JP4747528B2 - Pixel circuit and display device - Google Patents

Pixel circuit and display device Download PDF

Info

Publication number
JP4747528B2
JP4747528B2 JP2004215058A JP2004215058A JP4747528B2 JP 4747528 B2 JP4747528 B2 JP 4747528B2 JP 2004215058 A JP2004215058 A JP 2004215058A JP 2004215058 A JP2004215058 A JP 2004215058A JP 4747528 B2 JP4747528 B2 JP 4747528B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
drive
electro
node
potential
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2004215058A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2006038965A (en
Inventor
勝秀 内野
淳一 山下
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Priority to JP2004215058A priority Critical patent/JP4747528B2/en
Publication of JP2006038965A publication Critical patent/JP2006038965A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4747528B2 publication Critical patent/JP4747528B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)

Description

本発明は、画素毎に配した電気光学素子を電流駆動する画素回路に関する。又この画素回路がマトリクス状に配列された表示装置であって、特に各画素回路内に設けた絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって、有機EL発光素子などの電気光学素子に通電する電流量を制御する、いわゆるアクティブマトリクス型の表示装置に関する。   The present invention relates to a pixel circuit that current-drives an electro-optical element disposed for each pixel. The pixel circuit is a display device arranged in a matrix, and the amount of current supplied to an electro-optical element such as an organic EL light-emitting element is controlled by an insulated gate field effect transistor provided in each pixel circuit. The present invention relates to a so-called active matrix display device.

画像表示装置、例えば液晶ディスプレイなどでは、多数の液晶画素をマトリクス状に並べ、表示すべき画像情報に応じて画素毎に入射光の透過強度又は反射強度を制御することによって画像を表示する。これは、有機EL素子を画素に用いた有機ELディスプレイなどにおいても同様であるが、液晶画素と異なり有機EL素子は自発光素子である。その為、有機ELディスプレイは液晶ディスプレイに比べて画像の視認性が高く、バックライトが不要であり、応答速度が高いなどの利点を有する。又、各発光素子の輝度レベル(階調)はそれに流れる電流値によって制御可能であり、いわゆる電流制御型であるという点で液晶ディスプレイなどの電圧制御型とは大きく異なる。   In an image display device such as a liquid crystal display, an image is displayed by arranging a large number of liquid crystal pixels in a matrix and controlling the transmission intensity or reflection intensity of incident light for each pixel in accordance with image information to be displayed. This also applies to an organic EL display using an organic EL element as a pixel, but unlike a liquid crystal pixel, the organic EL element is a self-luminous element. Therefore, the organic EL display has advantages such as higher image visibility than the liquid crystal display, no backlight, and high response speed. Further, the luminance level (gradation) of each light emitting element can be controlled by the value of the current flowing therethrough, and is greatly different from a voltage control type such as a liquid crystal display in that it is a so-called current control type.

有機ELディスプレイにおいては、液晶ディスプレイと同様、その駆動方式として単純マトリクス方式とアクティブマトリクス方式とがある。前者は構造が単純であるものの、大型且つ高精細のディスプレイの実現が難しいなどの問題がある為、現在はアクティブマトリクス方式の開発が盛んに行なわれている。この方式は、各画素回路内部の発光素子に流れる電流を、画素回路内部に設けた能動素子(一般には薄膜トランジスタ、TFT)によって制御するものであり、以下の特許文献に記載がある。
特開2003−255856 特開2003−271095 特開2004−133240
In the organic EL display, similarly to the liquid crystal display, there are a simple matrix method and an active matrix method as driving methods. Although the former has a simple structure, there is a problem that it is difficult to realize a large-sized and high-definition display. Therefore, the active matrix method is actively developed at present. In this method, a current flowing through a light emitting element in each pixel circuit is controlled by an active element (generally a thin film transistor or TFT) provided in the pixel circuit, and is described in the following patent documents.
JP 2003-255856 A JP 2003-271095 A JP 2004-133240 A

従来の画素回路は、走査線と信号線とが交差する部分に配されており、少なくとも電気光学素子とドライブトランジスタとサンプリングトランジスタと保持容量と結合容量とを備えている。ドライブトランジスタは、所定の電源電位から所定の出力ノードに向かって駆動電流を供給する様に配されているとともに、そのゲートが所定の制御ノードに接続している。電気光学素子は、その一端が出力ノードに接続し、他端が所定の接地電位に接続している。サンプリングトランジスタは、所定の入力ノードと信号線との間に接続している。保持容量は制御ノードに接続している。結合容量は制御ノードと入力ノードとの間に配されている。   A conventional pixel circuit is arranged at a portion where a scanning line and a signal line intersect, and includes at least an electro-optical element, a drive transistor, a sampling transistor, a storage capacitor, and a coupling capacitor. The drive transistor is arranged so as to supply a drive current from a predetermined power supply potential toward a predetermined output node, and its gate is connected to a predetermined control node. The electro-optic element has one end connected to the output node and the other end connected to a predetermined ground potential. The sampling transistor is connected between a predetermined input node and a signal line. The storage capacitor is connected to the control node. The coupling capacitance is arranged between the control node and the input node.

係る構成において、サンプリングトランジスタは走査線によって選択された時動作し、信号線から入力信号をサンプリングし且つ入力信号に応じた信号電位を結合容量を介して保持容量に保持する。ドライブトランジスタは、保持容量に保持された信号電位に応じて出力ノードに駆動電流を供給し、以って電気光学素子を電流駆動する。この様に、ドライブトランジスタのゲートは、保持容量に保持された信号電位によってソース基準のゲート電圧を受ける。ドライブトランジスタはこのゲート電圧に応じてソース/ドレイン間に駆動電流を流し、電気光学素子に通電する。一般に電気光学素子の発光輝度は通電量に比例している。更にドライブトランジスタの駆動電流供給量はゲート電圧すなわち保持容量に書き込まれた信号電位によって制御される。この様に従来の画素回路は、ドライブトランジスタのゲートに印加される信号電圧を入力映像信号に応じて変化させることで、電気光学素子に供給する駆動電流量を制御している。   In such a configuration, the sampling transistor operates when selected by the scanning line, samples the input signal from the signal line, and holds the signal potential corresponding to the input signal in the holding capacitor via the coupling capacitor. The drive transistor supplies a drive current to the output node in accordance with the signal potential held in the holding capacitor, thereby driving the electro-optic element with current. In this manner, the gate of the drive transistor receives the source-reference gate voltage by the signal potential held in the holding capacitor. The drive transistor causes a drive current to flow between the source and drain in accordance with the gate voltage, and energizes the electro-optic element. In general, the light emission luminance of an electro-optical element is proportional to the amount of current supplied. Furthermore, the drive current supply amount of the drive transistor is controlled by the gate voltage, that is, the signal potential written in the storage capacitor. As described above, the conventional pixel circuit controls the amount of drive current supplied to the electro-optical element by changing the signal voltage applied to the gate of the drive transistor in accordance with the input video signal.

ここでドライブトランジスタの動作特性は以下の式で表わされる。
Ids=(1/2)μ(W/L)Cox(Vgs−Vth)
このトランジスタ特性式において、Idsはソース/ドレイン間に流れるドレイン電流を表わしており、画素回路では電気光学素子に供給される駆動電流である。Vgsはソースを基準としてゲートに印加されるゲート印加電圧を表わしている。Vthはトランジスタの閾電圧である。又μはトランジスタのチャネルを構成する半導体薄膜の移動度を表わしている。その他Wはチャネル幅を表わし、Lはチャネル長を表わし、Coxはゲート容量を表わしている。このトランジスタ特性式から明らかな様に、薄膜トランジスタは飽和領域で動作する時、ゲート電圧Vgsが閾電圧Vthを超えて大きくなると、オン状態となってドレイン電流Idsが流れる。原理的に見ると上記のトランジスタ特性式が示す様に、ゲート電圧Vgsが一定であれば常に同じ量のドレイン電流Idsが電気光学素子に供給される。従って、画面を構成する各画素に全て同一のレベルの入力信号を供給すれば、全画素が同一輝度で発光し、画面の一様性(ユニフォーミティ)が得られるはずである。
Here, the operating characteristic of the drive transistor is expressed by the following equation.
Ids = (1/2) μ (W / L) Cox (Vgs−Vth) 2
In this transistor characteristic formula, Ids represents a drain current flowing between the source and the drain, and is a drive current supplied to the electro-optical element in the pixel circuit. Vgs represents a gate applied voltage applied to the gate with reference to the source. Vth is the threshold voltage of the transistor. Μ represents the mobility of the semiconductor thin film constituting the channel of the transistor. In addition, W represents the channel width, L represents the channel length, and Cox represents the gate capacitance. As is apparent from this transistor characteristic equation, when the thin film transistor operates in the saturation region, if the gate voltage Vgs increases beyond the threshold voltage Vth, the thin film transistor is turned on and the drain current Ids flows. In principle, as indicated by the above transistor characteristic equation, the same amount of drain current Ids is always supplied to the electro-optic element if the gate voltage Vgs is constant. Therefore, if an input signal of the same level is supplied to all the pixels constituting the screen, all pixels should emit light with the same luminance, and the uniformity of the screen should be obtained.

しかしながら実際には、ポリシリコンなどの半導体薄膜で構成された薄膜トランジスタ(TFT)は、個々のデバイス特性にばらつきがある。特に、閾電圧Vthは一定ではなく、各画素毎にばらつきがある。前述のトランジスタ特性式から明らかな様に、各ドライブトランジスタの閾電圧Vthがばらつくと、ゲート印加電圧Vgsが一定であっても、ドレイン電流Idsにばらつきが生じ、画素毎に輝度がばらついてしまう為、画面のユニフォーミティを損なう。従来からドライブトランジスタの閾電圧のばらつきをキャンセルする機能を組み込んだ画素回路が開発されており、例えば前記の特許文献3に開示がある。   However, in reality, thin film transistors (TFTs) composed of semiconductor thin films such as polysilicon have variations in individual device characteristics. In particular, the threshold voltage Vth is not constant and varies from pixel to pixel. As is apparent from the above transistor characteristic equation, if the threshold voltage Vth of each drive transistor varies, even if the gate applied voltage Vgs is constant, the drain current Ids varies and the luminance varies from pixel to pixel. , Damage the screen uniformity. Conventionally, a pixel circuit incorporating a function for canceling variations in threshold voltages of drive transistors has been developed, and is disclosed in, for example, Patent Document 3 described above.

