JP2006247541A - Liquid removing device - Google Patents

Liquid removing device Download PDF

Info

Publication number
JP2006247541A
JP2006247541A JP2005068618A JP2005068618A JP2006247541A JP 2006247541 A JP2006247541 A JP 2006247541A JP 2005068618 A JP2005068618 A JP 2005068618A JP 2005068618 A JP2005068618 A JP 2005068618A JP 2006247541 A JP2006247541 A JP 2006247541A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid
substrate
pattern
cleaning
plate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2005068618A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Horiuchi
健 堀内
Hiroshi Nagai
啓史 長井
Takuya Kawagoe
拓也 川越
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Priority to JP2005068618A priority Critical patent/JP2006247541A/en
Publication of JP2006247541A publication Critical patent/JP2006247541A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid removing device forming patterns with good yield, generating little foreign matter caused by re-attaching on a pattern-forming substrate in a pattern development process of mainly plasma display members, and a production method of the plasma display members using a pattern forming method including the liquid removing device. <P>SOLUTION: This liquid removing device comprises a liquid removing means removing liquid attached to the surface of the substrate, and a liquid-dropping preventive means above the substrate passing position. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、おもにプラズマディスプレイ用部材のパターン現像工程において用いられる液体除去装置に関し、更に詳しくは、例えばプラズマディスプレイ用部材として、ガラス基板等の基板上に、電極、誘電体、隔壁(リブ)などのパターンを形成するに際して、パターン形成基板上に異物を生ずることが少なく、歩留まり良くパターン形成することを実現する液体除去装置に関する。さらに、該液体除去装置を用いたパターン現像工程を含むプラズマディスプレイ用部材の製造方法に関するものである。   The present invention mainly relates to a liquid removal apparatus used in a pattern development process of a plasma display member, and more specifically, as a plasma display member, on a substrate such as a glass substrate, an electrode, a dielectric, a partition (rib), etc. The present invention relates to a liquid removal apparatus that realizes pattern formation with a high yield with little occurrence of foreign matters on the pattern formation substrate. Furthermore, the present invention relates to a method for manufacturing a member for a plasma display including a pattern development process using the liquid removing apparatus.

従来、例えば、パターン形成基板上に、電極、誘電体、隔壁などのパターンを形成するに際しては、図3にプロセスの概要をモデル的に示したように、
(a)パターン形成基板を現像液中に浸漬することおよび/またはパターン形成基板に現像液を噴射することにより、パターン形成に不要な部分を取り除く現像処理工程、
(b)該(a)の現像処理工程の後、パターン形成基板を洗浄液中に浸漬することおよび/またはパターン形成基板に洗浄液を噴射することにより、パターン形成基板を清浄する清浄処理工程、
(c)エアナイフでパターン形成基板の表面に付着した現像液および/または洗浄液を取り除く液体除去工程、
からなるプロセスを採用して行うことが知られている。
Conventionally, for example, when forming a pattern such as an electrode, a dielectric, and a partition on a pattern formation substrate, as shown in FIG.
(A) a development processing step of removing a portion unnecessary for pattern formation by immersing the pattern formation substrate in the developer and / or spraying the developer on the pattern formation substrate;
(B) After the development processing step of (a), a cleaning processing step of cleaning the pattern forming substrate by immersing the pattern forming substrate in a cleaning liquid and / or spraying the cleaning liquid onto the pattern forming substrate;
(C) a liquid removing step of removing the developer and / or cleaning liquid adhering to the surface of the pattern forming substrate with an air knife;
It is known to employ a process consisting of:

図3において、1は基板、2は現像液、3は洗浄水、4はシャワー管、5はエアナイフ、6は搬送ローラーである。図3においては、現像処理(a)、清浄処理(b)はそれぞれ、液体を噴射する態様で行うものを示しているが、該液体に基板を浸漬させて行うこと、または浸漬および噴射を併用することによって処理することも可能である。   In FIG. 3, 1 is a substrate, 2 is a developer, 3 is cleaning water, 4 is a shower tube, 5 is an air knife, and 6 is a transport roller. In FIG. 3, the development process (a) and the cleaning process (b) are each performed in a mode in which a liquid is ejected. It is also possible to process by doing.

現像処理工程(a)および清浄処理工程(b)を経た基板は、(c)の液体除去工程において、基板1にエアナイフ5から噴射される高圧空気流によって、基板1上に存在している処理液が吹き飛ばされて除去され、さらに搬送ローラー6によって次の工程に搬送される。   The substrate that has undergone the development processing step (a) and the cleaning processing step (b) is present on the substrate 1 by the high-pressure air flow that is jetted from the air knife 5 to the substrate 1 in the liquid removal step (c). The liquid is blown off and removed, and is further transported to the next step by the transport roller 6.

従来は、このような工程でパターン形成がなされてきているが、(c)の液体除去工程において用いられるエアナイフ5は、通常、基板の幅に対応した広い幅のスリット状の圧空噴射口を有するものであり、この圧空噴射口から噴射される空気が、清浄処理工程で除去されなかった現像工程で除去されたパターン形成用ペーストなどを水滴とともに巻き上げて、該液体除去工程(c)の処理ゾーンを区画する装置内壁部、装置床面部などに該ペーストを付着させ、あるいは空気中に浮遊せしめ、それら付着物・浮遊物が存在すると、パターン形成基板に再度付着するなどの事態が発生し、これが不良品の発生を招き、製品の歩留まりを低下させる要素となっていた。   Conventionally, pattern formation has been performed in such a process, but the air knife 5 used in the liquid removal process of (c) usually has a slit-shaped compressed air injection port having a wide width corresponding to the width of the substrate. The air ejected from the compressed air ejection port rolls up the pattern forming paste and the like removed in the developing process that was not removed in the cleaning process together with water droplets, and the processing zone of the liquid removing process (c) If the paste adheres to the inner wall of the device, the floor surface of the device, etc., or floats in the air, and there are such adhering substances / floating substances, it will occur again on the pattern forming substrate. It was an element that caused the generation of defective products and reduced the product yield.

このような問題は、エアナイフを用いて、その前工程で用いられた液体を除去するという工程を採用する場合に生ずるものであり、これを改善するために、エアナイフを作用させる位置よりも下流側において装置(槽)底部分に水を滞留する貯水部を設けておき、この貯水部で浮遊するペーストや水滴を捕捉して、パターン形成基板に再付着することを防止しようとする提案がされている(例えば、特許文献1参照)。しかし、かかる貯水部を設けるという方法では、浮遊しているペーストや水滴が該貯水部に落下して捕捉されたときにのみ有効なものであり、貯水部に落下せず捕捉されることなく浮遊を続けているペーストや水滴に対しては有効な対策ではなかった。また、側壁面に付着したペーストや水滴に対しても有効な対応策ではなかった。
特開2003−124184号公報
Such a problem occurs when an air knife is used to remove the liquid used in the previous process, and in order to improve this, the downstream side of the position where the air knife is operated. Has been proposed to prevent water from staying in the bottom of the device (tank) and catching the paste and water droplets floating in the water reservoir and reattaching to the pattern forming substrate. (For example, refer to Patent Document 1). However, the method of providing such a water storage part is effective only when floating paste or water droplets are dropped and captured in the water storage part, and do not fall into the water storage part and are not captured. It was not an effective measure against the paste and water droplets that continue. Moreover, it was not an effective countermeasure against paste and water droplets adhering to the side wall surface.
JP 2003-124184 A

本発明の目的は、おもにプラズマディスプレイ用部材のパターン現像工程において、パターン形成基板上に上述した再付着ということに起因する異物発生を生ずることが少なく、歩留まり良くパターン形成することを実現する液体除去装置、さらに液体除去装置を含むパターン形成方法を用いたプラズマディスプレイ用部材の製造方法を提供することにある。   An object of the present invention is to remove a liquid that realizes pattern formation with a high yield with little occurrence of foreign matter due to the above-mentioned redeposition on a pattern formation substrate, mainly in a pattern development process of a plasma display member. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing a member for a plasma display using a pattern forming method including an apparatus and a liquid removing apparatus.

すなわち、本発明は、以下の構成を有する。
(1)基板の表面に付着した液体を取り除く液体除去手段を有する液体除去装置であって、該基板が通過する位置の上方に液体落下防止手段を具備することを特徴とする液体除去装置。
(2)液体落下防止手段が、スリット加工された板状物、傾斜を有して配された板状物、または親水性処理された板状物である(1)記載の液体除去装置。
(3)親水性処理された板状物表面の親水性が、純水での塗れ性15mm以上である(2)記載の液体除去装置。
(4)(a)潜像が形成された基板を現像液に接触せしめて現像を行う現像手段、
(b)現像手段によって得られたパターンが形成された基板を洗浄液に接触せしめて基板を清浄する清浄手段、および
(c)パターンが形成された基板の表面に付着した現像液および/または洗浄液を取り除く液体除去手段
を有する(1)、(2)または(3)記載の液体除去装置を具備する現像装置。
(5)(4)記載の現像装置を有するパターン形成装置。
(6)基板の表面に付着した液体を取り除く液体除去方法であって、該液体除去を行なうエリアの上方に液体落下防止手段を具備することを特徴とする液体除去方法。
(7)液体落下防止手段が、スリット加工された板状物、傾斜を有して配された板状物、または親水性処理された板状物である(6)記載の液体除去方法。
(8)親水性処理された板状物表面の親水性が純水での塗れ性15mm以上である(7)記載の液体除去方法。
(9)(a)潜像が形成された基板を現像液に接触せしめて現像を行うことにより現像工程、
(b)現像手段によって生じたパターンが形成された基板を洗浄液に接触せしめて基板を清浄する清浄工程、および
(c)パターンが形成された基板の表面に付着した現像液および/または洗浄液を取り除く(6)、(7)または(8)記載の液体除去方法を使用する液体除去工程を有するプラズマディスプレイ用部材の製造方法。
(10)パターンが形成された基板が凹凸形態またはマトリックス構造を含むパターンである(9)記載のプラズマディスプレイ用部材の製造方法。
(11)基板に形成されたパターンが、電極、誘電体、隔壁、ブラックマトリックス、ブラックストライプまたはカラーフィルターである(9)または(10)記載のプラズマディスプレイ用部材の製造方法。
That is, the present invention has the following configuration.
(1) A liquid removal apparatus having a liquid removal means for removing liquid adhering to the surface of a substrate, wherein the liquid removal apparatus comprises a liquid fall prevention means above a position through which the substrate passes.
(2) The liquid removal apparatus according to (1), wherein the liquid fall prevention means is a slit processed plate, a plate arranged with an inclination, or a hydrophilic processed plate.
(3) The liquid removing device according to (2), wherein the hydrophilicity of the surface of the plate-like material subjected to hydrophilic treatment is a wettability of 15 mm or more with pure water.
(4) (a) a developing means for performing development by bringing a substrate on which a latent image is formed into contact with a developer;
(B) cleaning means for cleaning the substrate by bringing the substrate on which the pattern obtained by the developing means is brought into contact with the cleaning liquid; and (c) developer and / or cleaning liquid adhering to the surface of the substrate on which the pattern is formed. A developing device comprising the liquid removing device according to (1), (2) or (3), having a liquid removing means for removing.
(5) A pattern forming apparatus having the developing device according to (4).
(6) A liquid removal method for removing liquid adhering to the surface of a substrate, comprising a liquid fall prevention means above an area where the liquid is removed.
(7) The liquid removal method according to (6), wherein the liquid fall prevention means is a slit processed plate, an inclined plate, or a hydrophilic processed plate.
(8) The liquid removing method according to (7), wherein the hydrophilicity of the surface of the plate-like material subjected to the hydrophilic treatment is a wettability of 15 mm or more with pure water.
(9) (a) a development step by bringing the substrate on which the latent image is formed into contact with a developer and performing development;
(B) A cleaning step in which the substrate on which the pattern generated by the developing unit is formed is brought into contact with the cleaning solution to clean the substrate, and (c) the developing solution and / or the cleaning solution adhering to the surface of the substrate on which the pattern is formed is removed. (6) The manufacturing method of the member for plasma displays which has a liquid removal process which uses the liquid removal method of (7) or (8) description.
(10) The method for producing a member for a plasma display according to (9), wherein the substrate on which the pattern is formed is a pattern including an uneven form or a matrix structure.
(11) The method for producing a member for a plasma display according to (9) or (10), wherein the pattern formed on the substrate is an electrode, a dielectric, a partition, a black matrix, a black stripe, or a color filter.

本発明によれば、パターン形成基板上に異物発生を生ずることが少なく、歩留まり良くパターン形成することができる。特に、本発明の装置は、パターンが凹凸形態を含むものであったり、マトリックス的構造を有している場合のように、清浄処理工程(b)では完全な清浄化が難しく、エアナイフを用いた液体除去工程(c)まで現像処理工程(a)で取り除かれたペーストが持ち込まれるようなパターン形成工程に採用すれば、より顕著な改善効果を発揮できるものである。   According to the present invention, it is possible to form a pattern with a high yield with less occurrence of foreign matter on the pattern forming substrate. In particular, the apparatus of the present invention is difficult to completely clean in the cleaning process step (b), as in the case where the pattern includes an uneven shape or has a matrix structure, and an air knife is used. If it is employed in a pattern formation process in which the paste removed in the development process (a) is brought up to the liquid removal process (c), a more remarkable improvement effect can be exhibited.

このような観点から、特にプラズマディスプレイ用部材の製造に際してのパターン形成方法において、本発明の装置は顕著な効果を発揮する。より具体的には、パターン形成工程が、電極、誘電体、隔壁、ブラックマトリックスもしくはブラックストライプ、またはカラーフィルターなどの形成工程である場合に顕著な改善効果を発揮するものである。   From such a viewpoint, the apparatus of the present invention exhibits a remarkable effect particularly in a pattern forming method in manufacturing a member for a plasma display. More specifically, a remarkable improvement effect is exhibited when the pattern forming step is a step of forming an electrode, a dielectric, a partition, a black matrix or black stripe, a color filter, or the like.

以下、図面に基づいて本発明を詳細に説明する。
図1に本発明の液体除去装置を含むパターン現像装置の一実施の形態を示す。
Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
FIG. 1 shows an embodiment of a pattern developing apparatus including a liquid removing apparatus of the present invention.

まず、パターン形成基板を現像液中に浸漬することおよび/またはパターン形成基板に現像液を噴射する現像処理手段(a)により、パターン形成基板上の不要部分が取り除かれ、所望のパターンが形成される。   First, an unnecessary portion on the pattern forming substrate is removed by immersing the pattern forming substrate in the developing solution and / or developing processing means (a) for injecting the developing solution onto the pattern forming substrate to form a desired pattern. The

現像液2は、例えば基板1上部に設置されたシャワー管4のノズルから噴射される。この場合、ノズルを配置する間隔および高さは特に限定されないが、効率的な液の噴霧の点から、ピッチ100〜150mm、高さ80〜120mmとすることが好ましい。現像液としては特に限定されず、例えば、アルカリ性の活性成分を含有する水溶液を用いることができる。アルカリ性水溶液としては、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム、炭酸ナトリウムなどの水溶液が使用できる。しかし、焼成後にアルカリ金属成分を残留させる懸念のない有機アルカリ性成分を活性成分として含有する水溶液を用いることがより好ましい。有機アルカリ性の活性成分としては、アミン成分や4級アンモニウム塩を用いることができる。具体的には、モノエタノールアミン、ジエタノールアミンなどのアミノエタノール、テトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイドなどがあげられる。   The developer 2 is sprayed from, for example, a nozzle of a shower tube 4 installed on the substrate 1. In this case, the interval and height at which the nozzles are arranged are not particularly limited, but it is preferable that the pitch is 100 to 150 mm and the height is 80 to 120 mm from the viewpoint of efficient liquid spraying. The developer is not particularly limited, and for example, an aqueous solution containing an alkaline active ingredient can be used. As the alkaline aqueous solution, an aqueous solution of sodium hydroxide, calcium hydroxide, sodium carbonate or the like can be used. However, it is more preferable to use an aqueous solution containing as an active ingredient an organic alkaline component that does not cause the alkali metal component to remain after firing. An amine component or a quaternary ammonium salt can be used as the organic alkaline active ingredient. Specific examples include aminoethanol such as monoethanolamine and diethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, and trimethylbenzylammonium hydroxide.

現像液により不要部分が取り除かれたのち、パターン形成基板は洗浄液中に浸漬することおよび/またはパターン形成基板に洗浄液を噴射する清浄処理手段(b)により清浄される。   After the unnecessary portions are removed by the developer, the pattern forming substrate is cleaned by a cleaning treatment means (b) that immerses the substrate in the cleaning solution and / or sprays the cleaning solution onto the pattern forming substrate.

洗浄液3は、例えば基板1上部および/または下部に設置されたシャワー管4のノズルから噴射される。ノズルを配置する間隔および高さは特に限定されないが、洗浄効率の点から、ピッチ100〜150mm、高さ80〜120mmとすることが好ましい。洗浄液としては特に限定されないが、例えば、純水、酸化還元水、弱酸性水、弱アルカリ水などがあげられる。   The cleaning liquid 3 is sprayed from, for example, a nozzle of a shower tube 4 installed at the upper part and / or the lower part of the substrate 1. The interval and height at which the nozzles are arranged are not particularly limited, but it is preferable that the pitch is 100 to 150 mm and the height is 80 to 120 mm from the viewpoint of cleaning efficiency. Although it does not specifically limit as a washing | cleaning liquid, For example, a pure water, oxidation reduction water, weak acidic water, weak alkaline water, etc. are mention | raise | lifted.

清浄後のパターン形成基板1は液体除去手段(c)に導入され、表面に付着した現像液および/または洗浄液が取り除かれる。液体除去手段としては、例えばエアナイフなどが好ましく用いられ、該エアナイフより噴射される高圧空気流により基板表面に付着した現像液および/または洗浄液が取り除かれる。エアナイフ5から噴射されるエアの噴射方向は、液体の除去効率を高めるために、図1および2に示すように側面視で基板搬送方向上流側に、平面視で側方にそれぞれ傾斜していることが好ましい。   The cleaned pattern forming substrate 1 is introduced into the liquid removing means (c), and the developing solution and / or cleaning solution adhering to the surface is removed. As the liquid removing means, for example, an air knife is preferably used, and the developer and / or cleaning liquid adhering to the substrate surface is removed by a high-pressure air flow ejected from the air knife. In order to increase the liquid removal efficiency, the direction of air sprayed from the air knife 5 is inclined upstream in the substrate transport direction in a side view and laterally in a plan view as shown in FIGS. It is preferable.

本発明のパターン現像装置は、液体除去手段(c)の上部の天板に液体落下防止手段7を有することを特徴としている。それにより、液体除去工程(c)において、エアナイフにより吹き飛ばされ浮遊しているペーストや水滴などの異物が該液体落下防止手段に捕捉され、パターン形成基板上に再付着することを防止できる。   The pattern developing apparatus of the present invention is characterized by having a liquid fall prevention means 7 on the top plate above the liquid removal means (c). Thereby, in the liquid removing step (c), it is possible to prevent foreign matters such as paste and water droplets that are blown off by the air knife and floated on the liquid fall prevention means and reattach to the pattern forming substrate.

液体落下防止手段としては、液体除去手段(c)の上部の板状物に対してスリット加工、傾斜、または表面の親水性処理を施すことなどがあげられる。   Examples of the liquid fall prevention means include slit processing, tilting, or surface hydrophilic treatment on the plate-like material on the upper part of the liquid removal means (c).

スリット溝の断面形状としては特に限定されず、例えばV型、半円型などがあげられる。また、スリット溝を設ける方向としては、搬送方向に対して垂直方向とすることが、液垂れが基板上に落ちにくい点から好ましい。スリット溝のサイズは特に限定しないが、溝幅は0.05〜3mmであることが好ましく、0.1〜2mmであることがより好ましい。スリット溝の幅が0.05mm未満であると、板状物の保水量が少なく液が落下しやすい傾向となり、逆に3mmを超えると保水量が多すぎるため、この場合も液が落下しやすくなるため好ましくない。また、スリット溝の深さは、0.05〜3mmであることが好ましく、0.1〜2mmであることがより好ましい。スリット溝の深さが0.05mm未満であると、液体を導く効果がなくなり、3mmを超えると保水量が多すぎるため、液が落下しやすい傾向となる。さらに、スリット溝を設ける間隔(ピッチ)は10mm以下であることが好ましく、5mm以下であることがより好ましい。該間隔が10mmを超えると保水能力が小さくなり、液体落下防止効果がなくなる。   The cross-sectional shape of the slit groove is not particularly limited, and examples thereof include a V shape and a semicircular shape. In addition, the direction in which the slit groove is provided is preferably a direction perpendicular to the transport direction from the viewpoint that liquid dripping hardly falls on the substrate. The size of the slit groove is not particularly limited, but the groove width is preferably 0.05 to 3 mm, and more preferably 0.1 to 2 mm. If the slit groove width is less than 0.05 mm, the amount of water retained by the plate-like material tends to be small and the liquid tends to drop. Conversely, if it exceeds 3 mm, the amount of water retained is too large. Therefore, it is not preferable. Further, the depth of the slit groove is preferably 0.05 to 3 mm, and more preferably 0.1 to 2 mm. If the depth of the slit groove is less than 0.05 mm, the effect of guiding the liquid is lost, and if it exceeds 3 mm, the water retention amount is too large, so that the liquid tends to fall. Furthermore, the interval (pitch) at which the slit grooves are provided is preferably 10 mm or less, and more preferably 5 mm or less. If the distance exceeds 10 mm, the water retention capacity is reduced, and the effect of preventing liquid drop is lost.

板状物に傾斜を設ける場合は基板搬送方向および垂直方向にそれぞれ設けることが好ましい。基板搬送方向に設ける傾斜角は、基板搬送方向の上流側を下側にして、水平面に対して5〜45度であることが好ましく、5〜20度であることがより好ましい。傾斜角が5度未満であると、液体を導く途中で基板上に落下しやすくなり、45度を超えると装置高さが高くなり、装置コストが高くなる。また、基板搬送方向に対して垂直な方向に設ける傾斜角は、水平面に対して5〜45度であることが好ましく、5〜20度であることがより好ましい。傾斜角が5度未満であると、液体を導く途中で基板上に落下しやすくなり、45度を超えると装置高さが高くなり、装置コストが高くなる。   When the plate-like object is provided with an inclination, it is preferably provided in the substrate transport direction and the vertical direction, respectively. The inclination angle provided in the substrate transport direction is preferably 5 to 45 degrees, and more preferably 5 to 20 degrees with respect to the horizontal plane, with the upstream side in the substrate transport direction as the lower side. If the tilt angle is less than 5 degrees, the liquid tends to drop onto the substrate in the middle of guiding the liquid, and if it exceeds 45 degrees, the apparatus height increases and the apparatus cost increases. In addition, an inclination angle provided in a direction perpendicular to the substrate transport direction is preferably 5 to 45 degrees with respect to the horizontal plane, and more preferably 5 to 20 degrees. If the tilt angle is less than 5 degrees, the liquid tends to drop onto the substrate in the middle of guiding the liquid, and if it exceeds 45 degrees, the apparatus height increases and the apparatus cost increases.

なお、板状物の大きさは特に限定されないが、図2に示すように、エアナイフ5を設ける角度に応じて斜めにカットしたものを用いてもよい。この場合、板状物の広くエリアがあいている側、すなわちエアナイフ5から圧縮空気が吹き出す方向を低くなるようにすることが好ましい。   In addition, although the magnitude | size of a plate-shaped object is not specifically limited, As shown in FIG. 2, you may use what was diagonally cut according to the angle which provides the air knife 5. As shown in FIG. In this case, it is preferable that the side of the plate-like object where the area is wide, that is, the direction in which the compressed air blows out from the air knife 5 is lowered.

板状物を設ける高さは、例えば基板表面から100〜1000mmとすることが好ましく、200〜1000mmとすることがより好ましい。板状物の高さが100mm未満であると、板状物下部のエアナイフにより舞い上がった水滴が減速せずに板状物に当たり、板状物の親水性の効力を得られないまま跳ね返って基板上に落ちやすくなる。一方、1000mmを超えると、舞い上がった水滴が板状物に届かないまま、基板上に落ちやすくなる。   The height at which the plate-like material is provided is preferably, for example, 100 to 1000 mm, more preferably 200 to 1000 mm from the substrate surface. If the height of the plate-like object is less than 100 mm, the water droplets swollen by the air knife at the bottom of the plate-like object hit the plate-like object without decelerating and bounce off without obtaining the hydrophilic effect of the plate-like object. It is easy to fall. On the other hand, if it exceeds 1000 mm, the water droplets that have risen will not easily reach the plate-like object and will easily fall on the substrate.

板状物表面に施す親水性処理としては、特に限定されないが、樹脂コーティングが一般的である。その一例としては、吸湿系または親水性の高分子、例えばポリビニルアルコール、ポリウレタン、ポリプロピレングリコール、ポリエチレングリコール、ポリイソシアネートなどをベースとした吸湿性、親水性の高分子膜を形成するものや、アニオン系界面活性剤としてアルキルジフェニルエーテルジスルフォン酸塩、脂肪酸塩、アルキル硫酸エステル塩、アルキルベンゼンスルフォン酸塩、ポリオキシエチレンアルキル(アルキルアリル)硫酸エステル塩の少なくとも1種類以上含むものがあげられる。また、その他、水ガラスや、リン酸チタン、硼酸アルミニウムなどを用いてもよい。なお、板状物自体を前記樹脂で作製されたものとしてもよい。   The hydrophilic treatment applied to the surface of the plate-like material is not particularly limited, but a resin coating is common. Examples include hygroscopic or hydrophilic polymers such as those that form hygroscopic and hydrophilic polymer films based on polyvinyl alcohol, polyurethane, polypropylene glycol, polyethylene glycol, polyisocyanate, Examples of the surfactant include those containing at least one of alkyl diphenyl ether disulfonate, fatty acid salt, alkyl sulfate ester salt, alkylbenzene sulfonate salt, and polyoxyethylene alkyl (alkylallyl) sulfate ester salt. In addition, water glass, titanium phosphate, aluminum borate, or the like may be used. The plate-like object itself may be made of the resin.

板状物表面の親水性の程度は特に限定されないが、例えば純水での濡れ性が15mm以上であることが好ましく、20mm以上であることがより好ましい。濡れ性が15mm未満であると、水分をはじきやすく水滴として基板上に落下しやすくなる傾向がある。ここで、濡れ性は室温23±2℃、湿度55±10%の環境化で抵抗率1MΩ・cm以上の純水を用いて、マイクロピペットにより50μL滴下し、30秒後に広がった水滴の直径(X方向、Y方向を2点計測し、その平均値)を計測する方法により測定することができる。   The degree of hydrophilicity of the surface of the plate-like object is not particularly limited, but for example, the wettability with pure water is preferably 15 mm or more, and more preferably 20 mm or more. If the wettability is less than 15 mm, water tends to be repelled and tends to fall on the substrate as water droplets. Here, the wettability is a room temperature of 23 ± 2 ° C. and a humidity of 55 ± 10%. Using pure water having a resistivity of 1 MΩ · cm or more, 50 μL is dropped by a micropipette, and the diameter of a water droplet that spreads after 30 seconds ( The X direction and the Y direction can be measured at two points, and the average value) can be measured.

なお、液体除去工程(c)において、エアナイフにより吹き飛ばされ浮遊しているペーストや水滴などの異物を効果的に除去するために、前記液体落下防止手段以外の異物除去機構を設けてもよい。該異物除去機構は特に限定されるものではないが、例えば前記ペーストや水滴などを巻き込んで排斥除去することができる液体流や気体流などで構成することができ、具体的には純水を散水することができる散水用シャワーなどがあげられる。散水用シャワーを用いる場合、基板に対し直接的にシャワーが作用しないよう、処理装置の側面内壁や内側床面に対して噴射させるのがよく、設置する位置についてもエアナイフ設置位置と同様の位置からその上流部にかけて設けるのが好ましい。   In the liquid removing step (c), a foreign matter removing mechanism other than the liquid drop preventing means may be provided in order to effectively remove foreign matters such as paste and water droplets blown off by an air knife and floating. The foreign matter removing mechanism is not particularly limited. For example, the foreign matter removing mechanism can be configured by a liquid flow or a gas flow that can be removed by removing the paste or water droplets. Specifically, pure water can be sprinkled. Watering showers that can be used. When using a shower for watering, it is better to spray on the inner wall or the inner floor of the processing device so that the shower does not act directly on the substrate. The installation position is from the same position as the air knife installation position. It is preferable to provide it over the upstream part.

また、他にも、例えば、浮遊するペーストや水滴を積極的に吸引して、パターン形成装置外に排気をするような排気装置(吸引し排気する装置)を異物除去機構として用いることができる。その場合、排気装置の排気管は、パターン形成基板の直上に位置させて設けることが良い。吸引して排気する作用が最も強く、本発明の所期の効果が期待できるからであり、その場合、排気管の先端部とパターン形成基板の表面との距離が300mm以内、より好ましくは50〜250mmの範囲内であるように設置するのが効果的である。ただし、設置位置が基板に近くなりすぎると、エアナイフの本来の液体除去作用を妨害することとなるため好ましくない。   In addition, for example, an exhaust device (a device for sucking and exhausting) that actively sucks floating paste and water droplets and exhausts them outside the pattern forming device can be used as the foreign matter removing mechanism. In that case, the exhaust pipe of the exhaust device is preferably provided directly above the pattern forming substrate. This is because the action of sucking and exhausting is the strongest, and the expected effect of the present invention can be expected. In that case, the distance between the tip of the exhaust pipe and the surface of the pattern forming substrate is within 300 mm, more preferably 50 to It is effective to install it within a range of 250 mm. However, it is not preferable that the installation position is too close to the substrate because the original liquid removing action of the air knife is disturbed.

なお、これらの異物除去機構は併用して用いてもよい。また、異物除去機構はパターン形成を行っている間、連続して作用させることが好ましいが、断続的もしくは間歇的に作用させるものであってもよい。   These foreign matter removing mechanisms may be used in combination. The foreign matter removing mechanism is preferably continuously operated during pattern formation, but may be intermittently or intermittently operated.

パターン形成装置とは特に限定しないが、湿式により現像または化学エッチングにより所望配線パターンを形成する装置を総称していう。ここでいう現像とは、薬品をつかって露光により溶解度差を設けた感光性ペースト膜を所望パターンに変える化学処理のことをいう。さらに化学エッチングとは表層に耐薬品性の膜を形成した後に、薬品やイオンの腐食作用を使って所望パターンを形成する工程である。   The pattern forming apparatus is not particularly limited, but it is a general term for apparatuses that form a desired wiring pattern by wet development or chemical etching. The term “development” as used herein refers to a chemical treatment that uses a chemical to change a photosensitive paste film having a solubility difference by exposure to a desired pattern. Furthermore, the chemical etching is a process of forming a desired pattern using a corrosive action of chemicals or ions after forming a chemical-resistant film on the surface layer.

本発明において、基板に形成されるパターンは特に限定されるものではないが、凹凸形態またはマトリックス構造を含むパターンであることが好ましく、具体的には、電極、誘電体、隔壁、ブラックマトリックス、ブラックストライプ、またはプラズマディスプレイにおけるカラーフィルターなどがあげられる。   In the present invention, the pattern formed on the substrate is not particularly limited, but is preferably a pattern including a concavo-convex form or a matrix structure, specifically, electrodes, dielectrics, barrier ribs, black matrix, black Examples include stripes or color filters in plasma displays.

特に、前述の電極やリブの形成処理加工では、一般に100〜数百μmのピッチで、高さ数十〜数百μm、幅100μm未満というような非常に細かな凹凸構造を有するパターン形状のものとなるので、発生する感光性ペースト屑も非常に細かなものとなる。したがって、(b)の清浄処理だけでは除去しきれない感光性ペースト屑が発生しやすく、また同時に、それらの細かな感光性ペースト屑はエアナイフにより吹き飛ばされた細かな水滴に簡単に捕捉されて、装置内壁や床底面に再付着しやすく、さらにはパターン形成基板を汚染するという不都合があったが、本発明の製造方法によれば、より簡単に再付着の発生を防止することができる。   In particular, in the above-described electrode and rib formation processing, a pattern shape having a very fine concavo-convex structure such as a pitch of 100 to several hundred μm, a height of several tens to several hundred μm, and a width of less than 100 μm. Therefore, the generated photosensitive paste waste is also very fine. Therefore, photosensitive paste waste that cannot be removed only by the cleaning treatment of (b) is likely to be generated, and at the same time, the fine photosensitive paste waste is easily captured by fine water droplets blown by an air knife, Although there was a disadvantage that it easily reattached to the inner wall or floor of the apparatus and further contaminated the pattern forming substrate, the production method of the present invention can more easily prevent reattachment.

なお、本発明の液体除去装置は、以上説明したように、おもにプラズマディスプレイ用部材のパターン現像工程において好ましく用いられるが、そのほかにも、例えば基板の前洗浄工程など、基板に付着した液体を除去する工程であれば好適にも用いることができる。   As described above, the liquid removal apparatus of the present invention is preferably used mainly in the pattern development process of the plasma display member. In addition, for example, the liquid attached to the substrate can be removed, for example, in the pre-cleaning process of the substrate. Any process can be used suitably.

以下に本発明を実施例を用いて具体的に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。なお、実施例中の%は断りのない限り重量%を示す。   Hereinafter, the present invention will be specifically described with reference to examples. However, the present invention is not limited to this. In addition,% in an Example shows weight%, unless there is a notice.

実施例1
図1に示すような本願発明の液体除去装置を含むパターン現像装置を用いて、感光性ペースト法により42インチ基板に焼成前高さ170μmの井桁隔壁パターンを形成した。ここで、現像処理手段(a)には、シャワー管1本に付き現像液が噴射されるノズルをピッチ150mmごとに下向きに設置し、清浄処理手段には、シャワー管1本につき純水が噴射されるノズルをピッチ100mmごとに下向きに設置した。また、液体除去手段の上部の板状物にピッチ1.5mm、深さ0.1mmのV溝加工した厚さ5mmの樹脂板(材質:塩化ビニル製(積水化学製)を設置した。V溝の方向に10°の傾斜を設け、ワーク搬送方向と垂直方向に10°の傾斜を設けた。本板状物の塗れ性を抵抗率1.2MΩ・cmの純水を50μLマイクロピペットで滴下し、30秒後に広がった水滴の直径を測定したところ、6mmであった。
Example 1
Using a pattern developing apparatus including the liquid removing apparatus of the present invention as shown in FIG. 1, a grid pattern of 170 μm height before firing was formed on a 42-inch substrate by a photosensitive paste method. Here, the developing processing means (a) is provided with nozzles for spraying the developer attached to one shower tube downward at a pitch of 150 mm, and pure water is sprayed to the cleaning processing means per shower tube. The nozzles to be used were placed downward every 100 mm pitch. In addition, a resin plate (material: made of vinyl chloride (manufactured by Sekisui Chemical Co., Ltd.) having a thickness of 5 mm and processed into a V-groove with a pitch of 1.5 mm and a depth of 0.1 mm was installed on the plate-like object on the upper side of the liquid removing means. A 10 ° inclination was provided in the direction perpendicular to the workpiece conveying direction, and a 10 ° inclination was provided in the direction perpendicular to the workpiece transfer direction.Pure water with a resistivity of 1.2 MΩ · cm was added dropwise with a 50 μL micropipette for the wettability of the plate. The diameter of the water droplet that spread after 30 seconds was measured and found to be 6 mm.

パターン形成された基板100枚について、基板表面での蛍光灯(白色光)照度700ルクスに設定した目視検査を実施し評価したところ、以下に定義するシミムラ発生率は2%であった。 シミムラ発生率(%)={(シミムラの検出された基板数)/(全検査基板数)}×100。   A 100-patterned substrate was subjected to a visual inspection set to a fluorescent lamp (white light) illuminance of 700 lux on the substrate surface and evaluated. As a result, the occurrence rate of spot unevenness defined below was 2%. Stain unevenness occurrence rate (%) = {(number of substrates on which stains are detected) / (total number of test substrates)} × 100.

実施例2
樹脂板のV溝のピッチを1mmにした以外は実施例1と同様に基板上にパターンを形成し評価したところ、シミムラ発生率は1.8%であった。
Example 2
When a pattern was formed on the substrate and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the pitch of the V grooves of the resin plate was 1 mm, the occurrence rate of spot unevenness was 1.8%.

実施例3
樹脂板のV溝のピッチを5mm、深さ2mmにした以外は実施例1と同様に基板上にパターンを形成し評価したところ、シミムラ発生率は2.1%であった。
Example 3
When a pattern was formed on the substrate and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the pitch of the V groove of the resin plate was 5 mm and the depth was 2 mm, the spot unevenness occurrence rate was 2.1%.

実施例4
実施例1で用いたV溝加工した樹脂板の代わりに表面が親水性処理された曇り防止フィルム(NOACRYSTAL-V:RP東プラ(株)製)、抵抗率1.2MΩ・cmの純水を50μLマイクロピペットで滴下し、30秒後に広がった水滴の直径を測定結果:20mm)を用いた以外は実施例1と同様に基板上にパターンを形成し評価したところ、シミムラ発生率は1.5%であった。
Example 4
Instead of the V-groove-processed resin plate used in Example 1, an anti-fogging film (NOACRYSTAL-V: manufactured by RP Topura Co., Ltd.) having a hydrophilic surface, pure water having a resistivity of 1.2 MΩ · cm was used. When a pattern was formed on the substrate and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the diameter of a water droplet that was dropped with a 50 μL micropipette and the diameter of a water droplet that spread after 30 seconds was used was 20 mm), the rate of occurrence of spot unevenness was 1.5 %Met.

実施例5
樹脂板のV溝のピッチを5mm、深さ2mmとし、さらにその板状物表面に防曇加工(表面を親水性処理)した(TOTO製:ハイドロテクトコート、加工後の板状物表面の塗れ性:15mm)以外は実施例1と同様に基板上にパターンを形成し評価したところ、シミムラ発生率は1%であった。
Example 5
The pitch of the V groove of the resin plate was 5 mm and the depth was 2 mm, and the surface of the plate was anti-fogged (the surface was hydrophilic) (manufactured by TOTO: Hydrotect coat, paintability of the plate after processing) : 15 mm), when a pattern was formed on the substrate and evaluated in the same manner as in Example 1, the occurrence rate of spot unevenness was 1%.

実施例6
感光性ペースト法により電極を形成した以外は実施例1と同様に基板上にパターンを形成し評価したところ、シミムラ発生率は0.5%であった。
Example 6
When a pattern was formed on the substrate and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the electrode was formed by the photosensitive paste method, the occurrence rate of spot unevenness was 0.5%.

実施例7
基板に感光性ペースト法により焼成後厚さ50μm(焼成前70μm)誘電体を形成した以外は実施例1と同様に基板上にパターンを形成し評価したところ、シミムラ発生率は0.8%であった。
Example 7
A pattern was formed on the substrate and evaluated in the same manner as in Example 1 except that a dielectric having a thickness of 50 μm (70 μm before firing) was formed on the substrate by a photosensitive paste method. there were.

実施例8
感光性ペースト法によりブラックストライプを形成した以外は実施例1と同様に基板上にパターンを形成し評価したところ、シミムラ発生率は0.7%であった。
Example 8
When a pattern was formed on the substrate and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the black stripe was formed by the photosensitive paste method, the occurrence rate of spot unevenness was 0.7%.

比較例1
樹脂板としてV溝加工が施されていないものを用い、水平に設置した以外は実施例1と同様に基板上にパターンを形成し評価したところ、シミムラ発生率は20%と悪化した。
Comparative Example 1
When a resin plate not subjected to V-groove processing was used and a pattern was formed on the substrate and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the resin plate was installed horizontally, the spot unevenness occurrence rate deteriorated to 20%.

Figure 2006247541
Figure 2006247541

表1によると、清浄処理手段(c)の上部の板状物に対してV溝や親水性の高い曇り防止フィルムなどの液体落下防止手段を設けた場合は、浮遊しているペーストや水滴がパターン形成基板に再付着することを効果的に防止することができ、得られた基板上のシミムラ発生率を抑制することができた。一方、このような液体落下防止手段を設けなかった比較例1では、基板上のシミムラ発生率が非常に高いものとなった。   According to Table 1, when a liquid drop prevention means such as a V-groove or a highly hydrophilic anti-fogging film is provided on the plate-like material on the upper part of the cleaning treatment means (c), floating paste or water droplets It was possible to effectively prevent reattachment to the pattern formation substrate, and to suppress the occurrence rate of spot unevenness on the obtained substrate. On the other hand, in Comparative Example 1 in which such a liquid drop prevention means was not provided, the occurrence rate of spot unevenness on the substrate was very high.

本発明で採用する(a)の現像処理工程、(b)の清浄処理工程、(c)の液体除去工程の3工程を有するパターン形成工程の概要をモデル的に示したものであり、特に、液体除去手段(c)の上部の板状物に液体落下防止手段を設けたパターン現像装置の概要をモデル的に示したものである。The outline of the pattern forming step having three steps of (a) development processing step, (b) cleaning processing step, and (c) liquid removal step employed in the present invention is shown as a model. 1 schematically shows an outline of a pattern developing apparatus in which a liquid fall prevention means is provided on a plate-like object on the upper side of a liquid removing means (c). 図1の清浄処理工程(c)における板状物およびエアナイフを上から見た図を示す。The figure which looked at the plate-shaped object and air knife in the cleaning process (c) of FIG. 1 from the top is shown. (a)の現像処理工程、(b)の清浄処理工程、(c)の液体除去工程の3工程を有する従来のパターン現像工程の概要をモデル的に示したものである。The outline of the conventional pattern development process which has three processes, the development process of (a), the cleaning process of (b), and the liquid removal process of (c), is shown as a model.

符号の説明Explanation of symbols

1 基板
2 現像液
3 洗浄水
4 シャワー管
5 エアナイフ
6 搬送ローラー
7 液体落下防止手段
a 現像処理工程
b 清浄処理工程
c 液体除去処理工程
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Developer 3 Washing water 4 Shower tube 5 Air knife 6 Transport roller 7 Liquid fall prevention means a Development process b Cleaning process c Liquid removal process

Claims (11)

基板の表面に付着した液体を取り除く液体除去手段を有する液体除去装置であって、該基板が通過する位置の上方に液体落下防止手段を具備することを特徴とする液体除去装置。 A liquid removal apparatus having a liquid removal means for removing liquid adhering to the surface of a substrate, comprising a liquid fall prevention means above a position through which the substrate passes. 液体落下防止手段が、スリット加工された板状物、傾斜を有して配された板状物、または親水性処理された板状物である請求項1記載の液体除去装置。 2. The liquid removing apparatus according to claim 1, wherein the liquid fall prevention means is a slit processed plate, an inclined plate, or a hydrophilic processed plate. 親水性処理された板状物表面の親水性が、純水での塗れ性15mm以上である請求項2記載の液体除去装置。 The liquid removing apparatus according to claim 2, wherein the hydrophilicity of the surface of the plate-like material subjected to the hydrophilic treatment is 15 mm or more in wettability with pure water. (a)潜像が形成された基板を現像液に接触せしめて現像を行う現像手段、
(b)現像手段によって得られたパターンが形成された基板を洗浄液に接触せしめて基板を清浄する清浄手段、および
(c)パターンが形成された基板の表面に付着した現像液および/または洗浄液を取り除く液体除去手段
を有する請求項1、2または3記載の液体除去装置を具備する現像装置。
(A) developing means for performing development by bringing a substrate on which a latent image is formed into contact with a developer;
(B) cleaning means for cleaning the substrate by bringing the substrate on which the pattern obtained by the developing means is brought into contact with the cleaning liquid; and (c) developer and / or cleaning liquid adhering to the surface of the substrate on which the pattern is formed. 4. A developing apparatus comprising the liquid removing apparatus according to claim 1, further comprising a liquid removing means for removing.
請求項4記載の現像装置を有するパターン形成装置。 A pattern forming apparatus comprising the developing device according to claim 4. 基板の表面に付着した液体を取り除く液体除去方法であって、該液体除去を行なうエリアの上方に液体落下防止手段を具備することを特徴とする液体除去方法。 A liquid removing method for removing liquid adhering to a surface of a substrate, comprising a liquid fall prevention means above an area where the liquid is removed. 液体落下防止手段が、スリット加工された板状物、傾斜を有して配された板状物、または親水性処理された板状物である請求項6記載の液体除去方法。 7. The liquid removing method according to claim 6, wherein the liquid fall prevention means is a slit processed plate, an inclined plate, or a hydrophilic processed plate. 親水性処理された板状物表面の親水性が純水での塗れ性15mm以上である請求項7記載の液体除去方法。 The liquid removing method according to claim 7, wherein the hydrophilicity of the surface of the plate-like material subjected to the hydrophilic treatment is a wettability of 15 mm or more with pure water. (a)潜像が形成された基板を現像液に接触せしめて現像を行うことにより現像工程、
(b)現像手段によって生じたパターンが形成された基板を洗浄液に接触せしめて基板を清浄する清浄工程、および
(c)パターンが形成された基板の表面に付着した現像液および/または洗浄液を取り除く請求項6、7または8記載の液体除去方法を使用する液体除去工程を有するプラズマディスプレイ用部材の製造方法。
(A) a developing step by bringing the substrate on which the latent image is formed into contact with a developer and performing development;
(B) A cleaning step in which the substrate on which the pattern generated by the developing unit is formed is brought into contact with the cleaning solution to clean the substrate, and (c) the developing solution and / or the cleaning solution adhering to the surface of the substrate on which the pattern is formed is removed. The manufacturing method of the member for plasma displays which has a liquid removal process using the liquid removal method of Claim 6, 7 or 8.
パターンが形成された基板が凹凸形態またはマトリックス構造を含むパターンである請求項9記載のプラズマディスプレイ用部材の製造方法。 The method for manufacturing a member for a plasma display according to claim 9, wherein the substrate on which the pattern is formed is a pattern including an uneven shape or a matrix structure. 基板に形成されたパターンが、電極、誘電体、隔壁、ブラックマトリックス、ブラックストライプまたはカラーフィルターである請求項9または10記載のプラズマディスプレイ用部材の製造方法。 The method for producing a member for a plasma display according to claim 9 or 10, wherein the pattern formed on the substrate is an electrode, a dielectric, a partition, a black matrix, a black stripe, or a color filter.
JP2005068618A 2005-03-11 2005-03-11 Liquid removing device Pending JP2006247541A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005068618A JP2006247541A (en) 2005-03-11 2005-03-11 Liquid removing device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005068618A JP2006247541A (en) 2005-03-11 2005-03-11 Liquid removing device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2006247541A true JP2006247541A (en) 2006-09-21

Family

ID=37088573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005068618A Pending JP2006247541A (en) 2005-03-11 2005-03-11 Liquid removing device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2006247541A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013531900A (en) * 2010-07-14 2013-08-08 エルジー・ケム・リミテッド Air knife chamber with blocking member
CN104438184A (en) * 2014-12-19 2015-03-25 苏州洛伊斯自动化科技有限公司 Cleaning assembly of cleaning device

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0624780U (en) * 1992-09-07 1994-04-05 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JPH0735478A (en) * 1993-07-20 1995-02-07 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Air knife device
JPH08236498A (en) * 1995-02-28 1996-09-13 Nec Corp Method of air knife drying
JP2003017463A (en) * 2001-06-29 2003-01-17 Shibaura Mechatronics Corp Substrate dryer
JP2004333110A (en) * 2003-04-17 2004-11-25 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd Substrate processing device, method for processing substrate, and method for manufacturing substrate

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0624780U (en) * 1992-09-07 1994-04-05 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate processing equipment
JPH0735478A (en) * 1993-07-20 1995-02-07 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd Air knife device
JPH08236498A (en) * 1995-02-28 1996-09-13 Nec Corp Method of air knife drying
JP2003017463A (en) * 2001-06-29 2003-01-17 Shibaura Mechatronics Corp Substrate dryer
JP2004333110A (en) * 2003-04-17 2004-11-25 Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd Substrate processing device, method for processing substrate, and method for manufacturing substrate

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013531900A (en) * 2010-07-14 2013-08-08 エルジー・ケム・リミテッド Air knife chamber with blocking member
US8667704B2 (en) 2010-07-14 2014-03-11 Lg Chem, Ltd. Air knife chamber including blocking member
CN104438184A (en) * 2014-12-19 2015-03-25 苏州洛伊斯自动化科技有限公司 Cleaning assembly of cleaning device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100512822B1 (en) Development method and substrate handling method and apparatus
KR100212074B1 (en) Apparatus for removing liquid from substrate
KR100629767B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate cleaning unit
JP5093232B2 (en) Steel plate cleaning method and continuous steel plate cleaning apparatus
US6761125B2 (en) Coating film forming system
EP3226283B1 (en) Liquid cutter cleaning device
KR20030064652A (en) Substrate handling method and apparatus, development method, semiconductor device fabricating method, and cleaning method of developer feed nozzle
JP2012083000A (en) Drying apparatus, and mold manufacturing method
JP2006247541A (en) Liquid removing device
JP4812847B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2004221244A5 (en)
TW200916207A (en) Coating method of building board
KR101150022B1 (en) Apparatus for etching
JP2007154491A (en) Water section member
US20080302222A1 (en) Method for drilling holes on insulators, fabricating optical windows and adjusting angle of optical window circumferential surface and apparatus for drilling holes on insulators and image detection device module
JP2007059417A (en) Substrate treatment device
JP7414884B2 (en) Device and method for substrate processing
JP2003218020A (en) Substrate processing method and device
JP4691887B2 (en) Pattern forming method, pattern forming apparatus, and method for manufacturing member for plasma display
CN113823550B (en) Spin-coatable hard mask removal method on wafer edge
CN208270408U (en) A kind of light guide plate cleaning detection all-in-one machine
JP4365192B2 (en) Transport type substrate processing equipment
JP2007073649A (en) Resist stripping and cleaning device, method of stripping and cleaning resist, and method of manufacturing substrate
JP4453074B2 (en) Method for developing substrate and method for producing member for plasma display using the same
JP3133847U (en) Ultrasonic cleaning equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Effective date: 20080305

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20100319

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100401

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100427

A521 Written amendment

Effective date: 20100526

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100615

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100803

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Effective date: 20100827

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Effective date: 20100906

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

A02 Decision of refusal

Effective date: 20100921

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02