JP2006216921A5 - - Google Patents
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Claims (9)
- チャンバ内に放電電極と接地電極とが対向するように設置されたプラズマＣＶＤ装置を用いた光電変換装置の製造方法であって、
前記放電電極に対向するように、ｐ層を製膜した基板を前記接地電極に設置する工程と、
前記基板と前記放電電極との間の距離を８ｍｍ未満に設定する工程と、
前記接地電極に内蔵された加熱器により１８０〜２２０℃に前記基板温度を設定する工程と、
前記チャンバ内に材料ガスを供給する工程と、
前記チャンバ内の圧力を６００Ｐａ〜２０００Ｐａに設定する工程と、
前記放電電極に超高周波電力を供給し該放電電極と前記基板との間にプラズマを発生させて発電層を製膜する工程と、
前記発電層を製膜する工程の後にｎ層を製膜する工程と
を具備する
光電変換装置の製造方法。 - 請求項１に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記超高周波電力の周波数は４０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚである
光電変換装置の製造方法。 - 請求項１又は２に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記発電層が製膜される速度は２ｎｍ／ｓ以上である
光電変換装置の製造方法。 - 請求項１乃至３のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記超高周波電力のパワー密度は３．０ｋＷ／ｍ２以上である
光電変換装置の製造方法。 - 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記放電電極は、互いに略平行な一対の第１電極棒と、前記第１電極棒と直交するように接続される互いに略平行な複数の第２電極棒とを備え、
前記放電電極と前記基板との間にプラズマを発生させて前記発電層を製膜する
光電変換装置の製造方法。 - 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記発電層として微結晶シリコン膜、又は微結晶シリコンゲルマニウム膜が製膜される
光電変換装置の製造方法。 - 請求項６に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記ｐ層を製膜した基板を前記接地電極に設置する工程より前に、前記基板に対してアモルファスシリコン膜からなる光電変換層を製膜する工程を更に具備する
光電変換装置の製造方法。 - 請求項６又は７に記載の光電変換装置の製造方法であって、
前記ｎ層を製膜する工程の後に、微結晶シリコンゲルマニウム膜を発電層とする光電変換層を製膜する工程を更に具備する
光電変換装置の製造方法。 - チャンバ内に放電電極と接地電極とが対向するように設置されたプラズマＣＶＤ装置を用いることにより、前記接地電極上の基板に製膜される光電変換装置であって、
前記基板上に製膜されるｐ層と、
前記放電電極と前記基板との間の距離が８ｍｍ未満、前記チャンバ内の圧力が６００Ｐａ〜２０００Ｐａ、前記基板温度が１８０〜２２０℃、前記放電電極に供給される超高周波電力の周波数が４０ＭＨｚ〜１００ＭＨｚ、製膜速度が２ｎｍ／ｓ以上の条件で、前記ｐ層上に製膜される発電層と、
前記発電層上に製膜されるｎ層と
を備える光電変換装置。
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| JP2005031130A JP4183688B2 (ja) | 2005-02-07 | 2005-02-07 | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
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| JP2005031130A JP4183688B2 (ja) | 2005-02-07 | 2005-02-07 | 光電変換装置の製造方法および光電変換装置 |
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