JP2006221636A - Run単位アドレスマッピングテーブル及びそれの構成方法 - Google Patents

Run単位アドレスマッピングテーブル及びそれの構成方法 Download PDF

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Abstract

【課題】アドレスマッピングテーブルとそれの構成方法が開示される。
【解決手段】前記アドレスマッピングテーブルはRUN単位、例えば少なくとも2つ以上連続した物理アドレスを含むRUNのフラッシュメモリ内での初期位置を示す第1値と、前記RUNの全体のサイズを示す第2値で構成される。前記RUNレベルアドレスマッピングテーブルは前記RUNの初期物理ページ値と前記RUNの全体のサイズを示す連続した物理ページ値とを記憶する。
【選択図】図4

Description

本発明は記憶装置に係り、さらに具体的にはフラッシュメモリのように不揮発性であり、かつ電気的に消去可能な半導体メモリ装置を効率的に管理する方法及び装置に関する。
不揮発性メモリ装置はドライブ電源が供給されなくてもセルに記録されたデータが消滅されず残っている。不揮発性メモリのうちでもフラッシュメモリは、電気的にセルのデータを一括的に消去する機能を有しているので、コンピュータ及びメモリカードなどに広く使用されている。最近、携帯電話、PDA、デジカメなどのようなポータブル情報器機の使用が急増することに従って、ハードディスクに代えてフラッシュメモリが記憶装置として広く使用されている。
フラッシュメモリはセルとビットラインの連結状態によってNOR型とNAND型に区別される。NOR型フラッシュメモリは読み出し速度が速いが、書き込み速度が遅く、主にコード用メモリとして使用されている。そして、NAND型フラッシュメモリは書き込み速度が速く、単位面積当たり単価が低いため、主に大容量データ記憶装置として使用されている。フラッシュメモリは他のメモリ素子と比較する際、比較的安価で速い読み出し速度を提供できるという長所がある。しかし、フラッシュメモリにデータを書き込むためには削除演算が必ず先行されなければならず、書き込まれるデータの単位より削除されるデータの単位が大きいという特徴を有している。このような特徴はフラッシュメモリをメインメモリとして使用することを難しくするだけでなく、フラッシュメモリが補助記憶装置として使用される場合にも一般ハードディスク用ファイルシステム(File System)をそのまま活用することを阻害する要因になる。したがって、フラッシュメモリの削除演算を隠すため、ファイルシステムとフラッシュメモリとの間にフラッシュ変換階層(flash translation layer、以下、FTLと称する)が使用される。
FTLは、フラッシュメモリの書き込み動作の際、ファイルシステムが生成した論理アドレスを、削除演算が実行されたフラッシュメモリの物理アドレスにマッピングさせる役割を果たす。FTLで実行されるアドレスマッピング(address mapping)の例は、特許文献1及び2に開示されている。FTLは速いアドレスマッピングが行われるようにアドレスマッピングテーブル(addressmappingtable)を使用する。一般的に、アドレスマッピングテーブルは比較的高価のSRAMで構成される。
FTLのアドレスマッピング機能により、ホストはフラッシュメモリ装置をハードディスクドライバーまたはSRAMとして認識して、ハードディスクドライバと同一の方式によりフラッシュメモリ装置にアクセスできるようになる。FTLはホストシステムから独立したハードウェア形態でも実現でき、ホストシステム内部のデバイスドライバ形態でも実現できる。
FTLのアドレスマッピング機能は、アドレスマッピング単位により大きくページ単位(すなわち、データ書き込み単位)アドレスマッピング(page−leveladdressmapping)と、ブロック単位(すなわち、データ消去単位)アドレスマッピング(block−leveladdressmapping)に区別される。ページ単位アドレスマッピングは、精巧にアドレスを変換するので、性能は良いが、アドレスマッピングテーブルのサイズが大きくて製作費用が高いという短所がある。一方、ブロック単位アドレスマッピングは、粗雑にアドレスを変換するので、アドレスマッピングテーブルのサイズは小さいが、内部の1つのページに対する修正演算が発生する場合にも全体のブロックを削除して更新すべき追加費用が発生するという問題がある。さらに、ブロック単位アドレスマッピングはアドレスマッピング中に欠陥(fault)が発生すれば、データの一貫性を破るおそれがある。
このような問題を解決するために、最近にはログブロック技法(log−blockscheme)が提案され使用されている。この方式は、ログ構造ファイルシステム(Log−Structure File System;LFS)と同様にデータをログ形態で記憶する。ログブロック技法は、ページ単位アドレスマッピングとブロック単位アドレスマッピング技法を併用した形態であり、比較的大きい単位で要請される入出力はブロック単位で処理して、小さい単位で要請される入出力はページ単位で処理する。しかし、ログブロック技法によるアドレスマッピングを実行するためには、ブロックマッピングテーブル、ログブロックマッピングテーブル、ログマッピングテーブルのような3つのアドレスマッピングテーブルが具備されなければならないから、これらに対する入出力を制御する過程が複雑になるという問題がある。
上述の説明のように、FTLには多様なアドレスマッピング方式が使用されている。しかし、どんなアドレスマッピング方式が適用されてもデータ記憶装置の容量が増加することに従って、アドレスマッピングテーブルのサイズも増加することは回避できない。したがって、メモリの容量が大きくなっても少ないメモリ容量を占め、かつフラッシュメモリに対するアドレスマッピング情報を効率的に管理することができるアドレスマッピングテーブルが要求されている。
米国特許第5,937,425号 米国特許第6,381,176号
本発明の目的は少ないメモリ容量を有しても、効率的なマッピング情報管理を実行することができるアドレスマッピングテーブルの構成方法を提供することにある。
上述の本発明の目的を達成すために、本発明の特徴によると、フラッシュメモリに使用されるアドレスマッピングテーブルは、少なくとも2つ以上連続した物理アドレスを含むRUNのフラッシュメモリ内での初期位置を示す第1値と、前記RUNの全体のサイズを示す第2値とを含むことを特徴とする。
この実施形態において、前記アドレスマッピングテーブルは前記初期位置から始まるRUNエントリ単位でアドレスマッピングデータを記憶することを特徴とする。
この実施形態において、前記フラッシュ変換階層は前記初期位置と前記RUNの全体サイズに基づいて前記RUNに対応する複数個の論理アドレスと複数個の物理アドレスとを計算することを特徴とする。
この実施形態において、前記RUNの物理アドレスと連関した物理アドレスを有する新しい連続した物理アドレスを有するRUNが前記アドレスマッピングテーブルに記憶される際、前記RUNの全体サイズのみ記憶されることを特徴とする。
この実施形態において、前記論理アドレスは前記フラッシュメモリの論理ページ値であることを特徴とする。
この実施形態において、前記物理アドレスは前記フラッシュメモリの物理ページ値であることを特徴とする。
この実施形態において、前記物理ページ値は一つまたはそれ以上の物理セクタ値に対応することを特徴とする。
上述の本発明の目的を達成するために、本発明の特徴によると、フラッシュ変換階層を利用してフラッシュメモリの論理アドレスと物理アドレスとをマッピングさせるアドレスマッピングデータを記憶するのに使用されるアドレスマッピングテーブルを構成する方法は、前記アドレスマッピングテーブルに前記アドレスマッピングデータを記憶し、前記アドレスマッピングデータを記憶する段階は、少なくとも2つ以上連続した物理アドレスを含むRUNのフラッシュメモリ内での初期位置を示す第1値を記憶する段階と、前記RUNの全体のサイズを示す第2値とを記憶する段階とを含むことを特徴とする。
この実施形態において、RUNと係わる前記アドレスマッピングデータはRUNエントリ単位で記憶されることを特徴とする。
この実施形態において、前記アドレスマッピングテーブルの前記アドレスマッピングデータをアップデートする段階をさらに含むことを特徴とする。
この実施形態において、前記RUNの物理アドレスと連関した物理アドレスを有する新しい連続した物理アドレスを有するRUNが前記アドレスマッピングテーブルに記憶される際、前記RUNの全体サイズのみ記憶されることを特徴とする。
この実施形態において、前記論理アドレスは前記フラッシュメモリの論理ページ値であることを特徴とする。
この実施形態において、前記物理アドレスは前記フラッシュメモリの物理ページ値であることを特徴とする。
この実施形態において、前記物理ページ値は一つまたはそれ以上の物理セクタ値に対応することを特徴とする。
この実施形態において、複数個の物理セクタ番号値内に一つまたはそれ以上の空の物理セクタが存在すれば、前記1つまたはそれ以上の空の物理セクタに対してコピーバックを実行する段階をさらに含むことを特徴とする。
この実施形態において、前記初期位置または前記RUNの全体のサイズに変動が生ずる場合、時間順序のとおり前記アドレスマッピングテーブルを再構成する段階をさらに含むことを特徴とする。
上述のような本発明の目的を達成するために、本発明の他の特徴によると、フラッシュ変換階層を利用してフラッシュメモリに適用され、RUNと係わるアドレスマッピングデータを記憶するアドレスマッピングテーブルにおいて、前記RUNの初期位置を示す初期物理ページ値と、前記RUNの全体のサイズを示す連続した物理ページ値とを含むことを特徴とする。
この実施形態において、前記アドレスマッピングテーブルは初期論理ページ値をさらに含み、前記論理ページ値は前記フラッシュ変換階層によって前記フラッシュメモリ内での物理ページ値と連関していることを特徴とする。
この実施形態において、前記物理ページ値は少なくとも1つまたはそれ以上の物理セクタ値と対応することを特徴とする。
本発明によると、フラッシュメモリベースの記憶装置で少ないメモリ容量を有しても効率的なマッピング情報管理を実行することができる。
以下では、本発明による実施形態を添付の図を参照して詳細に説明する。
本発明の新規なRUN単位アドレスマッピングテーブル及びその方法は、論理アドレス及び物理アドレスが隣接したページの集合(すなわち、連続ページグループ、またはRUN)を基本単位にしてアドレスマッピングテーブルを構成する。本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルは、各々のRUNに対する初期物理ページ番号と、連続した物理ページの個数のみを記憶するが、簡単な算術演算を通じて各々のRUNに含まれた論理ページ番号と物理ページ番号とが全部分かる。したがって、少ないメモリ容量を有しても効率的なマッピング情報管理を実行することができる。
図1及び図2は一般的なアドレスマッピングテーブルの構成を示す図であり、ページ単位のアドレスマッピング情報が記憶されたアドレスマッピングテーブルの構成が示されている。
フラッシュメモリは複数個のメモリブロックで分割されており、各メモリブロックは複数個のページまたはセクタで構成される。ユーザ側で定義されたページの仮想番号は論理ページ番号(Logical Page Number、すなわち記号“LPN”)と呼ばれ、分割されたページに物理的に割り当てられた番号は物理ページ番号(Physical Page Number、すなわち記号“PPN”)と呼ばれる。論理ページ番号と物理ページ番号は各々アドレスマッピングテーブルを通じて一対一マッピングされる。例えば、図1に示したように、第1論理ページ番号LPN0のデータは第1物理ページ番号PPN0に記憶され、第2論理ページ番号LPN1のデータは第2物理ページ番号PPN1に各々記憶される。
図2に示したアドレスマッピングテーブルのデータ構成によると、論理ページ番号LPNと物理ページ番号PPNの配列がある程度連続した形態で配列されていることが分かる。例えば、第1乃至第8論理ページ番号LPN0〜LPN7のデータは第1乃至第8物理ページ番号PPN0〜PPN7に連続的に記憶され、第9乃至第12論理ページ番号LPN8〜LPN11のデータは第21乃至第24物理ページ番号PPN20〜PPN23に連続的に記憶される。このように、論理アドレス及び物理アドレスの隣接したページの集合を連続ページグループまたはRUNと呼ぶ。本発明では論理アドレス情報と物理アドレス情報が連続して配列されるマッピングテーブルのデータ構成特性に基づいて、連続ページグループ(すなわち、RUN)を基本単位とするマッピングテーブルを構成する。本発明では、これをRUN単位アドレスマッピングテーブルと呼ぶ。
図3は本発明の一実施形態によるRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成を示す図である。図3に示したRUN単位アドレスマッピングテーブルは図2に示したマッピングテーブルをRUN単位で再構成したものである。本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成によると、図2に8個のエントリで構成された第1RUN(RUN0)が1つのエントリとして表示できる。そして、図2に4個のエントリで構成された第2RUN(RUN1)も1つのエントリとして表示できる。したがって、マッピングテーブルの全体サイズが減る。
図3を参照すると、本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルは“初期論理ページ番号(初期LPN)”、“初期物理ページ番号(初期PPN)”、及び“連続物理ページ個数(連続PPN個数)”で構成される。初期論理ページ番号項目には各々のRUNに対する初期論理ページ番号が記憶され、初期物理ページ番号項目には各々のRUNに対する初期物理ページ番号が記憶される。そして、“連続PPN個数”項目には各々のRUNに含まれたページの個数(すなわち、RUNのサイズに該当する)が記憶される。例えば、初期論理ページ番号項目に“0”が記憶され、初期物理ページ番号項目に“0”が記憶され、連続物理ページ個数項目に“8”が記憶されたRUN(すなわち、RUN0)の構成は、該当のRUN(すなわち、RUN0)は0の値を有する論理ページ番号から始まり、ここに該当する物理ページ番号は0であり、0から数えて8個の物理ページ番号が連続している(すなわち、0〜7の物理ページ番号で構成される)ことが分かる。そして、初期論理ページ番号項目に“8”が記憶され、初期物理ページ番号項目に“20”が記憶され、連続物理ページ個数項目に“4”が記憶されたRUN(すなわち、RUN1)の構成は、該当のRUN(すなわち、RUN1)は8の値を有する論理ページ番号から始まり、ここに該当する物理ページ番号は20であり、20から数えて4個の物理ページ番号が連続されている(すなわち、20〜23の物理ページ番号で構成される)ことが分かる。すなわち、マッピングテーブルにはすべての情報が表記されていないが、各々のRUNに対する初期論理ページ番号、初期物理ページ番号、及び連続した物理ページの個数情報を利用した単純な算術演算(例えば、初期物理ページ番号+(1ずつ増加した初期物理ページ番号)×(連続した物理ページ番号の個数))を通じて、各々のRUNに含まれた論理ページ番号と物理ページ番号とが全部分かる。このような演算は、FTLまたはFTLの動作を制御する回路(例えば、CPUなど)によって実行できる。
図4は本発明の他の実施形態によるRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成を示す図である。図4に示したRUN単位アドレスマッピングテーブルは図3に示したRUN単位アドレスマッピングテーブルの構造をさらに簡単に構成したものである。
図4を参照すると、本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルは各々のRUNに対する初期論理ページ番号を記憶せず、初期物理ページ番号項目と連続した物理ページの個数のみを記憶する。この場合、論理ページ番号に対する情報が表記されていないが、各々のRUNに対する初期物理ページ番号と連続した物理ページの個数情報を利用した単純な算術演算を通じて、各々のRUNに含まれた論理ページ番号と物理ページ番号とが全部分かる。なぜなら、論理ページ番号はホスト側で仮想的に管理されるページとして、常に順次に配列されるからである。その結果、マッピングテーブルの構成がさらに簡単になる。この場合、各々のRUNに対する初期物理ページ番号はマッピングテーブルを運用するための開始位置情報(すなわち、開始アドレス)になり、各々のRUNに含まれた連続した物理ページの個数情報はマッピングテーブルを運用するためのオフセット(Offset)値になる。このようなマッピングテーブルの管理はFTL、またはFTLの動作を制御する回路(例えば、CPUなど)によって実行できる。
以上、1つのページが1つのセクタで構成された場合のRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成について示した。一般的に、ページはセクタと同一のサイズ(例えば、512バイト)を有するが、1つのページが複数個(例えば、4個)のセクタで構成できることはこの分野の通常的な知識を習得した者等に自明である。したがって以下、1つのページが複数個のセクタで構成される場合のRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成について説明する。
図5A乃至図8Bは、1つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの書き込み動作によってRUNが形成される過程と、形成されたRUNに対してRUN単位のマッピングテーブルを構成する過程を各々説明するための図である。図5A、図6A、図7A、及び図8Aには各々のページに含まれた複数個のセクタの構成が詳細に示されている。図5B、図6B、図7B、及び図8Bは各々図5A、図6A、図7A、及び図8Aに示したページ構造に対する本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成図である。
まず、図5Aを参照すると、1つの論理ページ番号LPNに対して4個の物理セクタ番号が対応する。例えば、第1論理ページ番号LPN0には0、1、2、3値の物理セクタ番号Sector0〜Sector3が各々対応する。そして、第2論理ページ番号LPN1には4、5、6、7値の物理セクタ番号Sector0〜Sector3が各々対応する。この場合、第1論理ページ番号LPN0と第2論理ページ番号LPN1に該当する8個の物理セクタが一つのRUN(RUN0)を構成することが分かる。これを本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルで構成すれば、図5Bのようになる。
図5Bを参照すると、本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルは図5Aに示したRUN0を一つのエントリとして表記することができる。この場合、RUN単位アドレスマッピングテーブルに記憶されるデータは、RUN(RUN0)の初期物理ページ番号(すなわち、連続した8個の物理セクタ番号のうち一番目の物理セクタ番号)と、連続したページ番号の個数だけである。したがって、1つのページが複数個(例えば、4個)のセクタで構成されても、最終的に構成されたRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成は図4の形態と同様である。ただ、各々のページを構成するセクタの物理的領域に空の空間がないように、内部的に空の空間で残っているセクタ領域に対してコピーバック動作を実行するという差がある。これに対する詳細内容は次のようになる。
図6Aを参照すると、セクタ単位で表示されたマッピングテーブルで各々の物理セクタ番号に対応するセクタSector0〜Sector3はモード演算(例えば、対応するセクタ番号=物理セクタ番号mod4)を通じて決められる。例えば、10の物理セクタ番号は2の識別符号を有するセクタSector2に記憶され、11の物理セクタ番号は3の識別符号を有するセクタSector3に各々記憶される。このようなセクタの決定方式によると、図6Aの第1論理ページ番号LPN0に対応する初期の2個のセクタSector0、Sector1が空の空間で残ることができる。この場合、該当ページの開始物理アドレスに該当する1番目のセクタSector0の物理セクタ番号が空いているので、オフセット値が不正確になる可能性がある。したがって、本発明では、RUN単位アドレスマッピングテーブルのオフセット値を正確に決めるため、RUNを構成する初期のセクタ領域を空の空間で残さず、空の空間の該当のセクタ領域に対してコピーバック動作を実行する。コピーバック動作は他の物理セクタ領域に記憶されているデータを任意のセクタ領域(すなわち、空の空間で残っている該当のセクタ領域)に持って来る動作を意味する。このようなコピーバック動作によると、RUN単位アドレスマッピングテーブルのオフセット値を正確に決めることができ、マッピングテーブルを構成するデータをよりコンパクトに記憶することができるようになる。そして、本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成がより容易くなる。図6Aに示したセクタ単位で表示されたマッピングテーブルを本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルで構成すれば、図6Bのようになる。
図7Aには図6Aに示したマッピングテーブルと連続した物理セクタ番号を有するページが連続してマッピングテーブルに書き込まれる場合(斜線部分参照)の構成が示されている。この場合、本発明では図7Bのように、既存のエントリ構成に追加的に1つのエントリをさらに追加する代わりに、既存のRUN単位アドレスマッピングテーブルに記載されている連続物理ページ番号情報のみをアップデートする。その結果、エントリの個数が追加されず、新しい情報がアップデートできるようになって、RUN単位アドレスマッピングテーブルで要するメモリ容量が顕著に減少する。また、連続したページに対しては1つのエントリに統合管理されるので、アドレスマッピングテーブルに対するデータ運用がより容易になる。
図8Aには図6Aに示したマッピングテーブルと連続しない物理セクタ番号を有するページが連続してマッピングテーブルに書き込まれる場合の構成が示されている。この場合、本発明では図8Bのように、既存のエントリ構成に追加的に一つのエントリをさらに追加して、空の空間で残る前ページのセクタ領域に対してコピーバック動作を実行する(斜線部分参照)。その結果、RUN単位アドレスマッピングテーブルのオフセット値を正確に決めることができ、マッピングテーブルを構成するデータがよりコンパクトとなるように記憶することができる。そして、マッピングテーブルに対するデータ運用がより容易になる。
図9A及び図9Bは、一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの読み出し動作によってRUNを認識する過程と、この際のRUN単位のマッピングテーブルの構成を各々説明するための図である。
まず、図9Aを参照すると、例えば第1時点でのRUN(RUN3)の構成は、第1時点以後の第2時点では他の形態RUN3'に変更できる。例えば、第1時点ではRUN単位アドレスマッピングテーブルのRUN(RUN3)の初期物理ページ番号が3であり、連続したページ番号の個数が6であり、ユーザの書き込み及び削除動作によって第2時点では前記RUN(RUN3')の初期物理ページ番号が4であり、連続したページ番号の個数が2に変更できる。
この場合、本発明では毎度該当のRUN(RUN3)の情報を変更する代わりに、時間の手順によってRUN単位アドレスマッピングテーブルのエントリを順次書き込む。そして、読み出しの際にはRUN単位アドレスマッピングテーブルに書き込まれた手順と反対の手順でデータを検索して読み出す。例えば、第2時点に記憶されたRUN(RUN3’)の情報と第1時点に記憶されたRUNの情報の中うち重複区間が存在する場合には後に書き込まれたRUN(RUN3’)の情報が有効であると判断する。
以下、本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルと、既存の方式によるマッピングテーブルとを構成する際要するメモリの容量に対して比較する。以下に実行されたメモリ容量の比較は、既存のマッピングテーブルのうち最小容量を占めるログブロック技法と、本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルの容量を比較したものである。比較の条件では、4ウェイインターリビング(すなわち、64x4=256ページ/スーパーブロック)が使用され、ログLOGの個数が7の場合である。
例えば、ログブロック方式の既存のマッピングテーブルは、スーパーブロック(super block)当たり512バイト(すなわち、512バイト/スーパーブロック=2バイト/ページ×256ページ/スーパーブロック)のページマッピングエントリを要する。そして、スーパーブロック当たり128バイト(すなわち、128バイト/スーパーブロック=1ビット/セクタ×1024セクタ/スーパーブロック)のページ(またはセクタ)ビットマップエントリを要する。この場合、既存方式のマッピングテーブルが要する全体のメモリ容量は、総4480バイト(すなわち、4480バイト=(512+128)バイト/スーパーブロック×7スーパーブロック)になる。ここで、スーパーブロックとは、インターリビング(interleaving)を使用する場合、各インターリビングのブロックを意味する。一方、本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルは、従来に比べて要するエントリの個数が非常に少なくて、全部で448バイト(すなわち、448バイト=4バイト/RUN×16RUN/スーパーブロック×7スーパーブロック)のみを要する。このように、本発明によるRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成方式によると、マッピングテーブルを構成するために要するメモリの容量が従来の方式に比べて顕著に減るようになる(約1/10程度)。したがって、少ないメモリ容量を有しても効率的なマッピング情報管理を実行できるようになる。
以上では、本発明による回路の構成及び動作を上述の説明及び図によって図示したが、これは例をあげて説明したことに過ぎず、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で多様な変化及び変更が可能であることは勿論である。
また、本発明はコンピュータで読み出すことができる記録媒体にコンピュータが読み出すことができるコードとして実現することが可能である。コンピュータが読み出す記録媒体はコンピュータシステムによって読み出しできるデータが記憶されるすべての種類の記録装置を含む。コンピュータが読み出せる記録媒体の例では、ROM、RAM、CD−ROM、磁気テープ、フロッピー(登録商標)ディスク、光データ記憶装置などがあり、またキャリアウエーブ(例えばインターネットを通じた伝送)の形態で実現されるものも含む。またコンピュータが読み出せる記録媒体はネットワークで連結されたコンピュータシステムに分散して、分散方式でコンピュータを読み出せるコードに記憶されて実行できる。
一般的なアドレスマッピングテーブルの構成を示す図である。 一般的なアドレスマッピングテーブルの構成を示す図である。 本発明の一実施形態によるRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成を示す図である。 本発明の他の実施形態によるRUN単位アドレスマッピングテーブルの構成を示す図である。 一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの書き込み動作によってRUNが形成される過程と、形成されたRUNに対してRUN単位のマッピングテーブルを構成する過程を説明するための図である。 一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの書き込み動作によってRUNRUNが形成される過程と、形成されたRUNに対してRUN単位のマッピングテーブルを構成する過程を説明するための図である。 一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの書き込み動作によってRUNRUNが形成される過程と、形成されたRUNに対してRUN単位のマッピングテーブルを構成する過程を説明するための図である。 一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの書き込み動作によってRUNRUNが形成される過程と、形成されたRUNに対してRUN単位のマッピングテーブルを構成する過程を説明するための図である。 一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの書き込み動作によってRUNRUNが形成される過程と、形成されたRUNに対してRUN単位のマッピングテーブルを構成する過程を説明するための図である。 一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの書き込み動作によってRUNRUNが形成される過程と、形成されたRUNに対してRUN単位のマッピングテーブルを構成する過程を説明するための図である。 一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの書き込み動作によってRUNRUNが形成される過程と、形成されたRUNに対してRUN単位のマッピングテーブルを構成する過程を説明するための図である。 一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの書き込み動作によってRUNRUNが形成される過程と、形成されたRUNに対してRUN単位のマッピングテーブルを構成する過程を説明するための図である。 一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの読み出し動作によってRUNを認識する過程と、その際におけるRUN単位のマッピングテーブルの構成を説明するための図である。 一つのページが複数個のセクタで構成された場合、フラッシュメモリの読み出し動作によってRUNを認識する過程と、その際におけるRUN単位のマッピングテーブルの構成を説明するための図である。

Claims (19)

  1. フラッシュメモリに使用されるアドレスマッピングテーブルにおいて、
    少なくとも2つ以上連続した物理アドレスを含むRUNのフラッシュメモリ内での初期位置を示す第1値と、
    前記RUNの全体のサイズを示す第2値とを含むことを特徴とするアドレスマッピングテーブル。
  2. 前記アドレスマッピングテーブルは前記初期位置から始まるRUNエントリ単位でアドレスマッピングデータを記憶することを特徴とする請求項1に記載のアドレスマッピングテーブル。
  3. 前記フラッシュ変換階層は前記初期位置と前記RUNの全体サイズとに基づいて前記RUNに対応する複数個の論理アドレスと複数個の物理アドレスとを計算することを特徴とする請求項2に記載のアドレスマッピングテーブル。
  4. 前記RUNの物理アドレスと連関した物理アドレスを有する新しい連続した物理アドレスを有するRUNが前記アドレスマッピングテーブルに記憶される際、前記RUNの全体サイズのみ記憶されることを特徴とする請求項1に記載のアドレスマッピングテーブル。
  5. 前記論理アドレスは前記フラッシュメモリの論理ページ値であることを特徴とする請求項1に記載のアドレスマッピングテーブル。
  6. 前記物理アドレスは前記フラッシュメモリの物理ページ値であることを特徴とする請求項1に記載のアドレスマッピングテーブル。
  7. 前記物理ページ値は一つまたはそれ以上の物理セクタ値に対応することを特徴とする請求項6に記載のアドレスマッピングテーブル。
  8. フラッシュ変換階層を利用してフラッシュメモリの論理アドレスと物理アドレスとをマッピングさせるアドレスマッピングデータを記憶するのに使用されるアドレスマッピングテーブルを構成する方法において、
    前記アドレスマッピングテーブルに前記アドレスマッピングデータを記憶し、前記アドレスマッピングデータを記憶する段階は、
    少なくとも2つ以上連続した物理アドレスを含むRUNのフラッシュメモリ内での初期位置を示す第1値を記憶する段階と、
    前記RUNの全体のサイズを示す第2値を記憶する段階とを含むことを特徴とするアドレスマッピングテーブルの構成方法。
  9. RUNと係わる前記アドレスマッピングデータはRUNエントリ単位で記憶されることを特徴とする請求項8に記載のアドレスマッピングテーブルの構成方法。
  10. 前記アドレスマッピングテーブルの前記アドレスマッピングデータをアップデートする段階をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のアドレスマッピングテーブルの構成方法。
  11. 前記RUNの物理アドレスと連関した物理アドレスを有する新しい連続した物理アドレスを有するRUNが前記アドレスマッピングテーブルに記憶される際、前記RUNの全体サイズのみ記憶されることを特徴とする請求項10に記載のアドレスマッピングテーブルの構成方法。
  12. 前記論理アドレスは前記フラッシュメモリの論理ページ値であることを特徴とする請求項8に記載のアドレスマッピングテーブルの構成方法。
  13. 前記物理アドレスは前記フラッシュメモリの物理ページ値であることを特徴とする請求項8に記載のアドレスマッピングテーブルの構成方法。
  14. 前記物理ページ値は一つまたはそれ以上の物理セクタ値に対応することを特徴とする請求項13に記載のアドレスマッピングテーブルの構成方法。
  15. 複数個の物理セクタ番号値内に一つまたはそれ以上の空の物理セクタが存在すれば、前記1つまたはそれ以上の空の物理セクタに対してコピーバックを実行する段階をさらに含むことを特徴とする請求項14に記載のアドレスマッピングテーブルの構成方法。
  16. 前記初期位置または前記RUNの全体のサイズに変動が生ずる場合、時間順序のとおり前記アドレスマッピングテーブルを再構成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項10に記載のアドレスマッピングテーブルの構成方法。
  17. フラッシュ変換階層を利用してフラッシュメモリに適用され、RUNと係わるアドレスマッピングデータを記憶するアドレスマッピングテーブルにおいて、
    前記RUNの初期位置を示す初期物理ページ値と、
    前記RUNの全体のサイズを示す連続した物理ページ値とを含むことを特徴とするアドレスマッピングテーブル。
  18. 前記アドレスマッピングテーブルは初期論理ページ値をさらに含み、前記論理ページ値は前記フラッシュ変換階層によって前記フラッシュメモリ内での物理ページ値と連関することを特徴とする請求項17に記載のアドレスマッピングテーブル。
  19. 前記物理ページ値は少なくとも1つまたはその以上の物理セクタ値と対応することを特徴とする請求項18に記載のアドレスマッピングテーブル。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012510101A (ja) * 2008-11-24 2012-04-26 トムソン ライセンシング フラッシュ変換層を有するフラッシュ・ベースのメモリおよびファイル記憶方法
US8402235B2 (en) 2008-12-03 2013-03-19 Fujitsu Limited Backup apparatus, backup method and backup program

Families Citing this family (62)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101437091B1 (ko) * 2008-06-17 2014-09-05 삼성전자주식회사 비대칭 맵핑 동작을 수행하는 메모리 시스템 및 그것의어드레스 맵핑 방법
US20090193184A1 (en) * 2003-12-02 2009-07-30 Super Talent Electronics Inc. Hybrid 2-Level Mapping Tables for Hybrid Block- and Page-Mode Flash-Memory System
KR100684942B1 (ko) * 2005-02-07 2007-02-20 삼성전자주식회사 복수의 사상 기법들을 채용한 적응형 플래시 메모리 제어장치 및 그것을 포함한 플래시 메모리 시스템
US7984084B2 (en) * 2005-08-03 2011-07-19 SanDisk Technologies, Inc. Non-volatile memory with scheduled reclaim operations
TW200805394A (en) * 2006-07-07 2008-01-16 Alcor Micro Corp Memory storage device and the read/write method thereof
KR100843133B1 (ko) * 2006-09-20 2008-07-02 삼성전자주식회사 플래시 메모리에서 매핑 정보 재구성을 위한 장치 및 방법
US7739444B2 (en) * 2006-12-26 2010-06-15 Sandisk Corporation System using a direct data file system with a continuous logical address space interface
US8046522B2 (en) * 2006-12-26 2011-10-25 SanDisk Technologies, Inc. Use of a direct data file system with a continuous logical address space interface and control of file address storage in logical blocks
KR100823171B1 (ko) 2007-02-01 2008-04-18 삼성전자주식회사 파티션된 플래시 변환 계층을 갖는 컴퓨터 시스템 및플래시 변환 계층의 파티션 방법
KR100881597B1 (ko) * 2007-02-02 2009-02-03 지인정보기술 주식회사 읽기 요청 처리 시스템 및 방법
KR100885181B1 (ko) * 2007-02-06 2009-02-23 삼성전자주식회사 그룹 맵핑 동작을 수행하는 메모리 시스템 및 그것의어드레스 맵핑 방법
US8095723B2 (en) * 2007-02-16 2012-01-10 Electronics And Telecommunications Research Institute Log-based flash translation layer and operating method thereof
US8752007B2 (en) * 2008-03-26 2014-06-10 Avaya Inc. Automatic generation of run-time instrumenter
US8843691B2 (en) * 2008-06-25 2014-09-23 Stec, Inc. Prioritized erasure of data blocks in a flash storage device
KR101086857B1 (ko) * 2008-07-25 2011-11-25 주식회사 팍스디스크 데이터 머지를 수행하는 반도체 스토리지 시스템의 제어 방법
KR101510120B1 (ko) * 2008-11-21 2015-04-10 삼성전자주식회사 메모리 장치 및 메모리 장치의 관리 방법
US8250324B2 (en) * 2009-11-30 2012-08-21 International Business Machines Corporation Method to efficiently locate meta-data structures on a flash-based storage device
US8443167B1 (en) 2009-12-16 2013-05-14 Western Digital Technologies, Inc. Data storage device employing a run-length mapping table and a single address mapping table
US8194340B1 (en) 2010-03-18 2012-06-05 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive framing write data with in-line mapping data during write operations
US8856438B1 (en) 2011-12-09 2014-10-07 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive with reduced-size translation table
US8693133B1 (en) 2010-03-22 2014-04-08 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for improving sequential data rate performance using sorted data zones for butterfly format
US9582431B2 (en) 2010-03-22 2017-02-28 Seagate Technology Llc Storage address space to NVM address, span, and length mapping/converting
US8699185B1 (en) 2012-12-10 2014-04-15 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive defining guard bands to support zone sequentiality when butterfly writing shingled data tracks
US9330715B1 (en) 2010-03-22 2016-05-03 Western Digital Technologies, Inc. Mapping of shingled magnetic recording media
US8687306B1 (en) 2010-03-22 2014-04-01 Western Digital Technologies, Inc. Systems and methods for improving sequential data rate performance using sorted data zones
US8521972B1 (en) 2010-06-30 2013-08-27 Western Digital Technologies, Inc. System and method for optimizing garbage collection in data storage
US8667248B1 (en) 2010-08-31 2014-03-04 Western Digital Technologies, Inc. Data storage device using metadata and mapping table to identify valid user data on non-volatile media
US8954664B1 (en) 2010-10-01 2015-02-10 Western Digital Technologies, Inc. Writing metadata files on a disk
US8756361B1 (en) 2010-10-01 2014-06-17 Western Digital Technologies, Inc. Disk drive modifying metadata cached in a circular buffer when a write operation is aborted
US9104327B2 (en) 2011-05-17 2015-08-11 Sandisk Technologies Inc. Fast translation indicator to reduce secondary address table checks in a memory device
US8793429B1 (en) 2011-06-03 2014-07-29 Western Digital Technologies, Inc. Solid-state drive with reduced power up time
US9189392B1 (en) * 2011-06-30 2015-11-17 Western Digital Technologies, Inc. Opportunistic defragmentation during garbage collection
US8756382B1 (en) 2011-06-30 2014-06-17 Western Digital Technologies, Inc. Method for file based shingled data storage utilizing multiple media types
US8819375B1 (en) 2011-11-30 2014-08-26 Western Digital Technologies, Inc. Method for selective defragmentation in a data storage device
US9213493B1 (en) 2011-12-16 2015-12-15 Western Digital Technologies, Inc. Sorted serpentine mapping for storage drives
US8819367B1 (en) 2011-12-19 2014-08-26 Western Digital Technologies, Inc. Accelerated translation power recovery
US8612706B1 (en) 2011-12-21 2013-12-17 Western Digital Technologies, Inc. Metadata recovery in a disk drive
US8788778B1 (en) 2012-06-04 2014-07-22 Western Digital Technologies, Inc. Garbage collection based on the inactivity level of stored data
US10282286B2 (en) 2012-09-14 2019-05-07 Micron Technology, Inc. Address mapping using a data unit type that is variable
US10565099B2 (en) * 2012-12-28 2020-02-18 Apple Inc. Methods and apparatus for compressed and compacted virtual memory
JP6443794B2 (ja) * 2013-08-16 2018-12-26 エルエスアイ コーポレーション ホストとコントローラとの間でパーティション化された変換レイヤ
US9478249B2 (en) * 2013-08-30 2016-10-25 Seagate Technology Llc Cache data management for program execution
KR102430198B1 (ko) * 2014-06-12 2022-08-05 삼성전자주식회사 플래시 저장 장치의 어드레스 매핑 테이블 정리 방법
US8953269B1 (en) 2014-07-18 2015-02-10 Western Digital Technologies, Inc. Management of data objects in a data object zone
US9875055B1 (en) 2014-08-04 2018-01-23 Western Digital Technologies, Inc. Check-pointing of metadata
US9483413B2 (en) 2014-10-24 2016-11-01 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices and methods of controlling the same
CN107533523A (zh) * 2015-09-30 2018-01-02 慧与发展有限责任合伙企业 使用存储器控制器基于存储器初始化状态指示符管理存储器的存取
KR20170058482A (ko) 2015-11-18 2017-05-29 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법
US10671522B2 (en) * 2016-11-07 2020-06-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Memory controller and memory system including the same
KR20180109139A (ko) * 2017-03-27 2018-10-08 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법
US10606760B2 (en) 2017-08-23 2020-03-31 Samsung Electronics Co., Ltd. Nonvolatile memory devices and methods of controlling the same
TWI662410B (zh) * 2017-12-18 2019-06-11 慧榮科技股份有限公司 資料儲存裝置與記憶體裝置之資料處理方法
US11093382B2 (en) 2018-01-24 2021-08-17 SK Hynix Inc. System data compression and reconstruction methods and systems
CN108681509B (zh) * 2018-04-20 2022-04-08 江苏华存电子科技有限公司 一种快速建立闪存映射表的方法
KR102571629B1 (ko) 2018-05-23 2023-08-29 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법
KR20200006378A (ko) * 2018-07-10 2020-01-20 에스케이하이닉스 주식회사 컨트롤러 및 그것의 동작방법
CN114528226A (zh) * 2018-09-17 2022-05-24 慧荣科技股份有限公司 高效能垃圾收集方法以及数据存储装置及其控制器
US10884954B2 (en) 2018-09-17 2021-01-05 Silicon Motion, Inc. Method for performing adaptive locking range management, associated data storage device and controller thereof
KR20200085510A (ko) * 2019-01-07 2020-07-15 에스케이하이닉스 주식회사 데이터 저장 장치 및 동작 방법과, 이를 위한 컨트롤러
KR20210011176A (ko) * 2019-07-22 2021-02-01 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템의 액세스 동작 방법 및 장치
KR20210011216A (ko) 2019-07-22 2021-02-01 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템의 메타 데이터 관리 방법 및 장치
KR102583244B1 (ko) * 2022-01-28 2023-09-26 삼성전자주식회사 스토리지 장치 및 스토리지 장치의 동작 방법

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07182240A (ja) * 1993-10-20 1995-07-21 Sun Microsyst Inc アドレス変換を行う装置及び方法
JP2004062328A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 Renesas Technology Corp Nand型フラッシュメモリを搭載したフラッシュストレージメディア
US20040085849A1 (en) * 2002-04-11 2004-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash memory, and flash memory access method and apparatus
WO2004040453A2 (en) * 2002-10-28 2004-05-13 Sandisk Corporation Method and apparatus for grouping pages within a block
JP2005502124A (ja) * 2001-09-05 2005-01-20 エム−システムズ フラッシュ ディスク パイオニアーズ リミテッド 大きなページ・サイズに対するフラッシュ管理システム

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09185551A (ja) 1996-01-08 1997-07-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP3197815B2 (ja) 1996-04-15 2001-08-13 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレ−ション 半導体メモリ装置及びその制御方法
JPH10124381A (ja) * 1996-10-21 1998-05-15 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置
JP3769395B2 (ja) 1998-10-19 2006-04-26 株式会社日立製作所 不揮発性メモリを使用した外部記憶装置
KR100484147B1 (ko) * 2002-07-26 2005-04-18 삼성전자주식회사 플래시 메모리 관리 방법
JP2004086300A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Megawin Technology Co Ltd フラッシュメモリ論理アドレス検出方法
JP2004086295A (ja) 2002-08-23 2004-03-18 Megawin Technology Co Ltd Nand型フラッシュメモリディスク装置及び論理アドレス検出の方法
US7107389B2 (en) * 2002-08-29 2006-09-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for writing data into flash memory
US8041878B2 (en) 2003-03-19 2011-10-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash file system

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07182240A (ja) * 1993-10-20 1995-07-21 Sun Microsyst Inc アドレス変換を行う装置及び方法
JP2005502124A (ja) * 2001-09-05 2005-01-20 エム−システムズ フラッシュ ディスク パイオニアーズ リミテッド 大きなページ・サイズに対するフラッシュ管理システム
US20040085849A1 (en) * 2002-04-11 2004-05-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Flash memory, and flash memory access method and apparatus
JP2004062328A (ja) * 2002-07-25 2004-02-26 Renesas Technology Corp Nand型フラッシュメモリを搭載したフラッシュストレージメディア
WO2004040453A2 (en) * 2002-10-28 2004-05-13 Sandisk Corporation Method and apparatus for grouping pages within a block

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012510101A (ja) * 2008-11-24 2012-04-26 トムソン ライセンシング フラッシュ変換層を有するフラッシュ・ベースのメモリおよびファイル記憶方法
US9158469B2 (en) 2008-11-24 2015-10-13 Thomson Licensing Flash based memory comprising a Flash translation layer and method for storing a file therein
US8402235B2 (en) 2008-12-03 2013-03-19 Fujitsu Limited Backup apparatus, backup method and backup program

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Publication number Publication date
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