JP2006251749A - コンタクトガラス、画像読み取り装置、画像形成装置及びコンタクトガラスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 防汚性、耐磨耗性の高い防汚層を有するコンタクトガラス(画像読み取り装置用ガラス)、画像読み取り装置、画像形成装置及び画像読み取り装置用ガラスの製造方法を提供すること。
【選択図】 図1
Description
(1)「画像読み取り装置に用いられるコンタクトガラスであって、前記コンタクトガラスは、異物の付着を防止する防汚層を有し、前記防汚層は、改質されたフッ素系材料から構成されていることを特徴とするコンタクトガラス」;
(2)「前記改質された前記フッ素系材料は、電離放射線照射処理により架橋して改質されていることを特徴とする前記第(1)項に記載のコンタクトガラス」;
(3)「前記フッ素系材料は、フッ素置換アルキル基構造を有する化合物を含有することを特徴とする前記第(1)項又は第(2)項に記載のコンタクトガラス」;
(4)「前記フッ素置換アルキル基構造を有する化合物は、フッ素置換アルキル基含有有機ケイ素構造を有する化合物であることを特徴とする前記第(3)項に記載のコンタクトガラス」;
(5)「前記フッ素系材料は、パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物を含有することを特徴とする前記第(1)項又は第(2)項に記載のコンタクトガラス」;
(6)「前記パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物は、ケイ素含有パーフルオロポリエーテル構造を持つ化合物であることを特徴とする前記第(5)項に記載のコンタクトガラス」;
(7)「前記フッ素系材料は、少なくともフッ素置換アルキル基とパーフルオロポリエーテル基と有する有機ケイ素構造を持つ化合物であることを特徴とする前記第(1)項又は第(2)項に記載のコンタクトガラス」;
(8)「前記フッ素置換アルキル基とパーフルオロポリエーテル基と有する有機ケイ素構造を持つ化合物のフッ素置換アルキル基とパーフルオロポリエーテル基のモル比が0.1から10であることを特徴とする前記第(7)項に記載のコンタクトガラス」;
(9)「前記コンタクトガラスは、表面に微細な凹凸を有することを特徴とする前記第(3)項乃至第(8)項のいずれかに記載のコンタクトガラス」;
(10)「前記第(1)項乃至第(9)項のいずれかに記載のコンタクトガラスを有する画像読み取り装置」;
(11)「前記第(10)項に記載の画像読み取り装置を有する画像形成装置」;
(12)「画像読み取り装置に用いられるコンタクトガラスの製造方法であって、ガラス基板の表面洗浄、表面処理を行なう第1の工程と、前記ガラス基板の表面にフッ素系材料を塗布、蒸着し、防汚層を形成する第2の工程と、前記防汚層を形成する前記フッ素系材料を改質する第3の工程を有することを特徴とするコンタクトガラスの製造方法」;
(13)「前記第1の工程は、酸性溶液を用いて前記ガラス基板の表面処理を行なう酸洗浄処理工程と、アルカリ性溶液を用いて前記ガラス基板の表面処理を行なうアルカリ洗浄処理工程と、プラズマを用いて前記ガラス基板の表面処理を行なうプラズマ処理工程と、溶解力の大きい溶剤を用いて前記ガラス基板の表面処理を行なう溶剤洗浄処理工程と、のうち少なくとも1つの工程を有することを特徴とする前記第(12)項に記載のコンタクトガラスの製造方法」;
(14)「前記第2の工程は、前記フッ素系材料を含有するパーフルオロ溶液を減圧下で加熱し、前記ガラス基板上に蒸着させることで、前記ガラス基板上に防汚層を形成することを特徴とする前記第(12)項又は第(13)項に記載のコンタクトガラスの製造方法」;
(15)「前記第3の工程は、前記ガラス基板上の前記防汚層に電離放射線を照射することで、前記防汚層に含有される前記フッ素系材料を改質することを特徴とする前記(12)項乃至第(14)項のいずれかに記載のコンタクトガラスの製造方法」;
(16)「前記電離放射線の照射は、無酸素下で行なわれ、かつ、照射される線量が1kGyから10MGyの範囲内にあることを特徴とする前記第(15)項に記載のコンタクトガラスの製造方法」。
まず、フッ素置換アルキル基含有有機ケイ素構造を有する化合物について説明する。フッ素置換アルキル基含有有機ケイ素構造を有する化合物としては、下記の式(I)、式(II)で表わされる構造を有する化合物が挙げられる。
次に、パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物について説明する。パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物としては、下記の式(III)で表わされる構造を有する化合物が挙げられる。
な基を持っているので、ガラス基板と強固に接合させるのに有効な働きをする。
次に本発明で形成される防汚層において、フッ素置換アルキル基とパーフルオロポリエーテル基と有する有機ケイ素構造を持つ化合物は少なくとも下記式(VI)、下記式(VII)で表わされる構造を持つ化合物が好ましい。
上記R4で示される加水分解可能な基としては、アミノ基、アルコキシ基、塩素原子等が挙げられ、アルコキシ基の場合は、そのアルキル部分が炭素数1または2のものが好ましい。
上記R6で示される加水分解可能な基としては、アミノ基、アルコキシ基、塩素原子等が挙げられ、アルコキシ基の場合は、そのアルキル部分が炭素数1または2のものが好ましい。
なお、該化合物は分子中の全パーフルオロ基数が大きいほうが好ましい。これは、パーフルオロ基数が大きいほど電離放射線により架橋することによって良好な改質した防汚層形成が可能となる。
また、凹部にフッ素系材料(潤滑性及び防汚性材料)が塗布され、フッ素系材料を電離放射線により架橋して改質されることでコンタクトガラスの表面構造が変化し耐摩耗性が向上するので、原稿用紙がコンタクトガラス表面を擦っても大幅に摩耗することはなくなり、経時での防汚層の摩滅を防止、耐久性の向上を図ることが可能となる。
また、加熱する際の温度は、種類や蒸着する真空条件により異なるが、蒸着開始温度以上から分解温度を超えない範囲で行なう。
なお、蒸着開始温度とは含有溶液の蒸気圧が真空度と等しくなったときの温度のことであり、分解温度とは1分間の間に該化合物の50%が分解する温度のことである。
なお、本発明の防汚層を設けた画像読み取り装置の評価、コンタクトガラス3の防汚性、耐久性などの評価は下記に示したように実施した。
コンタクトガラス3面に、以下実施例の如く表面改質を施したサンプルを用い、紙粉を散布しその後それをブロワーで吹き飛ばした場合の紙粉の残留状況(防汚効果)、トナーを散布しその後それをブロワーで吹き飛ばした場合のトナーの残留状況(防汚効果)、指紋をつけた場合の汚れの付着状況(防汚効果)を評価した。
100K通紙後に同様の評価(防汚効果、経時防汚効果)を実施し、黒スジ発生の有無等の画像劣化を生じさせるかどうか(実用性評価)を評価した。結果を表1に示した。
◎:防汚効果大、実用的
○:防汚効果が認められる、実用上問題なし
△:防汚効果は認められるが、実用的には問題が生じる場合もある
×:防汚効果ほとんどなし、実用性に難あり
−:光透過性悪く評価せず
FG−7000(株式会社フロロテクノロジー製フッ素コート材、溶液タイプ)を約0.5μmスピンコートし、室温で乾燥後、アルゴンガス雰囲気の照射容器に移して電子加速器で2MVに加速された電子を10kGy照射して架橋させ、改質された防汚層を持つコンタクトガラス3を得た。
平均粒径0.25μmのテトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル含有塗料(固形分25−40%の水系エマルジョン型のエナメル塗料)をガラス上に塗布し、320℃で焼成して電離放射線処理前防汚層付きコンタクトガラスを320℃、アルゴンガス雰囲気の照射容器に移して電子加速器で2MVに加速された電子を100kGy照射して架橋させ、改質された防汚層(形成膜厚=約0.3μm)を持つコンタクトガラス3を得た。
下記式で示されるフッ素置換アルキル基含有有機ケイ素構造を有する化合物をパーフルオロヘキサンで希釈して0.2重量%の溶液とし、コンタクトガラス3をこの溶液に浸漬し、15cm/分の速度で引き上げて塗布した。塗布後は室温条件下で一昼夜放置して溶剤を揮散させた後、アルゴンガス雰囲気の照射容器に移して電子加速器で2MVに加速された電子を10kGy照射して架橋させ、改質された防汚層(形成膜厚=0.01μm)を持つコンタクトガラス3を得た。
下記式で示されるパーフロオロポリエーテル構造を有する化合物(分子量:約5000)をパーフルオロヘキサンで希釈して0.2重量%の溶液とした。
下記式で示されるケイ素含有パーフロオロポリエーテル構造を有する化合物(分子量:約2500)をパーフルオロヘキサンで希釈して0.2重量%の溶液とし、実施例4と同様に処理して改質された防汚層(形成膜厚=0.02μm)を持つコンタクトガラス3を得た。
オプツールDSX(ダイキン工業(株)製、分析の結果構造式(V)あるいは(VII)、または(V)と(VII)の構造を有する化合物の混合物と推定される)をパーフルオロヘキサンで希釈して0.3重量%の溶液とし、実施例4と同様に処理して改質された防汚層(形成膜厚=約0.03μm)を持つコンタクトガラス3を得た。
