JP2014534617A - シリコン基板における拡散領域の形成方法及び太陽電池 - Google Patents
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Abstract
Description
米国政府は、本発明における払込済みのライセンス、及び限られた条件において、DOEより与えられたDE−FC36−07GO17043の条項で定める適正な条件で他者に使用許可を与えるよう特許権者に要求する権利を有する。
[項目1]
太陽電池の製造方法であって、
シリコン基板上に耐エッチング性ドーパント材料を堆積させる工程であって、前記耐エッチング性ドーパント材料がドーパント源を含む、工程と、
前記耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して前記耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程と、
前記ドーパント源を前記シリコン基板内に拡散させるに足る温度まで、前記シリコン基板及び前記耐エッチング性ドーパント材料を加熱する工程と、を含む、方法。
[項目2]
前記耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して前記耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程が、前記シリコン基板上の前記耐エッチング性ドーパント材料の液体から固体への相変化を引き起こす工程、を含む、項目1に記載の方法。
[項目3]
前記耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して前記耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程が、前記耐エッチング性ドーパント材料を非赤外電磁放射線で曝露する工程、を含む、項目1に記載の方法。
[項目4]
前記耐エッチング性ドーパント材料を非赤外電磁放射線で曝露する工程が、前記耐エッチング性ドーパント材料を紫外線で曝露する工程、を含む、項目3に記載の方法。
[項目5]
前記耐エッチング性ドーパント材料を非赤外電磁放射線で曝露する工程が、前記耐エッチング性ドーパント材料を可視スペクトル、又は波長380〜760ナノメートルを有する電磁放射線からの光で曝露する工程を含む、項目3に記載の方法。
[項目6]
前記耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して前記耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程が、前記耐エッチング性ドーパント材料へ音波を伝送する工程、を含む、項目1に記載の方法。
[項目7]
前記耐エッチング性ドーパント材料を堆積させる工程が、前記シリコン基板上に液状の前記耐エッチング性ドーパントを分注する工程、を含む、項目1に記載の方法。
[項目8]
前記耐エッチング性ドーパント材料を分注する工程が、シリコン基板上に前記耐エッチング性ドーパント材料をスクリーン印刷する工程、を含む、項目7に記載の方法。
[項目9]
前記耐エッチング性ドーパント材料を分注する工程が、シリコン基板上に前記耐エッチング性ドーパント材料をインクジェット印刷する工程を含む、項目7に記載の方法。
[項目10]
前記耐エッチング性ドーパント材料を分注する工程が、シリコン基板上に前記耐エッチング性ドーパント材料をスピンコーティングする工程、を含む、項目7に記載の方法。
[項目11]
前記シリコン基板上にドーパント源を含む前記耐エッチング性ドーパント材料を分注する工程が、一極性ドーパント源を含むドーパント材料を前記シリコン基板上に分注する工程、を含む、項目1に記載の方法。
[項目12]
一極性ドーパント源を含むドーパント材料を前記シリコン基板上に分注する工程が、ポジ型ドーパントを前記シリコン基板上に分注する工程、を含む、項目11に記載の方法。
[項目13]
一極性ドーパント源を含むドーパント材料を前記シリコン基板上に分注する工程が、ネガ型ドーパントを前記シリコン基板上に分注する工程、を含む、項目11に記載の方法。
[項目14]
前記シリコン基板をエッチングすることなく前記ドーパント源の材料を除去するために、前記シリコン基板を選択的にエッチングする工程、を更に含む、項目1に記載の方法。
[項目15]
前記耐エッチング性ドーパント材料内の前記架橋マトリックスを形成する工程の後に、少なくとも400℃に前記耐エッチング性ドーパント材料を加熱することにより、前記耐エッチング性ドーパント材料内の溶媒の量を減少させる工程、を更に含む、項目1に記載の方法。
[項目16]
項目1に記載の方法に従って製造された太陽電池。
[項目17]
太陽電池の製造方法であって、
太陽光電池構造体を有するシリコン基板上にドーパント材料を堆積させる工程と、
光重合プロセスによる前記ドーパント材料の紫外線への非熱曝露を使用した前記ドーパント材料内の架橋マトリックスを形成する工程と、
ドーパント源を前記シリコン基板内に拡散させるに足る温度まで、前記ドーパント材料の前記シリコン基板を加熱する工程と、を含む、方法。
[項目18]
前記ドーパント材料の紫外線への非熱曝露を使用した前記ドーパント材料内の架橋マトリックスを形成する工程が、波長8〜400ナノメートルを有する電磁放射線に前記ドーパント材料を曝露する工程、を含む、項目17に記載の方法。
[項目19]
前記ドーパント材料の紫外線への非熱曝露を使用した前記ドーパント材料内の架橋マトリックスを形成する工程が、前記光重合プロセス中に前記ドーパント材料の液体から固体への相変化を形成する紫外線に前記ドーパント材料を曝露する工程、を含む、項目17に記載の方法。
[項目20]
前記ドーパント材料の紫外線への非熱曝露を使用した前記ドーパント材料内の架橋マトリックスを形成する工程が、アクリル酸重合、カチオン性重合、チオレン薬液塗布、及びヒドロシラン追加を含む群から選択される硬化工程を実行するために、前記ドーパント材料を曝露する工程、を含む、項目17に記載の方法。
[項目21]
前記ドーパント材料を堆積させる工程が、シラン、シクロシラン、及びシロキサンを含む群から選択された化学構造を含む化学基を堆積させる工程、を含む、項目17に記載の方法。
[項目22]
前記ドーパント材料内での前記架橋マトリックスを形成する工程の後に、前記ドーパント材料をエッチングマスクとして使用して前記シリコン基板をエッチングする工程、を更に含む、項目17に記載の方法。
[項目23]
前記シリコン基板をエッチングする工程が、前記シリコン基板の前記太陽光電池構造体の少なくとも一部分をエッチングする工程、を含む、項目22に記載の方法。
[項目24]
項目17に記載の方法に従って製造された太陽電池。
[項目25]
太陽電池の製造方法であって、
シリコン基板の表面に薄い誘電体層を形成する工程と、
前記薄い誘電体層上面にポリシリコン層を形成する工程と、
前記ポリシリコン層上にドーパント源材料を含む耐エッチング性ドーパント材料を堆積させる工程と、
前記耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して前記耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程と、
前記ドーパント源材料が前記ポリシリコン層内に拡散する温度まで前記耐エッチング性ドーパント材料を加熱する工程と、を含む、方法。
[項目26]
前記耐エッチング性ドーパント材料をエッチングマスクとして使用して前記ポリシリコン層をエッチングする工程、を更に含む、項目25に記載の方法。
[項目27]
前記耐エッチング性ドーパント材料を堆積させる工程が、前記耐エッチング性ドーパント材料を前記シリコン基板上の複数の相互嵌合する接触指に分注する工程、を含む、項目25に記載の方法。
[項目28]
項目25に記載の方法に従って製造された太陽電池。
Claims (28)
- 太陽電池の製造方法であって、
シリコン基板上に耐エッチング性ドーパント材料を堆積させる工程であって、前記耐エッチング性ドーパント材料がドーパント源を含む、工程と、
前記耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して前記耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程と、
前記ドーパント源を前記シリコン基板内に拡散させるに足る温度まで、前記シリコン基板及び前記耐エッチング性ドーパント材料を加熱する工程と、を含む、方法。 - 前記耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して前記耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程が、前記シリコン基板上の前記耐エッチング性ドーパント材料の液体から固体への相変化を引き起こす工程、を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して前記耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程が、前記耐エッチング性ドーパント材料を非赤外電磁放射線で曝露する工程、を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記耐エッチング性ドーパント材料を非赤外電磁放射線で曝露する工程が、前記耐エッチング性ドーパント材料を紫外線で曝露する工程、を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記耐エッチング性ドーパント材料を非赤外電磁放射線で曝露する工程が、前記耐エッチング性ドーパント材料を可視スペクトル、又は波長380〜760ナノメートルを有する電磁放射線からの光で曝露する工程を含む、請求項3に記載の方法。
- 前記耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して前記耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程が、前記耐エッチング性ドーパント材料へ音波を伝送する工程、を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記耐エッチング性ドーパント材料を堆積させる工程が、前記シリコン基板上に液状の前記耐エッチング性ドーパントを分注する工程、を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記耐エッチング性ドーパント材料を分注する工程が、シリコン基板上に前記耐エッチング性ドーパント材料をスクリーン印刷する工程、を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記耐エッチング性ドーパント材料を分注する工程が、シリコン基板上に前記耐エッチング性ドーパント材料をインクジェット印刷する工程を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記耐エッチング性ドーパント材料を分注する工程が、シリコン基板上に前記耐エッチング性ドーパント材料をスピンコーティングする工程、を含む、請求項7に記載の方法。
- 前記シリコン基板上にドーパント源を含む前記耐エッチング性ドーパント材料を分注する工程が、一極性ドーパント源を含むドーパント材料を前記シリコン基板上に分注する工程、を含む、請求項1に記載の方法。
- 一極性ドーパント源を含むドーパント材料を前記シリコン基板上に分注する工程が、ポジ型ドーパントを前記シリコン基板上に分注する工程、を含む、請求項11に記載の方法。
- 一極性ドーパント源を含むドーパント材料を前記シリコン基板上に分注する工程が、ネガ型ドーパントを前記シリコン基板上に分注する工程、を含む、請求項11に記載の方法。
- 前記シリコン基板をエッチングすることなく前記ドーパント源の材料を除去するために、前記シリコン基板を選択的にエッチングする工程、を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 前記耐エッチング性ドーパント材料内の前記架橋マトリックスを形成する工程の後に、少なくとも400℃に前記耐エッチング性ドーパント材料を加熱することにより、前記耐エッチング性ドーパント材料内の溶媒の量を減少させる工程、を更に含む、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法に従って製造された太陽電池。
- 太陽電池の製造方法であって、
太陽光電池構造体を有するシリコン基板上にドーパント材料を堆積させる工程と、
光重合プロセスによる前記ドーパント材料の紫外線への非熱曝露を使用した前記ドーパント材料内の架橋マトリックスを形成する工程と、
ドーパント源を前記シリコン基板内に拡散させるに足る温度まで、前記ドーパント材料の前記シリコン基板を加熱する工程と、を含む、方法。 - 前記ドーパント材料の紫外線への非熱曝露を使用した前記ドーパント材料内の架橋マトリックスを形成する工程が、波長8〜400ナノメートルを有する電磁放射線に前記ドーパント材料を曝露する工程、を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記ドーパント材料の紫外線への非熱曝露を使用した前記ドーパント材料内の架橋マトリックスを形成する工程が、前記光重合プロセス中に前記ドーパント材料の液体から固体への相変化を形成する紫外線に前記ドーパント材料を曝露する工程、を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記ドーパント材料の紫外線への非熱曝露を使用した前記ドーパント材料内の架橋マトリックスを形成する工程が、アクリル酸重合、カチオン性重合、チオレン薬液塗布、及びヒドロシラン追加を含む群から選択される硬化工程を実行するために、前記ドーパント材料を曝露する工程、を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記ドーパント材料を堆積させる工程が、シラン、シクロシラン、及びシロキサンを含む群から選択された化学構造を含む化学基を堆積させる工程、を含む、請求項17に記載の方法。
- 前記ドーパント材料内での前記架橋マトリックスを形成する工程の後に、前記ドーパント材料をエッチングマスクとして使用して前記シリコン基板をエッチングする工程、を更に含む、請求項17に記載の方法。
- 前記シリコン基板をエッチングする工程が、前記シリコン基板の前記太陽光電池構造体の少なくとも一部分をエッチングする工程、を含む、請求項22に記載の方法。
- 請求項17に記載の方法に従って製造された太陽電池。
- 太陽電池の製造方法であって、
シリコン基板の表面に薄い誘電体層を形成する工程と、
前記薄い誘電体層上面にポリシリコン層を形成する工程と、
前記ポリシリコン層上にドーパント源材料を含む耐エッチング性ドーパント材料を堆積させる工程と、
前記耐エッチング性ドーパント材料の非熱硬化を使用して前記耐エッチング性ドーパント材料内に架橋マトリックスを形成する工程と、
前記ドーパント源材料が前記ポリシリコン層内に拡散する温度まで前記耐エッチング性ドーパント材料を加熱する工程と、を含む、方法。 - 前記耐エッチング性ドーパント材料をエッチングマスクとして使用して前記ポリシリコン層をエッチングする工程、を更に含む、請求項25に記載の方法。
- 前記耐エッチング性ドーパント材料を堆積させる工程が、前記耐エッチング性ドーパント材料を前記シリコン基板上の複数の相互嵌合する接触指に分注する工程、を含む、請求項25に記載の方法。
- 請求項25に記載の方法に従って製造された太陽電池。
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