JP2006258479A - 走査レーザsquid顕微鏡を用いた検査方法および装置 - Google Patents
走査レーザsquid顕微鏡を用いた検査方法および装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006258479A JP2006258479A JP2005073309A JP2005073309A JP2006258479A JP 2006258479 A JP2006258479 A JP 2006258479A JP 2005073309 A JP2005073309 A JP 2005073309A JP 2005073309 A JP2005073309 A JP 2005073309A JP 2006258479 A JP2006258479 A JP 2006258479A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic field
- sample
- difference
- image
- signal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/72—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables
- G01N27/82—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating magnetic variables for investigating the presence of flaws
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S505/00—Superconductor technology: apparatus, material, process
- Y10S505/825—Apparatus per se, device per se, or process of making or operating same
- Y10S505/842—Measuring and testing
- Y10S505/843—Electrical
- Y10S505/845—Magnetometer
- Y10S505/846—Magnetometer using superconductive quantum interference device, i.e. squid
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Magnetic Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
故障箇所の絞込みを可能とする非破壊型の検査方法と装置の提供。
【解決手段】
第1、第2の試料にそれぞれ照射するレーザ光を走査して得られた磁場分布の像を取得し(第1ステップ)、磁場分布の像に差がある場合に、第1、第2の試料の所定の箇所にレーザ光を照射した状態で磁場センサにて第1、第2の試料を走査することで取得された磁場分布からそれぞれ電流像を取得し(第2ステップ)、電流像間の差をとり、差像より、第1の試料と前記第2の試料の前記所定の箇所に関連する電流経路の差異を識別可能としている。
【選択図】
図1
Description
2 変調信号
3 SQUID出力信号
4 磁場信号
5 強度信号
6 位相差
7 位相差信号
8 画像表示信号
10 変調ビーム生成部
11 パルス発生器
12 レーザ光発生器
13 光学系ユニット
14 光ファイバ
20 磁気検出部
21 SQUID磁束計
22 電子回路(SQUID電子回路)
30 信号抽出部
40 制御部
50 表示部
51 PC(パーソナルコンピュータ)
52 ディスプレイ
61 変調ビーム
63 磁場(磁束)
65 磁気シールド
70 サンプル
71 試料台
81 強度像
82 位相差像
100 検査装置(非破壊解析装置)
Claims (13)
- (A)試料の予め定められた所定の箇所にレーザ光を照射しながら磁場検出器にて前記試料を走査することで磁場分布を取得し前記磁場分布から電流像を得る処理を、第1及び第2の試料についてそれぞれ行い、
(B)前記第1及び第2の試料のそれぞれについて得られた前記電流像の差をとり、
前記電流像の差像より、前記第1及び第2の試料について前記所定の箇所に関連する電流経路の差異を識別可能としてなる、ことを特徴とする検査方法。 - 前記所定の箇所は、前記第1及び第2の試料のそれぞれに照射するレーザ光の照射位置を、前記第1及び第2の試料に関して相対的に走査して得られた磁場分布の像に差がある場合に、前記磁場分布の像に差が認められた箇所に対応している、ことを特徴とする請求項1記載の検査方法。
- 前記(A)の処理の前に、
前記第1の試料とレーザ光の照射位置とを相対的に移動させて前記第1の試料を走査し磁場検出器にて、第1の磁場分布を取得し、
前記第2の試料とレーザ光の照射位置とを相対的に移動させて前記第2の試料を走査し磁場検出器にて第2の磁場分布を取得し、
前記第1の試料について得られた第1の磁場分布と、前記第2の試料について得られた第2の磁場分布に差がある場合、前記第1の試料と前記第2の試料のそれぞれについて、差がみられた箇所を、前記所定の箇所として、前記(A)の処理を行い、その際、レーザ光を前記所定の箇所に固定照射し、前記磁場検出器を走査することで、第3の磁場分布の像と第4の磁場分布の像をそれぞれ取得し、
前記(B)の処理として、
前記第1及び第2の試料のそれぞれについて得られた前記第3及び第4の磁場分布の像をそれぞれ第1及び第2の電流像に変換し、
前記第1及び第2の試料について得られた第1及び第2の電流像との差をとり、
前記第1及び第2の電流像の差像より、前記第1の試料と前記第2の試料における前記レーザ光の固定照射箇所に関連する電流経路の差異の有無、及び、差異がある場合には前記差異のある箇所を識別可能としてなる、ことを特徴とする請求項1記載の検査方法。 - 前記第1及び第2の試料の一方が検査対象の試料であり、前記第1及び第2の試料の他方が基準となる良品試料であり、
前記検査対象の試料の故障箇所の絞込みを可能としてなる、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載の検査方法。 - 前記レーザ光として、基準信号に同期した変調信号に基づいて強度変調された変調光を生成し、前記試料上に収束させてなる変調ビームを用い、
前記磁場検出器で検出された磁場信号と前記基準信号に基づいて、磁場の強度と、磁場信号と基準信号の位相差を導出し、強度信号と位相差信号として出力し、
前記強度信号及び/又は前記位相差信号を、走査位置情報に対応させて表示する、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載の検査方法。 - 前記磁場検出器が、SQUID(超伝導量子干渉器)磁束計を含む、ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一に記載の検査方法。
- 試料にレーザ光を照射する照射部と、
磁場検出器と、
前記試料における前記磁場検出器の位置を相対的に移動させて前記試料を走査する走査手段と、
前記試料について所定の箇所に前記照射手段よりレーザ光を照射した状態で前記磁場検出器を走査することで取得された磁場分布の像から電流像を得る手段と、
を備え、
第1及び第2の試料のそれぞれについて所定の箇所に前記照射部よりレーザ光を照射し前記磁場検出器を走査することで取得された磁場分布の像から得た第1及び第2の電流像の差である差像を出力し、前記差像より、前記第1及び第2の試料の前記所定の箇所に関連する電流経路の差異の有無、及び、差異がある場合には前記差異のある箇所を識別可能としてなる、ことを特徴とする検査装置。 - 前記第1及び第2の試料の前記所定の箇所に関連する電流経路の差異を像として出力する出力装置を備えている、ことを特徴とする請求項7記載の検査装置。
- 前記試料におけるレーザ光の照射位置を相対的に移動させて前記試料を走査する走査手段をさらに備え、
前記所定の箇所は、前記第1及び第2の試料に照射するレーザ光を、前記第1及び第2の試料上で走査して得られた磁場分布の像に差がある場合に、前記像に差がみられた箇所である、ことを特徴とする請求項7記載の検査装置。 - 前記走査手段は、前記試料におけるレーザ光の照射位置を相対的に移動させて前記試料を走査し、その際、前記試料に対して前記磁場検出器の位置は相対的に固定され、
前記磁場検出器は、前記試料に対して相対的に固定された状態で、前記レーザ光の照射により前記試料に流れる電流により誘起される磁場を検出し、
前記第1の試料と前記第2の試料のそれぞれについて、レーザ光で走査し、各試料に対して相対的に固定された前記磁場検出器により得られた磁場分布の像に差がある場合には、前記第1及び第2の試料のそれぞれについて、前記磁場分布の像に差がみられた箇所を、前記所定の箇所として、前記照射部よりレーザ光を固定照射し、前記走査手段により前記試料における前記磁場検出器の位置を相対的に移動させて前記試料を走査して取得された磁場分布の像を電流像に変換して第1及び第2の電流像を得、前記第1及び第2の電流像との差をとる手段と、
前記第1及び第2の電流像の差を出力する出力装置と、
を備え、前記第1及び第2の試料の前記レーザ光の照射箇所に関連する電流経路の差異の有無、差異がある場合には前記差異のある箇所を識別可能としてなる、ことを特徴とする請求項7記載の検査装置。 - 前記レーザ光として、基準信号に同期した変調信号に基づいて強度変調された変調光を生成し、収束させてなる変調ビームを照射する手段を備え、
前記磁場検出器で検出された磁場信号と前記基準信号に基づいて、前記磁場の強度と、磁場信号と基準信号の位相差とを導出し、強度信号と位相差信号として生成する手段と、
前記強度信号及び/又は前記位相差信号を、走査位置情報に対応させて表示する手段と、
を備えている、ことを特徴とする請求項7乃至10のいずれか一に記載の検査装置。 - 前記第1及び第2の試料の一方が検査対象の試料であり、他方が基準となる良品試料であり、
前記検査対象の試料の故障の絞込みを可能としてなる、ことを特徴とする請求項7乃至10のいずれか一に記載の検査装置。 - 前記磁場検出器が、SQUID(超伝導量子干渉器)磁束計を含む、ことを特徴とする請求項7乃至10のいずれか一に記載の検査装置。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005073309A JP4684690B2 (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 走査レーザsquid顕微鏡を用いた検査方法および装置 |
US11/374,160 US7250758B2 (en) | 2005-03-15 | 2006-03-14 | Inspection method and apparatus using scanning laser SQUID microscope |
CNB2006100591488A CN100510767C (zh) | 2005-03-15 | 2006-03-15 | 使用扫描激光squid显微镜的检查方法及装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005073309A JP4684690B2 (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 走査レーザsquid顕微鏡を用いた検査方法および装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006258479A true JP2006258479A (ja) | 2006-09-28 |
JP4684690B2 JP4684690B2 (ja) | 2011-05-18 |
Family
ID=37002499
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005073309A Expired - Fee Related JP4684690B2 (ja) | 2005-03-15 | 2005-03-15 | 走査レーザsquid顕微鏡を用いた検査方法および装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7250758B2 (ja) |
JP (1) | JP4684690B2 (ja) |
CN (1) | CN100510767C (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7825673B2 (en) | 2007-06-29 | 2010-11-02 | Nec Electronics Corporation | Failure analysis method and failure analysis apparatus |
US8507180B2 (en) | 2006-11-28 | 2013-08-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photoresist composition for thick film, chemically amplified dry film for thick film, and method for production of thick film resist pattern |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103487556B (zh) * | 2013-10-07 | 2015-10-28 | 复旦大学 | 一种超导相显微系统 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004093211A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 非破壊検査装置 |
JP2005134196A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Nec Electronics Corp | 非破壊解析方法及び非破壊解析装置 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002313859A (ja) | 2001-02-09 | 2002-10-25 | Nec Corp | 非破壊検査方法および装置ならびに半導体チップ |
-
2005
- 2005-03-15 JP JP2005073309A patent/JP4684690B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-03-14 US US11/374,160 patent/US7250758B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-15 CN CNB2006100591488A patent/CN100510767C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004093211A (ja) * | 2002-08-29 | 2004-03-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 非破壊検査装置 |
JP2005134196A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Nec Electronics Corp | 非破壊解析方法及び非破壊解析装置 |
Non-Patent Citations (3)
Title |
---|
JPN6009001974, 二川清 他, "レーザビームとSQUID磁束計を組み合わせた新しい非破壊・非接触チップ検査・解析技術−走査レーザSQUID顕微", 電子情報通信学会技術研究報告, 20001201, Vol.100 No.488, pp.1−8 * |
JPN6010065192, 酒井哲哉 他, "作りこみ欠陥を有する完成チップの走査レーザSQUID顕微鏡による観測", 信学技報, 20050120, Vol.104 No.626, pp.19−24 * |
JPN6010065194, 二川清 他, "走査レーザSQUID顕微鏡による256MDRAMの観測", 日本信頼性学会誌「信頼性」, 200407, Vol.26 No.5, pp.461−464 * |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8507180B2 (en) | 2006-11-28 | 2013-08-13 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Chemically amplified positive-type photoresist composition for thick film, chemically amplified dry film for thick film, and method for production of thick film resist pattern |
US7825673B2 (en) | 2007-06-29 | 2010-11-02 | Nec Electronics Corporation | Failure analysis method and failure analysis apparatus |
KR101009455B1 (ko) | 2007-06-29 | 2011-01-19 | 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 고장해석방법 및 고장해석장치 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100510767C (zh) | 2009-07-08 |
CN1834675A (zh) | 2006-09-20 |
JP4684690B2 (ja) | 2011-05-18 |
US7250758B2 (en) | 2007-07-31 |
US20070152664A1 (en) | 2007-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI392867B (zh) | 故障解析方法及故障解析裝置 | |
EP0990918B1 (en) | Device and method for nondestructive inspection on semiconductor device | |
US7495449B2 (en) | Non-destructive testing apparatus and non-destructive testing method | |
Falk | Advanced LIVA/TIVA Techniques | |
US7038474B2 (en) | Laser-induced critical parameter analysis of CMOS devices | |
JP2006024774A (ja) | 半導体デバイスの故障診断方法と装置 | |
Knauss et al. | Scanning SQUID microscopy for current imaging | |
KR102032071B1 (ko) | 회로 검사 방법 및 시료 검사 장치 | |
JP2005134196A (ja) | 非破壊解析方法及び非破壊解析装置 | |
JP3175766B2 (ja) | 非破壊検査装置および非破壊検査方法 | |
JP4684690B2 (ja) | 走査レーザsquid顕微鏡を用いた検査方法および装置 | |
NIKAWA | Laser-SQUID microscopy as a novel tool for inspection, monitoring and analysis of LSI-chip-defects: Nondestructive and non-electrical-contact technique | |
JP2009300202A (ja) | 半導体装置の検査方法及び半導体装置の検査装置 | |
JP2007127590A (ja) | 半導体装置の検査方法および装置 | |
JP2006337203A (ja) | 位置出し方法と装置 | |
JP2010197051A (ja) | 故障解析装置 | |
JP5296751B2 (ja) | 試料検査装置及び吸収電流像の作成方法 | |
US20150253241A1 (en) | Fault analysis apparatus and fault analysis method | |
Colvin | Functional failure analysis by induced stimulus | |
JP2004327858A (ja) | 半導体装置の検査方法および検査装置 | |
Kehayias et al. | High-Resolution Short-Circuit Fault Localization in a Multilayer Integrated Circuit Using a Quantum Diamond Microscope | |
JPH07167924A (ja) | 半導体集積回路内部相互配線の検査装置 | |
JPH02194541A (ja) | 光プローバ | |
Stellari et al. | Automated emission data registration and segmentation for IC analysis | |
US6294918B1 (en) | Method for locating weak circuit having insufficient driving current in IC chips |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080213 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101027 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101116 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110117 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110208 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110209 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140218 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |