JP2006186272A - サーミスタ - Google Patents
サーミスタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006186272A JP2006186272A JP2004381183A JP2004381183A JP2006186272A JP 2006186272 A JP2006186272 A JP 2006186272A JP 2004381183 A JP2004381183 A JP 2004381183A JP 2004381183 A JP2004381183 A JP 2004381183A JP 2006186272 A JP2006186272 A JP 2006186272A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermistor
- particle size
- conductive particles
- resin composition
- particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
- H01C7/027—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient consisting of conducting or semi-conducting material dispersed in a non-conductive organic material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Measuring Temperature Or Quantity Of Heat (AREA)
Abstract
【課題】 初期の室温抵抗値が十分に低く、更に、熱履歴を受けた後であっても低い室温抵抗値を維持することが可能なサーミスタを提供すること。
【解決手段】 対向する1対の電極2,3と、当該1対の電極間2,3に配置され熱硬化性樹脂及び導電性粒子を含有する硬化性樹脂組成物の硬化物を含んだサーミスタ素体層1と、を備え、導電性粒子の2次粒子の平均粒径が3.8〜17.0μmである、サーミスタ10。
【選択図】 図1
【解決手段】 対向する1対の電極2,3と、当該1対の電極間2,3に配置され熱硬化性樹脂及び導電性粒子を含有する硬化性樹脂組成物の硬化物を含んだサーミスタ素体層1と、を備え、導電性粒子の2次粒子の平均粒径が3.8〜17.0μmである、サーミスタ10。
【選択図】 図1
Description
本発明は、有機系の材料をサーミスタ素体として用いたサーミスタに関する。
ポリマー層及びこれに分散した導電性粒子で構成される材料をサーミスタ素体として用いたサーミスタは、一般に、有機質サーミスタ等と称されるものであり、特に、温度上昇とともに抵抗値が急激に増大するPTC(Positive Temperature Coefficient:正の温度係数)特性を有するものは、有機質正特性サーミスタと称される場合がある。このようなサーミスタは、過電流・加熱保護素子、自己制御型発熱体、温度センサー等のデバイスに用いられる。
有機質サーミスタとしては、例えば、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂に導電性粒子を分散させた材料をサーミスタ素体として用いたものが提案されている(特許文献1)。
国際公開第2004/086421号パンフレット
しかしながら、従来の有機質サーミスタは、室温抵抗値が必ずしも十分に低いものではなく、この点で更なる改善が求められていた。また、従来の有機質サーミスタは、基板上に実装するためのリフロー工程の際等に受ける熱履歴によって、熱履歴を受ける前よりも室温抵抗値が大きく上昇してしまうという問題もあった。室温抵抗値が高くなると、サーミスタとして機能させること自体が困難となる。
そこで、本発明は、初期の室温抵抗値が十分に低く、更に、熱履歴を受けた後であっても低い室温抵抗値を維持することが可能なサーミスタを提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するべく鋭意検討し、導電性粒子として、2次粒子の累積50%粒径が特定範囲にあるものを用いることによって、サーミスタの初期の室温抵抗値が十分に低くなるととともに、熱履歴を受けた後の室温抵抗値も低く維持されることを見出した。そして、この知見を基にさらに検討を行った結果、本発明の完成に至った。
すなわち、本発明は、対向する1対の電極と、当該1対の電極間に配置され熱硬化性樹脂及び導電性粒子を含有する硬化性樹脂組成物の硬化物を含んだサーミスタ素体層と、を備え、導電性粒子の2次粒子の累積50%粒径が3.8〜17.0μmである、サーミスタである。
本発明のサーミスタは、2次粒子の累積50%粒径が上記特定範囲となるような2次粒子の粒径を有する導電性粒子を用いていることによって、初期の室温抵抗値が十分に低く、更に、熱履歴を受けた後であっても低い室温抵抗値を維持することが可能である。
更に、導電性粒子は、2次粒子の累積50%粒径及び累積10%粒径をそれぞれD50及びD10としたときに、D50/D10が2.5〜6.5であることが好ましい。
D50/D10の値は、導電性粒子の粒径の分布状態を反映する。すなわち、例えばD50が一定として比較すると、D50/D10の値が大きくなるにつれて、粒径の分布がよりシャープとなり、D50近傍の粒径を有する粒子の割合がより大きくなる。このD50/D10の値を指標として、導電性粒子の2次粒子の粒径の分布状態を制御することにより、初期及び熱履歴を受けた後の室温抵抗値をより一層低くすることができる。
本発明のサーミスタにおけるサーミスタ素体層の厚さは、0.2〜1.0mmであることが好ましい。上記特定範囲内のD50を有する導電性粒子を用いたときに、サーミスタ素体層の厚みをこのような特定範囲とすると、サーミスタの室温抵抗値のばらつきが抑制される効果が得られることを、本発明者らは見出した。
本発明によれば、初期の室温抵抗値が十分に低く、更に、熱履歴を受けた後であっても低い室温抵抗値を維持することが可能なサーミスタが提供される。
以下に、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
図1は、本発明によるサーミスタの好適な一実施形態を模式的に示す斜視図である。図1に示すサーミスタ10は、互いに対向するように配置された1対の電極2及び電極3と、電極2及び電極3の間においてそれぞれの電極に密着して設けられ正の抵抗−温度特性を有するサーミスタ素体からなるサーミスタ素体層1と、から構成され、全体として略直方体状をなしている。サーミスタ10には、必要に応じて、電極2に電気的に接続されたリード(図示せず)と、電極3に電気的に接続されたリード(図示せず)とが更に設けられてもよい。このサーミスタ10は、過電流・加熱保護素子、自己制御型発熱体、温度センサ等として好適に用いることができる。
電極2及び電極3は、サーミスタの電極として機能する導電性の材料で形成されている。電極2及び電極3を構成する材料としては、ニッケル、銀、金、アルミニウム等の金属や、炭素からなることが好ましい。また、その厚さは1〜100μmであることが好ましく、サーミスタの軽量化の点からは、1〜50μmであることがより好ましい。また、リードは、それぞれ電極2及び電極3から外部に電荷を放出又は注入することが可能な電気伝導性を有していれば、その形状や材質について特に限定されない。
サーミスタ素体層1の厚さは、0.2〜1.0mmであることが好ましく、0.2〜0.9mmであることがより好ましく、0.2〜0.7mmであることが更に好ましい。サーミスタ素体層1の厚さが0.2mm未満であるか又は1.0mmを超えると、室温抵抗値のばらつきが大きくなる傾向にある。また、サーミスタ素体層1の厚さが0.2mm未満であると、ショートが発生して正常な室温抵抗値が得られなくなる傾向にある。
サーミスタ素体層1を形成しているサーミスタ素体は、熱硬化性樹脂及びこれに分散している導電性粒子を含有する硬化性樹脂組成物の硬化物で構成されている。サーミスタ素体中の導電性粒子の2次粒子の累積50%粒径(以下「D50」という。)は、3.8〜17μmである。このD50は、6.75〜17.0μmであることがより好ましい。
導電性粒子のD50は、導電性粒子の2次粒子の粒径を測定し、縦軸を粒子全体に対する体積%、横軸を粒径とする累積粒度分布曲線を得、この累積粒度分布曲線に基づいて求められる。すなわち、本発明において、D50は、2次粒子の累積粒度分布曲線において縦軸が50体積%となるときの横軸の値(粒径)を意味する。なお、後述する累積10%粒径(以下「D10」という。)も同様に、累積粒度分布曲線において縦軸が10体積%となるときの横軸の値(粒径)を意味する。
導電性粒子の2次粒子の粒径は、例えば、レーザ回析法によって測定することができる。レーザ回析法は、試料にレーザを照射したときの回析光及び散乱光の空間的な分布に基づいて粒度分布を求める粒径測定方法であり、レーザ回析散乱法と称される場合もある。このレーザ回析法により測定される粒径は、通常、導電性粒子の1次粒子の複数が凝集して形成された2次粒子の粒径とみなすことができる。
このように、導電性粒子の2次粒子の粒径に着目し、これが特定の範囲となるように制御することにより、サーミスタの初期及び熱履歴を受けた後の室温抵抗値が改善されることを本発明者らは見出した。
さらに、導電性粒子においては、D50/D10が2.5〜6.5であることが好ましく、3.4〜6.5であることがより好ましい。D50/D10が2.5に満たないと、導電性粒子中の微細な粒径を有する成分の割合が大きくなるために、特に熱履歴を受けた後の室温抵抗値が上昇する傾向にある。一方、D50/D10が6.5を超えた場合には、粗大な粒子の割合が大きくなるために、樹脂との混練が不十分となって、サーミスタとして成形できなくなる傾向にある。
一般に、市販品等として入手可能な導電性粒子は大きな2次粒子を含んでいるため、そのD50は上記特定範囲内にない場合が多い。そこで、本発明に用いる導電性粒子は、例えば、熱硬化性樹脂中に導電性粒子を加えた混合物を、ホモジナイザー等の撹拌機や、分散機、ミル等を用いて高速攪拌することにより調製される。攪拌条件は粒径の変化をモニターしながら攪拌することにより適宜決定すればよいが、例えば、ホモジナイザーを用いる場合、回転数3000〜18000rpmで、3〜120分間攪拌することにより、通常、導電性粒子のD50を上記範囲内とすることができる。なお、D50/D10についても、この値が所望の範囲となるように攪拌手段及び攪拌条件を適宜選択すればよい。攪拌後の混合物を用いて硬化性樹脂組成物を調製し、これを硬化することにより、上記特定範囲のD50を有する導電性粒子を含有する硬化物が形成される。
導電性粒子の1次粒子の平均粒径は、0.1〜7.0μmであることが好ましく、0.5〜5.0μmであることがより好ましい。ここで、1次粒子の平均粒径はフィッシャー・サブシーブ法で測定される値とする。更に、導電性粒子は、比表面積が0.3〜3.0m2/gであって、見かけ密度が3.0g/cm3以下であることがより好ましい。ここで、「比表面積」とは、BET一点法に基づく窒素ガス吸着法により求められる比表面積のことを意味する。
導電性粒子としては、例えば、カーボンブラック、グラファイト、金属粒子、セラミック系導電性粒子を用いることができる。金属粒子の金属材料としては、銅、アルミニウム、ニッケル、タングステン、モリブデン、銀、亜鉛、コバルト、及び銅紛にニッケルめっきを施したもの等が挙げられる。セラミック系導電性粒子の材料としては、TiC及びWC等が挙げられる。これら導電性粒子は、1種類を単独で又は2種類以上を組み合わせて用いることができる。
導電性粒子としては、特に、金属粒子が好ましい。導電性粒子として金属粒子を用いると、サーミスタの抵抗変化率を十分に大きく維持しつつ、室温抵抗値をより低下させることができるため、例えば、本発明のサーミスタを過電流保護素子として用いる場合に好適である。さらに、金属粒子の中でも、酸化され難い等、化学的安定性の観点から、ニッケル粒子が特に好ましい。
導電性粒子の形状は特に限定されず、球状、フレーク状、繊維状及び棒状等が挙げられるが、粒子の表面にスパイク状の突起を有するものが好ましい。スパイク状の突起を有する導電性粒子を用いることにより、隣接する粒子間におけるトンネル電流が流れやすくなるため、サーミスタの抵抗変化率を十分に確保したまま、室温抵抗値をより低くすることができる。また、真球状の粒子に比べて、粒子同士の中心間距離を大きくすることができるため、さらに大きな抵抗変化率を得ることができる。さらに、繊維状の粒子を用いた場合に比べて、サーミスタの室温抵抗値のばらつきを低減することができる。
商業的に入手可能なスパイク状の突起を有する導電性粒子としては、例えば、「INCO Type210」、「INCO Type255」、「INCO Type270」、「INCO Type287」(いずれもINCO社製、商品名)等が挙げられる。
サーミスタ素体層1における導電性粒子の含有割合は、サーミスタ素体層1全体を基準として65〜80質量%であることが好ましい。導電性粒子の含有割合が65質量%未満であると、低い室温抵抗値が得られ難くなる傾向にあり、80質量%を超えると、大きな抵抗変化率を得ることが困難となる傾向にある。
サーミスタ素体層1を構成する硬化物は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フラン樹脂、ポリウレタン樹脂等の架橋性の樹脂と、これらの硬化剤とを含有する熱硬化性樹脂を含有する硬化性樹脂組成物を加熱により硬化させて形成される。なお、この硬化剤は、エポキシ樹脂等の架橋性の樹脂と反応して硬化物中の架橋構造の一部を構成するものであってもよいし、硬化反応の触媒として作用するものであってもよい。あるいは、触媒として作用するとともに架橋構造の一部を構成するものであってもよい。
熱硬化性樹脂としては、特に、エポキシ樹脂及びこれの硬化剤を含有するエポキシ樹脂組成物が好ましい。
本発明においては、エポキシ樹脂は、複数のエポキシ基を有する単一又は複数種のポリエポキシ化合物からなる樹脂のことを意味する。このポリエポキシ化合物としては、例えば、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールAD、カテコール、レゾルシノール及びテトラメチルビフェニル等の多価フェノールのポリグリシジルエーテル、ビスフェノール化合物のアルキレンオキシド付加物、グリセリン及びポリアルキレングリコール等の多価アルコールのポリグリシジルエーテル、フタル酸及びテレフタル酸等のポリカルボン酸のポリグリシジルエステルが挙げられる。
エポキシ樹脂中のポリエポキシ化合物としては、直鎖状の2価の有機基からなるソフトセグメント又は2価の脂環基からなる脂環構造を有するものが好ましい。ソフトセグメントや脂環構造を有するポリエポキシ化合物を用いることによって、熱履歴を受けた後の室温抵抗値を、更に低く維持することが可能になる。
上記ソフトセグメントとしては、ポリオキシアルキレン、ポリアルキレン、ポリシロキサン、脂肪族酸、ポリブタジエン、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体、ポリブチレン等から誘導される直鎖状構造が挙げられる。ポリオキシアルキレンとしては、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロプレン、ポリオキシテトラメチレン等が挙げられ、ポリアルキレンとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン等が挙げられ、ポリシロキサンとしては、ポリジメチルシロキサン等が挙げられる。
ソフトセグメントとしてポリオキシアルキレンから誘導される直鎖構造を有するポリエポキシ化合物としては、ビスフェノール化合物のアルキレンオキシド付加物のポリグリシジルエーテルが好ましい。このようなポリエポキシ化合物の好適な具体例としては、下記一般式(1)又は(2)で表されるものが挙げられる。式(1)及び(2)中、n1、n2、n3及びn4は、それぞれ独立に1以上の整数を示す。n1、n2、n3及びn4は、1〜20であることが好ましい。
その他のソフトセグメントを有するポリエポキシ化合物の好適な例としては、ブタジエン−アクリロニトリル共重合体(アクリロニトリル−ブタジエンゴム)のカルボキシル基とポリエポキシ化合物のエポキシ基との反応等によって得られるゴム変性エポキシ樹脂、末端にエポキシ基を有するエポキシ変性ポリシリコーン、アミノ変性ポリシリコーンとポリエポキシ化合物との反応によって得られるポリエポキシ化合物、ポリウレタンプレポリマー中のイソシアネート基とポリエポキシ化合物中の水酸基との反応によって得られるポリエポキシ化合物等が挙げられる。
脂環構造を有するポリエポキシ化合物において、脂環基は、主として飽和炭化水素で構成される2価の環状構造であり、環を構成する原子として酸素原子、窒素原子及び硫黄原子等の異原子を含むものや、部分的に不飽和結合を有するものも含むこととする。また、この脂環基は置換基を有していてもよい。硬化物の可とう性を大きくするために、この脂環基としては、シクロヘキサン環、シクロペンタン環又はジシクロペンタジエン環からなる2価の基が好ましく、シクロヘキサン環又はシクロペンタン環からなる2価の基が特に好ましい。
脂環構造を有するポリエポキシ化合物の好適な具体例としては、例えば、下記化学式(3)、(4)、(5)、(6)、(7)又は(8)で表されるものが挙げられる。これらの中でも、式(3)、(4)又は(5)で表されるポリエポキシ化合物が特に好ましい。
エポキシ樹脂は、ソフトセグメント又は脂環構造を有するポリエポキシ化合物を、エポキシ樹脂全体のうち3〜100質量%含有することが好ましく、10〜90質量%含有することがより好ましい。
エポキシ樹脂と組み合わせて用いる硬化剤としては、酸無水物、脂肪族ポリアミン、芳香族ポリアミン、ポリアミド、ポリフェノール、ポリメルカプタン、第三アミン及びルイス酸錯体等が挙げられる。これらの中でも、酸無水物が好ましい。酸無水物を用いると、脂肪族ポリアミン等のアミン系の硬化剤を用いる場合よりも、サーミスタの初期の室温抵抗値を低くしたり、抵抗変化率を大きくしたりすることができる傾向にある。
酸無水物としては、ドデセニル無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物、ポリ(エチルオクタデカン二酸)無水物、ポリ(フェニルヘキサデカン二酸)無水物、2,4−ジエチルグルタル酸無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート、グリセロールトリストリメリテート、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水フタル酸、無水コハク酸、無水トリメット酸、無水ピロメリット酸、無水メチルナジック酸、無水マレイン酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビストリメリテート、エンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルエンドメチレンテトラヒドロ無水フタル酸、メチルブテニルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物アルキルスチレン−無水マレイン酸共重合体、クロレンド酸無水物及びテトラブロム無水フタル酸等が挙げられる。
これらの中でも、熱履歴後の室温抵抗値を低く維持する効果が大きくなる点から、酸無水物としては、ドデセニル無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物、ポリ(エチルオクタデカン二酸)無水物、ポリ(フェニルヘキサデカン二酸)無水物、2,4−ジエチルグルタル酸無水物、エチレングリコールビスアンヒドロトリメリテート及びグリセロールトリストリメリテートからなる群より選ばれる少なくとも1種の酸無水物が好適に用いられる。更に、これらの中でも、ドデセニル無水コハク酸が好ましい。
エポキシ樹脂組成物においては、以上のような酸無水物を、単独で又は複数組み合わせて用いることができる。
熱硬化性樹脂中の硬化剤の含有割合は、架橋性化合物や硬化剤の種類等に応じて適宜決定すればよい。例えば、エポキシ樹脂に硬化剤として酸無水物を組み合わせる場合、エポキシ樹脂中のエポキシ基に対して当量比で、0.5〜1.5、より好ましくは0.8〜1.2となるような含有割合で硬化剤を含有させることがより好ましい。硬化剤の当量比がエポキシ基に対して0.5未満、あるいは1.5を超えると、未反応のエポキシ基及び酸無水物基が増加することにより、サーミスタ素体層1の機械的強度が低下したり、サーミスタの抵抗変化率が低下したりする傾向にある。
熱硬化性樹脂中には、反応性希釈剤、可塑剤等の添加剤を含有させてもよい。反応性希釈剤としては、特にエポキシ樹脂と組み合わせる場合、モノエポキシ化合物が好ましい。モノエポキシ化合物としては、n−ブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテル、2−エチルヘキシルグリシジルエーテル、スチレンオキサイド、フェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、p−sec−ブチルフェニルグリシジルエーテル、グリシジルメタクリレート、3級カルボン酸グリシジルエステル等が挙げられる。また、可塑剤としては、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール等の多価アルコールが好ましい。
熱硬化性樹脂には、更に他の成分、例えば、熱可塑性樹脂や、ワックス、油脂、脂肪酸、高級アルコール等の低分子有機化合物等を、必要に応じてさらに加えてもよい。熱可塑性樹脂は熱硬化性樹脂中に溶解させてもよいし、粒子状のものを分散させてもよい。
サーミスタ10は、2次粒子の累積50%粒径が3.8〜17μmである導電性粒子が熱硬化性樹脂に分散した硬化性樹脂組成物を調製する樹脂組成物調製工程と、第1の導体箔上にこの硬化性樹脂組成物からなる樹脂組成物層を形成させた積層体を得る樹脂組成物層形成工程と、対向する1対の導体箔により樹脂組成物層が挟持されるように、積層体上に第2の導体箔又は他の積層体を積層して挟持物を得る積層工程と、挟持物を加熱して硬化性樹脂組成物を硬化する硬化工程と、挟持物を所定の形状及び大きさに裁断してサーミスタを得る裁断工程と、を備える製造方法によって、得ることができる。
樹脂組成物調製工程においては、例えば、上述したように、ホモジナイザー等の各種撹拌機や、分散機、ミル等の装置を用いて、上述の構成成分を混合した混合物を高速攪拌することにより、上記特定範囲のD50を有する導電性粒子が分散した硬化性樹脂組成物が得られる。また、攪拌後の硬化性樹脂組成物は、混入した気泡を除去するため、真空下で脱泡することが好ましい。
樹脂組成物層形成工程においては、上記で得た硬化性樹脂組成物を導体箔上に塗布すること等により、樹脂組成物層を形成する。このとき、低粘度化のため、硬化性樹脂組成物中に、アルコールやアセトンなどの有機溶媒や反応性希釈剤等の溶媒を加え、これを用いて樹脂組成物層を形成してもよい。有機溶媒を用いた場合においては、樹脂組成物層を加熱する等して溶媒を除去することが好ましい。
積層工程において、対向する1対の導体箔によって樹脂組成物層が挟持されるように、樹脂組成物層上に第2の導体箔又は他の積層体を積層して、挟持物を得る。このとき、導体箔と樹脂組成物層とが密着するように全体を加圧することが好ましい。
硬化工程においては、樹脂組成物層を形成している硬化性樹脂組成物が十分に硬化するように、挟持物を所定の温度で所定時間加熱する。このときの加熱の条件は、硬化剤の種類等に応じて適宜設定すればよいが、例えば、硬化剤として酸無水物を用いる場合、80〜200℃で、30〜600分加熱することにより、通常、硬化を十分進行させることができる。なお、この硬化工程は加圧しながら行ってもよく、この場合、上記積層工程と硬化工程とを同時に又は連続的に行ってもよい。
そして、裁断工程において、硬化性樹脂組成物が硬化した挟持物を、打ち抜き等により所望の形状(例えば、3.6mm×9mm)に裁断することにより、サーミスタ10を得ることができる。打ち抜きは、ネコプレス等、サーミスタを得るために通常用いられる方法で行うことができる。
さらに、必要に応じて、導体箔からなる電極2及び3の表面に、それぞれリードを接合することにより、リードを有するサーミスタを作製できる。
一般に、室温抵抗値を低くするためには、サーミスタ素体中の導電性粒子の割合を増加させることが有効である。しかし、導電性粒子の割合を増加させると、硬化性樹脂組成物の粘度の著しい上昇を招くため、薄い樹脂組成物層を塗布することや、積層工程及び硬化工程において加圧してサーミスタ素体層を薄くすることが困難となる。したがって、十分に低い室温抵抗値が得られる程度の割合(例えば、サーミスタ素体層全体を基準として65〜80質量%)の導電性粒子を硬化性樹脂組成物中に含有させながら、例えば厚さが0.2〜1.0mmのような薄いサーミスタ素体層を形成させることは極めて困難であった。これに対して、サーミスタ素体層形成用の硬化性樹脂組成物中に分散している導電性粒子が上記特定範囲のD50を有していることにより、硬化性樹脂組成物の粘度の著しい上昇を伴うことなく室温抵抗値を十分に低くすることができるため、厚さが十分に薄いサーミスタ素体層を備えるサーミスタであっても容易に製造することができる。
サーミスタ10は、上述の製造方法に代えて、例えば、シート状のサーミスタ素体を準備し、このシート状のサーミスタ素体の両面に導体層を形成させる方法によっても得ることができる。この場合、シート状のサーミスタ素体は、対向する1対の離型性の支持体シートの間に挟持した状態で硬化性樹脂組成物を硬化してから、支持体シートを剥離する等の方法により作製できる。この方法の場合に導体層を形成させる方法としては、例えば、めっき、金属ペーストの塗布、スパッタリング、蒸着等が挙げられる。
以上説明したサーミスタは、リフロー工程後にも十分に低い室温抵抗値を維持することができる。また、このサーミスタは、低い初期抵抗値や、大きな抵抗変化率等の、サーミスタとして求められる他の特性についても優れている。
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明についてより具体的に説明する。ただし、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
<サーミスタ素体層形成用硬化性樹脂組成物の調製>
エポキシ樹脂である「アデカレジンEP−4005」(商品名、旭電化社製)と、酸無水物系の硬化剤である「エピクロンB−570」(商品名、大日本インキ化学工業社製)とを混合した混合物に対して、導電性粒子であるニッケル粒子(日興リカ社製)を、ニッケル粒子を含めた硬化性樹脂組成物全体に対して75質量%となるような量加えた。そして、ホモジナイザー(「セルマスター」(商品名)、アズワン社製)を用いて、全体を回転数5000rpmで50分間混練して、サーミスタ素体層形成用の硬化性樹脂組成物を得た。
<サーミスタ素体層形成用硬化性樹脂組成物の調製>
エポキシ樹脂である「アデカレジンEP−4005」(商品名、旭電化社製)と、酸無水物系の硬化剤である「エピクロンB−570」(商品名、大日本インキ化学工業社製)とを混合した混合物に対して、導電性粒子であるニッケル粒子(日興リカ社製)を、ニッケル粒子を含めた硬化性樹脂組成物全体に対して75質量%となるような量加えた。そして、ホモジナイザー(「セルマスター」(商品名)、アズワン社製)を用いて、全体を回転数5000rpmで50分間混練して、サーミスタ素体層形成用の硬化性樹脂組成物を得た。
<Ni粒子の粒径測定>
得られたサ硬化性樹脂組成物の一部を取り出し、アセトンへの溶解により樹脂成分を除去して、粒径測定用のNi粒子試料を取り出した。取り出した試料について、マイクロトラック粒度分布測定装置(「9320HRA(X−100)」(商品名)、日機装社製)を用いてレーザ回析法により粒径を測定し、2次粒子についての体積基準の累積粒度分布曲線を得た。粒径の測定は、Ni粒子を0.5%ヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液中に分散させた状態で行った。
得られたサ硬化性樹脂組成物の一部を取り出し、アセトンへの溶解により樹脂成分を除去して、粒径測定用のNi粒子試料を取り出した。取り出した試料について、マイクロトラック粒度分布測定装置(「9320HRA(X−100)」(商品名)、日機装社製)を用いてレーザ回析法により粒径を測定し、2次粒子についての体積基準の累積粒度分布曲線を得た。粒径の測定は、Ni粒子を0.5%ヘキサメタリン酸ナトリウム水溶液中に分散させた状態で行った。
得られた累積粒度分布曲線から求められた累積50%粒径D50は17.00μm、累積10%粒径D10は2.62μmであった。
<サーミスタの作製及びその評価>
上記で得られた硬化性樹脂組成物を減圧下で脱泡後、電極としてのNi箔上に塗布して樹脂組成物層を形成させた。続いて、樹脂組成物層の上に、対向する電極としてのNi箔を載せてから、全体をシート状になるようにプレス成形しながら、130℃で10時間加熱することにより硬化させて、サーミスタ素体層(厚さ:0.5mm)が1対の電極(Ni箔)間に挟持された挟持物を得た。さらに、得られた挟持物をネコプレスを用いて所定の大きさに打ち抜くことにより、サーミスタを得た。
上記で得られた硬化性樹脂組成物を減圧下で脱泡後、電極としてのNi箔上に塗布して樹脂組成物層を形成させた。続いて、樹脂組成物層の上に、対向する電極としてのNi箔を載せてから、全体をシート状になるようにプレス成形しながら、130℃で10時間加熱することにより硬化させて、サーミスタ素体層(厚さ:0.5mm)が1対の電極(Ni箔)間に挟持された挟持物を得た。さらに、得られた挟持物をネコプレスを用いて所定の大きさに打ち抜くことにより、サーミスタを得た。
サーミスタを、恒温槽内で室温から200℃まで3℃/分の速度で昇温しながら加熱した後、同じ速度で降温しながら冷却した。このとき、4端子法でサーミスタの抵抗値を測定して、温度―抵抗曲線を得た。得られた温度−抵抗曲線から、サーミスタの初期の室温(25℃)抵抗値は1.2mΩであることが確認された。また、得られたサーミスタに対してリフロー工程を想定した熱履歴を与えるため、275℃のリフロー炉に2分間投入した。熱履歴後の室温抵抗値は10.8mΩであった。
(実施例2、3及び比較例1、2)
硬化性樹脂組成物の調製の際のホモジナイザーの回転数をそれぞれ表1に示す回転数とした他は、実施例1と同様にして、硬化性樹脂組成物の調製、Ni粒子の粒径測定、サーミスタの作製及びその評価を行った。ただし、比較例1については、混練が不十分で硬化性樹脂組成物をシート状に成形することができなかったため、サーミスタを作製できなかった。Ni粒子の粒径及びサーミスタの室温抵抗値について、表1にまとめて示す。
硬化性樹脂組成物の調製の際のホモジナイザーの回転数をそれぞれ表1に示す回転数とした他は、実施例1と同様にして、硬化性樹脂組成物の調製、Ni粒子の粒径測定、サーミスタの作製及びその評価を行った。ただし、比較例1については、混練が不十分で硬化性樹脂組成物をシート状に成形することができなかったため、サーミスタを作製できなかった。Ni粒子の粒径及びサーミスタの室温抵抗値について、表1にまとめて示す。
(参考例1)
硬化性樹脂組成物中のNiの割合を60質量%とし、硬化性樹脂組成物の調製を、ホモジナイザーに代えて、攪拌羽根を備えた攪拌機(「トルネード」(商品名)、アズワン社製)を用い、回転数180rpmで45分間攪拌することによって行った他は、実施例1と同様にして、硬化性樹脂組成物の調製、Ni粒子の粒径測定、サーミスタの作製及びその評価を行った。Ni粒子の粒径及びサーミスタの室温抵抗値について、表1にまとめて示す。
硬化性樹脂組成物中のNiの割合を60質量%とし、硬化性樹脂組成物の調製を、ホモジナイザーに代えて、攪拌羽根を備えた攪拌機(「トルネード」(商品名)、アズワン社製)を用い、回転数180rpmで45分間攪拌することによって行った他は、実施例1と同様にして、硬化性樹脂組成物の調製、Ni粒子の粒径測定、サーミスタの作製及びその評価を行った。Ni粒子の粒径及びサーミスタの室温抵抗値について、表1にまとめて示す。
(参考例2)
硬化性樹脂組成物中のNiの割合を75質量%とした他は、参考例1と同様にして、硬化性樹脂組成物の調製及びNi粒子の粒径測定を行った。得られた硬化性樹脂組成物を用いてサーミスタ素体の作製を試みたが、混練が不十分なためにシート状に成形することが困難であった。したがって、サーミスタ素体の評価は行わなかった。
硬化性樹脂組成物中のNiの割合を75質量%とした他は、参考例1と同様にして、硬化性樹脂組成物の調製及びNi粒子の粒径測定を行った。得られた硬化性樹脂組成物を用いてサーミスタ素体の作製を試みたが、混練が不十分なためにシート状に成形することが困難であった。したがって、サーミスタ素体の評価は行わなかった。
(実施例4)
サーミスタ素体層の厚さを2.00mmとした他は実施例2と同様にして作製したサーミスタ20個について、実施例1と同様にして温度−抵抗曲線を得、これから室温抵抗値及び抵抗変化率を求めた。得られた室温抵抗値について、最小値、最大値及び平均値を求め、最大値と最小値の差の平均値に対する比を抵抗値のばらつき率とした。
サーミスタ素体層の厚さを2.00mmとした他は実施例2と同様にして作製したサーミスタ20個について、実施例1と同様にして温度−抵抗曲線を得、これから室温抵抗値及び抵抗変化率を求めた。得られた室温抵抗値について、最小値、最大値及び平均値を求め、最大値と最小値の差の平均値に対する比を抵抗値のばらつき率とした。
(実施例5、6、7、8及び参考例3)
サーミスタ素体層の厚さを表2に示すものとした他は実施例4と同様にして、室温抵抗値の最小値、最大値及び平均値を求め、最大値と最小値との差の平均値に対する比を抵抗値のばらつき率とした。
サーミスタ素体層の厚さを表2に示すものとした他は実施例4と同様にして、室温抵抗値の最小値、最大値及び平均値を求め、最大値と最小値との差の平均値に対する比を抵抗値のばらつき率とした。
表1に示すように、Ni粒子の累積50%粒度D50が3.8〜17.0の範囲内にある実施例1〜3のサーミスタは、D50が3.8〜17.0の範囲内にない比較例2よりも、初期及び熱履歴後における室温抵抗値が明らかに低い値を示した。また、参考例1及び参考例2を比較すれば明らかなように、Ni粒子の含有割合を大きくしすぎると、サーミスタの作製に支障をきたす傾向にあることが確認された。
更に、表2に示すように、サーミスタ素体層の厚さを1.00mm以下まで薄くすることで、室温抵抗値のばらつきが十分に抑制されることが確認された。ただし、参考例3のように、サーミスタ素体層の厚さを0.20μm未満にまで薄くすると、ショートにより抵抗変化率が得られず、サーミスタとして正常に動作しなくなる場合があることが確認された。
1…サーミスタ素体層、2,3…電極、10…サーミスタ。
Claims (4)
- 対向する1対の電極と、当該1対の電極間に配置され熱硬化性樹脂及び導電性粒子を含有する硬化性樹脂組成物の硬化物を含んだサーミスタ素体層と、を備え、
前記導電性粒子の2次粒子の累積50%粒径が3.8〜17.0μmである、サーミスタ。 - 前記導電性粒子の含有割合が、前記サーミスタ素体層全体を基準として65〜80質量%である、請求項1記載のサーミスタ。
- 前記導電性粒子の2次粒子の累積50%粒径及び累積10%粒径をそれぞれD50及びD10としたときに、D50/D10が2.5〜6.5である、請求項1又は2記載のサーミスタ。
- 前記サーミスタ素体層の厚さが0.2〜1.0mmである、請求項1〜3の何れか一項記載のサーミスタ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004381183A JP2006186272A (ja) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | サーミスタ |
US11/313,626 US7403092B2 (en) | 2004-12-28 | 2005-12-22 | Thermistor |
CNA2005100975036A CN1801406A (zh) | 2004-12-28 | 2005-12-28 | 热敏电阻 |
TW094147044A TW200636766A (en) | 2004-12-28 | 2005-12-28 | Thermistor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004381183A JP2006186272A (ja) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | サーミスタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006186272A true JP2006186272A (ja) | 2006-07-13 |
Family
ID=36610771
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004381183A Withdrawn JP2006186272A (ja) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | サーミスタ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7403092B2 (ja) |
JP (1) | JP2006186272A (ja) |
CN (1) | CN1801406A (ja) |
TW (1) | TW200636766A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017075854A (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | ニッタ株式会社 | 感温素子 |
JP2017220517A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 住友金属鉱山株式会社 | 自己温度調整型樹脂抵抗体ペースト組成物および自己温度調整型樹脂抵抗体 |
US10718680B2 (en) | 2014-12-18 | 2020-07-21 | Nitta Corporation | Sensor sheet |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6418741B2 (ja) * | 2014-01-16 | 2018-11-07 | ソマール株式会社 | 液状エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた接着剤 |
CN107437622B (zh) * | 2016-05-26 | 2021-06-04 | 宁德时代新能源科技股份有限公司 | 电极及其制备方法 |
IT201700038877A1 (it) * | 2017-04-07 | 2018-10-07 | Eltek Spa | Materiale composito ad effetto ptc, relativo procedimento di ottenimento e dispositivo riscaldatore includente tale materiale |
CN108955928B (zh) * | 2018-05-17 | 2021-02-19 | 浙江欧仁新材料有限公司 | 一种柔性温度传感器及其制备方法 |
CN110793658A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-02-14 | 青岛科技大学 | 一种自带电路保护功能的聚合物基温敏电阻器 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW487742B (en) * | 1999-05-10 | 2002-05-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electrode for PTC thermistor, manufacture thereof, and PTC thermistor |
JP3896232B2 (ja) * | 1999-10-01 | 2007-03-22 | Tdk株式会社 | 有機質正特性サーミスタおよびその製造方法 |
JP2003347105A (ja) * | 2002-05-24 | 2003-12-05 | Tdk Corp | 有機質正特性サーミスタ |
EP1548758A4 (en) | 2003-03-25 | 2007-07-11 | Tdk Corp | ORGANIC THERMISTANCE HAVING POSITIVE TEMPERATURE COEFFICIENT |
-
2004
- 2004-12-28 JP JP2004381183A patent/JP2006186272A/ja not_active Withdrawn
-
2005
- 2005-12-22 US US11/313,626 patent/US7403092B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-28 TW TW094147044A patent/TW200636766A/zh unknown
- 2005-12-28 CN CNA2005100975036A patent/CN1801406A/zh active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10718680B2 (en) | 2014-12-18 | 2020-07-21 | Nitta Corporation | Sensor sheet |
JP2017075854A (ja) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | ニッタ株式会社 | 感温素子 |
JP2017220517A (ja) * | 2016-06-06 | 2017-12-14 | 住友金属鉱山株式会社 | 自己温度調整型樹脂抵抗体ペースト組成物および自己温度調整型樹脂抵抗体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1801406A (zh) | 2006-07-12 |
US20060139141A1 (en) | 2006-06-29 |
TW200636766A (en) | 2006-10-16 |
US7403092B2 (en) | 2008-07-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7403092B2 (en) | Thermistor | |
TWI295307B (ja) | ||
JP6015445B2 (ja) | 液状組成物、並びに、それを用いた抵抗体膜、抵抗体膜の製造方法、抵抗体素子及び配線板 | |
JPWO2009008471A1 (ja) | 誘電層付銅箔 | |
JPWO2015111615A1 (ja) | レーザーエッチング加工用導電性ペースト、導電性薄膜、導電性積層体 | |
JP5472279B2 (ja) | 導電性ペースト、並びにこれを用いたプリプレグ、金属箔張積層板、及びプリント配線板 | |
JP2007042667A (ja) | 有機質正特性サーミスタ | |
US20160329122A1 (en) | Conductive paste and conductive film | |
US7314583B2 (en) | Organic positive temperature coefficient thermistor device | |
JP2020117619A (ja) | 絶縁性樹脂組成物、絶縁性樹脂硬化体、積層体及び回路基板 | |
KR102195144B1 (ko) | 도전성 페이스트 및 도전막을 구비한 기재 | |
JPH0912982A (ja) | 接着性シート | |
JP2006245065A (ja) | サーミスタの製造方法 | |
JP2017091627A (ja) | 絶縁電線 | |
JP2006186268A (ja) | サーミスタ | |
JP2007096219A (ja) | Ptcサーミスタ | |
JP2005294550A (ja) | 有機質正特性サーミスタ | |
JP4362764B2 (ja) | 導電ペーストとそれを用いた配線板の製造方法 | |
JP4220428B2 (ja) | 有機質正特性サーミスタ | |
JP2007103397A (ja) | Ptcサーミスタの製造方法 | |
JP4481734B2 (ja) | 多層配線基板用導電性ペースト組成物 | |
JP2009070724A (ja) | 導電性ペースト | |
TWI640570B (zh) | Polymer thermistor composite and polymer thermistor | |
JP2007158070A (ja) | 導電ペースト組成物及びそれを用いた厚膜チップ抵抗器 | |
JP2005294545A (ja) | 有機質正特性サーミスタ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070821 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090622 |