JP2006245488A - 二次元面発光レーザーアレイおよび光走査装置および画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体基板上に、第一及び第二反射鏡と、第一及び第二反射鏡にはさまれた活性層とが少なくとも形成された面発光レーザー素子が複数個、二次元に配列された二次元面発光レーザーアレイであって、該二次元面発光レーザーアレイは、前記半導体基板上に規定された第一の基線上に等間隔で配置された複数の面発光レーザー素子と、前記第一の基線上の面発光レーザー素子の中心を通り、前記第一の基線に対し所定の角度θをなす第二の基線上に等間隔に配置された複数の面発光レーザー素子とを有し、前記半導体基板の主面が(1 0 0)面であり、かつ前記第一の基線が半導体基板の(0 1 −1)面若しくは(0 1 1)面に対し垂直であることを特徴としている。
【選択図】 図1
Description
本発明の第1の形態は、半導体基板上に、第一及び第二反射鏡と、第一及び第二反射鏡にはさまれた活性層とが少なくとも形成された面発光レーザー素子(VCSEL)が複数個、二次元に配列された二次元面発光レーザーアレイ(二次元VCSELアレイ)であって、該二次元面発光レーザーアレイは、前記半導体基板上に規定された第一の基線上に等間隔で配置された複数の面発光レーザー素子(VCSEL)と、前記第一の基線上の面発光レーザー素子の中心を通り、前記第一の基線に対し所定の角度θをなす第二の基線上に等間隔に配置された複数の面発光レーザー素子(VCSEL)とを有し、前記半導体基板の主面が(1 0 0)面であり、かつ前記第一の基線が半導体基板の(0 1 −1)面若しくは(0 1 1)面に対し垂直であることを特徴としている。
本発明の第2の形態は、半導体基板上に、第一及び第二反射鏡と、第一及び第二反射鏡にはさまれた活性層とが少なくとも形成された面発光レーザー素子(VCSEL)が複数個、二次元に配列された二次元面発光レーザーアレイ(二次元VCSELアレイ)であって、該二次元面発光レーザーアレイは、前記半導体基板上に規定された第一の基線上に等間隔で配置された複数の面発光レーザー素子(VCSEL)と、前記第一の基線上の面発光レーザー素子の中心を通り、前記第一の基線に対し所定の角度θをなす第二の基線上に等間隔に配置された複数の面発光レーザー素子(VCSEL)とを有し、前記半導体基板の主面が(1 0 0)面から(1 1 1)方向に所定の角度aで傾斜しており、かつ前記第一の基線が(0 1 −1)面に対し垂直若しくは平行であることを特徴としている。
本発明の第3の形態は、第1または第2の形態の二次元面発光レーザーアレイ(二次元VCSELアレイ)と、該二次元面発光レーザーアレイから放出されたレーザー光を走査する走査手段とを有していることを特徴とする光走査装置である。
本発明の第4の形態は、第3の形態の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイ(二次元VCSELアレイ)の各面発光レーザー素子(VCSEL)から放出されるレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段と、画像形成時以外の時に、前記受光手段を二次元面発光レーザーアレイから放出されるレーザー光の光路上に挿入する挿入手段とがさらに設けられていることを特徴としている。
本発明の第5の形態は、第3の形態の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイ(二次元VCSELアレイ)の各面発光レーザー素子(VCSEL)から放出されるレーザー光の一部を反射し残りのレーザー光を透過させる光学手段(例えば、ハーフミラー)と、光学手段で反射されたレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段とがさらに設けられていることを特徴としている。
本発明の第6の形態は、第4または第5の形態の光走査装置において、前記二次元面発光レーザーアレイ(二次元VCSELアレイ)と前記受光手段との間に、所定の倍率でレーザー光を拡大する拡大手段がさらに設けられていることを特徴としている。
本発明の第7の形態は、第3乃至第6のいずれかの形態の光走査装置において、主走査方向終端に1回の主走査終了を検知する主走査終了検知手段がさらに設けられており、主走査終了検知手段で検知された主走査終了検知信号と同期して副走査が行なわれるようになっていることを特徴としている。
本発明の第8の形態は、第3乃至第7のいずれかの形態の光走査装置が用いられることを特徴とする画像形成装置(電子写真装置)である。
Claims (8)
- 半導体基板上に、第一及び第二反射鏡と、第一及び第二反射鏡にはさまれた活性層とが少なくとも形成された面発光レーザー素子が複数個、二次元に配列された二次元面発光レーザーアレイであって、該二次元面発光レーザーアレイは、前記半導体基板上に規定された第一の基線上に等間隔で配置された複数の面発光レーザー素子と、前記第一の基線上の面発光レーザー素子の中心を通り、前記第一の基線に対し所定の角度θをなす第二の基線上に等間隔に配置された複数の面発光レーザー素子とを有し、前記半導体基板の主面が(1 0 0)面であり、かつ前記第一の基線が半導体基板の(0 1 −1)面若しくは(0 1 1)面に対し垂直であることを特徴とする二次元面発光レーザーアレイ。
- 半導体基板上に、第一及び第二反射鏡と、第一及び第二反射鏡にはさまれた活性層とが少なくとも形成された面発光レーザー素子が複数個、二次元に配列された二次元面発光レーザーアレイであって、該二次元面発光レーザーアレイは、前記半導体基板上に規定された第一の基線上に等間隔で配置された複数の面発光レーザー素子と、前記第一の基線上の面発光レーザー素子の中心を通り、前記第一の基線に対し所定の角度θをなす第二の基線上に等間隔に配置された複数の面発光レーザー素子とを有し、前記半導体基板の主面が(1 0 0)面から(1 1 1)方向に所定の角度aで傾斜しており、かつ前記第一の基線が(0 1 −1)面に対し垂直若しくは平行であることを特徴とする二次元面発光レーザーアレイ。
- 請求項1または請求項2記載の二次元面発光レーザーアレイと、該二次元面発光レーザーアレイから放出されたレーザー光を走査する走査手段とを有していることを特徴とする光走査装置。
- 請求項3記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子から放出されるレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段と、画像形成時以外の時に、前記受光手段を二次元面発光レーザーアレイから放出されるレーザー光の光路上に挿入する挿入手段とがさらに設けられていることを特徴とする光走査装置。
- 請求項3記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子から放出されるレーザー光の一部を反射し残りのレーザー光を透過させる光学手段と、光学手段で反射されたレーザー光の光出力を検知する受光手段と、該受光手段における光出力の検知結果に基づいて、前記二次元面発光レーザーアレイの各面発光レーザー素子への注入電流を制御する制御手段とがさらに設けられていることを特徴とする光走査装置。
- 請求項4または請求項5記載の光走査装置において、二次元面発光レーザーアレイと受光素子との間に、所定の倍率でレーザー光を拡大する拡大手段がさらに設けられていることを特徴とする光走査装置。
- 請求項3乃至請求項6のいずれか一項に記載の光走査装置において、主走査方向終端に1回の主走査終了を検知する主走査終了検知手段がさらに設けられており、主走査終了検知手段で検知された主走査終了検知信号と同期して副走査が行なわれるようになっていることを特徴とする光走査装置。
- 請求項3乃至請求項7のいずれか一項に記載の光走査装置が用いられることを特徴とする画像形成装置。
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