JP2006190927A - ウエハのダイシング方法および該方法を用いた液体吐出ヘッドの製造方法 - Google Patents
ウエハのダイシング方法および該方法を用いた液体吐出ヘッドの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006190927A JP2006190927A JP2005117693A JP2005117693A JP2006190927A JP 2006190927 A JP2006190927 A JP 2006190927A JP 2005117693 A JP2005117693 A JP 2005117693A JP 2005117693 A JP2005117693 A JP 2005117693A JP 2006190927 A JP2006190927 A JP 2006190927A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- dicing
- supply port
- opening
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 79
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 132
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 132
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 claims description 31
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 claims description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 12
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 claims 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 abstract description 62
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 24
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 23
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 26
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 14
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 14
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 12
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 10
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000009849 deactivation Effects 0.000 description 5
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 5
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000000861 blow drying Methods 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010828 elution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 239000003522 acrylic cement Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000001029 thermal curing Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1603—Production of bubble jet print heads of the front shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1632—Manufacturing processes machining
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
- Y10S438/976—Temporary protective layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
- Y10T156/1062—Prior to assembly
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
- Y10T156/1062—Prior to assembly
- Y10T156/1064—Partial cutting [e.g., grooving or incising]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
- Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
- Y10T156/1082—Partial cutting bonded sandwich [e.g., grooving or incising]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
- Y10T156/11—Methods of delaminating, per se; i.e., separating at bonding face
- Y10T156/1153—Temperature change for delamination [e.g., heating during delaminating, etc.]
- Y10T156/1158—Electromagnetic radiation applied to work for delamination [e.g., microwave, uv, ir, etc.]
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Dicing (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Abstract
【解決手段】インク供給口3が開口するウエハ1の裏面にダイシングテープ10を貼ってダイシングする。ダイシングブレードBによるダイシングの前に、遮光マスクMを介して、ウエハ1のインク供給口3に露出する部位におけるダイシングテープ10の粘着性を選択的に低下させる処理を行い、粘着力が低下した粘着層12aを形成しておく。ダイシング中にノズル層2のオリフィスからインク供給口3に侵入した切削水Wやエアーブロー等による衝撃が与えられても、粘着層12aの剥離によって発生する粒子は粘着性が低下しているため、オリフィス詰り等のトラブルを生じない。
【選択図】図1
Description
X2=X1+0.1(μm)
Y2=Y1+0.1(μm)
E>C