下記式で示されるケイ素含有パーフロオロポリエーテル構造を有する化合物(分子量:約4000)、及び下記式で示されるフッ素置換アルキル基含有有機ケイ素構造を有する化合物をパーフルオロヘキサンで希釈して0.2重量%の溶液とし、実施例4と同様に処理して改質された防汚層(形成膜厚=約0.02μm)を持つコンタクトガラス3を得た。
下記式フッ素置換アルキル基とパーフルオロポリエーテル基と有する有機ケイ素構造を持つ化合物(分子量:約9600)をパーフルオロヘキサンで希釈して0.1重量%の溶液とし、実施例4と同様に処理して改質された防汚層(形成膜厚=約0.02μm)を持つコンタクトガラス3を得た。
フッ化水素、フッ化アンモニウム、純水、親水性カルボン酸を混合し、ガラス表面処理液とし、(組成は、フッ化水素:25重量%、フッ化アンモニウム:25重量%、純水:25重量%、親水性カルボン酸/プロピオン酸:25重量%)この処理液中にフロートガラス(日本板硝子株式会社製 化学強化ガラス FL3.2)を静置浸漬した。浸漬後、純水にて洗浄し、更にpHが10の水酸化カリウム水溶液で処理後、再度純水にて洗浄し、微細凹凸(表面粗さ:0.5S)のガラスを得、そのガラス表面に防汚層を形成(オプツールDSX(ダイキン工業(株)製)をパーフルオロヘキサンで希釈して0.2重量%の溶液とし、実施例4と同様に処理して改質された防汚層(形成膜厚=約0.02μm)を持つコンタクトガラス3を得た。
オプツールDSX(ダイキン工業(株)製)をパーフルオロヘキサンで希釈して0.1重量%の溶液とし、その溶液を0.15mlしみ込ませたステンレス製焼結フィルター(細孔径80〜100μm、直径18mmφ、厚さ3mm)を真空蒸着装置内にセットし、以下の条件で電子銃を用いて該焼結フィルター全体を加熱して、塗膜を形成したコンタクトガラス3を得、そのコンタクトガラス3を実施例4と同様に処理して改質された防汚層(形成膜厚=約0.02μm)を持つコンタクトガラス3を得た。
真空度:3.1×10−4〜8.0×10−4Pa(2.3×10−6〜6.0×10−6Torr)、加速電圧:6kV、印加電流:40mA、照射面積:3.5×3.5cm2、蒸着時間:5秒
実施例7の溶液を0.15mlしみ込ませたステンレス製焼結フィルター(細孔径80〜100μm、直径18mmφ、厚さ3mm)を真空蒸着装置内にセットし、実施例6の防汚層形成前の処理ガラス上に、以下の条件で電子銃を用いて該焼結フィルター全体を加熱して、塗膜を形成したコンタクトガラス3を得、そのコンタクトガラス3を実施例4と同様に処理して改質された防汚層(形成膜厚=約0.02μm)を持つコンタクトガラス3を得た。
真空度:3.1×10−4〜8.0×10−4Pa(2.3×10−6〜6.0×10−6Torr)、加速電圧:6kV、印加電流:40mA、照射面積:3.5×3.5cm2、蒸着時間:5秒
実施例8の溶液を0.15mlしみ込ませたステンレス製焼結フィルター(細孔径80〜100μm、直径18mmφ、厚さ3mm)を真空蒸着装置内にセットし、実施例6の防汚層形成前の処理ガラス上に、以下の条件で電子銃を用いて該焼結フィルター全体を加熱して、塗膜を形成したコンタクトガラス3を得、そのコンタクトガラス3を実施例4と同様に処理して改質された防汚層を持つコンタクトガラス3を得た。
真空度:3.1×10−4〜8.0×10−4Pa(2.3×10−6〜6.0×10−6Torr)、加速電圧:6kV、印加電流:40mA、照射面積:3.5×3.5cm2、蒸着時間:5秒
FG−7000(株式会社フロロテクノロジー製フッ素コート材)を約0.5μmスピンコートし、防汚層を形成したコンタクトガラスを得た。
FG−5010(株式会社フロロテクノロジー製フッ素コート材、正確な構造は定かでないものの上記FG−7000とほぼ同じ構造部分を持つと推定され、塗膜形成も同様で、低摩擦用途に使用され、高密着・高硬度の性質を持つ)を約0.5μmスプレーコートし、防汚層を形成したコンタクトガラスを得た。
KBM7803:含フッ素シランカップリング剤(信越化学社製)C8F17CH2CH2Si(OCH3)3)を実施例1と同様の方法で約0.01μmコートし、防汚層を形成したコンタクトガラスを得た。
含フッ素シラザン:C8F17CH2CH2Si(NH2)3を実施例1と同様の方法で約0.01μmコートし、防汚層を形成したコンタクトガラスを得た。
オプツールDSX(ダイキン工業株式会社製フッ素コート材)を約0.0005μm真空蒸着し、防汚層を形成したコンタクトガラスを得た。
オプツールDSX(ダイキン工業株式会社製フッ素コート材)を約1μm真空蒸着し、防汚層を形成したコンタクトガラスを得た。
シリコーンスプレーKF96SP(信越化学工業株式会社製シリコーンコート材、ジメチルシリコーンオイルでスプレーコート用材料)を約0.1μmスプレーコートし、防汚層を形成したコンタクトガラスを得た。
FG−7000(株式会社フロロテクノロジー製フッ素コート材)を約0.5μmスピンコートし、アルゴンガス雰囲気の照射容器に移して電子加速器で2MVに加速された電子を0.05kGy照射して架橋させ、改質された防汚層を持つコンタクトガラス3を得た。
未処理コンタクトガラスをそのまま使用した。
11 原稿テーブル
12 底板
13 呼び出しコロ
14 給紙ベルト
15 分離ローラ
16 搬送ローラ
17 排紙ローラ
18 排紙トレイ
20 コンタクトガラス
21 ランプ
22 反射ミラー
23 レンズ
24 CCD
Claims (16)
- 画像読み取り装置に用いられるコンタクトガラスであって、
前記コンタクトガラスは、異物の付着を防止する防汚層を有し、
前記防汚層は、改質されたフッ素系材料から構成されていることを特徴とするコンタクトガラス。 - 前記改質された前記フッ素系材料は、電離放射線照射処理により架橋して改質されていることを特徴とする請求項1に記載のコンタクトガラス。
- 前記フッ素系材料は、フッ素置換アルキル基構造を有する化合物を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のコンタクトガラス。
- 前記フッ素置換アルキル基構造を有する化合物は、フッ素置換アルキル基含有有機ケイ素構造を有する化合物であることを特徴とする請求項3に記載のコンタクトガラス。
- 前記フッ素系材料は、パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物を含有することを特徴とする請求項1又は2に記載のコンタクトガラス。
- 前記パーフルオロポリエーテル構造を有する化合物は、ケイ素含有パーフルオロポリエーテル構造を持つ化合物であることを特徴とする請求項5に記載のコンタクトガラス。
- 前記フッ素系材料は、少なくともフッ素置換アルキル基とパーフルオロポリエーテル基と有する有機ケイ素構造を持つ化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のコンタクトガラス。
- 前記フッ素置換アルキル基とパーフルオロポリエーテル基と有する有機ケイ素構造を持つ化合物のフッ素置換アルキル基とパーフルオロポリエーテル基のモル比が0.1から10であることを特徴とする請求項7に記載のコンタクトガラス。
- 前記コンタクトガラスは、表面に微細な凹凸を有することを特徴とする請求項3乃至8のいずれかに記載のコンタクトガラス。
- 請求項1乃至9のいずれかに記載のコンタクトガラスを有する画像読み取り装置。
- 請求項10に記載の画像読み取り装置を有する画像形成装置。
- 画像読み取り装置に用いられるコンタクトガラスの製造方法であって、
ガラス基板の表面洗浄、表面処理を行なう第1の工程と、
前記ガラス基板の表面にフッ素系材料を塗布、蒸着し、防汚層を形成する第2の工程と、
前記防汚層を形成する前記フッ素系材料を改質する第3の工程を有することを特徴とするコンタクトガラスの製造方法。 - 前記第1の工程は、
酸性溶液を用いて前記ガラス基板の表面処理を行なう酸洗浄処理工程と、
アルカリ性溶液を用いて前記ガラス基板の表面処理を行なうアルカリ洗浄処理工程と、
プラズマを用いて前記ガラス基板の表面処理を行なうプラズマ処理工程と、
溶解力の大きい溶剤を用いて前記ガラス基板の表面処理を行なう溶剤洗浄処理工程と、
のうち少なくとも1つの工程を有することを特徴とする請求項12に記載のコンタクトガラスの製造方法。 - 前記第2の工程は、前記フッ素系材料を含有するパーフルオロ溶液を減圧下で加熱し、前記ガラス基板上に蒸着させることで、前記ガラス基板上に防汚層を形成することを特徴とする請求項12又は13に記載のコンタクトガラスの製造方法。
- 前記第3の工程は、前記ガラス基板上の前記防汚層に電離放射線を照射することで、前記防汚層に含有される前記フッ素系材料を改質することを特徴とする請求項12乃至14のいずれかに記載のコンタクトガラスの製造方法。
- 前記電離放射線の照射は、無酸素下で行なわれ、かつ、照射される線量が1kGyから10MGyの範囲内にあることを特徴とする請求項15に記載のコンタクトガラスの製造方法。
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