閾電圧のばらつきをキャンセルする機能を組み込んだ画素回路は、ある程度画面のユニフォーミティを改善することが可能である。しかしながら、ポリシリコン薄膜トランジスタの特性ばらつきは、閾電圧ばかりでなく、移動度μも素子毎にばらつきがある。前述のトランジスタ特性式から明らかな様に、移動度μがばらつくと、ゲート印加電圧Vgsが一定であってもドレイン電流Idsにばらつきが出てしまう。この結果発光輝度が画素毎に変化する為、画面のユニフォーミティを損なうという課題がある。   A pixel circuit incorporating a function for canceling variations in threshold voltage can improve screen uniformity to some extent. However, the variation in characteristics of the polysilicon thin film transistor varies not only in the threshold voltage but also in the mobility μ from element to element. As is clear from the transistor characteristic equation described above, when the mobility μ varies, the drain current Ids varies even when the gate applied voltage Vgs is constant. As a result, the emission luminance varies from pixel to pixel, and there is a problem that the uniformity of the screen is impaired.

上述した従来の技術の課題に鑑み、本発明はドライブトランジスタのドレイン電流のばらつきを補償可能な画素回路及び表示装置とこれらの駆動方法を提供することを目的とする。係る目的を達成する為に以下の手段を講じた。即ち本発明は、走査線と信号線とが交差する部分に配されており、少なくとも電気光学素子とドライブトランジスタとサンプリングトランジスタと保持容量と結合容量とを備え、該ドライブトランジスタは、所定の電源電位から所定の出力ノードに向かって駆動電流を供給するように配されているとともに、そのゲートが所定の制御ノードに接続し、該電気光学素子は、その一端が該出力ノードに接続し、他端が所定の接地電位に接続し、該サンプリングトランジスタは、所定の入力ノードと該信号線との間に接続し、該保持容量は、該制御ノードに接続し、該結合容量は、該制御ノードと該入力ノードとの間に配されており、前記サンプリングトランジスタは走査線によって選択された時動作し、該信号線から入力信号をサンプリングし且つ該入力信号に応じた信号電位を該結合容量を介して該保持容量に保持し、前記ドライブトランジスタは、該保持容量に保持された該信号電位に応じて該出力ノードに該駆動電流を供給し、以って該電気光学素子を電流駆動する画素回路において、閾電圧補正回路と駆動電流補正回路とが組み込まれており、前記閾電圧補正回路は、該電気光学素子の電流駆動に先だって該ドライブトランジスタの閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した電位を該保持容量に保持するとともに、前記駆動電流補正回路は、該電気光学素子の電流駆動を開始した後、該ドライブトランジスタが供給する駆動電流のばらつきを検出し、その検出結果に従って該ばらつきを打ち消すように該保持容量に保持された信号電位を調節し、前記閾電圧補正回路は、該出力ノードで該ドライブトランジスタと該電気光学素子とを接続するスイッチングトランジスタと、該制御ノードと該ドライブトランジスタの出力側との間に接続されたスイッチングトランジスタと、所定の固定電位と該入力ノードとの間に接続されたスイッチングトランジスタとからなり、前記駆動電流補正回路は、所定の電源電位と該入力ノードとの間に接続された容量素子と、該入力ノードに接続した別の容量素子と、該別の容量素子と出力ノードとの間に接続したスイッチングトランジスタと、該制御ノードと該結合容量との間に接続したスイッチングトランジスタとからなることを特徴とする。 In view of the above-described problems of the related art, an object of the present invention is to provide a pixel circuit and a display device that can compensate for variations in drain current of a drive transistor, and a driving method thereof. In order to achieve this purpose, the following measures were taken. That is, the present invention is arranged at a portion where the scanning line and the signal line intersect, and includes at least an electro-optic element, a drive transistor, a sampling transistor, a storage capacitor, and a coupling capacitor, and the drive transistor has a predetermined power supply potential And a gate connected to a predetermined control node, and one end of the electro-optic element is connected to the output node, and the other end of the electro-optic element. Is connected to a predetermined ground potential, the sampling transistor is connected between a predetermined input node and the signal line, the holding capacitor is connected to the control node, and the coupling capacitor is connected to the control node. The sampling transistor is arranged between the input node and operates when selected by the scanning line, samples the input signal from the signal line, and A signal potential corresponding to the input signal is held in the holding capacitor via the coupling capacitor, and the drive transistor supplies the drive current to the output node according to the signal potential held in the holding capacitor. Therefore, a threshold voltage correction circuit and a drive current correction circuit are incorporated in the pixel circuit for current driving the electro-optic element, and the threshold voltage correction circuit is configured to drive the drive before the current drive of the electro-optic element. In order to detect the threshold voltage of the transistor and cancel the influence in advance, the detected potential is held in the storage capacitor, and the drive current correction circuit starts driving the electro-optic element and then drives the drive transistor. There detecting the variation of the drive current supplied to adjust the signal potential retained in the retention capacitor so as to cancel the variation in accordance with the detection result, the The voltage correction circuit includes a switching transistor that connects the drive transistor and the electro-optic element at the output node, a switching transistor that is connected between the control node and the output side of the drive transistor, and a predetermined fixed potential. And a switching transistor connected between the input node and the drive current correction circuit. The driving current correction circuit includes a capacitor connected between a predetermined power supply potential and the input node, and another capacitor connected to the input node. And a switching transistor connected between the other capacitive element and the output node, and a switching transistor connected between the control node and the coupling capacitor .

又本発明は、行状の走査線と、列状の信号線と、両者が交差する部分に各々配された画素回路とからなり、前記画素回路は、少なくとも電気光学素子とドライブトランジスタとサンプリングトランジスタと保持容量と結合容量とを備え、該ドライブトランジスタは、所定の電源電位から所定の出力ノードに向かって駆動電流を供給するように配されているとともに、そのゲートが所定の制御ノードに接続し、該電気光学素子は、その一端が該出力ノードに接続し、他端が所定の接地電位に接続し、該サンプリングトランジスタは、所定の入力ノードと該信号線との間に接続し、該保持容量は、該制御ノードに接続し、該結合容量は、該制御ノードと該入力ノードとの間に接続しており、前記サンプリングトランジスタは走査線によって選択された時動作し、該信号線から入力信号をサンプリングし且つ該入力信号に応じた信号電位を該結合容量を介して該保持容量に保持し、前記ドライブトランジスタは、該保持容量に保持された該信号電位に応じて該出力ノードに該駆動電流を供給し、以って該電気光学素子を電流駆動する表示装置において、前記画素回路は閾電圧補正回路と駆動電流補正回路とが組み込まれており、前記閾電圧補正回路は、該電気光学素子の電流駆動に先だって該ドライブトランジスタの閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した電位を該保持容量に保持するとともに、前記駆動電流補正回路は、該電気光学素子の電流駆動を開始した後、該ドライブトランジスタが供給する駆動電流のばらつきを検出し、その検出結果に従って該ばらつきを打ち消すように該保持容量に保持された信号電位を調節し、前記閾電圧補正回路は、該出力ノードで該ドライブトランジスタと該電気光学素子とを接続するスイッチングトランジスタと、該制御ノードと該ドライブトランジスタの出力側との間に接続されたスイッチングトランジスタと、所定の固定電位と該入力ノードとの間に接続されたスイッチングトランジスタとからなり、
前記駆動電流補正回路は、所定の電源電位と該入力ノードとの間に接続された容量素子と、該入力ノードに接続した別の容量素子と、該別の容量素子と出力ノードとの間に接続したスイッチングトランジスタと、該制御ノードと該結合容量との間に接続したスイッチングトランジスタとからなる
Further, the present invention includes a row-shaped scanning line, a column-shaped signal line, and a pixel circuit disposed at each of the intersecting portions. The pixel circuit includes at least an electro-optic element, a drive transistor, a sampling transistor, and the like. The drive transistor includes a storage capacitor and a coupling capacitor, and the drive transistor is arranged to supply a drive current from a predetermined power supply potential toward a predetermined output node, and has a gate connected to a predetermined control node, The electro-optic element has one end connected to the output node, the other end connected to a predetermined ground potential, the sampling transistor connected between a predetermined input node and the signal line, and the storage capacitor Is connected to the control node, the coupling capacitor is connected between the control node and the input node, and the sampling transistor is selected by a scanning line. The input signal is sampled from the signal line, and the signal potential corresponding to the input signal is held in the holding capacitor via the coupling capacitor, and the drive transistor is held in the holding capacitor. In a display device in which the drive current is supplied to the output node according to a signal potential, and the electro-optic element is current-driven, the pixel circuit includes a threshold voltage correction circuit and a drive current correction circuit. The threshold voltage correction circuit detects the threshold voltage of the drive transistor prior to current driving of the electro-optic element, and holds the detected potential in the storage capacitor in order to cancel the influence in advance, and the drive current The correction circuit detects a variation in the drive current supplied by the drive transistor after starting the current drive of the electro-optical element, and performs the detection according to the detection result. For adjusting the signal potential retained in the retention capacitor so as to cancel out the threshold voltage correction circuit includes a switching transistor for connecting the said drive transistor and the electro-optical element in said output node, said control node and said A switching transistor connected between the output side of the drive transistor and a switching transistor connected between the predetermined fixed potential and the input node;
The drive current correction circuit includes a capacitive element connected between a predetermined power supply potential and the input node, another capacitive element connected to the input node, and between the other capacitive element and the output node. The switching transistor is connected, and the switching transistor is connected between the control node and the coupling capacitor .

