JP2006195035A - 液晶表示方法及び液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】液晶表示パネルに使用される光源が最大輝度から最少輝度の範囲を広くとることができ、又、片点きのない広範囲の輝度調整を行うことができる液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 液晶表示装置は、液晶表示パネルに光を照射する冷陰極管と、前記冷陰極管を点灯させるための自励式プッシュプル回路と、前記自励式プッシュプル回路に対して、前記冷陰極管に高圧交流電圧を印加する信号を生成するゲートバイアス電圧供給回路と、前記ゲートバイアス電圧供給回路にＯＮデューテイの信号を提供するＰＷＭ制御手段と、を具備した液晶表示装置であって、前記冷陰極管は複数の冷陰極管からなり、該複数の冷陰極管のそれぞれに前記自励式プッシュプル回路、前記ゲートバイアス電圧供給回路、前記ＰＷＭ制御手段を備え、該それぞれのＰＷＭ制御手段に対して、冷陰極管が放電するための信号を提供する調光用コントローラを備えたことである。
【選択図】 図１
【解決手段】 液晶表示装置は、液晶表示パネルに光を照射する冷陰極管と、前記冷陰極管を点灯させるための自励式プッシュプル回路と、前記自励式プッシュプル回路に対して、前記冷陰極管に高圧交流電圧を印加する信号を生成するゲートバイアス電圧供給回路と、前記ゲートバイアス電圧供給回路にＯＮデューテイの信号を提供するＰＷＭ制御手段と、を具備した液晶表示装置であって、前記冷陰極管は複数の冷陰極管からなり、該複数の冷陰極管のそれぞれに前記自励式プッシュプル回路、前記ゲートバイアス電圧供給回路、前記ＰＷＭ制御手段を備え、該それぞれのＰＷＭ制御手段に対して、冷陰極管が放電するための信号を提供する調光用コントローラを備えたことである。
【選択図】 図１
Description
本発明は、液晶表示方法及び液晶表示装置に関するもので、詳しくはバックライトを用いた液晶表示装置において、液晶表示におけるバックライト部分に改良を加えて広範囲の調整ができるようにした液晶表示装置に関する。
従来技術における第１の例の液晶表示装置は、バックライトにおけるエッジライト方式であり、それは図６に示すように、冷陰極管１１及び冷陰極管点灯装置１２で構成されるバックライトユニット１３と、このバックライトユニット１３を光源とする液晶表示パネル１４と、冷陰極管点灯装置１２の動作制御を行うＰＷＭ制御回路１５とを備えて構成されている。
液晶表示パネル１４は、図７に示すように、バックライトとしての冷陰極管１１と、冷陰極管１１の光を導光板方向に反射させるレフレクター１６と、一方側から冷陰極管１１の光を入射する導光板１７と、この導光板１７の下部位置及び冷陰極管１１から入射する導光方向と反対方向の位置に設けた導光板１７を伝搬する光を上方向に反射させる反射シート１８、１９と、導光板１７の上部位置に設けた導光板１７からの光を拡散させるための拡散シート２０と、拡散シート２０上に配置された液晶面２１とからなる。
このような構成のバックライトによる光は、先ず冷陰極管１１から発射された光がリフレクター１６により集光されて導光板１７に入射される。導光板１７に入射された光は、反射シート１８，１９により図において上部方向に反射される。この反射された光は、拡散シート２０により均一な光にされて液晶面２１に入射する。
このような構成のバックライトによる光は、先ず冷陰極管１１から発射された光がリフレクター１６により集光されて導光板１７に入射される。導光板１７に入射された光は、反射シート１８，１９により図において上部方向に反射される。この反射された光は、拡散シート２０により均一な光にされて液晶面２１に入射する。
ＰＷＭ制御回路１５は、パルス幅変調によるＯＮデューテイ制御する調光方式で冷陰極管１１の輝度を調整可能にするものであり、調光用の制御パルス信号Ｓｃｎｔを生成して冷陰極管点灯装置１２に出力する。
冷陰極管点灯装置１２は、冷陰極管１１に接続され、ＯＮデューテイのローレベルの制御パルス信号ＳｃｎｔをＰＷＭ制御回路１５から入力したときに直流電源Ｅによって供給される直流電圧ＶＡは抵抗Ｒ１、ＲＶ１により分圧されトランスＴ１の帰還巻線ＮＢの中点ＣＴよりＦＥＴ（Ｑ２、Ｑ３）のゲート電圧をバイアスし自励式プッシュプル回路２２が発振を行い、高圧交流電圧に変換し、変換した高圧交流電圧を冷陰極管１１に供給して点灯させるものである。
具体的な構成としての冷陰極管点灯装置１２は、トランスＴ１、インダクタＬ１、コンデンサＣ１、Ｃ２、及び一対のｎチャネルＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑ２、Ｑ３を含んで構成される自励式プッシュプル回路２２と、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、ゲートバイアス電圧供給回路２３とを備えて構成されている。
具体的な構成としての冷陰極管点灯装置１２は、トランスＴ１、インダクタＬ１、コンデンサＣ１、Ｃ２、及び一対のｎチャネルＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑ２、Ｑ３を含んで構成される自励式プッシュプル回路２２と、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、ゲートバイアス電圧供給回路２３とを備えて構成されている。
自励式プッシュプル回路２２を構成するトランスＴ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎ１、二次巻線Ｎ２及び帰還巻線ＮＢを備えており、二次巻線Ｎ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣ２の一端に接続されている。コンデンサＣ２は、その他端が冷陰極管１１に接続されている。インダクタＬ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴ１における一次巻線Ｎ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３は、各ドレインが一次巻線Ｎ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の自励式プッシュプル回路２２の発振周波数は、主としてトランスＴ１の一次巻線Ｎ１に並列接続されたコンデンサＣ１と、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスとで定まる。
このような回路構成にした場合の自励式プッシュプル回路２２の発振周波数は、主としてトランスＴ１の一次巻線Ｎ１に並列接続されたコンデンサＣ１と、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスとで定まる。
ゲートバイアス電圧供給回路２３は、自励式プッシュプル回路２２のスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３に帰還巻線ＮＢを介してゲートバイアス電圧を供給すると共に入力された制御パルス信号Ｓｃｎｔに従って冷陰極管１１の輝度を調整する機能を有し、抵抗Ｒ２を介して接続されているスイッチング素子Ｑ１と、その出力端が抵抗Ｒ１とバリアブル抵抗ＲＶ１とで分電圧された点に接続され、且つその出力端がトランスＴ１の帰還巻線ＮＢの中間タップＣＴに接続されている。
このような構成の冷陰極管点灯装置１２の動作について説明すると、先ず、制御パルス信号Ｓｃｎｔがローレベルに制御されたときに、スイッチング素子Ｑ１がＯＦＦ状態に移行する。すると、抵抗Ｒ１とバリアブル抵抗ＲＶ１で分電圧された電圧が発生し、その分電圧が帰還巻線ＮＢの中点ＣＴを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートにバイアス電圧がかかり、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のどちらか一方がＯＮする。スイッチング素子Ｑ２あるいはＱ３がＯＮすると、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスおよびコンデンサＣ１より共振が開始する。
自励式プッシュプル回路２２が一旦起動した状態では、スイッチング素子Ｑ１のＯＦＦに基づく帰還巻線ＮＢを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートに供給されるバイアス電圧と、帰還巻線ＮＢを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートに正帰還される電圧とにより自励式プッシュプル回路２２が自励発振を継続し、これにより二次巻線Ｎ２に高圧交流電圧が誘起される。従って、冷陰極管１１は誘起した高圧交流電圧を入力して点灯できる。
このようにして、冷陰極管１１の調光については、ＰＷＭ制御によりスイッチング素子Ｑ１のＯＮ／ＯＦＦのデューテイー比により、自励式プッシュプル回路２２の発振動作をＯＮ／ＯＦＦし調光を行っている。
次に、従来技術における第２の例の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
第２の例の液晶表示装置は、所謂、調光用ディーマー装置を用いてＰＷＭ制御装置から出力される制御パルス信号Ｓｃｎｔを制御することでバックライトである冷陰極管に供給される高圧交流電圧を制御するというものであり、それは図８に示すように、冷陰極管１１及び冷陰極管点灯装置１２で構成されるバックライトユニット１３と、このバックライトユニット１３の冷陰極管１１を光源とする液晶表示パネル１４と、冷陰極管点灯装置１２の動作制御を行うＰＷＭ制御装置１５Ｘと、ＰＷＭ制御装置１５Ｘからの制御パルス信号Ｓｃｎｔを制御する調光用ディーマー装置２４とを備えて構成されている。
液晶表示パネル１４は、第１の例で説明した図７に示すものと同様であるので、その説明は省略する。
ＰＷＭ制御装置１５Ｘは、パルス幅変調によるＯＮデューテイ制御する調光方式で冷陰極管１１の輝度を調整可能にするものであり、調光用の制御パルス信号Ｓｃｎｔを生成して冷陰極管点灯装置１２に出力する。
調光用ディーマー装置２４は、調光するためのＯＮする時間をコントロールするものであり、ＰＷＭ制御装置１５Ｘから出力する制御パルス信号ＳｃｎｔのＯＮ時間の幅を制御する。このＯＮ時間の幅は、ディーマーの値と１対１に対応した構成になっている。
冷陰極管点灯装置１２は、冷陰極管１１に接続され、ローレベルの制御パルス信号ＳｃｎｔをＰＷＭ制御装置１５Ａから入力したときに直流電源Ｅによって供給される直流電圧ＶＡを分圧してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３にバイアス電圧がかかり、発振を開始しトランスＴ１の巻線比によって二次巻線側に高圧交流電圧が発生し、変換した高圧交流電圧を冷陰極管１１に供給して点灯させるものである。
具体的な構成としての冷陰極管点灯装置１２は、トランスＴ１、インダクタＬ１、コンデンサＣ１、Ｃ２および一対のｎチャネル型のＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑ２、Ｑ３を含んで構成される自励式プッシュプル回路２２と、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、ゲートバイアス電圧供給回路２３とを備えて構成されている。
自励式プッシュプル回路２２を構成するトランスＴ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎ１、二次巻線Ｎ２及び帰還巻線ＮＢを備えており、二次巻線Ｎ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣ２の一端に接続されている。コンデンサＣ２は、その他端が冷陰極管１１に接続されている。インダクタＬ１は、直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴ１における一次巻線Ｎ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３は、各ドレインが一次巻線Ｎ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の自励式プッシュプル回路２２の発振周波数は、主としてトランスＴ１の一次巻線Ｎ１に並列接続されたコンデンサＣ１と、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスとで定まる。
具体的な構成としての冷陰極管点灯装置１２は、トランスＴ１、インダクタＬ１、コンデンサＣ１、Ｃ２および一対のｎチャネル型のＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑ２、Ｑ３を含んで構成される自励式プッシュプル回路２２と、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、ゲートバイアス電圧供給回路２３とを備えて構成されている。
自励式プッシュプル回路２２を構成するトランスＴ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎ１、二次巻線Ｎ２及び帰還巻線ＮＢを備えており、二次巻線Ｎ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣ２の一端に接続されている。コンデンサＣ２は、その他端が冷陰極管１１に接続されている。インダクタＬ１は、直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴ１における一次巻線Ｎ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３は、各ドレインが一次巻線Ｎ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の自励式プッシュプル回路２２の発振周波数は、主としてトランスＴ１の一次巻線Ｎ１に並列接続されたコンデンサＣ１と、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスとで定まる。
ゲートバイアス電圧供給回路２３は、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３にゲートバイアス電圧を供給すると共に入力された制御パルス信号Ｓｃｎｔに従って冷陰極管１１の輝度を調整する機能を有し、抵抗Ｒ２を介して接続されているスイッチング素子Ｑ１と、その出力端が抵抗Ｒ１とバリアブル抵抗ＲＶ１とで分電圧された点に接続され、且つその出力端がトランスＴ１の帰還巻線ＮＢの中間タップＣＴに接続されている。
このような構成の冷陰極管点灯装置１２の動作について説明すると、先ず、調光用ディーマー装置２４から調光するためのＯＮ時間の幅を設定する信号がＰＷＭ制御装置１５Ａに送られ、この信号を受信したＰＷＭ制御装置１５ＸはＯＮ時間の幅を設定する信号に合わせた制御パルス信号Ｓｃｎｔをローレベルに制御する。この制御パルス信号Ｓｃｎｔがローレベルに制御されたときに、スイッチング素子Ｑ１がＯＦＦ状態に移行する。すると、抵抗Ｒ１とバリアブル抵抗ＲＶ１で分電圧された電圧が発生し、その発生した分電圧が帰還巻線ＮＢを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲート電圧にバイアス電圧がかかり、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３をＯＮさせる。スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３がＯＮすると一次巻線Ｎ１に直流電源Ｅからの電圧が供給され、二次巻線Ｎ２が励磁することで発振を開始する。ここでスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく自励式プッシュプル回路２２が不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
自励式プッシュプル回路２２が一旦起動した状態では、スイッチング素子Ｑ１のＯＦＦにより発生するバイアス電圧が帰還巻線ＮＢを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートに供給されるバイアス電圧と、帰還巻線ＮＢを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートに正帰還される電圧とにより自励式プッシュプル回路２２が自励発振を継続し、これにより二次巻線Ｎ２に高圧交流電圧が誘起される。従って、冷陰極管１１は誘起した高圧交流電圧を入力して点灯できる。
このようにして、冷陰極管１１の調光については、調光用ディーマー装置２４の制御によりＰＷＭ制御装置１５Ｘからの制御パルス信号Ｓｃｎｔのローレベルとなる時間によりスイッチング素子Ｑ１のＯＮ／ＯＦＦのデューテイー比を設定することで、自励式プッシュプル回路２２の発振動作をＯＮ／ＯＦＦし調光を行っている。
特開２００２−３１３５９５号公報（第５頁〜第６頁 第１図）
しかし、従来技術で説明した第１の例のバックライトにおけるエッジライト方式において、１つ構成による冷陰極管のバックライトにおいて輝度調整範囲を広げること、つまり、調光比（最大輝度／最少輝度）を上げることについては、冷陰極管自身の最大輝度能力及び最少輝度での安定点灯に限界があり、広範囲な輝度調整を行うことができないという問題がある。
又、第２の例で示した液晶表示装置において、バックライトとして用いられる冷陰極管は、以下の発光原理により点灯する。
冷陰極管には、不活性ガスと微量の水銀が封入されており、ガラス管内壁には蛍光体が塗布されている。管面端の電極間に高電圧を印加することにより放電が開始され、水銀が電子や封入ガスの原子との衝突により励起される紫外線を発生させる。この紫外線が発光体を励起し、可視光域に変換されることにより点灯する。
内部に水銀を用いるため温度による輝度の特性は、以下に示すように輝度の変化がある。
管面温度が６０℃〜７０℃で輝度がピークとなる。低温側では管内の水銀蒸気圧が大幅に減少し、紫外線出力が低下するため輝度が低下する。
このような冷陰極管の特性により、例えば、最大輝度表示から最少輝度表示に調光を行ったとき、最大輝度状態のときランプの管面温度が高くなっているため、ＰＷＭ調光制御によりＯＮ時間を最少にした場合でも所望とする低輝度まで瞬時に調整することができないという問題がある。
最少のディマー値に対するＯＮ時間をもっと早く設定すればよいと考えられるが、管面温度が低い場合に最少のディマー値にすると、ランプの点灯が片点きとなり液晶表示面の輝度均一性が悪くなってしまうという問題もある。
冷陰極管には、不活性ガスと微量の水銀が封入されており、ガラス管内壁には蛍光体が塗布されている。管面端の電極間に高電圧を印加することにより放電が開始され、水銀が電子や封入ガスの原子との衝突により励起される紫外線を発生させる。この紫外線が発光体を励起し、可視光域に変換されることにより点灯する。
内部に水銀を用いるため温度による輝度の特性は、以下に示すように輝度の変化がある。
管面温度が６０℃〜７０℃で輝度がピークとなる。低温側では管内の水銀蒸気圧が大幅に減少し、紫外線出力が低下するため輝度が低下する。
このような冷陰極管の特性により、例えば、最大輝度表示から最少輝度表示に調光を行ったとき、最大輝度状態のときランプの管面温度が高くなっているため、ＰＷＭ調光制御によりＯＮ時間を最少にした場合でも所望とする低輝度まで瞬時に調整することができないという問題がある。
最少のディマー値に対するＯＮ時間をもっと早く設定すればよいと考えられるが、管面温度が低い場合に最少のディマー値にすると、ランプの点灯が片点きとなり液晶表示面の輝度均一性が悪くなってしまうという問題もある。
例えば、航空機用液晶表示装置のバックライトは、夜の真っ暗な状態から日中の直接太陽光があたっている状態までの幅を持つ照明条件下にあり、このような条件下においてもパイロットに見えるように広範囲に調整できる照明にしなければならない。又、機器の環境温度７１℃にいても所望の輝度に調整が速やかに行えるようにしなければならない。
このような要望に答えるためには、バックライトの照明が広範囲に調整できる、つまり、表示面輝度の調光比（最大輝度／最少輝度）を上げることができる手法に解決しなければならない課題を有する。
このような要望に答えるためには、バックライトの照明が広範囲に調整できる、つまり、表示面輝度の調光比（最大輝度／最少輝度）を上げることができる手法に解決しなければならない課題を有する。
上記課題を解決するために、本願発明の液晶表示方法及び液晶表示装置は、次に示す構成にしたことである。
（１）液晶表示方法は、液晶表示パネルのバックライトを複数の冷陰極管で設定し、該複数の冷陰極管のそれぞれを個々にデューテイ制御して最少輝度と最大輝度の輝度調整を行うようにしたことである。
（２）前記複数の冷陰極管が２つの冷陰極管である場合に、両方の冷陰極管をＯＮデューテイ制御したときが最大輝度とし、次に、何れか一方の冷陰極管のＯＮデューテイを少なくして輝度を調整し、次に、該一方の冷陰極管をＯＦＦにして、他方の冷陰極管のＯＮデューテイを最小限に少なくしたときが最少輝度であるように輝度調整する（１）に記載の液晶表示方法。
（２）前記複数の冷陰極管が２つの冷陰極管である場合に、両方の冷陰極管をＯＮデューテイ制御したときが最大輝度とし、次に、何れか一方の冷陰極管のＯＮデューテイを少なくして輝度を調整し、次に、該一方の冷陰極管をＯＦＦにして、他方の冷陰極管のＯＮデューテイを最小限に少なくしたときが最少輝度であるように輝度調整する（１）に記載の液晶表示方法。
（３）液晶表示装置は、液晶表示パネルに光を照射する冷陰極管と、前記冷陰極管を点灯させるための自励式プッシュプル回路と,前記自励式プッシュプル回路に対して、前記冷陰極管に高圧交流電圧を印加する信号を生成するゲートバイアス電圧供給回路と、前記ゲートバイアス電圧供給回路にＯＮデューテイの信号を提供するＰＷＭ制御手段と、を具備した液晶表示装置であって、前記冷陰極管は複数の冷陰極管からなり、該複数の冷陰極管のそれぞれに前記自励式プッシュプル回路、前記ゲートバイアス電圧供給回路、前記ＰＷＭ制御手段を備え、該それぞれのＰＷＭ制御手段に対して、冷陰極管が放電するための信号を提供する調光用コントローラを備えたことである。
（４）前記複数の冷陰極管が２つの冷陰極管である場合に、前記調光コントローラは２つの冷陰極管を制御するそれぞれのＰＷＭ制御手段がＯＮデューテイの信号を出力して最大輝度となるようにし、次に、何れか一方の冷陰極管のＰＷＭ制御手段に対してＯＮデューテイを少なくして輝度を調整し、次に、該一方の冷陰極管のＰＷＭ制御手段をＯＦＦにして、他方の冷陰極管のＰＷＭ制御手段をＯＮデューテイ制御して最少輝度となるように制御することを特徴とする（３）に記載の液晶表示装置。
（５）液晶表示装置は、液晶表示パネルに光を照射する冷陰極管と、前記冷陰極管を点灯させるための自励式プッシュプル回路と、前記自励式プッシュプル回路に対して、前記冷陰極管に高圧交流電圧を印加する信号を生成するゲートバイアス電圧供給回路と、前記ゲートバイアス電圧供給回路にＯＮデューテイの信号を提供するＰＷＭ制御手段と、を具備した液晶表示装置であって、前記ＰＷＭ制御手段は、前記冷陰極管に設定した内光センサからの輝度データに基づいてＯＮデューテイの信号を制御するようにしたことである。
（６）前記（３）に記載の液晶表示装置は、更に、冷陰極管の温度を計測するサーミスタを備え、該サーミスタからの温度データに基づいて、冷陰極管を冷却するファンを制御する制御手段を備えたことである。
（４）前記複数の冷陰極管が２つの冷陰極管である場合に、前記調光コントローラは２つの冷陰極管を制御するそれぞれのＰＷＭ制御手段がＯＮデューテイの信号を出力して最大輝度となるようにし、次に、何れか一方の冷陰極管のＰＷＭ制御手段に対してＯＮデューテイを少なくして輝度を調整し、次に、該一方の冷陰極管のＰＷＭ制御手段をＯＦＦにして、他方の冷陰極管のＰＷＭ制御手段をＯＮデューテイ制御して最少輝度となるように制御することを特徴とする（３）に記載の液晶表示装置。
（５）液晶表示装置は、液晶表示パネルに光を照射する冷陰極管と、前記冷陰極管を点灯させるための自励式プッシュプル回路と、前記自励式プッシュプル回路に対して、前記冷陰極管に高圧交流電圧を印加する信号を生成するゲートバイアス電圧供給回路と、前記ゲートバイアス電圧供給回路にＯＮデューテイの信号を提供するＰＷＭ制御手段と、を具備した液晶表示装置であって、前記ＰＷＭ制御手段は、前記冷陰極管に設定した内光センサからの輝度データに基づいてＯＮデューテイの信号を制御するようにしたことである。
（６）前記（３）に記載の液晶表示装置は、更に、冷陰極管の温度を計測するサーミスタを備え、該サーミスタからの温度データに基づいて、冷陰極管を冷却するファンを制御する制御手段を備えたことである。
本発明の液晶表示装置、例えば、航空機用液晶表示装置のバックライトは、夜の真っ暗な状態から日中の直接太陽光があたっている状態までの幅を持つ照明条件下にあり、このような条件下においてもパイロットに見えるようにしたもので、そのバックライトの構成は、航空機液晶表示装置において、照明が広範囲に調節できるようにしたものであり、詳しくは、ランプ単体での調光比を使用ランプ系の個数回乗算した範囲の調光比を得られることができる。
又、例えば、航空機用液晶表示装置のバックライトは、夜の真っ暗な状態から日中の直接太陽光があたっている状態までの幅を持つこのような照明条件下においても、又、環境温度が７１℃の環境下においても、速やかに片点きすることなく広範囲の輝度調整を行うことができる。
又、例えば、航空機用液晶表示装置のバックライトは、夜の真っ暗な状態から日中の直接太陽光があたっている状態までの幅を持つこのような照明条件下においても、又、環境温度が７１℃の環境下においても、速やかに片点きすることなく広範囲の輝度調整を行うことができる。
以下、本発明の液晶表示装置の実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。尚、従来技術で説明したものと同一のもには同一符号を付与して説明する。
本発明の第１実施例の液晶表示装置は、従来の冷陰極管が１つであるのに対して、２つの冷陰極管を使用し、その２つの冷陰極管のそれぞれに冷陰極管点灯装置及びＰＷＭ制御回路を備え、全体を調光コントローラで制御するようにしたものであり、それは図１に示すように、第１冷陰極管点灯 装置１２Ａ及び第１冷陰極管１１Ａで構成される第１バックライトユニット１３Ａと、第２冷陰極管点灯装置１２Ｂ及び第２冷陰極管１１Ｂで構成される第２バックライトユニット１３Ｂと、この第１及び第２バックライトユニット１３Ａ、１３Ｂを光源とする液晶表示パネル１４Ａと、第１バックライトユニット１３Ａの動作制御を行う第１ＰＷＭ制御回路１５Ａと、第２バックライトユニット１３Ｂの動作制御を行う第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂと、第１及び第２ＰＷＭ制御回路１５Ａ、１５Ｂを制御する調光コントローラ２５とを備えて構成されている。
液晶表示パネル１４Ａは、図２に示すように、バックライトとしての２つの第１及び第２冷陰極管１１Ａ、１１Ｂと、２つの第１及び第２冷陰極管１１Ａ、１１Ｂの光を導光板１７方向に反射させるレフレクター１６と、一方側から２つの第１及び第２冷陰極管１１Ａ、１１Ｂの光を入射する導光板１７と、この導光板１７の下部位置及び２つの第１及び第２冷陰極管１１Ａ、１１Ｂから入射する導光方向と反対方向の位置に設けた導光板１７を伝搬する光を上方向に反射させる反射シート１８と、導光板１７の上部位置に設けた導光板１７からの光を拡散させるための拡散シート２０と、拡散シート２０上に配置された液晶面２１とからなる。
このような構成のバックライトによる光は、先ず２つの第１及び第２冷陰極管１１Ａ、１１Ｂから発射された光がリフレクター１６により集光されて導光板１７に入射される。導光板１７に入射された光は、反射シート１８により図において上部方向に反射される。この反射された光は、拡散シート２０により均一な光にされて液晶面２１に入射する。
このような構成のバックライトによる光は、先ず２つの第１及び第２冷陰極管１１Ａ、１１Ｂから発射された光がリフレクター１６により集光されて導光板１７に入射される。導光板１７に入射された光は、反射シート１８により図において上部方向に反射される。この反射された光は、拡散シート２０により均一な光にされて液晶面２１に入射する。
図１に示す第１ＰＷＭ制御回路１５Ａは、パルス幅変調によるＯＮデューテイ制御する調光方式で第１冷陰極管１１Ａの輝度を調整可能にするものであり、調光コントローラ２５からの制御信号Ｓ１に基づいて、調光用の第１制御パルス信号Ｓｃｎｔ１を生成して第１冷陰極管点灯装置１２Ａに出力する。
第１冷陰極管点灯装置１２Ａは、第１冷陰極管１１Ａに接続され、ローレベルの第１制御パルス信号Ｓｃｎｔ１を第１ＰＷＭ制御回路１５Ａから入力したときに直流電源Ｅによって供給される直流電圧ＶＡを抵抗Ｒｘ１、ＶＲｘ１により分圧し、発生した分電圧は帰還巻線ＮｘＢの中間タップＣＴを介してスイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のゲートにバイアス電圧がかかり、発振が開始されてトランスＴｘ１の巻線比により高圧交流電圧に変換し、変換した高圧交流電圧を第１冷陰極管１１Ａに供給して点灯させるものである。
具体的な構成としての第１冷陰極管点灯装置１２Ａは、トランスＴｘ１、インダクタＬｘ１、コンデンサＣｘ１、Ｃｘ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑｘ２、Ｑｘ３を含んで構成される第１自励式プッシュプル回路２２Ａと、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、第１ゲートバイアス電圧供給回路２３Ａとを備えて構成されている。
具体的な構成としての第１冷陰極管点灯装置１２Ａは、トランスＴｘ１、インダクタＬｘ１、コンデンサＣｘ１、Ｃｘ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑｘ２、Ｑｘ３を含んで構成される第１自励式プッシュプル回路２２Ａと、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、第１ゲートバイアス電圧供給回路２３Ａとを備えて構成されている。
第１自励式プッシュプル回路２２Ａを構成するトランスＴｘ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎｘ１、二次巻線Ｎｘ２及び帰還巻線ＮｘＢを備えており、二次巻線Ｎｘ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣｘ２の一端に接続されている。コンデンサＣｘ２は、その他端が第１冷陰極管１１Ａに接続されている。インダクタＬｘ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴｘ１における一次巻線Ｎｘ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３は、各ドレインが一次巻線Ｎｘ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮｘＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の第１自励式プッシュプル回路２２Ａの発振周波数は、主としてトランスＴｘ１の一次巻線Ｎｘ１に並列接続されたコンデンサＣｘ１と、トランスＴｘ１の一次巻線Ｎｘ１のインダクタンスとで定まる。
このような回路構成にした場合の第１自励式プッシュプル回路２２Ａの発振周波数は、主としてトランスＴｘ１の一次巻線Ｎｘ１に並列接続されたコンデンサＣｘ１と、トランスＴｘ１の一次巻線Ｎｘ１のインダクタンスとで定まる。
第１ゲートバイアス電圧供給回路２３Ａは、スイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のゲートにバイアス電圧を供給すると共に入力された第１制御パルス信号Ｓｃｎｔ１に従って第１冷陰極管１１Ａの輝度を調整する機能を有し、抵抗Ｒｘ２を介して接続されているスイッチング素子Ｑｘ１と、その出力端が抵抗Ｒｘ１とバリアブル抵抗ＲＶｘ１とで分電圧された点に接続され、且つその出力端がトランスＴｘ１の帰還巻線ＮｘＢの中間タップＣＴに接続されている。
第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂは、パルス幅変調による調光方式で第２冷陰極管１１Ｂの輝度を調整可能にするものであり、調光コントローラ２５の制御信号Ｓ２に基づいて、調光用の第２制御パルス信号Ｓｃｎｔ２を生成して第２冷陰極管点灯装置１２Ｂに出力する。
第２冷陰極管点灯装置１２Ｂは、第２冷陰極管１１Ｂに接続され、ローレベルの第２制御パルス信号Ｓｃｎｔ２を第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂから入力したときに直流電源Ｅによって供給される直流電圧ＶＡを分圧してスイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３にバイアス電圧がかかり、発振を開始しトランスＴｙ１の巻線比によって二次巻線側に高圧交流電圧が発生し、変換した高圧交流電圧を第２冷陰極管１１Ｂに供給して点灯させるものである。
具体的な構成としての第２冷陰極管点灯装置１２Ｂは、トランスＴｙ１、インダクタＬｙ１、コンデンサＣｙ１、Ｃｙ２および一対のｎチャネル型のＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑｙ２、Ｑｙ３を含んで構成される第２自励式プッシュプル回路２２Ｂと、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、第２ゲートバイアス電圧供給回路２３Ｂとを備えて構成されている。
第２自励式プッシュプル回路２２Ｂを構成するトランスＴｙ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎｙ１、二次巻線Ｎｙ２及び帰還巻線ＮｙＢを備えており、二次巻線Ｎｙ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣｙ２の一端に接続されている。コンデンサＣｙ２は、その他端が第２冷陰極管１１Ｂに接続されている。インダクタＬｙ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴｙ１における一次巻線Ｎｙ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３は、各ドレインが一次巻線Ｎｙ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮｙＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の第２自励式プッシュプル回路２２Ｂの発振周波数は、主としてトランスＴｙ１の一次巻線Ｎｙ１に並列接続されたコンデンサＣｙ１と、トランスＴｙ１の一次巻線Ｎｙ１のインダクタンスとで定まる。
具体的な構成としての第２冷陰極管点灯装置１２Ｂは、トランスＴｙ１、インダクタＬｙ１、コンデンサＣｙ１、Ｃｙ２および一対のｎチャネル型のＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑｙ２、Ｑｙ３を含んで構成される第２自励式プッシュプル回路２２Ｂと、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、第２ゲートバイアス電圧供給回路２３Ｂとを備えて構成されている。
