JP2006263452A - トモシンセシス及び静的イメージング用の非晶質セレンフラットパネルx線イメージャ - Google Patents
トモシンセシス及び静的イメージング用の非晶質セレンフラットパネルx線イメージャ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006263452A JP2006263452A JP2006039211A JP2006039211A JP2006263452A JP 2006263452 A JP2006263452 A JP 2006263452A JP 2006039211 A JP2006039211 A JP 2006039211A JP 2006039211 A JP2006039211 A JP 2006039211A JP 2006263452 A JP2006263452 A JP 2006263452A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- charge
- imager
- transistor
- leakage current
- upper electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000011669 selenium Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 33
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title claims description 21
- 230000003068 static effect Effects 0.000 title description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 32
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 238000009607 mammography Methods 0.000 claims description 11
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 9
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 9
- 238000002059 diagnostic imaging Methods 0.000 claims description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 claims description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000005286 illumination Methods 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 230000026954 response to X-ray Effects 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 43
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000012216 screening Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 3
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229920005479 Lucite® Polymers 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 210000000038 chest Anatomy 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229920000052 poly(p-xylylene) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 206010006187 Breast cancer Diseases 0.000 description 1
- 208000026310 Breast neoplasm Diseases 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005513 bias potential Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000000711 cancerogenic effect Effects 0.000 description 1
- 231100000315 carcinogenic Toxicity 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 238000002594 fluoroscopy Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000002285 radioactive effect Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
- H01L27/14676—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/115—Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】適宜の物質からなる上部電極が非晶質セレンをベースとした電荷発生器層と物理的且つ電気的に接触した状態でその上に直接的に設け、それによりゴースト発生を減少させる。薄膜トランジスタは画像形成するオブジェクトを介しての露光とマッチした範囲内においてトランジスタを横断しての電圧で比較的ゆっくりと上昇するが、電荷発生器層の対応する領域がより大きな量のX線を受取る場合であっても保護を与えるためにより高い範囲内において充分により高い割合で上昇する漏洩電流を有している。
【選択図】図1
Description
※良好なプレサンプリング変調伝達関数(MTF)(図7a参照)
※予測される範囲にわたっての異なる露光に対しての空間周波数の関数としての良好なノイズパワースペクトル(NPS)(図8参照)
※次式、即ち
DQE(f,X)=(S(X)×MTF(f))2/(Φ(X)×NPS(f,X))
尚、S(X)はある露光Xにおいての測定した信号であり、Φ(X)は露光Xにおいての単位面積当たりの入射フォトンフルエンス(図9a−9b参照)である、