本発明によれば、画素回路は閾電圧補償回路と駆動電流補償回路とを組み込んでいる。閾電圧補償回路は画素毎に形成されたドライブトランジスタの閾電圧のばらつきを回路的に補正して、画面のユニフォーミティを改善できる。又駆動電流補償回路は同じく画素毎に形成されたドライブトランジスタの移動度のばらつきを回路的に補正して、画素毎の駆動電流のばらつきを取り除き、以って画面のユニフォーミティを改善している。この様にポリシリコンなどの半導体薄膜で構成されるTFTをドライブトランジスタに用いた場合、閾電圧や移動度などの特性のばらつきをデバイス技術で抑えることができなくても、画素回路に補正機能を組み込むことで、閾電圧と移動度のばらつきを吸収でき、以って有機ELディスプレイなどの表示装置のユニフォーミティを実用レベルまで改善している。   According to the present invention, the pixel circuit incorporates a threshold voltage compensation circuit and a drive current compensation circuit. The threshold voltage compensation circuit can improve the uniformity of the screen by correcting the variation of the threshold voltage of the drive transistor formed for each pixel in a circuit. Similarly, the drive current compensation circuit corrects the variation in the mobility of the drive transistor formed for each pixel in a circuit to remove the variation in the drive current for each pixel, thereby improving the uniformity of the screen. . When TFTs composed of semiconductor thin films such as polysilicon are used for drive transistors in this way, even if device technology cannot suppress variations in characteristics such as threshold voltage and mobility, the pixel circuit has a correction function. By incorporating it, variations in threshold voltage and mobility can be absorbed, thereby improving the uniformity of a display device such as an organic EL display to a practical level.

以下図面を参照して本発明の実施の形態を詳細に説明する。まず最初に本発明の背景を明らかにする為、図1を参照してアクティブマトリクス表示装置及びこれに含まれる画素回路の一般的な構成を参考例として説明する。図示する様に、アクティブマトリクス表示装置は主要部となる画素アレイ1と周辺の回路群とで構成されている。周辺の回路群は水平セレクタ2、ドライブスキャナ3、ライトスキャナ4などを含んでいる。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. First, in order to clarify the background of the present invention, a general configuration of an active matrix display device and a pixel circuit included therein will be described as a reference example with reference to FIG. As shown in the figure, the active matrix display device includes a pixel array 1 as a main part and a peripheral circuit group. The peripheral circuit group includes a horizontal selector 2, a drive scanner 3, a write scanner 4, and the like.

画素アレイ1は行状の走査線WSと列状の信号線DLと両者の交差する部分にマトリクス状に配列した画素回路5とで構成されている。信号線DLは水平セレクタ2によって駆動される。走査線WSはライトスキャナ4によって走査される。尚、走査線WSと平行に別の走査線DSも配線されており、これはドライブスキャナ3によって走査される。各画素回路5は、走査線WSによって選択された時信号線DLから映像信号をサンプリングする。更に走査線DSによって選択された時、サンプリングされた映像信号に応じて電気光学素子を駆動する。この電気光学素子は各画素回路5に形成された電流駆動型の発光素子などである。   The pixel array 1 is composed of row-like scanning lines WS and column-like signal lines DL and pixel circuits 5 arranged in a matrix at portions where they intersect. The signal line DL is driven by the horizontal selector 2. The scanning line WS is scanned by the write scanner 4. Note that another scanning line DS is also wired in parallel with the scanning line WS, and this is scanned by the drive scanner 3. Each pixel circuit 5 samples the video signal from the signal line DL when selected by the scanning line WS. Further, when selected by the scanning line DS, the electro-optical element is driven in accordance with the sampled video signal. This electro-optical element is a current-driven light emitting element formed in each pixel circuit 5.

図2は、図1に示した画素回路5の基本的な構成を示す参考図である。本画素回路5は、サンプリング用薄膜トランジスタ(サンプリングトランジスタTr1)、ドライブ用薄膜トランジスタ(ドライブトランジスタTr2)、スイッチング用薄膜トランジスタ(スイッチングトランジスタTr3)、保持容量C1、電気光学素子ELなどで構成されている。尚、本参考例では各トランジスタTr1,Tr2及びTr3はポリシリコンTFTで全てPチャネル型となっている。但し本発明はこれに限られるものではなく、ポリシリコンTFTはPチャネル型に代えてNチャネル型を用いることもでき、更にはこれらを混在させて画素回路5を構成することもできる。又電気光学素子ELは、例えば有機EL素子などの発光素子である。これらの要素によって構成された画素回路5は、信号線DLと走査線WS及びDSとの交差部に配されている。信号線DLはサンプリングトランジスタTr1のドレインに接続し、走査線WSはサンプリングトランジスタTr1のゲートに接続し、他の走査線DSはスイッチングトランジスタTr3のゲートに接続している。   FIG. 2 is a reference diagram showing a basic configuration of the pixel circuit 5 shown in FIG. The pixel circuit 5 includes a sampling thin film transistor (sampling transistor Tr1), a drive thin film transistor (drive transistor Tr2), a switching thin film transistor (switching transistor Tr3), a storage capacitor C1, an electro-optical element EL, and the like. In this reference example, the transistors Tr1, Tr2, and Tr3 are polysilicon TFTs and are all P-channel type. However, the present invention is not limited to this, and the polysilicon TFT may be an N-channel type instead of the P-channel type, and the pixel circuit 5 may be configured by mixing them. The electro-optical element EL is a light emitting element such as an organic EL element. The pixel circuit 5 constituted by these elements is arranged at the intersection of the signal line DL and the scanning lines WS and DS. The signal line DL is connected to the drain of the sampling transistor Tr1, the scanning line WS is connected to the gate of the sampling transistor Tr1, and the other scanning line DS is connected to the gate of the switching transistor Tr3.

ドライブトランジスタTr2、スイッチングトランジスタTr3及び電気光学素子ELは、電源電位Vccと接地電位GNDの間で直列に接続されている。すなわちドライブトランジスタTr2のソースが電源電位Vccに接続される一方、電気光学素子ELのカソードが接地電位GNDに接続されている。一般に、電気光学素子ELを構成する有機EL素子は整流性がある為ダイオードの記号で表わしている。一方、サンプリングトランジスタTr1及び保持容量C1はドライブトランジスタTr2のゲートに接続している。ドライブトランジスタTr2のゲート・ソース間電圧をVgsで表わしている。   The drive transistor Tr2, the switching transistor Tr3, and the electro-optical element EL are connected in series between the power supply potential Vcc and the ground potential GND. That is, the source of the drive transistor Tr2 is connected to the power supply potential Vcc, while the cathode of the electro-optical element EL is connected to the ground potential GND. In general, an organic EL element constituting the electro-optic element EL is represented by a diode symbol because it has a rectifying property. On the other hand, the sampling transistor Tr1 and the holding capacitor C1 are connected to the gate of the drive transistor Tr2. The gate-source voltage of the drive transistor Tr2 is represented by Vgs.

画素回路5の動作であるが、まず走査線WSを選択状態(ここではローレベル)とし、信号線DLに入力信号を印加すると、サンプリングトランジスタTr1が導通して入力信号が保持容量C1に書き込まれる。保持容量C1に書き込まれた信号電位がドライブトランジスタTr2のゲート電位Vgsとなる。続いて、走査線WSを非選択状態(ここではハイレベル)にすると、信号線DLとドライブトランジスタTr2とは電気的に切り離されるが、ドライブトランジスタTr2のゲート電位Vgsは保持容量C1によって安定に保持される。続いて他の走査線DSを選択状態(ここではローレベル)にすると、スイッチングトランジスタTr3が導通し、電源電位Vccから接地電位GNDに向かって駆動電流がトランジスタTr2,Tr3及び電気光学素子ELを流れる。走査線DSが非選択状態になるとスイッチングトランジスタTr3がオフし、駆動電流は流れなくなる。スイッチングトランジスタTr3は電気光学素子ELの発光時間を制御する為に挿入されたものである。   The operation of the pixel circuit 5 is as follows. First, when the scanning line WS is selected (low level here) and an input signal is applied to the signal line DL, the sampling transistor Tr1 is turned on and the input signal is written into the holding capacitor C1. . The signal potential written in the storage capacitor C1 becomes the gate potential Vgs of the drive transistor Tr2. Subsequently, when the scanning line WS is set to a non-selected state (here, high level), the signal line DL and the drive transistor Tr2 are electrically disconnected, but the gate potential Vgs of the drive transistor Tr2 is stably held by the holding capacitor C1. Is done. Subsequently, when another scanning line DS is set to a selected state (here, low level), the switching transistor Tr3 becomes conductive, and a drive current flows through the transistors Tr2 and Tr3 and the electro-optical element EL from the power supply potential Vcc toward the ground potential GND. . When the scanning line DS is in a non-selected state, the switching transistor Tr3 is turned off and the driving current does not flow. The switching transistor Tr3 is inserted to control the light emission time of the electro-optical element EL.

ドライブトランジスタTr2及び電気光学素子ELに流れる電流は、ドライブトランジスタTr2のゲート・ソース間電圧Vgsに応じた値となり、電気光学素子ELはその電流値に応じた輝度で発光し続ける。上記の様に、走査線WSを選択して信号線DLに与えられた入力信号を画素回路5の内部に伝える動作を「書込」と呼ぶ。上述の様に一度入力信号の書込を行なえば、次に書き替えられるまでの間、電気光学素子ELは一定の輝度で発光を続ける。   The current flowing through the drive transistor Tr2 and the electro-optical element EL has a value corresponding to the gate-source voltage Vgs of the drive transistor Tr2, and the electro-optical element EL continues to emit light with luminance corresponding to the current value. As described above, the operation of selecting the scanning line WS and transmitting the input signal applied to the signal line DL to the inside of the pixel circuit 5 is referred to as “writing”. Once the input signal is written as described above, the electro-optical element EL continues to emit light at a constant luminance until the next rewriting.

上述した様に画素回路5では、ドライブトランジスタTr2のゲート印加電圧Vgsを入力信号に応じて変化させることで、電気光学素子ELに流れる電流値を制御している。この時、Pチャネル型のドライブトランジスタTr2のソースは電源電位Vccに接続されており、このトランジスタTr2は常に飽和領域で動作している。よって、ドライブトランジスタTr2は先のトランジスタ特性式で示した様に、Vgsに応じて一定のドレイン電流Idsを供給する定電流源となっている。   As described above, in the pixel circuit 5, the value of the current flowing through the electro-optical element EL is controlled by changing the gate application voltage Vgs of the drive transistor Tr2 according to the input signal. At this time, the source of the P-channel type drive transistor Tr2 is connected to the power supply potential Vcc, and this transistor Tr2 always operates in the saturation region. Therefore, the drive transistor Tr2 is a constant current source that supplies a constant drain current Ids according to Vgs, as shown in the previous transistor characteristic equation.

しかしながら実際にはドライブトランジスタTr2の閾電圧は画素毎にばらついており、これを補正する必要がある。図3は、画素回路に閾電圧補正機能を組み込んだ参考例を表わしており、例えば特許文献3に記載されている。図示する様に、本画素回路5は、3本の走査線WS,DS,AZと1本の信号線DLとが交差する部分に配されており、少なくとも電気光学素子ELとドライブトランジスタTr2とサンプリングトランジスタTr1と保持容量C1と結合容量C2とを備えている。本参考例は、ドライブトランジスタTr2のみPチャネル型であり、残りのトランジスタは全てNチャネル型となっている。ドライブトランジスタTr2は、所定の電源電位Vccから所定の出力ノードBに向かって駆動電流Idsを供給する様に配されているとともに、そのゲートが所定の制御ノードAに接続している。サンプリングトランジスタTr1は、所定の入力ノードCと信号線DLとの間に接続している。サンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSに接続している。保持容量C1は電源電位Vccと制御ノードAとの間に接続されている。結合容量C2は、制御ノードAと入力ノードCとの間に配されている。尚、補助容量C3が電源電位Vccと入力ノードCとの間に接続されている。又スイッチングトランジスタTr3が出力ノードBでドライブトランジスタTr2と電気光学素子ELとを接続している。このスイッチングトランジスタTr3のゲートは走査線DSに接続している。   However, actually, the threshold voltage of the drive transistor Tr2 varies from pixel to pixel, and it is necessary to correct this. FIG. 3 shows a reference example in which a threshold voltage correction function is incorporated in a pixel circuit, which is described in Patent Document 3, for example. As shown in the figure, this pixel circuit 5 is arranged at a portion where three scanning lines WS, DS, AZ and one signal line DL intersect, and at least the electro-optical element EL, the drive transistor Tr2, and the sampling. A transistor Tr1, a holding capacitor C1, and a coupling capacitor C2 are provided. In this reference example, only the drive transistor Tr2 is a P-channel type, and the remaining transistors are all N-channel types. The drive transistor Tr2 is arranged to supply a drive current Ids from a predetermined power supply potential Vcc toward a predetermined output node B, and its gate is connected to a predetermined control node A. The sampling transistor Tr1 is connected between a predetermined input node C and the signal line DL. The gate of the sampling transistor Tr1 is connected to the scanning line WS. The storage capacitor C1 is connected between the power supply potential Vcc and the control node A. The coupling capacitor C2 is arranged between the control node A and the input node C. An auxiliary capacitor C3 is connected between the power supply potential Vcc and the input node C. A switching transistor Tr3 connects the drive transistor Tr2 and the electro-optical element EL at the output node B. The gate of the switching transistor Tr3 is connected to the scanning line DS.

図3に示した画素回路5の書込動作であるが、まずサンプリングトランジスタTr1は走査線WSによって選択された時動作し、信号線DLから入力信号Vsigをサンプリングし且つ入力信号Vsigに応じた信号電位を結合容量C2を介して保持容量C1に保持する。ドライブトランジスタTr2は、保持容量C1に保持された信号電位に応じて出力ノードBに駆動電流Idsを供給し、以って電気光学素子ELを電流駆動する。尚実際には走査線DSを介してスイッチングトランジスタTr3がオンした時ドライブトランジスタTr2から駆動電流Idsが出力ノードBを介して電気光学素子ELに供給され、発光動作を行なう様になっている。   In the writing operation of the pixel circuit 5 shown in FIG. 3, first, the sampling transistor Tr1 operates when selected by the scanning line WS, samples the input signal Vsig from the signal line DL, and a signal corresponding to the input signal Vsig. The potential is held in the holding capacitor C1 through the coupling capacitor C2. The drive transistor Tr2 supplies the drive current Ids to the output node B in accordance with the signal potential held in the holding capacitor C1, thereby driving the electro-optic element EL with current. Actually, when the switching transistor Tr3 is turned on via the scanning line DS, the drive current Ids is supplied from the drive transistor Tr2 to the electro-optical element EL via the output node B, and the light emission operation is performed.

係る構成を有する画素回路5は通常の書込機能に加え、閾電圧補正回路が組み込まれている。この閾電圧補正回路は電気光学素子ELの電流駆動に先立ってドライブトランジスタTr2の閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した電位を保持容量C1に保持するものである。本参考例では、この閾電圧補正回路は追加のスイッチングトランジスタTr4及びTr5で構成されている。一方のスイッチングトランジスタTr4は所定の固定電位Vofsと入力ノードCとの間に接続されている。このスイッチングトランジスタTr4のゲートは閾電圧補正用に別途設けた走査線AZに接続している。スイッチングトランジスタTr5は、制御ノードAとドライブトランジスタTr2の出力側(ドレイン側)との間に接続されている。このスイッチングトランジスタTr5のゲートも走査線AZに接続されている。   The pixel circuit 5 having such a configuration incorporates a threshold voltage correction circuit in addition to a normal writing function. This threshold voltage correction circuit detects the threshold voltage of the drive transistor Tr2 prior to current driving of the electro-optical element EL, and holds the detected potential in the storage capacitor C1 in order to cancel the influence in advance. In this reference example, this threshold voltage correction circuit is composed of additional switching transistors Tr4 and Tr5. One switching transistor Tr4 is connected between a predetermined fixed potential Vofs and the input node C. The gate of the switching transistor Tr4 is connected to a scanning line AZ provided separately for threshold voltage correction. The switching transistor Tr5 is connected between the control node A and the output side (drain side) of the drive transistor Tr2. The gate of the switching transistor Tr5 is also connected to the scanning line AZ.

図4のタイミングチャートを参照して、図3に示した参考例に係る画素回路の閾電圧補正動作及び書込動作を詳細に説明する。図示のタイミングチャートは、タイミングT1で1フィールド(1f)がスタートし、タイミングT7で1フィールドが終わる様に表わしてある。時間軸Tに沿って、走査線WS,DS及びAZのレベル変化を表わしてある。又同じ時間軸Tに沿って、制御ノードA及び出力ノードBの電位変化を表わしてある。制御ノードA(ドライブトランジスタTr2のゲート)の電位変化は実線で表わし、これと区別する為出力ノードB(電気光学素子ELのアノード)の電位変化は鎖線で表わしてある。   With reference to the timing chart of FIG. 4, the threshold voltage correction operation and the writing operation of the pixel circuit according to the reference example shown in FIG. 3 will be described in detail. The timing chart shown in the figure shows that one field (1f) starts at timing T1 and one field ends at timing T7. Along the time axis T, the level changes of the scanning lines WS, DS and AZ are represented. Further, the potential change of the control node A and the output node B along the same time axis T is shown. The change in potential of the control node A (gate of the drive transistor Tr2) is represented by a solid line, and the change in potential of the output node B (anode of the electro-optical element EL) is represented by a chain line to distinguish it from this.

当該フィールドのスタートするタイミングT1では、走査線WS及びAZがローレベルにある一方、走査線DSがハイレベルにある。従ってスイッチングトランジスタTr3のみがオン状態にあって電気光学素子ELを発光させている一方、残りのトランジスタTr1,Tr4及びTr5はオフ状態にある。この時制御ノードAは保持容量C1に保持された信号電位に維持されている。一方出力ノードBは接地電位GNDから電気光学素子ELの電圧降下分だけ上に位置している。   At the start timing T1 of the field, the scanning lines WS and AZ are at a low level, while the scanning line DS is at a high level. Accordingly, only the switching transistor Tr3 is in the on state and the electro-optical element EL is caused to emit light, while the remaining transistors Tr1, Tr4 and Tr5 are in the off state. At this time, the control node A is maintained at the signal potential held in the holding capacitor C1. On the other hand, the output node B is located above the ground potential GND by a voltage drop of the electro-optical element EL.

タイミングT2に進むと、走査線AZがローレベルからハイレベルに切り替わり、閾電圧補正動作が行なわれる。走査線AZがハイレベルになると、スイッチングトランジスタTr4及びTr5がオンする。スイッチングトランジスタTr4がオンすることで入力ノードCは固定電位Vofsにセットされ、閾電圧補正動作の待機状態となる。同時にスイッチングトランジスタTr5がオンすることで、保持容量C1に保持された電荷がドライブトランジスタTr2のドレイン側に放電される。この結果制御ノードAの電位は接地電位GNDに向かって低下する。   When the timing T2 is reached, the scanning line AZ is switched from the low level to the high level, and the threshold voltage correction operation is performed. When the scanning line AZ becomes high level, the switching transistors Tr4 and Tr5 are turned on. When the switching transistor Tr4 is turned on, the input node C is set to the fixed potential Vofs, and the standby state for the threshold voltage correction operation is set. At the same time, the switching transistor Tr5 is turned on, whereby the charge held in the holding capacitor C1 is discharged to the drain side of the drive transistor Tr2. As a result, the potential of the control node A decreases toward the ground potential GND.

タイミングT2の後タイミングT3に至ると、走査線DSがハイレベルからローレベルとなり、スイッチングトランジスタTr3がオフする。これにより電気光学素子ELが出力ノードBから切り離されるので、非発光状態となる。一方ドライブトランジスタTr2から供給される駆動電流Idsは引続きオン状態にあるスイッチングトランジスタTr5を介して保持容量C1及び結合容量C2に流れ込む。これにより制御ノードAの電位は電源電位Vccに向かって上昇し始める。この上昇過程で制御ノードAの電位がちょうどドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthと一致した時、ドライブトランジスタTr2のゲートが遮断する。この結果、ドレイン電流Idsは流れなくなり、ドライブトランジスタVthに相当する電位が保持容量C1に保持される。この様にしてドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthが保持容量C1に保持される。   When the timing T3 is reached after the timing T2, the scanning line DS changes from the high level to the low level, and the switching transistor Tr3 is turned off. As a result, the electro-optical element EL is disconnected from the output node B, and thus enters a non-light emitting state. On the other hand, the drive current Ids supplied from the drive transistor Tr2 continues to flow into the storage capacitor C1 and the coupling capacitor C2 via the switching transistor Tr5 that is in the on state. As a result, the potential of the control node A starts to rise toward the power supply potential Vcc. When the potential of the control node A coincides with the threshold voltage Vth of the drive transistor Tr2 during this rising process, the gate of the drive transistor Tr2 is cut off. As a result, the drain current Ids does not flow, and the potential corresponding to the drive transistor Vth is held in the holding capacitor C1. In this way, the threshold voltage Vth of the drive transistor Tr2 is held in the holding capacitor C1.

タイミングT3aに進むと、走査線AZがハイレベルからローレベルに戻り、閾電圧Vth補正期間が終了する。すなわちスイッチングトランジスタTr4がオフし、入力ノードCは固定電位Vofsから切り離される。又スイッチングトランジスタTr5もオフし、制御ノードAがドライブトランジスタTr2の出力側(ドレイン側)から切り離される。これにより、次の信号書込動作に備えた待機状態となる。   When the timing T3a is reached, the scanning line AZ returns from the high level to the low level, and the threshold voltage Vth correction period ends. That is, the switching transistor Tr4 is turned off, and the input node C is disconnected from the fixed potential Vofs. The switching transistor Tr5 is also turned off, and the control node A is disconnected from the output side (drain side) of the drive transistor Tr2. Thus, a standby state is prepared for the next signal writing operation.

タイミングT4になると走査線WSに選択パルスが印加され、ローレベルからハイレベルに立ち上がる。これによりサンプリングトランジスタTr1がオンする。信号線DLから供給された入力信号VsigはサンプリングトランジスタTr1によってサンプリングされ、結合容量C2を介して保持容量C1にカップリングされる。これにより、結合容量C2と保持容量C1の容量分割比に応じた信号電位Vinが保持容量C1に保持される。この信号電位Vinは先に保持容量C1に保持されたドライブトランジスタの閾電圧Vthに足し込む形で保持される。この結果制御ノードAの電位は電源電位Vcc基準で、Vth+Vinの分だけ下がる。Vth+Vinがゲート電位VgsとしてドライブトランジスタTr2のゲートに印加される。この際、ゲート電位Vgsには常にVthが足し込まれている為、個々の画素毎にドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthがばらついていてもこれをキャンセルすることが可能になる。全ての画素において、ドライブトランジスタTr2は結局正味の信号電位Vinで駆動される為、ユニフォーミティを改善することができる。   At timing T4, a selection pulse is applied to the scanning line WS and rises from a low level to a high level. As a result, the sampling transistor Tr1 is turned on. The input signal Vsig supplied from the signal line DL is sampled by the sampling transistor Tr1 and coupled to the holding capacitor C1 through the coupling capacitor C2. As a result, the signal potential Vin corresponding to the capacitance division ratio of the coupling capacitor C2 and the holding capacitor C1 is held in the holding capacitor C1. This signal potential Vin is held in a form that is added to the threshold voltage Vth of the drive transistor previously held in the holding capacitor C1. As a result, the potential of the control node A is lowered by Vth + Vin with respect to the power supply potential Vcc. Vth + Vin is applied to the gate of the drive transistor Tr2 as the gate potential Vgs. At this time, since Vth is always added to the gate potential Vgs, even if the threshold voltage Vth of the drive transistor Tr2 varies for each pixel, this can be canceled. In all the pixels, the drive transistor Tr2 is eventually driven by the net signal potential Vin, so that the uniformity can be improved.

信号書込に割り当てられた時間(1水平期間1H)がタイミングT4から経過すると、タイミングT5で選択パルスが解除され走査線WSは再びローレベルに戻る。これによりサンプリングトランジスタWSはオフし、次の発光動作に備えた待機状態となる。   When the time allocated for signal writing (one horizontal period 1H) elapses from timing T4, the selection pulse is released at timing T5, and the scanning line WS returns to the low level again. As a result, the sampling transistor WS is turned off and enters a standby state in preparation for the next light emission operation.

タイミングT6になると走査線DSがローレベルからハイレベルに立ち上がりスイッチングトランジスタTr3がオンする。この結果ドライブトランジスタTr2から供給された駆動電流Idsが出力ノードBを介して電気光学素子ELに流れ込み、発光動作が行なわれる。その際電気光学素子ELを貫通する駆動電流により電圧降下ΔVelが生じる。この電圧降下分ΔVelは駆動電流Idsに比例している。   At timing T6, the scanning line DS rises from low level to high level, and the switching transistor Tr3 is turned on. As a result, the drive current Ids supplied from the drive transistor Tr2 flows into the electro-optical element EL via the output node B, and the light emission operation is performed. At this time, a voltage drop ΔVel is caused by the drive current passing through the electro-optical element EL. This voltage drop ΔVel is proportional to the drive current Ids.

この後タイミングT7に至ると当該フィールドが完了し、次のフィールドに移行する。   Thereafter, when the timing T7 is reached, the field is completed and the process proceeds to the next field.

以上の様に図3及び図4に示した参考例の画素回路は、閾電圧補正回路が組み込まれており、ドライブトランジスタの閾電圧のばらつきを吸収して、画面のユニフォーミティをある程度改善できる。しかしながら、ドライブトランジスタは閾電圧のばらつきに加え、移動度もばらついており、これを吸収しない限り実用レベルでのユニフォーミティを確保することができない。図5は、本発明に係る画素回路を表わしており、前述した閾電圧補正回路に加え駆動電流補正回路が組み込まれている。   As described above, the pixel circuit of the reference example shown in FIG. 3 and FIG. 4 incorporates a threshold voltage correction circuit, can absorb variations in the threshold voltage of the drive transistor, and can improve screen uniformity to some extent. However, drive transistors have variations in mobility in addition to variations in threshold voltage, and it is impossible to ensure uniformity at a practical level unless they are absorbed. FIG. 5 shows a pixel circuit according to the present invention, in which a driving current correction circuit is incorporated in addition to the threshold voltage correction circuit described above.

図5は、本発明に係る画素回路を示す回路図である。理解を容易にする為、図3に示した参考例の画素回路と対応する部分には対応する参照番号を付してある。本画素回路は閾電圧補正機能に加え駆動電流補正回路を組み込んでいる。図示する様に、本画素回路5は、5本の走査線WS,DS,AZ,X,Yと1本の信号線DLとが交差する部分に配されており、少なくとも電気光学素子ELとドライブトランジスタTr2とサンプリングトランジスタTr1と保持容量C1と結合容量C2とを備えている。ドライブトランジスタTr2は、所定の電源電位Vccから所定の出力ノードBに向かって駆動電流Idsを供給する様に配されているとともに、そのゲートが所定の制御ノードAに接続している。サンプリングトランジスタTr1は、所定の入力ノードCと信号線DLとの間に接続している。サンプリングトランジスタTr1のゲートは走査線WSに接続している。保持容量C1は電源電位Vccと制御ノードAとの間に接続されている。結合容量C2は、制御ノードAと入力ノードCとの間に配されている。尚、補助容量C3が電源電位Vccと入力ノードCとの間に接続されている。又スイッチングトランジスタTr3が出力ノードBでドライブトランジスタTr2と電気光学素子ELとを接続している。このスイッチングトランジスタTr3のゲートは走査線DSに接続している。   FIG. 5 is a circuit diagram showing a pixel circuit according to the present invention. For easy understanding, portions corresponding to the pixel circuit of the reference example shown in FIG. 3 are given corresponding reference numbers. This pixel circuit incorporates a drive current correction circuit in addition to the threshold voltage correction function. As shown in the figure, the pixel circuit 5 is arranged at a portion where five scanning lines WS, DS, AZ, X, and Y intersect with one signal line DL, and at least the electro-optic element EL and the drive A transistor Tr2, a sampling transistor Tr1, a holding capacitor C1, and a coupling capacitor C2 are provided. The drive transistor Tr2 is arranged to supply a drive current Ids from a predetermined power supply potential Vcc toward a predetermined output node B, and its gate is connected to a predetermined control node A. The sampling transistor Tr1 is connected between a predetermined input node C and the signal line DL. The gate of the sampling transistor Tr1 is connected to the scanning line WS. The storage capacitor C1 is connected between the power supply potential Vcc and the control node A. The coupling capacitor C2 is arranged between the control node A and the input node C. An auxiliary capacitor C3 is connected between the power supply potential Vcc and the input node C. A switching transistor Tr3 connects the drive transistor Tr2 and the electro-optical element EL at the output node B. The gate of the switching transistor Tr3 is connected to the scanning line DS.

図5に示した画素回路5の書込動作であるが、まずサンプリングトランジスタTr1は走査線WSによって選択された時動作し、信号線DLから入力信号Vsigをサンプリングし且つ入力信号Vsigに応じた信号電位を結合容量C2を介して保持容量C1に保持する。ドライブトランジスタTr2は、保持容量C1に保持された信号電位に応じて出力ノードBに駆動電流Idsを供給し、以って電気光学素子ELを電流駆動する。尚実際には走査線DSを介してスイッチングトランジスタTr3がオンした時ドライブトランジスタTr2から駆動電流Idsが出力ノードBを介して電気光学素子ELに供給され、発光動作を行なう様になっている。   In the writing operation of the pixel circuit 5 shown in FIG. 5, the sampling transistor Tr1 operates when it is selected by the scanning line WS, samples the input signal Vsig from the signal line DL, and a signal corresponding to the input signal Vsig. The potential is held in the holding capacitor C1 through the coupling capacitor C2. The drive transistor Tr2 supplies the drive current Ids to the output node B in accordance with the signal potential held in the holding capacitor C1, thereby driving the electro-optic element EL with current. Actually, when the switching transistor Tr3 is turned on via the scanning line DS, the drive current Ids is supplied from the drive transistor Tr2 to the electro-optical element EL via the output node B, and the light emission operation is performed.

係る構成を有する画素回路5は通常の書込機能に加え、閾電圧補正回路が組み込まれている。この閾電圧補正回路は電気光学素子ELの電流駆動に先立ってドライブトランジスタTr2の閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した電位を保持容量C1に保持するものである。本実施形態では、この閾電圧補正回路は追加のスイッチングトランジスタTr4及びTr5で構成されている。一方のスイッチングトランジスタTr4は所定の固定電位Vofsと入力ノードCとの間に接続されている。このスイッチングトランジスタTr4のゲートは閾電圧補正用に別途設けた走査線AZに接続している。スイッチングトランジスタTr5は、制御ノードAとドライブトランジスタTr2の出力側(ドレイン側)との間に接続されている。このスイッチングトランジスタTr5のゲートも走査線AZに接続されている。   The pixel circuit 5 having such a configuration incorporates a threshold voltage correction circuit in addition to a normal writing function. This threshold voltage correction circuit detects the threshold voltage of the drive transistor Tr2 prior to current driving of the electro-optical element EL, and holds the detected potential in the storage capacitor C1 in order to cancel the influence in advance. In the present embodiment, this threshold voltage correction circuit includes additional switching transistors Tr4 and Tr5. One switching transistor Tr4 is connected between a predetermined fixed potential Vofs and the input node C. The gate of the switching transistor Tr4 is connected to a scanning line AZ provided separately for threshold voltage correction. The switching transistor Tr5 is connected between the control node A and the output side (drain side) of the drive transistor Tr2. The gate of the switching transistor Tr5 is also connected to the scanning line AZ.

係る構成を有する画素回路5は閾電圧補正回路に加え、駆動電流補正回路が組み込まれている。この駆動電流補正回路は、電気光学素子ELの電流駆動を開始した後、ドライブトランジスタTr2が供給するドレイン電流Idsのばらつきを検出し、その結果に従ってこのばらつきを打ち消す様に保持容量C1に保持された信号電位を調節する。より具体的には、駆動電流補正回路は、駆動電流Idsのばらつきに応じて変動する電気光学素子ELの電圧降下を検出し、この検出した電圧降下の変動を打ち消す様に保持容量C1に保持された信号電位を調節する。ドライブトランジスタTr2の移動度は各画素毎にばらついている。移動度のばらつきに応じて駆動電流Idsがばらつく。これに応じて電気光学素子ELの電圧降下量が変動する。この電圧降下量を検出しドライブトランジスタTr2の制御ノードA側にフィードバックすることで、移動度のばらつきをキャンセルする様にしている。   The pixel circuit 5 having such a configuration incorporates a drive current correction circuit in addition to the threshold voltage correction circuit. This drive current correction circuit detects the variation in the drain current Ids supplied from the drive transistor Tr2 after starting the current drive of the electro-optic element EL, and is held in the storage capacitor C1 so as to cancel this variation according to the result. Adjust the signal potential. More specifically, the drive current correction circuit detects a voltage drop of the electro-optical element EL that fluctuates according to variations in the drive current Ids, and is held in the holding capacitor C1 so as to cancel the detected voltage drop fluctuation. Adjust the signal potential. The mobility of the drive transistor Tr2 varies from pixel to pixel. The drive current Ids varies according to the mobility variation. Accordingly, the voltage drop amount of the electro-optical element EL varies. By detecting this voltage drop amount and feeding it back to the control node A side of the drive transistor Tr2, the variation in mobility is canceled.

この様なドライブトランジスタTr2の移動度μのばらつきを吸収する機能を有する駆動電流補正回路は、追加のスイッチングトランジスタTr6,Tr7と追加の結合容量C4とで構成されている。結合容量C4は入力ノードCに接続されている。スイッチングトランジスタTr7は、この結合容量C4と出力ノードBとの間に接続されている。スイッチングトランジスタTr7のゲートは追加の走査線Xに接続している。又スイッチングトランジスタTr6は制御ノードAと結合容量C2との間に接続されている。このスイッチングトランジスタTr6のゲートは更に別の追加走査線Yに接続している。   The drive current correction circuit having the function of absorbing the variation in the mobility μ of the drive transistor Tr2 is composed of additional switching transistors Tr6 and Tr7 and an additional coupling capacitor C4. The coupling capacitor C4 is connected to the input node C. The switching transistor Tr7 is connected between the coupling capacitor C4 and the output node B. The gate of the switching transistor Tr7 is connected to the additional scanning line X. The switching transistor Tr6 is connected between the control node A and the coupling capacitor C2. The gate of the switching transistor Tr6 is further connected to another additional scanning line Y.

図6のタイミングチャートを参照して、図5に示した本発明に係る画素回路の動作を詳細に説明する。理解を容易にする為、図4に示した先の参考例に係るタイミングチャートと対応する部分には対応する参照符号を用いている。図6のタイミングチャートは、タイミングT1で1フィールド(1f)がスタートし、タイミングT7で1フィールドが終わる様に表わしてある。時間軸Tに沿って、走査線WS,DS,AZ,X,Yのレベル変化を表わしてある。又同じ時間軸に沿って、制御ノードA,出力ノードB,入力ノードC及び中間ノードDの電位変化を表わしてある。制御ノードA及び入力ノードCの電位変化は実線で表わし、これと区別する為出力ノードB及び中間ノードDの電位変化は鎖線で表わしてある。ここで制御ノードAはドライブトランジスタTr2のゲートであり、出力ノードBは電気光学素子ELのアノードであり、入力ノードC及び中間ノードDは結合容量C2の両端子である。   The operation of the pixel circuit according to the present invention shown in FIG. 5 will be described in detail with reference to the timing chart of FIG. In order to facilitate understanding, corresponding reference numerals are used for portions corresponding to the timing chart according to the reference example shown in FIG. The timing chart of FIG. 6 shows that one field (1f) starts at timing T1 and one field ends at timing T7. A change in level of the scanning lines WS, DS, AZ, X, and Y is represented along the time axis T. In addition, potential changes at the control node A, the output node B, the input node C, and the intermediate node D are shown along the same time axis. The change in potential at the control node A and the input node C is represented by a solid line, and the change in potential at the output node B and the intermediate node D is represented by a chain line for distinction from this. Here, the control node A is the gate of the drive transistor Tr2, the output node B is the anode of the electro-optical element EL, and the input node C and the intermediate node D are both terminals of the coupling capacitor C2.

タイミングT1で当該フィールドがスタートした時点で、走査線DS及びYがハイレベルにある一方、走査線WS,AZ及びXがローレベルにある。従ってこの時点T1では、スイッチングトランジスタTr3及びTr6がオン状態にある一方、サンプリングトランジスタTr1、スイッチングトランジスタTr4,Tr5及びTr7がオフ状態にある。スイッチングトランジスタTr6がオン状態である為中間ノードDと制御ノードAは連結している。又スイッチングトランジスタTr3がオン状態である為、ドライブトランジスタTr2から供給される駆動電流Idsは出力ノードBを介して電気光学素子ELに送られ、発光状態となっている。   When the field starts at timing T1, the scanning lines DS and Y are at the high level, while the scanning lines WS, AZ, and X are at the low level. Therefore, at this time T1, the switching transistors Tr3 and Tr6 are in the on state, while the sampling transistor Tr1, the switching transistors Tr4, Tr5, and Tr7 are in the off state. Since the switching transistor Tr6 is on, the intermediate node D and the control node A are connected. Further, since the switching transistor Tr3 is in the ON state, the drive current Ids supplied from the drive transistor Tr2 is sent to the electro-optical element EL through the output node B and is in the light emitting state.

次のタイミングT2に進むと、走査線AZ及びXがローレベルからハイレベルに切り替わる。走査線XがハイレベルとなることでスイッチングトランジスタTr7がオン状態となり、結合容量C4は出力ノードB側に連結される。又スイッチングトランジスタTr4及びTr5がオンすることでドライブトランジスタの閾電圧補正動作が開始する。スイッチングトランジスタTr4がオンすることで入力ノードCは固定電位Vofsにセットされ、閾電圧補正動作の待機状態となる。同時にスイッチングトランジスタTr5がオンすることで、保持容量C1に保持された電荷がドライブトランジスタTr2のドレイン側に放電される。この結果制御ノードAの電位は接地電位GNDに向かって低下する。   When proceeding to the next timing T2, the scanning lines AZ and X are switched from the low level to the high level. When the scanning line X becomes high level, the switching transistor Tr7 is turned on, and the coupling capacitor C4 is connected to the output node B side. Further, when the switching transistors Tr4 and Tr5 are turned on, the threshold voltage correction operation of the drive transistor is started. When the switching transistor Tr4 is turned on, the input node C is set to the fixed potential Vofs, and the standby state for the threshold voltage correction operation is set. At the same time, the switching transistor Tr5 is turned on, whereby the charge held in the holding capacitor C1 is discharged to the drain side of the drive transistor Tr2. As a result, the potential of the control node A decreases toward the ground potential GND.

タイミングT2の後タイミングT3に至ると、走査線DSがハイレベルからローレベルとなり、スイッチングトランジスタTr3がオフする。これにより電気光学素子ELが出力ノードBから切り離されるので、非発光状態となる。一方ドライブトランジスタTr2から供給される駆動電流Idsは引続きオン状態にあるスイッチングトランジスタTr5を介して保持容量C1及び結合容量C2に流れ込む。これにより制御ノードAの電位は電源電位Vccに向かって上昇し始める。この上昇過程で制御ノードAの電位がちょうどドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthと一致した時、ドライブトランジスタTr2のゲートが遮断する。この結果、ドレイン電流Idsは流れなくなり、ドライブトランジスタVthに相当する電位が保持容量C1に保持される。この様にしてドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthが保持容量C1に保持される。   When the timing T3 is reached after the timing T2, the scanning line DS changes from the high level to the low level, and the switching transistor Tr3 is turned off. As a result, the electro-optical element EL is disconnected from the output node B, and thus enters a non-light emitting state. On the other hand, the drive current Ids supplied from the drive transistor Tr2 continues to flow into the storage capacitor C1 and the coupling capacitor C2 via the switching transistor Tr5 that is in the on state. As a result, the potential of the control node A starts to rise toward the power supply potential Vcc. When the potential of the control node A coincides with the threshold voltage Vth of the drive transistor Tr2 during this rising process, the gate of the drive transistor Tr2 is cut off. As a result, the drain current Ids does not flow, and the potential corresponding to the drive transistor Vth is held in the holding capacitor C1. In this way, the threshold voltage Vth of the drive transistor Tr2 is held in the holding capacitor C1.

タイミングT3aに進むと、走査線AZがハイレベルからローレベルに戻り、閾電圧Vth補正期間が終了する。すなわちスイッチングトランジスタTr4がオフし、入力ノードCは固定電位Vofsから切り離される。又スイッチングトランジスタTr5もオフし、制御ノードAがドライブトランジスタTr2の出力側(ドレイン側)から切り離される。これにより、次の信号書込動作に備えた待機状態となる。   When the timing T3a is reached, the scanning line AZ returns from the high level to the low level, and the threshold voltage Vth correction period ends. That is, the switching transistor Tr4 is turned off, and the input node C is disconnected from the fixed potential Vofs. The switching transistor Tr5 is also turned off, and the control node A is disconnected from the output side (drain side) of the drive transistor Tr2. Thus, a standby state is prepared for the next signal writing operation.

タイミングT4になると走査線WSに選択パルスが印加され、ローレベルからハイレベルに立ち上がる。これによりサンプリングトランジスタTr1がオンする。信号線DLから供給された入力信号VsigはサンプリングトランジスタTr1によってサンプリングされ、結合容量C2を介して保持容量C1にカップリングされる。これにより、結合容量C2と保持容量C1の容量分割比に応じた信号電位Vinが保持容量C1に保持される。この信号電位Vinは先に保持容量C1に保持されたドライブトランジスタの閾電圧Vthに足し込む形で保持される。この結果制御ノードAの電位は電源電位Vcc基準で、Vth+Vinの分だけ下がる。Vth+Vinがゲート電位VgsとしてドライブトランジスタTr2のゲートに印加される。この際、ゲート電位Vgsには常にVthが足し込まれている為、個々の画素毎にドライブトランジスタTr2の閾電圧Vthがばらついていてもこれをキャンセルすることが可能になる。全ての画素において、ドライブトランジスタTr2は結局正味の信号電位Vinで駆動される為、ユニフォーミティを改善することができる。   At timing T4, a selection pulse is applied to the scanning line WS and rises from a low level to a high level. As a result, the sampling transistor Tr1 is turned on. The input signal Vsig supplied from the signal line DL is sampled by the sampling transistor Tr1 and coupled to the holding capacitor C1 through the coupling capacitor C2. As a result, the signal potential Vin corresponding to the capacitance division ratio of the coupling capacitor C2 and the holding capacitor C1 is held in the holding capacitor C1. This signal potential Vin is held in a form that is added to the threshold voltage Vth of the drive transistor previously held in the holding capacitor C1. As a result, the potential of the control node A is lowered by Vth + Vin with respect to the power supply potential Vcc. Vth + Vin is applied to the gate of the drive transistor Tr2 as the gate potential Vgs. At this time, since Vth is always added to the gate potential Vgs, even if the threshold voltage Vth of the drive transistor Tr2 varies for each pixel, this can be canceled. In all the pixels, the drive transistor Tr2 is eventually driven by the net signal potential Vin, so that the uniformity can be improved.

信号書込に割り当てられた時間(1水平期間1H)がタイミングT4から経過すると、タイミングT5で選択パルスが解除され走査線WSは再びローレベルに戻る。これによりサンプリングトランジスタWSはオフし、次の発光動作に備えた待機状態となる。   When the time allocated for signal writing (one horizontal period 1H) elapses from timing T4, the selection pulse is released at timing T5, and the scanning line WS returns to the low level again. As a result, the sampling transistor WS is turned off and enters a standby state in preparation for the next light emission operation.

タイミングT6に進むと走査線DSが再びローレベルからハイレベルに立ち上がりスイッチングトランジスタTr3がオンする。この結果ドライブトランジスタTr2から供給された駆動電流Idsが出力ノードBを介して電気光学素子ELに流れ込む。これにより電気光学素子ELに電圧降下ΔVelが生じ、その分電気光学素子ELのアノードである出力ノードBの電位が接地電位GNDに対して上昇する。出力ノードBに現われる電位降下分ΔVelはオン状態にあるスイッチングトランジスタTr7を介して結合容量C4にカップリングされる。この時スイッチングトランジスタTr6はオフになるので、中間ノードDは制御ノードAから切り離される。   When the timing T6 is reached, the scanning line DS rises again from the low level to the high level, and the switching transistor Tr3 is turned on. As a result, the drive current Ids supplied from the drive transistor Tr2 flows into the electro-optical element EL via the output node B. As a result, a voltage drop ΔVel occurs in the electro-optical element EL, and the potential of the output node B, which is the anode of the electro-optical element EL, rises with respect to the ground potential GND. The potential drop ΔVel appearing at the output node B is coupled to the coupling capacitor C4 via the switching transistor Tr7 in the on state. At this time, since the switching transistor Tr6 is turned off, the intermediate node D is disconnected from the control node A.

この後タイミングT6aになると走査線Yが再びハイレベルに立ち上がる一方走査線Xがローレベルに立ち下がる。これによりスイッチングトランジスタTr6がオンする一方スイッチングトランジスタTr7がオフする。スイッチングトランジスタTr6がオンした結果容量C3及びC4に蓄えられた電荷が結合容量C2を介して保持容量C1に分配される。この結果中間ノードDの電位がΔVel’だけ上昇するとともに、制御ノードAの電位も電荷分配分に相当するΔVel”分だけ上昇する。この様に、駆動電流Idsが正方向にばらつくとその分だけ電気光学素子ELに生じる電圧降下ΔVelが増大する。この増大する電圧降下分ΔVelに見合った分が保持容量C1に書き込まれ、制御ノードAの電位がΔVel”だけ上昇する。換言するとドライブトランジスタTr2のゲート電圧VgsがΔVel”分だけ小さくなり、正方向にばらついた駆動電流Idsを負方向に引き戻す作用をする。これによりドライブトランジスタTr2の移動度のばらつきをキャンセルすることができる。   Thereafter, at timing T6a, the scanning line Y rises again to the high level, while the scanning line X falls to the low level. As a result, the switching transistor Tr6 is turned on while the switching transistor Tr7 is turned off. As a result of the switching transistor Tr6 being turned on, the charges stored in the capacitors C3 and C4 are distributed to the holding capacitor C1 via the coupling capacitor C2. As a result, the potential of the intermediate node D rises by ΔVel ′, and the potential of the control node A also rises by ΔVel ″ corresponding to the charge distribution. In this way, when the drive current Ids varies in the positive direction, only that much. The voltage drop ΔVel generated in the electro-optical element EL increases. The amount corresponding to the increased voltage drop ΔVel is written in the storage capacitor C1, and the potential of the control node A is increased by ΔVel ″. In other words, the gate voltage Vgs of the drive transistor Tr2 is reduced by ΔVel ″, and the drive current Ids that varies in the positive direction is pulled back in the negative direction. This can cancel the variation in mobility of the drive transistor Tr2. .

この後タイミングT7に至ると当該フィールドが完了し、次のフィールドに移行する。   Thereafter, when the timing T7 is reached, the field is completed and the process proceeds to the next field.

アクティブマトリクス表示装置及び画素回路の一般的な構成を示すブロック図である。It is a block diagram which shows the general structure of an active matrix display apparatus and a pixel circuit. 画素回路の従来例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the prior art example of a pixel circuit. 画素回路の参考例を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the reference example of a pixel circuit. 図3に示した画素回路の動作説明に供するタイミングチャートである。4 is a timing chart for explaining the operation of the pixel circuit shown in FIG. 3. 本発明に係る画素回路の構成を示す回路図である。It is a circuit diagram which shows the structure of the pixel circuit which concerns on this invention. 図5に示した本発明に係る画素回路の動作説明に供するタイミングチャートである。6 is a timing chart for explaining the operation of the pixel circuit according to the present invention shown in FIG.

符号の説明Explanation of symbols

1・・・画素アレイ、2・・・水平セレクタ、3・・・ドライブスキャナ、4・・・ライトスキャナ、5・・・画素回路、Tr1・・・サンプリングトランジスタ、Tr2・・・ドライブトランジスタ、Tr3・・・スイッチングトランジスタ、Tr4・・・スイッチングトランジスタ、Tr5・・・スイッチングトランジスタ、Tr6・・・スイッチングトランジスタ、Tr7・・・スイッチングトランジスタ、C1・・・保持容量、C2・・・結合容量、C3・・・補助容量、C4・・・結合容量、EL・・・電気光学素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Pixel array, 2 ... Horizontal selector, 3 ... Drive scanner, 4 ... Write scanner, 5 ... Pixel circuit, Tr1 ... Sampling transistor, Tr2 ... Drive transistor, Tr3 ... Switching transistor, Tr4 ... Switching transistor, Tr5 ... Switching transistor, Tr6 ... Switching transistor, Tr7 ... Switching transistor, C1 ... Retention capacitor, C2 ... Coupling capacitor, C3. ..Auxiliary capacitance, C4 ... coupling capacitance, EL ... electro-optic element

Claims (2)

走査線と信号線とが交差する部分に配されており、少なくとも電気光学素子とドライブトランジスタとサンプリングトランジスタと保持容量と結合容量とを備え、
該ドライブトランジスタは、所定の電源電位から所定の出力ノードに向かって駆動電流を供給するように配されているとともに、そのゲートが所定の制御ノードに接続し、
該電気光学素子は、その一端が該出力ノードに接続し、他端が所定の接地電位に接続し、
該サンプリングトランジスタは、所定の入力ノードと該信号線との間に接続し、
該保持容量は、該制御ノードに接続し、
該結合容量は、該制御ノードと該入力ノードとの間に配されており、
前記サンプリングトランジスタは走査線によって選択された時動作し、該信号線から入力信号をサンプリングし且つ該入力信号に応じた信号電位を該結合容量を介して該保持容量に保持し、
前記ドライブトランジスタは、該保持容量に保持された該信号電位に応じて該出力ノードに該駆動電流を供給し、以って該電気光学素子を電流駆動する画素回路において、
閾電圧補正回路と駆動電流補正回路とが組み込まれており、
前記閾電圧補正回路は、該電気光学素子の電流駆動に先だって該ドライブトランジスタの閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した電位を該保持容量に保持するとともに、
前記駆動電流補正回路は、該電気光学素子の電流駆動を開始した後、該ドライブトランジスタが供給する駆動電流のばらつきを検出し、その検出結果に従って該ばらつきを打ち消すように該保持容量に保持された信号電位を調節し、
前記閾電圧補正回路は、該出力ノードで該ドライブトランジスタと該電気光学素子とを接続するスイッチングトランジスタと、該制御ノードと該ドライブトランジスタの出力側との間に接続されたスイッチングトランジスタと、所定の固定電位と該入力ノードとの間に接続されたスイッチングトランジスタとからなり、
前記駆動電流補正回路は、所定の電源電位と該入力ノードとの間に接続された容量素子と、該入力ノードに接続した別の容量素子と、該別の容量素子と出力ノードとの間に接続したスイッチングトランジスタと、該制御ノードと該結合容量との間に接続したスイッチングトランジスタとからなる
ことを特徴とする画素回路。
It is arranged at a portion where the scanning line and the signal line intersect, and includes at least an electro-optical element, a drive transistor, a sampling transistor, a storage capacitor, and a coupling capacitor
The drive transistor is arranged to supply a drive current from a predetermined power supply potential toward a predetermined output node, and has a gate connected to a predetermined control node,
The electro-optic element has one end connected to the output node and the other end connected to a predetermined ground potential,
The sampling transistor is connected between a predetermined input node and the signal line,
The holding capacity is connected to the control node,
The coupling capacitance is arranged between the control node and the input node,
The sampling transistor operates when selected by a scanning line, samples an input signal from the signal line, and holds a signal potential corresponding to the input signal in the holding capacitor via the coupling capacitor,
In the pixel circuit for supplying the drive current to the output node in accordance with the signal potential held in the holding capacitor, and thereby driving the electro-optic element by current.
A threshold voltage correction circuit and a drive current correction circuit are incorporated,
The threshold voltage correction circuit detects the threshold voltage of the drive transistor prior to current driving of the electro-optic element and holds the detected potential in the storage capacitor in order to cancel the influence in advance.
The drive current correction circuit detects a variation in the drive current supplied by the drive transistor after starting the current drive of the electro-optic element, and is held in the storage capacitor so as to cancel the variation according to the detection result Adjust the signal potential ,
The threshold voltage correction circuit includes: a switching transistor that connects the drive transistor and the electro-optic element at the output node; a switching transistor that is connected between the control node and the output side of the drive transistor; A switching transistor connected between a fixed potential and the input node;
The drive current correction circuit includes a capacitive element connected between a predetermined power supply potential and the input node, another capacitive element connected to the input node, and between the other capacitive element and the output node. A pixel circuit comprising: a connected switching transistor; and a switching transistor connected between the control node and the coupling capacitor .
行状の走査線と、列状の信号線と、両者が交差する部分に各々配された画素回路とからなり、
前記画素回路は、少なくとも電気光学素子とドライブトランジスタとサンプリングトランジスタと保持容量と結合容量とを備え、
該ドライブトランジスタは、所定の電源電位から所定の出力ノードに向かって駆動電流を供給するように配されているとともに、そのゲートが所定の制御ノードに接続し、
該電気光学素子は、その一端が該出力ノードに接続し、他端が所定の接地電位に接続し、
該サンプリングトランジスタは、所定の入力ノードと該信号線との間に接続し、
該保持容量は、該制御ノードに接続し、
該結合容量は、該制御ノードと該入力ノードとの間に接続しており、
前記サンプリングトランジスタは走査線によって選択された時動作し、該信号線から入力信号をサンプリングし且つ該入力信号に応じた信号電位を該結合容量を介して該保持容量に保持し、
前記ドライブトランジスタは、該保持容量に保持された該信号電位に応じて該出力ノードに該駆動電流を供給し、以って該電気光学素子を電流駆動する表示装置において、
前記画素回路は閾電圧補正回路と駆動電流補正回路とが組み込まれており、
前記閾電圧補正回路は、該電気光学素子の電流駆動に先だって該ドライブトランジスタの閾電圧を検知しあらかじめその影響をキャンセルする為に該検知した電位を該保持容量に保持するとともに、
前記駆動電流補正回路は、該電気光学素子の電流駆動を開始した後、該ドライブトランジスタが供給する駆動電流のばらつきを検出し、その検出結果に従って該ばらつきを打ち消すように該保持容量に保持された信号電位を調節し、
前記閾電圧補正回路は、該出力ノードで該ドライブトランジスタと該電気光学素子とを接続するスイッチングトランジスタと、該制御ノードと該ドライブトランジスタの出力側との間に接続されたスイッチングトランジスタと、所定の固定電位と該入力ノードとの間に接続されたスイッチングトランジスタとからなり、
前記駆動電流補正回路は、所定の電源電位と該入力ノードとの間に接続された容量素子と、該入力ノードに接続した別の容量素子と、該別の容量素子と出力ノードとの間に接続したスイッチングトランジスタと、該制御ノードと該結合容量との間に接続したスイッチングトランジスタとからなる
ことを特徴とする表示装置。
It consists of a row-shaped scanning line, a column-shaped signal line, and a pixel circuit arranged at each of the intersecting portions,
The pixel circuit includes at least an electro-optic element, a drive transistor, a sampling transistor, a storage capacitor, and a coupling capacitor.
The drive transistor is arranged to supply a drive current from a predetermined power supply potential toward a predetermined output node, and has a gate connected to a predetermined control node,
The electro-optic element has one end connected to the output node and the other end connected to a predetermined ground potential,
The sampling transistor is connected between a predetermined input node and the signal line,
The holding capacity is connected to the control node,
The coupling capacitor is connected between the control node and the input node;
The sampling transistor operates when selected by a scanning line, samples an input signal from the signal line, and holds a signal potential corresponding to the input signal in the holding capacitor via the coupling capacitor,
In the display device in which the drive transistor supplies the drive current to the output node in accordance with the signal potential held in the holding capacitor, thereby driving the electro-optic element in current.
The pixel circuit includes a threshold voltage correction circuit and a drive current correction circuit,
The threshold voltage correction circuit detects the threshold voltage of the drive transistor prior to current driving of the electro-optic element and holds the detected potential in the storage capacitor in order to cancel the influence in advance.
The drive current correction circuit detects a variation in the drive current supplied by the drive transistor after starting the current drive of the electro-optic element, and is held in the storage capacitor so as to cancel the variation according to the detection result Adjust the signal potential ,
The threshold voltage correction circuit includes: a switching transistor that connects the drive transistor and the electro-optic element at the output node; a switching transistor that is connected between the control node and the output side of the drive transistor; A switching transistor connected between a fixed potential and the input node;
The drive current correction circuit includes a capacitive element connected between a predetermined power supply potential and the input node, another capacitive element connected to the input node, and between the other capacitive element and the output node. A display device comprising: a connected switching transistor; and a switching transistor connected between the control node and the coupling capacitor .
JP2004215058A 2004-07-23 2004-07-23 Pixel circuit and display device Expired - Fee Related JP4747528B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004215058A JP4747528B2 (en) 2004-07-23 2004-07-23 Pixel circuit and display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004215058A JP4747528B2 (en) 2004-07-23 2004-07-23 Pixel circuit and display device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006038965A JP2006038965A (en) 2006-02-09
JP4747528B2 true JP4747528B2 (en) 2011-08-17

Family

ID=35904061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004215058A Expired - Fee Related JP4747528B2 (en) 2004-07-23 2004-07-23 Pixel circuit and display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4747528B2 (en)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4736954B2 (en) * 2006-05-29 2011-07-27 セイコーエプソン株式会社 Unit circuit, electro-optical device, and electronic apparatus
JP4240068B2 (en) * 2006-06-30 2009-03-18 ソニー株式会社 Display device and driving method thereof
JP2008026468A (en) * 2006-07-19 2008-02-07 Sony Corp Image display device
KR100805596B1 (en) * 2006-08-24 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display device
KR100865396B1 (en) * 2007-03-02 2008-10-24 삼성에스디아이 주식회사 Organic light emitting display
KR100873078B1 (en) * 2007-04-10 2008-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 Pixel, Organic Light Emitting Display Device and Driving Method Thereof
KR100922071B1 (en) 2008-03-10 2009-10-16 삼성모바일디스플레이주식회사 Pixel and Organic Light Emitting Display Using the same
JP5027755B2 (en) * 2008-08-04 2012-09-19 ソニー株式会社 Display device and driving method thereof

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3887826B2 (en) * 1997-03-12 2007-02-28 セイコーエプソン株式会社 Display device and electronic device
WO2001020591A1 (en) * 1999-09-11 2001-03-22 Koninklijke Philips Electronics N.V. Active matrix electroluminescent display device
JP3750616B2 (en) * 2002-03-05 2006-03-01 日本電気株式会社 Image display device and control method used for the image display device
JP3832415B2 (en) * 2002-10-11 2006-10-11 ソニー株式会社 Active matrix display device

Also Published As

Publication number Publication date
JP2006038965A (en) 2006-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4501429B2 (en) Pixel circuit and display device
JP4923410B2 (en) Pixel circuit and display device
KR101200066B1 (en) Pixel circuit, active matrix apparatus and display apparatus
JP2006133542A (en) Pixel circuit and display apparatus
JP4929891B2 (en) Display device
JP2005345722A (en) Pixel circuit, active matrix system, and display device
JP4590831B2 (en) Display device and pixel circuit driving method
JP2007148129A (en) Display apparatus and driving method thereof
JP2005164894A (en) Pixel circuit and display device, and their driving methods
JP4831392B2 (en) Pixel circuit and display device
JP2007148128A (en) Pixel circuit
JP4552108B2 (en) Pixel circuit, display device, and driving method thereof
JP4747528B2 (en) Pixel circuit and display device
KR20100039250A (en) Display apparatus and display driving method
JP2006227238A (en) Display device and display method
JP2008026468A (en) Image display device
JP4831393B2 (en) Pixel circuit, image display device, and driving method thereof
JP2005215102A (en) Pixel circuit, display apparatus, and driving method for same
JP4706288B2 (en) Pixel circuit and display device
JP4687026B2 (en) Display device and driving method of display device
JP4639674B2 (en) Display device and driving method of display device
JP4600723B2 (en) Pixel circuit, display device, and driving method thereof
JP2005181920A (en) Pixel circuit, display device and its driving method
JP4665424B2 (en) Display device and driving method thereof
JP4967336B2 (en) Pixel circuit and display device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20070626

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20090212

RD05 Notification of revocation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425

Effective date: 20090225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100902

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101008

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110419

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110502

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527

Year of fee payment: 3

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees