、各画素における有機EL素子ELの駆動電流によって、発光セットラインESの電圧が変動することはほとんどない。従って、電位制御トランジスタT2を介しコンデンサCsの一端に供給されるシフト用の電圧が変動して表示が乱れることを防止できる。   The drain of the potential control transistor T2 is connected to the light emission set line ES. The light emission set line ES is set to the power supply voltage PVdd when it is at the H level. This light emission set line ES is independent of the power supply line PVdd that supplies current to the organic EL element EL. Receive the supply. Therefore, the voltage of the light emission set line ES hardly varies depending on the drive current of the organic EL element EL in each pixel. Therefore, it is possible to prevent the display from being disturbed due to the shift voltage supplied to one end of the capacitor Cs via the potential control transistor T2.

例えば、電圧シフト量ΔVgは後述するように、ΔVg=Cs(Vsig−PVdd)/(Cs+Cp)で表され、PVddを含んでいる。従って、PVddが変動すると、ΔVgは変化するが、本実施形態ではこの変化が抑制される。特に、画素数が増えた場合には、このPVddの変化が、クロストークや輝度勾配発生の原因になるが、本実施形態によれば、これらの表示への影響を抑制することができる。   For example, the voltage shift amount ΔVg is expressed by ΔVg = Cs (Vsig−PVdd) / (Cs + Cp) as described later, and includes PVdd. Therefore, when PVdd fluctuates, ΔVg changes, but in the present embodiment, this change is suppressed. In particular, when the number of pixels increases, this change in PVdd causes the occurrence of crosstalk and luminance gradient. However, according to the present embodiment, the influence on the display can be suppressed.

これについて図7に基づいて説明する。   This will be described with reference to FIG.

上述のように、(ii)リセット後は、図において、○で示したように、Vn(=Vsig)は、Vsig(max)〜Vsig(min)の間の値であり、VgはPVddから駆動トランジスタT4のしきい値電圧Vtpだけ減じた電圧Vg0となる。すなわち、Vg=Vg0=PVdd+Vtp (Vtp<0)、Vn=Vsigである。   As described above, (ii) After resetting, Vn (= Vsig) is a value between Vsig (max) and Vsig (min), and Vg is driven from PVdd, as indicated by ◯ in the figure. The voltage Vg0 is reduced by the threshold voltage Vtp of the transistor T4. That is, Vg = Vg0 = PVdd + Vtp (Vtp <0) and Vn = Vsig.

そして、(iii)の電位固定の後、発光セットラインESがHレベル(PVdd)になると、Vnは、VsigからPVddまで変化するので、その変化量ΔVgは、Cs、Cpの容量を考慮して、ΔVg=Cs(PVdd−Vsig)/(Cs+Cp)と表せる。   Then, after the potential set of (iii) is fixed, when the light emission set line ES becomes the H level (PVdd), Vn changes from Vsig to PVdd. Therefore, the change amount ΔVg takes into account the capacitances of Cs and Cp. , ΔVg = Cs (PVdd−Vsig) / (Cs + Cp).

よって、Vn,Vgは、図において●で示したように、Vn=PVdd,Vg=Vtp+ΔVg=PVdd+Vtp+Cs(PVdd−Vsig)/(Cs+Cp)となる。   Therefore, Vn and Vg are Vn = PVdd, Vg = Vtp + ΔVg = PVdd + Vtp + Cs (PVdd−Vsig) / (Cs + Cp), as indicated by ● in the figure.

ここで、Vgs=Vg−PVddであるので、Vgs=Vtp+Cs(PVdd−Vsig)/(Cs+Cp)となる。   Here, since Vgs = Vg−PVdd, Vgs = Vtp + Cs (PVdd−Vsig) / (Cs + Cp).

一方、ドレイン電流Iは、I=(1/2)β(Vgs−Vtp)2と表され、上式を代入することによって、ドレイン電流Iは次のように表される。
I=(1/2)β{Vtp+Cs(PVdd−Vsig)/(Cs+Cp)−Vtp}2
=(1/2)β{Cs(PVdd−Vsig)/(Cs+Cp)}2
=(1/2)βα(Vsig−PVdd)2
ここで、α={Cs/(Cs+Cp)}2,βは駆動トランジスタT4増幅率であり、β=μεGw/Glであり、
μはキャリアの移動度、εは誘電率、Gwはゲート幅、Glはゲート長である。
On the other hand, the drain current I is expressed as I = (1/2) β (Vgs−Vtp) 2. By substituting the above equation, the drain current I is expressed as follows.
I = (1/2) β {Vtp + Cs (PVdd−Vsig) / (Cs + Cp) −Vtp} 2
= (1/2) β {Cs (PVdd−Vsig) / (Cs + Cp)} 2
= (1/2) βα (Vsig-PVdd) 2
Here, α = {Cs / (Cs + Cp)} 2 , β is the driving transistor T4 amplification factor, β = μεGw / Gl,
μ is the carrier mobility, ε is the dielectric constant, Gw is the gate width, and Gl is the gate length.

このように、ドレイン電流Iの式には、Vtpは含まれず、Vsig−PVddの2乗に比例することになる。従って、駆動トランジスタT4のしきい値電圧のバラツキの影響を排除してデータ電圧Vsigに応じた発光を達成することができる。   Thus, Vtp is not included in the expression of the drain current I, and is proportional to the square of Vsig−PVdd. Therefore, it is possible to achieve light emission according to the data voltage Vsig by eliminating the influence of the variation in threshold voltage of the drive transistor T4.

上述の説明では、1画素についての動作についてのみ説明した。実際には、表示パネルは、マトリクス状に画素が配置されており、これらのそれぞれについて対応する輝度信号に応じたデータ電圧Vsigを供給して各有機EL素子を発光させる。すなわち、図8に示すように、表示パネルには、水平スイッチ回路HSRと、垂直スイッチVSRが設けられており、これらの出力によってデータラインDL、ゲートラインGL、その他発光セットラインESなどの状態が制御される。特に、水平方向の各画素には、1つのゲートラインGLが対応づけられており、このゲートラインGLは垂直スイッチVSRよって、1つずつ順に活性化される。次に、1つのゲートラインGLが活性化される1水平期間に、水平スイッチHSRによってすべてのデータラインDLにデータ電圧が点順次で供給され、これが1水平ライン分の画素回路にデータが書き込まれる。そして、各画素回路において、1垂直期間後まで書き込まれたデータ電圧に応じた発光がされる。   In the above description, only the operation for one pixel has been described. Actually, the display panel has pixels arranged in a matrix, and for each of them, the data voltage Vsig corresponding to the corresponding luminance signal is supplied to cause each organic EL element to emit light. That is, as shown in FIG. 8, the display panel is provided with a horizontal switch circuit HSR and a vertical switch VSR, and these outputs change the states of the data line DL, gate line GL, and other light emission set lines ES. Be controlled. In particular, one gate line GL is associated with each pixel in the horizontal direction, and the gate lines GL are sequentially activated one by one by the vertical switch VSR. Next, in one horizontal period in which one gate line GL is activated, the horizontal switch HSR supplies data voltages to all the data lines DL in a dot-sequential manner, and this writes data to the pixel circuits for one horizontal line. . Each pixel circuit emits light according to the data voltage written until after one vertical period.

次に、1水平ライン内の各画素に対するデータの書き込み手順について、図9に基づいて説明する。   Next, a data writing procedure for each pixel in one horizontal line will be described with reference to FIG.

まず、1水平期間の開始を示すイネーブル信号ENBのLレベルの後に、すべてのデータラインDLに順次データ電圧Vsigを書き込む。すなわち、データラインDLには、容量などが接続されており、電圧信号をセットすることで、データラインDLにそのデータ電圧Vsigが保持される。そこで、各列の画素についてのデータ電圧Vsigを順次対応するデータラインDLにセットすることで、すべてのデータラインDLにデータ電圧Vsigをセットする。   First, after the L level of the enable signal ENB indicating the start of one horizontal period, the data voltage Vsig is sequentially written to all the data lines DL. That is, a capacitor or the like is connected to the data line DL, and the data voltage Vsig is held in the data line DL by setting a voltage signal. Therefore, the data voltage Vsig for the pixels in each column is sequentially set to the corresponding data line DL, thereby setting the data voltage Vsig to all the data lines DL.

そして、このデータのセットが終了した段階で、HoutをHレベルとして、ゲートラインGLをHレベルとして活性化し、上述した1つの水平方向の各画素について動作を行い、各画素におけるデータ書き込み、発光が行われる。   Then, at the stage where this data setting is completed, Hout is set to H level and the gate line GL is activated to H level, and operation is performed for each pixel in the one horizontal direction described above, and data writing and light emission in each pixel are performed. Done.

このようにして、通常のビデオ信号(データ電圧Vsig)を1水平期間の途中までの期間にすべてのデータラインDLに順次書き込み、これを上述のようにして全画素に同時にセットして、発光させることができる。   In this way, a normal video signal (data voltage Vsig) is sequentially written to all the data lines DL during the period up to the middle of one horizontal period, and this is simultaneously set to all the pixels as described above to emit light. be able to.

次に、他の方式について、図10に基づいて説明する。この例では、まず最初に発光セットラインESはLレベルにし、ゲートラインGLをHレベル(活性化)する。この状態で、データ電圧Vsigを順次データラインDLにセットする。そして、すべてのデータラインDLにデータ電圧Vsigをセットした場合には、発光セットラインESをHレベルとして、上述のディスチャージを行い、その後は同様に動作する。   Next, another method will be described with reference to FIG. In this example, first, the light emission set line ES is set to L level, and the gate line GL is set to H level (activated). In this state, the data voltage Vsig is sequentially set to the data line DL. When the data voltage Vsig is set to all the data lines DL, the light emission set line ES is set to the H level, the above-described discharge is performed, and thereafter the same operation is performed.

次に、変形例について、説明する。   Next, a modified example will be described.

図11は、変形例1の構成を示している。この変形例1では、選択トランジスタT1、短絡トランジスタT3をpチャネルとし、電位制御トランジスタT2をnチャネルとしている。このような構成では、ゲートラインGLのHレベル,Lレベルを上述の実施形態と反対にすることで、実施形態同様の動作を可能としている。   FIG. 11 shows a configuration of the first modification. In the first modification, the selection transistor T1 and the short-circuit transistor T3 are p-channel, and the potential control transistor T2 is n-channel. In such a configuration, the same operation as in the embodiment can be performed by setting the H level and L level of the gate line GL opposite to those in the above-described embodiment.

図12は、変形例2の構成を示している。この変形例2では、電位制御トランジスタT2のゲートに容量セットラインCSが接続されている。そして、この例では電位制御トランジスタT2をnチャネルトランジスタとしている。このように、電位制御トランジスタT2のオンオフ用に専用のラインである容量セットラインCSを有している。そして、この容量セットラインCSを、Hレベル=VVDD、Lレベル=VVBBとすることで、電位制御トランジスタT2をオンした際にVn=VVBBとできる。図1などの実施形態においては、電位制御トランジスタT2はpチャネルであり、その電位制御トランジスタT2をオンする際にそのゲート電圧はVVBBであって、発光セットラインESのLレベル=VVBBと同一の電圧である。そこで、電位制御トランジスタT2をオンしたときはVn=VVBB+|VtpT2|となってしまう。この変形例2では、Vn=VVBBとでき、より安定した動作が可能になる。なお、図10に、この例における容量セットラインCSの電圧についても、変形例2駆動時として示してある。   FIG. 12 shows a configuration of the second modification. In the second modification, the capacitance set line CS is connected to the gate of the potential control transistor T2. In this example, the potential control transistor T2 is an n-channel transistor. As described above, the capacitor control line T2, which is a dedicated line for turning on and off the potential control transistor T2, is provided. By setting the capacitance set line CS to H level = VVDD and L level = VVBB, Vn = VVBB can be obtained when the potential control transistor T2 is turned on. In the embodiment such as FIG. 1, the potential control transistor T2 is a p-channel, and when the potential control transistor T2 is turned on, the gate voltage is VVBB, which is the same as the L level of the light emission set line ES = VVBB. Voltage. Therefore, when the potential control transistor T2 is turned on, Vn = VVBB + | VtpT2 |. In the second modification, Vn = VVBB can be achieved, and more stable operation is possible. In FIG. 10, the voltage of the capacitor set line CS in this example is also shown as when the second modification is driven.

なお、上記実施形態において、各種の電圧は次のように設定することが好適である。電源ラインPVddはPVdd,発光セットラインESはHレベル=PVdd,Lレベル=VVBB、ゲートラインGLはHレベル=VVDD、Lレベル=VVBB、容量セットラインCsはHレベル=VVDD、Lレベル=VVBB、カソード電源CV=CVにし、PVdd=8V、VVDD=10V、VVBB=−2V、CV=−2V程度に設定するとよい。   In the above embodiment, the various voltages are preferably set as follows. The power supply line PVdd is PVdd, the light emission set line ES is H level = PVdd, L level = VVBB, the gate line GL is H level = VVDD, L level = VVBB, and the capacitance set line Cs is H level = VVDD, L level = VVBB, It is preferable to set the cathode power supply CV = CV, PVdd = 8V, VVDD = 10V, VVBB = −2V, and CV = −2V.

実施形態に係る画素回路の構成を示す図である。It is a figure which shows the structure of the pixel circuit which concerns on embodiment. 動作を説明するチャート図である。It is a chart figure explaining operation. ディスチャージ工程を説明する図である。It is a figure explaining a discharge process. リセット工程を説明する図である。It is a figure explaining a reset process. 電位固定工程を説明する図である。It is a figure explaining an electric potential fixing process. 発光工程を説明する図である。It is a figure explaining a light emission process. リセットから電位固定工程における電位変化の状態を説明する図である。It is a figure explaining the state of the potential change in a potential fixing process from reset. パネルの全体構成を示す図である。It is a figure which shows the whole structure of a panel. データセットのタイミング例を示す図である。It is a figure which shows the example of a timing of a data set. データセットの他のタイミング例を示す図である。It is a figure which shows the other timing example of a data set. 変形例1の構成を説明する図である。It is a figure explaining the structure of the modification 1. FIG. 変形例2の構成を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a configuration of Modification 2.

符号の説明Explanation of symbols

Cs コンデンサ、CS 容量セットライン、CV カソード電源、Cp 寄生容量、DL データライン、EL 有機EL素子、ES 発光セットライン、GL ゲートライン、HSR 水平スイッチ、PVdd 電源電圧、T1 選択トランジスタ、T2 電位制御トランジスタ、T3 短絡トランジスタ、T4 駆動トランジスタ、T5 駆動制御トランジスタ、VSR 垂直スイッチ、Vg 駆動トランジスタのゲート電圧、Vsig データ電圧。   Cs capacitor, CS capacitance set line, CV cathode power supply, Cp parasitic capacitance, DL data line, EL organic EL element, ES light emission set line, GL gate line, HSR horizontal switch, PVdd power supply voltage, T1 selection transistor, T2 potential control transistor , T3 short-circuit transistor, T4 drive transistor, T5 drive control transistor, VSR vertical switch, Vg drive transistor gate voltage, Vsig data voltage.

Claims (4)

制御端の電位に応じた駆動電流を電源から有機EL素子に流す駆動トランジスタと、
発光セットラインによって制御され、前記駆動トランジスタの前記駆動電流をオンオフする駆動制御トランジスタと、
前記駆動トランジスタをダイオード接続するか否かを制御する短絡トランジスタと、
データラインからのデータ信号を前記駆動トランジスタの制御端へ供給するか否かを制御する選択トランジスタと、
この選択トランジスタと、前記駆動トランジスタの制御端との間に挿入配置された容量と、
この容量の前記選択トランジスタ側と、前記発光セットラインとの間の接続をオンオフする電位制御トランジスタと、
を有することを特徴とする有機EL画素回路。
A drive transistor for causing a drive current corresponding to the potential of the control terminal to flow from the power source to the organic EL element;
A drive control transistor which is controlled by a light emission set line and which turns on and off the drive current of the drive transistor;
A short-circuit transistor that controls whether or not the drive transistor is diode-connected;
A selection transistor for controlling whether to supply a data signal from a data line to the control terminal of the driving transistor;
A capacitor inserted between the selection transistor and the control terminal of the drive transistor;
A potential control transistor for turning on and off the connection between the selection transistor side of the capacitor and the light emitting set line;
An organic EL pixel circuit comprising:
請求項1に記載の回路において、
前記選択トランジスタの制御端に接続され、前記選択トランジスタのオンオフを制御する制御ラインを有し、
この制御ラインには、前記電位制御トランジスタの制御端も接続され、かつ前記選択トランジスタと、前記電位制御トランジスタは、相補的にオンオフされることを特徴とする有機EL画素回路。
The circuit of claim 1, wherein
A control line connected to a control terminal of the selection transistor and controlling on / off of the selection transistor;
An organic EL pixel circuit, wherein a control terminal of the potential control transistor is also connected to the control line, and the selection transistor and the potential control transistor are complementarily turned on and off.
請求項2に記載の回路において、
前記制御ラインには、前記短絡トランジスタの制御端も接続され、かつ前記選択トランジスタと、前記短絡トランジスタは、同時にオンオフされることを特徴とする有機EL画素回路。
The circuit of claim 2, wherein
The organic EL pixel circuit, wherein a control terminal of the short-circuit transistor is connected to the control line, and the selection transistor and the short-circuit transistor are turned on and off simultaneously.
請求項1〜3のいずれか1つに記載の回路において、
前記発光セットラインは、前記制御ラインによって選択トランジスタがオンされた後に、発光制御トランジスタをオフする電圧にセットされ、前記制御ラインによって選択トランジスタがオフされた後に、発光制御トランジスタをオンする電圧にセットされることを特徴とする有機EL画素回路。
The circuit according to any one of claims 1 to 3,
The light emission set line is set to a voltage for turning off the light emission control transistor after the selection transistor is turned on by the control line, and set to a voltage for turning on the light emission control transistor after the selection transistor is turned off by the control line. An organic EL pixel circuit.
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