に基づいて出力において入力信号対雑音比を転送する上でのイメージングシステムの効率を測定する複合パラメータとしての検出量子効率(DQE)として表現した良好な効率
※イメージング表面の一部を1.0mm厚さの鉛のシートからなる部品で被覆した状態で28kVp、Mo/Moスペクトルでの2.6Rの大きな「ゴースト」露光へイメージャを露光させたテストにおいて経過時間の関数としての良好なゴースト発生特性(図10参照)。30秒後に、より低いドーズの9mRにおいて最初の読取フレームを採取し、該鉛を除去し且つX線ビームを4cmのルーサイト(Lucite)を介してフィルタさせた。該ルーサイトファントム位置の内側及び外側の興味のある256×256ピクセル領域内の平均検知器信号を比較し、且つゴースト発生の大きさは正規化させた差、即ち
ゴースト(%)=((信号(内側)−信号(外側))/信号(内側)×100%
として計算した。
※良好なプレサンプリング変調伝達関数(MTF)(図7b参照)
※スクリーニングモードにおいて使用した方法を使用するがトモシンセシスパラメータにおいて計算した検出した量子効率(DQE)として表現した良好な効率(図9c)
※良好なイメージ遅延特性(図11)、尚、遅延は、1.0mmの厚さの鉛のシートによってイメージング区域の半分を被覆した状態で28kVpにおいてイメージャを単一の高い露光に露光させ、次いで0.5秒間隔で一連のダークイメージフレームを読取ることにより検査した。2つのテストを行い、1つは164mRの高いドーズで、他方は58mRで行った。遅延は高いドーズに露光させた遮蔽されていない区域と鉛により遮蔽された他の半分との間のダークカウント、即ち暗係数、における正規化した差異として計算した。即ち、
遅延(%)=((ダークカウント(遮蔽無し)−ダークカウント(遮蔽))/ダークカウント(遮蔽)×100%
イメージャの一部を4.2cm厚さのアクリルブロックで被覆した状態で36kVpMo/Rhスペクトルで177mRのゴースト露光へイメージャを露光させることにより調査した時間の関数としての良好な残留イメージゴースト(図12)。次いで、アクリルブロックを除去し且つ各イメージフレームに対し5.29mRにおいて、1.2秒間隔で一連の読取ったドーズイメージが追従した。
102 電荷発生器層
104 電荷回収電極
106 電荷ブロッキング層
108 基板
110 信号格納コンデンサ
112 ゲート動作用トランジスタ
114 ゲートパルス線
116 電荷増幅器
118 プログラム可能高電圧電源
204 サンプル・ホールド回路
206 マルチプレクサ
210 アナログ・デジタル変換器
212 薄膜トランジスタ
Claims (22)
- ゴースト発生の低いデジタルフラットパネルX線マモグラフィイメージャにおいて、セレンをベースとした層の上に直接的に上部電極を具備しており、且つ医学的イメージングにおいて画像形成されるオブジェクトにより減衰されることのないX線を受取る層の領域から電荷を回収する電荷格納コンデンサとトランジスタが結合される場合においてもブレークダウン保護を与える漏洩電流特性を有する薄膜トランジスタアレイを具備しており、
上表面を有している基板が設けられており、
前記基板の前記上表面上にセレンをベースとした電荷発生器層が設けられており、前記セレンをベースとした層も上表面を有しており、
前記電荷発生器層の前記上表面と物理的且つ電気的に接触しており且つその上に直接的に上部電極が設けられており、
前記基板と前記電荷発生器層との間に電荷回収電極が設けられており、前記電荷回収電極はピクセル電極からなる二次元アレイにパターン形成されており、
前記電荷発生器層はX線照射に応答して電荷を発生し、且つ前記電荷発生器層において1つ又はそれ以上の選択した電界が確立される場合に前記ピクセル電極が前記電荷発生器層の夫々の領域において発生する1つの極性の電荷を回収し、
前記基板と前記電荷発生器層との間に読取回路が設けられており、前記読取回路は前記ピクセル電極と結合されており且つそれにより回収される電荷を格納する夫々の信号格納コンデンサを有しており、且つ、更に、前記信号格納コンデンサと結合されている夫々のゲート動作用トランジスタからなる薄膜トランジスタアレイを有しており、
前記ゲート動作用トランジスタの各々は、夫々の格納コンデンサからの電荷を外部回路へ通過させるオン状態と、漏洩電流を通過させるオフ状態との間で選択的にスイッチされ、
前記ゲート動作用トランジスタの各々の漏洩電流は、20−25ボルトの範囲より下の範囲においては夫々のコンデンサにおける電位における上昇で比較的低い割合で上昇するが、前記範囲より上においては夫々のコンデンサにおける電位における上昇でもって著しくより高い割合で上昇し、それにより医学的イメージングにおいて前記イメージャで画像形成されるオブジェクトにより減衰されることのないX線を受取る電荷発生器層の領域において発生される電荷を夫々のピクセル電極が回収する場合においてもブレークダウン損傷から前記トランジスタを保護する、
ことを特徴とするイメージャ。 - 請求項1において、前記上部電極が、基本的に、Cr、Al、インジウム・錫酸化物(ITO)のうちの少なくとも1つ、又はCr及びAlのうちの少なくとも1つを有する合金を有していることを特徴とするイメージャ。
- 請求項1において、前記上部電極が、基本的に、Cr又はその合金を有していることを特徴とするイメージャ。
- 請求項1において、前記上部電極が、基本的に、Al又はその合金を有していることを特徴とするイメージャ。
- 請求項1において、前記上部電極が、基本的に、インジウム・錫酸化物を有していることを特徴とするイメージャ。
- 請求項1において、前記上部電極が、4.0電子ボルトより低い仕事関数を有している導電性物質から構成されていることを特徴とするイメージャ。
- 請求項1において、前記上部電極が、4.5電子ボルトより低い仕事関数を有する導電性物質から構成されていることを特徴とするイメージャ。
- 請求項1において、前記上部電極が、セレンより低い仕事関数を有している導電性物質から構成されていることを特徴とするイメージャ。
- 請求項1において、前記上部電極が、60より低い原子番号を有している1個又はそれ以上の元素から構成されていることを特徴とするイメージャ。
- 請求項1において、前記トランジスタの各々の漏洩電流が20ボルトのトランジスタ電圧において10pAより小さく且つ30ボルトのトランジスタ電圧において20pAより大きいことを特徴とするイメージャ。
- 請求項10において、前記漏洩電流が、20ボルト乃至30ボルトの範囲においてトランジスタ電圧と共に漸進的に増加することを特徴とするイメージャ。
- 請求項1において、前記漏洩電流が、20ボルトより高いトランジスタ電圧と共に漸進的に増加することを特徴とするイメージャ。
- ゴースト発生が低く且つ回復時間が迅速なデジタルフラットパネルX線イメージャにおいて、
基板が設けられており且つ前記基板の上にセレンをベースとした電荷発生器層が設けられており、
前記電荷発生器層の上表面と物理的且つ電気的に接触し且つその上に直接的に上部電極が設けられており、
前記基板と前記電荷発生器層との間に電荷回収電極が設けられており、前記電荷回収電極はピクセル電極からなる二次元アレイに分割されており、
前記基板と前記電荷発生器層との間に読取回路が設けられており、前記読取回路は、前記ピクセル電極と結合されており且つ前記電荷発生器層から回収した電荷を格納する夫々の信号格納コンデンサを有しており、更に、前記信号格納コンデンサと結合されている夫々のゲート動作用トランジスタからなる薄膜トランジスタアレイを有しており、
前記ゲート動作用トランジスタの各々は、夫々の格納コンデンサから外部回路へ電荷を通過させるオン状態と漏洩電流を通過させるオフ状態との間で選択的にスイッチされ、
前記ゲート動作用トランジスタの各々の漏洩電流は、スレッシュホールドレベルに至るまで夫々のコンデンサにおける電位における上昇で比較的低い割合で上昇するが、前記レベルより上においては夫々のコンデンサにおける電位における上昇で著しくより高い割合で上昇し、それにより前記トランジスタをブレークダウン損傷から保護する、
ことを特徴とするイメージャ。 - 請求項13において、前記レベルより高い電圧における漏洩電流は、画像形成中のオブジェクトを介して通過することに起因する減衰なしで医学的イメージングにおいて本イメージャを照射するX線露光に対してもブレークダウン保護を与えるのに充分に高い割合で上昇することを特徴とするイメージャ。
- 請求項14において、前記電圧レベルが20−25ボルトの範囲内にあることを特徴とするイメージャ。
- 請求項12において、前記漏洩電流が、第一の割合で約20ボルトに到達するまでトランジスタ電圧でもってほぼ直線的に上昇し、且つ約25−40ボルトの範囲におけるトランジスタ電圧でもって前記第一の割合よりも漸進的により高い第二の割合で上昇することを特徴とするイメージャ。
- 請求項13において、前記上部電極が、基本的に、Cr、Al、インジウム・錫酸化物(ITO)のうちの少なくとも1つ、又はCr及びAlのうちの少なくとも1つを有する合金を有していることを特徴とするイメージャ。
- 請求項13において、前記上部電極が、基本的に、Cr又はその合金を有していることを特徴とするイメージャ。
- 請求項13において、前記上部電極が、基本的に、Al又はその合金を有していることを特徴とするイメージャ。
- 請求項13において、前記上部電極が、基本的に、インジウム・錫酸化物を有していることを特徴とするイメージャ。
- 請求項13において、前記画像形成するオブジェクトが人間の胸部であることを特徴とするイメージャ。
- 医学的X線イメージング方法において、
電荷発生層の一方の主面と電気的に接触しており且つその上に直接的に形成した非晶質セレンをベースとした電荷発生層、及び前記電荷発生層の反対側の主面における薄膜トランジスタ(TFT)アレイを有しているデジタルフラットパネルX線イメージャを設け、前記TFTアレイはX線照射に応答して前記電荷発生層の夫々の領域において発生される電荷を回収する信号格納要素と結合されているそれぞれのゲート動作用トランジスタを有しており、
前記イメージャでオブジェクトの医学的イメージングを実施し、前記オブジェクトは前記電荷発生層の前記領域の全てではないが幾つかにおいてX線照射を減衰させ、
前記トランジスタは、前記オブジェクトのイメージングを可能とするために前記オブジェクトを介しての照射に対応するトランジスタ電圧において充分に低いが、トランジスタのブレークダウンを阻止するために前記オブジェクトにより減衰されることのない照射に対応するトランジスタ電圧において充分に高い漏洩電流を有している、
ことを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/59282 | 2005-02-16 | ||
US11/059,282 US7122803B2 (en) | 2005-02-16 | 2005-02-16 | Amorphous selenium flat panel x-ray imager for tomosynthesis and static imaging |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006263452A true JP2006263452A (ja) | 2006-10-05 |
JP5781717B2 JP5781717B2 (ja) | 2015-09-24 |
Family
ID=36354042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006039211A Expired - Fee Related JP5781717B2 (ja) | 2005-02-16 | 2006-02-16 | トモシンセシス及び静的イメージング用の非晶質セレンフラットパネルx線イメージャ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7122803B2 (ja) |
EP (1) | EP1693893A3 (ja) |
JP (1) | JP5781717B2 (ja) |
CA (1) | CA2536724A1 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013198054A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
US9322931B2 (en) | 2011-06-30 | 2016-04-26 | Fujifilm Corporation | Radiation imaging system |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2253997B1 (es) * | 2004-07-29 | 2007-07-16 | Udiat Centre Diagnostic, S.A. | Sistema digital para realizar biopsia estereotaxica. |
US7233005B2 (en) * | 2005-02-16 | 2007-06-19 | Hologic, Inc. | Amorphous selenium flat panel x-ray imager for tomosynthesis and static imaging |
US7884438B2 (en) * | 2005-07-29 | 2011-02-08 | Varian Medical Systems, Inc. | Megavoltage imaging with a photoconductor based sensor |
US20090080602A1 (en) * | 2006-08-03 | 2009-03-26 | Kenneth Brooks | Dedicated breast radiation imaging/therapy system |
US8154631B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-04-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Compensation of leakage current and residual signals for integrating detector based on direct X-ray conversion |
DE102006046314A1 (de) * | 2006-09-29 | 2008-04-03 | Siemens Ag | Strahlungsdirektkonvertermodul und Strahlungsdirektkonverter |
US8232531B2 (en) * | 2007-03-29 | 2012-07-31 | Varian Medical Systems, Inc. | Corrosion barrier layer for photoconductive X-ray imagers |
JP4949908B2 (ja) * | 2007-03-29 | 2012-06-13 | 富士フイルム株式会社 | 放射線画像検出方法および装置 |
US7991106B2 (en) | 2008-08-29 | 2011-08-02 | Hologic, Inc. | Multi-mode tomosynthesis/mammography gain calibration and image correction using gain map information from selected projection angles |
WO2010142036A1 (en) * | 2009-06-12 | 2010-12-16 | Karim Karim S | Radiation detector with integrated readout |
JP5895650B2 (ja) * | 2012-03-28 | 2016-03-30 | ソニー株式会社 | 撮像装置および撮像表示システム |
CN105093256B (zh) * | 2015-06-29 | 2017-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种射线检测基板及其制造方法和射线探测器 |
CN109196383B (zh) * | 2016-03-31 | 2022-07-01 | 福微视株式会社 | 在读出阶段具有比例电荷增益的辐射成像检测器 |
US11482170B2 (en) * | 2020-05-09 | 2022-10-25 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display panel and display device |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058804A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-02-25 | Ftni Inc | スタティック画像作成およびダイナミック画像作成のための固有の高電圧保護を備えた直接変換ディジタル式x線検出器 |
JP2000058808A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Sharp Corp | 二次元画像検出器 |
JP2005012049A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Shimadzu Corp | 放射線検出器およびそれを備えた放射線撮像装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4002429A1 (de) | 1990-01-27 | 1991-08-01 | Philips Patentverwaltung | Sensormatrix |
DE4002431A1 (de) | 1990-01-27 | 1991-08-01 | Philips Patentverwaltung | Sensormatrix |
US5198673A (en) | 1992-01-23 | 1993-03-30 | General Electric Company | Radiation image detector with optical gain selenium photosensors |
US5254480A (en) | 1992-02-20 | 1993-10-19 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Process for producing a large area solid state radiation detector |
DE4227096A1 (de) | 1992-08-17 | 1994-02-24 | Philips Patentverwaltung | Röntgenbilddetektor |
US5319206A (en) | 1992-12-16 | 1994-06-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method and apparatus for acquiring an X-ray image using a solid state device |
US5436101A (en) | 1993-08-20 | 1995-07-25 | Xerox Corporation | Negative charging selenium photoreceptor |
GB9414639D0 (en) | 1994-07-20 | 1994-09-07 | Philips Electronics Uk Ltd | An image detector |
JPH11504761A (ja) | 1995-01-19 | 1999-04-27 | リットン システムズ カナダ リミテッド | フラットパネル画像素子 |
US5528043A (en) | 1995-04-21 | 1996-06-18 | Thermotrex Corporation | X-ray image sensor |
CA2184667C (en) | 1996-09-03 | 2000-06-20 | Bradley Trent Polischuk | Multilayer plate for x-ray imaging and method of producing same |
US6243441B1 (en) * | 1999-07-13 | 2001-06-05 | Edge Medical Devices | Active matrix detector for X-ray imaging |
JP2001281345A (ja) | 2000-03-31 | 2001-10-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | エネルギー線検出装置およびその温度調整方法 |
JP2002162474A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Sharp Corp | 電磁波検出器およびその製造方法 |
CA2363663C (en) * | 2001-11-22 | 2004-10-19 | Ftni Inc. | Direct conversion flat panel x-ray detector with automatic cancellation of ghost images |
JP4211435B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2009-01-21 | 株式会社島津製作所 | 放射線検出器 |
-
2005
- 2005-02-16 US US11/059,282 patent/US7122803B2/en active Active
-
2006
- 2006-02-16 EP EP06250842A patent/EP1693893A3/en not_active Ceased
- 2006-02-16 CA CA002536724A patent/CA2536724A1/en not_active Abandoned
- 2006-02-16 JP JP2006039211A patent/JP5781717B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000058804A (ja) * | 1998-07-08 | 2000-02-25 | Ftni Inc | スタティック画像作成およびダイナミック画像作成のための固有の高電圧保護を備えた直接変換ディジタル式x線検出器 |
JP2000058808A (ja) * | 1998-08-07 | 2000-02-25 | Sharp Corp | 二次元画像検出器 |
JP2005012049A (ja) * | 2003-06-20 | 2005-01-13 | Shimadzu Corp | 放射線検出器およびそれを備えた放射線撮像装置 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
JPN6011049232; Akira Tsukamoto, et al: 'Development and evaluation of a large-area selenium-based flat-panel detector for real-time radiogra' Proc. SPIE 3659, 1999, pp.14-23 * |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9322931B2 (en) | 2011-06-30 | 2016-04-26 | Fujifilm Corporation | Radiation imaging system |
JP2013198054A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Shimadzu Corp | 放射線検出器 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1693893A2 (en) | 2006-08-23 |
JP5781717B2 (ja) | 2015-09-24 |
CA2536724A1 (en) | 2006-08-16 |
US7122803B2 (en) | 2006-10-17 |
EP1693893A3 (en) | 2008-10-29 |
US20060180771A1 (en) | 2006-08-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5781717B2 (ja) | トモシンセシス及び静的イメージング用の非晶質セレンフラットパネルx線イメージャ | |
JP5566569B2 (ja) | トモシンセシス及びスタチックイメージング用の非晶質セレンフラットパネルx線イメージャ | |
JP5566566B2 (ja) | トモシンセシス及びスタチックイメージング用の非晶質セレンフラットパネルx線イメージャ | |
Zhao et al. | Digital radiology using active matrix readout of amorphous selenium: Construction and evaluation of a prototype real‐time detector | |
Kasap et al. | Direct-conversion flat-panel X-ray image sensors for digital radiography | |
Antonuk et al. | Strategies to improve the signal and noise performance of active matrix, flat‐panel imagers for diagnostic x‐ray applications | |
Kasap et al. | Direct-conversion flat-panel X-ray image detectors | |
Siewerdsen et al. | A ghost story: Spatio‐temporal response characteristics of an indirect‐detection flat‐panel imager | |
JP5599681B2 (ja) | 放射線画像撮影装置 | |
US8735839B2 (en) | Pastes for photoelectric conversion layers of X-ray detectors, X-ray detectors and methods of manufacturing the same | |
US20100051820A1 (en) | X-ray detecting element | |
Du et al. | Investigation of the signal behavior at diagnostic energies of prototype, direct detection, active matrix, flat-panel imagers incorporating polycrystalline HgI2 | |
JP2010080636A (ja) | 放射線検出素子 | |
Pang et al. | Digital radiology using active matrix readout of amorphous selenium: Geometrical and effective fill factors | |
Polischuk et al. | Direct conversion detector for digital mammography | |
Spartiotis et al. | A CdTe real time X-ray imaging sensor and system | |
Street et al. | Approaching the theoretical x-ray sensitivity with Hgl2 direct detection image sensors | |
Rowlands et al. | Direct-conversion flat-panel x-ray imaging: reduction of noise by presampling filtration | |
Hoheisel et al. | Requirements on amorphous semiconductors for medical X-ray detectors | |
Antonuk et al. | An investigation of signal performance enhancements achieved through innovative pixel design across several generations of indirect detection, active matrix, flat‐panel arrays | |
Zentai | Photoconductor‐based (direct) large‐area x‐ray imagers | |
Zhao et al. | Flat panel detector for digital radiology using active matrix readout of amorphous selenium | |
Zhao et al. | Detectors for tomosynthesis | |
Street et al. | New materials and processes for flat panel X-ray detectors | |
JP5235466B2 (ja) | 放射線画像撮影装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110920 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111220 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120612 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20120906 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20120911 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20121011 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20121016 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121112 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130129 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130422 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130425 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130528 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130531 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130626 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130701 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130725 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130820 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131220 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140106 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140228 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150513 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150716 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5781717 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |