JP2006208829A - レジスト画像形成材料、レジスト画像形成材、及びレジスト画像形成方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A)カルボキシル基含有重合体、(B)エチレン性不飽和化合物、(C)光重合開始剤、および(D)増感色素を含有する光重合性組成物層を有するレーザー直接描画用レジスト画像形成材料であり、光重合性組成物層中における(D)成分の含有量が0.1重量%以下であることを特徴とする、レーザー光直接描画用レジスト画像形成材料、及びそれを用いて形成されたレーザー光直接描画用レジスト画像形成材、並びにレジスト画像形成方法。
【選択図】 なし
Description
具体的な実装方法としては、レジスト膜でパターンを形成し、メッキ立てによってメタル柱を形成させ、それを端子としてはんだで電子部品等と接続する方法や、メタルマスクと呼ばれる印刷パターンが形成された金属板を介して、プリント配線基板にクリームはんだを印刷し、はんだ端子を形成させて電子部品等と接続する方法等が挙げられる。後者のメタルマスクを用いる方法では、そのメタルマスクを製造する際にレジスト膜を用いられる場合がある。
しかしながら、従来のマスクフィルムを用いる方法では、例えば微細化を要求されるバンプを形成させようとした場合、微細とは言え数十から百数十μm程度の厚みが要求されるため、露光光源の光が広がる性質やマスクフィルムのエッジのざらつきなどにより、得られるパターンには側面の荒れや、形状の不均一という問題があった。パターン側面の荒れは、例えば特にファインなメタルマスクの場合には、印刷時にソルダーペーストがひっかかることにより、均一な量を印刷出来なくなるという問題を引き起こす。その結果、最終的に得られるバンプの高さにばらつきが出て、電子部品等とプリント配線基板との接続が出来ない箇所が発生し、通電出来なくなるという致命的な問題となる。
例えば、特許文献1には、膜厚が1μm〜100μmであり、かつ高アスペクト比のレジストパターンが開示されている。しかしながら、詳細な説明及び実施例の記載からも明らかなように、実質的には50μm未満の領域を意図したものであるため、50μm以上の厚膜で顕在化するレジストパターン自体やレジスト画像形成上の問題(例えば、エッジのざらつきや形状の悪化、裾のえぐれ等)に関しては考慮されておらず、これら厚膜特有の問題を解決することに関しては実用的であるとは言えなかった。
であることを想定するものではない。即ち、前述のマスクフィルムを用いる方法に特有のエッジ部のざらつきや側面の荒れといった要点に対しては全く対策されていない。
[1]レーザー光直接描画用レジスト画像形成材
本発明のレーザー光直接描画用レジスト画像形成材(以下、単に「レジスト画像形成材」と称することがある。)は、光重合性組成物層の膜厚が50μm以上であることが特徴である。特に、レジスト画像形成材の光重合性組成物層が露光波長における透過率が8%以上であることが好ましい。光重合性組成物層の露光波長における透過率は10%以上であるのが更に好ましく、50%以下であることが特に好ましい。光重合性組成物層の露光波長での透過率が8%より低くなると被加工基板表面近くまで充分な光が到達せずに光重合性組成物層の底部の重合度が不充分となるため、露光後の現像によってレジスト画像が剥がれてしまったり、底部がえぐれた形状になったりして、充分なレジスト画像が形成されない。又、透過率が50%より大きいような場合は、非加工基板表面でのレーザー光の反射により、レジスト底部が裾を引いた形状となり、例えばこの後にメッキを施す場合に悪影響を与える。
本発明のレジスト画像形成材の光重合性組成物層の露光波長における透過率の測定は、光重合性組成物層が被加工基板上に施された状態では不可能であるので、該波長で透過性のある支持体に光重合製組成物層を施した状態で測定する必要がある。例えば、本発明に用いられるレジスト画像形成材料がポリエチレンテレフタレートフィルム等の仮支持体フィルム上に光重合性組成物層を設けた所謂ドライフィルムレジストである場合は、そのまま、被加工基板に施す前の状態で、直接光重合性組成物層の透過率を測定することが出来る。又、ドライフィルムレジストを、被加工基板上に複数回ラミネートすることで所定の膜厚の光重合性組成物層を確保する場合は、仮支持体フィルム上の光重合性組成物層に実際の積層数と同数になる様に光重合性組成物層をラミネートするなどして、実際の膜厚と同様な膜厚の光重合性組成物層を透過率測定可能な支持体上に形成させた状態で測定すると良い。液体状のレジストを用いる場合も同様に、透過率測定可能な透明な支持体上に所定の膜厚になるように光重合性組成物層を施して測定することができる。
本発明における前記のレジスト画像形成材は、前記要旨を満たすものであれば、これに用いられるレーザー光直接描画用レジスト画像形成材料(以下、単に「レジスト画像形成材料」と称することがある。)を限定するものではないが、特に本発明のレジスト画像形成材料を用いることにより本発明の目的を達成することができる。
以下、光重合性組成物の各構成成分について説明する。
又、本発明において、好ましいとする光重合性組成物を構成する(B)成分のエチレン性不飽和化合物は、光重合性組成物が活性光線の照射を受けたときに、後述する(C)成分の光重合開始剤を含む光重合開始系の作用により付加重合し、場合により架橋、硬化するようなラジカル重合性のエチレン性不飽和結合を分子内に少なくとも1個有する化合物である。
シアネート)、イソホロンジイソシアネート、ビシクロヘプタントリイソシアネート等の脂環式ポリイソシアネート、p−フェニレンジイソシアネート、2,4−トリレンジイソシアネート、2,6−トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、4,4'−ジフェニルメタンジイソシアネート、ト
リジンジイソシアネート、1,5−ナフタレンジイソシアネート、トリス(イソシアネートフェニルメタン)、トリス(イソシアネートフェニル)チオホスフェート等の芳香族ポリイソシアネート、イソシアヌレート等の複素環式ポリイソシアネート、等のポリイソシアネート化合物との反応物等が挙げられる。
以上の(B)成分のエチレン性不飽和化合物として、本発明においては、エステル(メタ)アクリレート類、又は、ウレタン(メタ)アクリレート類が好ましく、エステル(メタ)アクリレート類が特に好ましく、そのエステル(メタ)アクリレート類の中でも、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、或いはビスフェノールAのポリエチレンオキサイド付加物等のポリオキシアルキレン基を有し、(メタ)アクリロイルオキシ基を2個以上有するエステル(メタ)アクリレート類が殊更好ましい。
ゾール、2,2'−ビス(フルオロフェニル)−4,4',5,5'−テトラフェニルビイ
ミダゾール、2,2'−ビス(o−クロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラフェニ
ルビイミダゾール、2,2'−ビス(o−クロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラ
(p−メチルフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−クロロフェニル)−4,
4',5,5'−テトラ(p−メトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−
クロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(o,p−ジメトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o,p−ジクロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(p
−メトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−クロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(p−エトキシカルボニルフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−クロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(p−クロロフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−クロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(o,p−ジクロロフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o,p−ジクロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(o,p−ジクロロフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−クロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(p−フルオロフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−クロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(o,p−ジブロモフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−ブロモフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(o,p−ジクロロフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−ブロモフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(p−ヨードフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−ブロモフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(o−クロロ−p−メトキシフェニル)ビイミダゾール、2,2'−ビス(o−クロロフェニル)−4,4',5,5'−テトラ(p−クロロナフチル)ビイミダゾール等が挙げられる。中で、ヘキサフェニルビイミダゾール化合物が好ましく、そのイミダゾール環上の2,2'−位に結合したベンゼン環のo−位がハロゲン原子で置換されたものが更に好ましく、そのイミダゾール環上の4,4',5,5'−位に結合したベンゼン環が無置換、又は、ハロゲン原子或いはアルコキシカルボニル基で置換されたものが特に好ましい。
本発明における(D)成分の増感色素は特に限定されるものではないが、露光に用いるレーザー光が青紫半導体レーザー光であることが好ましいことから、355〜430nmの波長域に吸収極大を有する増感色素であることが好ましい。尚、ここで、吸収極大波長は、増感色素をテトラヒドロフランに溶解し、吸収波長を測定した際の極大値を示す波長であり、355〜430nmの波長域にある吸収極大波長が、吸収極大の最長波長であるのが好ましい。
合物、(x) 下記式を基本骨格とするシアノスチリル系化合物、(xi)下記式を基本骨格とするスチルベン系化合物、(xii) 下記式を基本骨格とするオキサジアゾール/チアジアゾール系化合物、(xiii)下記式を基本骨格とするピラゾリン系化合物、(xiv) 下記式を基本骨格とするクマリン系化合物、(xv)特願2003−435312号明細書等に記載の下記式を基本骨格とするトリフェニルアミン系化合物、(xvi) 特願2003−340924号明細書等に記載の下記式を基本骨格とするアクリドン系化合物、(xvii)特願2003−435312号明細書等に記載の下記式を基本骨格とするカルバゾール系化合物等が挙げられる。
ここで、式(I) 中のR1 、R2 、R5 、及びR6 のアルキル基の炭素数、並びに、R3 、R4 、R7 、及びR8 がアルキル基であるときの炭素数は1〜6であるのが好ましい。又、含窒素複素環を形成する場合、5又は6員環であるのが好ましく、R1 とR3 、R2 とR4 、R5 とR7 、又はR6 とR8 が6員環のテトラヒドロキノリン環を形成しているのが好ましく、R1 とR2 とR3 とR4 、又は/及び、R5 とR6 とR7 とR8 がジュロリジン環を形成しているのが特に好ましい。更に、2位にアルキル基を置換基として有するテトラヒドロキノリン環、或いは該テトラヒドロキノリン環を含むジュロリジン環が殊更好ましい。
ルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、及び下記の構造の化合物が挙げられる。
アルキルイミノ基を示し、複素環に縮合するベンゼン環は置換基を有していてもよい。〕
ここで、式(II)中のR1 及びR2 のアルキル基の炭素数、並びに、R3 及びR4 がアルキル基であるときの炭素数は1〜6であるのが好ましく、又、含窒素複素環を形成する場合、5又は6員環であるのが好ましく、R1 とR3 、R2 とR4 、R5 とR7 、又はR6 とR8 が6員環のテトラヒドロキノリン環を形成しているのが好ましく、R1 とR2 とR3 とR4 、又は/及び、R5 とR6 とR7 とR8 がジュロリジン環を形成しているのが特に好ましい。更に、2位にアルキル基を置換基として有するテトラヒドロキノリン環、或いは該テトラヒドロキノリン環を含むジュロリジン環が殊更好ましい。又、Xがジアルキルメチレン基であるときのアルキル基の炭素数は1〜6であるのが好ましく、アルキルイミノ基であるときのアルキル基の炭素数は1〜6であるのが好ましい。
ここで、式(III) 中のR1 及びR2 のアルキル基の炭素数、並びに、R3 及びR4 がアルキル基であるときの炭素数は1〜6であるのが好ましく、又、含窒素複素環を形成する場合、5又は6員環であるのが好ましいが、R3 及びR4 は水素原子であるのが好ましい。又、R9 及びR10の1価基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アルケニル基、シクロアルケニル基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アシル基、アシルオキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アラルキル基、アリールアルケニル基、ヒドロキシ基、ホルミル基、カルボキシル基、カルボン酸エステル基、カルバモイル基、アミノ基、アシルアミノ基、カーバメート基、スルホンアミド基、スルホン酸基、スルホン酸エステル基、スルファモイル基、アルキルチオ基、イミノ基、シアノ基、及び複素環基等が挙げられる。これらの中で、R9 としては水素原子が、又、R10としてはアリール基が好ましい。
ここで、式(IV)中のR1 、R2 、及びR11のアルキル基の炭素数、並びに、R3 、R4 、及びR12がアルキル基であるときの炭素数は1〜6であるのが好ましく、又、含窒素複素環を形成する場合、5又は6員環であるのが好ましいが、R3 及びR4 は水素原子であるのが好ましい。又、R12としてはフェニル基であるのが好ましい。
更に、好ましいとする光重合性組成物は、前記各成分の外に、例えば、ハイドロキノン、メチルハイドロキノン、p−メトキシフェノール等の、ジヒドロキシベンゼン環を含む2価フエノール誘導体であるハイドロキノン誘導体等の重合禁止剤を含有しているのが好ましく、その含有量としては、光重合性組成物の全量に対して5〜200ppmであるのが好ましく、5〜60ppmであるのが特に好ましい。
これら酸化防止剤は光重合性組成物の全量に対して10〜500ppm含有されているのが好ましい。
としては、例えば、ベンゾイミダソール、ヘンゾチアゾール、ベンゾオキサゾール、ベンゾトリアゾール、2−メルカプトベンゾチアゾール、2−メルカプトベンゾイミダゾール等が挙げられる。
本発明における光重合性組成物は、例えば、前記各成分を適当な溶剤に溶解或いは分散させた塗布液として、仮支持フィルム上に塗布し乾燥させ、必要に応じて、形成された光重合性組成物層表面を被覆フィルムで覆うことにより、所謂ドライフィルムレジスト材等のレジスト画像形成材料とされ、その光重合性組成物層側を、被覆フィルムで覆われている場合にはその被覆フィルムを剥離して、被加工基板上に積層することにより、又は、前記各成分を適当な溶剤に溶解或いは分散させた塗布液として、被加工基板上に直接に塗布し乾燥させることにより、被加工基板上に光重合性組成物の層が形成されたレジスト画像形成材とされ、そのレジスト画像形成材の光重合性組成物層を、直接描画法により露光し、現像処理するレジスト画像形成方法としての使用形態に好適に用いられる。
しい。
実施例1〜3、比較例1〜2
光重合性組成物として、下記のカルボキシル基含有重合体(A1)、エチレン性不飽和化合物(B1〜B2)、光重合開始剤(C1)、増感色素(D1〜D2)、及びその他成分(X1〜X2)を、表1に示す処方で下記の溶剤(Y1〜Y2)に加えて、室温で攪拌して調液した塗布液を、仮支持フィルムとしてのポリエチレンテレフタレートフィルム(厚み16μm)上に、150μmのアプリケーターを用いて乾燥膜厚が40μmとなる量で塗布し、1分風乾後、85℃のオーブンで90秒間乾燥し、形成された光重合性組成物層上に、被覆フィルムとしてのポリエチレンフィルム(厚み22μm)をラミネータを用いて積層し、ドライフィルムレジスト材を作製した。
(A1)メタクリル酸/メチルメタクリレート/n−ブチルメタクリレート/2−エチルヘキシルアクリレート/2−ヒドロキシエチルメタクリレート/スチレン共重合体(重量%=25/30/10/10/15/10、重量平均分子量79,000)
<エチレン性不飽和化合物>
(B1)下記の化合物
(B2)下記の化合物
(C1)2,2’−ビス(o−クロロフェニル)−4,4’,5,5’−テトラフェニルビイミダゾール
<増感剤>
(D1)下記の化合物(増感色素をテトラヒドロフランで60,000倍に希釈し、300〜500nmの波長域でUV吸光係数を測定したときの、最も長波長に存在する吸収極大388nm)
(D2)下記の化合物(増感色素をテトラヒドロフランで60,000倍に希釈し、300〜500nmの波長域でUV吸光係数を測定したときの、最も長波長に存在する吸収極大352nm)
(X1)ロイコクリスタルバイオレット
(X2)マラカイトグリーン
<溶剤>
(Y1)メチルエチルケトン
(Y2)イソプロピルアルコール
別に、厚み35μmの銅箔を貼り合わせたポリイミド樹脂の銅張積層基板(厚み1.5mm、大きさ250mm×200mm)の銅箔表面を、住友スリーエム社製「スコッチブライトSF」を用いてバフロール研磨し、水洗し、空気流で乾燥させて整面し、次いで、これをオーブンで80℃に予熱した後、その銅張積層板の銅箔上に、前記で得られたドライフィルムレジスト材を、そのポリエチレンフィルムを剥離しながらその剥離面で、ハンド式ロールラミネーターを用いて、ロール温度100℃、ロール圧0.3MPa、ラミネート速度1.5m/分でラミネートし、さらにその表面の仮支持フィルムを剥離した上にもう一度ラミネートし、銅張積層基板上に膜厚80μmの光重合性組成物層が形成されたレジスト画像形成材を製造した。
前記で得られたドライフィルムレジスト材の、そのポリエチレンフィルムを剥離し、むき出しとなったそれぞれの光重合性組成物層が重なり合うようにハンド式ロールラミネーターを用いて、ロール温度100℃、ロール圧0.3MPa、ラミネート速度1.5m/分でラミネートした。得られた2枚重ねとなったドライフィルムレジスト材の407nmにおける透過率を、ポリエチレンテレフタレートフィルムをレファレンスとして測定した結果を表1に示した。
得られた各レジスト画像形成材の光重合性組成物層を、以下に示す露光・現像条件下で露光、現像処理し、得られたレジスト画像のパターン形状を以下に示す基準で評価し結果を表1に示した。
<露光>
発振波長407nm、定格光出力500mWの日亜化学工業社製、青色LDスロットモジュール「NDAV520E2」、発振波長407nm、定格光出力500mWの日亜化学工業社製、青色LDスロットモジュール「NDAV520E2」を用い、ビームスポット径8μm、像面光量0.4mW/cm2で、22.6mJ/cm2、32mJ/cm2、
45.2mJ/cm2、64mJ/cm2の4段階の露光量にて直径80μmの円の露光パターンを走査露光した。
露光後、20分経過してから、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離、除去し、次いで30℃で1重量%炭酸ナトリウム水溶液をブレークポイント(非露光部が完全に溶解するまでの時間)の2倍の現像時間で、0.2MPaでスプレーすることにより現像した。
前記の露光・現像により得られたパターン形状を走査型電子顕微鏡で観察し、以下の基準で評価し、結果を表1に示した。
〇;裾引きやえぐれの無い、きれいな円柱形のパターン
△;裾引きがわずかに認められるが、きれいな円柱形のパターン
×;裾部のえぐれ、もしくは激しい裾引きが認められる。
得られたパターン形状で〇若しくは△の評価を得た最低露光量でのパターンの直径と高さを走査電子顕微鏡での画像より測定し、高さ/直径=アスペクト比として算出し、結果を表1に示した。
Claims (9)
- (A)カルボキシル基含有重合体、(B)エチレン性不飽和化合物、(C)光重合開始剤、および(D)増感色素を含有する光重合性組成物層を有するレーザー直接描画用レジスト画像形成材料であり、光重合性組成物層中における(D)増感色素の含有量が0.1重量%未満であることを特徴とする、レーザー光直接描画用レジスト画像形成材料。
- (D)増感色素が355〜430nmの波長域に吸収極大を有することを特徴とする請求項1に記載のレーザー光直接描画用レジスト画像形成材料。
- (D)増感色素がジアルキルアミノベンゼン系化合物、トリフェニルアミン系化合物、カルバゾール系化合物、及びアクリドン系化合物よりなる群から選ばれる1種又は2種以上の化合物であることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザー光直接描画用レジスト画像形成材料。
- 請求項1乃至3の何れか1項に記載のレジスト画像形成材料を用いて形成されたレーザー光直接描画用レジスト画像形成材。
- 被加工基板上に光重合性組成物層を有するものであって、光重合性組成物層の膜厚が50μm以上であることを特徴とするレーザー光直接描画用レジスト画像形成材。
- 光重合性組成物層の露光波長における透過率が8%以上である請求項5に記載のレーザー光直接描画用レジスト画像形成材。
- 請求項4乃至6の何れか1項に記載のレーザー光直接描画用レジスト画像形成材を用いて、アスペクト比0.7以上のレジスト画像を形成することを特徴とするレジスト画像形成方法。
- 請求項4乃至6の何れか1項に記載のレーザー光直接描画用レジスト画像形成材を用いて、40mJ/cm2以下の露光量で露光することを特徴とするレジスト画像形成方法。
- 請求項4乃至6の何れか1項に記載のレーザー光直接描画用レジスト画像形成材を用いて、390〜430nmの波長域の青紫レーザー光により直接描画することを特徴とするレジスト画像形成方法。
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