前述の実施例1〜4の各実施例において図面等を用いて説明した種々の構成は、例えば、ウエハと遮光マスクとの位置合わせ精度が所望の精度でないときには、遮光マスクの透光パターンの寸法をインク供給口の開口の寸法より大きくする構成を採用し、パターン太りの影響を抑えたいときには、遮光マスクの透光パターンの寸法をインク供給口の開口の寸法より小さくする構成を採用する等のように、実際の実施の状況に応じ、適宜組み合わせることによっても前述した所望の効果を得ることができる。
1a 素子部
1b ダイシングストリート
3 インク供給口
10 ダイシングテープ
11 基材
12 粘着剤
12a、12b 粘着性を低減した粘着層
13a、13b 素子基板
15 フレキシブル基板
Claims (20)
- ウエハ面に開口部が形成された当該ウエハをダイシングストリートに沿って切断するウエハのダイシング方法において、
前記開口部が形成された前記ウエハ面に、ダイシングテープの粘着性を有する部位が露出して前記開口部を覆うように、当該ダイシングテープを貼着する工程と、
前記ダイシングテープの前記部位の粘着性を低下させる処理工程と、を有することを特徴とするウエハのダイシング方法。 - 前記開口部は、前記ウエハの一方の面に設けられ、他方の面に前記開口部と連通して設けられた液体吐出用のオリフィスへ液体を供給する液体供給口であることを特徴とする請求項1記載のウエハのダイシング方法。
- 前記ダイシングテープは光硬化型の粘着剤を有し、前記ウエハに対して前記ダイシングテープが貼着された側から透光パターンを有する遮光マスクを介して光を照射することによって、前記粘着剤の粘着性を選択的に低下させることを特徴とする請求項1記載のウエハのダイシング方法。
- 前記透光パターンは、更にその内側に遮光パターンを有することを特徴とする請求項3記載のウエハのダイシング方法。
- 前記遮光マスクの透光パターンは、当該透光パターンを透過する光を減光透過することを特徴とする請求項3記載のウエハのダイシング方法。
- 前記遮光マスクは、前記開口部の寸法より小さい寸法の透光パターンを有することを特徴とする請求項3記載のウエハのダイシング方法。
- 前記遮光マスクは位置合わせ用の開口を有し、前記ウエハの前記開口部と一致させることで前記遮光マスクと前記ウエハとの位置合わせを行うことを特徴とする請求項3記載のウエハのダイシング方法。
- 前記ウエハの前記開口部は3つが並列して設けられ、その3つのうちの中央にある前記開口部と前記遮光マスクの位置合わせ用の前記開口とを一致させることで前記遮光マスクと前記ウエハとの位置合わせを行うことを特徴とする請求項7記載のウエハのダイシング方法。
- 前記光硬化型の粘着剤は、前記光として紫外線の照射を受けて硬化することを特徴とする請求項3記載のウエハのダイシング方法。
- 前記ダイシングテープは熱硬化型の粘着剤を有し、前記ウエハに対して前記ダイシングテープが貼着された側から熱線を照射することによって、前記粘着剤の粘着性を選択的に低下させることを特徴とする請求項1記載のウエハのダイシング方法。
- ウエハ面に開口部が形成された当該ウエハをダイシングストリートに沿って切断するウエハのダイシング方法において、
前記開口部が形成された前記ウエハ面に、ダイシングテープの粘着性を有する所定の部位が露出して前記開口部を覆うように、当該ダイシングテープを貼着する工程と、
前記開口部を露出して覆う前記ダイシングテープの前記所定の部位の粘着性と、前記ダイシングストリートに対応する前記ダイシングテープの別の部位の粘着性とを低下させる処理工程と、を有し、前記処理工程は、前記別の部位の粘着性を前記所定の部位の粘着性よりも低下させることを特徴とするウエハのダイシング方法。 - 前記開口部は、前記ウエハの一方の面に設けられ、他方の面に前記開口部と連通して設けられた液体吐出用のオリフィスへ液体を供給する液体供給口であることを特徴とする請求項11記載のウエハのダイシング方法。
- 前記ダイシングテープは光硬化型の粘着剤を有し、前記ウエハに対して前記ダイシングテープが貼着された側から透光パターンを有する遮光マスクを介して光を照射することによって、前記粘着剤の粘着性を選択的に低下させることを特徴とする請求項11記載のウエハのダイシング方法。
- 前記ダイシングテープの前記ダイシングストリートに対応して粘着性を低下させる領域の幅を、前記ダイシングストリートの切断幅より広くすることを特徴とする請求項13記載のウエハのダイシング方法。
- 前記開口部は前記ウエハの一方の面に設けられており、当該開口部から他方の面に設けられた液体吐出用のオリフィスへ液体を供給する液体供給口であって、前記一方の面側から前記他方の面側へ向けて先細くなる四角錘台の形状を有する内部空間に連通することを特徴とする請求項13記載のウエハのダイシング方法。
- 前記遮光マスクは、前記ダイシングストリートに隣接して延在する透光パターンの長辺の位置を対応する前記開口部の辺の位置より前記ダイシングストリートから離間する方向に偏移した形状を有することを特徴とする請求項15記載のウエハのダイシング方法。
- 前記開口部は3つ以上並列して設けられており、当該開口部のそれぞれに対応して並列して設けられた透光パターンは、両端に位置する透光パターンの面積をその両端を除く位置にある透光パターンの面積よりも小さい形状を有することを特徴とする請求項16記載のウエハのダイシング方法。
- ウエハ面に液体供給口が形成された当該ウエハをダイシングストリートに沿って切断するウエハのダイシング方法を用いた液体吐出へッドの製造方法において、
前記液体供給口が形成された前記ウエハ面に、ダイシングテープの粘着性を有する部位が露出して前記液体供給口を覆うように、当該ダイシングテープを貼着する工程と、
前記ダイシングテープの前記部位の粘着性を低下させる処理工程と、
前記ダイシングストリートに沿って前記ウエハを切断して得られた素子基板に電気接続部材を接続する工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 - ウエハ面に液体供給口が形成された当該ウエハをダイシングストリートに沿って切断するウエハのダイシング方法を用いた液体吐出へッドの製造方法において、
前記液体供給口が形成された前記ウエハ面に、ダイシングテープの粘着性を有する所定の部位が露出して前記液体供給口を覆うように、当該ダイシングテープを貼着する工程と、
前記液体供給口を露出して覆う前記ダイシングテープの前記所定の部位の粘着性と、前記ダイシングストリートに対応する前記ダイシングテープの別の部位の粘着性とを低下させる処理工程と、
前記ダイシングストリートに沿って前記ウエハを切断して得られた素子基板に電気接続部材を接続する工程と、を有し、前記処理工程は、前記ダイシングテープの前記別の部位の粘着性を前記所定の部位の粘着性よりも低下させることを特徴とする液体吐出ヘッドの製造方法。 - ウエハ面に液体供給口が形成された当該ウエハをダイシングストリートに沿って切断するウエハのダイシング方法を用いて製造された液体吐出へッドにおいて、前記ウエハのダイシング方法が、
前記液体供給口が形成された前記ウエハ面に、ダイシングテープの粘着性を有する部位が露出して前記液体供給口を覆うように、当該ダイシングテープを貼着する工程と、
前記ダイシングテープの前記部位の粘着性を低下させる処理工程と、を有することを特徴とする液体吐出ヘッド。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005117693A JP4208856B2 (ja) | 2004-04-28 | 2005-04-15 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
US11/113,665 US7569118B2 (en) | 2004-04-28 | 2005-04-25 | Method for dicing wafer and process for manufacturing liquid-discharging head using the dicing method |
US12/469,405 US7837820B2 (en) | 2004-04-28 | 2009-05-20 | Method for dicing wafer and process for manufacturing liquid-discharging head using the dicing method |
US12/904,023 US20110027970A1 (en) | 2004-04-28 | 2010-10-13 | Method for dicing wafer and process for manufacturing liquid-discharging head using the dicing method |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004132415 | 2004-04-28 | ||
JP2004135193 | 2004-04-30 | ||
JP2004353693 | 2004-12-07 | ||
JP2004353694 | 2004-12-07 | ||
JP2005117693A JP4208856B2 (ja) | 2004-04-28 | 2005-04-15 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006190927A true JP2006190927A (ja) | 2006-07-20 |
JP4208856B2 JP4208856B2 (ja) | 2009-01-14 |
Family
ID=35185874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005117693A Expired - Fee Related JP4208856B2 (ja) | 2004-04-28 | 2005-04-15 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US7569118B2 (ja) |
JP (1) | JP4208856B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013084794A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Tdk Corp | チップ部品支持装置及びその製造方法 |
JP2014189564A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Lintec Corp | 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法 |
KR20210154962A (ko) | 2019-04-11 | 2021-12-21 | 가와사끼가세이고오교 가부시끼가이샤 | 광 라디칼 경화 산소 저해 저감제, 광 라디칼 경화 산소 저해 저감제를 함유하는 광 라디칼 중합성 조성물 및 광 라디칼 경화 산소 저해 저감제를 함유하는 도막 그리고 그 경화 방법 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4208856B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
TWI250629B (en) * | 2005-01-12 | 2006-03-01 | Ind Tech Res Inst | Electronic package and fabricating method thereof |
US7835001B2 (en) * | 2006-05-24 | 2010-11-16 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of aligning a substrate, mask to be aligned with the same, and flat panel display apparatus using the same |
JP5054954B2 (ja) * | 2006-09-22 | 2012-10-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
KR101759347B1 (ko) * | 2010-12-14 | 2017-08-01 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 증착용 마스크 프레임 조립체 및 그 제조방법 |
JP6118404B2 (ja) * | 2013-05-31 | 2017-04-19 | 三井化学東セロ株式会社 | 電子部材の剥離方法 |
US9701119B2 (en) | 2014-06-12 | 2017-07-11 | Funai Electric Co., Ltd. | Fluid ejection chip including hydrophilic and hydrophopic surfaces and methods of forming the same |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6279649A (ja) | 1985-10-03 | 1987-04-13 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 半導体ダイシング方法 |
DE3620025A1 (de) * | 1986-06-13 | 1987-12-17 | Henkel Kgaa | Verwendung von acylierten 3-amino-1,2,4-triazolen als korrosionsinhibitoren fuer buntmetalle |
GB8730220D0 (en) * | 1987-12-29 | 1988-02-03 | Exxon Chemical Patents Inc | Detergents |
US5362681A (en) * | 1992-07-22 | 1994-11-08 | Anaglog Devices, Inc. | Method for separating circuit dies from a wafer |
JP3097619B2 (ja) * | 1997-10-02 | 2000-10-10 | 日本電気株式会社 | 電界放射冷陰極の製造方法 |
JP3408130B2 (ja) * | 1997-12-19 | 2003-05-19 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッドおよびその製造方法 |
US6271102B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-08-07 | International Business Machines Corporation | Method and system for dicing wafers, and semiconductor structures incorporating the products thereof |
JP2000223446A (ja) | 1998-11-27 | 2000-08-11 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6482778B2 (en) * | 1999-08-11 | 2002-11-19 | Ethyl Corporation | Zinc and phosphorus containing transmission fluids having enhanced performance capabilities |
JP2002043253A (ja) | 2000-07-26 | 2002-02-08 | Nec Corp | 半導体素子のダイシング方法 |
US6946366B2 (en) * | 2000-12-05 | 2005-09-20 | Analog Devices, Inc. | Method and device for protecting micro electromechanical systems structures during dicing of a wafer |
US6893574B2 (en) * | 2001-10-23 | 2005-05-17 | Analog Devices Inc | MEMS capping method and apparatus |
US7329947B2 (en) * | 2003-11-07 | 2008-02-12 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corporation | Heat treatment jig for semiconductor substrate |
JP4208856B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 液体吐出ヘッドの製造方法 |
-
2005
- 2005-04-15 JP JP2005117693A patent/JP4208856B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-04-25 US US11/113,665 patent/US7569118B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2009
- 2009-05-20 US US12/469,405 patent/US7837820B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2010
- 2010-10-13 US US12/904,023 patent/US20110027970A1/en not_active Abandoned
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013084794A (ja) * | 2011-10-11 | 2013-05-09 | Tdk Corp | チップ部品支持装置及びその製造方法 |
JP2014189564A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Lintec Corp | 粘着シートおよび保護膜形成用複合シートならびに保護膜付きチップの製造方法 |
KR20210154962A (ko) | 2019-04-11 | 2021-12-21 | 가와사끼가세이고오교 가부시끼가이샤 | 광 라디칼 경화 산소 저해 저감제, 광 라디칼 경화 산소 저해 저감제를 함유하는 광 라디칼 중합성 조성물 및 광 라디칼 경화 산소 저해 저감제를 함유하는 도막 그리고 그 경화 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4208856B2 (ja) | 2009-01-14 |
US20090242111A1 (en) | 2009-10-01 |
US7837820B2 (en) | 2010-11-23 |
US7569118B2 (en) | 2009-08-04 |
US20050241754A1 (en) | 2005-11-03 |
US20110027970A1 (en) | 2011-02-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4208856B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
JP4613709B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0917752A (ja) | 偏平な被切削物の切断方法及びその装置 | |
JP5881464B2 (ja) | ウェーハのレーザー加工方法 | |
TW201712728A (zh) | 支持體分離裝置及支持體分離方法 | |
JP2006173520A (ja) | レーザ割断方法および該方法により割断可能な被割断部材 | |
EP1329489B1 (en) | Method of preparing a surface for adhesion | |
JP3165192B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JPH08274048A (ja) | チップ部材の製造方法 | |
US11183464B2 (en) | Package substrate processing method and protective tape | |
JP4617150B2 (ja) | ウエハのダイシング方法 | |
JP7171138B2 (ja) | デバイスチップの製造方法 | |
TWI267913B (en) | Wafer dicing method | |
JP4560391B2 (ja) | 液体吐出ヘッドの製造方法 | |
TW201812880A (zh) | 晶圓的加工方法 | |
JP5254733B2 (ja) | ウォータジェット加工方法 | |
KR20210047247A (ko) | 피가공물의 가공 방법 | |
JP2009018336A (ja) | レーザ加工方法 | |
JP2007227769A (ja) | 半導体ウェハのダイシング方法 | |
JP2019149470A (ja) | 剥離方法 | |
JP2000021915A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2021074953A (ja) | 液体吐出ヘッド用チップの製造方法 | |
JP2006229050A (ja) | レーザーダイシングによるウエハの個片化方法 | |
JP4462056B2 (ja) | チップ搭載装置およびチップ搭載方法 | |
JP2016210084A (ja) | インクジェット記録ヘッドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080319 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080325 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080523 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080924 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081021 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4208856 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111031 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121031 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131031 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |