JP2006253465A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】単層電極構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子において、電荷転送電極のパターニング精度を向上させることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】第1の電極3aの上に第2導電性膜3bを形成し、これを平坦化後(図3(b))、第2の電極3bとなる領域と第2導電性膜3bに発生したディッシング領域とをマスクするレジストパターンR1を形成してから(図3(d))、このレジストパターンR1をマスクにして第2導電性膜3bを選択的にエッチング除去して第2の電極3bを形成し(図3(d))、その後、ディッシング領域をエッチング除去する。これにより、第2の電極3bを形成するためのエッチングの際にディッシング領域がエッチングされることはなく、高精度のパターニングを行うことができる。
【選択図】図3
【解決手段】第1の電極3aの上に第2導電性膜3bを形成し、これを平坦化後(図3(b))、第2の電極3bとなる領域と第2導電性膜3bに発生したディッシング領域とをマスクするレジストパターンR1を形成してから(図3(d))、このレジストパターンR1をマスクにして第2導電性膜3bを選択的にエッチング除去して第2の電極3bを形成し(図3(d))、その後、ディッシング領域をエッチング除去する。これにより、第2の電極3bを形成するためのエッチングの際にディッシング領域がエッチングされることはなく、高精度のパターニングを行うことができる。
【選択図】図3
Description
本発明は、光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を転送する単層電極構造の電荷転送電極を含む電荷転送部とを有する固体撮像素子の製造方法に関する。
エリアセンサ等に用いられるCCDを用いた固体撮像素子は、フォトダイオードなどの光電変換部と、この光電変換部で発生した信号電荷を転送するための電荷転送電極を含む電荷転送部とを有する。電荷転送電極は、半導体基板に形成された電荷転送路上に複数個隣接して配置され、順次駆動される。
近年、固体撮像素子においては、高解像度化、高感度化への要求は高まる一方であり、ギガピクセル以上まで撮像画素数の増加が進んでいる。固体撮像素子の作りこまれた基板(シリコン基板)は、フィルタやレンズを積層して、実装される。このため、レンズと光電変換部との位置精度が重要となり、またその距離すなわち高さ方向の距離も、製造工程における位置精度と、使用時における感度(光電変換効率)面での大きな問題となる。
さらにまた、このような状況の中で、チップサイズを大型化することなく高解像度を得るためには、単位画素あたりの面積を縮小し、高集積化を図る必要がある。一方光電変換部を構成するフォトダイオードの開口面積を小さくすると感度が低下するため、フォトダイオードの開口面積は確保しなければならない。そこで、電荷転送部および周辺回路の配線の微細化をはかり、配線の面積比率を低減することにより、フォトダイオードの開口占有面積を確保しつつチップの微細化をはかるべく種々の研究がなされている。
このような状況の中で配線の微細化により、高集積化を実現するためには、表面の平坦性に加え、電荷転送部と配線層間の層間絶縁膜の耐圧の向上と薄肉化は重要な技術課題となる。例えば平坦性の向上のために、電荷転送部を単層電極構造とした構造が提案されている。
図7は、従来の単層電極構造の電荷転送電極の製造工程の一例を説明するための図である。図7では、シリコン基板上で固体撮像素子(フォトダイオード、垂直転送部、水平転送部、及び出力アンプを含む)が形成される領域である固体撮像素子部と、周辺回路が形成される領域である周辺回路部とを併せて図示してある。
単層電極構造の電荷転送電極は次のように形成される。
まず、シリコン基板101表面に形成されたゲート酸化膜102上に、第1層多結晶シリコン膜のパターンを形成して第1の電極103を形成し、第1の電極を熱酸化してその周りに酸化シリコン膜からなる絶縁膜104を形成し、この絶縁膜104の上にCMPストッパとなる窒化シリコン膜107をパターニングして形成する。続いてこの上層に第2層多結晶シリコン膜105を形成し、第1の電極103の上にある窒化シリコン膜107をストッパとしてCMPにより第2層多結晶シリコン膜105の平坦化を行う(図7(a))。
単層電極構造の電荷転送電極は次のように形成される。
まず、シリコン基板101表面に形成されたゲート酸化膜102上に、第1層多結晶シリコン膜のパターンを形成して第1の電極103を形成し、第1の電極を熱酸化してその周りに酸化シリコン膜からなる絶縁膜104を形成し、この絶縁膜104の上にCMPストッパとなる窒化シリコン膜107をパターニングして形成する。続いてこの上層に第2層多結晶シリコン膜105を形成し、第1の電極103の上にある窒化シリコン膜107をストッパとしてCMPにより第2層多結晶シリコン膜105の平坦化を行う(図7(a))。
第2層多結晶シリコン膜105の下方に形成されるパターンは、固体撮像素子部においては密になり、周辺回路部においては疎になる。このため、CMPによる平坦化処理を行った場合には、第2層多結晶シリコン膜105が、下地パターンの密度の影響により、パターン密度が疎である周辺回路部においてパターン密度が密である固体撮像素子部よりも余計に削られるディッシングという現象が発生する。これにより、平坦化工程後、第2層多結晶シリコン膜105には、図7(a)に示すように、CMPストッパとして機能する窒化シリコン膜107と同じ高さよりもやや窪んだ領域であるディッシング領域が発生する。この状態で、レジストを塗布し、フォトリソグラフィにより所望のマスクを用いて該レジストを露光し、現像、水洗を行って、レジストパターンRを形成し、このレジストパターンRをマスクとして、第2層多結晶シリコン膜105を選択的にエッチング除去して第2の電極105を形成する(図7(b))わけだが、第2層多結晶シリコン膜105をエッチングする際、第2層多結晶シリコン膜105のディッシング領域は他の部分よりも厚みが薄くなっているため、エッチング装置の終点検出機能を用いた場合、このディッシング領域において他の部分よりも早く終点検出がされてしまい、図7(b)に示すように第2層多結晶シリコン膜105が除去しきれず、パターニング精度が低下してしまうという問題があった。
近年の固体撮像素子は、上述したように、ギガピクセル以上まで撮像画素数の増加が進んでいるため、上記ディッシングによるパターニング精度の低下といった問題が顕著となってきており、対策をとる必要があった。
単層電極構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子については例えば特許文献1に記載のものがある。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、単層電極構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子において、電荷転送電極のパターニング精度を向上させることが可能な製造方法を提供することを目的とする。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を転送する単層電極構造の電荷転送電極を含む電荷転送部とを有する固体撮像素子の製造方法であって、前記電荷転送電極の形成工程が、ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、少なくとも側壁に絶縁膜が形成され、且つ、上方にストッパとして機能するストッパ膜が形成された第1の電極を形成する第1の電極形成工程と、前記第1の電極、前記絶縁膜、及び前記ストッパ膜の形成された前記半導体基板表面に第2の電極を構成する導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、前記導電性膜の形成後、前記ストッパ膜をストッパとして、前記第1の電極上方の前記導電性膜を除去して前記導電性膜を平坦化する平坦化工程と、前記平坦化された導電性膜を所定のマスクパターンを用いてエッチングして第2の電極を形成する第2の電極形成工程と、前記平坦化工程によって前記導電性膜に発生したディッシング領域が前記第2の電極形成工程でエッチングされるのを防止する処理を行うエッチング防止処理工程とを含む。
この方法によれば、第2の電極形成時のエッチング工程において、ディッシング領域のエッチングが防止されるため、第2の電極のパターニングを高精度に行うことができる。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記エッチング防止処理工程が、前記平坦化工程と前記第2の電極形成工程との間で、前記所定のマスクパターンとして、前記第2の電極形成工程で形成すべき前記第2の電極と前記ディッシング領域とにマスクをするマスクパターンを形成することで、前記ディッシング領域のエッチングを防止する。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記第2の電極形成後、前記ディッシング領域を除去するディッシング領域除去工程を含む。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記ディッシング領域除去工程が、前記ディッシング領域を等方性エッチングによって除去する。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記エッチング防止処理工程が、前記平坦化工程と前記第2の電極形成工程との間で前記ディッシング領域を除去することで、前記ディッシング領域のエッチングを防止する。
本発明の固体撮像素子の製造方法は、前記ディッシング領域を等方性エッチングによって除去する。
本発明によれば、単層電極構造の電荷転送電極を有する固体撮像素子において、電荷転送電極のパターニング精度を向上させることが可能な製造方法を提供することができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
(第一実施形態)
図1は、本発明の第一実施形態を説明するための固体撮像素子の平面模式図である。図2は、図1のA−A線断面模式図である。
図1,2に示す固体撮像素子は、n型のシリコン基板1表面部に光電変換部であるフォトダイオード30が多数形成され、各フォトダイオード30で発生した信号電荷を列方向(図2中のY方向)に転送するための電荷転送部40が、列方向に配設された複数のフォトダイオード30からなる複数のフォトダイオード列の間を蛇行して形成される。
図1は、本発明の第一実施形態を説明するための固体撮像素子の平面模式図である。図2は、図1のA−A線断面模式図である。
図1,2に示す固体撮像素子は、n型のシリコン基板1表面部に光電変換部であるフォトダイオード30が多数形成され、各フォトダイオード30で発生した信号電荷を列方向(図2中のY方向)に転送するための電荷転送部40が、列方向に配設された複数のフォトダイオード30からなる複数のフォトダイオード列の間を蛇行して形成される。
電荷転送部40は、複数のフォトダイオード列の各々に対応してシリコン基板1表面部の列方向に形成された複数本の電荷転送チャネル33と、電荷転送チャネル33の上層に形成された電荷転送電極3(第1の電極3a、第2の電極3b)と、フォトダイオード30で発生した電荷を電荷転送チャネル33に読み出すための電荷読み出し領域34とを含む。電荷転送電極3は、行方向に配設された複数のフォトダイオード30からなる複数のフォトダイオード行の間を全体として行方向(図2中のX方向)に延在する蛇行形状となっている。
図2に示すように、シリコン基板1の表面部にはpウェル層9が形成され、pウェル層9の表面部にはp領域30aが形成され、p領域30aの下にはn領域30bが形成され、p領域30aとn領域30bがフォトダイオード30を構成し、フォトダイオード30で発生した信号電荷は、n領域30bに蓄積される。
p領域30aの右側には、少し離間してn領域からなる電荷転送チャネル33が形成される。n領域30bと電荷転送チャネル33の間のpウェル層9には電荷読み出し領域34が形成される。
シリコン基板1表面にはゲート酸化膜2が形成され、電荷読み出し領域34と電荷転送チャネル33の上には、ゲート酸化膜2を介して、第1の電極3aと第2の電極3bが形成される。第1の電極3aと第2の電極3bの間は電極間絶縁膜5によって絶縁される。垂直転送チャネル33の右側にはp+領域からなるチャネルストップ32が設けられ、隣接するフォトダイオード30との分離が図られる。
電荷転送電極3の上には酸化シリコン膜6が形成され、更にその上に中間層70が形成される。中間層70のうち、71は遮光膜、72はBPSG(borophospho silicate glass)からなる絶縁膜、73はP−SiNからなる絶縁膜(パッシベーション膜)、74は透明樹脂膜からなる平坦化層である。遮光膜71は、フォトダイオード30の開口部分を除いて設けられる。中間層70上方には、カラーフィルタ50とマイクロレンズ60が設けられる。カラーフィルタ50とマイクロレンズ60との間は、絶縁性の透明樹脂等からなる平坦化層61が充填される。
本実施形態の固体撮像素子は、フォトダイオード30で発生した信号電荷がn領域30bに蓄積され、ここに蓄積された信号電荷が、電荷転送チャネル33によって列方向に転送され、転送された信号電荷が図示しない電荷転送路(HCCD)によって行方向に転送され、転送された信号電荷に応じた色信号が図示しないアンプから出力される構成である。シリコン基板1は、上述した固体撮像素子(光電変換部、電荷転送部、HCCD、及びアンプを含む)が形成される領域である固体撮像素部と、固体撮像素子の周辺回路(PAD部等)が形成される領域である周辺回路部とに分けられる。
次に上述した固体撮像素子の製造工程のうち、電荷転送電極の形成工程について図3及び図4を参照して詳細に説明する。電荷転送電極の形成工程以外の製造工程は従来の固体撮像素子と同様である。図3及び図4では、固体撮像素子部と周辺回路部とを併せて図示している。
まず、n型のシリコン基板1表面に、酸化シリコン膜と、窒化シリコン膜と、酸化シリコン膜とをこの順に積層した3層構造のゲート酸化膜2を形成する。続いて、このゲート酸化膜2上に、第1の電極3aを構成する第1導電性膜3aを形成する。そして、所望のマスクパターンを用い、ゲート酸化膜2の窒化シリコン膜をエッチングストッパとして第1導電性膜3aを選択的にエッチング除去し、第1の電極3a及び周辺回路(図示せず)の配線のパターニングを行う。ここではECR(電子サイクロトロン共鳴:Electron Cycrotoron Resonance)方式あるいはICP(誘導結合Inductively Coupled Plasma)方式などのエッチング装置を用いるのが望ましい。
次に、第1の電極3aを熱酸化して周囲に酸化シリコン膜からなる絶縁膜5を形成し、この上にCMPストッパとなる窒化シリコン膜7をパターニングして形成する。尚、絶縁膜5は、第1の電極3aの少なくとも側壁に形成されていれば良い。次に、この上層に第2の電極3bを構成する第2導電性膜3b(特許請求の範囲の導電位膜に該当)を形成する(図3(a))。第1導電性膜3a及び第2導電性膜3bとしては、例えばリンドープのドープトポリシリコン膜やドープトアモルファスシリコン膜等のシリコン系導電性膜を用いることができる。
次に、第1の電極3aの上にある第2導電性膜3bを除去するために、窒化シリコン膜7をストッパとしてCMPにより第2導電性膜3bの平坦化を行う(図3(b))。この平坦化処理により、周辺回路部に形成された第2導電性膜3bには、図示したようにディッシング領域が発生する。
次に、第2導電性膜3bの上にレジストを塗布し、露光及び現像を行って、第2の電極3bとして残す部分と、ディッシング領域とをマスクするレジストパターンR1を形成する(図3(c))。
次に、レジストパターンR1をマスクとして第2導電性膜3bを選択的にエッチング除去して、第2の電極3bを形成する(図3(d))。このとき、第2導電性膜3bのディッシング領域は、レジストパターンR1によってマスクされているため、エッチングはされない。このため、第2導電性膜3bのエッチング残りを防ぐことができ、高精度のパターニングが可能となる。
次に、アッシングによりレジストパターンR1を除去し(図4(e))、この上からレジストを塗布し、露光及び現像を行って、ディッシング領域以外をマスクするレジストパターンR2を形成する(図4(f))。
次に、レジストパターンR2をマスクとしてエッチングによりディッシング領域を除去し(図4(g))、アッシングによりレジストパターンR2を除去し、更に窒化シリコン膜7を除去する(図4(h))。尚、ディッシング領域を除去する際のエッチングは、イオン成分を主とした異方性エッチングである場合、下地膜にダメージを及ぼす危険性があることから、等方性エッチングを用いることが好ましい。又、窒化シリコン膜7は除去しなくても良い。
このようにして、第1の電極3aと第2の電極3bを形成し、熱酸化により第2の電極3bの周りに酸化シリコン膜6を形成し、単層電極構造の電荷転送電極3が形成される。そしてこの上層に遮光膜のパターン71、BPSG膜72を形成し、リフローし平坦化する。そしてP−SiNからなる絶縁膜(パッシベーション膜)73、透明樹脂膜からなる平坦化層74を形成する。この後、カラーフィルタ50、平坦化層61、マイクロレンズ60などを形成して、図1および図2に示すような固体撮像素子を得る。
以上のように、本実施形態の電荷転送電極の製造方法によれば、第2導電性膜3bを平坦化後、第2導電性膜3bに発生したディッシング領域をマスクするレジストパターンR1を形成してから、このレジストパターンR1をマスクにして第2導電性膜3bを選択的にエッチング除去して第2の電極3bを形成するため、このエッチングの際にディッシング領域がエッチングされることはなく、高精度のパターニングを行うことができる。
又、本実施形態の電荷転送電極の製造方法は、第2の電極3bをパターニングするためのレジストパターンを従来とは若干変更し、第2の電極3b形成後に残ったディッシング領域を除去する工程を追加する以外は、従来と同じであるため、工程数をそれほど増やすことなく、高精度のパターニングが可能となる。
又、本実施形態の電荷転送電極の製造方法によれば、製造工程を工夫して高精度のパターニングを実現しているため、従来のように周辺回路部にダミーパターンを設けて、固体撮像素子部と周辺回路部でのパターン密度差を調整する必要がなくなる。
尚、本実施形態の製造工程において、第2導電性膜3bを平坦化するまでの工程は、上述したものに限らず、例えば特許文献1に記載の工程を採用することもできる。
(第二実施形態)
第一実施形態では、第2導電性膜3bを平坦化後、第2導電性膜3bに発生したディッシング領域をマスクするレジストパターンR1を形成してから、このレジストパターンR1をマスクにして第2導電性膜3bを選択的にエッチング除去して第2の電極3bを形成することで、第2導電性膜3bに発生したディッシング領域が、第2の電極3bのパターニング時にエッチングされるのを防止しているが、本実施形態では、このエッチングを防止する方法の別の例について説明する。最終的に製造される固体撮像素子は、図1及び図2に示したものと同様である。
第一実施形態では、第2導電性膜3bを平坦化後、第2導電性膜3bに発生したディッシング領域をマスクするレジストパターンR1を形成してから、このレジストパターンR1をマスクにして第2導電性膜3bを選択的にエッチング除去して第2の電極3bを形成することで、第2導電性膜3bに発生したディッシング領域が、第2の電極3bのパターニング時にエッチングされるのを防止しているが、本実施形態では、このエッチングを防止する方法の別の例について説明する。最終的に製造される固体撮像素子は、図1及び図2に示したものと同様である。
図5及び図6は、本発明の第二実施形態を説明するための固体撮像素子の電荷転送電極の製造工程を示す図である。図5及び図6において、図3及び図4と同様の構成には同一符号を付してある。尚、図5(a)、(b)の工程は、図3(a)、(b)と同一である。
図5(b)の工程後、第2導電性膜3bの上にレジストを塗布し、露光及び現像を行って、ディッシング領域以外をマスクするレジストパターンR3を形成する(図5(c))。
図5(b)の工程後、第2導電性膜3bの上にレジストを塗布し、露光及び現像を行って、ディッシング領域以外をマスクするレジストパターンR3を形成する(図5(c))。
次に、レジストパターンR3をマスクとして第2導電性膜3bのディッシング領域をエッチング除去し(図5(d))、アッシングによりレジストパターンR3を除去する(図6(e))。尚、ディッシング領域を除去する際のエッチングは、イオン成分を主とした異方性エッチングである場合、下地膜にダメージを及ぼす危険性があることから、等方性エッチングを用いることが好ましい。
次に、レジストを塗布し、露光及び現像を行って、第2の電極3bとして残す部分と、ディッシング領域が存在していた領域とをマスクするレジストパターンR4を形成する(図6(f))。
次に、レジストパターンR4をマスクとして第2導電性膜3bを選択的にエッチング除去して、第2の電極3bを形成する(図6(g))。このとき、第2導電性膜3bのディッシング領域は既に除去されているため、第2導電性膜3bのエッチング残りを防ぐことができ、高精度のパターニングが可能となる。
次に、アッシングによりレジストパターンR4を除去し、更に窒化シリコン膜7を除去する(図6(h))。尚、窒化シリコン膜7は除去しなくても良い。
このようにして、第1の電極3aと第2の電極3bを形成し、熱酸化により第2の電極3bの周りに酸化シリコン膜6を形成し、単層電極構造の電荷転送電極3が形成される。そしてこの上層に遮光膜のパターン71、BPSG膜72を形成し、リフローし平坦化する。そしてP−SiNからなる絶縁膜(パッシベーション膜)73、透明樹脂膜からなる平坦化層74を形成する。この後、カラーフィルタ50、平坦化層61、マイクロレンズ60などを形成して、図1および図2に示すような固体撮像素子を得る。
以上のように、本実施形態の電荷転送電極の製造方法によれば、第2導電性膜3bを平坦化した後に発生したディッシング領域をまず除去してから、第2の電極3bを形成するためのエッチングを行っているため、このエッチングの際にディッシング領域がエッチングされることはなく、高精度のパターニングを行うことができる。
