JP2006261575A - Dip型半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 小型化が可能なDIP型半導体装置を提供する。
【解決手段】 DIP型半導体装置1は、矩形のICチップ4と、ICチップ4の両辺に先端部が対向するように列方向に2列に並べられたインナーリード5と、ICチップ4上に列方向に沿って設けられたパッド6と、インナーリード5とパッド6との間を結線するボンディングワイヤ7と、を備え、パッド6は、ボンディングワイヤ7のワイヤボンディングに必要なボンディングループ長を確保するために、ICチップ4の行方向内側にシフトして設けられている。
【選択図】 図2
【解決手段】 DIP型半導体装置1は、矩形のICチップ4と、ICチップ4の両辺に先端部が対向するように列方向に2列に並べられたインナーリード5と、ICチップ4上に列方向に沿って設けられたパッド6と、インナーリード5とパッド6との間を結線するボンディングワイヤ7と、を備え、パッド6は、ボンディングワイヤ7のワイヤボンディングに必要なボンディングループ長を確保するために、ICチップ4の行方向内側にシフトして設けられている。
【選択図】 図2
Description
本発明は、リードフレームを用いたDIP(Dual Inline Package)型のパッケージ方式を用いた半導体装置であるDIP型半導体装置に関するものである。
従来の半導体装置の標準パッケージ方式として、DIP型のパッケージ方式がある。長方形のパッケージの両方の列方向の長辺に、外部入出力用のピンを2列に並べたもので、製造時および実装時のコストを低く抑えられるという利点がある。このDIP型半導体装置は、ICチップと、このICチップの外周部に列方向に沿って設けられたパッドと、ICチップの列方向の長辺に先端部が対向するように配置されたインナーリードと、を備えており、このインナーリードの先端部とパッドとの間がボンディングワイヤで結線されている(例えば、特許文献1参照)。
このような、従来技術において、パッドは、ICチップの特性に影響を与えないように、また、ICチップのエッジやこのICチップを積載するベッドのエッジにボンディングワイヤが接触するのを避けるため、ICチップの外周部(ICチップのエッジから0.5mmの範囲)に設けられている。そして、ボンディングワイヤ105は、ボンディングマシンの性能にもよるが通常1.0mm以上のボンディングループ長を確保するため、このボンディンループ長に応じたインナーリードとパッドとの間の行方向の間隙が必要になり、DIP型半導体装置全体の小型化を十分に図ることができないという問題が生じていた。
特開平10−32374号公報(第4−5頁、第1図)
本発明は、上記課題を解決するものであり、必要なボンディングループ長を確保しつつ、ICチップとインナーリードとの間の間隔を極力狭めることができるようにして、小型化を図ることが可能なDIP型半導体装置を提供することを目的とする。
本発明に係る実施例に従ったDIP型半導体装置は、矩形のICチップと、前記ICチップの列方向の両辺に先端部が対向するように2列に並べられたインナーリードと、前記ICチップの列方向に沿って前記ICチップ上に設けられたパッドと、前記インナーリードと前記パッドとの間を結線するボンディングワイヤと、を備え、前記パッドは、前記ボンディングワイヤのワイヤボンディングに必要なボンディングループ長を確保するために、前記ICチップの行方向内側にシフトして設けられていることを特徴とする。
また、本発明に係る実施例に従ったDIP型半導体装置は、矩形のICチップと、前記ICチップの列方向の一辺に先端部が対向するように並べられた第1のインナーリードと、前記ICチップの列方向の他の一辺に先端部が対向するように並べられた第2のインナーリードと、前記ICチップの中央部よりも前記第2のインナーリードの先端部が面している側に設けられた第1のパッドと、前記ICチップの中央部よりも前記第1のインナーリードの先端部が面している側に設けられた第2のパッドと、前記第1のインナーリードと前記第1のパッドとを結線する第1のボンディングワイヤと、前記第2のインナーリードと前記第2のパッドとを結線する第2のボンディングワイヤと、を備え、前記第1のパッドと前記第2のパッドとは、前記第1のボンディングワイヤと前記第2のボンディングワイヤとが交差しないように設けられていることを特徴とする。
本発明によれば、必要なボンディングループ長を確保しつつ、インナーリードとICチップとの間の間隙を狭めることにより、DIP型半導体装置の小型化を図ることが可能になる。
以下、本発明に係る各実施例について図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の実施例に係るDIP型半導体装置の外観を示す斜視図である。図1に示すように、DIP型半導体装置1は、図示しないICチップを内部に収納したモールドパッケージ2と、図示しないインナーリードを介してこのICチップと電気的に接続され、外部の端子と接続するためのアウターリード3とを備えている。
図2は、本発明の実施例1に係るDIP型半導体装置の要部の構成を示す平面図である。なお、以下ではICチップのインナーリードの先端部が対向する辺の方向を列方向とし、これと直角をなす方向を行方向として説明する。
図2に示すように、DIP型半導体装置1は、半導体素子が集積された矩形のICチップ4と、このICチップ4の列方向の両辺に沿って先端部が対向するように、ICチップと従来技術の場合よりも狭い間隙8を空けて2列に並べられたインナーリード5と、ICチップ4の列方向に沿ってICチップ4上に設けられたパッド6と、このパッド6とインナーリード5とを結線することにより、ICチップ4とインナーリード5とを電気的に接続するボンディングワイヤ7と、を備えている。
ここで、ボンディングワイヤ7には、所望の特性を得るため、また、作業上、ボンディング装置の性能上の理由から所定のボンディングループ長(例えば、1.0mm以上)を確保することが要求される。したがって、パッド6は、ボンディングワイヤ7のワイヤボンディングに必要なボンディングループ長が確保できるように、ボンディングループ長に応じて、破線で示したICチップ4の列方向の両辺の端部位置から行方向内側に、例えば、0.5mm以上内側の領域である内部領域にシフトして設けられている。これにより、ボンディング条件は変更する必要はなく、ワイヤボンディングに必要な、例えば1.0mm以上のボンディングループ長が確保されるようになっている。また、パッド6は、ICチップ4の特性への影響ができるだけ小さい領域に形成するのが好ましい。なお、破線で示した領域は、例えば素子領域として使用可能であるため、パッド6をシフトさせた場合であっても、素子領域の同じ面積を維持することができるようになっている。
また、DIP型パッケージ1は、パッド開口が大きく(面積が80μm×80μm以上)、パッド数の少ない製品が多いため、パッド6の配置に関する自由度があり、ICチップ4の表面内部にパッド6を配置することが可能である。
なお、インナーリード7の上面からICチップ4の上面までの高度差が小さくなるように調整することにより、ICチップ4のエッジ4aとボンディングワイヤ7とが接近し接触するのを十分回避することができる。
以上のように、本実施例に係るDIP型半導体装置によれば、ボンディング条件を変更することなく、ボンディングループ長に応じてパッドをICチップの表面内部に配置することで、行方向(ボンディングワイヤの配線方向)のICチップとインナーリードとの間の間隔を狭めて、素子領域の面積を変えることなくDIP型半導体装置の小型化を図ることができる。
実施例1では、パッド6をICチップ4の外周部より内側の表面内部にシフトさせて配置する構成について述べたが、本実施例では、特に、パッド6の位置をICチップ4の中央部に配置する構成について述べる。
図3は、本発明の実施例2に係るDIP型半導体装置の要部の構成を示す平面図である。図3に示すように、パッド9がICチップ4の中央部(例えば、ICチップ4の表面内部のうち、ICチップの列方向の中心線から行方向に0.5mm以内の範囲)に配置されている。ICチップ4の中心列線に対して、一側方向側に位置する第1のインナーリード5に接続された第1のパッド9と、他側方向側に位置する第2のインナーリード5に接続された第2のパッド9とは、中心列線の両側に対称配置されている。すなわち、これらのパッド9は、短絡しないように行方向に隣接して2個ずつ配置されている。なお、隣接する各々のパッド9は、電気的に接触しないように配置されている。
このように、パッド9が中央部に配置されているため、ICチップ4の外周部にパッド9を配置する場合よりも平均配線長が短くなる。したがって、ICチップ内の配線における電圧降下の影響が小さくなるので、電力がより均等に供給できるようになっている。また、少なくとも、2個ずつパッド9を隣接するように集約して配置しているので、パッド4のICチップ4への影響が低減できるようになっている。
以上のように、本実施例に係るDIP型半導体装置によれば、行方向のICチップとインナーリードとの間の間隔を狭めて、DIP型半導体装置の小型化を図りつつ、ICチップへの電力供給の均等化を図ることができる。
実施例2では、パッド6をICチップ4の中央部に配置する構成について述べたが、本実施例では、特に、パッド6をICチップ4の中心の列方向に沿って配列する構成について述べる。
図4は、本発明の実施例3に係るDIP型半導体装置の要部の構成を示す平面図である。図4に示すように、DIP型半導体装置1において、パッド10は、ICチップ4の中央部の列方向に沿って1列に並んで設けられている。すなわち、ICチップ4の中央列線に対して、一側方向側に位置する第1のインナーリード5aに接続されたパッド10と、他側方向側に位置する第2のインナーリード5に接続された第2のインナーリード5bに接続されたパッド10とが短絡しないように同一列線上(中心列線上)に一列に交互に配置されている。なお、隣接する各々のパッド9は、電気的に接触しないように配置されている。また、ボンディングループ長が必要以上に長くなる場合は、ボンディングワイヤ径を大きくする等の対策を採ることにより、モールド時のワイヤ流れを回避できる。
以上のように、本実施例に係るDIP型半導体装置によれば、行方向のICチップとインナーリードとの間の間隔を狭めつつ、パッドが形成される領域をICチップの列方向に沿って一列に配置することにより、ICチップの行方向の長さを短くすることができるので、DIP型半導体装置の更なる小型化を図ることができる。
これまでの実施例では、パッド6をICチップ4の列方向の中心に配列する構成について述べたが、本実施例では、パッド6のシフトを更に進めてICチップ4の対辺側に配置する構成について述べる。
図5は、本発明の実施例4に係るDIP型半導体装置の要部の構成を示す平面図である。図5に示すように、DIP型半導体装置1は、矩形のICチップ4と、このICチップの列方向の一辺に先端部が対向するように並べられた第1のインナーリード5aと、ICチップ4の列方向の他の一辺に先端部が対向するように並べられた第2のインナーリード5bと、ICチップ4の中央部よりも第2のインナーリード5bの先端部が面している側に設けられた第1のパッド11aと、ICチップ4の中央部よりも第1のインナーリード5aの先端部が面している側に設けられた第2のパッド11bと、第1のインナーリード5aと第1のパッド11aとを結線する第1のボンディングワイヤ7aと、第2のインナーリード5bと第2のパッドと11bを結線する第2のボンディングワイヤ7bと、を備えている。
この第1のパッド11aと第2のパッド11bとは、第1のボンディングワイヤ7aと第2のボンディングワイヤ7bとが交差(接触)しないように交互に配線され千鳥配置になるように設けられている。
なお、ボンディングループ長が必要以上に長くなる場合は、実施例3の場合と同様に、ボンディングワイヤ径を大きくする等の対策を採ることにより、モールド時のワイヤ流れを回避できる。
以上のように、本実施例に係るDIP型半導体装置によれば、行方向のICチップとインナーリードとの間の間隔を狭めつつ、DIP型半導体装置の更なる小型化を図ることができる。
なお、以上の各実施例において、ICチップのインナーリードの先端部が対向する辺の方向を列方向とし、これと直角をなす方向を行方向として説明したが、行と列とを交換しても同様の作用効果を奏することができるのは勿論である。
1 DIP型半導体装置
2 モールドパッケージ
3 アウターリード
4 ICチップ
5 インナーリード
5a 第1のインナーリード
5b 第2のインナーリード
6 パッド
7 ボンディングワイヤ
7a 第1のボンディングワイヤ
7b 第2のボンディングワイヤ
8 間隙
9 パッド
10 パッド
11a 第1のパッド
11b 第2のパッド
2 モールドパッケージ
3 アウターリード
4 ICチップ
5 インナーリード
5a 第1のインナーリード
5b 第2のインナーリード
6 パッド
7 ボンディングワイヤ
7a 第1のボンディングワイヤ
7b 第2のボンディングワイヤ
8 間隙
9 パッド
10 パッド
11a 第1のパッド
11b 第2のパッド
Claims (4)
- 矩形のICチップと、
前記ICチップの両辺に先端部が対向するように列方向に2列に並べられたインナーリードと、
前記ICチップ上に列方向に沿って設けられたパッドと、
前記インナーリードと前記パッドとの間を結線するボンディングワイヤと、を備え、
前記パッドは、前記ボンディングワイヤのワイヤボンディングに必要なボンディングループ長を確保するために、前記ICチップの行方向内側にシフトして設けられていることを特徴とするDIP型半導体装置。 - 前記パッドは、前記ICチップの中心列線に対して、一側方向側に位置する第1のインナーリードに接続された第1のパッドと、他側方向側に位置する第2のインナーリードに接続された第2のパッドとからなり、
前記第1および第2のパッドは、前記中心列線の両側に対称配置されていることを特徴とする請求項1に記載のDIP型半導体装置。 - 前記パッドは、前記ICチップの中心列線に対して、一側方向側に位置する第1のインナーリードに接続された第1のパッドと、他側方向側に位置する第2のインナーリードに接続された第2のパッドとからなり、
前記第1および第2のパッドは、前記中心列線上に一列に交互に配置されていることを特徴とする請求項1に記載のDIP型半導体装置。 - 矩形のICチップと、
前記ICチップの列方向の一辺に先端部が対向するように並べられた第1のインナーリードと、
前記ICチップの列方向の他の一辺に先端部が対向するように並べられた第2のインナーリードと、
前記ICチップの中央部よりも前記第2のインナーリードの先端部が面している側に設けられた第1のパッドと、
前記ICチップの中央部よりも前記第1のインナーリードの先端部が面している側に設けられた第2のパッドと、
前記第1のインナーリードと前記第1のパッドとを結線する第1のボンディングワイヤと、
前記第2のインナーリードと前記第2のパッドとを結線する第2のボンディングワイヤと、を備え、
前記第1のパッドと前記第2のパッドとは、前記第1のボンディングワイヤと前記第2のボンディングワイヤとが交差しないように設けられていることを特徴とするDIP型半導体装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005080146A JP2006261575A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | Dip型半導体装置 |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005080146A JP2006261575A (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | Dip型半導体装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007088453A (ja) * | 2005-09-23 | 2007-04-05 | Freescale Semiconductor Inc | スタックダイパッケージを製造する方法 |
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2005
- 2005-03-18 JP JP2005080146A patent/JP2006261575A/ja active Pending
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