JP2006244599A - サスペンション用積層体およびその製造方法 - Google Patents

サスペンション用積層体およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

【課題】配線一体型サスペンションの製造に用いられるサスペンション用積層体の反りを抑制する。
【解決手段】サスペンション用積層体２０は、ステンレス箔１１と、このステンレス箔１１上に順に積層された絶縁層１２および導体層１３を備えている。ステンレス箔１１は、０．４〜２．５体積％の体積率のマルテンサイト相を含んでいる。絶縁層１２は、例えばポリイミド系樹脂からなる。導体層１３は、例えば純銅または銅合金を含む。サスペンション用積層体２０は、磁気ヘッドを含むスライダを記録媒体に対向するように弾性的に支持する配線一体型サスペンションの製造に用いられる。
【選択図】図２

Description

本発明は、磁気ヘッドを含むスライダを弾性的に支持する配線一体型サスペンションの製造に用いられるサスペンション用積層体およびその製造方法に関する。
ハードディスク装置では、磁気ヘッドを含むスライダが、サスペンションによって弾性的に支持されて、記録媒体に対向するように配置される。記録媒体が回転すると、記録媒体とスライダとの間を通過する空気流によってスライダに揚力が生じ、スライダは、この揚力によって記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。従って、サスペンションの剛性等の機械的な特性は、スライダの浮上量や姿勢に大きな影響を与える。
スライダに含まれる磁気ヘッドには配線が接続される。この配線は、サスペンションに沿って配置される。従来、この配線は、サスペンションの作製後に、サスペンションに取り付けられていた。しかしながら、このようにサスペンションに配線を取り付ける方法では、配線の剛性や空気抵抗等がスライダの浮上量や姿勢に影響を与えるという問題点や、配線と磁気ヘッドとの接続工程を簡略化できないという問題点があった。
そこで、例えば特許文献１、２に示されるように、サスペンションと配線とを一体化した配線一体型サスペンションも提案されている。この配線一体型サスペンションは、サスペンション上に絶縁層を介してパターン化された導体層が形成されたものである。特許文献１には、導体層のパターニングの方法として、ステンレス箔上に絶縁層と導体層を順に積層してなる積層体を用い、この積層体における導体層をエッチングによってパターニングする方法が記載されている。また、特許文献２には、導体層のパターニングの方法として、ステンレス箔上に絶縁層が積層されてなる積層体を用い、この積層体における絶縁層の上に、スパッタ法やめっき法等を用いて、パターン化された導体層を形成する方法が記載されている。
国際公開第ＷＯ９８／０８２１６号パンフレット 特開平１０−２７０８１７号公報
前述のように、配線一体型サスペンションの製造に用いられるサスペンション用積層体には、ステンレス箔上に絶縁層と導体層を順に積層してなる積層体と、ステンレス箔上に絶縁層が積層されてなる積層体とがある。従来、ステンレス箔上に絶縁層と導体層を順に積層してなる積層体では、この積層体の製造後に、積層体が反る場合があるという問題点があった。このように積層体が反ると、サスペンションの製造過程において、反った積層体によって積層体の搬送路が詰まったり、サスペンションの機械的な精度が劣化するという問題が生じる。また、ステンレス箔上に絶縁層が積層されてなる積層体を用いてサスペンションの製造する場合にも、積層体の絶縁層上に導体層を形成した後に、積層体が反る場合があるという問題点があった。この場合にも、サスペンションの機械的な精度が劣化するという問題が生じる。
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、配線一体型サスペンションの製造に用いられるサスペンション用積層体の反りを抑制できるようにしたサスペンション用積層体およびその製造方法を提供することにある。
本発明のサスペンション用積層体は、磁気ヘッドを含むスライダを記録媒体に対向するように弾性的に支持する配線一体型サスペンションの製造に用いられるものである。本発明のサスペンション用積層体は、ステンレス箔と、このステンレス箔上に積層された絶縁層とを備え、ステンレス箔は、０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含んでいる。
本発明のサスペンション用積層体の製造方法は、ステンレス箔として、０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを選択する工程と、選択されたステンレス箔の上に絶縁層を積層する工程とを備えている。
本発明のサスペンション用積層体またはその製造方法では、ステンレス箔として、０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを用いることにより、絶縁層の上に導体層を積層したときのサスペンション用積層体の反りを抑制することが可能になる。
本発明のサスペンション用積層体またはその製造方法において、ステンレス箔は、マルテンサイト相を含むオーステナイト系のステンレス鋼からなるものであってもよい。
また、本発明のサスペンション用積層体またはその製造方法において、ステンレス箔は、７〜１３重量％のＮｉと、１６〜２０重量％のＣｒを含んでいてもよい。
また、本発明のサスペンション用積層体またはその製造方法において、絶縁層は、ポリイミド系樹脂からなるものであってもよい。
また、本発明のサスペンション用積層体またはその製造方法において、ステンレス箔の厚みは１０〜１００μｍの範囲内にあり、絶縁層の厚みは５〜５０μｍの範囲内にあってもよい。
また、本発明のサスペンション用積層体またはその製造方法において、絶縁層の線熱膨張係数は１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあってもよい。
また、本発明のサスペンション用積層体またはその製造方法において、絶縁層は、ステンレス箔に接する第１の面とその反対側の第２の面とを有し、サスペンション用積層体は、更に、絶縁層の第２の面に接するように配置された導体層を備えていてもよい。この場合、ステンレス箔の厚みは１０〜１００μｍの範囲内にあり、絶縁層の厚みは５〜５０μｍの範囲内にあり、導体層の厚みは５〜５０μｍの範囲内にあってもよい。また、絶縁層の線熱膨張係数は１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあり、導体層の線熱膨張係数は１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあってもよい。また、導体層は、純銅または銅合金を含んでいてもよい。
本発明のサスペンション用積層体またはその製造方法によれば、ステンレス箔として、０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを用いることにより、絶縁層の上に導体層を積層したときのサスペンション用積層体の反りを抑制することができるという効果を奏する。
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図３を参照して、本発明のサスペンション用積層体を用いて製造される配線一体型サスペンションの構成の一例について説明する。図３は、配線一体型サスペンションの平面図である。この配線一体型サスペンションは、磁気ヘッドを含むスライダを、記録媒体に対向するように弾性的に支持するものである。
図３に示した配線一体型サスペンションは、例えばステンレス鋼によって形成された板ばね状のロードビーム１、このロードビーム１の一端部に取り付けられたフレキシャ２とを備えている。フレキシャ２の一端部には、磁気ヘッドを含む図示しないスライダが取り付けられるようになっている。フレキシャ２は、スライダに適度な自由度を与えるものである。フレキシャ２において、スライダが取り付けられる部分には、スライダの姿勢を一定に保つためのジンバル部３が設けられている。ロードビーム１の他端部は、アクチュエータに取り付けられるようになっている。このアクチュエータは、スライダが記録媒体のトラック横断方向に移動するようにサスペンションを駆動する。フレキシャ２は、一端が磁気ヘッドに接続される配線４を含んでいる。本発明のサスペンション用積層体は、フレキシャ２を製造するために用いられる。
なお、本発明のサスペンション用積層体を用いて製造される配線一体型サスペンションの構成は、図３に示したものに限らない。例えば、配線一体型サスペンションは、図３におけるロードビーム１およびフレキシャ２の代わりに、これらが一体化されたサスペンション本体を備えたものであってもよい。この場合には、サスペンション本体が配線４を含む。そして、本発明のサスペンション用積層体は、サスペンション本体を製造するために用いられる。
次に、図１および図２を参照して、本発明の第１および第２の実施の形態に係るサスペンション用積層体（以下、単に積層体と言う。）およびその製造方法について説明する。
図１は、第１の実施の形態に係る積層体１０の一部を示す断面図である。本実施の形態に係る積層体１０は、ステンレス箔１１と、このステンレス箔１１上に積層された絶縁層１２とを備えている。絶縁層１２は、ステンレス箔１１に接する第１の面１２ａとその反対側の第２の面１２ｂとを有している。
本実施の形態に係る積層体１０の製造方法は、ステンレス箔１１の上に絶縁層１２を積層する工程を備えている。ステンレス箔１１の上に絶縁層１２を積層する方法は、特に限定されない。例えば、キャスティングにより、ステンレス箔１１の上に、樹脂からなる絶縁層１２を形成してもよいし、樹脂フィルムをステンレス箔１１の上にラミネートして絶縁層１２を形成してもよい。
本実施の形態に係る積層体１０を用いて、フレキシャ２またはサスペンション本体を製造する場合には、絶縁層１２の第２の面１２ｂの上に、パターン化された導体層１３が形成される。このパターン化された導体層１３が配線４となる。導体層１３のパターニングの方法は、特に限定されない。例えば、絶縁層１２の第２の面１２ｂの上にパターン化されていない導体層１３を形成した後、この導体層１３をエッチングによってパターニングしてもよいし、スパッタ法やめっき法等を用いて絶縁層１２の第２の面１２ｂの上にパターン化された導体層１３を形成してもよい。また、積層体１０は、フレキシャ２またはサスペンション本体となるように、エッチング等によって所定の形状に加工される。
図２は、第２の実施の形態に係る積層体２０の一部を示す断面図である。本実施の形態に係る積層体２０は、ステンレス箔１１と、このステンレス箔１１上に順に積層された絶縁層１２および導体層１３を備えている。絶縁層１２は、ステンレス箔１１に接する第１の面１２ａとその反対側の第２の面１２ｂとを有し、導体層１３は第２の面１２ｂに接するように配置されている。
本実施の形態に係る積層体２０の製造方法は、ステンレス箔１１の上に絶縁層１２を積層する工程と、絶縁層１２の第２の面１２ｂに接するように導体層１３を形成する工程とを備えている。この２つの工程の順序は特に限定されない。例えば、ステンレス箔１１の上に絶縁層１２を積層した後、絶縁層１２の上に導体層１３を形成してもよいし、その逆でもよい。また、別個に形成されたステンレス箔１１と絶縁層１２と導体層１３とを重ね合わせ、これらを同時に接合してもよい。ステンレス箔１１と絶縁層１２と導体層１３とを同時に接合する場合には、上記の２つの工程は同時に行われることになる。
ステンレス箔１１の上に絶縁層１２を積層する方法は、第１の実施の形態と同様に特に限定されない。例えば、キャスティングにより、ステンレス箔１１の上に、樹脂からなる絶縁層１２を形成してもよいし、樹脂フィルムをステンレス箔１１の上にラミネートして絶縁層１２を形成してもよい。
導体層１３を形成する方法も、特に限定されない。例えば、導体層１３となる導体箔と絶縁層１２と接合して導体層１３を形成してもよいし、スパッタ法やめっき法等を用いて絶縁層１２の第２の面１２ｂの上の上に導体層１３を形成してもよい。
本実施の形態に係る積層体２０を用いて、フレキシャ２またはサスペンション本体を製造する場合には、エッチング等によって導体層１３をパターニングして配線４を形成する。また、積層体２０は、フレキシャ２またはサスペンション本体となるように、エッチング等によって所定の形状に加工される。
第１の実施の形態に係る積層体１０と第２の実施の形態に係る積層体２０のいずれにおいても、ステンレス箔１１は、０．４〜２．５体積％の体積率のマルテンサイト相を含むものである。また、第１の実施の形態に係る積層体１０の製造方法と第２の実施の形態に係る積層体２０の製造方法のいずれも、ステンレス箔１１として、０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを選択する工程を備えている。第１の実施の形態では、ステンレス箔１１として、０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを用いることにより、絶縁層１２の上に導体層１３を積層したときの積層体１０の反りを抑制することが可能になる。また、第２の実施の形態では、ステンレス箔１１として、０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを用いることにより、積層体２０の反りを抑制することが可能になる。このようにステンレス箔１１として０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを用いることにより積層体１０，２０の反りを抑制することができる理由については、後で説明する。
各実施の形態において、ステンレス箔１１は、マルテンサイト相を含むオーステナイト系のステンレス鋼からなるものであることが好ましい。
また、各実施の形態において、ステンレス箔１１は、７〜１３重量％のＮｉと、１６〜２０重量％のＣｒを含んでいることが好ましい。これにより、ステンレス箔１１の厚みが後述する好ましい範囲内にあるときに、ステンレス箔１１の弾性率および強度を、いずれも好ましい範囲内とすることが可能になる。
また、各実施の形態において、絶縁層１２は、ポリイミド系樹脂からなることが好ましい。また、各実施の形態において、導体層１３は、純銅または銅合金を含むことが好ましい。
また、各実施の形態において、ステンレス箔１１の厚みは、１０〜１００μｍの範囲内にあることが好ましい。ステンレス箔１１の厚みが１０μｍ未満の場合には、積層体１０または積層体２０を用いて製造されるサスペンションの強度が不足する可能性がある。また、ステンレス箔１１の厚みが１００μｍを超えると、積層体１０または積層体２０を用いて製造されるサスペンションの重量が大きくなり過ぎ、サスペンションを駆動するアクチュエータの消費電力が大きくなり過ぎる可能性がある。ステンレス箔１１の厚みは、１５〜５１μｍの範囲内にあることがより好ましい。
また、各実施の形態において、絶縁層１２の厚みは、５〜５０μｍの範囲内にあることが好ましく、５〜２０μｍの範囲内にあることがより好ましい。また、各実施の形態において、導体層１３の厚みは５〜５０μｍの範囲内にあることが好ましく、５〜１８μｍの範囲内にあることがより好ましい。これらの好ましい範囲は、いずれも、積層体１０または積層体２０を用いて製造されるサスペンションの厚みを、一般的なサスペンションの厚みの範囲内とするためのものである。
また、各実施の形態において、絶縁層１２の厚みをステンレス箔１１の厚みで除した値は、０．０９〜１．００の範囲内であることが好ましい。また、各実施の形態において、導体層１３の厚みをステンレス箔１１の厚みで除した値は、０．０９〜２．５０の範囲内であることが好ましい。
また、各実施の形態において、絶縁層１２の線熱膨張係数は、１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあることが好ましい。また、各実施の形態において、導体層１３の線熱膨張係数は、１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあることが好ましい。絶縁層１２の線熱膨張係数と導体層１３の線熱膨張係数の少なくとも一方が上記の好ましい範囲から外れると、積層体１０，２０の加工時における積層体１０，２０の寸法の安定性が悪くなり、積層体１０，２０の反りや変形が発生する可能性がある。絶縁層１２の線熱膨張係数は、１５×１０-6〜２５×１０-6の範囲内にあることがより好ましい。また、導体層１３の線熱膨張係数は、１７×１０-6〜２０×１０-6の範囲内にあることがより好ましい。
ここで、ステンレス箔１１として０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを用いることにより、絶縁層１２の上に導体層１３を積層したときの積層体１０の反り、および積層体２０の反りを抑制することができる理由について説明する。本出願の発明者は、実験により、ステンレス箔１１におけるマルテンサイト相の体積率とステンレス箔１１の線熱膨張係数との間に相関があること、およびステンレス箔１１におけるマルテンサイト相の体積率と積層体１０，２０の反りとの間に相関があることを見出した。また、本発明者は、積層体１０，２０の反りの発生の原因の一つは、ステンレス箔１１、絶縁層１２、導体層１３の各線熱膨張係数の違いにあると考えた。本発明者は、これらのことから、ステンレス箔１１におけるマルテンサイト相の体積率を制御することで、積層体１０，２０の反りを抑制することが可能であると考え、実験を行った結果、ステンレス箔１１として０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを用いることにより、積層体１０，２０の反りを抑制できることを見出した。
なお、ステンレス箔１１の弾性率は、絶縁層１２の弾性率および導体層１３の弾性率に比べて大きい。そのため、積層体１０，２０の反りの大きさは、ステンレス箔１１の線熱膨張係数が変化すると大きく変化する。これに対し、絶縁層１２、導体層１３の各線熱膨張係数や絶縁層１２、導体層１３の各厚みが前述の好ましい範囲内で変化しても、積層体１０，２０の反りの大きさは、それほど変化しない。従って、積層体１０，２０の反りを抑制するには、ステンレス箔１１の線熱膨張係数を制御することが重要である。本発明では、ステンレス箔１１におけるマルテンサイト相の体積率を制御することによって、ステンレス箔１１の線熱膨張係数を制御して、積層体１０，２０の反りを抑制する。
［実施例］
以下、実験において作製した実施例および比較例について説明する。実施例は第２の実施の形態に対応するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。まず、実施例および比較例における各種の特性の測定方法について説明する。なお、実施例および比較例におけるポリイミド樹脂には、イミド化が十分に終了したものを用いた。
［ステンレス箔におけるマルテンサイト相の体積率の測定方法］
ステンレス箔１１を１０枚重ねて、縦３０ｍｍ、横３０ｍｍの矩形のシートを作成し、このシートのフェライト含有率を、（株）フィシャーインストルメンツ製のフェライトスコープ（商品名）を用いて測定し、得られた値を、ステンレス箔１１におけるマルテンサイト相の体積率とした。
［積層体の反りの測定方法］
裁断機によって積層体２０を裁断して、Ａ４サイズのシートを作成し、このシートを机上に載置したときに最も机の面から浮き上がった部分の机の面からの高さを、ノギスを用いて測定し、その高さを積層体２０の反り量とした。
なお、積層体２０の反りの態様には、次の２つの態様がある。第１の態様は、図４に示したように、ステンレス箔１１が下になるように積層体２０を机上に載置したときに、中央が浮く態様である。実験では、第１の態様における反り量Ｗを、正の値で表した。第２の態様は、図５に示したように、ステンレス箔１１が下になるように積層体２０を机上に載置したときに、周辺が浮く態様である。実験では、第２の態様における反り量Ｗを、負の値で表した。
［ステンレス箔の線熱膨張係数の測定方法］
セイコーインスツル（株）製の熱機械的分析装置を用い、ステンレス箔１１を２５５℃まで昇温し、更にその温度で１０分間保持した後、５℃／分の速度で冷却して、２４０℃から５０℃の範囲におけるステンレス箔１１の線熱膨張係数の平均値を求め、これをステンレス箔１１の線熱膨張係数とした。
以下の説明では、下記の略号を使用する。これらの意味は、下記の通りである。
ＰＭＤＡ：ピロメリット酸二無水物
ＤＳＤＡ：3,4,3',4'-ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物
ＢＰＤＡ：3,3',4,4'-ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
ＭＡＢＡ：4,4'-ジアミノ-2'-メトキシベンズアニリド
ＤＡＰＥ：4,4'-ジアミノジフェニルエーテル
ＰＤＡ：p-フェニレンジアミン
ＡＰＢ：1,3-ビス-（3-アミノフェノキシ）ベンゼン
ＢＡＰＳ：ビス（４-アミノフェノキシ）スルフォン
ＢＡＰＰ：2,2'-ビス[4-（4-アミノフェノキシ）フェニル]プロパン
ＤＭＡｃ：N,N-ジメチルアセトアミド
実施例および比較例の積層体の製造にあたり、４種類のポリイミド前駆体Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの各溶液を、下記の合成例１〜４に従って用意した。
［合成例１］
合成例１では、まず、ＭＡＢＡ１５４．４ｇ（０．６０モル）およびＤＡＰＥ８０．１ｇ（０．４０モル）を、５リットルのセパラブルフラスコ中で攪拌しながら２５６０ｇのＤＭＡｃに溶解させた。次に、その溶液に窒素気流中で２１８．１ｇ（１モル）のＰＭＤＡを加えた。その後、３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体Ａの溶液を得た。
［合成例２］
ＰＤＡ７５．７ｇ（０．７０モル）およびＤＡＰＥ６０．１ｇ（０．３０モル）を、５リットルのセパラブルフラスコ中で攪拌しながら２０１０ｇのＤＭＡｃに溶解させた。次に、その溶液に窒素気流中で２１８．１ｇ（１モル）のＰＭＤＡを加えた。その後、３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体Ｂの溶液を得た。
［合成例３］
ＡＰＢ２９２．３ｇ（１モル）を、５リットルのセパラブルフラスコ中で攪拌しながら３６９０ｇのＤＭＡｃに溶解させた。次に、その溶液に窒素気流中で３５８．３ｇ（１モル）のＤＳＤＡを加えた。その後、３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体Ｃの溶液を得た。
［合成例４］
ＢＡＰＰ４１４．２ｇ（１モル）を、５リットルのセパラブルフラスコ中で攪拌しながら３４８６ｇのＤＭＡｃに溶解させた。次に、その溶液に窒素気流中で２９９．８ｇ（１モル）のＢＰＤＡを加えた。その後、３時間攪拌を続けて重合反応を行い、粘稠なポリイミド前駆体Ｄの溶液を得た。
上記の合成例１〜４に従って得られた溶液を使用して、下記の実施例および比較例の積層体を製造した。
［実施例１］
実施例１の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、マルテンサイト相の体積率０．５０体積％、線熱膨張係数１７．８２ｐｐｍ（ｐｐｍ＝×１０-6）、厚み２０μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１を用意した。次に、以下のように、キャスティングによって、ステンレス箔１１上に絶縁層１２を形成した。すなわち、まず、合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、ステンレス箔１１上に、硬化後の厚みが１μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、その上に合成例１で得られたポリイミド前駆体Ａの溶液を、硬化後の厚みが７μｍとなるように塗布し、１１０℃で１０分間乾燥した。次に、その上に合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、ステンレス箔１１上に、絶縁層１２として、厚みが１０μｍのポリイミド樹脂層を形成した。
次に、導体層１３となる厚み１２μｍの圧延銅箔（（株）日鉱マテリアルズ製ＮＫ１２０（製品名））を、上記絶縁層１２の上に重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５ＭＰａ、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して、厚み２０μｍのステンレス箔１１、厚み１０μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み１２μｍの導体層１３（銅箔層）からなる積層体２０を製造した。
［実施例２］
実施例２の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、マルテンサイト相の体積率１．５２体積％、線熱膨張係数１７．５５ｐｐｍ、厚み２０μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１を用意した。次に、以下のように、キャスティングによって、ステンレス箔１１上に絶縁層１２を形成した。すなわち、まず、合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、ステンレス箔１１上に、硬化後の厚みが１μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、その上に合成例１で得られたポリイミド前駆体Ａの溶液を、硬化後の厚みが７μｍとなるように塗布し、１１０℃で１０分間乾燥した。次に、その上に合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、ステンレス箔１１上に、絶縁層１２として、厚みが１０μｍのポリイミド樹脂層を形成した。
次に、導体層１３となる厚み１２μｍの圧延銅箔（（株）日鉱マテリアルズ製ＮＫ１２０（製品名））を、上記絶縁層１２の上に重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５ＭＰａ、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して、厚み２０μｍのステンレス箔１１、厚み１０μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み１２μｍの導体層１３（銅箔層）からなる積層体２０を製造した。
［実施例３］
実施例３の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、マルテンサイト相の体積率２．３８体積％、線熱膨張係数１７．６２ｐｐｍ、厚み２０μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１を用意した。次に、以下のように、キャスティングによって、ステンレス箔１１上に絶縁層１２を形成した。すなわち、まず、合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、ステンレス箔１１上に、硬化後の厚みが１μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、その上に合成例１で得られたポリイミド前駆体Ａの溶液を、硬化後の厚みが７μｍとなるように塗布し、１１０℃で１０分間乾燥した。次に、その上に合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、ステンレス箔１１上に、絶縁層１２として、厚みが１０μｍのポリイミド樹脂層を形成した。
次に、導体層１３となる厚み１２μｍの圧延銅箔（（株）日鉱マテリアルズ製ＮＫ１２０（製品名））を、上記絶縁層１２の上に重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５ＭＰａ、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して、厚み２０μｍのステンレス箔１１、厚み１０μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み１２μｍの導体層１３（銅箔層）からなる積層体２０を製造した。
［実施例４］
実施例４の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、マルテンサイト相の体積率１．６７体積％、線熱膨張係数１７．６１ｐｐｍ、厚み２０μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１を用意した。次に、以下のように、キャスティングによって、ステンレス箔１１上に絶縁層１２を形成した。すなわち、まず、合成例４で得られたポリイミド前駆体Ｄの溶液を、ステンレス箔１１上に、硬化後の厚みが１μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、その上に合成例２で得られたポリイミド前駆体Ｂの溶液を、硬化後の厚みが７μｍとなるように塗布し、１１０℃で１０分間乾燥した。次に、その上に合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、ステンレス箔１１上に、絶縁層１２として、厚みが１０μｍのポリイミド樹脂層を形成した。
次に、導体層１３となる厚み１８μｍの圧延銅箔（オーリン社製Ｃ７０２５（製品名））を、上記絶縁層１２の上に重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５ＭＰａ、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して、厚み２０μｍのステンレス箔１１、厚み１０μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み１８μｍの導体層１３（銅箔層）からなる積層体２０を製造した。
［実施例５］
実施例５の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、マルテンサイト相の体積率２．００体積％、線熱膨張係数１７．５０ｐｐｍ、厚み２０μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１を用意した。次に、以下のように、キャスティングによって、ステンレス箔１１上に絶縁層１２を形成した。すなわち、まず、合成例４で得られたポリイミド前駆体Ｄの溶液を、ステンレス箔１１上に、硬化後の厚みが１μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、その上に合成例２で得られたポリイミド前駆体Ｂの溶液を、硬化後の厚みが７μｍとなるように塗布し、１１０℃で１０分間乾燥した。次に、その上に合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、ステンレス箔１１上に、絶縁層１２として、厚みが１０μｍのポリイミド樹脂層を形成した。
次に、導体層１３となる厚み１８μｍの圧延銅箔（（株）日鉱マテリアルズ製ＮＫ１２０（製品名））を、上記絶縁層１２の上に重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５ＭＰａ、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して、厚み２０μｍのステンレス箔１１、厚み１０μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み１８μｍの導体層１３（銅箔層）からなる積層体２０を製造した。
［実施例６］
実施例６の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、マルテンサイト相の体積率２．２３体積％、線熱膨張係数１７．６６ｐｐｍ、厚み２５μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１を用意した。次に、以下のように、キャスティングによって、ステンレス箔１１上に絶縁層１２を形成した。すなわち、まず、合成例４で得られたポリイミド前駆体Ｄの溶液を、ステンレス箔１１上に、硬化後の厚みが１μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、その上に合成例２で得られたポリイミド前駆体Ｂの溶液を、硬化後の厚みが７μｍとなるように塗布し、１１０℃で１０分間乾燥した。次に、その上に合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、ステンレス箔１１上に、絶縁層１２として、厚みが１０μｍのポリイミド樹脂層を形成した。
次に、導体層１３となる厚み１２μｍの圧延銅箔（（株）日鉱マテリアルズ製ＮＫ１２０（製品名））を、上記絶縁層１２の上に重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５ＭＰａ、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して、厚み２５μｍのステンレス箔１１、厚み１０μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み１２μｍの導体層１３（銅箔層）からなる積層体２０を製造した。
［実施例７］
実施例７の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、マルテンサイト相の体積率２．２３体積％、線熱膨張係数１７．６６ｐｐｍ、厚み２０μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１を用意した。次に、以下のように、キャスティングによって、ステンレス箔１１上に絶縁層１２を形成した。すなわち、まず、合成例４で得られたポリイミド前駆体Ｄの溶液を、ステンレス箔１１上に、硬化後の厚みが１μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、その上に合成例２で得られたポリイミド前駆体Ｂの溶液を、硬化後の厚みが７μｍとなるように塗布し、１１０℃で１０分間乾燥した。次に、その上に合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、ステンレス箔１１上に、絶縁層１２として、厚みが１０μｍのポリイミド樹脂層を形成した。
次に、導体層１３となる厚み１２μｍの電解銅箔（古河電気工業株式会社製Ｆ２−ＷＳ（製品名））を、上記絶縁層１２の上に重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５ＭＰａ、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して、厚み２０μｍのステンレス箔１１、厚み１０μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み１２μｍの導体層１３（銅箔層）からなる積層体２０を製造した。
［実施例８］
実施例８の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、マルテンサイト相の体積率２．２３体積％、線熱膨張係数１７．６６ｐｐｍ、厚み２０μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１を用意した。次に、以下のように、キャスティングによって、ステンレス箔１１上に絶縁層１２を形成した。すなわち、まず、合成例４で得られたポリイミド前駆体Ｄの溶液を、ステンレス箔１１上に、硬化後の厚みが１μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、その上に合成例２で得られたポリイミド前駆体Ｂの溶液を、硬化後の厚みが７μｍとなるように塗布し、１１０℃で１０分間乾燥した。次に、その上に合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、ステンレス箔１１上に、絶縁層１２として、厚みが１０μｍのポリイミド樹脂層を形成した。
次に、以下のように、スパッタ法およびめっき法を用いて、絶縁層１２の第２の面１２ｂの上に、導体層１３を形成した。まず、ステンレス箔１１および絶縁層１２からなる積層体を、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置のチャンバ内に設置した。次に、チャンバ内を１×１０-3Ｐａまで減圧した後、チャンバ内にアルゴンガスを導入し、ＤＣ電源にてプラズマを発生させ、スパッタ法により、絶縁層１２の第２の面１２ｂの上に、厚み４ｎｍのニッケル膜を形成した。次に、同一雰囲気下にて、スパッタ法により、ニッケル膜上に、厚み３００ｎｍの銅スパッタ膜を形成した。次に、この銅スパッタ膜を電極として電解めっき法により、銅スパッタ膜の上に、厚み９μｍの銅めっき層を形成した。このとき、めっき浴には硫酸銅浴（硫酸銅１００ｇ／L、硫酸２００／L、塩素４０ｍｇ／Ｌ）を使用し、アノードには含りん銅を使用し、電流密度は２．０Ａ／ｄｍ2とした。以上の工程によって形成された導体層１３は、ニッケル膜、銅スパッタ膜および銅めっき層によって構成されている。このようにして、厚み２０μｍのステンレス箔１１、厚み１０μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み約９μｍの導体層１３からなる積層体２０を製造した。
［実施例９］
実施例９の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、厚み１２．５μｍの市販の非熱可塑性ポリイミドフィルム（東レ・ディポン株式会社製カプトンＥＮ（商品名））の一方の面の上に、合成例４で得られたポリイミド前駆体Ｄの溶液を、硬化後の厚みが２μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、上記非熱可塑性ポリイミドフィルムの他方の面の上に、合成例４で得られたポリイミド前駆体Ｄの溶液を、硬化後の厚みが２μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、厚みが１６．５μｍで３層構造のポリイミドフィルムを作製した。このポリイミドフィルムが絶縁層１２となり、後にステンレス箔１１にラミネートされる。
次に、マルテンサイト相の体積率２．２３体積％、線熱膨張係数１７．６６ｐｐｍ、厚み２０μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１と、導体層１３となる厚み１２μｍの圧延銅箔（（株）日鉱マテリアルズ製ＮＫ１２０（製品名））とを用意した。次に、前記の方法で作製した絶縁層１２（ポリイミドフィルム）の第１の面１２ａにステンレス箔１１が接し、第２の面１２ｂに圧延銅箔が接するように、ステンレス箔１１、絶縁層１２および圧延銅箔を重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５ＭＰａ、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して、厚み２０μｍのステンレス箔１１、厚み１６．５μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み１２μｍの導体層１３（銅箔層）からなる積層体２０を製造した。
［比較例１］
比較例１の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、マルテンサイト相の体積率０．３０体積％、線熱膨張係数１７．８９ｐｐｍ、厚み２０μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１を用意した。次に、以下のように、キャスティングによって、ステンレス箔１１上に絶縁層１２を形成した。すなわち、まず、合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、ステンレス箔１１上に、硬化後の厚みが１μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、その上に合成例１で得られたポリイミド前駆体Ａの溶液を、硬化後の厚みが７μｍとなるように塗布し、１１０℃で１０分間乾燥した。次に、その上に合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、ステンレス箔１１上に、絶縁層１２として、厚みが１０μｍのポリイミド樹脂層を形成した。
次に、導体層１３となる厚み１２μｍの圧延銅箔（（株）日鉱マテリアルズ製ＮＫ１２０（製品名））を、上記絶縁層１２の上に重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５ＭＰａ、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して、厚み２０μｍのステンレス箔１１、厚み１０μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み１２μｍの導体層１３（銅箔層）からなる積層体２０を製造した。
［比較例２］
比較例２の積層体２０は、以下のようにして製造した。まず、マルテンサイト相の体積率２．７１体積％、線熱膨張係数１７．４２ｐｐｍ、厚み２０μｍのステンレス箔（新日本製鐵株式会社製、ＳＵＳ３０４、テンションアニール処理品）１１を用意した。次に、以下のように、キャスティングによって、ステンレス箔１１上に絶縁層１２を形成した。すなわち、まず、合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、ステンレス箔１１上に、硬化後の厚みが１μｍになるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、その上に合成例１で得られたポリイミド前駆体Ａの溶液を、硬化後の厚みが７μｍとなるように塗布し、１１０℃で１０分間乾燥した。次に、その上に合成例３で得られたポリイミド前駆体Ｃの溶液を、硬化後の厚みが２μｍとなるように塗布し、１１０℃で３分間乾燥した。次に、１３０〜３６０℃の範囲で段階的な熱処理を行うことによりイミド化を完成させ、ステンレス箔１１上に、絶縁層１２として、厚みが１０μｍのポリイミド樹脂層を形成した。
次に、導体層１３となる厚み１２μｍの圧延銅箔（（株）日鉱マテリアルズ製ＮＫ１２０（製品名））を、上記絶縁層１２の上に重ね合わせ、真空プレス機を用いて、面圧１５ＭＰａ、温度３２０℃、プレス時間２０分の条件で加熱圧着して、厚み２０μｍのステンレス箔１１、厚み１０μｍの絶縁層１２（ポリイミド樹脂層）、および厚み１２μｍの導体層１３（銅箔層）からなる積層体２０を製造した。
実験では、以上の実施例および比較例について、積層体２０の反り量を測定した。各実施例および比較例の概要と反り量の測定結果を以下の２つの表に示す。以下の２つの表には、絶縁層１２および導体層１３の各線熱膨張係数と、ステンレス箔１１、絶縁層１２および導体層１３の各弾性率も記載している。なお、表中の空欄部分は、測定していないことを表している。
Figure 2006244599
Figure 2006244599
図６は、実施例および比較例におけるステンレス箔１１のマルテンサイト相の体積率と線熱膨張係数との関係を示している。図６から、ステンレス箔１１におけるマルテンサイト相の体積率とステンレス箔１１の線熱膨張係数との間に相関があることが分かる。すなわち、少なくとも、図６に示したマルテンサイト相の体積率の範囲内では、マルテンサイト相の体積率が大きくなるほど、線熱膨張係数は小さくなると考えられる。
図７は、実施例および比較例におけるステンレス箔１１のマルテンサイト相の体積率と積層体２０の反り量との関係を示している。なお、実施例６〜９では、マルテンサイト相の体積率は等しいが、積層体２０の反り量が異なっている。これには、絶縁層１２の形成方法または導体層１３の形成方法の違いが関係していると考えられる。図７には、実施例６〜９における反り量のうち、絶縁層１２の形成方法および導体層１３の形成方法が実施例１〜５と同じである実施例６の反り量を示している。図７から、ステンレス箔１１におけるマルテンサイト相の体積率と積層体２０の反り量との間に相関があることが分かる。すなわち、図７に示したマルテンサイト相の体積率の範囲内では、マルテンサイト相の体積率が大きくなるほど、正負の符号を含めた反り量の値は小さくなると考えられる。
なお、実施例６〜９のうち、実施例８における反り量の絶対値は、実施例６、７、９における反り量の絶対値に比べて小さくなっている。この原因は、次のように考えられる。実施例６、７、９では、加熱圧着によって絶縁層１２と導体層１３とを接合している。そのため、実施例６、７、９では、積層体２０の製造過程におけるステンレス箔１１、絶縁層１２および導体層１３の温度変化が大きく、この温度変化に伴うステンレス箔１１、絶縁層１２および導体層１３の膨張および収縮の量も大きくなり、その結果、反り量の絶対値が大きくなると考えられる。これに対し、実施例８では、スパッタ法およびめっき法によって絶縁層１２の上に導体層１３を形成している。そのため、実施例８では、実施例６、７、９に比べて、積層体２０の製造過程におけるステンレス箔１１、絶縁層１２および導体層１３の温度変化は小さく、この温度変化に伴うステンレス箔１１、絶縁層１２および導体層１３の膨張および収縮の量も小さくなり、その結果、反り量の絶対値が小さくなると考えられる。
ここで、サスペンションの製造過程における積層体２０の反りによる不具合をなくすためには、Ａ４サイズの積層体２０で測定したときの反りの大きさ、すなわち反り量の絶対値は、４ｍｍ以下であることが好ましい。図７から、ステンレス箔１１におけるマルテンサイト相の体積率を０．４〜２．５体積％の範囲内とすることにより、積層体２０の反り量の絶対値を４ｍｍ以下とすることが可能になる。そこで、本発明では、ステンレス箔１１として、０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを用いる。これにより、積層体２０の反りを抑制することが可能になる。
なお、第１の実施の形態に係る積層体１０における絶縁層１２の上に導体層１３を形成すると、第２の実施の形態に係る積層体２０と同様の構成となる。従って、第１の実施の形態に係る積層体１０においても、ステンレス箔１１におけるマルテンサイト相の体積率を０．４〜２．５体積％の範囲内とすることにより、絶縁層１２の上に導体層１３を積層したときの積層体１０の反りを抑制することが可能になる。
なお、本発明は上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、実施の形態で示した積層体１０，２０の製造方法は、一例であり、本発明の積層体の製造方法は、これに限定されるものでない。
本発明の第１の実施の形態に係るサスペンション用積層体の一部を示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係るサスペンション用積層体の一部を示す断面図である。 本発明のサスペンション用積層体を用いて製造される配線一体型サスペンションの一例の平面図である。 サスペンション用積層体の反りの第１の態様を示す説明図である。 サスペンション用積層体の反りの第２の態様を示す説明図である。 実施例および比較例におけるステンレス箔のマルテンサイト相の体積率と線熱膨張係数との関係を示す特性図である。 実施例および比較例におけるステンレス箔のマルテンサイト相の体積率と積層体の反り量との関係を示す特性図である。
符号の説明
１…ロードビーム、２…フレキシャ、３…ジンバル部、４…配線、１０，２０…サスペンション用積層体、１１…ステンレス箔、１２…絶縁層、１３…導体層。

Claims (20)

  1. 磁気ヘッドを含むスライダを記録媒体に対向するように弾性的に支持する配線一体型サスペンションの製造に用いられるサスペンション用積層体であって、
    ステンレス箔と、このステンレス箔上に積層された絶縁層とを備え、
    前記ステンレス箔は、０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むことを特徴とするサスペンション用積層体。
  2. 前記ステンレス箔は、前記マルテンサイト相を含むオーステナイト系のステンレス鋼からなることを特徴とする請求項１記載のサスペンション用積層体。
  3. 前記ステンレス箔は、７〜１３重量％のＮｉと、１６〜２０重量％のＣｒを含むことを特徴とする請求項１または２記載のサスペンション用積層体。
  4. 前記絶縁層は、ポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のサスペンション用積層体。
  5. 前記ステンレス箔の厚みは１０〜１００μｍの範囲内にあり、前記絶縁層の厚みは５〜５０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のサスペンション用積層体。
  6. 前記絶縁層の線熱膨張係数は１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のサスペンション用積層体。
  7. 前記絶縁層は、前記ステンレス箔に接する第１の面とその反対側の第２の面とを有し、
    サスペンション用積層体は、更に、前記絶縁層の第２の面に接するように配置された導体層を備えていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のサスペンション用積層体。
  8. 前記ステンレス箔の厚みは１０〜１００μｍの範囲内にあり、前記絶縁層の厚みは５〜５０μｍの範囲内にあり、前記導体層の厚みは５〜５０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項７記載のサスペンション用積層体。
  9. 前記絶縁層の線熱膨張係数は１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあり、前記導体層の線熱膨張係数は１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあることを特徴とする請求項７または８記載のサスペンション用積層体。
  10. 前記導体層は、純銅または銅合金を含むことを特徴とする請求項７ないし９のいずれかに記載のサスペンション用積層体。
  11. 磁気ヘッドを含むスライダを記録媒体に対向するように弾性的に支持する配線一体型サスペンションの製造に用いられ、ステンレス箔と、このステンレス箔上に積層された絶縁層とを備えたサスペンション用積層体を製造する方法であって、
    前記ステンレス箔として、０．４〜２．５体積％のマルテンサイト相を含むものを選択する工程と、
    選択された前記ステンレス箔の上に前記絶縁層を積層する工程と
    を備えたことを特徴とするサスペンション用積層体の製造方法。
  12. 前記ステンレス箔は、前記マルテンサイト相を含むオーステナイト系のステンレス鋼からなることを特徴とする請求項１１記載のサスペンション用積層体の製造方法。
  13. 前記ステンレス箔は、７〜１３重量％のＮｉと、１６〜２０重量％のＣｒを含むことを特徴とする請求項１１または１２記載のサスペンション用積層体の製造方法。
  14. 前記絶縁層は、ポリイミド系樹脂からなることを特徴とする請求項１１ないし１３のいずれかに記載のサスペンション用積層体の製造方法。
  15. 前記ステンレス箔の厚みは１０〜１００μｍの範囲内にあり、前記絶縁層の厚みは５〜５０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれかに記載のサスペンション用積層体の製造方法。
  16. 前記絶縁層の線熱膨張係数は１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあることを特徴とする請求項１１ないし１５のいずれかに記載のサスペンション用積層体の製造方法。
  17. 前記絶縁層は、前記ステンレス箔に接する第１の面とその反対側の第２の面とを有し、前記サスペンション用積層体は、更に、前記絶縁層の第２の面に接するように配置された導体層を備え、
    サスペンション用積層体の製造方法は、更に、前記導体層を形成する工程を備えていることを特徴とする請求項１１ないし１４のいずれかに記載のサスペンション用積層体の製造方法。
  18. 前記ステンレス箔の厚みは１０〜１００μｍの範囲内にあり、前記絶縁層の厚みは５〜５０μｍの範囲内にあり、前記導体層の厚みは５〜５０μｍの範囲内にあることを特徴とする請求項１７記載のサスペンション用積層体の製造方法。
  19. 前記絶縁層の線熱膨張係数は１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあり、前記導体層の線熱膨張係数は１０×１０-6〜３０×１０-6の範囲内にあることを特徴とする請求項１７または１８記載のサスペンション用積層体の製造方法。
  20. 前記導体層は、純銅または銅合金を含むことを特徴とする請求項１７ないし１９のいずれかに記載のサスペンション用積層体の製造方法。

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