JP2006253278A - High frequency module - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、高周波装置等に用いられる高周波モジュールに関するものである。 The present invention relates to a high-frequency module used in a high-frequency device or the like.
以下、従来の高周波モジュールについて説明する。従来の高周波モジュールは、図11、図12に示すような構成となっていた。図11において、1は高周波発振器を含む電子部品2が上面に装着された基板である。3は、基板1の上面に敷設されるとともに電子部品2に接続されたパターンであり、このパターン3は基板1の側面に設けられた電極4に導出されている。
Hereinafter, a conventional high-frequency module will be described. The conventional high-frequency module has a configuration as shown in FIGS. In FIG. 11, 1 is a board | substrate with which the
5は、金属製のケースであり、このケース5を矢印6方向に押し下げて、基板1の上方を覆うものである。7はケース5の側面5aに設けられた取付部であり、基板1の側面に設けられたパターン8にはんだで装着される。
Reference numeral 5 denotes a metal case. The case 5 is pushed down in the direction of arrow 6 to cover the upper portion of the substrate 1. Reference numeral 7 denotes an attachment portion provided on the
9は、ケース5の側面5aに設けられた凸部であり、この凸部9により、ケース5を基板1に装着したときに、ケース5の端がパターン3に当接してグランドへのショートを防止するものである。即ち、この凸部9を有することにより、図12に示すように基板1とケース5の側面5aとの間に隙間10を生じさせ、パターン3とケース5の端との間の絶縁を得ている。
9 is a convex portion provided on the
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献1が知られている。
しかしながらこのような従来の高周波モジュールでは、凸部9のために基板1とケース5の側面5aの先端との間に隙間10が生ずることとなり、この隙間10から高周波信号11が漏洩し、この高周波モジュールが装着される高周波装置等に妨害を与えるという問題があった。
However, in such a conventional high-frequency module, a
このような、高周波信号11の漏洩を防止するために、図13に示すように、親基板12の上面に高周波モジュール13を装着した高周波装置において、更にこの高周波モジュール13を覆うように密閉した金属製のケース15を被せることもあった。しかし、このような構成にすると高周波モジュール13を実装するために大きなスペースが必要となる。
In order to prevent such leakage of the high-frequency signal 11, as shown in FIG. 13, in the high-frequency device in which the high-frequency module 13 is mounted on the upper surface of the
そこで本発明は、このような問題を解決したもので、小スペースでしかもシールド性能の優れた高周波モジュールを提供することを目的としたものである。 Accordingly, the present invention has been made to solve such problems, and an object of the present invention is to provide a high-frequency module having a small space and excellent shielding performance.
この目的を達成するために本発明は、高周波モジュールのケースで電子部品を含む基板の上方及び前記基板の側面とを共に密閉するとともに、前記ケースの端部には親基板に取付けるための取付部が設けられた構成としたものである。これにより、初期の目的を達成することができる。 In order to achieve this object, the present invention seals the upper part of the board including the electronic components and the side face of the board together in the case of the high-frequency module and attaches the end part of the case to the parent board. Is provided. Thereby, the initial purpose can be achieved.
本発明によれば、高周波モジュールのケースで電子部品を含む基板の上方及び前記基板の側面とを共に密閉するとともに、前記ケースの端部には親基板に取付けるための取付部が設けられたものであり、前記ケースで電子部品を含む基板の上方及び前記基板の側面とを共に密閉しているので、高周波モジュール内の高周波信号が漏洩することはない。即ち、シールド性能が向上するものである。 According to the present invention, the case of the high-frequency module seals both the upper side of the board including the electronic components and the side surface of the board, and the end of the case is provided with a mounting portion for mounting to the parent board. In the case, the upper side of the substrate including the electronic component and the side surface of the substrate are sealed together in the case, so that the high frequency signal in the high frequency module does not leak. That is, the shielding performance is improved.
また、従来のようにケースで二重にシールドする必要はないので、親基板における小スペース化を図ることができる。 Further, since there is no need to double-shield the case as in the conventional case, the space on the parent substrate can be reduced.
更に、取付部で親基板に強固に装着することができるので、電子部品が装着された基板に不要な応力が加わることはない。 Furthermore, since it can be firmly attached to the parent substrate at the attachment portion, unnecessary stress is not applied to the substrate on which the electronic component is attached.
更にまた、従来のように二重にシールドする必要はないので、製造工数が低減され低価格化に寄与することができる。 Furthermore, since there is no need for double shielding as in the prior art, the number of manufacturing steps can be reduced and the cost can be reduced.
以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明する。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
(実施の形態1)
図1は本発明の実施の形態1における高周波モジュールの断面図である。図1において、21は基板であり、この基板21の上面には電子部品22がはんだ20で銅箔のパターン23に装着されている。このパターン23はスルーホール(導体であれば良く、スルーホールである必要はない)で基板21の裏面(下面)に導出されるとともに、この基板21の裏面に設けられた電極24に接続されている。そして、この電極24は、高周波装置等を構成する親基板25の上面に形成された銅箔のパターン26にはんだ27で接続されている。
(Embodiment 1)
FIG. 1 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to Embodiment 1 of the present invention. In FIG. 1,
30は、金属製のケースであり、基板21の上面に装着された電子部品22を含む上面及び基板21の側面21aを密閉するように覆い被されている。そして、このケース30の側面30aの端には親基板25に対して水平状に曲げられて鍔状の取付部31が形成されている。この取付部31には良好なはんだ付けができるように疎面が形成されている。なお、ケース30の天面と側面30aも共に疎面を形成しておくことにより、表面面積を大きくして放熱効果を高めることができる。
また、ケース30の側面30aと基板21の側面21aとは、はんだ33で固着されている。また、取付部31は、親基板25に敷設された銅箔のパターン34にはんだ35で確りと固着されている。このように、取付部31で親基板25に固着されるので、例え親基板25に応力が加わっても、基板21や電子部品22にストレスが加わることはない。なお、基板21内には電子部品22で構成された高周波信号が出力される発振回路が設けられている。
Further, the
このように、本実施の形態における高周波モジュールは、基板21と電子部品22とはケース30で密閉されているので、高周波モジュールと親基板25との間に隙間が生ずることはなく、発振回路から出力される高周波信号が親基板25側へ漏洩することを防止している。即ち、シールド性能が良い高周波モジュールを得ることができる。
As described above, in the high-frequency module according to the present embodiment, since the
また、ケース30のみで完全に密閉しているので、従来のように別のシールドケースを用いる必要はなく、製造工数を省力化することができる。
Further, since the
更に、従来のようにケースで二重シールドにする必要がないので、親基板25上での小スペース化と低価格化を図ることができる。
Furthermore, since it is not necessary to use a double shield in the case as in the prior art, it is possible to reduce the space on the
図2は、高周波モジュールの平面図であり、ケース30の端には親基板25に固着するための取付部31が全面に渡って形成されている。従って、親基板25と強固に装着される。また、このケース30は金属の絞り技術を用いて一体的に形成されている。
FIG. 2 is a plan view of the high-frequency module, and an
このように鍔状の取付部31が全面に渡って形成されているので、高周波モジュールを確実に、且つ強固に親基板25に装着することができる。
As described above, since the hook-
(実施の形態2)
図3は本発明の実施の形態2における高周波モジュールの断面図である。図3において、41は基板であり、この基板41の上面には電子部品42がはんだ40で銅箔のパターン43に装着されている。このパターン43はスルーホールで基板41の裏面に導出されるとともに、この基板41の裏面に設けられた電極44に接続されている。そして、この電極44は、高周波装置等を構成する親基板45の上面に形成された銅箔のパターン46にはんだ47で接続されている。
(Embodiment 2)
FIG. 3 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to
50は、金属製のケースであり、基板41の上面に装着された電子部品42を含む上面及び基板41の側面41aを密閉するように覆い被されている。そして、このケース50の側面50aの端には親基板45に対して垂直状の取付部51が形成されている。この取付部51には良好なはんだ付けができるように疎面が形成されている。なお、ケース50の天面と側面50aも共に疎面を形成しておくことにより、表面面積を大きくして放熱効果を高めることができる。また、この取付部51の先端51aは他と比べて特に疎度が大きくなっており、はんだが確実に付着するようにしている。
また、ケース50の側面50aと基板41の側面41aとは、はんだ53で固着されている。また、取付部51は、親基板45に敷設された銅箔のパターン54にはんだ55で固着されている。このように、取付部51で親基板45に固着されるので、例え親基板45に応力が加わっても、基板41や電子部品42にストレスが加わることはない。なお、基板41内には電子部品42で構成された高周波信号が出力される発振回路が構成されている。
Further, the
このように、本実施の形態における高周波モジュールは、基板41と電子部品42とはケース50で密閉されているので、高周波モジュールと親基板45との間に隙間が生ずることはなく、発振回路から出力される高周波信号が親基板45側への漏洩を防止している。即ち、シールド性能が良い高周波モジュールを得ることができる。
As described above, in the high frequency module according to the present embodiment, since the
また、ケース50のみで完全に密閉しているので、従来のように別のシールドケースを用いる必要はなく、製造工数を省力化することができる。
Further, since the
更に、従来のようにケースで二重シールドにする必要がないので、親基板45上での小スペース化と低価格化を図ることができる。
Furthermore, since it is not necessary to use a double shield in the case as in the prior art, it is possible to reduce the space on the
図4は、高周波モジュールの平面図であり、ケース50の端には親基板45に固着するための取付部51が全面に渡って形成されている。このケース50は取付部51が親基板45に対して垂直状に形成されているので、親基板45への取付スペースを実施の形態1と比べてより小さくすることができる。また、取付部51の面は疎面に形成されているので、親基板45との間で強固な接続ができ、基板41と電子部品42にストレスを加えることはない。なお、このケース50も取付部51と一体的に形成されている。
FIG. 4 is a plan view of the high-frequency module, and an
(実施の形態3)
図5は本発明の実施の形態3における高周波モジュールのブロック図である。図5において、60は、金属製のケースであり、実施の形態1におけるケース30あるいは実施の形態2におけるケース50に該当する。そして、このケース60内の基板上には電子部品で形成された高周波モジュールが設けられている。
(Embodiment 3)
FIG. 5 is a block diagram of a high-frequency module according to Embodiment 3 of the present invention. In FIG. 5,
この高周波モジュールにおいて、61は高周波信号が入力される入力端子であり、この入力端子61は、高周波フィルタ62に接続されている。そして、この高周波フィルタ62の出力は、高周波増幅器63に接続されている。この高周波増幅器63の出力は段間フィルタ64を介して混合器65の一方の入力に接続されている。この混合器65の他方の入力には、高周波発振信号を出力する局部発振器66の出力が接続されている。また、混合器65の出力は中間周波フィルタ67を介して出力端子68に接続されている。
In this high-frequency module, 61 is an input terminal to which a high-frequency signal is input, and this
69は、データ入力端子であり、このデータ入力端子69はPLL回路70のデータ端子に接続されている。このPLL回路70の入力には局部発振器66の出力が接続されており、このPLL回路70の出力は局部発振器66の入力に接続されるとともに、段間フィルタ64の制御端子にも接続されている。
以上のように構成された高周波モジュールについて、以下にその動作を説明する。入力端子61に入力される高周波信号としてのテレビ信号は、高周波フィルタ62でテレビ信号の受信帯域が選ばれる。そして、このテレビ信号は高周波増幅器63で増幅された後、段間フィルタ64で入力されたテレビ信号は同調される。
The operation of the high-frequency module configured as described above will be described below. The television signal reception band of the television signal input to the
次に、局部発振器66から出力される出力信号で希望信号が選局される。この選局された希望信号は、中間周波フィルタ67を介して出力端子68から出力されるものである。即ち、データ入力端子69から入力される信号で局部発振器66の発振周波数が制御されて選局される訳である。
Next, the desired signal is selected by the output signal output from the
このとき、局部発振器66は、選局するための高周波信号を出力する。この高周波信号がケース60から漏れないように、ケース60は密閉されている。従って、本実施の形態の高周波モジュールを使用すれば、高周波装置等に妨害を与えることはない。
At this time, the
なお、この高周波モジュールは、以下のように配置されている。即ち、入力端子61はケース60内に装着された基板71(図示せず)の一方の端の近傍に設けられるとともに、出力端子68は基板71の他方の端近傍に設けられている。このように配置することにより、入力端子61と出力端子68との間の高周波的な絶縁(アイソレーション)が向上する。
In addition, this high frequency module is arrange | positioned as follows. That is, the
また、局部発振器66は、入力端子61と出力端子68との間であって、ケース60の近傍に設けられている。なお、この局部発振器66の発振周波数を規定するインダクタは銅箔パターンで形成するとともに、そのグランド側はケース60の近傍に配置されている。
The
このように配置することにより、局部発振器66のグランドが強化されるとともに入力端子61及び出力端子68から距離的に離れることになる。即ち、局部発振器66から出力される基本周波数やその高調波が高周波モジュールから漏洩することを防止することができる。
By arranging in this way, the ground of the
また、このパターンに接続されるチップ部品はリフローはんだ付けされることが重要である。これは、リフローはんだ付けされることにより、チップ部品の位置がセルフアライメント効果で一定の位置に固定される。即ち、このチップ部品に接続されたパターンの長さが一定となり、インダクタの値が一定となるのであり、インダクタの調整が不要となるものである。 Further, it is important that the chip parts connected to this pattern are reflow soldered. By reflow soldering, the position of the chip component is fixed at a fixed position by a self-alignment effect. That is, the length of the pattern connected to the chip component is constant, and the value of the inductor is constant, so that adjustment of the inductor is not necessary.
(実施の形態4)
実施の形態4では、電子部品が上面に装着された基板の(電子部品を含む)上方と側面を金属製のケースで覆った高周波モジュールにおいて、前記基板の(電極を除いて)全面に銅箔で形成されたグランドパターンを設けたものである。このことにより、高周波モジュール全体(6面とも)をシールドすることになるので、更に、シールド性が向上するものである。なお、実施の形態1〜3と同じものに関しては、同一符号を付して、説明を簡略化する。
(Embodiment 4)
In the fourth embodiment, in the high-frequency module in which the upper side (including the electronic component) and the side surface of the substrate on which the electronic component is mounted are covered with a metal case, the entire surface (excluding the electrode) of the substrate is covered with copper foil. The ground pattern formed in (1) is provided. As a result, the entire high-frequency module (both six surfaces) is shielded, which further improves the shielding performance. In addition, about the same thing as Embodiment 1-3, the same code | symbol is attached | subjected and description is simplified.
図6は本発明の実施の形態4における高周波モジュールの断面図である。図6において、81は基板であり、この基板81の上面には電子部品42がはんだ40で銅箔のパターン43に装着されている。このパターン43はスルーホール82で基板81の裏面に導出されるとともに、この基板81の裏面に設けられた電極83に接続されている。そして、この基板81の裏面には電極83を除く全面に銅箔のグランドパターン84が設けられている。
FIG. 6 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to
50は、金属製のケースであり、基板81の上面に装着された電子部品42を含む裏面及び基板81の側面81aを密閉するように覆い被されている。そして、ケース50の側面50aと基板81の側面81a及びグランドパターン84とは、はんだ85で固着されている。
図7は高周波モジュールを裏面側から見た平面図である。 FIG. 7 is a plan view of the high-frequency module as viewed from the back side.
このように、本実施の形態における高周波モジュールは、ケース50とグランドパターン84ですべての面がシールドされている。従って、高周波モジュールのシールド性が実施の形態1,2のものに比べて向上している。また、基板81の裏面に設けられた電極83とグランドパターン84とは同一の厚さであるので、高周波モジュールの大きさが大きくなることはない。
Thus, the high-frequency module in the present embodiment is shielded on all surfaces by the
図8は、高周波モジュールの他の例における断面図である。図8においては、基板86に多層基板を用いている点で図6と相違する。即ち、基板86の裏面には電極83のみとし、グランドパターン87は基板86の内層に設けられている。従って、この高周波モジュールの裏面は電極83を除いて絶縁体で形成されており、親基板においてはこの高周波モジュールの下側に配線パターンを設けることができる。
FIG. 8 is a cross-sectional view of another example of the high-frequency module. FIG. 8 differs from FIG. 6 in that a multilayer substrate is used as the
なお、このグランドパターン87は、はんだ85でケース50の側面50aに固着されている。このグランドパターン87は、基板86の下面の次の層に形成すると良い。そして、このグランドパターン87の層と上面層との間の内層に電子回路を形成すると益々の小型化が実現できる。
The
(実施の形態5)
実施の形態5では、ケースの基板への装着位置について述べる。図9は、第1の例による高周波モジュールの断面図である。図9において、101はケースであり、このケース101には基板102が装着されている。また、この基板102の下面には電極103が設けられており、この電極103にはハンダボール104が装着されている。
(Embodiment 5)
In the fifth embodiment, the mounting position of the case on the substrate will be described. FIG. 9 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to the first example. In FIG. 9,
一方、ケース101の側面101aの端には取付部105が形成されており、この取付部105の下端と基板102の下面からの寸法106は共に等しくしている。このことにより、ハンダボール103の高さの分、基板102は親基板(図示せず)から離れることになる。従って、高周波モジュールと親基板との間のシールド性が向上する。
On the other hand, a mounting
107は、ケース101の側面101aに設けられた舌片(係止部の一例として用いた)であり、この舌片107で基板102のケース101への浸入度合いを規制するものである。この舌片107を有することにより、基板102挿入の位置決めが容易となり、製造性が向上する。
この舌片107は、折り曲げ過ぎてケース101の側面101aの下方101bとの間に隙間を形成しないようにしておくことがシールド性を向上する上で重要である。
It is important to improve the shielding performance that the
なお、このケース101は、実施の形態1におけるケース30及び実施の形態2におけるケース50に適用できる。また、基板102は、実施の形態1における基板21及び実施の形態2における基板41に適用できる。
The
図10は、第2の例による高周波モジュールの断面図である。図10において、111はケースであり、このケース111には基板112が装着されている。また、この基板112の下面には電極113が設けられている。
FIG. 10 is a cross-sectional view of the high-frequency module according to the second example. In FIG. 10, reference numeral 111 denotes a case, and a
一方、ケース111の側面111aの端には取付部115が形成されており、この取付部115の下端と基板112の下面に形成された電極113からの寸法116は共に等しくしている。このことにより、高周波モジュールを親基板に装着したとき、図9に示したハンダボール104の分、高さ寸法118を小さくすることができる。
On the other hand, a mounting
117は、ケース111の側面111aに設けられたハーフパンチ(係止部の一例として用いた)であり、このハーフパンチ117で基板112のケース111への浸入を規制するものである。このハーフパンチ117を有することにより、基板112挿入の位置決めが容易となり、製造性が向上する。
なお、このケース111は、実施の形態1におけるケース30及び実施の形態2におけるケース50に適用できる。また、基板112は、実施の形態1における基板21及び実施の形態2における基板41に適用できる。
The case 111 can be applied to the
本発明の高周波モジュールは、シールド性が良好なので、高周波装置等に用いることができる。 Since the high frequency module of the present invention has good shielding properties, it can be used for high frequency devices and the like.
21 基板
22 電子部品
24 電極
25 親基板
30 ケース
31 取付部
21
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005065258A JP2006253278A (en) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | High frequency module |
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---|---|---|---|
JP2005065258A JP2006253278A (en) | 2005-03-09 | 2005-03-09 | High frequency module |
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JP2006253278A true JP2006253278A (en) | 2006-09-21 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011035058A (en) * | 2009-07-30 | 2011-02-17 | Sharp Corp | High frequency module, and printed circuit board with high frequency module mounted thereon |
WO2013073051A1 (en) * | 2011-11-18 | 2013-05-23 | トヨタ自動車株式会社 | Power transmitting apparatus, power receiving apparatus, and power transmitting system |
-
2005
- 2005-03-09 JP JP2005065258A patent/JP2006253278A/en active Pending
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