JP2006252697A - 垂直磁気記録素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】外部磁界、ATEやポールイレーズの問題を解消するのに有効な垂直磁気記録素子、この垂直磁気記録素子を用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】記録磁極膜10は、ヨーク部YKと、垂直記録用の主磁極P1とを有し、主磁極P1はヨーク部YKの先端に突出して設けられ、端部が媒体対向面100上にある。
ライトシールド膜13は、ヨーク部YK及びP1主磁極と対向し、媒体対向面100を基準にして後方側に測った高さB2が、記録磁極膜10の高さB1以下である。
【選択図】 図1
【解決手段】記録磁極膜10は、ヨーク部YKと、垂直記録用の主磁極P1とを有し、主磁極P1はヨーク部YKの先端に突出して設けられ、端部が媒体対向面100上にある。
ライトシールド膜13は、ヨーク部YK及びP1主磁極と対向し、媒体対向面100を基準にして後方側に測った高さB2が、記録磁極膜10の高さB1以下である。
【選択図】 図1
Description
本発明は、垂直磁気記録素子、薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置に関する。
垂直磁気記録ヘッドでは、外部磁界、特に磁気記録媒体から回り込む磁界の影響を除去するため、書き込みのための主磁極のほかにライトシールド膜が備えられる。従来は、読取素子に設けられるシールド膜を、ライトシールド膜として兼用していたが、主磁極のためのライトシールド膜を、読取素子のシールド膜から分離して配置する構造がとられている(特許文献1参照)。
しかし、特許文献1に開示されたような磁気シールド構造を採用したとしても、外部磁界、特に磁気記録媒体から回り込んだ磁界の書き込み磁界に対する影響を低減させるのに限界があり、隣接トラック消去(以下、ATEと称する)や、ポールイレーズを発生してしまうという問題点が見られた。なお、ポールイレーズとは、記録磁極によって磁気記録媒体に記録された信号が、記録時以外に消去されてしまう現象を言う。
米国特許第6754049B1号明細書
本発明の課題は、ATEやポールイレーズの問題を解消するのに有効な垂直磁気記録素子、この垂直磁気記録素子を用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することである。
上述した課題を解決するため、本発明に係る垂直磁気記録素子は、記録磁極膜と、ライトシールド膜とを含む。前記記録磁極膜は、ヨーク部の先端部に垂直記録用の主磁極を有し、前記主磁極は端部が媒体対向面上にある。前記ライトシールド膜は、前記記録磁極膜と向き合い、前記媒体対向面を基準にして後方側に測った高さが、前記記録磁極膜の高さ以下である。
上述したように、本発明に係る垂直磁気記録素子において、記録磁極膜は、ヨーク部の先端部に垂直記録用の主磁極を有し、主磁極は端部が媒体対向面上にあるから、書き込み磁界をヨーク部から、主磁極に集中させて、主磁極の端部に垂直書き込みに必要な書き込み磁界を生じさせることができる。また、ライトシールド膜は、記録磁極膜と向き合っているから、主磁極から漏洩し磁気記録媒体に磁気記録を与えた後の磁束を広い範囲で集め、垂直成分の支配する磁気記録を、磁気記録媒体に残すことができる。
上述した作用効果は、この種の垂直磁気記録素子において、一般的に得られるものである。本発明の特徴は、このような一般的な構造に加えて、ライトシールド膜につき、媒体対向面を基準にして後方側に測った高さを、記録磁極膜の高さ以下にしたことにある。このような構造であると、外部からライトシールド膜に侵入する磁束が減少し、ライトシールド膜から記録磁極膜へ伝送される磁束量が減少するから、ATEやポールイレーズの問題を解消することが可能になる。
ライトシールド膜は、後端部が記録磁極膜に接続されていてもよいし、記録磁極膜よりも高さが短く、後端部が記録磁極膜から分離されていてもよい。後者の構造をとる場合は、ライトシールド膜及び記録磁極膜を巡る磁気回路の磁気抵抗が高くなり、ライトシールド膜に仮に外部磁界が入ったとしても、その侵入した外部磁界の書き込み磁界に対する影響を低減させことができる。
ライトシールド膜は、好ましくは、その端部を、微小間隔(ライトギャップ)を隔てて主磁極と対向させる。このような構造であると、主磁極から漏洩した磁束の一部、特に主磁極の膜厚方向に漏洩する磁束を、ライトシールド膜によって吸い取り、主磁極から磁気記録媒体の方向に向かう磁界の勾配を急峻化できる。このため、書き込み能力を向上させることが可能になる。
ライトギャップは、200nm以下、好ましくは、50nm以下に設定する。ライトギャップを、このような微小寸法に設定すると、主磁極から漏洩した磁束の一部、特に主磁極の膜厚方向に漏洩する磁束を、ライトシールド膜によって確実に吸い取り、主磁極から媒体の方向に向かう磁界の勾配を急峻化し、書込み能力を向上させることが可能となる。ライトギャップが200nm以上になると、この作用が不十分になる。
ライトシールド膜は、横幅をA1、高さをB1として、A1>B1を満たすことが好ましい。この構成によれば、ライトシールド膜は、その形状異方性により、記録動作をしていないときは、垂直記録磁界の方向と直交する磁化容易軸の方向に安定に磁化されることになり、ポールイレーズの発生を抑制できる。
本発明に係る垂直磁気記録素子は、当然の構成要件として、コイル膜を含む。コイル膜は、書き込み磁界を生じるように、記録磁極膜に組み合わされる。コイル膜に流れる電流による起磁力を,記録磁極膜に有効に作用させるために、記録磁極膜は、後端部に、その一面から突出する磁性膜を有していることが好ましい。コイル膜は、この突出する磁性膜の周りを周回させる。この場合のコイル膜は、スパイラルパターンとなる。
コイル膜は、スパイラルパターンに限らず、記録磁極膜の周りをヘリカル状に周回するパターンであってもよい。
本発明に係る垂直磁気記録素子は、スライダと組み合わされ薄膜磁気ヘッドを構成する。する。薄膜磁気ヘッドとしては、上述した垂直磁気記録素子とともに、読取素子を含むいわゆる複合型のものが、一般に採用される。
また、薄膜磁気ヘッドは、ヘッド支持装置と組み合わされ、ヘッド.ジンバル.アセンブリ(HGA)などの磁気ヘッド装置を構成する。この磁気ヘッド装置は、更に、磁気ディスクと組み合わされ、磁気記録再生装置(磁気ディスク装置)を構成する。
上述したように、本発明によれば、外部磁界、特に磁気記録媒体から回り込んだ磁界の書き込み磁界に対する影響を低減させ、ATEやポールイレーズの問題を解消するのに有効な垂直磁気記録素子、この垂直磁気記録素子を用いた薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置を提供することができる。
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単なる例示に過ぎない。
1.垂直磁気記録素子及び薄膜磁気ヘッド
図1は本発明に係る垂直磁気記録素子を組み込んだ薄膜磁気ヘッドの断面図、図2は図1に示した薄膜磁気ヘッドの磁気回路を抽出して示す平面図、図3は図2の磁気回路を正面から見た端面図である。図1、図3において、各構成部分の周りを埋める白色表示部分は、例えば、金属酸化物、又は、有機絶縁材料で構成された絶縁膜である。具体的には、Al2O3、SiO2、AlNまたはDLC等の無機絶縁材料、又は、レジスト等によって構成される。
図1は本発明に係る垂直磁気記録素子を組み込んだ薄膜磁気ヘッドの断面図、図2は図1に示した薄膜磁気ヘッドの磁気回路を抽出して示す平面図、図3は図2の磁気回路を正面から見た端面図である。図1、図3において、各構成部分の周りを埋める白色表示部分は、例えば、金属酸化物、又は、有機絶縁材料で構成された絶縁膜である。具体的には、Al2O3、SiO2、AlNまたはDLC等の無機絶縁材料、又は、レジスト等によって構成される。
図示の薄膜磁気ヘッドにおいて、垂直磁気記録素子1は、記録磁極膜10と、ライトシールド膜13とを含む。また、当然の構成として、コイル膜14を含んでいる。更に、図示の実施例では、再生素子3をも含む複合型の薄膜磁気ヘッドとなっている。
記録磁極膜10は、ヨーク部YKと、垂直記録用の主磁極P1とを有する。ヨーク部YKは、第1の磁性膜11と、第2の磁性膜12との積層膜で構成されている。第1の磁性膜11及び第2の磁性膜12の組成及び膜厚等はこれまで提案され、これから提案されることのあるものを適用することができる。例えば、NiFe、CoFe、CoFeN、CoNiFe、FeNまたはFeZrN等の磁性材料から選択することができる。
第1の磁性膜11は、第2の磁性膜12よりも薄くなっていて、先端部が第2の磁性膜12から細く突出し、その突出部分が細く絞り込まれた主磁極P1を構成している。主磁極P1は、先端面が媒体対向面100の面上にある。第2の磁性膜12は、厚い膜厚を有し、主磁極P1に対して十分な磁束を伝送する。記録磁極膜10のヨーク部YKは、この主磁極P1の後方に広く拡がっている。
ライトシールド膜13は、ヨーク部YK及び主磁極P1と対向し、主磁極P1に対しては、その先端面を揃えた上で、200nm以下、好ましくは、50nm以下の微小間隔WGを隔てている。また、ライトシールド膜13は、媒体対向面100を基準にして後方側に測った高さB1が、記録磁極膜10の高さB2以下、つまり、B1≦B2である(図2参照)。図示では、B1<B2となっており、ライトシールド膜13の後方に、高さの差(B2−B1)に起因するギャップΔBが生じている。従って、ライトシールド膜13は、その後方側で、連結部15から、ギャップΔBを隔てて配置される。
また、図2及び図3に図示するように、ライトシールド膜13の幅A1は、好ましくは、記録磁極膜10の幅A2よりも大きく、記録磁極膜10の幅方向両側において、突出している。更に、ライトシールド膜13の形状に関しては、高さB1よりも幅A1のほうが大きいこと、つまり、A1>B1であることが好ましい。
記録磁極膜10の主磁極P1から出た磁束は、広く拡がるライトシールド膜13に集められる。ライトシールド膜13の組成及び膜厚等はこれまで提案され、これから提案されることのあるものを適用することができる。例えば、NiFe、CoFe、CoFeN、CoNiFe、FeNまたはFeZrN等の磁性材料から選択することができる。
コイル膜14は、第2の磁性膜12とライトシールド膜13との間において、連結部15の周りをスパイラル状に回るように配置されている。コイル膜14は、図示のスパイラル状のほか、ライトシールド膜13の周りを周回するヘリカル状など、他の態様、構造をとることもできる。コイル膜14は、一般には、Cu膜で構成される。
再生素子3は、巨大磁気抵抗効果素子(GMR素子)や、強磁性トンネル接合素子によって構成される。再生素子3は第1のリードシールド膜22及び第2のリードシールド膜24の間にある絶縁膜23の内部に配置されている。第1のリードシールド膜22は、スライダ基体21の上に設けられている。また、図示の実施例では、第2のリードシールド膜24と、記録磁極膜10との間に、記録磁極膜10に隣接する磁性膜16が設けられている。第2のリードシールド膜24は300nm程度の非磁性膜を挟み込んだ構造であることが好ましい。
上述したように、垂直磁気記録素子1において、記録磁極膜10は、ヨーク部YKの先端部に垂直記録用の主磁極P1を有し、主磁極P1は端部が媒体対向面100上にあるから、書き込み磁界をヨーク部YKから、主磁極P1に集中させて、主磁極P1の端部に垂直書き込みに必要な書き込み磁界を生じさせることができる。
また、ライトシールド膜13は、記録磁極膜10のヨーク部YK及び主磁極P1と対向するから、主磁極P1から漏洩し磁気記録媒体に磁気記録を与えた後の磁束を、広い範囲で集め、垂直成分の支配する磁気記録を、磁気記録媒体に残すことができる。しかも、ライトシールド膜13の本来のシールド作用により、外部磁界、特に、磁気記録媒体から回り込んだ磁束を吸い取り、書き込み磁界に対する影響を低減させることができる。
上述した作用効果は、この種の垂直磁気記録素子において、一般的に得られるものである。本発明の特徴は、このような一般的な構造に加えて、ライトシールド膜13につき、媒体対向面100を基準にして後方側に測った高さB1を、記録磁極膜10の高さB2以下にしたことにある。このような構造であると、外部からライトシールド膜13に侵入する磁束が減少し、ライトシールド膜13から記録磁極膜10へ伝送される磁束量が減少するから、ATEやポールイレーズの問題を解消することが可能になる。
図示の実施例において、ライトシールド膜13は、媒体対向面100を基準にして、記録磁極膜10の高さB2よりも高さB1が短く、後端部が記録磁極膜10から、ギャップΔBをもって分離されている。この構造によれば、ライトシールド膜13及び記録磁極膜10を巡る磁気回路の磁気抵抗が高くなり、ライトシールド膜13に仮に外部磁界が入ったとしても、その侵入した外部磁界の、書き込み磁界に対する影響を低減させことができる。
ライトシールド膜13は、微小間隔(以下、ライトギャップと称する)WGを隔てて主磁極P1と対向させる。このような構造であると、主磁極P1からライトシールド膜13の方向に漏洩する磁束を、ライトシールド膜13によって吸い取り、主磁極P1から磁気記録媒体の方向に向かう磁界の勾配を急峻化できる。このため、書き込み能力が向上する。
ライトギャップWGは、200nm以下、好ましくは、100nm以下、特に好ましくは50nm以下に設定する。ライトギャップWGを、このような微小寸法に設定すると、主磁極P1から漏洩した磁束の一部、特に主磁極P1の膜厚方向に漏洩する磁束を、ライトシールド膜13によって確実に吸い取り、主磁極P1から媒体の方向に向かう磁界の勾配を急峻化し、ATEやポールイレーズの問題を、確実に解消することが可能になる。ライトギャップWGの下限値は、50nm〜0nmの間の値、例えば、20nm前後が適当である。
本発明の特徴点として挙げた上記構成及びその作用効果については、後で実験データを参照して更に詳しく説明する
更に、ライトシールド膜13の横幅A1、高さB1に関して、A1>B1を満たす構成によれば、ライトシールド膜13の形状異方性により、記録動作をしていないときは、ライトシールド膜13を、垂直記録磁界の方向と直交する磁化容易軸の方向に安定に磁化し、ポールイレーズの発生を抑制できる。
更に、ライトシールド膜13の横幅A1、高さB1に関して、A1>B1を満たす構成によれば、ライトシールド膜13の形状異方性により、記録動作をしていないときは、ライトシールド膜13を、垂直記録磁界の方向と直交する磁化容易軸の方向に安定に磁化し、ポールイレーズの発生を抑制できる。
上述した各構成部分の個別的構造、及び、相対的な配置関係などに関しては、種々の態様をとることができる。以下にその一例を示す。なお、図1〜図3に現れた構成部分に相当する部分については、同一の参照符号を付し、重複説明は省略する。
まず、図4では、図1〜図3において、第2のリードシールド膜24と、記録磁極膜10との間に配置されていた磁性膜16を省略したものを示している。この構造は、記録素子1の磁気回路と、再生素子3に対する磁気シールド回路との磁気的分離を高めるのに有効である。
コイル膜14は、スパイラル巻に変えて、ヘリカル巻にしてもよい。ヘリカル巻の場合、コイル周回部が、記録磁極膜10の周りに限られるので、コイル占有面積を縮小できる利点が得られる。
図5では、主磁極P1を構成する第1の磁性膜11とともに記録磁極膜10を構成する第2の磁性膜12を、ライトシールド膜13の側に配置した例を示している。この構造によれば、第2の磁性膜12の先端から生じる漏洩磁束を、ライトシールド膜13によって吸収できるので、主磁極P1において、更に良好な記録磁界を生成できる。
図6では、ヘリカル巻の構造において、第2のリードシールド膜24と、記録磁極膜10との間に配置されていた磁性膜16を省略したものを示している。この構造は、記録素子1の磁気回路と、再生素子3に対する磁気シールド回路との磁気的分離を高めるのに有効である。
図7の実施例では、図1〜図3に示した構造を基本とし、ライトシールド膜13を平坦化膜に代えた、いわゆるプレナー型の薄膜磁気ヘッドを示している。図示は省略するが、図4〜図6に示した実施例においても、プレナー型とすることができる。
以上の実施例は、何れも、媒体対向面100を基準にして後方側に測ったライトシールド膜13の高さB1が、記録磁極膜10の高さB2よりも小さい場合、つまり、B1<B2である場合を示したが、B1=B2であってもよい。以下にその例を示す。
まず、図8は、図1〜図3に対応する実施例であって、コイル膜14はスパイラル状であり、ライトシールド膜13の後端は、連結部15に連結されており,実質的にB1=B2となっている。
次に、図9は、図4に対応する実施例であって、コイル膜14はスパイラル状であり、ライトシールド膜13の後端は、連結部15に連結されており,実質的にB1=B2となっている。
更に、図10は、図5に対応する実施例であって、コイル膜14はヘリカル状であり、ライトシールド膜13の後端は、連結部15に連結されており,実質的にB1=B2となっている。この場合でも、ライトシールド膜13の後端部を、連結部15よりも更に後方に伸ばしていた従来技術との対比では、ライトシールド膜13から記録磁極膜10への磁束量が減少し、ATEが弱められる。
図11は、図6に対応する実施例であって、コイル膜14はヘリカル状であり、ライトシールド膜13の後端は、連結部15に連結されており,実質的にB1=B2となっている。
図12は、プレナー型の薄膜磁気ヘッドを示している。図示は省略するが、図9〜図11に示した実施例においても、プレナー型とすることができる。
図8〜図12の実施例のいずれにおいても、ライトシールド膜13の後端部を、連結部15よりも更に後方に伸ばしていた従来品との対比では、ライトシールド膜13から記録磁極膜10への磁束量が減少し、ATEが弱められる。
次に、本発明に係る垂直磁気記録素子を有する薄膜磁気ヘッド(本発明品)及び従来の薄膜磁気ヘッド(従来品)の特性について、データを参照して説明する。本発明品及び従来品の何れも、主磁極P1はFeCoNiによって構成し、第1のリードシールド膜22及び第2のリードシールド膜24はNiFeによって構成し、ライトシールド膜13はCoNiFeによって構成した。従来品は、図1〜図3において、ライトシールド膜13の後端部を、連結部15よりも更に後方に伸ばしたものである。
まず、図13はオン・トラックでの信号出力の外部磁界に対する依存性を示すグラフである。縦軸には規格化された信号出力をとり、横軸に外部磁界(Oe)をとってある。曲線L11は、図1〜図3に示した薄膜磁気ヘッドの特性を示し、曲線L12は、従来品の特性を示している。
実験に当たっては、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面に対して垂直方向に外部磁界を印加しながら磁界印加前後の信号強度の変化を測定した。
図13を参照すると、従来品の場合、特性L12に見られるように、外部磁界が100(Oe)を超えるあたりから、信号出力の顕著な低下が見られる。これは、ライトシールド膜の後端部が連結部よりも更に後方に延びているため、外部磁界をより集め易く、それが、信号消去に寄与しているためと推測される。
これに対して、本発明品は、特性L11が示すとおり、外部磁界の変化にも関わらず、一定の信号出力を生じている。つまり、本発明によれば、オン・トラックで、外部磁界の変化にも関わらず、安定した信号出力が得られるのである。図4〜図12に示した薄膜磁気ヘッドにおいても同様の結果が得られたが、データの重なりによる不鮮明さを回避するため、図13への表示は省略した。
図14はATEの外部磁界に対する依存性を示すグラフである。縦軸には規格化された信号出力をとり、横軸に外部磁界(Oe)をとってある。曲線L21は、図1〜図3に示した薄膜磁気ヘッドの特性を示し、曲線L22は従来品の特性を示している。
実験に当たっては、薄膜磁気ヘッドの媒体対向面に対して垂直方向に外部磁界を印加しながら、磁界印加前後の隣接トラックにおける信号強度の変化を測定した。
図14を参照すると、従来品の場合、特性L22に見られるように、外部磁界が50(Oe)を超えるあたりから、信号出力の顕著な低下が見られる。これは、ライトシールド膜の後端部が連結部よりも更に後方に延びているため、外部磁界をより集め易く、それが、ATEを生じさせる要因になっていると推測される。
これに対して、本発明品は、特性L21が示すとおり、外部磁界の変化にも関わらず、一定の信号出力を生じている。つまり、本発明によれば、外部磁界の変化にも関わらず、ATEの増減が殆ど見られないのである。図4〜図12に示した薄膜磁気ヘッドにおいても同様の結果が得られたが、データの重なりによる不鮮明さを回避するため、図14への表示は省略した。
図15は従来品のポールイレーズ特性を示すグラフ、図16は本発明品のポールイレーズ特性を示すグラフである。縦軸信号出力をとり、横軸に磁気ディスク上のセクタをとってある。実験に当たっては、磁気ディスク上に、高周波信号の一周分を記録し、それを70セクタに分割し、各セクタごとの高周波信号出力を測定(テスト前測定と称する)した。その後、各セクタの先頭に低周波信号を重ね書きし、高周波信号の残留信号出力を測定(テスト後測定と称する)した。
図15、図16において、曲線L31、L41はテスト前測定による結果を示し、曲線L32、L42はテスト後測定による結果を示している。実験に供された従来品は先に述べたとおりのものである。
図15を参照すると、従来品の場合、テスト前測定のデータL31と、テスト後測定のデータL32との間に大きな隔たりがあり、全てのセクタにおいて、ポールイレーズが発生していることがわかる。
これに対して、本発明品は、データL41、L42の重なりが示すとおり、テスト前測定とテスト後測定との間に、ポールイレーズに関して、殆ど差が認められない。つまり、本発明によれば、ポールイレーズが殆ど見られないのである。図4〜図12に示した薄膜磁気ヘッドにおいても同様の結果が得られたが、データの重なりによる不鮮明さを回避するため、図15、図16への表示は省略した。
図17は、ライトギャップWG(nm)と、書き込み磁界強度(Oe)とに関して得られた実験データをグラフ化して示す図、図18はライトギャップWG(nm)と、書き込み磁界強度勾配(Oe/nm)とに関して得られた実験データをグラフ化して示す図である。各データは、コイル膜に40mAの電流を流したとき、トラック幅方向の中心、かつ、ライトギャップWGの中心位置において、有限要素法による計算によって得られたものである。
図17及び図18を参照すると、ライトギャップWGが狭くなるにつれて書き込み磁界強度が弱くなる反面、書き込み磁界強度勾配が急峻になる。これは、主磁極P1から漏洩した磁束の一部、特に主磁極P1の膜厚方向に漏洩する磁束が、ライトシールド膜13によって吸い取られ、主磁極P1から媒体の方向に向かう磁界の勾配が急峻化するためと思われる。
図17及び図18を参照するに、ライトギャップWGの膜厚が200nmよりも大きくなると、書き込み磁界の強度及び勾配が飽和傾向を示す。従って、ライトシールド膜13による磁気シールドの効果を確保するには、ライトギャップWGの膜厚が、200nm以下であることが好ましい。
100nm以下、特に好ましくは50nm以下の範囲では、書き込み磁界強度勾配が極めて急峻になる.従って、磁界強度勾配の急峻化という観点からは、ライトギャップWGは50nm以下であることが好ましい。ライトギャップWGの下限値は、図17及び図18の対比から、50nm〜0nmの間の値、例えば、20nm前後が適当である。図17及び図18に示したデータは、専ら、ライトギャップWGの膜厚に依存して得られるものであり、図1〜図12の何れの構造をとっても、ほぼ、等しく得られる。
2.磁気ヘッド装置
図19は本発明に係る磁気ヘッド装置の正面図である。図示された磁気ヘッド装置は、図1〜図12に示した薄膜磁気ヘッド4と、ヘッド支持装置5とを含む。ヘッド支持装置5は、金属薄板でなる支持体51の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体52を取付け、この可撓体52の下面に薄膜磁気ヘッド4を取付けた構造となっている。
図19は本発明に係る磁気ヘッド装置の正面図である。図示された磁気ヘッド装置は、図1〜図12に示した薄膜磁気ヘッド4と、ヘッド支持装置5とを含む。ヘッド支持装置5は、金属薄板でなる支持体51の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体52を取付け、この可撓体52の下面に薄膜磁気ヘッド4を取付けた構造となっている。
具体的には、可撓体52は、支持体51の長手方向軸線と略平行して伸びる2つの外側枠部と、支持体51から離れた端において外側枠部を連結する横枠と、横枠の略中央部から外側枠部に略平行するように延びていて先端を自由端とした舌状片524とを有する。横枠のある方向とは反対側の一端は、支持体51の自由端付近に溶接等の手段によって取付けられている。
支持体51の下面には、例えば半球状の荷重用突起525が設けられている。この荷重用突起525により、支持体51の自由端から舌状片524へ荷重力が伝えられる。
薄膜磁気ヘッド4は、舌状片524の下面に接着等の手段によって取付けられている。薄膜磁気ヘッド4は、ピッチ動作及びロール動作が許容されるように支持されている。
本発明に適用可能なヘッド支持装置5は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるヘッド支持装置を、広く適用できる。例えば、支持体51と舌状片524とを、タブテープ(TAB)等のフレキシブルな高分子系配線板を用いて一体化したもの等を用いることもできる。また、従来より周知のジンバル構造を持つものを自由に用いることができる。
3.磁気記録再生装置
図20は図19に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気記録再生装置の斜視図である。図示された磁気記録再生装置は、軸70の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク71と、磁気ディスク71に対して情報の記録及び再生を行う薄膜磁気ヘッド4と、薄膜磁気ヘッド4を磁気ディスク71のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置とを備えている。
