JP2006253254A - Membrane ring with bump and its manufacturing method, and contact board and its manufacturing method - Google Patents

Membrane ring with bump and its manufacturing method, and contact board and its manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
JP2006253254A
JP2006253254A JP2005064916A JP2005064916A JP2006253254A JP 2006253254 A JP2006253254 A JP 2006253254A JP 2005064916 A JP2005064916 A JP 2005064916A JP 2005064916 A JP2005064916 A JP 2005064916A JP 2006253254 A JP2006253254 A JP 2006253254A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
alignment
pad
hole
membrane
bump
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005064916A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP4827077B2 (en
Inventor
Hideki Sawada
秀樹 澤田
Osamu Sugihara
理 杉原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hoya Corp
Original Assignee
Hoya Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hoya Corp filed Critical Hoya Corp
Priority to JP2005064916A priority Critical patent/JP4827077B2/en
Publication of JP2006253254A publication Critical patent/JP2006253254A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4827077B2 publication Critical patent/JP4827077B2/en
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Landscapes

  • Measuring Leads Or Probes (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To accurately align an anisotropic conductive rubber sheet and a membrane ring with a bump with each other. <P>SOLUTION: The membrane with a bump comprises a membrane 20 wherein a hole 24 is formed for alignment whose relative position is already known with respect to a bump hole, an isolated pad to be brought into contact with the anisotropic conductive rubber sheet, a pad 28 for alignment whose relative position with respect to the isolated pad is already known, and a bump to be brought into contact with a semiconductor device. The hole 24 for alignment and the pad 28 for alignment are aligned with respect to an alignment 44 formed in the anisotropic conductive rubber sheet. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、バンプ付きメンブレンリング、コンタクトボード、バンプ付きメンブレンリングの製造方法、及びコンタクトボードの製造方法に関する。   The present invention relates to a membrane ring with bumps, a contact board, a method for manufacturing a membrane ring with bumps, and a method for manufacturing a contact board.

近年、ウェハ状態で各種検査を行う方法が提案されている。この場合、ウェハ製造工程で製造されたウェハは、プローブカード検査、バーンイン検査、及びファイナル検査を受け、ファイナル検査後、ウェハはカットされる。前述した検査のうち、プローブカード検査は、一般に、1チップから64チップマルチ測定までであったが、ウェハ一括プローブ検査用ボードを用いたウェハ全面一括検査も提案されている。また、バーンイン検査は、高温加速テストを行う検査であり、従来、バンプ付きメンブレンリングを用いたバーンインボードが知られている(例えば、特許文献1参照。)。このバーンインボードは、半導体ウェハ全面に一括コンタクトするためのプローブであり、配線基板、異方性導電性ゴムシート、及びバンプ付きメンブレンリングの3つの部材を重ね合わせた構造をしている。組み立て時には、配線基板上に異方性導電性ゴムシートを重ねて、更に異方性導電性ゴムシート上にバンプ付きメンブレンリングを重ねてこれらを一体化させる。
特開2000−39450号公報
In recent years, methods for performing various inspections in a wafer state have been proposed. In this case, the wafer manufactured in the wafer manufacturing process undergoes probe card inspection, burn-in inspection, and final inspection, and the wafer is cut after the final inspection. Of the above-described inspections, probe card inspection is generally from 1 chip to 64 chip multi-measurement, but wafer whole surface batch inspection using a wafer batch probe inspection board has also been proposed. The burn-in inspection is an inspection for performing a high-temperature acceleration test, and conventionally, a burn-in board using a membrane ring with bumps is known (for example, refer to Patent Document 1). This burn-in board is a probe for collectively contacting the entire surface of a semiconductor wafer, and has a structure in which three members of a wiring board, an anisotropic conductive rubber sheet, and a membrane ring with bumps are overlapped. At the time of assembly, an anisotropic conductive rubber sheet is stacked on the wiring substrate, and a membrane ring with bumps is stacked on the anisotropic conductive rubber sheet to integrate them.
JP 2000-39450 A

バーインボードを構成する各部材には、測定対象のウェハのパッドに対応する位置に電極又はパッドが設けられている。バーンインボードを組み立てる際には、各部材の電極又はパッド同士が接触・導通し、かつ隣接する電極又はパッドとはショートしないように、正確にアライメントして重ね合わせる必要がある。特に、異方性導電性ゴムシートと、バンプ付きメンブレンリングとの重ね合わせにおいては、異方性導電性ゴムシートの電極部と、バンプ付きメンブレンリングの孤立パッドとの重なり面積ができるだけ大きくなり、かつ電極部及び孤立パッドのお互いの中心ができるだけ近くなるようにする必要がある。   Each member constituting the burn-in board is provided with an electrode or a pad at a position corresponding to the pad of the wafer to be measured. When assembling the burn-in board, it is necessary to accurately align and superimpose so that the electrodes or pads of each member are in contact with each other and do not short-circuit with adjacent electrodes or pads. In particular, in the overlapping of the anisotropic conductive rubber sheet and the membrane ring with bumps, the overlapping area between the electrode part of the anisotropic conductive rubber sheet and the isolated pad of the membrane ring with bumps becomes as large as possible, In addition, it is necessary to make the centers of the electrode part and the isolated pad as close as possible.

しかしながら、異方性導電性ゴムシートの電極部、孤立パッド、及びバンプには、それぞれ位置精度ばらつきがある。そのため、それぞれの中心を完全に一致させるのは困難である。従って、組み立て時には、よりよい位置を探しながら、異方性導電性ゴムシートにバンプ付きメンブレンリングを重ねることになる。その際、異方性導電性ゴムシートの電極部から孤立パッド及びバンプがそれぞれどの程度ずれているかを確認できなければならない。   However, there is variation in positional accuracy between the electrode portion, the isolated pad, and the bump of the anisotropic conductive rubber sheet. Therefore, it is difficult to make each center completely coincide. Therefore, when assembling, the membrane ring with bumps is stacked on the anisotropic conductive rubber sheet while searching for a better position. At that time, it must be possible to confirm how much the isolated pad and the bump are displaced from the electrode portion of the anisotropic conductive rubber sheet.

従来、この重ね合わせにおいては、例えば、バンプ付きメンブレンリングのメンブレンを透過して見える異方性導電性ゴムシートの電極部に対して、孤立パッドそのものを合わせ込んでいた。しかし、このように位置合わせを行った場合、アライメント時の目線方向に対して、異方性導電性ゴムシートの電極部は、孤立パッドにより覆い隠されてしまう。そのため、従来、異方性導電性ゴムシートの電極部の位置確認が困難になる場合があった。また、バンプ付きメンブレンリングの構造上、バンプの裏面には必ず孤立パッドがあるため、バンプのズレ量を確認することはほとんどできない状態であった。   Conventionally, in this superposition, for example, the isolated pad itself is aligned with the electrode portion of the anisotropic conductive rubber sheet that is seen through the membrane of the membrane ring with bumps. However, when alignment is performed in this way, the electrode portion of the anisotropic conductive rubber sheet is covered with the isolated pad with respect to the direction of the line of sight at the time of alignment. Therefore, conventionally, it may be difficult to confirm the position of the electrode portion of the anisotropic conductive rubber sheet. Also, because of the structure of the membrane ring with bumps, there is always an isolated pad on the back side of the bumps, so it was almost impossible to confirm the amount of deviation of the bumps.

そこで、本発明は、上記の課題を解決できる、バンプ付きメンブレンリング、コンタクトボード、バンプ付きメンブレンリングの製造方法、及びコンタクトボードの製造方法を提供することを目的とする。   Then, an object of this invention is to provide the membrane ring with a bump, contact board, the manufacturing method of a membrane ring with a bump, and the manufacturing method of a contact board which can solve said subject.

上記の課題を解決するために、本発明は、以下の構成を有する。
(構成1)ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの電気的試験を行うために使用されるコンタクトボードにおけるコンタクト部分を受け持つバンプ付きメンブレンリングであって、バンプホールと、バンプホールに対する相対位置が既知のアライメント用ホールとが貫通して形成されたメンブレンと、主面と垂直な方向に導電性を有する導電部材と接触させるための孤立パッドであって、メンブレンの一方の面におけるバンプホールの位置に形成された孤立パッドと、メンブレンの一方の面において、アライメント用ホールを囲むように形成された、孤立パッドに対する相対位置が既知のアライメント用パッドと、バンプホールを介して孤立パッドと接続された状態で、メンブレンにおける孤立パッドと反対側の面に形成された、半導体デバイスに接触させるバンプとを備え、アライメント用ホール及びアライメント用パッドは、導電部材に形成されたアライメント部に対して位置合わせされる。コンタクトボードは、例えばウェハ一括コンタクトボードである。
In order to solve the above problems, the present invention has the following configuration.
(Configuration 1) A membrane ring with bumps for handling a contact portion in a contact board used for conducting an electrical test of a large number of semiconductor devices formed on a wafer, and the relative positions of the bump holes and the bump holes are known. This is an isolated pad for contacting a membrane formed through the alignment hole and a conductive member having conductivity in a direction perpendicular to the main surface, at the position of the bump hole on one surface of the membrane. The isolated pad formed on one side of the membrane and surrounding the alignment hole, the alignment pad having a known relative position with respect to the isolated pad, and the state connected to the isolated pad via the bump hole The semiconductor formed on the opposite side of the membrane from the isolated pad And a bump is brought into contact with the device, the alignment holes and alignment pad is aligned to the alignment portion formed on the conductive member. The contact board is, for example, a wafer batch contact board.

このように構成すれば、アライメント用ホール及びアライメント用パッドの位置と、導電部材のアライメント部の位置とを合わせることにより、バンプ付きメンブレンシート上の孤立パッド及びバンプの位置と、導電部材の電極部の位置とを適切に合わせることができる。また、導電部材の電極部からバンプ付きメンブレンシート上の孤立パッド及びバンプがそれぞれどれくらいずれているかを同時に確認できる。そのため、導電部材と、バンプ付きメンブレンリングとを、高い精度で重ね合わせることができる。また、これにより、組み立て精度の向上と作業の効率化を実現できる。尚、バンプは、アライメント用ホールの位置には形成されない。アライメント用パッドは、他の導体と接触しないダミーのパッドであってよい。   If comprised in this way, the position of the isolation pad and bump on a membrane sheet with a bump, and the electrode part of an electroconductive member by matching the position of the alignment hole and the pad for alignment, and the position of the alignment part of an electroconductive member The position of can be adjusted appropriately. In addition, it is possible to simultaneously check how many isolated pads and bumps on the membrane sheet with bumps are present from the electrode portion of the conductive member. Therefore, the conductive member and the membrane ring with bumps can be superimposed with high accuracy. This also makes it possible to improve assembly accuracy and increase work efficiency. The bump is not formed at the position of the alignment hole. The alignment pad may be a dummy pad that does not contact other conductors.

(構成2)導電部材は、孤立パッドに接触させるための電極部であって、孤立パッドに対応する位置において、孤立パッドに向かって突出する電極部と、電極部に対する相対位置が既知のアライメント部とを備え、アライメント用ホールは、導電部材のアライメント部に対して、互いの中心が重なるように位置合わせされ、アライメント用パッドは、間に隙間を空けてアライメント用ホールを囲むように形成されており、アライメント用パッドのアライメント用ホール側の縁部は、導電部材のアライメント部の外縁に対して位置合わせされる。このように構成すれば、位置合わせのためにバンプ付きメンブレンリングと導電部材とを重ねた場合に、導電部材のアライメント部がアライメント用パッドにより覆い隠されるのを防ぐことができる。   (Configuration 2) The conductive member is an electrode portion for contacting the isolated pad, and an electrode portion protruding toward the isolated pad at a position corresponding to the isolated pad and an alignment portion whose relative position with respect to the electrode portion is known The alignment hole is aligned with the alignment portion of the conductive member so that the centers thereof overlap each other, and the alignment pad is formed so as to surround the alignment hole with a gap therebetween. The edge of the alignment pad on the alignment hole side is aligned with the outer edge of the alignment portion of the conductive member. If comprised in this way, when the membrane ring with a bump and a conductive member are piled up for position alignment, it can prevent that the alignment part of a conductive member is covered with the pad for alignment.

(構成3)ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの電気的試験を行うために使用されるコンタクトボードであって、構成1から3のいずれかに記載のバンプ付きメンブレンリングと、バンプ付きメンブレンリングと重ねられた、主面と垂直な方向に導電性を有する導電部材と、導電部材を挟んでバンプ付きメンブレンリングと対向するように、導電部材と重ねられた配線基板とを備える。このように構成すれば、構成1と同様の効果を得ることができる。   (Configuration 3) A contact board used for conducting an electrical test of a plurality of semiconductor devices formed on a wafer, the bumped membrane ring according to any one of Configurations 1 to 3, and the bumped membrane ring A conductive member having conductivity in a direction perpendicular to the main surface, and a wiring substrate superimposed on the conductive member so as to face the membrane ring with bumps across the conductive member. If comprised in this way, the effect similar to the structure 1 can be acquired.

(構成4)ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの電気的試験を行うために使用されるコンタクトボードにおけるコンタクト部分を受け持つバンプ付きメンブレンリングの製造方法であって、一方の面に金属層が形成されたメンブレンを準備し、バンプホールと、バンプホールを基準に位置設定されたアライメント用ホールとを、メンブレンを貫通させて形成し、メンブレンにおける金属層が形成されていない面のバンプホールの位置に、半導体デバイスに接触させるバンプを、バンプホールを介して金属層と接続するように形成し、金属層をパターニングすることにより、主面と垂直な方向に導電性を有する導電部材と接触させるための孤立パッドをバンプホールの位置に形成し、かつ孤立パッドを基準に位置設定されたアライメント用パッドをアライメント用ホールを囲む位置に形成する。このようにすれば、構成1と同様の効果を得ることができる。   (Configuration 4) A method of manufacturing a membrane ring with bumps that handles a contact portion of a contact board used for conducting an electrical test of a semiconductor device formed on a wafer, and a metal layer is formed on one surface The membrane is prepared, and a bump hole and an alignment hole positioned with reference to the bump hole are formed by penetrating the membrane. At the bump hole position on the surface of the membrane where the metal layer is not formed The bump for contacting the semiconductor device is formed so as to be connected to the metal layer through the bump hole, and the metal layer is patterned to contact the conductive member having conductivity in the direction perpendicular to the main surface. An isolated pad is formed at the position of the bump hole, and the alignment is set with reference to the isolated pad. Forming a pad on the position surrounding the alignment holes. In this way, the same effect as in Configuration 1 can be obtained.

(構成5)バンプホールとアライメント用ホールとを、同じ座標系を用いて設定した位置にそれぞれ形成し、孤立パッドとアライメント用パッドとを、同じ座標系を用いて設定した位置にそれぞれ形成する。このようにすれば、バンプホールに対するアライメント用ホールの相対位置、及び孤立パッドに対するアライメント用パッドの相対位置を適切に設定できる。   (Configuration 5) Bump holes and alignment holes are formed at positions set using the same coordinate system, and isolated pads and alignment pads are formed at positions set using the same coordinate system. In this way, the relative position of the alignment hole with respect to the bump hole and the relative position of the alignment pad with respect to the isolated pad can be appropriately set.

(構成6)ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの電気的試験を行うために使用されるコンタクトボードの製造方法であって、位置合わせ用のアライメント部が形成された、主面と垂直な方向に導電性を有する導電部材と、配線基板とを準備し、構成4又は5に記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法により、バンプ付きメンブレンリングを製造し、導電部材を配線基板上に重ね、アライメント用ホール及びアライメント用パッドを導電部材のアライメント部に対して位置合わせして、導電部材上にバンプ付きメンブレンリングを更に重ねる。このようにすれば、構成4又は5と同様の効果を得ることができる。   (Configuration 6) A method of manufacturing a contact board used for conducting an electrical test of a plurality of semiconductor devices formed on a wafer, the direction perpendicular to the main surface in which an alignment portion for alignment is formed A conductive member having electrical conductivity and a wiring board are prepared, and a membrane ring with bumps is manufactured by the method for manufacturing a membrane ring with bumps according to Configuration 4 or 5, and the conductive members are stacked on the wiring board, and alignment is performed. The hole for alignment and the alignment pad are aligned with the alignment portion of the conductive member, and the membrane ring with bumps is further stacked on the conductive member. In this way, the same effects as those of Configuration 4 or 5 can be obtained.

本発明によれば、導電部材と、バンプ付きメンブレンリングとを、高い精度で重ね合わせることができる。   According to the present invention, the conductive member and the membrane ring with bumps can be overlapped with high accuracy.

以下、本発明に係る実施形態を、図面を参照しながら説明する。
図1は、本発明の一実施形態に係るバーンインボード10の構成の一例を示す。図1(a)は、バーンインボード10の各部材の重なり方を示す断面図である。バーンインボード10は、ウエハ上に多数形成された半導体デバイスのバーンイン試験を一括して行うために使用されるウェハ検査用プローブであり、メンブレンリング(バンプ付きメンブレンリング)12、導電部材の一例である異方性導電ゴムシート14、及び配線基板16を備える。尚、バーンインボード10は、コンタクトボードの一例である。バーンイン試験は、電気的試験の一例である。
Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows an example of the configuration of a burn-in board 10 according to an embodiment of the present invention. FIG. 1A is a cross-sectional view showing how the members of the burn-in board 10 overlap. The burn-in board 10 is a wafer inspection probe that is used to perform a burn-in test on a large number of semiconductor devices formed on a wafer, and is an example of a membrane ring (membrane ring with bumps) 12 and a conductive member. An anisotropic conductive rubber sheet 14 and a wiring board 16 are provided. The burn-in board 10 is an example of a contact board. The burn-in test is an example of an electrical test.

メンブレンリング12は、バーンインボード10においてコンタクト部分を受け持つ部材であり、メンブレン20と、それぞれ複数のバンプ30、孤立パッド26、及びアライメント用パッド28とを有する。   The membrane ring 12 is a member that takes charge of the contact portion in the burn-in board 10, and includes a membrane 20 and a plurality of bumps 30, isolated pads 26, and alignment pads 28.

メンブレン20は、裏側が透けて見える透光性の薄膜であり、ポリイミドフィルム等により形成されている。メンブレン20には、それぞれ複数のバンプホール22及びアライメント用ホール24が形成されている。バンプホール22は、バンプ30の形成に用いられる貫通孔であり、測定対象のウェハ上の半導体デバイスの各パッドに対応する位置に形成されている。アライメント用ホール24は、メンブレンリング12と異方性導電ゴムシート14との間の位置合わせの基準となる貫通孔であり、バンプホール22に対する相対位置が既知の所定位置に形成されている。   The membrane 20 is a light-transmitting thin film that can be seen through the back side, and is formed of a polyimide film or the like. A plurality of bump holes 22 and alignment holes 24 are formed in the membrane 20. The bump hole 22 is a through hole used for forming the bump 30, and is formed at a position corresponding to each pad of the semiconductor device on the wafer to be measured. The alignment hole 24 is a through hole that serves as a reference for alignment between the membrane ring 12 and the anisotropic conductive rubber sheet 14, and is formed at a predetermined position with a relative position to the bump hole 22.

バンプ30は、半導体デバイスのパッドに接触させる端子であり、各バンプホール22の位置に形成されている。また、本例において、バンプ30は、バンプホール22を介して、メンブレン20の反対側に形成された孤立パッド26と接続している。   The bumps 30 are terminals that are brought into contact with the pads of the semiconductor device, and are formed at the positions of the respective bump holes 22. In this example, the bump 30 is connected to an isolated pad 26 formed on the opposite side of the membrane 20 via the bump hole 22.

孤立パッド26は、異方性導電ゴムシート14と接触させるための端子であり、メンブレン20の異方性導電ゴムシート14側の面において、各バンプホール22の位置に形成されている。アライメント用パッド28は、メンブレンリング12と異方性導電ゴムシート14との間の位置合わせの基準となるダミーパッドであり、メンブレン20の異方性導電ゴムシート14側の面において、アライメント用ホール24を囲むように、孤立パッドに対する相対位置が既知の所定位置に形成される。   The isolated pad 26 is a terminal for making contact with the anisotropic conductive rubber sheet 14, and is formed at the position of each bump hole 22 on the surface of the membrane 20 on the anisotropic conductive rubber sheet 14 side. The alignment pad 28 is a dummy pad that serves as a reference for alignment between the membrane ring 12 and the anisotropic conductive rubber sheet 14. An alignment hole is formed on the surface of the membrane 20 on the anisotropic conductive rubber sheet 14 side. 24, a relative position with respect to the isolated pad is formed at a known predetermined position.

異方性導電ゴムシート14は、メンブレンリング12と配線基板16とを接続するためのシート状接続部品であり、それぞれ複数の電極部42及びアライメント部44を有する。異方性導電ゴムシート14は、主面と垂直な方向に導電性を有しており、例えば、電極部42に対応する部分に金属粒子が埋め込まれたシリコン樹脂により形成される。   The anisotropic conductive rubber sheet 14 is a sheet-like connecting component for connecting the membrane ring 12 and the wiring board 16, and has a plurality of electrode portions 42 and alignment portions 44. The anisotropic conductive rubber sheet 14 has conductivity in a direction perpendicular to the main surface, and is formed of, for example, a silicon resin in which metal particles are embedded in a portion corresponding to the electrode portion 42.

電極部42は、メンブレンリング12の孤立パッド26、及び配線基板16に接触させるための端子であり、各孤立パッド26に対応する位置に、孤立パッド26及び配線基板16に向かって上下に突出するように形成されている。尚、本例において、電極部42の接点部の面積は、孤立パッド26の接点部の面積より小さい。接点部とは、例えば、相手方のパッド又は電極部に対向する面である。このように構成すれば、金属等と比べて高抵抗の電極部42に対して、十分な接触面積を確保することができる。   The electrode part 42 is a terminal for contacting the isolated pad 26 of the membrane ring 12 and the wiring board 16, and protrudes up and down toward the isolated pad 26 and the wiring board 16 at a position corresponding to each isolated pad 26. It is formed as follows. In this example, the area of the contact portion of the electrode portion 42 is smaller than the area of the contact portion of the isolated pad 26. A contact part is a surface which opposes the other party's pad or electrode part, for example. If comprised in this way, sufficient contact area can be ensured with respect to the electrode part 42 of high resistance compared with a metal etc.

アライメント部44は、メンブレンリング12と異方性導電ゴムシート14との間の位置合わせの基準となる凸状部分である。アライメント部44は、メンブレンリング12と異方性導電ゴムシート14とを重ねた場合にアライメント用ホール24及びアライメント用パッド28と対向するように、電極部42に対する相対位置が既知の所定位置に形成されている。   The alignment portion 44 is a convex portion serving as a reference for alignment between the membrane ring 12 and the anisotropic conductive rubber sheet 14. The alignment portion 44 is formed at a known predetermined position relative to the electrode portion 42 so as to face the alignment hole 24 and the alignment pad 28 when the membrane ring 12 and the anisotropic conductive rubber sheet 14 are overlapped. Has been.

配線基板16は、異方性導電ゴムシート14を挟んでメンブレンリング12と対向する多層配線基板である。配線基板16には、異方性導電ゴムシート14の電極部42に対応する位置に、複数の基板電極46が形成されている。   The wiring board 16 is a multilayer wiring board facing the membrane ring 12 with the anisotropic conductive rubber sheet 14 interposed therebetween. A plurality of substrate electrodes 46 are formed on the wiring substrate 16 at positions corresponding to the electrode portions 42 of the anisotropic conductive rubber sheet 14.

ここで、バーンインボード10の組み立てにおいて、メンブレンリング12、異方性導電ゴムシート14、及び配線基板16は、例えば、バンプ30が上向きになる向きで重ね合わされる。この場合、組み立て作業者の目線方向は、図中の矢印のようになる。   Here, in assembling the burn-in board 10, the membrane ring 12, the anisotropic conductive rubber sheet 14, and the wiring substrate 16 are overlaid with the bumps 30 facing upward, for example. In this case, the direction of the line of sight of the assembly operator is as shown by the arrow in the figure.

そのため、例えばバンプ30、孤立パッド26、及び電極部42の位置を直接に合わせようとすると、例えば電極部42が孤立パッド26により隠されてしまい、電極部42の位置の確認が困難になる。そのため、このような方法では、十分な精度で位置合わせができないおそれがある。   Therefore, for example, if the positions of the bumps 30, the isolated pads 26, and the electrode portions 42 are directly aligned, for example, the electrode portions 42 are hidden by the isolated pads 26, making it difficult to confirm the positions of the electrode portions 42. Therefore, with such a method, there is a possibility that alignment cannot be performed with sufficient accuracy.

これに対し、本例においては、アライメント用ホール24及びアライメント用パッド28を、異方性導電ゴムシート14のアライメント部44に対して位置合わせする。この場合、アライメント用ホール24にはバンプ30が形成されていないため、アライメント用ホール24を介して、アライメント部44の位置を適切に確認できる。また、アライメント用パッド28は、アライメント用ホール24を囲むように形成されており、アライメント用ホール24と重ならないため、アライメント部44を隠すこともない。そのため、本例によれば、メンブレンリング12と異方性導電ゴムシート14とを適切に位置合わせできる。   On the other hand, in this example, the alignment hole 24 and the alignment pad 28 are aligned with the alignment portion 44 of the anisotropic conductive rubber sheet 14. In this case, since the bump 30 is not formed in the alignment hole 24, the position of the alignment portion 44 can be appropriately confirmed through the alignment hole 24. The alignment pad 28 is formed so as to surround the alignment hole 24 and does not overlap the alignment hole 24, so that the alignment portion 44 is not hidden. Therefore, according to this example, the membrane ring 12 and the anisotropic conductive rubber sheet 14 can be appropriately aligned.

図1(b)は、アライメント用ホール24及びアライメント用パッド28を形成する位置の一例を示す。尚、本例において、メンブレン20は、円形のリング32に張り渡されている。   FIG. 1B shows an example of a position where the alignment hole 24 and the alignment pad 28 are formed. In this example, the membrane 20 is stretched around a circular ring 32.

アライメント用ホール24及びアライメント用パッド28は、例えば、リング32付近の外周部8箇所の位置102に形成される。異方性導電ゴムシート14におけるアライメント部44は、各位置102に対応する位置に形成される。このように構成すれば、位置合わせを適切に行うことができる。尚、組み立て作業者は、8箇所のうちの一部の位置102に形成されたアライメント用ホール24及びアライメント用パッド28を用いて、位置合わせをおこなってもよい。   The alignment hole 24 and the alignment pad 28 are formed, for example, at eight positions 102 in the outer periphery near the ring 32. The alignment portion 44 in the anisotropic conductive rubber sheet 14 is formed at a position corresponding to each position 102. If comprised in this way, position alignment can be performed appropriately. The assembly operator may perform alignment using the alignment holes 24 and the alignment pads 28 formed at some positions 102 of the eight locations.

図2は、アライメント用ホール24、アライメント用パッド28、及びアライメント部44の詳細な構成の一例を示す。尚、本例において、異方性導電ゴムシート14のアライメント部44は、円筒形であり、電極部42に対する位置ズレなく形成されている。電極部42及びアライメント部44は、例えば、同一の工程において、同時に形成される。   FIG. 2 shows an example of detailed configurations of the alignment hole 24, the alignment pad 28, and the alignment unit 44. In this example, the alignment portion 44 of the anisotropic conductive rubber sheet 14 has a cylindrical shape and is formed with no positional deviation with respect to the electrode portion 42. The electrode part 42 and the alignment part 44 are formed simultaneously in the same process, for example.

アライメント用ホール24は、丸いレーザ穴であり、バンプホール22(図1参照)と同じ方法で形成される。本例において、バンプホール22及びアライメント用ホール24は、同じ座標系を用いて設定された位置にそれぞれ、同一の工程において一連の作業で形成される。この場合、バンプ30が形成されるバンプホール22と同時にアライメント用ホール24が加工されるため、アライメント用ホール24は、バンプ30に対する位置ズレなく形成される。   The alignment hole 24 is a round laser hole and is formed by the same method as the bump hole 22 (see FIG. 1). In this example, the bump hole 22 and the alignment hole 24 are formed in a series of operations in the same process, respectively, at positions set using the same coordinate system. In this case, since the alignment hole 24 is processed at the same time as the bump hole 22 in which the bump 30 is formed, the alignment hole 24 is formed without positional deviation with respect to the bump 30.

このように形成されたアライメント用ホール24は、異方性導電ゴムシート14のアライメント部44に対して、互いの中心が重なるように位置合わせされる。これにより、バンプ30と異方性導電ゴムシート14の電極部42(図1参照)とを適切に位置合わせできる。   The alignment holes 24 thus formed are aligned with the alignment portion 44 of the anisotropic conductive rubber sheet 14 so that their centers overlap each other. Thereby, the bump 30 and the electrode part 42 (refer FIG. 1) of the anisotropic conductive rubber sheet 14 can be aligned appropriately.

アライメント用パッド28は、孤立パッド26(図1参照)と同じ金属層により形成されたダミーパッドである。本例において、アライメント用パッド28及び孤立パッド26は、例えばフォトリソグラフィプロセスで同時にパターニングされることにより、同じ座標系を用いて設定された位置にそれぞれ形成される。そのため、アライメント用パッド28は、孤立パッド26に対する位置ズレなく形成される。   The alignment pad 28 is a dummy pad formed of the same metal layer as the isolated pad 26 (see FIG. 1). In this example, the alignment pad 28 and the isolated pad 26 are respectively formed at positions set using the same coordinate system by patterning at the same time, for example, by a photolithography process. For this reason, the alignment pad 28 is formed without misalignment with respect to the isolated pad 26.

また、本例においては、アライメント用ホール24は、複数のアライメント用パッド28により囲まれている。複数のアライメント用パッド28は、互いに離間しつつアライメント用ホール24の周囲に並ぶ。それぞれのアライメント用パッド28は、アライメント用ホール24を中心とする扇形から、アライメント部44と重なる部分を除いた形状をしており、アライメント部44に対応する隙間を間に空けて、アライメント用ホール24を囲んでいる。このように構成すれば、パターニングにおいて、アライメント用ホール24を覆う部分に金属層が残るのを防ぐことができる。そのため、アライメント用パッド28のパターニングを高い精度で行うことができる。   In this example, the alignment hole 24 is surrounded by a plurality of alignment pads 28. The plurality of alignment pads 28 are arranged around the alignment hole 24 while being separated from each other. Each alignment pad 28 has a shape in which a portion overlapping the alignment portion 44 is removed from the fan shape centered on the alignment hole 24, and a gap corresponding to the alignment portion 44 is provided between the alignment pads 44. 24 is surrounded. If comprised in this way, it can prevent that a metal layer remains in the part which covers the hole 24 for alignment in patterning. Therefore, the alignment pad 28 can be patterned with high accuracy.

このように形成されたアライメント用パッド28は、アライメント用ホール24側の縁部をアライメント部44の外縁に合わせるようにして、アライメント部44に対して位置合わせされる。これにより、孤立パッド26と異方性導電ゴムシート14の電極部42とを適切に位置合わせできる。また、アライメント用パッド28によりアライメント部44が覆い隠されてしまうのを防ぐことができる。   The alignment pad 28 thus formed is aligned with the alignment portion 44 so that the edge portion on the alignment hole 24 side is aligned with the outer edge of the alignment portion 44. Thereby, the isolated pad 26 and the electrode part 42 of the anisotropic conductive rubber sheet 14 can be appropriately aligned. Further, it is possible to prevent the alignment portion 44 from being obscured by the alignment pad 28.

以上のように、本例によれば、アライメント部44に対してアライメント用ホール24及びアライメント用パッド28を同時に合わせることができるため、電極部42に対してバンプ30及び孤立パッド26がそれぞれどれくらいずれているかを、同時に確認できる。そのため、メンブレンリング12と異方性導電ゴムシート14との位置あわせを高い精度で行うことができる。また、これにより、組み立て精度の向上と作業の効率化を実現できる。   As described above, according to this example, since the alignment hole 24 and the alignment pad 28 can be simultaneously aligned with the alignment portion 44, how much each of the bump 30 and the isolated pad 26 with respect to the electrode portion 42 is provided. At the same time. Therefore, alignment of the membrane ring 12 and the anisotropic conductive rubber sheet 14 can be performed with high accuracy. In addition, this makes it possible to improve assembly accuracy and increase work efficiency.

尚、図2は、説明を簡単にするため、アライメント用ホール24、アライメント用パッド28、及びアライメント部44がきれいにそれっている場合を示している。しかし、実際の製品においては、それぞれの位置が多少ずれているのが普通であり、そのような場合にこそ、本発明が特に有効である。   FIG. 2 shows a case where the alignment hole 24, the alignment pad 28, and the alignment portion 44 are neatly deviated for the sake of simplicity. However, in actual products, it is normal that the respective positions are slightly shifted, and in this case, the present invention is particularly effective.

以下、バーンインボード10の製造方法の一例を説明する。尚、以下に説明する以外の条件や工程の細部等は、公知のバーンインボードと同一又は同様であってよい。   Hereinafter, an example of a method for manufacturing the burn-in board 10 will be described. Note that conditions and process details other than those described below may be the same as or similar to those of known burn-in boards.

本例においては、最初に、配線基板16及び異方性導電ゴムシート14を準備する。配線基板16は、例えば、公知の配線基板と同一又は同様の多層配線基板である。異方性導電ゴムシート14は、例えば、所定の位置にアライメント部44が形成されている以外は、公知の異方性導電ゴムシートと同一又は同様の構成を有する。アライメント部44は、電極部42と同時に、電極部42と同じ方法で形成される。尚、アライメント部44と電極部42の形状は、同一であってもよく、異なっていてもよい。   In this example, first, the wiring board 16 and the anisotropic conductive rubber sheet 14 are prepared. The wiring board 16 is, for example, a multilayer wiring board that is the same as or similar to a known wiring board. The anisotropic conductive rubber sheet 14 has the same or similar configuration as the known anisotropic conductive rubber sheet except that the alignment portion 44 is formed at a predetermined position, for example. The alignment portion 44 is formed at the same time as the electrode portion 42 at the same time as the electrode portion 42. In addition, the shape of the alignment part 44 and the electrode part 42 may be the same, and may differ.

続いて、メンブレンリング12の製造を行う。メンブレンリング12の製造においては、最初に、一方の面に金属層が形成されたメンブレン20を準備する。メンブレン20は、例えば公知のメンブレンと同一又は同様の構成を有するポリイミドフィルム(例えば厚さ12〜50μm)であり、例えば直径8インチ程度の円形のSiCリングに張り渡されている。メンブレン20に形成された金属層は、例えば厚さ18μm銅箔である。   Subsequently, the membrane ring 12 is manufactured. In the manufacture of the membrane ring 12, first, a membrane 20 having a metal layer formed on one surface is prepared. The membrane 20 is, for example, a polyimide film (for example, a thickness of 12 to 50 μm) having the same or similar configuration as a known membrane, and is stretched around a circular SiC ring having a diameter of about 8 inches, for example. The metal layer formed on the membrane 20 is, for example, a copper foil having a thickness of 18 μm.

次に、エキシマレーザを用いて、例えば直径30μm程度のバンプホール22及びアライメント用ホール24を形成する。同じ工程でバンプホール22及びアライメント用ホール24を形成することにより、アライメント用ホール24は、バンプホール22を基準に位置設定される。   Next, using an excimer laser, for example, bump holes 22 and alignment holes 24 having a diameter of about 30 μm are formed. By forming the bump hole 22 and the alignment hole 24 in the same process, the alignment hole 24 is positioned with respect to the bump hole 22.

次に、メンブレン20上の金属層に電極を接続して電気メッキを行うことにより、金属層が形成されていない面の各バンプホール22の位置にバンプ30を形成する。これにより、バンプ30は、バンプホール22を介して金属層と接続するように形成される。   Next, an electrode is connected to the metal layer on the membrane 20 and electroplating is performed to form bumps 30 at the positions of the respective bump holes 22 on the surface where the metal layer is not formed. Thereby, the bump 30 is formed so as to be connected to the metal layer via the bump hole 22.

尚、この電気メッキは、例えばNiメッキである。この場合、バンプ30は、Niで形成される。電気メッキを行う間、アライメント用ホール24は、レジスト膜等の保護膜で覆われる。そのため、バンプ30は、アライメント用ホール24の位置には形成されない。また、メンブレン20上の金属層における電極との接続部以外の部分も、同様に、保護膜により覆われる。   The electroplating is Ni plating, for example. In this case, the bump 30 is made of Ni. During the electroplating, the alignment hole 24 is covered with a protective film such as a resist film. Therefore, the bump 30 is not formed at the position of the alignment hole 24. Similarly, the portion of the metal layer on the membrane 20 other than the connection portion with the electrode is also covered with the protective film.

次に、メンブレン20上の金属層に対するフォトリソグラフィープロセスにより、孤立パッド26及びアライメント用パッド28を形成する。本例において、孤立パッド26は、各バンプホール22の位置に形成される。アライメント用パッド28は、アライメント用ホール24を囲む位置に形成される。孤立パッド26と同時にパターニングされることにより、アライメント用パッド28は、孤立パッド26を基準に位置設定される。   Next, the isolated pad 26 and the alignment pad 28 are formed by a photolithography process for the metal layer on the membrane 20. In this example, the isolated pad 26 is formed at the position of each bump hole 22. The alignment pad 28 is formed at a position surrounding the alignment hole 24. By patterning simultaneously with the isolated pad 26, the alignment pad 28 is set with reference to the isolated pad 26.

続いて、メンブレンリング12、異方性導電ゴムシート14、及び配線基板16の組み立てを行う。組み立てにおいては、最初に、例えば公知の方法と同様にして、異方性導電ゴムシート14を配線基板16に重ねる。次に、メンブレンリング12におけるアライメント用ホール24及びアライメント用パッド28を、異方性導電ゴムシート14のアライメント部44に対して位置合わせして、異方性導電ゴムシート14上にメンブレンリング12を更に重ねる。このようにすれば、バーンインボード10を適切に製造することができる。   Subsequently, the membrane ring 12, the anisotropic conductive rubber sheet 14, and the wiring board 16 are assembled. In assembly, first, the anisotropic conductive rubber sheet 14 is overlaid on the wiring board 16 in the same manner as in a known method, for example. Next, the alignment hole 24 and the alignment pad 28 in the membrane ring 12 are aligned with the alignment portion 44 of the anisotropic conductive rubber sheet 14, and the membrane ring 12 is placed on the anisotropic conductive rubber sheet 14. Repeat. In this way, the burn-in board 10 can be manufactured appropriately.

以上、本発明をバーンインボードの実施形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は、プローブ検査用ボード等の電気試験を行うコンタクトボードにも適用でき、上記実施形態に記載の範囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。   The present invention has been described using the embodiment of the burn-in board. Is not limited. It will be apparent to those skilled in the art that various modifications or improvements can be added to the above embodiment. It is apparent from the description of the scope of claims that embodiments with such changes or improvements can be included in the technical scope of the present invention.

本発明の一実施形態に係るバーンインボード10の構成の一例を示す図である。 図1(a)は、バーンインボード10の各部材の重なり方を示す断面図である。 図1(b)は、アライメント用ホール24及びアライメント用パッド28を形成する位置102の一例を示す。It is a figure showing an example of composition of burn-in board 10 concerning one embodiment of the present invention. FIG. 1A is a cross-sectional view showing how the members of the burn-in board 10 overlap. FIG. 1B shows an example of a position 102 where the alignment hole 24 and the alignment pad 28 are formed. アライメント用ホール24、アライメント用パッド28、及びアライメント部44の詳細な構成の一例を示す図である。4 is a diagram illustrating an example of detailed configurations of an alignment hole 24, an alignment pad 28, and an alignment unit 44. FIG.

符号の説明Explanation of symbols

10・・・バーンインボード、12・・・メンブレンリング、14・・・異方性導電ゴムシート、16・・・配線基板、20・・・メンブレン、22・・・バンプホール、24・・・アライメント用ホール、26・・・孤立パッド、28・・・アライメント用パッド、30・・・バンプ、32・・・リング、42・・・電極部、44・・・アライメント部、46・・・基板電極、102・・・位置
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Burn-in board, 12 ... Membrane ring, 14 ... Anisotropic conductive rubber sheet, 16 ... Wiring board, 20 ... Membrane, 22 ... Bump hole, 24 ... Alignment Hole, 26 ... isolated pad, 28 ... alignment pad, 30 ... bump, 32 ... ring, 42 ... electrode part, 44 ... alignment part, 46 ... substrate electrode , 102 ... position

Claims (6)

ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの電気的試験を行うために使用されるコンタクトボードにおけるコンタクト部分を受け持つバンプ付きメンブレンリングであって、
バンプホールと、前記バンプホールに対する相対位置が既知のアライメント用ホールとが貫通して形成されたメンブレンと、
主面と垂直な方向に導電性を有する導電部材と接触させるための孤立パッドであって、前記メンブレンの一方の面における前記バンプホールの位置に形成された孤立パッドと、
前記メンブレンの前記一方の面において、前記アライメント用ホールを囲むように形成された、前記孤立パッドに対する相対位置が既知のアライメント用パッドと、
前記バンプホールを介して前記孤立パッドと接続された状態で、前記メンブレンにおける前記孤立パッドと反対側の面に形成された、前記半導体デバイスに接触させるバンプと
を備え、
前記アライメント用ホール及び前記アライメント用パッドは、前記導電部材に形成されたアライメント部に対して位置合わせされることを特徴とするバンプ付きメンブレンリング。
A bumped membrane ring that handles a contact portion in a contact board used for electrical testing of a large number of semiconductor devices formed on a wafer,
A membrane formed by penetrating a bump hole and an alignment hole having a known relative position with respect to the bump hole;
An isolated pad for contacting a conductive member having conductivity in a direction perpendicular to the main surface, the isolated pad formed at the position of the bump hole on one surface of the membrane;
An alignment pad having a known relative position with respect to the isolated pad, which is formed so as to surround the alignment hole, on the one surface of the membrane;
A bump formed on the surface of the membrane opposite to the isolated pad in a state of being connected to the isolated pad through the bump hole, and contacting the semiconductor device;
The membrane ring with bumps, wherein the alignment hole and the alignment pad are aligned with an alignment portion formed on the conductive member.
前記導電部材は、
前記孤立パッドに接触させるための電極部であって、前記孤立パッドに対応する位置において、前記孤立パッドに向かって突出する電極部と、
前記電極部に対する相対位置が既知の前記アライメント部と
を備え、
前記アライメント用ホールは、前記導電部材の前記アライメント部に対して、互いの中心が重なるように位置合わせされ、
前記アライメント用パッドは、間に隙間を空けて前記アライメント用ホールを囲むように形成されており、前記アライメント用パッドの前記アライメント用ホール側の縁部は、前記導電部材の前記アライメント部の外縁に対して位置合わせされることを特徴とする請求項1に記載のバンプ付きメンブレンリング。
The conductive member is
An electrode part for contacting the isolated pad, the electrode part protruding toward the isolated pad at a position corresponding to the isolated pad;
The relative position with respect to the electrode portion is known, and the alignment portion,
The alignment hole is aligned with the alignment portion of the conductive member such that the centers of the alignment holes overlap each other.
The alignment pad is formed so as to surround the alignment hole with a gap in between, and an edge of the alignment pad on the alignment hole side is formed on an outer edge of the alignment portion of the conductive member. The membrane ring with bumps according to claim 1, wherein the membrane ring is aligned with respect to the membrane ring.
ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの電気的試験を行うために使用されるコンタクトボードであって、
請求項1又は2に記載のバンプ付きメンブレンリングと、
前記バンプ付きメンブレンリングと重ねられた、主面と垂直な方向に導電性を有する導電部材と、
前記導電部材を挟んで前記バンプ付きメンブレンリングと対向するように、前記導電部材と重ねられた配線基板と
を備えることを特徴とするコンタクトボード。
A contact board used for electrical testing of a large number of semiconductor devices formed on a wafer,
Bumped membrane ring according to claim 1 or 2,
A conductive member having conductivity in a direction perpendicular to the main surface, superimposed on the membrane ring with bumps,
A contact board comprising: a wiring board superimposed on the conductive member so as to face the membrane ring with bumps across the conductive member.
ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの電気的試験を行うために使用されるコンタクトボードにおけるコンタクト部分を受け持つバンプ付きメンブレンリングの製造方法であって、
一方の面に金属層が形成されたメンブレンを準備し、
バンプホールと、前記バンプホールを基準に位置設定されたアライメント用ホールとを、前記メンブレンを貫通させて形成し、
前記メンブレンにおける前記金属層が形成されていない面の前記バンプホールの位置に、前記半導体デバイスに接触させるバンプを、前記バンプホールを介して前記金属層と接続するように形成し、
前記金属層をパターニングすることにより、主面と垂直な方向に導電性を有する導電部材と接触させるための孤立パッドを前記バンプホールの位置に形成し、かつ前記孤立パッドを基準に位置設定されたアライメント用パッドを前記アライメント用ホールを囲む位置に形成することを特徴とするバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
A method for manufacturing a membrane ring with bumps that handles a contact portion in a contact board used for conducting an electrical test of a plurality of semiconductor devices formed on a wafer,
Prepare a membrane with a metal layer on one side,
A bump hole and an alignment hole positioned with reference to the bump hole are formed through the membrane,
Forming a bump in contact with the semiconductor device at the position of the bump hole on the surface of the membrane where the metal layer is not formed, so as to be connected to the metal layer via the bump hole,
By patterning the metal layer, an isolated pad for contacting a conductive member having conductivity in a direction perpendicular to the main surface is formed at the position of the bump hole, and the position is set with reference to the isolated pad. A method for producing a membrane ring with bumps, wherein an alignment pad is formed at a position surrounding the alignment hole.
前記バンプホールと前記アライメント用ホールとを、同じ座標系を用いて設定した位置にそれぞれ形成し、
前記孤立パッドと前記アライメント用パッドとを、同じ座標系を用いて設定した位置にそれぞれ形成することを特徴とする請求項4に記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法。
The bump hole and the alignment hole are respectively formed at positions set using the same coordinate system,
The method for manufacturing a membrane ring with bumps according to claim 4, wherein the isolated pad and the alignment pad are formed at positions set using the same coordinate system.
ウエハ上に多数形成された半導体デバイスの電気的試験を行うために使用されるコンタクトボードの製造方法であって、
位置合わせ用のアライメント部が形成された、主面と垂直な方向に導電性を有する導電部材と、配線基板とを準備し、
請求項4又は5に記載のバンプ付きメンブレンリングの製造方法により、バンプ付きメンブレンリングを製造し、
前記導電部材を前記配線基板上に重ね、
前記アライメント用ホール及び前記アライメント用パッドを前記導電部材の前記アライメント部に対して位置合わせして、前記導電部材上に前記バンプ付きメンブレンリングを更に重ねることを特徴とするコンタクトボードの製造方法。
A method of manufacturing a contact board used for conducting an electrical test of a plurality of semiconductor devices formed on a wafer,
A conductive member having conductivity in a direction perpendicular to the main surface, on which an alignment portion for alignment is formed, and a wiring board are prepared,
A membrane ring with bumps is manufactured by the method for manufacturing a membrane ring with bumps according to claim 4 or 5,
The conductive member is overlaid on the wiring board,
The contact board manufacturing method, wherein the alignment hole and the alignment pad are aligned with the alignment portion of the conductive member, and the bumped membrane ring is further stacked on the conductive member.
JP2005064916A 2005-03-09 2005-03-09 Membrane ring with bump, contact board, method for manufacturing membrane ring with bump, and method for manufacturing contact board Expired - Fee Related JP4827077B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005064916A JP4827077B2 (en) 2005-03-09 2005-03-09 Membrane ring with bump, contact board, method for manufacturing membrane ring with bump, and method for manufacturing contact board

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005064916A JP4827077B2 (en) 2005-03-09 2005-03-09 Membrane ring with bump, contact board, method for manufacturing membrane ring with bump, and method for manufacturing contact board

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006253254A true JP2006253254A (en) 2006-09-21
JP4827077B2 JP4827077B2 (en) 2011-11-30

Family

ID=37093439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005064916A Expired - Fee Related JP4827077B2 (en) 2005-03-09 2005-03-09 Membrane ring with bump, contact board, method for manufacturing membrane ring with bump, and method for manufacturing contact board

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4827077B2 (en)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189670A (en) * 1993-12-21 1998-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of probe card
JP2001007167A (en) * 1999-06-23 2001-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of substrate for inspection
JP2006138763A (en) * 2004-11-12 2006-06-01 Jsr Corp Probe card and wafer inspection system

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10189670A (en) * 1993-12-21 1998-07-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of probe card
JP2001007167A (en) * 1999-06-23 2001-01-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd Manufacture of substrate for inspection
JP2006138763A (en) * 2004-11-12 2006-06-01 Jsr Corp Probe card and wafer inspection system

Also Published As

Publication number Publication date
JP4827077B2 (en) 2011-11-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI292602B (en)
US8691601B2 (en) Semiconductor device and penetrating electrode testing method
US7616015B2 (en) Wafer type probe card, method for fabricating the same, and semiconductor test apparatus having the same
US7459924B2 (en) Apparatus for providing electrical access to one or more pads of the wafer using a wafer translator and a gasket
US20170169931A1 (en) Pre space transformer, space transformer manufactured using the pre space transformer, and semiconductor device inspecting apparatus including the space transformer
JP2013083635A (en) Probe card and manufacturing method thereof
US20130265073A1 (en) Probe Card And Manufacturing Method Therefor
CN103125151A (en) Method for manufacturing substrate with built-in component, and substrate with built-in component manufactured using the method
US20180286766A1 (en) Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor device, and inspection apparatus for semiconductor device
US8435045B2 (en) Electrical connecting apparatus and method for manufacturing the same
JP4944982B2 (en) Semiconductor wafer inspection method and semiconductor device manufacturing method
JP4827077B2 (en) Membrane ring with bump, contact board, method for manufacturing membrane ring with bump, and method for manufacturing contact board
JPS63252437A (en) Inspection device
KR102536988B1 (en) Probe-head for electrical device inspection
KR20180119096A (en) Method for manufacturing inspection device
JP2012114319A (en) Mother board, inspection method of electronic components, electronic components, manufacturing method of electronic components, and electronic apparatus
US20110175635A1 (en) Probe for electrical test and method for manufacturing the same, and electrical connecting apparatus and method for manufacturing the same
JP4877465B2 (en) Semiconductor device, semiconductor device inspection method, semiconductor wafer
KR20160095392A (en) Space Transformer, Method of Fabricating the Same and Probe Card Including Space Transformer
JP6548963B2 (en) Method of manufacturing probe, probe, probe laminate, probe assembly, and method of manufacturing probe assembly
JP2000164652A (en) Multilayer interconnection board for wafer collective conduct board, connector connecting to it, connection structure for them, and inspecting device
JP5252027B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
KR20120110290A (en) Manufacturing method of single body probe block and apparatus for testing electric signal with the probe block
JP2010019831A (en) Semiconductor device
KR20090110461A (en) Apparatus for inspecting electric condition and Mehtod of manufacturing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080303

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20110228

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110330

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110527

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110907

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110907

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140922

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees