JP2006199629A - アントラセン誘導体、有機電界発光素子、および表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】優れた青色の発光材料として用いることができるアントラセン誘導体を提供し、このアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子、および表示装置を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で示されるアントラセン誘導体。

Ａ¹〜Ａ⁸は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、Ｃ２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、Ｃ２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、Ｃ２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、Ｃ２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基等を表し、 ＸおよびＹは、それぞれ独立に、置換基を有するＣ３０以下の置換あるいは無置換のアリーレン基、等を表し、Ａｒ¹〜Ａｒ⁴は、それぞれ独立に、置換基を有するＣ３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、等を表す。
【選択図】なし

Description

本発明は、有機電界発光素子用の有機材料として好適に用いられるアントラセン誘導体、およびこのアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子、およびこの素子を用いた表示装置に関する。

近年、消費電力が小さく、応答速度が高速であり、また視野角依存性の無いフラットパネルディスプレイとして、有機電界発光素子（いわゆる有機ＥＬ素子）を用いた表示装置が注目されている。

一般的に有機電界発光素子は、陰極と陽極との間に有機層を狭持してなり、陽極および陰極からそれぞれ注入された正孔（ホール）と電子とが有機層中において再結合することにより発光する。有機層としては、例えば、正孔輸送層、発光材料を含む発光層、および電子輸送層を陽極側から順に積層させた構成や、さらに電子輸送層中に発光材料を含ませて電子輸送性の発光層とした構成が開発されている。

ところで、以上のような構成の有機電界発光素子は自発光素子であり、この有機電界発光素子を用いて表示装置を構成する場合、有機電界発光素子の長寿命化および信頼性の確保が最も重要な課題の一つとなる。このため、有機電界発光素子を構成する有機材料に関する研究が取り進められている。

中でも発光を司る発光材料については、三原色に対応する赤、緑、そして青色の発光材料についての様々な検討がなされている。発光材料に求められる物性には、耐熱性や蛍光量子収率などの化合物に特有な指標のほかに、デバイスにおける色純度や輝度、さらには発光寿命といった素子特性を解決する材料が求められている。

そして特に、青色発光材料については過去から勢力的に開発が進められており、例えば、スチリルアレンもしくはアントラセン誘導体といった材料が知られている。その代表的なアントラセン誘導体としては９，１０位にフェニル基を有する９，１０−ジフェニルアントラセンがある。そして、この９，１０−ジフェニルアントラセンにおけるフェニル基に、置換基を導入することにより分子量を増大させ、熱的な安定化を図る構成が開示されている（下記特許文献１参照）。

また、９，１０位をフェニル基からナフチル基に置換した９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）も、良好な青色発光材料として知られている。

ただし、以上のような構成のアントラセン誘導体は、単独で発光層を構成した場合の電流効率が２ｃｄ／Ａ以下と低いため、主に発光層のホスト材料として用いることにより、電流効率の向上を図ることも検討されている（非特許文献１参照）。

一方、アントラセン誘導体を、発光層のゲスト材料として用いる構成も検討されている。そして特に、アントラセン核を有する青色発色のゲスト材料としてＮ，Ｎ’−ジ（アントラセン−１−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−４，４’−ベンジジン（Ｋ−１）が示されている（下記特許文献２参照）。このような構成のアントラセン誘導体（Ｋ−１）は、アントラセン核に直接アミノ基を結合してなり、アミン化合物としたことによってより効率の高い素子となることが示されている。

また、９，１０位をジアリールアミノ基で置換したアントラセン誘導体を発光材料として用いることも開示されている（下記特許文献３、および下記非特許文献２参照）。

特開平１１−３２３３２３号公報 特開平８−１９９１６２号公報 特開平８−５３３９７号公報 ２００３年ＳＩＤシンポジウムダイジェスト，バルチモア，メリーランド，アメリカ合衆国，2003年5月21日，ｐ９７１−９７３ Chemistry of Materials（米）２００２年，第１４巻、ｐ．３５９８−３９６３

しかしながら、上述したようなアントラセン骨格の９，１０位をアリール基やアリールアミノ基で置換したアントラセン誘導体は、これを発光材料として有機電界発光素子を構成した場合に、緑色または緑色に近い青色の発光しか得ることができず、純度の高い青色発光を得ることができなかった。

例えば、特許文献２には、アントラセン誘導体として示された上記Ｋ−１で青色発光が観測されると記されている。しかしながら、一般にアントラセン核に直接アミノ基が結合する骨格として、例えば最も単純なジフェニルアミノアントラセンにおいては、その発光波長として４８０ｎｍ前後となるため、Ｋ−１の発光においても青色というよりもむしろ青緑に近くなることが、Synthetic MetalsA（米）２０００年、第１１１−１１２巻、ｐ．２５−２９に示されている。

また、特許文献３に示された９，１０位をジアリールアミノ基で置換したアントラセン誘導体の発色については、例えば最も分子量が小さい９，１０−ビス（ジフェニルアミノ）アントラセンにおいての発光波長が５２０ｎｍとなっており、完全に緑色であることが上記非特許文献２にも記載されている。

以上説明したように、発光材料として提示されている上記の各アントラセン誘導体は、発色団としては高い可能性を有しているものの、その発光色は緑色に近いものしか得られていない。そこで本発明は、優れた青色の発光材料として用いることができるアントラセン誘導体を提供すること、およびこのアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子、および表示装置を提供すること目的とする。

このような目的を達成するための本発明のアントラセン誘導体は、有機電界発光素子を構成する有機材料として好適に用いられるアントラセン誘導体であり、下記一般式（１）で示される。

この一般式（１）中におけるＡ¹〜Ａ⁸，Ｘ，Ｙ，Ａｒ¹〜Ａｒ⁴は、それぞれ次の基を表している。

Ａ¹〜Ａ⁸は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、または炭素数３０以下の置換あるいは無置換のシリル基を表している。

ＸおよびＹは、それぞれ独立に、置換基を有する炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリーレン基、または炭素数３０以下の置換あるいは無置換の２価複素環基を表している。

Ａｒ¹〜Ａｒ⁴は、それぞれ独立に、置換基を有する炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、もしくは炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基を表している。またこれらのうち、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ³とＡｒ⁴とは、互いに連結して環を形成していても良い。

また本発明は、一般式（１）で示されるアントラセン誘導体を用いた有機電界発光素子でもある。この有機電界発光素子は、陽極と陰極の間に少なくとも発光層を有する有機層を狭持してなり、この有機層に上述した構成のアントラセン誘導体が用いられている。特にこのアントラセン誘導体は、発光層を構成する材料として好ましく用いられる。

以上のような一般式（１）で示されるアントラセン誘導体は、アントラセン骨格の９，１０位を、アリール基やアリールアミノ基等で置換することなく他の置換基もしくは無置換とし、またアントラセン骨格の１，５位に上述した基を設けた構成としている。これにより、このアントラセン誘導体を発光材料として用いた有機電界発光素子において、アントラセン特有の色純度の高い青色発光が得られることが確認された。しかも、分子量としても耐熱性を十分に保持できる量が確保されるため、熱的な物性が良好であり、外部からの力や熱的な耐久性に優れており、電圧による変動力にも安定性を有している。

また、一般式（１）で示されるアントラセン誘導体はアミン化合物でもあるため、電荷輸送性に優れており良好な発光効率を得が得られる。

したがって、このようなアントラセン誘導体を用いて有機層を構成した本発明の有機電界発光素子は、長時間駆動において有機層の耐久性が優れたものになる。また、このアントラセン誘導体を有機電界発光素子の発光層に用いることにより、特に青色に優れた発光特性が示される。

そして本発明は、アントラセン誘導体を用いた上記構成の有機電界発光素子を備えた表示装置でもあり、特に好適には、上記構成の有機電界発光素子が青色発光素子として複数の画素のうちの一部の画素に設けられていることとする。

このような表示装置では、上述したように、色純度および輝度が高く、かつ輝度の減衰率が低い有機電界発光素子を青色発光素子として用いた表示装置が構成されるため、他の赤色発光素子および緑色発光素子と組み合わせることで、色再現性の高いフルカラー表示が可能になる。

以上説明したように本発明の一般式（１）に示したアントラセン誘導体を用いて有機電界発光素子の有機層を構成することにより、有機層の耐久性の向上を図り有機電界発光素子における発光寿命の向上を図ることが可能になると共に、特に青色の発光領域で発光効率の向上を図ることが可能になる。またこの結果、この有機電界発光素子と共に、緑色発光素子と赤色発光素子および青色発光素子を１組にして画素を構成することにより、色再現性の高いフルカラー表示が可能になる。

以下本発明の実施の形態を説明する。

＜アントラセン誘導体＞
下記一般式（１）で示される本発明のアントラセン誘導体のさらに具体的な例を説明する。

この一般式（１）で示されるアントラセン誘導体は、有機電界発光素子の有機層に好適に用いられるアントラセン誘導体であり、アントラセン骨格の１位および５位にそれぞれ独立に置換基Ｘ、Ｙを介在させてアミノ基と結合されている。

そして、一般式（１）中において、アントラセン骨格の１位および５位以外の部位における置換基Ａ¹〜Ａ⁸は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、または炭素数３０以下の置換あるいは無置換のシリル基を表している。

尚、上記のカルボニル基は、アルデヒド基、ケトン基およびカルボキシル基を含む。また、上記のアルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基を含む。

また、一般式（１）中における上記のＸ，Ｙは、それぞれ独立に、置換基を有する炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリーレン基、または炭素数３０以下の置換あるいは無置換の２価複素環基を表している。

このようなＸ，Ｙは、一般式（１）のアントラセン誘導体を合成する場合の簡便さを考慮した場合、ＸとＹとが同一であることが好ましい。

そしてさらに、一般式（１）中におけるＸ，Ｙに結合した窒素（Ｎ）に結合されている置換基Ａｒ¹〜Ａｒ⁴は、それぞれ独立に、置換基を有する炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、もしくは炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基を表している。またこれらのうち、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ³とＡｒ⁴とは、互いに連結して環を形成していても良い。

このようなＡｒ¹〜Ａｒ⁴は、一般式（１）のアントラセン誘導体を合成する場合の簡便さを考慮した場合、Ａｒ¹とＡｒ³とが同一であり、Ａｒ²とＡｒ⁴とが同一であることが好ましい。

ここで、上記Ａｒ¹〜Ａｒ⁴を構成するアリール基は、炭素数３０以下から構成されるものが好ましく、例えば、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、フルオレニル基、１−アントリル基、２−アントリル基、９−アントリル基、１−フェナントリル基、２−フェナントリル基、３−フェナントリル基、４−フェナントリル基、９−フェナントリル基、１−ナフタセニル基、２−ナフタセニル基、９−ナフタセニル基、１−ピレニル基、２−ピレニル基、４−ピレニル基、１−クリセニル基，６−クリセニル基，２−フルオランテニル基，３−フルオランテニル基，２−ビフェニルイル基、３−ビフェニルイル基、４−ビフェニルイル基、ｏ−トリル基、ｍ−トリル基、ｐ−トリル基、ｐ−ｔ−ブチルフェニル基等が挙げられる。

また、一般式（１）中における上記Ｘ，Ｙを構成するアリーレン基は、以上に例示のアリール基から導出されたアリーレン基を例示できる。中でも、Ｘ，Ｙとして用いられるアリーレン基は、フェニル核、ビフェニル核、またはナフチル核を有するものが好ましい。

また上記Ａｒ¹〜Ａｒ⁴を構成する複素環基は、炭素数３０以下から構成されるものが好ましく、例えば、１−ピロリル基、２−ピロリル基、３−ピロリル基、ピラジニル基、２−ピリジニル基、３−ピリジニル基、４−ピリジニル基、１−インドリル基、２−インドリル基、３−インドリル基、４−インドリル基、５−インドリル基、６−インドリル基、７−インドリル基、１−イソインドリル基、２−イソインドリル基、３−イソインドリル基、４−イソインドリル基、５−イソインドリル基、６−イソインドリル基、７−イソインドリル基、２−フリル基、３−フリル基、２−ベンゾフラニル基、３−ベンゾフラニル基、４−ベンゾフラニル基、５−ベンゾフラニル基、６−ベンゾフラニル基、７−ベンゾフラニル基、１−イソベンゾフラニル基、３−イソベンゾフラニル基、４−イソベンゾフラニル基、５−イソベンゾフラニル基、６−イソベンゾフラニル基、７−イソベンゾフラニル基、キノリル基、３−キノリル基、４−キノリル基、５−キノリル基、６−キノリル基、７−キノリル基、８−キノリル基、１−イソキノリル基、３−イソキノリル基、４−イソキノリル基、５−イソキノリル基、６−イソキノリル基、７−イソキノリル基、８−イソキノリル基、２−キノキサリニル基、５−キノキサリニル基、６−キノキサリニル基、１−カルバゾリル基、２−カルバゾリル基、３−カルバゾリル基、４−カルバゾリル基、９−カルバゾリル基、１−フェナンスリジニル基、２−フェナンスリジニル基、３−フェナンスリジニル基、４−フェナンスリジニル基、６−フェナンスリジニル基、７−フェナンスリジニル基、８−フェナンスリジニル基、９−フェナンスリジニル基、１０−フェナンスリジニル基、１−アクリジニル基、２−アクリジニル基、３−アクリジニル基、４−アクリジニル基、９−アクリジニル基、などが挙げられる。

また、一般式（１）中における上記Ｘ，Ｙを構成する２価複素環基は、以上に例示の複素環基から導出された２価のものを例示できる。

そして、上述したＡ¹〜Ａ⁸、および、Ｘ，Ｙ、Ａｒ¹、Ａｒ²、Ａｒ³およびＡｒ⁴として示された基のうち、さらに置換基を有しても良い基に対する置換基としては、ハロゲン、ヒドロキシル基、カルボニル基、カルボニルエステル基、環状アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、アリール基、複素環基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基を挙げることができる。

ここで、上記のさらに置換基を有しても良い基とは、すなわち、カルボニル基、カルボニルエステル基、アルキル基、アルケニル基、アルコキシル基、シリル基、アリーレン基、２価複素環基、アリール基、および複素環基である。

また、上記のカルボニル基は、アルデヒド基、ケトン基およびカルボキシル基を含む。そして、上記のアルキル基は、直鎖状アルキル基、分岐鎖状アルキル基、環状アルキル基を含む。

以下の表１-a〜表１-dに、一般式（１）の例示構造を示すが、本発明のアントラセン誘導体は、上述した範囲に含まれれば、ここに例示した構造に限定されるものではない。

以上で一例を示した本発明のアントラセン誘導体は、種々の方法によって合成が可能であり、例えば次のａ）〜ｃ）の方法が例示される。
ａ）ハロゲン化されたアントラセンを、マグネシウムを用いたグリニヤー反応によってカップリングさせる合成方法。
ｂ）ハロゲン化されたアントラセンを、銅触媒存在下でウルマン反応によってカップリングさせる方法。
ｃ）ボロン酸、もしくはボロン酸エステル化されたアントラセンとハロゲン化されたアントラセンとを、パラジウムに代表される遷移金属触媒によってカップリングさせる（いわゆる鈴木カップリング反応）によって合成させる方法。

尚、本発明のアントラセン誘導体は、有機電界発光素子の有機層を構成する材料として用いられるものであり、有機電界発光素子の製造プロセスに供する前に純度を高めておくことが好ましく、該純度が９５％以上、より好ましくは９９％以上とするのがよい。かかる高純度のアントラセン誘導体を得る方法としてはアントラセン誘導体の合成後の精製である再結晶法、再沈殿法、もしくはシリカやアルミナを用いたカラム精製のほかに、昇華精製やゾーンメルト法による公知の高純度化方法を用いることができる。

また、これらの精製方法を繰り返し行うことや異なる精製法を組み合わせて行うことで、本発明におけるアントラセン誘導体の未反応物、反応副生成物、触媒残渣、もしくは残存溶媒などの混合物を低減させ、よりデバイス特性の優れた有機電界発光素子を得ることが可能となる。

さらに本化合物は、光や酸素といった外因から以下に掲げるａ）〜ｃ）の保管方法をとることによって、その酸化、分解からの劣化反応を抑制し、特にこの有機発光材料を用いて構成される有機電界発光素子において、より優れた発光特性をもたらすことだけでなく、製造装置の負荷の軽減などに効果を発揮する。

ａ）有機発光材料を合成した後、速やかに冷所に静置させる。その保管温度は−１００℃から１００℃の範囲が好ましく、より好ましくは−５０℃から５０℃の温度範囲で保管させる。
ｂ）有機発光材料を合成した後、速やかに遮光性を有する容器に保管する。
ｃ）有機発光材料を合成した後、合成した有機発光材料を窒素、二酸化炭素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気下で保管する。

以上説明したような構成の一般式（１）および構造式で例示され本発明のアントラセン誘導体は、アントラセン骨格の９，１０位を、アリール基やアリールアミノ基等で置換することなく他の置換基もしくは無置換とし、またアントラセン骨格の１，５位に上述した基を設けた構成としている。

これにより、このアントラセン誘導体を発光材料として用いた有機電界発光素子において、アントラセン特有の色純度の高い青色発光が得られる。しかも、分子量としても耐熱性を十分に保持できる量が確保されるため、熱的な物性が良好であり、外部からの力や熱的な耐久性に優れており、電圧による変動力にも安定性を有している。

また、上構成のアントラセン誘導体は、アントラセン骨格に、アリーレン基や２価複素環基を介してアミノ基を結合させたアミン化合物でもあるため、電荷輸送性に優れており良好な発光効率を得が得られる。

したがって、このようなアントラセン誘導体を用いて有機層を構成した本発明の有機電界発光素子は、長時間駆動において有機層の耐久性が優れたものになる。また、特に青色に優れた発光特性を示すものともなる。

さらに、本発明に基づくアントラセン誘導体は、電子輸送性能と正孔輸送性能の両方を持つ。このため、以下に詳しく説明するように、有機電界発光素子の有機層のうち、電子輸送層を兼ねた発光層としても、或いは正孔輸送層と兼ねた発光層としても用いることが可能である。また、本発明に基づくアントラセン誘導体を発光層として、電子輸送層と正孔輸送層とで挟み込んだ構成とすることも可能である。

＜有機電界発光素子およびこれを用いた表示装置＞
次に、上述した有機発光材料を用いた有機電界発光素子（有機ＥＬ素子）の構成を、図１に基づいて詳細に説明する。

図１に示す有機電界発光素子１１は、基板１２上に陽極１３、有機層１４、および陰極１５をこの順に積層してなり、基板１２と反対側から光を取り出す上面発光型の素子として構成されている。

ここで、基板１２は、その一主面側に有機電界発光素子１１が配列形成される支持体であって、公知のものであって良く、例えば、石英、ガラス、金属箔、もしくは樹脂製のフィルムやシートなどが用いられるこの中でも石英やガラスが好ましく、樹脂製の場合には、その材質としてポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）に代表されるメタクリル樹脂類、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ)などのポリエステル類、もしくはポリカーボネート樹脂などが挙げられるが、透水性や透ガス性を抑える積層構造、表面処理を行うことが必要である。

この基板１２上に設けられる陽極１３には、効率良く正孔を注入するために電極材料の真空準位からの仕事関数が大きいもの、例えばクロム（Ｃｒ）、モリブテン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、酸化スズ（ＳｎＯ₂）とアンチモン（Ｓｂ）との合金、ＩＴＯ（インジウムチンオキシド）、ＩｎＺｎＯ（インジウ亜鉛オキシド）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）とアルミニウム（Ａｌ）との合金、さらにはこれらの金属や合金の酸化物等が、単独または混在させた状態で用いられる。この陽極１３は例えばスパッタリング法等により作製することができる。

そして、この有機電界発光素子１１を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合には、陽極１３は画素毎にパターニングされ、基板１２に設けられた駆動用の薄膜トランジスタに接続された状態で設けられている。また、この陽極１３の上には、ここでの図示を省略したが絶縁膜が設けられ、この絶縁膜の開口部から、各画素の陽極１３の表面が露出されるように構成されていることとする。

そして、この陽極１３上に設けられた有機層１４が、本発明に特有の有機発光材料を用いて構成された層となる。この有機層１４は、例えば陽極１３側から順に、正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、および電子輸送層１４ｄの４層を積層してなるものである。これらの各層１４ａ〜１４ｄは、電場が印加されることによって蛍光やリン光が発光する化合物を用いることのほかに、電子、若しくは正孔（ホール）の輸送能を有する化合物が適宜用いられることとする。

そして、本発明の有機電界発光素子１１においては、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、および電子輸送層１４ｄの少なくとも一層が、上記一般式（１）を用いて示したアントラセン誘導体を用いて構成されているのである。特に、発光層１４ｃが、上述したアントラセン誘導体を用いて構成されることが好ましい。このため、以下においては、発光層１４ｃに、上述したアントラセン誘導体が用いられる場合を例示する。

ここで、正孔注入層１４ａおよび正孔輸送層１４ｂは、それぞれ発光層１４ｃへの正孔注入効率を高めるためのものである。このような正孔注入層１４ａ、もしくは正孔輸送層１４ｂの材料としては、例えば、ベンジン、スチリルアミン、トリフェニルアミン、ポルフィリン、トリアゾール、イミダゾール、オキサジアゾール、ポリアリールアルカン、フェニレンジアミン、アリールアミン、オキザゾール、アントラセン、フルオレノン、ヒドラゾン、スチルベン、あるいはこれらの誘導体、または、ポリシラン系化合物、ビニルカルバゾール系化合物、チオフェン系化合物あるいはアニリン系化合物等の複素環式共役系のモノマー、オリゴマーあるいはポリマーを用いることができる。

また、上記正孔注入層１４ａ、もしくは正孔輸送層１４ｂのさらに具体的な材料としては、α−ナフチルフェニルフェニレンジアミン、ポルフィリン、金属テトラフェニルポルフィリン、金属ナフタロシアニン、４、４、４−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラキス（ｐ−トリル）ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−４、４’−ジアミノビフェニル、Ｎ−フェニルカルバゾール、４−ジ−ｐ−トリルアミノスチルベン、ポリ（パラフェニレンビニレン）、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリ（２、２’−チエニルピロール）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

そして、発光層１４ｃは、陽極１３と陰極１５による電圧印加時に、陽極１３と陰極１５のそれぞれから正孔および電子が注入され、さらにこれらが再結合する領域であり、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機発光材料を用いて構成されている。そして、本実施形態においては、この発光層１４ｃに、上記一般式（１）および構造式（１）-1〜（１）-34に示したアントラセン誘導体が含有されていることとする。

そして、より好ましくは、本発明のアントラセン誘導体は、発光層１４ｃ内にゲスト材料として添加されることとする。この際の発光層１４ｃにおけるアントラセン誘導体の添加量は、１体積％〜９９体積％、好ましくは１体積％〜５０体積％，より好ましくは２０体積％以下であることとする。

また、アントラセン誘導体をゲスト材料として用いた場合のホスト材料としては、フェニレン核、ナフタレン核、アントラセン核、ピレン核、ナフタセン核、クリセン核もしくはペリレン核から構成される芳香族炭化水素化合物であり、具体的には９，１０−ジフェニルアントラセン、９，１０−ジ（1−ナフチル）アントラセン、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン、１，６−ジフェニルピレン、１，６−ジ（１−ナフチル）ピレン、１，６−ジ（２−ナフチル）、１，８−ジフェニルピレン、１，８−ジ（１−ナフチル）ピレン、１，８−ジ（２−ナフチル）ピレン、ルブレン、６，１２−ジフェニルクリセン、６，１２−ジ（１−ナフチル）クリセン、６，１２−ジ（２−ナフチル）クリセン等を好適に用いることができる。

また、この発光層１４ｃには、発光層１４ｃでの発光スペクトルの制御を目的として、他のゲスト材料を微量添加しても良い。このような他のゲスト材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、ナフタセン誘導体、ベリレン誘導体、クマリン誘導体、ピラン系色素等の有機物質が用いられ、なかでもこれらの芳香族第三級アミン化合物が好適に用いられる。

尚、以上においては、本発明のアントラセン誘導体をゲスト材料に用いて発光層１４ｃを構成する場合を説明した。しかしながら、本発明のアントラセン誘導体を用いて発光層１４ｃを構成する場合、本発明のアントラセン誘導体の単体からなる発光層１４ｃを構成しても良い。また本発明のアントラセン誘導体をホスト材料として用いても良い。この場合、ゲスト材料としては、発光効率が高い材料、例えば、低分子蛍光色素、蛍光性の高分子、金属錯体等の有機発光材料を用いて構成されている。このような発光層１４ｃに用いる具体的な材料としては、例えばアントラセン、ナフタレン、インデン、フェナントレン、ピレン、ナフタセン、トリフェニレン、アントラセン、ペリレン、ピセン、フルオランテン、アセフェナントリレン、ペンタフェン、ペンタセン、コロネン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、あるいはこれらの誘導体、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体、ビス（ベンゾキノリノラト）ベリリウム錯体、トリ（ジベンゾイルメチル）フェナントロリンユーロピウム錯体ジトルイルビニルビフェニルを用いることができる。

そして、以上のように構成された発光層１４ｃ上に設けられる電子輸送層１４ｄは、陰極１５から注入される電子を発光層１４ｃに輸送するためのものである。電子輸送層１４ｄの材料としては、例えば、キノリン、ペリレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、オキサジアゾール、フルオレノン、またはこれらの誘導体が挙げられる。具体的には、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（略称Ａｌｑ3 ）、アントラセン、ナフタレン、フェナントレン、ピレン、アントラセン、ペリレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベン、またはこれらの誘導体が挙げられる。

以上、有機層１４を構成する上記の各層１４ａ〜１４ｄは、例えば真空蒸着法や、スピンコート法などの方法によって形成することができる。ただし、特に、発光層１４ｃに対して、発光層１４ｃでの発光スペクトルの制御を目的として、本発明のアントラセン誘導体の他に微量のゲスト材料を添加する場合には、発光層１４ｃの形成において他のゲスト材料の共蒸着を行う。

尚、有機層１４は、このような層構造に限定されることはなく、少なくとも発光層１４ｃと共に、陽極１３と発光層１４ｃとの間に、正孔輸送層１４ａまたは正孔注入層１４ｂを有する構成であれば、必要に応じた積層構造を選択することができる。

また、発光層１４ｃは、正孔輸送性の発光層、電子輸送性の発光層、あるいは両電荷輸送性の発光層として有機電界発光素子１１に設けられていても良い。さらに、以上の有機層１４を構成する各層、例えば正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、および電子輸送層１４ｄは、それぞれが複数層からなる積層構造であっても良い。

次に、このような構成の有機層１４上に設けられる陰極１５は、例えば、有機層１４側から順に第１層１５ａ、第２層１５ｂを積層させた２層構造で構成されている。

第１層１５ａは、仕事関数が小さく、かつ光透過性の良好な材料を用いて構成される。このような材料としては、例えばリチウム（Ｌｉ）の酸化物である酸化リチウム（Ｌｉ₂Ｏ）や、セシウム（Ｃｓ）の酸化物である酸化セシウム（Ｃｓ₂Ｏ）、さらにはこれらの酸化物の混合物を用いることができる。また、第１層１５ａは、このような材料に限定されることはなく、例えば、カルシウム（Ｃａ）、バリウム（Ｂａ）等のアルカリ土類金属、リチウム、セシウム等のアルカリ金属、さらにはインジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の仕事関数の小さい金属、さらにはこれらの金属の酸化物等を、単体でまたはこれらの金属および酸化物の混合物や合金として安定性を高めて使用しても良い。

第２層１５ｂは、例えば、ＭｇＡｇなどの光透過性を有する層を用いた薄膜により構成されている。この第２層１５ｂは、さらに、アルミキノリン錯体、スチリルアミン誘導体、フタロシアニン誘導体等の有機発光材料を含有した混合層であっても良い。この場合には、さらに第３層としてＭｇＡｇのような光透過性を有する層を別途有していてもよい。

以上の陰極１５を構成する各層は、真空蒸着法、スパッタリング法、更にはプラズマＣＶＤ法などの手法によって形成することができる。また、この有機電界発光素子１１を用いて構成される表示装置の駆動方式がアクティブマトリックス方式である場合、陰極１５は、有機層１４とここでの図示を省略した上述の絶縁膜とによって、陽極１３と絶縁された状態で基板１２上にベタ膜状に形成され、各画素の共通電極として用いられる。

尚、陰極１５は上記のような積層構造に限定されることはなく、作製されるデバイスの構造に応じて最適な組み合わせ、積層構造を取れば良いことは言うまでもない。例えば、上記実施形態の陰極１５の構成は、電極各層の機能分離、すなわち有機層１４への電子注入を促進させる無機層（第１層１５ａ）と、電極を司る無機層（第２層１５ｂ）とを分離した積層構造である。しかしながら、有機層１４への電子注入を促進させる無機層が、電極を司る無機層を兼ねても良く、これらの層を単層構造として構成しても良い。また、この単層構造上にＩＴＯなどの透明電極を形成した積層構造としても良い。

そして上記した構成の有機電界発光素子１１に印加する電流は、通常、直流であるが、パルス電流や交流を用いてもよい。電流値、電圧値は、素子が破壊されない範囲内であれば特に制限はないが、有機電界発光素子の消費電力や寿命を考慮すると、なるべく小さい電気エネルギーで効率良く発光させることが望ましい。

また、図１に示した有機電解発光素子１１においては、陽極１３にＩＴＯ等よりなる透明電極を用いることにより上下の両サイドから光を取り出す構成であっても良い。

また、この有機電界発光素子１１が、キャビティ構造となっている場合、有機層１４とと、透明材料あるいは半透明材料からなる電極層（本実施形態では陰極１５）との合計膜厚は、発光波長によって規定され、多重干渉の計算から導かれた値に設定されることになる。そして、ＴＦＴが形成された基板上に上面発光型の有機電界発光素子を設けた、いわゆるＴＡＣ（Top Emitting Adoptive Current drive ）構造では、このキャビティ構造を積極的に用いることにより、外部への光取り出し効率の改善や発光スペクトルの制御を行うことが可能である。

さらに、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機電界発光素子１１を備えた表示装置１においては、大気中の水分や酸素等による有機電界発光素子１１の劣化を防止するための封止膜を形成するなどの処置を施すことが好ましい。

また、ここでの図示は省略したが、このような構成の有機電界発光素子１１を備えた表示装置においては、この有機電界発光素子１１を青色発光素子とし、これと共に赤色発光素子および緑色発光素子を各画素に設け、これら画素をサブピクセルとして１画素を構成し、基板２上にこれらの画素を１組とした各画素を複数配列することで、フルカラー表示を行うものとしても良い。

以上説明した構成の有機電界発光素子１１によれば、一般式（１）を用いて説明したアントラセン誘導体を用いて有機層１４の発光層１４ｃを構成した。これにより、有機層１４の耐久性および安定性の向上を図ることが可能になると共に、アントラセン特有の高い蛍光性に基づく電界発光が得られる。この結果、有機電界発光素子１１における発光寿命の向上を図ることが可能になると共に、特に青色の発光において色純度の向上を図ることが可能になる。

そして、このような本発明の有機電界発光素子と共に、赤色発光素子および緑色発光素子を１組にして画素を構成することにより、色再現性の高いフルカラー表示が可能になる。

尚、以上の実施形態においては、本発明のアントラセン誘導体を発光層１４ｃ（電子輸送性の発光層、正孔輸送性の発光層、および両電荷輸送性の発光層を含む）の構成材料として用いることのみを説明した。しかしながら、本発明のアントラセン誘導体は、アントラセン誘導体の実施形態において述べたように耐久性に優れており、また、アミン化合物であるため電子輸送性および正孔輸送性を有していることからすれば、本発明のアントラセン誘導体を、発光層１４ｃ以外の層、例えば電子輸送層１４ｄや正孔輸送層１４ｂさらには正孔注入層１４ａ等を構成する材料として用いることもでき、これによってこれらの層における耐久性の向上を図ることが可能になる。

また、本発明の有機電界発光素子は、上面発光型、これを用いたＴＡＣ構造への適用に限定されるものではなく、陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する有機層を狭持してなる構成に広く適用可能である。したがって、基板側から順に、陰極、有機層、陽極を順次積層した構成のものや、基板側に位置する電極（陰極または陽極としての下部電極）を透明材料で構成し、基板と反対側に位置する電極（陰極または陽極としての上部電極）を反射材料で構成することによって、下部電極側からのみ光を取り出すようにした、いわゆる透過型の有機電界発光素子にも適用可能である。このような構成であっても、一般式（１）を用いて説明した有機発光材料を有機層に用いることにより、同様の効果を得ることが可能である。

さらに、本発明の有機電界発光素子とは、一対の電極（陽極と陰極）、およびその電極間に有機層が挟持されることによって形成される素子であれば良い。このため、一対の電極および有機層のみで構成されたものに限定されることはなく、本発明の効果を損なわない範囲で他の構成要素（例えば、無機化合物層や無機成分）が共存することを排除するものではない。

本発明のアントラセン誘導体の合成例、およびこのアントラセン誘導体を用いた本発明の有機電界発光素子の実施例について具体的に説明する。尚ここでは先ず、本発明の有機発光材料の合成例１〜３を説明し、次いでこれらの有機発光材料を用いた有機電界発光素子の作製手順の実施例１〜３，および比較例の有機電界発光素子の作製手順、さらにはこれらの評価結果を説明する。

＜アントラセン誘導体の合成例１＞
下記反応式１〜２に示される鈴木カップリング反応を繰り返して、表１-aの構造式（１）−１で示したアントラセン誘導体を得た。

先ず、上記反応式１を参照し、メカニカルスターラーを装着させた１０００ｍｌの三口フラスコを窒素で十分に置換した後に、溶媒として５００ｍｌのＤＭＳＯを加え、続いて４−ブロモトリフェニルアミン（３２ｇ、１００ｍｍｏｌ）、ビスピナコレートジボロン（３０ｇ、１２０ｍｍｏｌ）、酢酸カリウム（ＣＨ₃ＣＯＯＫ）（２０ｇ、２００ｍｍｏｌ）、およびテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム［Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄］（１．１６ｇ、１ｍｍｏｌ）を順次溶媒に加えた。攪拌しながら温度を９０℃まで昇温させ、定常状態になってから６時間反応させた。

反応終了後、溶媒のＤＭＳＯを真空条件下で蒸留にて除去、その後にトルエンで再溶解させ、水で洗浄した。続いてトルエン層側を硫酸ナトリウムで乾燥させた後に濃縮し、ヘキサン：トルエンの混合溶媒にてシリカカラムを通し、化合物（Ｃ１）を収率８３％で得た。

続いて、上記反応式２を参照し、メカニカルスターラーを装着させた５００ｍｌの三口フラスコを窒素で十分に置換した後に、１，５―ジブロモアントラセン（６．７ｇ、２０ｍｍｏｌ）、上記で合成した化合物（Ｃ１）（１５．５ｇ、４２ｍｍｏｌ）を順次加え、５０ｍｌのトルエンを注ぎいれた。攪拌しながら、２．０ｍｏｌ／リットルのＮａ₂ＣＯ₃水溶液を５０ｍｌ添加し、その混合溶液を窒素にて１０分間バブリングを行い溶液中の溶存酸素を十分に排気させた。続いて、パラジウム触媒成分としてテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム［Ｐｄ（ＰＰｈ₃）₄］（２３２ｍｇ、２００μｍｏｌ）を加えてから昇温を開始し還流温度（９０°）で１０時間反応させた。

反応終了後に室温まで冷却し、析出した固体をアセトンおよびエタノールで十分に洗浄し黄色固体９．９ｇ（収率７５％）を得た。得られた固体を¹Ｈ−ＮＭＲ、¹³Ｃ−ＮＭＲ、およびＦＤ−ＭＳにて測定した結果、目的物であるアントラセン誘導体［表１-aの構造式（１）−１］であることを確認した。

＜アントラセン誘導体の合成例２＞
下記反応式３に示される鈴木カップリング反応を経て表１-bの構造式（１）−１７で示したアントラセン化合物を得た。

先ず、上記反応式３を参照し、出発原料として４，４’−ジブロモトリフェニルアミンとフェニルボロン酸を用い、上記反応式２に準じた鈴木カップリングを行うことにより、構造式（１）−１７の側部に相当する化合物（Ｃ２）［Ｎ−（４ブロモフェニル）ーＮ−フェニルビフェニル−４−アミン］を得た。

続いて、合成例１の反応式１において４−ブロモトリフェニルアミンの代わりに反応式３で得られた化合物（Ｃ２）を用いて合成例１の反応式１と同様の手順を行い、化合物（Ｃ２）をボロン酸エステル化し、さらに反応式２に準じたカップリング反応を行うことにより、表１-bの構造式（１）−１７のアントラセン誘導体を得た。

＜アントラセン誘導体の合成例３＞
下記反応式４に示されるカップリング反応を経て表１-bの構造式（１）−１９で示したアントラセン化合物を得た。

先ず、反応式４を参照し、メカニカルスターラーを装着させた５００ｍｌの三口フラスコを窒素で十分に置換した後に、４−ヨードブロモベンゼン（５．６ｇ、２０ｍｍｏｌ）、Ｎ−（１−ナフチル）フェニルアミン（４．４ｇ，２０ｍｍｏｌ）、ナトリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド（１．９ｇ、２０ｍｍｏｌ）を１００ｍｌのトルエンに溶解させた。

その混合溶液を窒素にて１０分間バブリングを行い溶液中の溶存酸素を十分に排気させた。続いてパラジウム触媒成分として酢酸パラジウム（１００ｍｇ、４８０μｍｏｌ）を一括で加え、攪拌しながらトルエン２０ｍｌに溶解させたトリ（t-ブチルフォスフィン）（３８０ｍｇ、１．８ｍｍｏｌ）を滴下し、全量の投入が終了した後に昇温を開始して還流温度で３時間反応させた。

反応終了後に室温まで冷却し、有機層を水で５回洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させた。この溶液を濃縮させた後にヘキサン/トルエンの混合溶媒にてシリカカラムを通し、中間体である化合物（Ｃ３）［Ｎ−（４ブロモフェニル）−Ｎ−フェニルナフタレン−１−アミン］を収率７２％で得た。このこの化合物（Ｃ３）は、構造式（１）−１９の側部に相当する。

続いて，合成例１で示した反応式１において用いた４−ブロモトリフェニルアミンの代わりに、反応式４で得られた化合物（Ｃ３）を用いた他は、合成例１の反応式１と同様に行うことで化合物（Ｃ３）をボロン酸エステル化した。その後、合成例１で示した反応式２に準じたカップリング反応を行うことにより、表１-bの構造式（１）−１９に示すアントラセン誘導体を得た。

＜実施例１＞
合成例１によって得られたアントラセン［表１-aの構造式（１）−１］を用い、以下のようにして上面発光型の有機電界発光素子（図１参照）を作製した。

先ず、３０ｍｍ×３０ｍｍのガラス板からなる基板１２上に、陽極１３としてクロム（Ｃｒ）よりなる膜（膜厚約１００ｎｍ）を形成し、さらにここでの図示を省略した二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）を蒸着させることにより２ｍｍ×２ｍｍの発光領域以外を絶縁膜でマスクした有機電界発光素子用のセルを作製した。

次に、真空蒸着法により、有機層１４の正孔注入層１４ａとして、下記ｍ−ＭＴＤＡＴＡよりなる膜を３０ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）で形成した。ただし、ｍ−ＭＴＤＡＴＡは、4、4'、4”−トリス（フェニル−ｍ−トリルアミノ）トリフェニルアミンである。

次いで、正孔輸送層１４ｂとして、下記α−ＮＰＤよりなる膜を３０ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）で形成した。ただし、α−ＮＰＤは、Ｎ、Ｎ’−ビス（１−ナフチル）−Ｎ、Ｎ’−ジフェニル[１、１’-ビフェニル]−４、４’―ジアミンである。

このようにして形成された正孔注入層１４ａおよび正孔輸送層１４ｂ上に、有機発光層１４ｃとして、下記ＡＤＮと、合成例１で合成したアントラセン誘導体［構造式（１）−１］とを膜厚５０ｎｍで蒸着成膜した。ただし、ＡＤＮは、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）であり、ホスト材料として用いた。そして、このＡＤＮに、アントラセン誘導体［構造式（１）−１］をゲスト材料として相対膜厚比で４体積％ドーピングして発光層１４ｃとした。

次いで、電子輸送層１４ｄとして下記Ａｌｑ３を２０ｎｍの膜厚で蒸着成膜した。Ａｌｑ３は、８−ヒドロキシキノリンアルミニウムである。

以上のようにして、正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、および電子輸送層１４ｄを順次積層してなる有機層１４を形成した後、陰極１５の第１層１５ａとして、Ｌｉ₂Ｏよりなる膜を真空蒸着法により約０．３ｎｍ（蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃ．）の膜厚で形成した。最後に、真空蒸着法により、第１層１５ａ上に陰極１５の第２層１５ｂとして膜厚１０ｎｍのＭｇＡｇ膜を形成した。

こうして作製した有機電界発光素子を直流電圧駆動したところ、青色の発色を確認し、発光輝度は電圧４．５Ｖで６８０ｃｄ／ｍ²を示した。また、この発光輝度における外部量子収率は４．５％で，色純度は（０．１３，０．１１）となった．

＜実施例２＞
図１の発光層１４ｃのゲスト材料として、アントラセン誘導体［構造式（１）−１］の代わりに、合成例２で合成したアントラセン誘導体［構造式（１）−１７］を用いた以外は、実施例１と全く同様に有機電界発光素子を作製し、同様の評価を行った。

下記表２には、発光層１４ｃのゲスト材料と、その評価結果を合わせて示した。尚、ゲスト材料の構造式番号は、表１-a、表１-bに準じる。

＜比較例１、２＞
図１の発光層１４ｃのゲスト材料として、比較例１では非特許文献２に示されたアントラセン誘導体（Ｄ−１）を用い、また比較例２では特許文献２に示されたアントラセン誘導体（Ｄ−２）を用いたほかは、実施例１と全く同様に有機電界発光素子を作製し、同様の評価を行った。尚、上記表２には、評価結果も合わせて示した。

＜実施例３＞
次のようにして、基板側から発光光を取り出す透過型の有機電界発光素子を作製した。

真空蒸着装置中に、１００ｎｍの厚さのＩＴＯからなる陽極１３が一表面に形成された３０ｍｍ×３０ｍｍのガラスからなる基板１２をセッティングした。

蒸着マスクとして、複数の２．０ｍｍ×２．０ｍｍの単位開口を有する金属マスクを基板１２の陽極１３側に近接して配置し、真空蒸着法により、有機層１４の正孔注入層１４ａとして、上記ｍ−ＭＴＤＡＴＡよりなる膜を３０ｎｍの膜厚で形成した。次いで、正孔輸送層１４ｂとして、上記α−ＮＰＤよりなる膜を３５ｎｍの膜厚（蒸着速度０．２〜０．４ｎｍ／ｓｅｃ）で形成した。

このようにして形成された正孔注入層１４ａおよび正孔輸送層１４ｂ上に、有機発光層１４ｃとして、下記ＤＴＢＡＤＮと、合成例３で合成したアントラセン誘導体［構造式（１）−１９］とを膜厚４０ｎｍで蒸着成膜した。ただし、ＤＴＢＡＤＮは、２，６−ジーtertブチルー９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセンであり、ホスト材料として用いた。そして、このＤＴＢＡＤＮに、アントラセン誘導体［構造式（１）−１９］をゲスト材料として相対膜厚比で２.５体積％ドーピングして発光層１４ｃとした。

次いで、電子輸送層１４ｄとして、上記Ａｌｑ３を２０ｎｍの膜厚で蒸着した。

以上のようにして、正孔注入層１４ａ、正孔輸送層１４ｂ、発光層１４ｃ、および電子輸送層１４ｄを順次積層してなる有機層１４を形成した後、陰極１５の第１層１５ａとして、ＬｉＦよりなる膜を真空蒸着法により約０．３ｎｍ（蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃ．）の膜厚で形成した。最後に、真空蒸着法により、第２層１５ａ上に陰極１５の第２層１５ｂとして膜厚７０ｎｍのＭｇＡｇ膜を形成した。

こうして作製した有機電界発光素子を直流電圧駆動したところ、青色の発色を確認し、発光輝度は電圧６．８Ｖで１４７０ｃｄ／ｍ²で、電流効率は６．１ｃｄ／Ａであった。また、この発光輝度における外部量子効率は３．８％であり、色座標は（０．１４、０．２２）であった。

尚、この結果を、合わせて表２に示した。

以上の表２に示した結果から、本発明のアントラセン誘導体を、発光層１４ｃのゲスト材料として用いた実施例１，２では、従来の公知材料であるアントラセン誘導体（Ｄ−１），（Ｄ−２）を発光層１４ｃのゲスト材料に用いた比較例１，２と比べると、色座標（特にＹ値）に優れ、色純度が改善されている。

比較例１，２で用いた公知材料は緑色の発光となるため、青色発光よりも発光輝度は高くなることは自明ながら、発光色に依存しない電子注入に対する光子の生成率を規定する外部量子収率の指標を用いて比較すると、実施例１，２の外部量子効率が高く維持されることが確認できた。

そして、実施例３について測定した結果からは、有機電界発光素子として陽極としてＩＴＯを用いた透過型を構成した場合においても、本発明のアントラセン誘導体を発光層１４ｃのゲスト材料として用いることで、同様の効果が得られることが確認された。

また以上の結果、本発明のアントラセン誘導体を用いた青色有機電界発光素子と共に、緑色有機電界発光素子と赤色有機電界発光素子を１組にして画素を構成することにより、色再現性の高いフルカラー表示が可能になることが確認された。

本発明の有機電界発光素子の一例を説明するための断面構成図である。

符号の説明

１３…陽極、１４…有機層、１４ｂ…正孔輸送層、１４ｃ…発光層、１４ｄ…電子輸送層、１５…陰極

Claims (9)

1. 下記一般式（１）で示されるアントラセン誘導体。
   

   

   ［ただし、一般式（１）中において、
   Ａ¹〜Ａ⁸は、それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、シアノ基、ニトロ基、または炭素数３０以下の置換あるいは無置換のシリル基を表し、
   ＸおよびＹは、それぞれ独立に、置換基を有する炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリーレン基、または炭素数３０以下の置換あるいは無置換の２価複素環基を表し、
   Ａｒ¹〜Ａｒ⁴は、それぞれ独立に、置換基を有する炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、もしくは炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基を表し、Ａｒ¹とＡｒ²、Ａｒ³とＡｒ⁴とは、互いに連結して環を形成していても良い。］
2. 請求項１記載のアントラセン誘導体において、
   前記一般式（１）中のＸとＹとが同一である
   ことを特徴とするアントラセン誘導体。
3. 請求項２記載のアントラセン誘導体において、
   前記一般式（１）中のＸおよびＹが、フェニル核、ビフェニル核、またはナフチル核を有する
   ことを特徴とするアントラセン誘導体。
4. 請求項１記載のアントラセン誘導体において、
   前記一般式（１）中、Ａｒ¹とＡｒ³とが同一であり、Ａｒ²とＡｒ⁴とが同一である
   ことを特徴とするアントラセン誘導体。
5. 陽極と陰極との間に少なくとも発光層を有する有機層を狭持してなる有機電界発光素子において、
   前記有機層が、請求項１〜４の何れか１項に記載のアントラセン誘導体を用いて構成されている
   ことを特徴とする有機電界発光素子。
6. 請求項５記載の有機電界発光素子において、
   前記アントラセン誘導体は、前記発光層を構成する材料として用いられている
   ことを特徴とする有機電界発光素子。
7. 請求項６記載の有機電界発光素子において、
   前記発光層は、前記一般式（１）で示される前記アントラセン誘導体の少なくとも一種類をゲスト材料として含有している
   ことを特徴とする有機電界発光素子。
8. 陽極と陰極の間に少なくとも発光層を挟持してなる有機電界発光素子を、基板上に複数配列形成してなる表示装置において、
   前記有機電界発光素子として、前記請求項５〜７の何れか１項に記載の有機電界発光素子が少なくとも１つ用いられている
   ことを特徴とする表示装置。
9. 請求項８記載の表示装置において、
   前記請求項５〜７の何れか１項に記載の有機電界発光素子が、青色発光素子として複数の画素のうちの一部の画素に設けられている
   ことを特徴とする表示装置。
   
   

Images