JP2006261119A - 高輝度放電ランプ用のスロット付き電極 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】前記課題は高輝度放電ランプを、電極ヘッドの1つまたは複数の外面に設けられたグロー発生凹部とともに形成することによって解決される。
【選択図】図1
Description
70<Sp<1200Pa・cm 数式1a‐アルゴン
また、アルゴン以外の不活性ガスも、中空陰極放電を形成するのに有利である。しかし、Spの制限は文献では未だ公表されていない。したがって、上限および下限をスケーリングすることにより、電極凹部内で有利な中空陰極動作を行うためのSp範囲の推定値を得る。下限はイオン化断面に対して反比例するので、既知のイオン化断面にしたがってスケーリングすることができる。別の不活性ガスによるこのような推定を行うためには、ガスの温度および密度が固定的であると仮定し、50〜200eVで得られる断面の最大値の範囲を使用する。別の不活性ガスのSpの上限を推定するためには、各ガスにごとに、異常なグローシース距離Isおよび負のグロー距離Ingの別個の推定が必要である。異常なグローに関する周知のvon Engle-Steebeckモデルを使用すると、10A/cm2の典型的な電流密度で、約Isp=20Pa・cmという、シース厚さと充填圧力との積が得られる。数式1a‐アルゴンで、この量の2倍をAr上限から減算すると、1160Pa・cmという、最大の負のグロー距離と充填圧力との積が得られる。このようにして負のグロー距離は、実験によるアルゴン値から、以下の比例式にしたがってスケーリングされる:
plng∝(1/σion)(Vc/Vion)
ここでσionは、所与の不活性ガスの平均的なイオン化断面である。Vcは異常なグローの際の陰極降下であり、負のグローにおける初期の電子エネルギーに相応する。Vionは、不活性ガス原子のイオン化エネルギーである。最終的なSp上限は、von Engle-Steebeckモデルから計算されるような予測されたシース厚さと圧力との積lspの2倍を加算することによって得られる。一般的にシース厚さと圧力との積は、負のグローと圧力との積より格段に小さい。以下で、ヘリウム、ネオン、クリプトンおよびキセノンに関してこれらの推定の結果を挙げる:
503<Sp<15000Pa・cm (数式1a‐ヘリウム)
240<Sp<4800Pa・cm (数式1a‐ネオン)
40<Sp<880Pa・cm (数式1a‐クリプトン)
35<Sp<840Pa・cm (数式1a‐キセノン)
有利なガスは、アルゴン、クリプトンおよびキセノンである。その理由は、これらのガスのイオン化ポテンシャルが比較的低いからである。これによって、所与の中空陰極電圧で達成できる電流密度が高くなり、バラストに必要とされる面積が小さくなる。またイオン化ポテンシャルが低いことにより、降伏電圧の要件も低くなり、このことによってバラストがより低コストになる。また比較的低いSp範囲は、典型的な始動ガス圧力および電極寸法に比較的適している。
S<D 数式1b
凹部深度Dが増大すると、電極ヘッドのこの部分の熱抵抗が増大する。しかし、このことが必ずしも、電極先端の過熱を引き起こすわけではない。電極ヘッドの増大された熱抵抗は、ほぼ常に、別の部分の熱抵抗の低減によって補償される。たとえば、シャフト長さ52を縮小することができる。電極全体の熱的な選定に関しては後の部分で、定常状態の考察で補足する。最大凹部深度にかかる主な制約は、電極の構造上の統合性が動作中に、ランプの寿命全体にわたって妥協されないことである。
NsAr/l>0.012(cm2/A) 数式1c
純粋なDC動作の場合、中空陰極加熱は始動中、連続的に行われる。したがって始動中の最小熱入力は、効率的に倍増される。しかし、定常状態Pss中に有利に電極を加熱するための上限も高くなる。というのも、高い過渡的な陰極降下が、以下の数式8aおよび8bに示されているように消去されるからである。したがって数式1cは、AC動作およびDC動作に関する大まかな基準である。
0.5×{1−(d2/d1)2}/(1+4h1/d1)×qin/εσBT4≒7.5×{1−(d2/d1)2}/(1+4h1/d1)>1
数式1d
ここでは、ε=0.37はタングステンヘッドの放射率を表し、σB=5.67×10−12W cm−2K−4はシュテファン・ボルツマン定数を表し、温度T≒2900Kは、タングステン電極の先端温度の合理的な上限として選択されたものである。ほぼ2.5kW/cm2のグロー熱qinが使用される。表1に示された実験によるスロット付の電極によって、上記数式が満たされる。
j=je(Vc,T)(1+Vc/Vi) 数式2
ここでje(Vc,T)は、熱電子放出によって生成される電子電流密度(A/cm2)であり、陰極降下および温度の関数である。温度が電流密度に依存することは周知であり、正の指数関数的に大きく依存する。陰極降下Vcに依存するのは、熱電子放出の電界の上昇による(ショットキー作用)。局所的な電界と陰極降下との間の精確な関連は、シースが衝突するか衝突しないかということと、ランプの動作圧力とに依存する。一般的に陰極降下Vcの温度依存性は、熱電子放出の明示的な温度依存性より格段に弱い。陰極降下と電極表面に発生する局所的な電界との間の関連性に関する詳細は、文献の記載から得られる。所与の陰極電流Iおよび付着面積Aaで、電流密度は以下のようになる:
j=I/Aa 数式3
陰極付着は、電極表面が熱電子放出全体の電流のうち最も多くを供給する場所で発生し、付着面積Aaは、電極の最も高温の領域の約100〜200K以内にある表面から成る。したがって付着面積Aaは、先端とその周囲の高温の表面を含む。図3に示された実施形態では、これはまず先端56の内表面であり、最も内側のディスクの側面、図3に示された距離58も含む。
ここではφは、電極の(ショットキー低減された)仕事関数である。正および負の半サイクル双方で対称的な電流Iacを有するAC波形の場合、電極に入力される全サイクルの平均的な熱入力Pss(W)は、以下の数式によって近似的に得られる:
上線は、各半サイクルで得られるrms平均を示す。量ψeは電子エンタルピーであり、約2.5Teである。ここではTe≒0.5〜1eVは、陰極近傍のプラズマの電子温度である。数式4b中の最初の項は、平均的な陽極フェーズ加熱を表し、第2の項は平均的な陰極フェーズ加熱を表す。数式4bでは動作周波数は、電極構造のおおよその熱的な応答より格段に速いことが前提とされる。400Wまでの実際のHID電極では、30Hzを上回る波形の周波数は明らかにACの法則にある。定常状態のIpのランプピーク電流および陰極降下ピーク電圧Vpを供給するバラストによって動作するためには、電気的な波形のパワーを記述するために典型的に使用される異なる波形係数fによって、rms値とピーク値とを関連づける。矩形波のバラスト電流波形および正弦波のバラスト電流波形の特別なケースでは、
rms値は、以下の数式によって得られる:
電極ヘッドに入力される熱は、平均的な全体の放射損失と、下方のステムからシール領域の熱シンクまでの伝導損失とによって均衡化される。熱電子励起された0.1〜10A/mm2の典型的な電流密度を、ドープされていない(エミッタを含まない)陰極によって供給するためには、数式2では、2500〜3000Kの範囲内にある先端温度が必要とされる。実際の温度は電流密度に依存し、金属ハロゲン化物の蒸気のイオン化エネルギー、蒸気の組成、動作圧力、および電極近傍のプラズマに関する関連の詳細に対しては弱い依存性を有する。数式4aまたは4bにおける陰極降下は、必要な先端温度で必要なエネルギー均衡状態Pss(熱入力)を供給するように調節される。したがって所与の電流において、大きな熱損失を有する電極の陰極降下は、小さい損失を有する電極より大きい。ステムと異なる直径の比較的大きな複数のディスクとから成る任意の電極に関連してこの思想を説明するため、図3に示された電極の軸方向の各セグメントに番号を付与する。最も内側のディスク(図3では48)から開始してステムの方向に、k=1,2,...Nと番号付与する。ここではNは、ステムを含むセグメントの総数である。k=1と示されるディスクは最も内側のディスクであり、アークと直接接触する。熱平衡状態は、DC動作およびAC動作でそれぞれ、以下の関係式によって表される:
数式6中の量θは、(動作温度での)電極構造体の有効な軸方向の熱抵抗である。θの厳密な形には放射損失が含まれるので、θは電極の軸面上の温度分布に依存する。固定的な熱伝導度Kk、断面積Akおよび厚さhk(または、ステムの場合には長さ)を有する構造体として各ディスクおよびステムを近似すると、θを表す以下の式が得られる:
係数akは、先端(セグメント1)からディスクの中央部(またはステム)までの領域kに広がる電極表面から放射されるパワー全体の割合である。k=Nである場合、aNは電極全体からの全放射損失である。図3に示された電極を参照すると、ANはステムの断面積を示し、kNは該ステムの熱伝導度を示している。また、dN=ds、hN=hsであることも述べておく。実際には、温度分布の第1次の推定結果を使用して放射損失を求める。約2800Kの先端温度によってシミュレーションを行うと、典型的には、電極へ入力される全パワーのうち約30〜40%が熱放射によって失われ、その大部分は、約2500Kを上回る電極の部分で失われることが示される。これは、aN=0.3〜0.4に相応する。実際には、数式2,3,6および7によって得られる先端温度の解は、数値で求めなければならない。
Le<25W/A 数式8a‐DC陰極
Le<12W/A 数式8b‐AC陰極
数式8aおよび8bは、HIDランプにおける有利な基準であるが、電極の動作に関しては重要でない。一般的には、凹部放電(中空陰極)によるグローフェーズからの最悪のケースの引き継ぎを支援するために、Le<10W/A(AC)またはLe<20W/A(DC)を使用したい場合もある。
d1/2K1×δq/δT<β10 数式9
である場合に、所望の拡散モードが小さい変動で安定的に維持されるという基本的な結果になる。ここではK1は、電極材料の直径d1の先端における熱伝導度であり、k=1は最も内側のディスクである。微分δq/δTは、電極先端への正味の熱流束(W/cm2)の偏導関数であり、シース領域からのイオン加熱、電子冷却、および電極表面からの放射冷却を含む。偏導関数δq/δTは、一定のシース電圧および先端温度Tで求められる。係数β10=1.8412は、整数次のベッセル関数の微分の第2のゼロであり、Jm′(βmn)=0である。数式9の結果には、ドーパントの蒸発や電極表面における不均一なエミッタ材料分布等の作用は含まれていないことに留意すべきである。それゆえ、エミッタを含む電極へのアーク付着では、付加的な実験が必要である。
η=Aa/A1 数式10
一般的にこのオーバフィル率は、円筒状の先端で、2<η<3の範囲にある。数式2および6の結果を使用して、拡散の安定性の条件は、以下のように表される:
Kstab≡2/(πd1K1θ)(γ/η)(1−T0/T)δ<β10
数式11a‐DC
補正値γは、不安定性に寄与する電極の側部の加熱を説明する付加的な係数である。一般的にこの補正係数は、オーバフィル率1<γ<ηを下回らなければならない。増幅係数δは、偏導関数δq/δTを求めることによって得られる係数である。ここでは、電子は熱電子放出によって形成されることが前提とされる。この増幅係数δは近似的に、
ここでφwは、ショットキー補正された電極先端材料の仕事関数である。ショットキー補正の温度依存性および放射冷却の比較的小さい影響は、無視されている。これら2つの影響によって、安定性係数δは低減され、拡散付着はより安定的になる。エミッタ材料なしのタングステン電極の場合、係数δは約20である。
K1d1>KNdN 数式14
図3の有利な実施形態の主な特徴を確認するため、実験を行った。表1(図4)に示された電極は、上記の研削技術を使用して製造された。比較のため、中実(トリアフリー)の調整電極の寸法、コイル形(トリアフリー)の調整電極の寸法、コイル形(トリア含有)の調整電極の寸法も、同様に示されている。電極は、水晶(HQI)およびセラミックス(HCI)のアーク管用に製造された。
70<dhp<1200 Pa・cm 数式6a
凹部の深度Dは、スパッタリングされたタングステンを該凹部内部に包括し、十分な電流を供給するために十分に大きくなければならない:
D>dg 数式6b
図10に示された第4の実施形態では、このような空洞凹部領域は先端ボディの前面に設けられる。これは単独で設けられるか、または先端ボディの頂部の空洞領域とともに設けられる。電極70は中実のボディとして形成され、ヘッド74を該電極70の最も内側の端部で担持する内側のステム72を有する。ヘッド74は、扁平な端面76を有することができる。端面76には、孔、スロット、スリットまたは溝等の1つまたは複数の凹部が形成される。この凹部を、軸方向に延在する穿孔80とすることができる。穿孔80は、最小スパン距離(直径)82および深度84を有する。直径82は、電子イオン化の最大平均自由経路よりも大きく、かつ始動のグロー放電フェーズ全体にわたって、選択された充填ガスの組成および圧力において、最小陰極降下の2倍+負グロー距離を下回る。深度84は、有利にはスパン間隔82より大きい。サイズおよび形状の規定を遵守すれば、複数のこのような穿孔を前面76に設け、溝、スロットおよび同様の開口を使用できることが理解できる。
12 エンベロープ
14 壁
16 封入容量
18 電極アセンブリ
20 ランプ充填物
22,46,74,90,100,110,120 電極ヘッド
24 グロー放電誘起凹部
30 従来の電極ヘッド
32 グロー発生凹部
34 最小スパン間隔
38 電極軸
40 電極先端
42,48,72 電極ステム
44 電極ステムの直径
50 ステム直径
52 軸長さ
54 ヘッドの外径
56 内側最先端部
60 放射状の溝
62 溝60の軸方向の幅
64 溝60の内径
70 電極
76 ヘッド74の端面
80 穿孔
82 穿孔80の最小スパン距離
84 穿孔80の深度
92 螺旋状の凹部
102 コーティング層
112 軸方向の凹入溝
122 環状の凹入溝
124 凹入溝122のスパン幅
Claims (21)
- 高輝度放電ランプにおいて、
透光性のランプエンベロープと、少なくとも1つの電極アセンブリと、充填材料と、充填ガスとを有し、
該ランプエンベロープは、封入容量を定義する壁を有しており、
該少なくとも1つの電極アセンブリは封入されて、該高輝度放電ランプの外側からランプエンベロープ壁を貫通して、該電極アセンブリの内側端部で前記封入容量に対して露出されるまで延在し、
該充填材料は封入容量に封入されており、電力が供給されることによって励起されて発光するものであり、
該充填ガスは封入容量に封入されており、単位Paで表されるpの低温充填圧力を有し、
電極の内側端部は、凹部容量と該凹部容量から封入容量への開口とを有する凹部を定義する表面を有する、統合的に形成されたボディ(ヘッド)であり、
該表面はさらに、凹部開口にわたって測定される最小凹部スパン寸法Sと、Dの凹部深度とを定義し、
Sは、選択されたランプ充填ガスの組成および(低温)充填ガス圧力において、始動時のグロー放電フェーズ中に、電子イオン化平均自由経路より大きく、かつ最小陰極降下間隔の2倍+負グロー間隔より小さくなるように構成されていることを特徴とする、高輝度放電ランプ。 - 凹部は、ヘッドの側部の内部まで延在する穿孔の形態を有する、請求項1記載の高輝度放電ランプ。
- 凹部は、ヘッドの前面の内部まで延在する穿孔の形態を有する、請求項1記載の高輝度放電ランプ。
- 凹部は、ラジアル状の溝の形態を有する、請求項1記載の高輝度放電ランプ。
- 凹部は、異なるスパン寸法を有する、請求項1記載の高輝度放電ランプ。
- 凹部は、螺旋状の溝の形態を有する、請求項1記載の高輝度放電ランプ。
- 凹部は、軸方向の溝の形態を有する、請求項1記載の高輝度放電ランプ。
- 充填ガスは、低温(300K)圧力pを有するアルゴンであり、
70Pa・cm<Sp<1200Pa・cmとなるように構成されている、請求項1記載の高輝度放電ランプ。 - 最小スパン間隔Sは、凹部深度Dより小さい、請求項1記載の高輝度放電ランプ。
- 電極のヘッドの外径がd1であり、該ヘッドの熱伝導度がK1であり、電極のステムの直径がdNであり、該ステムの熱伝導度がKNであるとすると、
K1d1>KNdN
となるように構成され、ここでは、
K1=W/cm/Kで表される、電極のヘッドの熱伝導度
d1=cmで表される、該電極ヘッドの直径
KN=W/cm/Kで表される、電極のステムの熱伝導度
dN=cmで表される、該電極のステムの直径
である、請求項1記載の高輝度放電ランプ。 - 凹部は、最小スパン間隔Sを有し、
充填ガスはヘリウムであり、
充填ガスの低温充填圧力をpとすると、
530Pa・cm<Sp<15000Pa・cmとなるように構成されている、請求項1記載の高輝度放電ランプ。 - 凹部は、最小スパン間隔Sを有し、
充填ガスはネオンであり、
該充填ガスの低温充填圧力をpとすると、
240Pa・cm<Sp<4800Pa・cmとなるように構成されている、請求項1記載の高輝度放電ランプ。 - 凹部は、最小スパン間隔Sを有し、
充填ガスはアルゴンであり、
該充填ガスの低温充填圧力をpとすると、
70Pa・cm<Sp<1200Pa・cmとなるように構成されている、請求項1記載の高輝度放電ランプ。 - 凹部は、最小スパン間隔Sを有し、
充填ガスはクリプトンであり、
該充填ガスの低温充填圧力をpとすると、
40Pa・cm<Sp<880Pa・cmとなるように構成されている、請求項1記載の高輝度放電ランプ。 - 凹部は、最小スパン間隔Sを有し、
充填ガスはキセノンであり、
該充填ガスの低温充填圧力をpとすると、
35Pa・cm<Sp<840Pa・cmとなるように構成されている、請求項1記載の高輝度放電ランプ。 - 凹部は、最小スパン間隔Sを有し、
充填ガスはアルゴンであり、
該充填ガスの低温充填圧力をpとし、凹部深度をDとすると、S<Dであるように構成されており、
ここでは、S=cmで表される凹部のスパン間隔、D=cmで表される凹部の深度である、請求項1記載の高輝度放電ランプ。 - DC放電ランプを作動する方法であって、
熱電子アークへの引き継ぎを保証し、
該DC放電ランプは、定常状態放電電流Iss(A)と、アルゴンまたはクリプトンまたはキセノンの不活性ガス充填物と、請求項1に記載された電極とを有し、
該不活性ガス充填物は、低温充填圧力pを有し、
該電極は、数Nsの凹部を有し、
各凹部は、面積Arとスパン間隔Sとを有する形式の方法において、
a)降伏から熱電子アークの兆候まで、陰極への始動パワーPhcを供給し、ここでは、
Phc>1.5Pss(W)
Ihc>Phc/Vhc
200V<Vhc<400V
であり、ここでは、
Phc=単位Wで表される始動パワー
Ihc=単位Aで表される始動電流
Vhc=中空陰極放電中のランプ電圧
であるステップと、
b)熱電子アークが形成された後、電流Issを有する定常状態Pssを供給し、ここでは、
3Iss<Pss<20Iss(W)であり、
ここでは、Iss=単位Aで表される、熱電子アークの形成後の公称定常状態ランプ電流
であるステップとを有することを特徴とする方法。 - AC放電ランプを作動する方法であって、
熱電子アークへの引き継ぎを保証し、
該AC放電ランプは、定常状態rms放電電流Iss(A)と、アルゴンまたはクリプトンまたはキセノンの不活性ガス充填物と、請求項1に記載された電極とを有し、
該不活性ガス充填物は、低温充填圧力pを有し、
該電極は、数Nsの凹部を有し、
各凹部は、面積Arとスパン間隔Sとを有する形式の方法において、
a)降伏から熱電子アークの兆候まで、陰極への平均的な始動パワーPhcを供給し、ここでは、
0.5Phc>1.5Pss(W)
Ihc=Phc/Vhc
200V<Vhc<400V
であり、ここでは
Phc=単位Wで表される、時間平均的な始動パワー
Ihc=単位Aで表される、rms始動電流
Vhc=中空陰極の半サイクル中のrmsランプ電圧
であるステップと、
b)熱電子アークが形成された後、rms電流Issを有する定常状態Pssを供給し、ここでは、
3Iss<Pss<10Iss(W)
であり、ここでは、
Iss=単位Aで表される、熱電子アークの形成後の公称定常状態ランプrms電流
であるステップとを有することを特徴とする方法。 - アルゴン、クリプトンまたはキセノンの不活性ガス充填物は、低温充填圧力pを有し、
請求項1記載の電極が設けられており、
NsAr/Iss>0.012cm2/A
であるように構成され、ここでは、
Ns=凹部の数
Ar=凹部の面積
Iss=単位Aで表される、熱電子アークの形成後の公称定常状態ランプrms電流(DCまたはAC)
である、請求項1記載の高輝度放電ランプ。 - 高輝度放電ランプを作動する方法であって、
透光性のランプエンベロープを有し、
該透光性のランプエンベロープは、封入容量を定義する壁を有し、
該高輝度放電ランプは、少なくとも1つの電極アセンブリと、充填材料と、充填ガスとを有し、
該少なくとも1つの電極アセンブリは封入されて、該高輝度放電ランプの外側からランプエンベロープ壁を貫通して、該電極アセンブリの内側端部で前記封入容量に対して露出されるまで延在し、
該充填材料は封入容量に封入されており、電力が供給されることによって励起されて発光するものであり、
該充填ガスは封入容量に封入されており、単位Paで表されるpの低温充填圧力を有し、
電極の内側端部は、面積を有する側部を備えた凹部と、該凹部容量から封入容量への開口とを定義する表面とを有する、統合的に形成されたボディ(ヘッド)であり、
該表面はさらに、凹部開口にわたって測定される最小凹部スパン寸法Sと、Dの凹部深度とを定義し、
Sは、始動時のグロー放電フェーズ中、選択されたランプ充填ガスの組成および(低温)充填ガス圧力において、電子イオン化平均自由経路より大きく、かつ最小陰極降下距離の2倍+負グロー距離より小さく、
a)陰極フェーズ中、凹部内でグロー放電を発生するのに十分なピリオドで、
Phc>2500NsAr(W)
であるように、始動パワーを供給するステップと、
b)バラストから始動パワーの次に、定常状態rms電流Issを高輝度放電ランプへバラストから供給して、アーク放電を発生し、ここでは、
面積/Iss>0.012cm2/A
であり、ここでは、
Phc=バラストから高輝度放電ランプへ、ACサイクルの陰極部分で供給されるパワーであるか、またはDCサイクルで陰極へ供給されるパワー
面積=cm2で表される、凹部に面する側部の壁面積全体
Iss=単位Aで表される、バラストから高輝度放電ランプへ供給される定常状態rms電流
であるステップを有することを特徴とする方法。 - 高輝度放電ランプを作動する方法であって、
透光性のランプエンベロープと、少なくとも1つの電極アセンブリと、少なくとも1つの電極アセンブリと、充填材料と、充填ガスとを有し、
該ランプエンベロープは、封入容量を定義する壁を有しており、
該少なくとも1つの電極アセンブリは封入されて、該高輝度放電ランプの外側からランプエンベロープ壁を貫通して、該電極アセンブリの内側端部で前記封入容量に対して露出されるまで延在し、
該充填材料は封入容量に封入されており、電力が供給されることによって励起されて発光するものであり、
該充填ガスは封入容量に封入されており、単位Paで表されるpの低温充填圧力を有し、
電極の内側端部は、複数のN個の同様の凹部を定義する表面を有する、統合的に形成されたボディ(ヘッド)を有し、
各凹部は、凹部面積と、凹部容量と、該凹部容量から封入容量への開口とを定義する側壁とを有し、
前記側壁はさらに、凹部開口にわたって測定される最小凹部スパン寸法Sと、Dの凹部深度とを定義し、
Sは、始動時のグロー放電フェーズ中、選択されたランプ充填ガスの組成および(低温)充填ガス圧力で、電子イオン化平均自由経路より大きく、かつ、最小陰極降下間隔の2倍+負グロー間隔より小さく、
a)陰極フェーズ中に、凹部内でグロー放電を発生するのに十分なピリオドで、
Phc>2500NsAr(W)
となるように、始動パワーを供給するステップと、
b)バラストから始動パワーの次に、定常状態rms電流Issを高輝度放電ランプへバラストから供給して、アーク放電を発生し、ここでは、
NsAr/Iss>0.012cm2/A
であり、ここでは、
Phc=バラストから高輝度放電ランプへ、ACサイクルの陰極部分で供給されるパワーであるか、またはDCサイクルで陰極へ供給されるパワー
Ar=cm2で表される、1つの凹部の側部の面積
Ns=ヘッドに設けられた凹部の数
Iss=単位Aで表される、定常状態rms電流
であることを特徴とする方法。
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