JP2006206406A - 半導体粒子の製造方法および製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体材料を加熱し溶融させる工程および半導体融液を気相中に滴下する工程の少なくとも一方を、坩堝内または坩堝が収容された外套容器内に一方から希ガスを供給し、他方から希ガスを順次排出しながら行う。
【選択図】図1
Description
2、32、39 坩堝
3、33 融液
6 支持体
7、30 外套容器本体
8、34 ノズル孔
9 液滴
10 気相
11 断熱材
16 二重管
17 内管(ガス供給管)
18 外管(ガス排出管)
20、36、37 外套容器蓋
23 希ガス供給口
24 希ガス排出口
31、38、42 貫通孔
41 坩堝蓋
Claims (5)
- 坩堝内に収容された半導体材料を加熱し溶融させる工程(1)、および、前記半導体材料の融液を坩堝の底部のノズル孔から気相中に滴下する工程(2)を有する半導体粒子の製造方法であって、前記工程(1)および工程(2)の少なくとも一方における前記坩堝内の雰囲気が、前記坩堝または前記坩堝が収容された外套容器からなる溶融装置の希ガス供給口から前記溶融装置内に希ガスを供給するとともに、前記溶融装置の希ガス排出口から前記希ガスを前記溶融装置の外に順次排出することにより形成される希ガス雰囲気であることを特徴とする半導体粒子の製造方法。
- 前記工程(2)において、前記坩堝内の融液を加圧する希ガスの圧力と前記坩堝内の融液の自重による圧力の和が、前記融液が滴下される側の気相の圧力よりも1〜80kPa高い請求項1に記載の半導体粒子の製造方法。
- 前記半導体がシリコンである請求項1または2に記載の半導体粒子の製造方法。
- 前記希ガス供給口よりも低い位置に設けた希ガス排出口から、前記希ガスを排出する請求項1〜3の何れかに記載の半導体粒子の製造方法。
- 坩堝に収容された半導体材料を加熱し溶融させる加熱装置、前記半導体材料の融液を滴下させるノズル孔が底部に形成された坩堝または前記坩堝が収容された外套容器からなる溶融装置、前記坩堝内の融液を加圧する希ガスの圧力と前記坩堝内の融液の自重による圧力の和が、前記融液が滴下される側の気相の圧力より高い所定の圧力になるように調整して前記溶融装置内に希ガスを供給できるガス源、前記ガス源から前記溶融装置の希ガス供給口に通じるガス供給経路、および、前記溶融装置の希ガス排出口から前記溶融装置の外部に通じるガス排出経路を備えたことを特徴とする半導体粒子の製造装置。
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WO2013046854A1 (ja) * | 2011-09-26 | 2013-04-04 | 新東工業株式会社 | ブラスト加工装置及びブラスト加工方法 |
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JP2004244670A (ja) * | 2003-02-13 | 2004-09-02 | Clean Venture 21:Kk | 半導体粒子または金属粒子の製造方法および製造装置 |
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2005
- 2005-01-31 JP JP2005022989A patent/JP2006206406A/ja active Pending
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