又、本実施形態の電荷転送電極の製造方法は、第2の電極3bをパターニングするためのレジストパターンを従来とは若干変更し、第2導電性膜3bの平坦化後に発生したディッシング領域を除去する工程を追加する以外は、従来と同じであるため、工程数をそれほど増やすことなく、高精度のパターニングが可能となる。
又、本実施形態の電荷転送電極の製造方法によれば、製造工程を工夫して高精度のパターニングを実現しているため、従来のように周辺回路部にダミーパターンを設けて、固体撮像素子部と周辺回路部でのパターン密度差を調整する必要がなくなる。
1 n型シリコン基板
2 ゲート酸化膜
3a 第1導電性膜(第1の電極)
3b 第2導電性膜(第2の電極)
5 電極間絶縁膜
6 絶縁膜
7 窒化シリコン膜
2 ゲート酸化膜
3a 第1導電性膜(第1の電極)
3b 第2導電性膜(第2の電極)
5 電極間絶縁膜
6 絶縁膜
7 窒化シリコン膜
Claims (6)
- 光電変換部と、前記光電変換部で発生した電荷を転送する単層電極構造の電荷転送電極を含む電荷転送部とを有する固体撮像素子の製造方法であって、
前記電荷転送電極の形成工程が、
ゲート酸化膜の形成された半導体基板表面に、少なくとも側壁に絶縁膜が形成され、且つ、上方にストッパとして機能するストッパ膜が形成された第1の電極を形成する第1の電極形成工程と、
前記第1の電極、前記絶縁膜、及び前記ストッパ膜の形成された前記半導体基板表面に第2の電極を構成する導電性膜を形成する導電性膜形成工程と、
前記導電性膜の形成後、前記ストッパ膜をストッパとして、前記第1の電極上方の前記導電性膜を除去して前記導電性膜を平坦化する平坦化工程と、
前記平坦化された導電性膜を所定のマスクパターンを用いてエッチングして第2の電極を形成する第2の電極形成工程と、
前記平坦化工程によって前記導電性膜に発生したディッシング領域が前記第2の電極形成工程でエッチングされるのを防止する処理を行うエッチング防止処理工程とを含む固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記エッチング防止処理工程は、前記平坦化工程と前記第2の電極形成工程との間で、前記所定のマスクパターンとして、前記第2の電極形成工程で形成すべき前記第2の電極と前記ディッシング領域とにマスクをするマスクパターンを形成することで、前記ディッシング領域のエッチングを防止する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項2記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記第2の電極形成後、前記ディッシング領域を除去するディッシング領域除去工程を含む固体撮像素子の製造方法。 - 請求項3記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記ディッシング領域除去工程は、前記ディッシング領域を等方性エッチングによって除去する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項1記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記エッチング防止処理工程は、前記平坦化工程と前記第2の電極形成工程との間で前記ディッシング領域を除去することで、前記ディッシング領域のエッチングを防止する固体撮像素子の製造方法。 - 請求項4記載の固体撮像素子の製造方法であって、
前記ディッシング領域を等方性エッチングによって除去する固体撮像素子の製造方法。
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---|---|---|---|
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ID=37093614
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---|---|---|---|
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---|---|
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Date | Code | Title | Description |
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