図20は図19に示した磁気ヘッド装置を用いた磁気記録再生装置の斜視図である。図示された磁気記録再生装置は、軸70の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク71と、磁気ディスク71に対して情報の記録及び再生を行う薄膜磁気ヘッド4と、薄膜磁気ヘッド4を磁気ディスク71のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置とを備えている。
アセンブリキャリッジ装置は、軸74を中心にして回動可能なキャリッジ75と、このキャリッジ75を回動駆動する例えばボイスコイルモータ(VCM)からなるアクチュエータ76とから主として構成されている。
キャリッジ75には、軸74の方向にスタックされた複数の駆動アーム77の基部が取り付けられており、各駆動アーム77の先端部には、薄膜磁気ヘッド4を搭載したヘッド支持装置5が固着されている。各ヘッド支持装置5は、その先端部に有する薄膜磁気ヘッド4が、各磁気ディスク71の表面に対して対向するように駆動アーム77の先端部に設けられている。
駆動アーム77、ヘッド支持装置5及び薄膜磁気ヘッド4が、図19を参照して説明した磁気ヘッド装置を構成する。従って、図20に示した磁気記録再生装置は、図1〜図19を参照して説明した作用効果を奏する。
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
10 記録磁極膜
11 第1の磁性膜
12 第2の磁性膜
13 ライトシールド膜
P1 主磁極
11 第1の磁性膜
12 第2の磁性膜
13 ライトシールド膜
P1 主磁極
Claims (11)
- 記録磁極膜と、ライトシールド膜とを含む垂直磁気記録素子であって、
前記記録磁極膜は、ヨーク部と、垂直記録用の主磁極とを有し、前記主磁極は前記ヨーク部の先端に突出して設けられ、端部が媒体対向面上にあり、
前記ライトシールド膜は、前記記録磁極膜と向き合い、前記媒体対向面を基準にして後方側に測った高さが、前記記録磁極膜の高さ以下である、
垂直磁気記録素子。 - 請求項1に記載された垂直磁気記録素子であって、前記ライトシールド膜は、前記主磁極に対しては200nm以下の微小間隔を隔てている垂直磁気記録素子。
- 請求項1又は2に記載された垂直磁気記録素子であって、前記ライトシールド膜は、横幅をA1、高さをB1として、A1>B1を満たす垂直磁気記録素子。
- 請求項1乃至3の何れかに記載された垂直磁気記録素子であって、前記ライトシールド膜は、後端部が前記記録磁極膜の前記ヨーク部に接続されている垂直磁気記録素子。
- 請求項1乃至3の何れかに記載された垂直磁気記録素子であって、前記ライトシールド膜は、前記記録磁極膜よりも高さが短く、後端部が前記記録磁極膜から分離されている垂直磁気記録素子。
- 請求項1乃至5の何れかに記載された垂直磁気記録素子であって、コイル膜を含み、前記コイル膜は、書き込み磁界を生じるように、前記記録磁極膜に組み合わされている垂直磁気記録素子。
- 請求項6に記載された垂直磁気記録素子であって、
前記記録磁極膜は、後端部に、その一面から突出する磁性膜を有しており、
前記コイル膜は、前記磁性膜の周りを周回する、
垂直磁気記録素子。 - 垂直磁気記録素子と、スライダとを含む薄膜磁気ヘッドであって、
前記垂直磁気記録素子は、請求項1乃至7の何れかに記載されたものでなり、
前記スライダは、前記垂直磁気記録素子を支持する
薄膜磁気ヘッド。 - 請求項8に記載された薄膜磁気ヘッドであって、読取素子を含む薄膜磁気ヘッド。
- 薄膜磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む磁気ヘッド装置であって、
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項9に記載されたものでなり、
前記ヘッド支持装置は、前記薄膜磁気ヘッドを支持する
磁気ヘッド装置。 - 磁気ヘッド装置と、磁気ディスクとを含む磁気記録再生装置であって、
前記磁気ヘッド装置は、請求項9に記載されたものでなり、
前記磁気ディスクは、前記磁気ヘッド装置との協働により、磁気記録の記録及び読み出しを行う
磁気記録再生装置。
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