第２自励式プッシュプル回路２２Ｂを構成するトランスＴｙ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎｙ１、二次巻線Ｎｙ２及び帰還巻線ＮｙＢを備えており、二次巻線Ｎｙ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣｙ２の一端に接続されている。コンデンサＣｙ２は、その他端が第２冷陰極管１１Ｂに接続されている。インダクタＬｙ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴｙ１における一次巻線Ｎｙ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３は、各ドレインが一次巻線Ｎｙ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮｙＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の第２自励式プッシュプル回路２２Ｂの発振周波数は、主としてトランスＴｙ１の一次巻線Ｎｙ１に並列接続されたコンデンサＣｙ１と、トランスＴｙ１の一次巻線Ｎｙ１のインダクタンスとで定まる。
第２ゲートバイアス電圧供給回路２３Ｂは、スイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３にゲートバイアス電圧を供給すると共に入力された第２制御パルス信号Ｓｃｎｔ２に従って第２冷陰極管１１Ｂの輝度を調整する機能を有し、抵抗Ｒｙ２を介して接続されているスイッチング素子Ｑｙ１と、その出力端が抵抗Ｒｙ１とバリアブル抵抗ＲＶｙ１とで分電圧された点に接続され、且つその出力端がトランスＴｙ１の帰還巻線ＮｙＢの中間タップＣＴに接続されている。
このような構成の液晶表示装置の動作について、第１バックライトユニット１３Ａを参照して説明すると、先ず、第１ＰＷＭ制御回路１５Ａが調光コントローラ２５から制御信号Ｓ１を受け、第１制御パルス信号Ｓｃｎｔ１がローレベルに制御されたときに、スイッチング素子Ｑｘ１がＯＦＦ状態に移行する。すると、抵抗Ｒｘ１とバリアブル抵抗ＲＶｘ１で分電圧された電圧が発生し、その発生した分電圧が帰還巻線ＮｘＢを介してスイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のゲート電圧にバイアス電圧がかかり、スイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３をＯＮさせる。スイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３がＯＮすると一次巻線Ｎｘ１に直流電源Ｅからの電圧が供給され、二次巻線Ｎｘ２が励磁することで発振を開始する。ここでスイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく第１自励式プッシュプル回路２２Ａが不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
第１自励式プッシュプル回路２２Ａが一旦起動した状態では、スイッチング素子Ｑｘ１のＯＮに基づく帰還巻線ＮｘＢを介してスイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のゲートに供給されるゲートバイアス電圧と、帰還巻線ＮｘＢを介してスイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のゲートに正帰還される電圧とにより第１自励式プッシュプル回路２２Ａが自励発振を継続し、これにより二次巻線Ｎｘ２に高圧交流電圧が誘起される。従って、第１冷陰極管１１Ａは誘起した高圧交流電圧を入力して点灯できる。
同様にして、第２バックライトユニット１３Ｂにおいても調光コントローラ２５からの制御信号Ｓ２により第２冷陰極管１１Ｂを点灯させるのであり、先ず、第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂが調光コントローラ２５から制御信号Ｓ２を受け、第２制御パルス信号Ｓｃｎｔ２がローレベルに制御されたときに、スイッチング素子Ｑｙ１がＯＦＦ状態に移行する。すると、抵抗Ｒｙ１とバリアブル抵抗ＲＶｙ１で分電圧された電圧が発生し、その発生した分電圧が帰還巻線ＮｙＢを介してスイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３のゲート電圧にバイアス電圧がかかり、スイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３をＯＮさせる。スイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３がＯＮすると一次巻線Ｎｙ１に直流電源Ｅからの電圧が供給され、二次巻線Ｎｙ２が励磁することで発振を開始する。ここでスイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく第２自励式プッシュプル回路２２Ｂが不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
第２自励式プッシュプル回路２２Ｂが一旦起動した状態では、スイッチング素子Ｑｙ１のＯＮに基づく帰還巻線ＮｙＢを介してスイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３のゲートに供給されるゲートバイアス電圧と、帰還巻線ＮｙＢを介してスイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３のゲートに正帰還される電圧とにより第２自励式プッシュプル回路２２Ｂが自励発振を継続し、これにより二次巻線Ｎｙ２に高圧交流電圧が誘起される。従って、第２冷陰極管１１Ｂは誘起した高圧交流電圧を入力して点灯できる。
このようにして、第１及び第２冷陰極管１１Ａ、１１Ｂの調光については、第１及び第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂ、１５Ｃによりスイッチング素子Ｑｘ１、Ｑｙ１のＯＮ／ＯＦＦのデューテイー比により、第１及び第２自励式プッシュプル回路２２Ａ、２２Ｂの発振動作をＯＮ／ＯＦＦし調光を行っている。
この調光について、最大輝度から最少輝度までに調整した場合について以下説明する。
（１）先ず、最大輝度表示では、調光コントローラ２５による制御信号Ｓ１及びＳ２の信号を受けると第１及び第２自励式プッシュプル回路２２Ａ、２２Ｂは発振し、第１及び第２冷陰極管１１Ａ、１１Ｂを常にＯＮとして最大輝度点灯とする。
（２）次に、調光を行って輝度を絞る場合、バックライト系のどちらか一方、例えば、第１バックライトユニット１３Ａの制御信号Ｓ１より第１ＰＷＭ制御回路１５Ａのデューテイ比を小さくし、第１冷陰極管１１Ａ限界の最少輝度点灯まで絞る。このとき第２バックライトユニット１３Ｂの制御信号Ｓ２は、常にＯＮ状態であるので、第２冷陰極管１１Ｂは最大輝度点灯する。尚、このときの冷陰極管単体での最大輝度に対する最少輝度の比をＸとする。
この調光について、最大輝度から最少輝度までに調整した場合について以下説明する。
（１）先ず、最大輝度表示では、調光コントローラ２５による制御信号Ｓ１及びＳ２の信号を受けると第１及び第２自励式プッシュプル回路２２Ａ、２２Ｂは発振し、第１及び第２冷陰極管１１Ａ、１１Ｂを常にＯＮとして最大輝度点灯とする。
（２）次に、調光を行って輝度を絞る場合、バックライト系のどちらか一方、例えば、第１バックライトユニット１３Ａの制御信号Ｓ１より第１ＰＷＭ制御回路１５Ａのデューテイ比を小さくし、第１冷陰極管１１Ａ限界の最少輝度点灯まで絞る。このとき第２バックライトユニット１３Ｂの制御信号Ｓ２は、常にＯＮ状態であるので、第２冷陰極管１１Ｂは最大輝度点灯する。尚、このときの冷陰極管単体での最大輝度に対する最少輝度の比をＸとする。
（３）更に、調光を行う場合、調光コントローラ２５からの制御信号Ｓ１より第１ＰＷＭ制御回路１５Ａの制御パルス信号Ｓｃｎｔ１をＯＦＦすることで第１冷陰極管１１Ａの点灯をＯＦＦとし、もう一方の制御信号Ｓ２より第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂのデューテイ比を小さくし、第２冷陰極管１１Ｂ限界の最少輝度点灯まで絞る。使用している冷陰極管は同じものを使用しているのでこの第１及び第２冷陰極管１１Ａ、１１Ｂの最大輝度に対する最少輝度の比はＸである。
このようにして、２個の冷陰極管を使用したバックライトにすることで、従来のバックライト構成に比べ、調光比はＸ２となり広範囲にわたって液晶面輝度の調整を行うことができる。
尚、最少輝度から最大輝度へ調整する場合は、上記説明の逆の動作を行えばよい。
尚、最少輝度から最大輝度へ調整する場合は、上記説明の逆の動作を行えばよい。
次に、本願発明の第２実施例の液晶表示装置について図面を参照して説明する。
本発明の第２実施例の液晶表示装置は、従来の冷陰極管が１つであるのに対して、ｎ個の冷陰極管を使用し、そのｎ個の冷陰極管のそれぞれに冷陰極管点灯装置及びＰＷＭ制御回路を備え、全体を調光コントローラで制御するようにしたものであり、それは図３に示すように、第１冷陰極管点灯装置１２Ａ及び第１冷陰極管１１Ａで構成される第１バックライトユニット１３Ａと、第２冷陰極管点灯装置１２Ｂ及び第２冷陰極管１１Ｂで構成される第２バックライトユニット１３Ｂと、第ｎ冷陰極管点灯装置１２Ｎ及び第ｎ冷陰極管１１Ｎで構成される第ｎバックライトユニット１３Ｎと、この第１及び第２〜第ｎバックライトユニット１３Ａ、１３Ｂ、…１３Ｎを光源とする液晶表示パネル１４Ａと、第１バックライトユニット１３Ａの動作制御を行う第１ＰＷＭ制御回路１５Ａと、第２バックライトユニット１３Ｂの動作制御を行う第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂと、第ｎバックライトユニット１３Ｎの動作制御を行う第ｎＰＷＭ制御回路１５Ｎと、第１及び第２〜第ｎＰＷＭ制御回路１５Ａ、１５Ｂ、…１５Ｎを制御する調光コントローラ２５Ａとを備えて構成されている。
液晶表示パネル１４Ａは、第１実施例で説明した図２に示すものと同じ構成になっており、唯一相違するのは２個の冷陰極管がｎ個の冷陰極管にしたことであるので、その説明は省略する。
第１ＰＷＭ制御回路１５Ａは、パルス幅変調によるＯＮデューテイ制御する調光方式で第１冷陰極管１１Ａの輝度を調整可能にするものであり、調光コントローラ２５Ａからの制御信号Ｓ１に基づいて、調光用の第１制御パルス信号Ｓｃｎｔ１を生成して第１冷陰極管点灯装置１２Ａに出力する。
第１冷陰極管点灯装置１２Ａは、第１冷陰極管１２Ａに接続され、ローレベルの第１制御パルス信号Ｓｃｎｔ１を第１ＰＷＭ制御回路１５Ａから入力したときに直流電源Ｅによって供給される直流電圧ＶＡは抵抗Ｒｘ１、ＲＶｘ１により分圧されトランスＴｘ１の帰還巻線ＮｘＢの中点ＣＴよりＦＥＴ（Ｑｘ２、Ｑｘ３）のゲート電圧をバイアスし第１自励式プッシュプル回路２２Ａが発振を行い、高圧交流電圧に変換し、変換した高圧交流電圧を第１冷陰極管１１Ａに供給して点灯させるものである。
具体的な構成としての第１冷陰極管点灯装置１２Ａは、トランスＴｘ１、インダクタＬｘ１、コンデンサＣｘ１、Ｃｘ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑｘ２、Ｑｘ３を含んで構成される第１自励式プッシュプル回路２２Ａと、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、第１ゲートバイアス電圧供給回路２３Ａとを備えて構成されている。
具体的な構成としての第１冷陰極管点灯装置１２Ａは、トランスＴｘ１、インダクタＬｘ１、コンデンサＣｘ１、Ｃｘ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑｘ２、Ｑｘ３を含んで構成される第１自励式プッシュプル回路２２Ａと、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、第１ゲートバイアス電圧供給回路２３Ａとを備えて構成されている。
第１自励式プッシュプル回路２２Ａを構成するトランスＴｘ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎｘ１、二次巻線Ｎｘ２及び帰還巻線ＮｘＢを備えており、二次巻線Ｎｘ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣｘ２の一端に接続されている。コンデンサＣｘ２は、その他端が第１冷陰極管１１Ａに接続されている。インダクタＬｘ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴｘ１における一次巻線Ｎｘ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３は、各ドレインが一次巻線Ｎｘ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮｘＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の第１自励式プッシュプル回路２２Ａの発振周波数は、主としてトランスＴｘ１の一次巻線Ｎｘ１に並列接続されたコンデンサＣｘ１と、トランスＴｘ１の一次巻線Ｎｘ１のインダクタンスとで定まる。
このような回路構成にした場合の第１自励式プッシュプル回路２２Ａの発振周波数は、主としてトランスＴｘ１の一次巻線Ｎｘ１に並列接続されたコンデンサＣｘ１と、トランスＴｘ１の一次巻線Ｎｘ１のインダクタンスとで定まる。
第１ゲートバイアス電圧供給回路２３Ａは、スイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３にゲートバイアス電圧を供給すると共に入力された第１制御パルス信号Ｓｃｎｔ１に従って第１冷陰極管１１Ａの輝度を調整する機能を有し、抵抗Ｒｘ２を介して接続されているスイッチング素子Ｑｘ１と、その出力端が抵抗Ｒｘ１とバリアブル抵抗ＲＶｘ１とで分電圧された点に接続され、且つその出力端がトランスＴｘ１の帰還巻線ＮｘＢの中間タップＣＴに接続されている。
第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂは、パルス幅変調による調光方式で第２冷陰極管１１Ｂの輝度を調整可能にするものであり、調光コントローラ２５Ａの制御信号Ｓ２に基づいて、調光用の第２制御パルス信号Ｓｃｎｔ２を生成して第２冷陰極管点灯装置１２Ｂに出力する。
第２冷陰極管点灯装置１２Ｂは、第２冷陰極管１１Ｂに接続され、ＯＮデューテイのローレベルの第２制御パルス信号Ｓｃｎｔ２を第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂから入力したときに直流電源Ｅによって供給される直流電圧ＶＡは抵抗Ｒｙ１、ＲＶｙ１により分圧されトランスＴｙ１の帰還巻線ＮｙＢの中点ＣＴよりＦＥＴ（Ｑｙ２、Ｑｙ３）のゲート電圧をバイアスし第２自励式プッシュプル回路２２Ｂが発振を行い、高圧交流電圧に変換し、変換した高圧交流電圧を第２冷陰極管１１Ｂに供給して点灯させるものである。
具体的な構成としての第２冷陰極管点灯装置１２Ｂは、トランスＴｙ１、インダクタＬｙ１、コンデンサＣｙ１、Ｃｙ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑｙ２、Ｑｙ３を含んで構成される第２自励式プッシュプル回路２２Ｂと、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、第２ゲートバイアス電圧供給回路１２Ｂとを備えて構成されている。
第２自励式プッシュプル回路１２Ｂを構成するトランスＴｙ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎｙ１、二次巻線Ｎｙ２及び帰還巻線ＮｙＢを備えており、二次巻線Ｎｙ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣｙ２の一端に接続されている。コンデンサＣｙ２は、その他端が第２冷陰極管１１Ｂに接続されている。インダクタＬｙ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴｙ１における一次巻線Ｎｙ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３は、各ドレインが一次巻線Ｎｙ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮｙＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の第２自励式プッシュプル回路２２Ｂの発振周波数は、主としてトランスＴｙ１の一次巻線Ｎｙ１に並列接続されたコンデンサＣｙ１と、トランスＴｙ１の一次巻線Ｎｙ１のインダクタンスとで定まる。
具体的な構成としての第２冷陰極管点灯装置１２Ｂは、トランスＴｙ１、インダクタＬｙ１、コンデンサＣｙ１、Ｃｙ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑｙ２、Ｑｙ３を含んで構成される第２自励式プッシュプル回路２２Ｂと、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、第２ゲートバイアス電圧供給回路１２Ｂとを備えて構成されている。
第２自励式プッシュプル回路１２Ｂを構成するトランスＴｙ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎｙ１、二次巻線Ｎｙ２及び帰還巻線ＮｙＢを備えており、二次巻線Ｎｙ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣｙ２の一端に接続されている。コンデンサＣｙ２は、その他端が第２冷陰極管１１Ｂに接続されている。インダクタＬｙ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴｙ１における一次巻線Ｎｙ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３は、各ドレインが一次巻線Ｎｙ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮｙＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の第２自励式プッシュプル回路２２Ｂの発振周波数は、主としてトランスＴｙ１の一次巻線Ｎｙ１に並列接続されたコンデンサＣｙ１と、トランスＴｙ１の一次巻線Ｎｙ１のインダクタンスとで定まる。
第２ゲートバイアス電圧供給回路１２Ｂは、スイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３にゲートバイアス電圧を供給すると共に入力された第２制御パルス信号Ｓｃｎｔ２に従って第２冷陰極管１１Ｂの輝度を調整する機能を有し、抵抗Ｒｙ２を介して接続されているスイッチング素子Ｑｙ１と、その出力端が抵抗Ｒｙ１とバリアブル抵抗ＲＶｙ１とで分電圧された点に接続され、且つその出力端がトランスＴｙ１の帰還巻線ＮｙＢの中間タップＣＴに接続されている。
第ｎＰＷＭ制御回路１５Ｎは、パルス幅変調による調光方式で第ｎ冷陰極管１１Ｎの輝度を調整可能にするものであり、調光コントローラ２５Ａの制御信号Ｓｎに基づいて、調光用の第ｎ制御パルス信号Ｓｃｎｔｎを生成して第ｎ冷陰極管点灯装置１２Ｎに出力する。
第ｎ冷陰極管点灯装置１２Ｎは、第ｎ冷陰極管１１Ｎに接続され、ＯＮデューテイのローレベルの第ｎ制御パルス信号Ｓｃｎｔｎを第ｎＰＷＭ制御回路１５Ｎから入力したときに直流電源Ｅによって供給される直流電圧ＶＡは抵抗Ｒｎ１、ＲＶｎ１により分圧されトランスＴｎ１の帰還巻線ＮｎＢの中点ＣＴよりＦＥＴ（Ｑｎ２、Ｑｎ３）のゲート電圧をバイアスし第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ｎが発振を行い、高圧交流電圧に変換し、変換した高圧交流電圧を第ｎ冷陰極管１１Ｎに供給して点灯させるものである。
具体的な構成としての第ｎ冷陰極管点灯装置１２Ｎは、トランスＴｎ１、インダクタＬｎ１、コンデンサＣｎ１、Ｃｎ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑｎ２、Ｑｎ３を含んで構成される第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ｎと、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、第ｎゲートバイアス電圧供給回路２３Ｎとを備えて構成されている。
具体的な構成としての第ｎ冷陰極管点灯装置１２Ｎは、トランスＴｎ１、インダクタＬｎ１、コンデンサＣｎ１、Ｃｎ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑｎ２、Ｑｎ３を含んで構成される第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ｎと、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、第ｎゲートバイアス電圧供給回路２３Ｎとを備えて構成されている。
第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ｎを構成するトランスＴｎ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎｎ１、二次巻線Ｎｎ２及び帰還巻線ＮｎＢを備えており、二次巻線Ｎｎ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣｎ２の一端に接続されている。コンデンサＣｎ２は、その他端が第ｎ冷陰極管１１Ｎに接続されている。インダクタＬｎ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴｎにおける一次巻線Ｎｎ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑｎ２、Ｑｎ３は、各ドレインが一次巻線Ｎｎ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮｎＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ｎの発振周波数は、主としてトランスＴｎ１の一次巻線Ｎｎ１に並列接続されたコンデンサＣｎ１と、トランスＴｎ１の一次巻線Ｎｎ１のインダクタンスとで定まる。
このような回路構成にした場合の第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ｎの発振周波数は、主としてトランスＴｎ１の一次巻線Ｎｎ１に並列接続されたコンデンサＣｎ１と、トランスＴｎ１の一次巻線Ｎｎ１のインダクタンスとで定まる。
第ｎゲートバイアス電圧供給回路２３Ｎは、スイッチング素子Ｑｎ２、Ｑｎ３にゲートバイアス電圧を供給すると共に入力された第ｎ制御パルス信号Ｓｃｎｔｎに従って第ｎ冷陰極管１１Ｎの輝度を調整する機能を有し、抵抗Ｒｎ２を介して接続されているスイッチング素子Ｑｎ１と、その出力端が抵抗Ｒｎ１とバリアブル抵抗ＲＶｎ１とで分電圧された点に接続され、且つその出力端がトランスＴｎ１の帰還巻線ＮｎＢの中間タップＣＴに接続されている。
このような構成の液晶表示装置の動作について、第１バックライトユニット１３Ａを参照して説明すると、先ず、第１ＰＷＭ制御回路１５Ａが調光コントローラ２５Ａから制御信号Ｓ１を受け、第１制御パルス信号Ｓｃｎｔ１がローレベルに制御されたときに、スイッチング素子Ｑｘ１がＯＦＦ状態に移行する。すると、抵抗Ｒｘ１とバリアブル抵抗ＲＶｘ１で分電圧された電圧が発生し、その分電圧が帰還巻線ＮｘＢの中点ＣＴを介してスイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のゲートにバイアス電圧がかかり、スイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のどちらか一方がＯＮする。スイッチング素子Ｑｘ２あるいはＱｘ３がＯＮすると、トランスＴｎ１の一次巻線Ｎｘ１のインダクタンスおよびコンデンサＣｘ１より共振が開始する。
ここでスイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく第１自励式プッシュプル回路２２Ａが不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
ここでスイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく第１自励式プッシュプル回路２２Ａが不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
第１自励式プッシュプル回路２２Ａが一旦起動した状態では、スイッチング素子Ｑｘ１のＯＮに基づく帰還巻線ＮｘＢを介してスイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のゲートに供給されるゲートバイアス電圧と、帰還巻線ＮｘＢを介してスイッチング素子Ｑｘ２、Ｑｘ３のゲートに正帰還される電圧とにより第１自励式プッシュプル回路２２Ａが自励発振を継続し、これにより二次巻線Ｎｘ２に高圧交流電圧が誘起される。従って、第１冷陰極管１１Ａは誘起した高圧交流電圧を入力して点灯できる。
同様にして、第２バックライトユニット１３Ｂにおいても調光コントローラ２５Ａからの制御信号Ｓ２により第２冷陰極管１１Ｂを点灯させるのであり、先ず、第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂが調光コントローラ２５Ａから制御信号Ｓ２を受け、第２制御パルス信号Ｓｃｎｔ２がローレベルに制御されたときに、スイッチング素子Ｑｙ１がＯＦＦ状態に移行する。すると、抵抗Ｒｙ１とバリアブル抵抗ＲＶｙ１で分電圧された電圧が発生し、その分電圧が帰還巻線ＮｙＢの中点ＣＴを介してスイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３のゲートにバイアス電圧がかかり、スイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３のどちらか一方がＯＮする。スイッチング素子Ｑｙ２あるいはＱｙ３がＯＮするとトランスＴｙ１の一次巻線Ｎｙ１のインダクタンスおよびコンデンサＣｙ１より共振が開始する。
ここでスイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく第２自励式プッシュプル回路２２Ｂが不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
ここでスイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく第２自励式プッシュプル回路２２Ｂが不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
第２自励式プッシュプル回路２２Ｂが一旦起動した状態では、スイッチング素子Ｑｙ１のＯＮに基づく帰還巻線ＮｙＢを介してスイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３のゲートに供給されるゲートバイアス電圧と、帰還巻線ＮｙＢを介してスイッチング素子Ｑｙ２、Ｑｙ３のゲートに正帰還される電圧とにより第２自励式プッシュプル回路２２Ｂが自励発振を継続し、これにより二次巻線Ｎｙ２に高圧交流電圧が誘起される。従って、第２冷陰極管１１Ｂは誘起した高圧交流電圧を入力して点灯できる。
同様にして、第ｎバックライトユニット１３Ｎにおいても調光コントローラ２５Ａからの制御信号Ｓｎにより第ｎ冷陰極管１１Ｎを点灯させるのであり、先ず、第ｎＰＷＭ制御回路１５Ｎが調光コントローラ２５Ａから制御信号Ｓｎを受け、第ｎ制御パルス信号Ｓｃｎｔｎがローレベルに制御されたときに、スイッチング素子Ｑｎ１がＯＦＦ状態に移行する。すると、抵抗Ｒｎ１とバリアブル抵抗ＲＶｎ１で分電圧された電圧が発生し、その分電圧が帰還巻線ＮｎＢの中点ＣＴを介してスイッチング素子Ｑｎ２、Ｑｎ３のゲートにバイアス電圧がかかり、スイッチング素子Ｑｎ２、Ｑｎ３のどちらか一方がＯＮする。スイッチング素子Ｑｎ２あるいはＱｎ３がＯＮすると、トランスＴｎ１の一次巻線Ｎｎ１のインダクタンスおよびコンデンサＣｎ１より共振が開始する。
ここでスイッチング素子Ｑｎ２、Ｑｎ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ｎが不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
ここでスイッチング素子Ｑｎ２、Ｑｎ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ｎが不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ｎが一旦起動した状態では、スイッチング素子Ｑｎ１のＯＮに基づく帰還巻線ＮｎＢを介してスイッチング素子Ｑｎ２、Ｑｎ３のゲートに供給されるゲートバイアス電圧と、帰還巻線ＮｎＢを介してスイッチング素子Ｑｎ２、Ｑｎ３のゲートに正帰還される電圧とにより第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ｎが自励発振を継続し、これにより二次巻線Ｎｎ２に高圧交流電圧が誘起される。従って、第ｎ冷陰極管１１Ｎは誘起した高圧交流電圧を入力して点灯できる。
このようにして、第１及び第２〜第ｎ冷陰極管１１Ａ、１１Ｂ、…１１Ｎの調光については、第１及び第２〜第ｎＰＷＭ制御回路１５Ａ、１５Ｂ、…１５Ｎによりスイッチング素子Ｑｘ１、Ｑｙ１〜Ｑｎ１のＯＮ／ＯＦＦのデューテイ比により、第１及び第２〜第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ａ、２２Ｂ、…２２Ｎの発振動作をＯＮ／ＯＦＦし調光を行っている。
この調光について、最大輝度から最少輝度までに調整した場合について以下説明する。
（１）先ず、最大輝度表示では、調光コントローラ２５Ａによる制御信号Ｓ１及びＳ２〜Ｓｎの信号を受けると第１及び第２〜第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ａ、２２Ｂ、…２２Ｎは発振し、ｎ個の第１及び第２〜第ｎ冷陰極管１１Ａ、１１Ｂ、…１１Ｎの全てを常にＯＮとして最大輝度点灯とする。
（２）次に、調光を行って輝度を絞る場合、バックライト系のどれか1つ、例えば、第１バックライトユニット１３Ａの制御信号Ｓ１より第１ＰＷＭ制御回路１５Ａのデューテイ比を小さくし、第１冷陰極管１１Ａ限界の最少輝度点灯まで絞る。このとき第２〜第ｎバックライトユニット１３Ｂ、…１３Ｎの制御信号Ｓ２〜Ｓｎは、常にＯＮ状態であるので、第２〜第ｎ冷陰極管１１Ｂ、…１１Ｎは最大輝度点灯する。尚、このときの冷陰極管単体での最大輝度に対する最少輝度の比をＸとする。
この調光について、最大輝度から最少輝度までに調整した場合について以下説明する。
（１）先ず、最大輝度表示では、調光コントローラ２５Ａによる制御信号Ｓ１及びＳ２〜Ｓｎの信号を受けると第１及び第２〜第ｎ自励式プッシュプル回路２２Ａ、２２Ｂ、…２２Ｎは発振し、ｎ個の第１及び第２〜第ｎ冷陰極管１１Ａ、１１Ｂ、…１１Ｎの全てを常にＯＮとして最大輝度点灯とする。
（２）次に、調光を行って輝度を絞る場合、バックライト系のどれか1つ、例えば、第１バックライトユニット１３Ａの制御信号Ｓ１より第１ＰＷＭ制御回路１５Ａのデューテイ比を小さくし、第１冷陰極管１１Ａ限界の最少輝度点灯まで絞る。このとき第２〜第ｎバックライトユニット１３Ｂ、…１３Ｎの制御信号Ｓ２〜Ｓｎは、常にＯＮ状態であるので、第２〜第ｎ冷陰極管１１Ｂ、…１１Ｎは最大輝度点灯する。尚、このときの冷陰極管単体での最大輝度に対する最少輝度の比をＸとする。
（３）更に、調光を行う場合、調光コントローラ２５Ａからの制御信号Ｓ１より第１ＰＷＭ制御回路１５Ａの制御パルス信号Ｓｃｎｔ１をＯＦＦすることで第１冷陰極管１１Ａの点灯をＯＦＦとし、次の制御信号Ｓ２より第２ＰＷＭ制御回路１５Ｂのデューテイ比を小さくし、第２冷陰極管１１Ｂ限界の最少輝度点灯まで絞る。このとき第ｎバックライトユニット１３Ｎの制御信号Ｓｎは、常にＯＮ状態であるので、第ｎ冷陰極管１１Ｎは最大輝度点灯する。
（４）このように、１つの冷陰極管の最少輝度点灯させた後に、冷陰極管限界の最少輝度点まで絞込み、次にその冷陰極管の点灯をＯＦＦさせることを繰り返すことで序々に点灯している冷陰極管の数を少なくすることで全体としての最少輝度まで落すことができるのである。
ここで、使用している冷陰極管は同じ冷陰極管を使用しているので全冷陰極管とも最大輝度に対する最少輝度の比はＸである。
（４）このように、１つの冷陰極管の最少輝度点灯させた後に、冷陰極管限界の最少輝度点まで絞込み、次にその冷陰極管の点灯をＯＦＦさせることを繰り返すことで序々に点灯している冷陰極管の数を少なくすることで全体としての最少輝度まで落すことができるのである。
ここで、使用している冷陰極管は同じ冷陰極管を使用しているので全冷陰極管とも最大輝度に対する最少輝度の比はＸである。
以上の構成より、従来の１個の冷陰極管構成のバックライト構成に比べ、ｎ個の冷陰極管を使用したことにより、調光比はＸｎとなり広範囲にわたって液晶面輝度の調整を行うことができる。
尚、最少輝度から最大輝度へ調整する場合は、上記説明の逆の動作を行えばよい。
尚、最少輝度から最大輝度へ調整する場合は、上記説明の逆の動作を行えばよい。
次に、本発明の第３実施例の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
第３実施例の液晶表示装置は、従来から使用しているバックライトユニットに使用される冷陰極管に内光センサ（照度センサ）を付加することで輝度データをＰＷＭ制御装置にフィードバックする。そして、このフィードバックされた輝度データを参酌して自励式プッシュプル回路の発振動作をＯＮ／ＯＦＦして調光を行い輝度調整するというものである。具体的な構成は、図４に示すように、冷陰極管点灯装置１２及び冷陰極管１１、内光センサ２６で構成されるバックライトユニット１３と、このバックライトユニット１３の冷陰極管１１を光源とする液晶表示パネル１４と、冷陰極管点灯装置１２の動作制御を行うＰＷＭ制御装置１５と、ＰＷＭ制御装置１５からの制御パルス信号Ｓｃｎｔを制御する調光用ディーマー装置２４とを備えて構成されている。
液晶表示パネル１４は、従来技術で説明した図７に示すものと同様であるので、その説明は省略する。
ＰＷＭ制御装置１５は、パルス幅変調による調光方式で冷陰極管１１の輝度を調整可能にするものであり、調光用ディーマー装置２４からの信号と内光センサ２６からの輝度データを受信して調光用の制御パルス信号Ｓｃｎｔを生成して冷陰極管点灯装置１２に出力する。
具体的に説明すると、制御パルス信号Ｓｃｎｔを生成するためのＯＮ／ＯＦＦデューテイ制御は、調光用ディーマー装置２４からのディーマーの値とその値に対する輝度値のテーブルを設け、フィードバックされた内光センサ２６からの輝度データの値と比較し、ＯＮ時間の幅をコントロールして行うというものである。
具体的に説明すると、制御パルス信号Ｓｃｎｔを生成するためのＯＮ／ＯＦＦデューテイ制御は、調光用ディーマー装置２４からのディーマーの値とその値に対する輝度値のテーブルを設け、フィードバックされた内光センサ２６からの輝度データの値と比較し、ＯＮ時間の幅をコントロールして行うというものである。
調光用ディーマー装置２４は、調光するための冷陰極管１１が点灯するためのＯＮ時間をコントロールするものであり、ＰＷＭ制御装置１５から出力する制御パルス信号ＳｃｎｔのＯＮ時間の幅を制御する。
冷陰極管点灯装置１２は、冷陰極管１１に接続され、ＯＮデューテイのローレベルの制御パルス信号ＳｃｎｔをＰＷＭ制御装置１５から入力したときに直流電源Ｅによって供給される直流電圧ＶＡは抵抗Ｒ１、ＲＶ１により分圧されトランスＴ１の帰還巻線ＮＢの中点ＣＴよりＦＥＴ（Ｑ２、Ｑ３）のゲート電圧をバイアスし自励式プッシュプル回路２２が発振を行い、高圧交流電圧に変換し、変換した高圧交流電圧を冷陰極管１１に供給して点灯させるものである。
具体的な構成としての冷陰極管点灯装置１２は、トランスＴ１、インダクタＬ１、コンデンサＣ１、Ｃ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑ２、Ｑ３を含んで構成される自励式プッシュプル回路と、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、ゲートバイアス電圧供給回路２３とを備えて構成されている。
自励式プッシュプル回路２２を構成するトランスＴ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎ１、二次巻線Ｎ２及び帰還巻線ＮＢを備えており、二次巻線Ｎ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣ２の一端に接続されている。コンデンサＣ２は、その他端が冷陰極管１１に接続されている。インダクタＬ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴ１における一次巻線Ｎ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３は、各ドレインが一次巻線Ｎ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の自励式プッシュプル回路２２の発振周波数は、主としてトランスＴ１の一次巻線Ｎ１に並列接続されたコンデンサＣ１と、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスとで定まる。
具体的な構成としての冷陰極管点灯装置１２は、トランスＴ１、インダクタＬ１、コンデンサＣ１、Ｃ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑ２、Ｑ３を含んで構成される自励式プッシュプル回路と、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、ゲートバイアス電圧供給回路２３とを備えて構成されている。
自励式プッシュプル回路２２を構成するトランスＴ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎ１、二次巻線Ｎ２及び帰還巻線ＮＢを備えており、二次巻線Ｎ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣ２の一端に接続されている。コンデンサＣ２は、その他端が冷陰極管１１に接続されている。インダクタＬ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴ１における一次巻線Ｎ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３は、各ドレインが一次巻線Ｎ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の自励式プッシュプル回路２２の発振周波数は、主としてトランスＴ１の一次巻線Ｎ１に並列接続されたコンデンサＣ１と、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスとで定まる。
ゲートバイアス電圧供給回路２３は、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３にゲートバイアス電圧を供給すると共に入力された制御パルス信号Ｓｃｎｔに従って冷陰極管１１の輝度を調整する機能を有し、抵抗Ｒ２を介して接続されているスイッチング素子Ｑ１と、その出力端が抵抗Ｒ１とバリアブル抵抗ＲＶ１とで分電圧された点に接続され、且つその出力端がトランスＴ１の帰還巻線ＮＢの中間タップＣＴに接続されている。
このような構成の冷陰極管点灯装置１２の動作について説明すると、先ず、調光用ディーマー装置２４から調光するためのＯＮ時間の幅を設定する信号と、内光センサ２６からの輝度データの値がＰＷＭ制御装置１５に送られ、これら信号を受信したＰＷＭ制御装置１５はＯＮ時間の幅を設定する信号に合わせた制御パルス信号Ｓｃｎｔをローレベルに制御する。この制御パルス信号Ｓｃｎｔがローレベルに制御されたときに、スイッチング素子Ｑ１がＯＦＦ状態に移行する。すると、抵抗Ｒ１とバリアブル抵抗ＲＶ１で分電圧された電圧が発生し、その分電圧が帰還巻線ＮＢの中点ＣＴを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートにバイアス電圧がかかり、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のどちらか一方がＯＮする。スイッチング素子Ｑ２あるいはＱ３がＯＮすると、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスおよびコンデンサＣ１により共振が開始する。
ここでスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく自励式プッシュプル回路２２が不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
ここでスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく自励式プッシュプル回路２２が不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
自励式プッシュプル回路２２が一旦起動した状態では、スイッチング素子Ｑ１のＯＮに基づく帰還巻線ＮＢを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートに供給されるゲートバイアス電圧と、帰還巻線ＮＢを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートに正帰還される電圧とにより自励式プッシュプル回路２２が自励発振を継続し、これにより二次巻線Ｎ２に高圧交流電圧が誘起される。従って、冷陰極管１１は誘起した高圧交流電圧を入力して点灯できる。
このようにして、冷陰極管１１の調光については、調光用ディーマー装置２４の制御に加えて、内光センサ２６による輝度データを参照してＰＷＭ制御装置１５からの制御パルス信号Ｓｃｎｔのローレベルとなる時間によりスイッチング素子Ｑ１のＯＮ／ＯＦＦのデューテイー比を設定することで、冷陰極管１１の温度による特性変化を考慮することが可能になり、そのため、いかなる管面温度の場合でも最少輝度まで片点きすることなく速やかに調整することができるのである。
例えば、航空機用液晶表示装置のバックライトにおいて、夜の真っ暗な状態から日中の直接太陽光があたっている状態までの幅を持つこのような照明条件下においても、又、環境温度が７１℃の環境下においても、冷陰極管近傍に設置した内光センサからの輝度データをフィードバックして自励式プッシュプル回路をＯＮ／ＯＦＦ制御するようにしたことで、速やかな片点きすることなく広範囲の輝度調整を行うことができるのである。
例えば、航空機用液晶表示装置のバックライトにおいて、夜の真っ暗な状態から日中の直接太陽光があたっている状態までの幅を持つこのような照明条件下においても、又、環境温度が７１℃の環境下においても、冷陰極管近傍に設置した内光センサからの輝度データをフィードバックして自励式プッシュプル回路をＯＮ／ＯＦＦ制御するようにしたことで、速やかな片点きすることなく広範囲の輝度調整を行うことができるのである。
次に、本発明の第４実施例の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
第４実施例の液晶表示装置は、上記説明した第３実施例の液晶表示装置と同様に冷陰極管近傍に内光センサを設けて、輝度データをフィードバックして自励式プッシュプル回路のＯＮ／ＯＦＦ制御をすることに加えて、更に、サーミスタ、フアンを加えて、サーミスタで冷陰極管の温度データを取得し、この取得した温度データに基づいてファンを制御するというもので、この制御は新たに制御部を追加して独自に行う構成となっている。
その構成は、図５に示すように、冷陰極管点灯装置１２及び冷陰極管１１、内光センサ２６、サーミスタ２７、ファン２８で構成されるバックライトユニット１３と、このバックライトユニット１３の冷陰極管１１を光源とする液晶表示パネル１４と、冷陰極管点灯装置１２の動作制御を行うＰＷＭ制御装置１５と、ＰＷＭ制御装置１５からの制御パルス信号Ｓｃｎｔを制御する調光用ディーマー装置２４と、サーミスタ２７からの温度データを取得してファン２８のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御部２９とを備えて構成されている。
その構成は、図５に示すように、冷陰極管点灯装置１２及び冷陰極管１１、内光センサ２６、サーミスタ２７、ファン２８で構成されるバックライトユニット１３と、このバックライトユニット１３の冷陰極管１１を光源とする液晶表示パネル１４と、冷陰極管点灯装置１２の動作制御を行うＰＷＭ制御装置１５と、ＰＷＭ制御装置１５からの制御パルス信号Ｓｃｎｔを制御する調光用ディーマー装置２４と、サーミスタ２７からの温度データを取得してファン２８のＯＮ／ＯＦＦを制御する制御部２９とを備えて構成されている。
液晶表示パネル１４は、従来技術で説明した図７に示すものと同様であるので、その説明は省略する。
制御部２９は、冷陰極管点灯装置１２とは別個に設けられ、且つ独自に動作するもので、冷陰極管の管面温度を測定するサーミスタからの温度データに基づいてファンの回転を制御するというものであり、管面温度が最も点灯効率の良い温度である６０℃〜７０℃で安定するようにファンを駆動するように制御する。
ＰＷＭ制御装置１５は、パルス幅変調による調光方式で冷陰極管１１の輝度を調整可能にするものであり、調光用ディーマー装置２４からの信号と内光センサ２６からの輝度データを受信して調光用の制御パルス信号Ｓｃｎｔを生成して冷陰極管点灯装置１２に出力する。
具体的に説明すると、制御パルス信号Ｓｃｎｔを生成するためのＯＮ／ＯＦＦデューテイ制御は、調光用ディーマー装置２４からのディーマーの値とその値に対する輝度値のテーブルを設け、フィードバックされた内光センサ２６からの輝度データの値と比較し、ＯＮ時間の幅をコントロールして行うというものである。
具体的に説明すると、制御パルス信号Ｓｃｎｔを生成するためのＯＮ／ＯＦＦデューテイ制御は、調光用ディーマー装置２４からのディーマーの値とその値に対する輝度値のテーブルを設け、フィードバックされた内光センサ２６からの輝度データの値と比較し、ＯＮ時間の幅をコントロールして行うというものである。
調光用ディーマー装置２４は、調光するための冷陰極管１１が点灯するためのＯＮ時間をコントロールするものであり、ＰＷＭ制御装置１５から出力する制御パルス信号ＳｃｎｔのＯＮ時間の幅を制御する。
冷陰極管点灯装置１２は、冷陰極管１１に接続され、ＯＮデューテイのローレベルの制御パルス信号ＳｃｎｔをＰＷＭ制御装置１５から入力したときに直流電源Ｅによって供給される直流電圧ＶＡは抵抗Ｒ１、ＲＶ１により分圧されトランスＴ１の帰還巻線ＮＢの中点ＣＴよりＦＥＴ（Ｑ２、Ｑ３）のゲート電圧をバイアスし自励式プッシュプル回路２２が発振を行い、高圧交流電圧に変換し、変換した高圧交流電圧を冷陰極管１１に供給して点灯させるものである。
具体的な構成としての冷陰極管点灯装置１２は、トランスＴ１、インダクタＬ１、コンデンサＣ１、Ｃ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑ２、Ｑ３を含んで構成される自励式プッシュプル回路２２と、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、ゲートバイアス電圧供給回路２３とを備えて構成されている。
自励式プッシュプル回路２２を構成するトランスＴ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎ１、二次巻線Ｎ２及び帰還巻線ＮＢを備えており、二次巻線Ｎ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣ２の一端に接続されている。コンデンサＣ２は、その他端が冷陰極管１１に接続されている。インダクタＬ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴ１における一次巻線Ｎ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３は、各ドレインが一次巻線Ｎ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の自励式プッシュプル回路２２の発振周波数は、主としてトランスＴ１の一次巻線Ｎ１に並列接続されたコンデンサＣ１と、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスとで定まる。
具体的な構成としての冷陰極管点灯装置１２は、トランスＴ１、インダクタＬ１、コンデンサＣ１、Ｃ２、及び一対のｎチャネル型ＦＥＴ（スイッチング素子）Ｑ２、Ｑ３を含んで構成される自励式プッシュプル回路２２と、電圧ＶＡの直流電圧を生成する直流電源Ｅと、ゲートバイアス電圧供給回路２３とを備えて構成されている。
自励式プッシュプル回路２２を構成するトランスＴ１は、中間タップＣＴを有する一次巻線Ｎ１、二次巻線Ｎ２及び帰還巻線ＮＢを備えており、二次巻線Ｎ２の一端はグランドに接続され、その他端はコンデンサＣ２の一端に接続されている。コンデンサＣ２は、その他端が冷陰極管１１に接続されている。インダクタＬ１は直流電源Ｅを定電流源として機能させるための素子であって、直流電源Ｅと、トランスＴ１における一次巻線Ｎ１の中間タップＣＴとの間に接続されている。スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３は、各ドレインが一次巻線Ｎ１の各端部にそれぞれ接続され、且つ各ゲートが帰還巻線ＮＢの各端部にそれぞれ接続されている。
このような回路構成にした場合の自励式プッシュプル回路２２の発振周波数は、主としてトランスＴ１の一次巻線Ｎ１に並列接続されたコンデンサＣ１と、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスとで定まる。
ゲートバイアス電圧供給回路２３は、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３にゲートバイアス電圧を供給すると共に入力された制御パルス信号Ｓｃｎｔに従って冷陰極管１１の輝度を調整する機能を有し、抵抗Ｒ２を介して接続されているスイッチング素子Ｑ１と、その出力端が抵抗Ｒ１とバリアブル抵抗ＲＶ１とで分電圧された点に接続され、且つその出力端がトランスＴ１の帰還巻線ＮＢの中間タップＣＴに接続されている。
このような構成の冷陰極管点灯装置１２の動作について説明すると、先ず、サーミスタ２７により冷陰極管１１の管面温度を取得し、高温度の場合においてはファン２８を駆動するように制御部２９が制御を行って管面温度が最も点灯効率のよい温度、６０℃〜７０℃で安定するようにコントロールされている状態において、調光用ディーマー装置２４から調光するためのＯＮ時間の幅を設定する信号と、内光センサ２６からの輝度データの値がＰＷＭ制御装置１５に送られ、これら信号を受信したＰＷＭ制御装置１５はＯＮ時間の幅を設定する信号に合わせた制御パルス信号Ｓｃｎｔをローレベルに制御する。この制御パルス信号Ｓｃｎｔがローレベルに制御されたときに、スイッチング素子Ｑ１がＯＦＦ状態に移行する。すると、抵抗Ｒ１とバリアブル抵抗ＲＶ１で分電圧された電圧が発生し、その分電圧が帰還巻線ＮＢの中点ＣＴを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートにバイアス電圧がかかり、スイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のどちらか一方がＯＮする。スイッチング素子Ｑ２あるいはＱ３がＯＮすると、トランスＴ１の一次巻線Ｎ１のインダクタンスおよびコンデンサＣ１より共振が開始する。
ここでスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく自励式プッシュプル回路２２が不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
ここでスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のＯＮは、実際は急激にＯＮすることなく自励式プッシュプル回路２２が不要な電気振動、機械的振動を発生しないように、工夫が施されているが、この回路では省略されている。
自励式プッシュプル回路２２が一旦起動した状態では、スイッチング素子Ｑ１のＯＮに基づく帰還巻線ＮＢを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートに供給されるゲートバイアス電圧と、帰還巻線ＮＢを介してスイッチング素子Ｑ２、Ｑ３のゲートに正帰還される電圧とにより自励式プッシュプル回路２２が自励発振を継続し、これにより二次巻線Ｎ２に高圧交流電圧が誘起される。従って、冷陰極管１１は誘起した高圧交流電圧を入力して点灯できる。
このようにして、自励式プッシュプル回路２２における発振動作のＯＮ／ＯＦＦのデューテイー制御は、外部ディマー装置２４の値とその値に対する輝度値のテーブルを設け、内光センサ２６からのフィードバックされた輝度データ値と比較することにより、如何なる管面温度の場合でも最小輝度まで片点きすることなく速やかに調整することができる。
又、サーミスタ２７による管面温度を取得して高温度の場合においては、ファン２８が駆動するように制御部２９にて制御を行い、管面温度が６０℃〜７０℃（最も点灯効率がよい温度）で安定するようにコントロールする。
以上のように、内光センサ２６及びサーミスタ２７を用いた制御を行うことにより、７１℃の環境温度下においても広範囲に輝度を効率良く速やかに調整することができるのである。
又、サーミスタ２７による管面温度を取得して高温度の場合においては、ファン２８が駆動するように制御部２９にて制御を行い、管面温度が６０℃〜７０℃（最も点灯効率がよい温度）で安定するようにコントロールする。
以上のように、内光センサ２６及びサーミスタ２７を用いた制御を行うことにより、７１℃の環境温度下においても広範囲に輝度を効率良く速やかに調整することができるのである。
液晶表示パネルに使用される光源が冷陰極管であるときに、この冷陰極管の数を複数個、好ましくは２個の構成にして、1個の冷陰極管の点灯時間を絞り込み、次に、もう１個の冷陰極管の点灯時間を絞り込むようにして、最大輝度から最少輝度の範囲を広くとることができる液晶表示装置を提供する。
又、冷陰極管の温度を測定、或は、冷陰極管の温度を一定温度に制御するようにして、冷陰極管の輝度特性を最良形態状態にして輝度調整するようにすることで片点きのない広範囲の輝度調整を行うことができる液晶表示装置を提供する。
又、冷陰極管の温度を測定、或は、冷陰極管の温度を一定温度に制御するようにして、冷陰極管の輝度特性を最良形態状態にして輝度調整するようにすることで片点きのない広範囲の輝度調整を行うことができる液晶表示装置を提供する。
１１ 冷陰極管
１１Ａ 第１冷陰極管
１１Ｂ 第２冷陰極管
１１Ｎ 第Ｎ冷陰極管
１２ 冷陰極管点灯装置
１２Ａ 第１冷陰極管点灯装置
１２Ｂ 第２冷陰極管点灯装置
１２Ｎ 第ｎ冷陰極管点灯装置
１３ バックライトユニット
１３Ａ 第１バックライトユニット
１３Ｂ 第２バックライトユニット
１３Ｎ 第ｎバックライトユニット
１４ 液晶表示パネル
１４Ａ 液晶表示パネル
１５ ＰＷＭ制御装置
１５Ａ ＰＷＭ制御回路
１５Ｂ ＰＷＭ制御回路
１５Ｎ ＰＷＭ制御回路
１６ リフレクター
１７ 導光板
１８ 反射シート
１９ 反射シート
２０ 拡散シート
２１ 液晶面
２２ 自励式プッシュプル回路
２２Ａ 第１自励式プッシュプル回路
２２Ｂ 第２自励式プッシュプル回路
２２Ｎ 第ｎ自励式プッシュプル回路
２３ ゲートバイアス電圧供給回路
２３Ａ 第１ゲートバイアス電圧供給回路
２３Ｂ 第２ゲートバイアス電圧供給回路
２３Ｎ 第ｎゲートバイアス電圧供給回路
２４ 調光用ディーマー装置
２５ 調光コントローラ
２５Ａ 調光コントローラ
２６ 内光センサ
２７ サーミスタ
２８ ファン
２９ 制御部。
１１Ａ 第１冷陰極管
１１Ｂ 第２冷陰極管
１１Ｎ 第Ｎ冷陰極管
１２ 冷陰極管点灯装置
１２Ａ 第１冷陰極管点灯装置
１２Ｂ 第２冷陰極管点灯装置
１２Ｎ 第ｎ冷陰極管点灯装置
１３ バックライトユニット
１３Ａ 第１バックライトユニット
１３Ｂ 第２バックライトユニット
１３Ｎ 第ｎバックライトユニット
１４ 液晶表示パネル
１４Ａ 液晶表示パネル
１５ ＰＷＭ制御装置
１５Ａ ＰＷＭ制御回路
１５Ｂ ＰＷＭ制御回路
１５Ｎ ＰＷＭ制御回路
１６ リフレクター
１７ 導光板
１８ 反射シート
１９ 反射シート
２０ 拡散シート
２１ 液晶面
２２ 自励式プッシュプル回路
２２Ａ 第１自励式プッシュプル回路
２２Ｂ 第２自励式プッシュプル回路
２２Ｎ 第ｎ自励式プッシュプル回路
２３ ゲートバイアス電圧供給回路
２３Ａ 第１ゲートバイアス電圧供給回路
２３Ｂ 第２ゲートバイアス電圧供給回路
２３Ｎ 第ｎゲートバイアス電圧供給回路
２４ 調光用ディーマー装置
２５ 調光コントローラ
２５Ａ 調光コントローラ
２６ 内光センサ
２７ サーミスタ
２８ ファン
２９ 制御部。
Claims (6)
- 液晶表示パネルのバックライトを複数の冷陰極管で設定し、
該複数の冷陰極管のそれぞれを個々にデューテイ制御して最少輝度と最大輝度の輝度調整を行うようにしたことを特徴とする液晶表示方法。 - 前記複数の冷陰極管が２つの冷陰極管である場合に、両方の冷陰極管をＯＮデューテイ制御したときが最大輝度とし、次に、何れか一方の冷陰極管のＯＮデューテイを少なくして輝度を調整し、次に、該一方の冷陰極管をＯＦＦにして、他方の冷陰極管のＯＮデューテイを最小限に少なくしたときが最少輝度であるように輝度調整する請求項１に記載の液晶表示方法。
- 液晶表示パネルに光を照射する冷陰極管と、
前記冷陰極管を点灯させるための自励式プッシュプル回路と、
前記自励式プッシュプル回路に対して、前記冷陰極管に高圧交流電圧を印加する信号を生成するゲートバイアス電圧供給回路と、
前記ゲートバイアス電圧供給回路にＯＮデューテイの信号を提供するＰＷＭ制御手段と、を具備した液晶表示装置であって、
前記冷陰極管は複数の冷陰極管からなり、該複数の冷陰極管のそれぞれに前記自励式プッシュプル回路、前記ゲートバイアス電圧供給回路、前記ＰＷＭ制御手段を備え、
該それぞれのＰＷＭ制御手段に対して、冷陰極管が放電するための信号を提供する調光用コントローラを備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記複数の冷陰極管が２つの冷陰極管である場合に、前記調光コントローラは２つの冷陰極管を制御するそれぞれのＰＷＭ制御手段がＯＮデューテイの信号を出力して最大輝度となるようにし、次に、何れか一方の冷陰極管のＰＷＭ制御手段に対してＯＮデューテイを少なくして輝度を調整し、次に、該一方の冷陰極管のＰＷＭ制御手段をＯＦＦにして、他方の冷陰極管のＰＷＭ制御手段をＯＮデューテイ制御して最少輝度となるように制御することを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
- 液晶表示パネルに光を照射する冷陰極管と、
前記冷陰極管を点灯させるための自励式プッシュプル回路と,
前記自励式プッシュプル回路に対して、前記冷陰極管に高圧交流電圧を印加する信号を生成するゲートバイアス電圧供給回路と、
前記ゲートバイアス電圧供給回路にＯＮデューテイの信号を提供するＰＷＭ制御手段と、を具備した液晶表示装置であって、
前記ＰＷＭ制御手段は、前記冷陰極管に設定した内光センサからの輝度データに基づいてＯＮデューテイの信号を制御するようにしたことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記請求項５に記載の液晶表示装置は、更に、冷陰極管の温度を計測するサーミスタを備え、該サーミスタからの温度データに基づいて、冷陰極管を冷却するファンを制御する制御手段を備えたことを特徴とする液晶表示装置。
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