JP2006253278A - High frequency module - Google Patents

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Nobuyuki Sakuma
信行 佐久間
Tomohide Ogura
智英 小倉
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve a problem that high frequency signals leak from gaps between a substrate and a case of a high frequency module. <P>SOLUTION: The high frequency module comprises a substrate 21 where an electronic component 22 including a high frequency oscillator is mounted on the upper surface, an electrode 24 led out of the electronic component 22 and also provided at the lower surface of the substrate 21, and a metal case 30 covering the substrate 21. The case 30 hermetically seals the upper part of the substrate 21 including the electronic component 22 and the side surface of the substrate 21, and the end of the case 30 is formed with a fitting part 31 mounted to a master substrate 25. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、高周波装置等に用いられる高周波モジュールに関するものである。   The present invention relates to a high-frequency module used in a high-frequency device or the like.

以下、従来の高周波モジュールについて説明する。従来の高周波モジュールは、図11、図12に示すような構成となっていた。図11において、1は高周波発振器を含む電子部品2が上面に装着された基板である。3は、基板1の上面に敷設されるとともに電子部品2に接続されたパターンであり、このパターン3は基板1の側面に設けられた電極4に導出されている。   Hereinafter, a conventional high-frequency module will be described. The conventional high-frequency module has a configuration as shown in FIGS. In FIG. 11, 1 is a board | substrate with which the electronic component 2 containing a high frequency oscillator was mounted | worn on the upper surface. Reference numeral 3 denotes a pattern laid on the upper surface of the substrate 1 and connected to the electronic component 2, and the pattern 3 is led to the electrode 4 provided on the side surface of the substrate 1.

5は、金属製のケースであり、このケース5を矢印6方向に押し下げて、基板1の上方を覆うものである。7はケース5の側面5aに設けられた取付部であり、基板1の側面に設けられたパターン8にはんだで装着される。   Reference numeral 5 denotes a metal case. The case 5 is pushed down in the direction of arrow 6 to cover the upper portion of the substrate 1. Reference numeral 7 denotes an attachment portion provided on the side surface 5 a of the case 5, and is attached to the pattern 8 provided on the side surface of the substrate 1 with solder.

9は、ケース5の側面5aに設けられた凸部であり、この凸部9により、ケース5を基板1に装着したときに、ケース5の端がパターン3に当接してグランドへのショートを防止するものである。即ち、この凸部9を有することにより、図12に示すように基板1とケース5の側面5aとの間に隙間10を生じさせ、パターン3とケース5の端との間の絶縁を得ている。   9 is a convex portion provided on the side surface 5a of the case 5, and when the case 5 is mounted on the substrate 1, the end of the case 5 comes into contact with the pattern 3 and shorts to the ground. It is to prevent. That is, by having this convex part 9, as shown in FIG. 12, a gap 10 is generated between the substrate 1 and the side surface 5a of the case 5, and insulation between the pattern 3 and the end of the case 5 is obtained. Yes.

なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
特開2002−9207号公報
As prior art document information related to the invention of this application, for example, Patent Document 1 is known.
JP 2002-9207 A

しかしながらこのような従来の高周波モジュールでは、凸部9のために基板1とケース5の側面5aの先端との間に隙間10が生ずることとなり、この隙間10から高周波信号11が漏洩し、この高周波モジュールが装着される高周波装置等に妨害を与えるという問題があった。   However, in such a conventional high-frequency module, a gap 10 is generated between the substrate 1 and the tip of the side surface 5a of the case 5 due to the convex portion 9, and the high-frequency signal 11 leaks from the gap 10, and this high-frequency module There has been a problem of disturbing the high-frequency device to which the module is mounted.

このような、高周波信号11の漏洩を防止するために、図13に示すように、親基板12の上面に高周波モジュール13を装着した高周波装置において、更にこの高周波モジュール13を覆うように密閉した金属製のケース15を被せることもあった。しかし、このような構成にすると高周波モジュール13を実装するために大きなスペースが必要となる。   In order to prevent such leakage of the high-frequency signal 11, as shown in FIG. 13, in the high-frequency device in which the high-frequency module 13 is mounted on the upper surface of the parent substrate 12, the metal is further sealed to cover the high-frequency module 13. In some cases, the case 15 is covered. However, such a configuration requires a large space for mounting the high-frequency module 13.

そこで本発明は、このような問題を解決したもので、小スペースでしかもシールド性能の優れた高周波モジュールを提供することを目的としたものである。   Accordingly, the present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a high-frequency module having a small space and excellent shielding performance.

この目的を達成するために本発明は、高周波モジュールのケースで電子部品を含む基板の上方及び前記基板の側面とを共に密閉するとともに、前記ケースの端部には親基板に取付けるための取付部が設けられた構成としたものである。これにより、初期の目的を達成することができる。   In order to achieve this object, the present invention seals the upper part of the board including the electronic components and the side face of the board together in the case of the high-frequency module and attaches the end part of the case to the parent board. Is provided. Thereby, the initial purpose can be achieved.

本発明によれば、高周波モジュールのケースで電子部品を含む基板の上方及び前記基板の側面とを共に密閉するとともに、前記ケースの端部には親基板に取付けるための取付部が設けられたものであり、前記ケースで電子部品を含む基板の上方及び前記基板の側面とを共に密閉しているので、高周波モジュール内の高周波信号が漏洩することはない。即ち、シールド性能が向上するものである。   According to the present invention, the case of the high-frequency module seals both the upper side of the board including the electronic components and the side surface of the board, and the end of the case is provided with a mounting portion for mounting to the parent board. In the case, the upper side of the substrate including the electronic component and the side surface of the substrate are sealed together in the case, so that the high frequency signal in the high frequency module does not leak. That is, the shielding performance is improved.

また、従来のようにケースで二重にシールドする必要はないので、親基板における小スペース化を図ることができる。   Further, since there is no need to double-shield the case as in the conventional case, the space on the parent substrate can be reduced.

更に、取付部で親基板に強固に装着することができるので、電子部品が装着された基板に不要な応力が加わることはない。   Furthermore, since it can be firmly attached to the parent substrate at the attachment portion, unnecessary stress is not applied to the substrate on which the electronic component is attached.

更にまた、従来のように二重にシールドする必要はないので、製造工数が低減され低価格化に寄与することができる。   Furthermore, since there is no need for double shielding as in the prior art, the number of manufacturing steps can be reduced and the cost can be reduced.

以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1における高周波モジュールの断面図である。図1において、21は基板であり、この基板21の上面には電子部品22がはんだ20で銅箔のパターン23に装着されている。このパターン23はスルーホール(導体であれば良く、スルーホールである必要はない)で基板21の裏面(下面)に導出されるとともに、この基板21の裏面に設けられた電極24に接続されている。そして、この電極24は、高周波装置等を構成する親基板25の上面に形成された銅箔のパターン26にはんだ27で接続されている。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1, reference numeral 21 denotes a substrate. On the upper surface of the substrate 21, an electronic component 22 is mounted on a copper foil pattern 23 with solder 20. The pattern 23 is led to the back surface (lower surface) of the substrate 21 through a through hole (which may be a conductor and does not need to be a through hole), and is connected to an electrode 24 provided on the back surface of the substrate 21. Yes. The electrode 24 is connected to a copper foil pattern 26 formed on the upper surface of a parent substrate 25 constituting a high-frequency device or the like by solder 27.

30は、金属製のケースであり、基板21の上面に装着された電子部品22を含む上面及び基板21の側面21aを密閉するように覆い被されている。そして、このケース30の側面30aの端には親基板25に対して水平状に曲げられて鍔状の取付部31が形成されている。この取付部31には良好なはんだ付けができるように疎面が形成されている。なお、ケース30の天面と側面30aも共に疎面を形成しておくことにより、表面面積を大きくして放熱効果を高めることができる。   Reference numeral 30 denotes a metal case that covers and covers the upper surface including the electronic component 22 mounted on the upper surface of the substrate 21 and the side surface 21 a of the substrate 21. A flange-like attachment portion 31 is formed at the end of the side surface 30 a of the case 30 by being bent horizontally with respect to the parent substrate 25. The attachment portion 31 is formed with a rough surface so that good soldering can be performed. In addition, by forming both the top surface and the side surface 30a of the case 30 as sparse surfaces, the surface area can be increased and the heat dissipation effect can be enhanced.

また、ケース30の側面30aと基板21の側面21aとは、はんだ33で固着されている。また、取付部31は、親基板25に敷設された銅箔のパターン34にはんだ35で確りと固着されている。このように、取付部31で親基板25に固着されるので、例え親基板25に応力が加わっても、基板21や電子部品22にストレスが加わることはない。なお、基板21内には電子部品22で構成された高周波信号が出力される発振回路が設けられている。   Further, the side surface 30 a of the case 30 and the side surface 21 a of the substrate 21 are fixed by solder 33. The attachment portion 31 is firmly fixed to the copper foil pattern 34 laid on the parent substrate 25 with solder 35. As described above, since the attachment portion 31 is fixed to the parent substrate 25, even if stress is applied to the parent substrate 25, no stress is applied to the substrate 21 or the electronic component 22. An oscillation circuit for outputting a high frequency signal composed of the electronic component 22 is provided in the substrate 21.

このように、本実施の形態における高周波モジュールは、基板21と電子部品22とはケース30で密閉されているので、高周波モジュールと親基板25との間に隙間が生ずることはなく、発振回路から出力される高周波信号が親基板25側へ漏洩することを防止している。即ち、シールド性能が良い高周波モジュールを得ることができる。   As described above, in the high-frequency module according to the present embodiment, since the substrate 21 and the electronic component 22 are sealed by the case 30, there is no gap between the high-frequency module and the parent substrate 25. The output high frequency signal is prevented from leaking to the parent substrate 25 side. That is, a high frequency module with good shielding performance can be obtained.

また、ケース30のみで完全に密閉しているので、従来のように別のシールドケースを用いる必要はなく、製造工数を省力化することができる。   Further, since the case 30 is completely sealed, it is not necessary to use another shield case as in the prior art, and the number of manufacturing steps can be saved.

更に、従来のようにケースで二重シールドにする必要がないので、親基板25上での小スペース化と低価格化を図ることができる。   Furthermore, since it is not necessary to use a double shield in the case as in the prior art, it is possible to reduce the space on the parent substrate 25 and reduce the cost.

図2は、高周波モジュールの平面図であり、ケース30の端には親基板25に固着するための取付部31が全面に渡って形成されている。従って、親基板25と強固に装着される。また、このケース30は金属の絞り技術を用いて一体的に形成されている。   FIG. 2 is a plan view of the high-frequency module, and an attachment portion 31 for fixing to the parent substrate 25 is formed over the entire surface of the case 30. Therefore, it is firmly attached to the parent substrate 25. The case 30 is integrally formed using a metal drawing technique.

このように鍔状の取付部31が全面に渡って形成されているので、高周波モジュールを確実に、且つ強固に親基板25に装着することができる。   As described above, since the hook-shaped attachment portion 31 is formed over the entire surface, the high-frequency module can be securely and firmly attached to the parent substrate 25.

(実施の形態2)
図3は本発明の実施の形態2における高周波モジュールの断面図である。図3において、41は基板であり、この基板41の上面には電子部品42がはんだ40で銅箔のパターン43に装着されている。このパターン43はスルーホールで基板41の裏面に導出されるとともに、この基板41の裏面に設けられた電極44に接続されている。そして、この電極44は、高周波装置等を構成する親基板45の上面に形成された銅箔のパターン46にはんだ47で接続されている。
(Embodiment 2)
FIG. 3 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to Embodiment 2 of the present invention. In FIG. 3, reference numeral 41 denotes a substrate, and an electronic component 42 is mounted on a copper foil pattern 43 with solder 40 on the upper surface of the substrate 41. The pattern 43 is led out to the back surface of the substrate 41 through a through hole, and is connected to an electrode 44 provided on the back surface of the substrate 41. This electrode 44 is connected to a copper foil pattern 46 formed on the upper surface of a parent substrate 45 constituting a high frequency device or the like by solder 47.

50は、金属製のケースであり、基板41の上面に装着された電子部品42を含む上面及び基板41の側面41aを密閉するように覆い被されている。そして、このケース50の側面50aの端には親基板45に対して垂直状の取付部51が形成されている。この取付部51には良好なはんだ付けができるように疎面が形成されている。なお、ケース50の天面と側面50aも共に疎面を形成しておくことにより、表面面積を大きくして放熱効果を高めることができる。また、この取付部51の先端51aは他と比べて特に疎度が大きくなっており、はんだが確実に付着するようにしている。   Reference numeral 50 denotes a metal case that covers and covers the upper surface including the electronic component 42 mounted on the upper surface of the substrate 41 and the side surface 41 a of the substrate 41. A mounting portion 51 perpendicular to the parent substrate 45 is formed at the end of the side surface 50 a of the case 50. The attachment portion 51 has a rough surface so that good soldering can be performed. In addition, by forming both the top surface and the side surface 50a of the case 50 as sparse surfaces, the surface area can be increased and the heat radiation effect can be enhanced. Further, the tip 51a of the mounting portion 51 has a particularly high density compared to the others, so that the solder adheres securely.

また、ケース50の側面50aと基板41の側面41aとは、はんだ53で固着されている。また、取付部51は、親基板45に敷設された銅箔のパターン54にはんだ55で固着されている。このように、取付部51で親基板45に固着されるので、例え親基板45に応力が加わっても、基板41や電子部品42にストレスが加わることはない。なお、基板41内には電子部品42で構成された高周波信号が出力される発振回路が構成されている。   Further, the side surface 50 a of the case 50 and the side surface 41 a of the substrate 41 are fixed with solder 53. The mounting portion 51 is fixed to a copper foil pattern 54 laid on the parent substrate 45 with solder 55. As described above, since the mounting portion 51 is fixed to the parent substrate 45, even if stress is applied to the parent substrate 45, the substrate 41 and the electronic component 42 are not stressed. An oscillation circuit that outputs a high-frequency signal composed of the electronic component 42 is configured in the substrate 41.

このように、本実施の形態における高周波モジュールは、基板41と電子部品42とはケース50で密閉されているので、高周波モジュールと親基板45との間に隙間が生ずることはなく、発振回路から出力される高周波信号が親基板45側への漏洩を防止している。即ち、シールド性能が良い高周波モジュールを得ることができる。   As described above, in the high frequency module according to the present embodiment, since the substrate 41 and the electronic component 42 are sealed with the case 50, there is no gap between the high frequency module and the parent substrate 45, and the oscillation circuit The output high frequency signal prevents leakage to the parent substrate 45 side. That is, a high frequency module with good shielding performance can be obtained.

また、ケース50のみで完全に密閉しているので、従来のように別のシールドケースを用いる必要はなく、製造工数を省力化することができる。   Further, since the case 50 is completely sealed, it is not necessary to use another shield case as in the prior art, and the number of manufacturing steps can be saved.

更に、従来のようにケースで二重シールドにする必要がないので、親基板45上での小スペース化と低価格化を図ることができる。   Furthermore, since it is not necessary to use a double shield in the case as in the prior art, it is possible to reduce the space on the parent substrate 45 and reduce the cost.

図4は、高周波モジュールの平面図であり、ケース50の端には親基板45に固着するための取付部51が全面に渡って形成されている。このケース50は取付部51が親基板45に対して垂直状に形成されているので、親基板45への取付スペースを実施の形態1と比べてより小さくすることができる。また、取付部51の面は疎面に形成されているので、親基板45との間で強固な接続ができ、基板41と電子部品42にストレスを加えることはない。なお、このケース50も取付部51と一体的に形成されている。   FIG. 4 is a plan view of the high-frequency module, and an attachment portion 51 for fixing to the parent substrate 45 is formed over the entire surface of the case 50. In this case 50, since the attachment portion 51 is formed perpendicular to the parent substrate 45, the attachment space to the parent substrate 45 can be made smaller than in the first embodiment. Further, since the surface of the mounting portion 51 is formed to be a sparse surface, a strong connection can be made between the parent substrate 45 and no stress is applied to the substrate 41 and the electronic component 42. The case 50 is also formed integrally with the mounting portion 51.

(実施の形態3)
図5は本発明の実施の形態3における高周波モジュールのブロック図である。図5において、60は、金属製のケースであり、実施の形態1におけるケース30あるいは実施の形態2におけるケース50に該当する。そして、このケース60内の基板上には電子部品で形成された高周波モジュールが設けられている。
(Embodiment 3)
FIG. 5 is a block diagram of a high-frequency module according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 5, reference numeral 60 denotes a metal case, which corresponds to the case 30 in the first embodiment or the case 50 in the second embodiment. A high-frequency module formed of electronic components is provided on the substrate in the case 60.

この高周波モジュールにおいて、61は高周波信号が入力される入力端子であり、この入力端子61は、高周波フィルタ62に接続されている。そして、この高周波フィルタ62の出力は、高周波増幅器63に接続されている。この高周波増幅器63の出力は段間フィルタ64を介して混合器65の一方の入力に接続されている。この混合器65の他方の入力には、高周波発振信号を出力する局部発振器66の出力が接続されている。また、混合器65の出力は中間周波フィルタ67を介して出力端子68に接続されている。   In this high-frequency module, 61 is an input terminal to which a high-frequency signal is input, and this input terminal 61 is connected to a high-frequency filter 62. The output of the high frequency filter 62 is connected to the high frequency amplifier 63. The output of the high frequency amplifier 63 is connected to one input of the mixer 65 via the interstage filter 64. The other input of the mixer 65 is connected to the output of a local oscillator 66 that outputs a high-frequency oscillation signal. The output of the mixer 65 is connected to the output terminal 68 through the intermediate frequency filter 67.

69は、データ入力端子であり、このデータ入力端子69はPLL回路70のデータ端子に接続されている。このPLL回路70の入力には局部発振器66の出力が接続されており、このPLL回路70の出力は局部発振器66の入力に接続されるとともに、段間フィルタ64の制御端子にも接続されている。   Reference numeral 69 denotes a data input terminal. The data input terminal 69 is connected to the data terminal of the PLL circuit 70. The output of the local oscillator 66 is connected to the input of the PLL circuit 70, and the output of the PLL circuit 70 is connected to the input of the local oscillator 66 and also to the control terminal of the interstage filter 64. .

以上のように構成された高周波モジュールについて、以下にその動作を説明する。入力端子61に入力される高周波信号としてのテレビ信号は、高周波フィルタ62でテレビ信号の受信帯域が選ばれる。そして、このテレビ信号は高周波増幅器63で増幅された後、段間フィルタ64で入力されたテレビ信号は同調される。   The operation of the high-frequency module configured as described above will be described below. The television signal reception band of the television signal input to the input terminal 61 is selected by the high frequency filter 62. Then, after the television signal is amplified by the high frequency amplifier 63, the television signal input by the interstage filter 64 is tuned.

次に、局部発振器66から出力される出力信号で希望信号が選局される。この選局された希望信号は、中間周波フィルタ67を介して出力端子68から出力されるものである。即ち、データ入力端子69から入力される信号で局部発振器66の発振周波数が制御されて選局される訳である。   Next, the desired signal is selected by the output signal output from the local oscillator 66. The selected desired signal is output from the output terminal 68 via the intermediate frequency filter 67. That is, the signal is selected by controlling the oscillation frequency of the local oscillator 66 by a signal input from the data input terminal 69.

このとき、局部発振器66は、選局するための高周波信号を出力する。この高周波信号がケース60から漏れないように、ケース60は密閉されている。従って、本実施の形態の高周波モジュールを使用すれば、高周波装置等に妨害を与えることはない。   At this time, the local oscillator 66 outputs a high-frequency signal for tuning. The case 60 is sealed so that this high frequency signal does not leak from the case 60. Therefore, if the high frequency module of the present embodiment is used, the high frequency device or the like is not disturbed.

なお、この高周波モジュールは、以下のように配置されている。即ち、入力端子61はケース60内に装着された基板71(図示せず)の一方の端の近傍に設けられるとともに、出力端子68は基板71の他方の端近傍に設けられている。このように配置することにより、入力端子61と出力端子68との間の高周波的な絶縁(アイソレーション)が向上する。   In addition, this high frequency module is arrange | positioned as follows. That is, the input terminal 61 is provided in the vicinity of one end of a substrate 71 (not shown) mounted in the case 60, and the output terminal 68 is provided in the vicinity of the other end of the substrate 71. By arranging in this way, high-frequency insulation (isolation) between the input terminal 61 and the output terminal 68 is improved.

また、局部発振器66は、入力端子61と出力端子68との間であって、ケース60の近傍に設けられている。なお、この局部発振器66の発振周波数を規定するインダクタは銅箔パターンで形成するとともに、そのグランド側はケース60の近傍に配置されている。   The local oscillator 66 is provided between the input terminal 61 and the output terminal 68 and in the vicinity of the case 60. The inductor that defines the oscillation frequency of the local oscillator 66 is formed of a copper foil pattern, and the ground side is disposed in the vicinity of the case 60.

このように配置することにより、局部発振器66のグランドが強化されるとともに入力端子61及び出力端子68から距離的に離れることになる。即ち、局部発振器66から出力される基本周波数やその高調波が高周波モジュールから漏洩することを防止することができる。   By arranging in this way, the ground of the local oscillator 66 is strengthened and the distance from the input terminal 61 and the output terminal 68 is increased. That is, the fundamental frequency output from the local oscillator 66 and its harmonics can be prevented from leaking from the high frequency module.

また、このパターンに接続されるチップ部品はリフローはんだ付けされることが重要である。これは、リフローはんだ付けされることにより、チップ部品の位置がセルフアライメント効果で一定の位置に固定される。即ち、このチップ部品に接続されたパターンの長さが一定となり、インダクタの値が一定となるのであり、インダクタの調整が不要となるものである。   Further, it is important that the chip parts connected to this pattern are reflow soldered. By reflow soldering, the position of the chip component is fixed at a fixed position by a self-alignment effect. That is, the length of the pattern connected to the chip component is constant, and the value of the inductor is constant, so that adjustment of the inductor is not necessary.

(実施の形態4)
実施の形態4では、電子部品が上面に装着された基板の(電子部品を含む)上方と側面を金属製のケースで覆った高周波モジュールにおいて、前記基板の(電極を除いて)全面に銅箔で形成されたグランドパターンを設けたものである。このことにより、高周波モジュール全体(6面とも)をシールドすることになるので、更に、シールド性が向上するものである。なお、実施の形態1〜3と同じものに関しては、同一符号を付して、説明を簡略化する。
(Embodiment 4)
In the fourth embodiment, in the high-frequency module in which the upper side (including the electronic component) and the side surface of the substrate on which the electronic component is mounted are covered with a metal case, the entire surface (excluding the electrode) of the substrate is covered with copper foil. The ground pattern formed in (1) is provided. As a result, the entire high-frequency module (both six surfaces) is shielded, which further improves the shielding performance. In addition, about the same thing as Embodiment 1-3, the same code | symbol is attached | subjected and description is simplified.

図6は本発明の実施の形態4における高周波モジュールの断面図である。図6において、81は基板であり、この基板81の上面には電子部品42がはんだ40で銅箔のパターン43に装着されている。このパターン43はスルーホール82で基板81の裏面に導出されるとともに、この基板81の裏面に設けられた電極83に接続されている。そして、この基板81の裏面には電極83を除く全面に銅箔のグランドパターン84が設けられている。   FIG. 6 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to Embodiment 4 of the present invention. In FIG. 6, reference numeral 81 denotes a substrate, and an electronic component 42 is mounted on a copper foil pattern 43 with solder 40 on the upper surface of the substrate 81. The pattern 43 is led out to the back surface of the substrate 81 through the through hole 82 and is connected to an electrode 83 provided on the back surface of the substrate 81. A copper foil ground pattern 84 is provided on the entire back surface of the substrate 81 except for the electrodes 83.

50は、金属製のケースであり、基板81の上面に装着された電子部品42を含む裏面及び基板81の側面81aを密閉するように覆い被されている。そして、ケース50の側面50aと基板81の側面81a及びグランドパターン84とは、はんだ85で固着されている。   Reference numeral 50 denotes a metal case that covers and covers the back surface including the electronic component 42 mounted on the upper surface of the substrate 81 and the side surface 81 a of the substrate 81. The side surface 50 a of the case 50, the side surface 81 a of the substrate 81, and the ground pattern 84 are fixed with solder 85.

図7は高周波モジュールを裏面側から見た平面図である。   FIG. 7 is a plan view of the high-frequency module as viewed from the back side.

このように、本実施の形態における高周波モジュールは、ケース50とグランドパターン84ですべての面がシールドされている。従って、高周波モジュールのシールド性が実施の形態1,2のものに比べて向上している。また、基板81の裏面に設けられた電極83とグランドパターン84とは同一の厚さであるので、高周波モジュールの大きさが大きくなることはない。   Thus, the high-frequency module in the present embodiment is shielded on all surfaces by the case 50 and the ground pattern 84. Therefore, the shielding performance of the high-frequency module is improved as compared with those of the first and second embodiments. Further, since the electrode 83 and the ground pattern 84 provided on the back surface of the substrate 81 have the same thickness, the size of the high frequency module does not increase.

図8は、高周波モジュールの他の例における断面図である。図8においては、基板86に多層基板を用いている点で図6と相違する。即ち、基板86の裏面には電極83のみとし、グランドパターン87は基板86の内層に設けられている。従って、この高周波モジュールの裏面は電極83を除いて絶縁体で形成されており、親基板においてはこの高周波モジュールの下側に配線パターンを設けることができる。   FIG. 8 is a cross-sectional view of another example of the high-frequency module. FIG. 8 differs from FIG. 6 in that a multilayer substrate is used as the substrate 86. That is, only the electrode 83 is provided on the back surface of the substrate 86, and the ground pattern 87 is provided in the inner layer of the substrate 86. Therefore, the back surface of the high frequency module is formed of an insulator except for the electrode 83, and a wiring pattern can be provided on the lower side of the high frequency module on the parent substrate.

なお、このグランドパターン87は、はんだ85でケース50の側面50aに固着されている。このグランドパターン87は、基板86の下面の次の層に形成すると良い。そして、このグランドパターン87の層と上面層との間の内層に電子回路を形成すると益々の小型化が実現できる。   The ground pattern 87 is fixed to the side surface 50 a of the case 50 with solder 85. The ground pattern 87 is preferably formed in the next layer on the lower surface of the substrate 86. Further, when an electronic circuit is formed in the inner layer between the ground pattern 87 layer and the upper surface layer, further miniaturization can be realized.

(実施の形態5)
実施の形態5では、ケースの基板への装着位置について述べる。図9は、第1の例による高周波モジュールの断面図である。図9において、101はケースであり、このケース101には基板102が装着されている。また、この基板102の下面には電極103が設けられており、この電極103にはハンダボール104が装着されている。
(Embodiment 5)
In the fifth embodiment, the mounting position of the case on the substrate will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to the first example. In FIG. 9, reference numeral 101 denotes a case, and a substrate 102 is attached to the case 101. An electrode 103 is provided on the lower surface of the substrate 102, and a solder ball 104 is attached to the electrode 103.

一方、ケース101の側面101aの端には取付部105が形成されており、この取付部105の下端と基板102の下面からの寸法106は共に等しくしている。このことにより、ハンダボール103の高さの分、基板102は親基板(図示せず)から離れることになる。従って、高周波モジュールと親基板との間のシールド性が向上する。   On the other hand, a mounting portion 105 is formed at the end of the side surface 101 a of the case 101, and the size 106 from the lower end of the mounting portion 105 and the lower surface of the substrate 102 are both equal. As a result, the substrate 102 is separated from the parent substrate (not shown) by the height of the solder ball 103. Therefore, the shielding property between the high frequency module and the parent substrate is improved.

107は、ケース101の側面101aに設けられた舌片(係止部の一例として用いた)であり、この舌片107で基板102のケース101への浸入度合いを規制するものである。この舌片107を有することにより、基板102挿入の位置決めが容易となり、製造性が向上する。   Reference numeral 107 denotes a tongue piece (used as an example of a locking portion) provided on the side surface 101a of the case 101, and this tongue piece 107 regulates the degree of penetration of the substrate 102 into the case 101. By having the tongue piece 107, the positioning of the substrate 102 insertion becomes easy, and the productivity is improved.

この舌片107は、折り曲げ過ぎてケース101の側面101aの下方101bとの間に隙間を形成しないようにしておくことがシールド性を向上する上で重要である。   It is important to improve the shielding performance that the tongue 107 is bent too much so as not to form a gap with the lower portion 101b of the side surface 101a of the case 101.

なお、このケース101は、実施の形態1におけるケース30及び実施の形態2におけるケース50に適用できる。また、基板102は、実施の形態1における基板21及び実施の形態2における基板41に適用できる。   The case 101 can be applied to the case 30 in the first embodiment and the case 50 in the second embodiment. Further, the substrate 102 can be applied to the substrate 21 in the first embodiment and the substrate 41 in the second embodiment.

図10は、第2の例による高周波モジュールの断面図である。図10において、111はケースであり、このケース111には基板112が装着されている。また、この基板112の下面には電極113が設けられている。   FIG. 10 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to the second example. In FIG. 10, reference numeral 111 denotes a case, and a substrate 112 is attached to the case 111. An electrode 113 is provided on the lower surface of the substrate 112.

一方、ケース111の側面111aの端には取付部115が形成されており、この取付部115の下端と基板112の下面に形成された電極113からの寸法116は共に等しくしている。このことにより、高周波モジュールを親基板に装着したとき、図9に示したハンダボール104の分、高さ寸法118を小さくすることができる。   On the other hand, a mounting portion 115 is formed at the end of the side surface 111 a of the case 111, and the dimension 116 from the electrode 113 formed on the lower end of the mounting portion 115 and the lower surface of the substrate 112 is made equal. Thus, when the high frequency module is mounted on the parent substrate, the height dimension 118 can be reduced by the amount of the solder ball 104 shown in FIG.

117は、ケース111の側面111aに設けられたハーフパンチ(係止部の一例として用いた)であり、このハーフパンチ117で基板112のケース111への浸入を規制するものである。このハーフパンチ117を有することにより、基板112挿入の位置決めが容易となり、製造性が向上する。   Reference numeral 117 denotes a half punch (used as an example of a locking portion) provided on the side surface 111a of the case 111. The half punch 117 regulates the intrusion of the substrate 112 into the case 111. By having the half punch 117, the positioning of the substrate 112 is facilitated, and the productivity is improved.

なお、このケース111は、実施の形態1におけるケース30及び実施の形態2におけるケース50に適用できる。また、基板112は、実施の形態1における基板21及び実施の形態2における基板41に適用できる。   The case 111 can be applied to the case 30 in the first embodiment and the case 50 in the second embodiment. Further, the substrate 112 can be applied to the substrate 21 in the first embodiment and the substrate 41 in the second embodiment.

本発明の高周波モジュールは、シールド性が良好なので、高周波装置等に用いることができる。   Since the high frequency module of the present invention has good shielding properties, it can be used for high frequency devices and the like.

本発明の実施の形態1における高周波モジュールの断面図Sectional drawing of the high frequency module in Embodiment 1 of this invention 同、平面図Same as above, top view 同、実施の形態2における高周波モジュールの断面図Sectional drawing of the high frequency module in Embodiment 2 同、平面図Same as above, top view 同、実施の形態3における高周波モジュールのブロック図Block diagram of high-frequency module according to Embodiment 3 同、実施の形態4における高周波モジュールの断面図Sectional drawing of the high frequency module in Embodiment 4 同、下面から見た平面図Same as above, top view 同、他の例による高周波モジュールの断面図Sectional view of a high-frequency module according to another example 同、実施の形態5における第1の例による高周波モジュールの断面図Sectional drawing of the high frequency module by the 1st example in Embodiment 5 same as the above 同、第2の例による高周波モジュールの断面図Sectional view of the high-frequency module according to the second example 従来の高周波モジュールの側面図Side view of conventional high-frequency module 同、断面図Same as above, sectional view 同、親基板への装着断面図Same as above, mounting cross section on parent board

符号の説明Explanation of symbols

21 基板
22 電子部品
24 電極
25 親基板
30 ケース
31 取付部
21 Substrate 22 Electronic component 24 Electrode 25 Parent substrate 30 Case 31 Mounting part

Claims (10)

高周波発振器を含む電子部品が上面に装着された基板と、前記電子部品から導出されるとともに前記基板の下面に設けられた電極と、前記基板に被せられた金属製のケースとを備え、前記ケースで前記電子部品を含む前記基板の上方及び前記基板の側面とを共に密閉するとともに、前記ケースの端部には親基板に取付けるための取付部が設けられた高周波モジュール。 A substrate on which an electronic component including a high-frequency oscillator is mounted; an electrode that is led out from the electronic component and provided on a lower surface of the substrate; and a metal case that covers the substrate; The high-frequency module in which the upper portion of the substrate including the electronic component and the side surface of the substrate are sealed together, and an attachment portion for attachment to the parent substrate is provided at an end portion of the case. 取付部は、親基板に対して水平状に形成された請求項1に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1, wherein the attachment portion is formed horizontally with respect to the parent substrate. 取付部は、親基板に対して垂直状に形成された請求項1に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1, wherein the attachment portion is formed perpendicular to the parent substrate. 取付部は疎面で形成された請求項1に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1, wherein the attachment portion is formed with a sparse surface. 基板の下面は、電極を除く全面がグランドパターンで形成された請求項1に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1, wherein the lower surface of the substrate is formed with a ground pattern on the entire surface excluding the electrodes. 基板には多層基板を用いるとともに、この多層基板の内層にグランドパターンが設けられた請求項1に記載の高周波モジュール。 The high-frequency module according to claim 1, wherein a multilayer substrate is used as the substrate, and a ground pattern is provided on an inner layer of the multilayer substrate. 基板の下面に設けられた電極にハンダボールを装着するとともに、このハンダボールの下端とケースの取付部の下端は共に前記基板の下面からの距離を等しくした請求項1に記載の高周波モジュール。 2. The high frequency module according to claim 1, wherein a solder ball is mounted on an electrode provided on the lower surface of the substrate, and the lower end of the solder ball and the lower end of the mounting portion of the case are both equal in distance from the lower surface of the substrate. ケースの側面に基板を係止する係止部が設けられた請求項1に記載の高周波モジュール。 The high frequency module according to claim 1, wherein a locking portion for locking the substrate is provided on a side surface of the case. 高周波信号が入力される入力端子と、この入力端子に入力された高周波信号が一方の入力に供給されるとともに、他方の入力には局部発振器の出力が接続された混合器と、この混合器の出力が供給される出力端子とが基板に装着された請求項1に記載の高周波モジュール。 An input terminal to which a high-frequency signal is input, a high-frequency signal input to this input terminal is supplied to one input, and a mixer to which the output of the local oscillator is connected to the other input; The high frequency module according to claim 1, wherein an output terminal to which an output is supplied is mounted on the substrate. 入力端子を基板の一方の端近傍に設けるとともに、出力端子は前記基板の他方の端近傍に設け、局部発振器は前記入力端子と前記出力端子との間であって、ケースの近傍に設けられた請求項9に記載の高周波モジュール。 The input terminal is provided near one end of the board, the output terminal is provided near the other end of the board, and the local oscillator is provided between the input terminal and the output terminal and in the vicinity of the case. The high frequency module according to claim 9.
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