JPH11297644A - ダイシング方法及びダイシング装置 - Google Patents

ダイシング方法及びダイシング装置

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JPH11297644A
JPH11297644A JP10085898A JP10085898A JPH11297644A JP H11297644 A JPH11297644 A JP H11297644A JP 10085898 A JP10085898 A JP 10085898A JP 10085898 A JP10085898 A JP 10085898A JP H11297644 A JPH11297644 A JP H11297644A
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JP
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adhesive tape
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JP10085898A
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Hisahiro Okamoto
九弘 岡本
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Abstract

(57)【要約】 【課題】本発明は光硬化型粘着テープに貼り付けたウェ
ーハをブレードによりダイシングしてフルカットするダ
イシング方法及びダイシング装置に関し、チッビングの
発生防止、及びブレード寿命の長寿命化を図ることを課
題とする。 【解決手段】粘着テープ16に貼り付けたウェーハ15
をブレード12によりダイシングしてフルカットするダ
イシング方法において、ダイシング時にブレード2に対
しUV照射装置11から紫外線照射を行う。そして、こ
の紫外線照射によりブレード12に付着した付着糊19
Aの粘性を低下させ、ブレード12から剥離し易い状態
としつつダイシング処理を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明はダイシング方法及び
ダイシング装置に係り、特に光硬化型粘着テープに貼り
付けたウェーハをブレードによりダイシングしてフルカ
ットするダイシング方法及びダイシング装置に関する。
ウェーハ製造プロセスにおいて、多数の半導体素子が形
成されたウェーハは、ダイシング処理され、これにより
個々の半導体チップが製造される。このダイシング処理
では、ダイシング後に分離された半導体チップが飛散し
ないようウェーハを粘着テープに貼着すると共に、ブレ
ードにより粘着テープまで切り込むことによりフルカッ
トを行う構成としている。
【0002】近年では、半導体装置の低コスト化を図る
ため、半導体製造プロセスの効率化が図られている。よ
ってダイシング処理においても効率の向上を図ることが
望まれている。
【0003】
【従来の技術】図5は、従来のダイシング装置1及びダ
イシング方法を説明するための図である。従来のダイシ
ング装置1は、大略するとブレード2,チャックテーブ
ル3,及び冷却水ノズル4等を具備した構成とされてい
る。ウェーハ製造工程において複数の半導体チップが形
成されたウェーハ5は、光硬化型の糊材8が塗布された
光硬化型粘着テープ6(以下、粘着テープという)に貼
り付けられた上でダイシング装置1のチャックテーブル
3に装着される。
【0004】この糊材8は紫外線(以下、UVという)
が照射されることにより硬化する性質を有しており、ま
たUV照射前では高い粘着力を有している。また、UV
照射が行われ硬化すると、糊材8の粘着力は急激に低下
する性質を有している。また、ブレード2はダイヤモン
ド砥粒をボンド材で固めた砥石であり、このブレード2
によりウェーハ5はダイシングされ、個々の半導体チッ
プが形成される。また、冷却水ノズル4からは冷却水が
ブレード2に向け噴射され、ダイシング時にブレード2
に発生する熱を冷却する構成とされている。
【0005】上記構成とされたダイシング装置1により
ウェーハ5に対しダイシングを行うには、ブレード2を
図中反時計方向に所定の回転数で回転させると共に、チ
ャックテーブル3を図中右方向に移動させる。この際、
チャックテーブル3の移動位置は、ウェーハ5の所定ダ
イシング位置に高精度に位置決めされている。これによ
り、ブレード2はウェーハ5をダイシングするが、この
際、ブレード2は粘着テープ6に配設された糊材8に3
0μm程度切り込むよう構成されており、よってウェー
ハ5は完全に切断(フルカット)され個々の半導体チッ
プに個片化される構成となっている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記のように、ウェー
ハ5をフルカットするには、ブレード2が粘着テープ6
の糊材8まで切り込む必要がある。しかるに、ブレード
2が糊材8まで切り込むと、切り込んだ部分の糊材8が
ブレード2のダイヤモンド砥粒の表面、及びダイヤモン
ド砥粒を結合させているボンド材の表面に付着してしま
う(以下、このブレード2に付着する糊材8を特に付着
糊9という)。
【0007】従来では、ダイシング処理はUV照射を行
わないで実施する構成であったため、付着糊9(糊材
8)は高い粘着力を維持している。よって、ダイシング
処理を行うことにより糊材8はブレード2に漸次付着
し、ブレード2に目詰まりが発生してしまう。このた
め、糊材8までブレード2が切り込まないセミフルカッ
ト(ウェーハを10〜50μm程度残すダイシング)に
比べ、糊材8までブレード2が達するフルカットした場
合には、ブレード2の寿命が1/7〜1/10程度に短
くなってしまう(短寿命)という問題点があった。ま
た、ブレード2が付着糊9により目詰まりすることによ
り切削性が低下し、切断された半導体チップ表面及び裏
面のチッビング(不定型破断)が大きくなるという問題
点があった。
【0008】本発明は上記の点に鑑みてなされたもので
あり、チッビングの発生を防止しうると共にブレードの
寿命を長寿命化しうるダイシング方法を提供することを
目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記の課題は、次に述べ
る手段を講じることにより解決することができる。請求
項1記載の発明では、光硬化型粘着テープに貼り付けた
ウェーハをブレードによりダイシングしてフルカットす
るダイシング方法において、ダイシング時に前記ブレー
ドに対し紫外線照射を行い、前記光硬化型粘着テープか
ら前記ブレードに付着する光硬化型の糊を、前記紫外線
照射により光硬化させつつダイシングを行うことを特徴
とするものである。
【0010】また、請求項2記載の発明では、前記請求
項1記載のダイシング方法において、前記外線照射によ
り光硬化された光硬化型の糊を、前記ブレードにかけら
れる水により除去することを特徴とするものである。更
に、請求項3記載の発明では、光硬化型粘着テープに貼
り付けたウェーハをダイシングしてフルカットするブレ
ードを具備してなるダイシング方法において、前記光硬
化型粘着テープから前記ブレードに付着する光硬化型の
糊に対し、紫外線照射を行う紫外線照射装置を設けたこ
とを特徴とするものである。
【0011】上記した各手段は、次のように作用する。
請求項1及び請求項2記載の発明によれば、ダイシング
時にブレードに対し紫外線照射を行い、光硬化型粘着テ
ープからブレードに付着する光硬化型の糊を紫外線照射
により光硬化させつつダイシングを行うことにより、光
硬化することにより糊の粘着力は低下する。このため、
光硬化した糊は容易にブレードから離脱し、よってブレ
ードに目詰まりが発生することを防止でき、ブレードの
寿命を長くすることができる。
【0012】また、ブレードが長寿命化することによ
り、ブレードの交換回数を低減することができるため、
ダイシング装置の稼働時間を長くすることができ、効率
の高いダイシング処理を行うことが可能となる。また、
請求項2記載の発明によれば、紫外線照射により光硬化
された光硬化型の糊を、ブレードにかけられる水により
除去することにより、光硬化された糊は強制的に除去さ
れる。このため、光硬化した糊を確実にブレードから除
去することができ、ブレードの長寿命化をより確実に図
ることができる。
【0013】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図1は本発明の一実施例である
ダイシング装置10のダイシング部23を拡大して示す
図であり、図2はダイシングされるウェーハ15を示す
図であり、図3はダイシング装置10を含む半導体製造
装置の構成図である。
【0014】ウェーハ15に対するダイシング処理は、
ウェーハ15を光硬化型粘着テープ16(以下、単に粘
着テープ16という)に貼着した状態で行われる。これ
は、ブレード12を用いてダイシング処理を行い、ウェ
ーハ15を個々の半導体チップ20に個片化する際、ブ
レード12の回転により個片化した半導体チップ20が
飛散するのを防止するためである。
【0015】図2は、粘着テープ16に貼着されたウェ
ーハ15を示している。所定の処理が行われることによ
り回路形成されたウェーハ15は、これを保持するため
のウェーハリング21に粘着テープ16を用いて固定さ
れる。この粘着テープ16は、ベースフィルム16Aに
紫外線(以下、UVという)を照射することにより硬化
する光硬化型の糊材18を所定の膜厚で塗布した構成と
されている。この糊材8は、UV照射前では高い粘着力
を有しているが、UV照射が行われ硬化するとその粘着
力が急激に低下する性質を有している(UV照射前に比
べて1/50程度まで低下する)。ウェーハ15は、こ
の糊材8の粘着力によりベースフィルム16Aに固定さ
れた構成とされている。
【0016】また、上記のように粘着テープ16は、例
えば金属製のウェーハリング21にその外周を固定され
ているため、ウェーハ15のハンドリングはこのウェー
ハリング21を介して行うことができ、ハンドリング時
におけるウェーハ15の損傷防止を図れると共に取扱い
の容易化を図ることができる。続いて、ダイシング装置
10及びダイシング方法について説明するが、説明の便
宜上、ダイシング装置10及びダイシング方法について
説明に先立ち、このダイシング装置10を有した半導体
製造装置23の構成について説明する。
【0017】図3は、半導体製造装置23の概略構成図
である。尚、同図ではダイシング処理から半導体チップ
20を粘着テープ16から剥離するチップ剥離処理まで
の各装置10,24〜26を示している。ローダ22
は、ウェーハ15を保持したウェーハリング21を所定
数収納するものである。このローダ22に収納されたウ
ェーハリング21は、先ず図示しないハンドリング装置
によりダイシング装置10に供給される。
【0018】ダイシング装置10は、ブレード12によ
りウェーハ15を所定位置で切断し、個々の半導体チッ
プ20に分離するダイシング処理を行う。このダイシン
グ処理は、ウェーハ15を粘着テープ16に粘着した状
態で実施される。尚、このダイシング装置10の詳細構
成及びダイシング方法については、説明の便宜上、後述
するものとする。
【0019】ダイシング装置10により、ウェーハ15
が複数の半導体チップ20に個片化されると、続いてウ
ェーハリング21は洗浄装置24に搬送される。この洗
浄装置24は、ダイシング処理で発生した切り屑を洗浄
により除去するものであり、スピナ34上で洗浄液を供
給しながら回転させることにより切り屑の洗浄を行う構
成とされている。
【0020】洗浄装置24による洗浄処理が終了する
と、続いてウェーハリング21は糊材硬化装置25に搬
送される。この糊材硬化装置部25はUVランプ35を
有しており、粘着テープ16に配設されている糊材18
に向けUVを照射する構成とされている。糊材18はU
V照射が行われることにより硬化し、前記したようにそ
の粘着力は低下する。よって、このUV照射処理が実施
される前におていは、ウェーハ15(半導体チップ2
0)は粘着テープ16に強固に粘着されておりその飛散
が防止され、一方、UV照射処理が実施された後におい
ては半導体チップ20は粘着テープ16から剥がれ易い
状態となる。
【0021】糊材硬化装置25による糊材硬化処理が終
了すると、続いてウェーハリング21はチップ剥離装置
26に搬送される。チップ剥離装置26は、図4に示す
ように、上下動するピンホルダ30及びコレット32を
有している。ピンホルダ30は、ピンマウント30aに
複数のピン31を立設した構成とされている。そして、
ピンホルダ30が上動することにより、複数のピン31
は粘着テープ16を破り半導体チップ20を上動付勢す
る。
【0022】前記したように、糊材硬化装置25におい
て糊材18の粘着力は弱まっており、ピン31が半導体
チップ20を上動付勢することにより、半導体チップ2
0は粘着テープ16から離間する。そして、この粘着テ
ープ16から離間した半導体チップ20は、吸引装置に
接続されたコレット32に吸引され、アンローダ27に
収納される。
【0023】続いて、図1を用いて本実施例の要部とな
るダイシング装置10及びダイシング方法について説明
する。ダイシング装置10は、大略するとブレード1
2,チャックテーブル13,冷却水ノズル14,及び紫
外線照射装置11(以下、UV照射装置11という)等
を具備した構成とされている。
【0024】ブレード12はダイヤモンド砥粒をボンド
材で固めた砥石であり、このブレード12が回転し所定
切断位置を研削することによりウェーハ15はダイシン
グされ、個々の半導体チップが形成される。また、チャ
ックテーブル13は、ウェーハリング21をチャッキン
グすることによりウェーハ15を固定するものであり、
ウェーハ15の面方向にこれを移動しうる構成されてい
る。このように、チャックテーブル13が移動すること
により、ブレード12とウェーハ15の所定切断位置と
を位置決めすることが可能となる。
【0025】また、冷却水ノズル14はブレード12が
ウェーハ15に切り込む側(図中、ブレード12に対し
左側)に配設されており、この冷却水ノズル14からは
冷却水14Aがブレード12に向け噴射される構成とさ
れている。このように、ブレード12に向け冷却水14
Aが噴射されることにより、ダイシング時にブレード1
2に発生する熱を冷却することができる。
【0026】UV照射装置11はブレード12がウェー
ハ15から切り抜ける側(図中、ブレード12に対し右
側)に配設されており、ブレード12に向け紫外線(以
下、UV光11Aという)を照射する構成とされてる。
具体的には、UV照射装置11はブレード12に付着す
る付着糊19A(図1に薄い梨地で示す)に向けUV光
11Aを照射する構成とされている。
【0027】次に、上記構成とされたダイシング装置1
0により、ウェーハ15に対しダイシングを行うダイシ
ング方法について説明する。ダイシング装置10を用い
てウェーハ15に対しダイシングを行うには、チャック
テーブル13に上記のようにウェーハ15を装着し、チ
ャックテーブル13を移動させることにより、ブレード
12とウェーハ15上の所定切断位置とを位置決め処理
する。続いて、ブレード12を図中反時計方向に所定の
回転数で回転させ、このブレード12によりウェーハ1
5をダイシング(切断)する。
【0028】本実施例では、ウェーハ15をフルカット
する構成とれており、よってブレード12は粘着テープ
16に配設された糊材18に30μm程度切り込むよう
構成されている。よって、本実施例の構成によっても、
ブレード12が糊材18まで切り込むことにより、糊材
18がブレード12のダイヤモンド砥粒の表面、及びダ
イヤモンド砥粒を結合させているボンド材の表面に付着
してしまう(以下、このブレード12に付着する糊材1
8を特に付着糊19Aという)。このように、ブレード
12に付着糊19Aが付着すると、ブレード12の寿命
が短くなると共にチッビングが発生することは前述した
通りである。
【0029】しかるに、本実施例ではダイシング装置1
0にUV照射装置11が設けられており、ダイシング時
にブレード12に付着した付着糊19Aに対しUV光1
1Aを照射する構成としている。このUV光11Aの照
射により、付着糊19Aの粘着力は約1/50程度まで
低下する。尚、以下、UV光11Aの照射により粘着力
が低下した付着糊19Aを硬化後付着糊19B(図中、
濃い梨地で示す)という。
【0030】このように付着糊19Aを硬化させて硬化
後付着糊19Bを生成するには、UV光11Aをブレー
ド12の付着糊19Aが付着する部分(約、1mm×1
mm程度の面積)に400mJ前後の積算光量で照射す
ればよい。このためには、集光することにより400m
W/cm程度の照度とされたUV光11Aをブレード1
2に約1秒間照射すればよい。
【0031】このように生成された硬化後付着糊19B
は、粘着力が低下しているためブレード12から剥がれ
易い状態となっている。よって、この硬化後付着糊19
Bはブレード12の回転による遠心力、及び冷却ノズル
14から噴射される冷却水14Aに付勢されることによ
り、剥離糊片17となってブレード12から剥離してゆ
く。
【0032】通常、ダイシング時間はウェーハ1枚あた
り約1〜10分程度である。この時間内に従来のように
UV照射を行わないと付着糊が付着しつづけるのに対
し、本実施例では少なくとも1秒毎に付着糊19Aが硬
化後付着糊19Bに変化して剥離されることとなるた
め、付着糊19Aがブレード12に残存することを確実
に防止することがてきる。
【0033】これにより、ブレード12に目詰まりが発
生することが防止でき、ブレード12の寿命を長くする
ことができる。また、ブレード12が長寿命化すること
により、ブレード12の交換頻度を低減することができ
ブレード交換に要する時間の短縮を図ることができる。
よって、ダイシング装置10の稼働時間を長くすること
ができ、効率の高いダイシング処理を行うことが可能と
なる。
【0034】また、本実施例では、硬化後付着糊19B
をブレード12から除去するのに、ブレード12の回転
による遠心力ばかりでなく、冷却ノズル14から噴射さ
れる冷却水14Aにより強制的に除去する構成としてい
る。このため、硬化後付着糊19Bをより確実にブレー
ド12から除去することができ、ブレード12の長寿命
化をより確実に図ることができる。
【0035】尚、ブレード12に対する付着糊19Aの
付着を防止する方法としては、ダイシング処理前に、図
3を用いて説明した糊材硬化装置25による糊材硬化処
理を行い、粘着テープ16に配設された糊材18の粘着
力を低下させた上で、ダイシング処理を行う方法が考え
られる。しかるに、この方法を採用した場合、ダイシン
グ処理時にはウェーハ15と粘着テープ16との粘着力
は低下しているため、ブレード12の回転力により切断
された半導体チップ30が粘着テープ16から飛散して
しまう(いわゆる、チップ飛び)ことが発生する。よっ
て、ダイシング処理前に糊材18に向けUV照射を行う
方法は、有効な処理方法であるとは言えない。
【0036】これに対し本実施例の方法によれば、ダイ
シング処理後に付着糊19Aに向けUV照射を行う構成
であるため、チップ飛びが発生することはなく、かつブ
レード12に付着糊19Aが付着することを防止するこ
とができる。尚、本実施例におていは、糊材18として
紫外線(UV)を照射されることにより硬化する紫外線
硬化型の糊材を用いた例を示したが、糊材として熱硬化
型樹脂を用いることも可能である。この際、糊材を硬化
させるには(粘着力を低下させるには)、ブレード12
の付着糊19Aが付着する部位に熱を印加してやればよ
い。
【0037】
【発明の効果】上述したように本発明によれば、下記の
種々の効果を実現することができる。請求項1及び請求
項2記載の発明によれば、光硬化型粘着テープからブレ
ードに付着する光硬化型の糊を紫外線照射により光硬化
させつつダイシングを行うことにより、光硬化すること
により糊の粘着力は低下するため容易にブレードから離
脱し、よってブレードに目詰まりが発生することを防止
でき、ブレードの寿命を長くすることができる。
【0038】また、ブレードが長寿命化することによ
り、ブレードの交換回数を低減することができるため、
ダイシング装置の稼働時間を長くすることができ、効率
の高いダイシング処理を行うことが可能となる。また、
請求項2記載の発明によれば、光硬化された糊をブレー
ドにかけられる水により除去することにより、光硬化さ
れた糊は強制的に除去され、よってブレードの長寿命化
をより確実に図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例であるダイシング装置及びダ
イシング方法を説明するための図である。
【図2】ウェーハリングに装着された状態のウェーハを
示す図である。
【図3】ダイシング装置を含む半導体製造装置の構成図
である。
【図4】チップ剥離処理を説明するための図である。
【図5】従来の一例であるダイシング装置及びダイシン
グ方法を説明するための図である。
【符号の説明】
10 ダイシング装置 11 UV照射装置 11A UV光 12 ブレード 13 チャックテーブル 14 冷却ノズル 14A 冷却水 15 ウェーハ 16 粘着テープ 17 剥離糊片 18 糊材 19A 付着糊 19B 硬化後付着糊 20 半導体チップ 23 半導体製造装置 24 洗浄装置 25 糊材硬化装置 26 チップ剥離装置 35 UVランプ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光硬化型粘着テープに貼り付けたウェー
    ハをブレードによりダイシングしてフルカットするダイ
    シング方法において、 ダイシング時に前記ブレードに対し紫外線照射を行い、 前記光硬化型粘着テープから前記ブレードに付着する光
    硬化型の糊を、前記紫外線照射により光硬化させつつダ
    イシングを行うことを特徴とするダイシング方法。
  2. 【請求項2】 請求項1記載のダイシング方法におい
    て、 前記紫外線照射により光硬化された光硬化型の糊を、前
    記ブレードにかけられる水により除去することを特徴と
    するダイシング方法。
  3. 【請求項3】 光硬化型粘着テープに貼り付けたウェー
    ハをダイシングしてフルカットするブレードを具備して
    なるダイシング方法において、 前記光硬化型粘着テープから前記ブレードに付着する光
    硬化型の糊に対し、紫外線照射を行う紫外線照射装置を
    設けたことを特徴とするダイシング装置。
JP10085898A 1998-04-13 1998-04-13 ダイシング方法及びダイシング装置 Withdrawn JPH11297644A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7998793B2 (en) 2004-07-22 2011-08-16 Renesas Electronics Corporation Light illumination during wafer dicing to prevent aluminum corrosion

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