JP2006186199A - プリント配線板の製造方法及びプリント配線板の製造装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 樹脂絶縁層の開口にアンダーカットが発生しないプリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】 未硬化ソルダーレジスト層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を露光する（図９（Ａ））。この際に、ソルダーレジスト層２５０を現像に耐え得ない硬化レベルにとどめる。次に、ソルダーレジスト層２５０を加熱する（図９（Ｂ））。この際に、ソルダーレジスト層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を現像に耐え得るレベルまで硬化し、且つ、開口形成部２５０Ｂを現像で除去できる硬化レベルにとどめる。そして、現像処理を行い未硬化の開口形成部２５０Ｂを溶解除去して開口２５１を形成する（図９（Ｃ））。
【選択図】 図９

Description

本願発明は、樹脂絶縁層に穿設した開口を介して当該樹脂絶縁層の下層と上層との導通を取るもしくはソルダーレジスト層に開口パッドを形成するプリント配線板の製造方法、及び、プリント配線板の製造装置に関するものである。

ビルドアップ多層配線板などの多層プリント配線板において、層間絶縁層及びソルダーレジスト層への開口の形成は、パターンの描かれたマスクを用いて露光・現像により行っていた。
従来技術の露光方式では、一律のマスクサイズで露光を行うため、基板自体の歪みに対して許容できる範囲が大きくできない。また、高密度化が要求されている多層プリント配線板においては、位置ズレに対する許容範囲も小さくなる。そのために、マスクを用いた露光方式では、基板の歪みに対して位置ズレしやすくなり、その結果、電気接続性や信頼性を低下させてしまった。係る課題から、層間絶縁層及びソルダーレジスト層に直接光を照射する直描露光の技術が実用化されている。

図１３を参照してソルダーレジスト層への直描露光技術による開口の穿設、及び、半田バンプの形成について説明する。図１３（Ａ）に示すよう回路２５４が形成されたコア基板２６０上の未硬化のソルダーレジスト層２５０へ、開口形成部２５０Ｂを除いて紫外線等の光を照射して露光し、樹脂を硬化させる。次に、薬液で現像して光硬化を照射しなかった開口形成部（未硬化部分）に開口２５１を形成する（図１３（Ｂ））。開口２５１に半田ペーストを印刷し、リフローを行うことで半田バンプ２７６を形成する（図１３（Ｃ））。

このとき、基板は分割したエリア毎に露光をそれぞれ行い、その単位ごとで露光を行うことにより基板全体を露光させる。この露光について図１５を参照して説明する。図１５は、多数個取り用のプリント配線板３０の平面を示している。この多数個取り用のプリント配線板３０は、複数の個片のプリント配線板３０p1、３０p2、３０p3、３０p４・・・から成り、製造工程の最後に図中で点線で示す部位で切断され、個片のプリント配線板３０p1、３０p2、３０p3、３０p４が製造される。ここで、直描露光技術では、露光エリア毎に、直描による露光を行う。露光エリアが順次移動することで、即ち、露光エリアＥ₀ が完了すると露光エリアＥ₁ 、露光エリアＥ₂・・・露光エリアＥxまで移動する。これにより多数個取り用のプリント配線板３０の全面を露光することができる。
特許文献１には、直描露光の技術が開示され、特許文献２には反射式の一括露光の技術が開示されている。
特開２０００−９１２００号 特開２００１−２５１０５１号

しかしながら、直描露光技術によって、製造された多層プリント配線板では、上述したマスク露光と比較して製品の品質を向上させることができるが、それぞれの分割したエリアでの露光時間が必要となるため、１枚の基板に掛かるトータルの露光時間が従来の露光方式に比べて時間が掛かり過ぎる。そのために、生産性が低下し、製造コストが上昇する。
それに対して、生産性を確保するために直描露光における分割した部分の露光時間を短くする（従来の露光時間の１／２以下とした露光時間）ことを検討した。それで露光して、現像した後、硬化して形成された樹脂絶縁層は、Ｔｇ点などの樹脂特性や架橋性が低下してしまった。そのために、高温放置やヒートサイクルなどの信頼性試験においても早期に劣化していることが確認されている。また、開口した形状も所望のものでなかったり、開口部底部に樹脂残りがあったりするなどの電気接続を阻害してしまった。そのために、接続性や信頼性のいずれかが従来の露光方式と比べて、低下してしまうためにプリント配線板における直描露光技術を用いることを阻害された。
この傾向は、樹脂絶縁層にバイアホールを形成した場合、ソルダレジスト層に開口パッドを形成した場合でも同様なことが発生した。
本願発明の目的は、トータルの露光時間を長くすることなく、基板自体の持つ歪みを補正し得り、プリント配線板の接続性や信頼性を低下しない、プリント配線板の製造方法およびその装置を提案することにある。

上述した課題を解決するため、 基板上に回路を形成した上に樹脂絶縁層に形成した開口を介して当該樹脂絶縁層のバイアホールを形成するプリント配線板の製造方法において：
樹脂絶縁層の開口形成部以外を露光するステップと；
前記樹脂絶縁層を露光後もしくは露光と同時に加熱するステップと；
前記樹脂絶縁層を現像して、露光されていない前記開口形成部に開口を形成するステップと；
前記樹脂絶縁層を硬化するステップと；を備えることを技術的特徴とする。

また、最外層にソルダーレジスト層を形成し、該樹脂絶縁層を開口して、導体回路を露出し開口パッドを形成するプリント配線板の製造方法において：
樹脂絶縁層の開口形成部以外を露光するステップと；
前記樹脂絶縁層を露光後もしくは露光と同時に加熱するステップと；
前記樹脂絶縁層を現像して、露光されていない前記開口形成部に開口を形成するステップと；
前記樹脂絶縁層を硬化するステップと；
を備えることを技術的特徴とする。

樹脂絶縁層に形成した開口を介して当該樹脂絶縁層の下層と上層との導通を取るプリント配線板もしくはソルダーレジスト層に開口パッドを形成するプリント配線板の製造装置において：
樹脂絶縁層に開口形成部を避けて露光する露光装置と；
前記樹脂絶縁層を露光と同時もしくは露光後に加熱する加熱装置と；
前記樹脂絶縁層を現像して、露光されていない前記開口形成部に開口を形成する現像装置と；を備えるプリント配線板の製造装置に技術的な特徴がある。

請求項１および２では、樹脂絶縁層の開口形成部以外を露光し、樹脂絶縁層を露光と同時もしくは露光後に加熱し、樹脂絶縁層を現像液で現像して、露光されていない開口形成部に開口を形成する。樹脂絶縁層を露光と同時もしくは露光後に加熱するため、樹脂絶縁層の開口形成部以外を完全に硬化させ、樹脂特性も向上させることができる。また、開口の形状を安定させることができ、開口底部に樹脂残りもない。そのため、電気接続性や信頼性を低下させることがない。

請求項３では、露光では、樹脂絶縁層の開口形成部以外を現像に耐え得ないレベルまで硬化し、加熱では、樹脂絶縁層の開口形成部以外を現像に耐え得るレベルまで硬化し、且つ、開口形成部を現像で除去できる硬化レベルにとどめる。このため、開口形成部を現像で除去できる硬化レベルにとどめながら、樹脂絶縁層の開口形成部以外を完全に硬化させることができる。これにより、基板一枚辺りのタクト時間は、従来のマスク露光と同等であるのに、開口部の形成における不具合の発生がない。

この場合における硬化のレベルについて言及する。
現像に耐え得ないレベルの硬化とは、指で触れたくらいでは軟化したり、剥がれたりはしないが、硬化の進行が完全ではないので、露光用の現像液に対する耐性が弱いので、光照射した部分で溶け出したり、現像で除去する部分では樹脂残りを引き起こしたりしてしまう可能性があるレベルを意味する。
次に、現像に耐え得るレベルの硬化とは、従来の露光方式であるマスク露光を行ったのと同等のレベルまで硬化を行っている、いわゆる、半硬化状態（Bステージ状）を指す。硬化の進行は進んでいるために、露光用の現像液に対する耐性には強く、光照射した部分で溶け出すこともなく、開口形成部を現像で除去する部分では樹脂残りもないレベルを意味する。

請求項４では、露光は光又は電子線を走査して行う直描方式を用いるため、従来のマスク露光と比較して、狭ピッチで微細径の開口を形成することができる。
ここで、直描方式で露光して樹脂絶縁層の開口形成部以外を完全に硬化させるためには、長時間を要する。しかし、本発明では、露光では、樹脂絶縁層の開口形成部以外を現像に耐え得ないレベルまで硬化させるに留まるため、直描方式を用いて短時間でプリント配線板を製造することが可能となる。
また、多数個取り用の基板で個片単位での歪みに対する位置補正をすることもできる。従来のマスク露光では、ガラスマスクの描画を行っているので、多数個取り用の基板単位でのＸ方向、Ｙ方向に対する位置ズレには位置補正を行うことができた。しかしながら、多数個取り用の基板で個片単位などのエリアで歪みに対する位置ズレに対する位置補正に対応しきれなかった。それに対して、直描露光では、多数個取り用の基板のエリア単位でＸ方向、Ｙ方向、基板の歪みに対する位置ズレに対しても、位置補正を行うことが行うことができる。

樹脂絶縁層は樹脂に無機フィラーを含んでなる。このため、樹脂絶縁層の熱膨張係数をプリント配線板のコア基板に近づけ、クラックの発生を防止することができる。本願発明の方法においては、樹脂絶縁層を現像に耐え得ないレベルの硬化と現像に耐え得るレベルの硬化と２段階で行っている。このとき、樹脂絶縁層に無機フィラーが含まれているために、現像に耐え得ないレベルの硬化であっても、樹脂自体の形状保持性が向上される。
無機フィラーには、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等を粒子を配合することができ、その粒径は、０．０１〜１０μｍのもので、その形状は円形、楕円形、多角形等を用いることができる。このとき、粒径、形状の異なるものを２種類以上混在して樹脂絶縁層に入れてもよい。０．０１μｍ未満のもの、あるいは、１０μｍ超のものを用いることもできる。しかしながら、フィラーが分散、凝集したりすることがあり、局所的に形状保持性が向上されなくなることがある。無機フィラー以外に、樹脂フィラー、金属フィラーなどを用いてもよい。
また、架橋反応を助長させるための前駆体を配合させてもよい。それにより、より効果的に反応性を高めることができ、樹脂における開口部の形状保持性が保たれて、タクト時間を長くしないようにすることをできる。

請求項５では、樹脂は、光硬化性及び熱硬化性を備える樹脂を用いることが望ましい。このため、露光で、樹脂絶縁層の開口形成部以外を現像に耐え得ないレベルまで硬化し、加熱で、樹脂絶縁層の開口形成部以外を現像に耐え得るレベルまで硬化することができる。つまり、露光においては、光硬化性を優先して硬化を進め、加熱においては、熱硬化性を優先して硬化を進めることで、それぞれの反応性に特徴を持たせて硬化させることにより、開口部における形状保持性を高めることができる。

請求項６では、加熱に、熱風炉、、ＩＲ炉、レーザ、熱源となる機構を備えた装置の何れかを用いる。これらの装置での加熱により露光した樹脂絶縁層に対して、樹脂絶縁層の開口形成部以外を現像に耐え得るレベルまで硬化し、且つ、開口形成部を現像で除去できる硬化レベルにとどめることができる。
また、レーザを加熱に用いた場合には、直描露光される直後に加熱処理することが出来、樹脂が持つ感光する感度の高い状態で架橋反応することができ、より短い時間で樹脂特性（Ｔｇ点を高めることや架橋密度を上げる）を向上させることができる。

請求項７では、樹脂絶縁層の開口形成部以外を露光し、樹脂絶縁層を加熱し、樹脂絶縁層を薬液で現像して、露光されていない開口形成部に開口を形成する。樹脂絶縁層を露光後に加熱するため、樹脂絶縁層の開口形成部以外を完全に硬化させ、開口の形状を安定させることができる。

第１実施形態では、直描露光技術により樹脂絶縁層である層間絶縁層及びソルダーレジスト層に開口を穿設する。ここで、直描露光技術とは、パターンデータに基づいて電子線を偏向器で走査、又は、レーザや光をミラーなどで反射させて、反射したパターンデータを直接プリント配線板に照射させて露光する技術である。プリント配線板の描画時にパターンを形成しているのでパターン形成に関わる装置の制御回路や実際に電子線、レーザや光を制御するための装置が必要となる。それらの動きを一括管理するためのコンピュータが必要となる。その電子線、レーザや光を制御することにより微細な配線や小径の開口を形成することが可能となる。
露光後、アルカリなどに溶液により現像させることにより、樹脂層であればバイアホールを形成、ソルダーレジストであれば開口パッドを形成し、レジストであれば、配線形成をすることができる。

第１実施形態に係る直描露光装置の構成を図８を参照して説明する。
レーザ照射器２２０からのレーザ光は、ミラー２２２で反射され、レンズ２２４、レンズ２２６を透過してミラー２２８で反射され、レンズ２３０を介してプリント配線板３０上に照射される。プリント配線板３０は、テーブル２４０上にＸ−Ｙ方向に送られる。

コンピュータ２００は、ＣＡＤ等により描画データを作成し、その情報を補助記憶装置２０２に一時記憶しておき、パターン描画時には、描画パターン情報を補助記憶装置２０２から読み出し、露光インターフェイス２０４へ送り込む。露光インターフェイス２０４は、入力した情報に従って、画素データを選択し、そのデータの状態（１又は０）によってミラー２２２、２２８を揺動させる駆動電圧を発生させれるように、駆動信号をミラー駆動装置２０６へ入力する。ミラー駆動装置２０６は、駆動信号に応じてミラー２２２、２２８を揺動させる。同時に、露光インターフェイス２０４は、テーブル駆動装置２０８へ搬送信号を送り、テーブル駆動装置２０８は、搬送信号に基づきテーブル２４０をＸ−Ｙ−Ｚ−θ方向へ移動させる。

テーブル２４０に載置されるプリント配線板３０には、ソルダーレジスト層、層間絶縁層等の樹脂絶縁層７０が形成されている。

露光は、図１５を参照して上述したように、個片分割した製品単位ごとに露光をそれぞれ行い、その単位ごとで露光を行うことにより基板全体を露光させる。まず、図２０中の多数個取り用のプリント配線板３０の位置決めマーク８２に基づき、全体の位置決めを行った後、図中で矢印で示すように、多数個取り用のプリント配線板３０において、露光エリア（Ｅ₀ 、Ｅ₁ 、Ｅ₂・・・Ｅx）を順次ずらすことにより、露光を行う。この際、それぞれの露光エリアに対する位置決めを、位置決めマークを用いて行うことにより、エリア単位でＸ方向、Ｙ方向、θ方向、基板３０の歪みに対する位置ズレも補正する。

次に、第１実施形態で用いる加熱装置について図９を参照して説明する。
加熱装置は、加熱炉３００と加熱炉へ熱風を送る送風装置３０４からなる。加熱炉３００には、送風装置３０４からの熱風を取り入れる流入口３００Ｉと、送風装置側へ空気を戻す流出口３００Ｏと、プリント配線板を載置して搬送する搬送台３０２とが備えられている。加熱装置としては加熱炉以外では、ＩＲ炉、レーザ、熱源となる機構を備えた装置のいずれかを用いることができる。

第１実施形態での樹脂絶縁層（ソルダーレジスト層）の露光・加熱・現像処理について図１０を参照して説明する。図８を参照して上述した直描露光装置を用いて、配線回路２５４が形成された基板２６０上に被覆された未硬化の樹脂絶縁層（ソルダーレジスト層）２５０を、開口形成部２５０Ｂ以外を露光する（図１０（Ａ））。この際に、樹脂絶縁層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を現像に耐え得ないレベルまで硬化させる。次に、図９を参照して上述した加熱装置を用いて、樹脂絶縁層２５０を温度６０〜２５０℃で加熱する（図１０（Ｂ））。この際に、樹脂絶縁層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を現像に耐え得るレベルまで硬化し、且つ、開口形成部２５０Ｂを現像で除去できる硬化レベルにとどめる。そして、薬液により現像処理を行い未硬化の開口形成部２５０Ｂを溶解除去して開口２５１を形成する（図１０（Ｃ））。開口部から露出した部分に、ニッケル、貴金属層（例えば、Ｎｉ−Ａｕ等）を形成し、最後に、開口２５１に半田ペーストを印刷し、リフローを行うことで半田バンプ２７６を形成する（図１０（Ｄ））。

第１実施形態での樹脂絶縁層（層間絶縁層）の露光・加熱・現像処理について図１１、図１２を参照して説明する。図８を参照して上述した直描露光装置を用いて、配線回路２５４が形成された基板２６０上に被覆された未硬化の樹脂絶縁層（層間絶縁層）２５０を、開口形成部２５０Ｂ以外を露光する（図１１（Ａ））。この際に、樹脂絶縁層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を現像に耐え得ないレベルまで硬化させる。次に、図９を参照して上述した加熱装置を用いて、樹脂絶縁層２５０を温度６０〜２５０℃で加熱する（図１１（Ｂ））。この際に、樹脂絶縁層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を現像に耐え得るレベルまで硬化し、且つ、開口形成部２５０Ｂを現像で除去できる硬化レベルにとどめる。そして、薬液により現像処理を行い未硬化の開口形成部２５０Ｂを溶解除去して開口２５１を形成する（図１１（Ｃ））。酸あるいは酸化剤などの粗化液を用いて、層間絶縁層２５０全面（樹脂の表層および開口内部）に粗化層を設けた後、層間絶縁層２５０の全面に無電解銅めっき膜２５１を形成する（図１１（Ｄ））。所定パタンのレジスト２５３を形成してから（図１２（Ａ））、レジスト非形成部に電解銅めっき膜２５５を析出させる（図１２（Ｂ））。レジスト２５３を除去してからレジスト下の無電解銅めっき膜２５１をエッチングで除去することで、無電解銅めっき膜２５１、電解銅めっき膜２５５からなるバイアホール２５９を形成する（図１２（Ｃ））。ここでは、セミアディテイブ法によるバイアホール形成を説明したが、永久レジストを施して、メッキにより導体回路を形成するフルアディテイブ法により導体回路を形成することも可能である。

第１実施形態では、樹脂絶縁層２５０を露光後に加熱するため、樹脂絶縁層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を硬化させるので、タクト時間が長くならないのに、樹脂特性を低下させることもないし、開口性や開口した形状を低下させることがない。

特に第１実施形態において、露光では、ソルダーレジスト層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を現像に耐え得ないレベルまで硬化し、加熱では、ソルダーレジスト層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を現像に耐え得るレベルまで硬化し、且つ、開口形成部２５０Ｂを現像で除去できる硬化レベルにとどめる。このため、開口形成部２５０Ｂを現像で除去できる硬化レベルにとどめながら、樹脂絶縁層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を硬化させることができる。樹脂絶縁層としては、光官能基を有する硬化型樹脂（例えば、エポキシ系）、熱硬化性樹脂と光硬化性樹脂、熱硬化性樹脂と熱硬化性樹脂の一部に（メタ）アクリル基を有する樹脂等を用いることができる。ここで、光官能基を有する硬化型樹脂の熱硬化温度が１６０℃〜１８０℃である場合には、加熱処理で、樹脂を６０℃〜１６０℃の範囲で加熱開始〜最大６時間程度加熱することにより、ソルダーレジスト層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を現像に耐え得るレベルまで硬化し、且つ、開口形成部２５０Ｂを現像で除去できる硬化レベルにとどめることができる。加熱は、露光後の樹脂絶縁層の開口形成部２５０Ｂでの変形を避けるため、露光の直後から３０分以内に開始するのが望ましい。

第１実施形態では、露光は光を走査して行う直描露光方式を用いるため、図１５を参照して上述したようにエリア単位でＸ方向、Ｙ方向、θ方向、基板３０の歪みに対する位置ズレも補正することができる。ここで、直描露光方式で露光による樹脂絶縁層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を硬化させるためには、基板全体として長時間を要する。しかし、第１実施形態では、露光では、樹脂絶縁層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を現像に耐え得ないレベルまで硬化させるに留まるため、直描露光方式を用いたとしてもより短かい時間でプリント配線板を製造することが可能となる。ここでは、光を照射したが、電子線を走査して直描露光を行うことも可能であり、更に、従来技術のマスクを用いての露光後に、加熱処理を行うことも可能である。

第１実施形態では、樹脂絶縁層２５０は樹脂に無機フィラー２５０ａを含んでなる。また、本願発明の方法においては、樹脂絶縁層を現像に耐え得ないレベルの硬化と現像に耐え得るレベルの硬化と２段階で行っている。このとき、樹脂絶縁層に無機フィラーが含まれているために、現像に耐え得ないレベルの硬化であっても、樹脂自体の形状保持性が向上される。
特に、ソルダーレジスト層に配合されることが望ましい。このため、ソルダーレジスト層の熱膨張係数をプリント配線板のコア基板に近づけ、クラックの発生を防止することができる。
また、架橋反応を助長させるための前駆体を配合させてもよい。それにより、より効果的に反応性を高めることができ、樹脂における開口部の形状保持性が保たれて、タクト時間を長くしないようにすることをできる

第１実施形態では、ソルダーレジスト層を構成する樹脂は光硬化性及び熱硬化性を備える樹脂を用いることが望ましい。このため、露光で、樹脂絶縁層の開口形成部以外を現像に耐え得ないレベルまで硬化し、加熱で、樹脂絶縁層の開口形成部以外を現像に耐え得るレベルまで硬化することができる。つまり、露光においては、光硬化性を優先して硬化を進め、加熱においては、熱硬化性を優先して硬化を進めることで、それぞれの反応性に特徴を持たせて硬化させることにより、開口部における形状保持性を高めることができる。

第１実施形態では、加熱に熱風炉を用いた。このため、加熱で、ソルダーレジスト層２５０の開口形成部２５０Ｂ以外を現像に耐え得るレベルまで硬化し、且つ、開口形成部２５０Ｂを現像で除去できる硬化レベルにとどめることができる。なお、加熱装置として、例えば、ＩＲ炉、、レーザ、熱源となる機構を備えた装置の何れかを用いることができる。

引き続き、第１実施形態において層間樹脂絶縁層を形成するために使用する樹脂フィルムについて説明する。該樹脂フィルムは、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。

第１実施形態の製造方法において使用する層間樹脂絶縁層は、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。

上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．０１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。

上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。

また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化されたりすることがない。

上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。

上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。

上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。

上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。

第１実施形態で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。

上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

上記層間樹脂絶縁層は、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。

上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。

上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。

また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。

ソルダーレジスト層の組成は、上述した層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムと同様であるが、樹脂に着色剤、光沢材などを含有して、外観を変えることを行ってもよい。

[実施例１] （加熱炉による加熱を行う方法）
引き続き、実施例１の多層プリント配線板について説明する。
先ず、本発明の実施例１に係るプリント配線板の構成について、断面図である図７を参照して説明する。プリント配線板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該コア基板３０の両面には導体回路３４が形成されている。また、該導体回路３４の上には、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層５０が配設されている。該層間樹脂絶縁層５０の上には、バイアホール１６０及び導体回路１５８が形成された層間樹脂絶縁層１５０が配設されている。層間樹脂絶縁層１５０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。該ソルダーレジスト層７０には、開口７１が形成され、上面側の該開口７１には、半田バンプ７６が配設されている。また、底面側の該開口７１には、半田バンプ７８が配設されている。

次に、本発明の実施例１に係るプリント配線板の製造方法について説明する。先ず、製造に用いるＡ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム、Ｂ．樹脂充填剤について説明する。

Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂に光硬化性を付加したエポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ７重量部（平均粒径０．１μｍ）、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加し、架橋性を向上させる前駆体を配合したエポキシ樹脂組成物を調製する。得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。

Ｂ．樹脂充填剤の調製ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製する。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いる。

（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に２０μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ））。まず、この銅貼積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３４とスルーホール３６を形成する（図１（Ｂ））。

（２）スルーホール３６および下層導体回路３４を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール３６を含む下層導体回路３４の全表面に粗化面３４αを形成する（図１（Ｃ））。

（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール３６内、および、基板３０の片面の下層導体回路３４非形成部に樹脂充填剤４０の層を形成する。すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール３６内に樹脂充填剤４０を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させる。次に、下層導体回路３４非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板３０上に載置し、スキージを用いて凹部となっている下層導体回路３４非形成部に樹脂充填剤４０の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させる（図１（Ｄ））。

（４）上記（３）の処理を終えた基板３０の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤４０が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行う。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填剤４０を硬化させる（図１（Ｅ））。

このようにして、スルーホール３６や導体回路３４非形成部に形成された樹脂充填剤４０の表層部および下層導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充填剤４０と下層導体回路３４及びスルーホール３６とが粗化面３４αを介して強固に密着した絶縁性基板を得る。すなわち、この工程により、樹脂充填剤４０の表面と下層導体回路３４の表面とが同一平面となる。

（５）上記基板３０を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４βを形成する（図２（Ａ））。エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用する。

（６）基板３０の両面に、上記Ａで作製した基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム５０γを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付ける（図２（Ｂ））。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム５０γを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着する。

（７）次に、図８を参照して上述した露光装置を用い、露光量８０ｍｊで図１５を参照して上述したように分割したエリア毎に露光を順次行い、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム５０γを、開口形成部５０Ｂを除いて露光する（図２（Ｃ））。

（８）図９を参照して上述した加熱装置を用いて、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム５０γを１２０℃〜１４０℃で、１０分間加熱する（図２（Ｄ））。

（９）ＤＭＴＧ液でスプレー現像し、直径６０μｍのバイアホール用の開口５１を設け、その１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の硬化処理を行うことで層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム５０を硬化させて層間樹脂絶縁層５０を形成する（図２（Ｅ））。

（１０）バイアホール用開口５１を形成した基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層５０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口５１の内壁を含む層間樹脂絶縁層５０の表面に粗化面５０αを形成する（図３（Ａ））。

（１１）次に、上記処理を終えた基板３０を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層５０の表面およびバイアホール用開口５１の内壁面に触媒核を付着させる。

（１２）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面５０α全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜５３を形成する（図３（Ｂ））。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ₄ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分

（１３）微細配線用の感光性ドライフィルム５４γを無電解銅めっき膜５３に貼り付ける。その後、感光性ドライフィルム５０上にパターン９７Ａの描かれたマスク９７を位置合わせして載置する（図３（Ｃ））。次いで、１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト５４を設ける（図３（Ｄ））。それによりＬ（ライン幅）／Ｓ（ライン間の間隔）＝２０μｍ／２０μｍ〜１５μｍ／１５μｍの間での配線を形成した。

（１４）ついで、基板３０を５０度の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ａ））。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ²時間 ６５ 分温度 ２２±２度

（１５）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電解めっき膜５３を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜５３と電解銅めっき膜５６からなる厚さ１８μｍ、線幅１５〜２０μｍの導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成する（図４（Ｂ））。

（１６）上記（５）と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８αを形成する（図４（Ｃ））。

（１７）上記（６）〜（１６）の工程を繰り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂絶縁層１５０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成し、多層配線板を得る（図４（Ｄ））。

（１８）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に５５重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部、無機粒子であるシリカ（平均粒径０．５μｍ） ２重量部を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。

（１９）次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を３０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行いソルダーレジスト組成物層７０γを形成する（図５（Ａ））。

（２０）図８を参照して上述した露光装置を用い、露光量８０ｍｊで図１５を参照して上述したように分割したエリア毎に露光を順次行い、条件でソルダーレジスト組成物層７０γを、開口形成部７０Ｂを除いて露光する（図５（Ｂ））。

（２１）図９を参照して上述した加熱装置を用いて、ソルダーレジスト組成物層７０γを１２０℃〜１４０℃で、１時間加熱する（図５（Ｃ））。

（２２）ＤＭＴＧ液でスプレー現像し、直径７０μｍの開口７１を設け、そしてさらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件で加熱処理し、パッド部分７１が開口した（開口径７０μｍ）ソルダーレジスト層（厚み２０μｍ）７０を形成した（図６（Ａ））。

（２３）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１に厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図６（Ｂ））。

（２４）この後、基板３０のソルダーレジスト層７０の開口７１にスズ−鉛を含有する半田ペーストもしくは鉛レスの半田ペーストを印刷する。そして、２００℃でリフローを行い、上面側の開口部７１に半田バンプ７６を、下面側の開口部７２に半田バンプ７８を形成する（図７）。その後、図１５を参照した点線に沿って裁断することで個片のプリント配線板にする。

[実施例２]
実施例２の製造方法は、実施例１と同じであるがＩＲ炉による加熱装置を用いる。

[実施例３]
実施例３の製造方法は、実施例１と同じであるがレーザによる加熱装置を用いる。

[実施例４]
実施例４の製造方法は、実施例１と同じであるが加熱装置による加熱装置を用いる。

[実施例５]
実施例５の製造方法は、実施例１と同じであるが直描露光と同時に加熱処理を行った。

[比較例１]
比較例１の製造方法は、実施例１と同じである従来技術であるがマスク露光を実施した。

[比較例２]
比較例２の製造方法は、実施例１と同じであるが加熱装置による加熱処理を行わなかった。

実施例及び比較例について以下の項目で評価を行った。この評価結果を図１４中に示す。
＜層間樹脂絶縁層の評価＞
タクト時間 １枚辺りに露光開始から露光終了までに要した時間。
この場合には、加熱時間も含む。
樹脂特性 Ｔｇ点と架橋性ということで数値にて評価をした。
Ｔｇ点は温度が高いほどよい。
架橋性とはエポキシ当量で表示された数値である。
接続抵抗測定値 バイアホールでの接続抵抗値を測定した。
１０×１０^-11以下であれば、導通に問題なし。
１０×１０^-7以上であれば、導通に問題有り。
信頼性試験 ヒートサイクル試験
−５５℃／３ｍｉｎ．⇔１２５℃／３ｍｉｎ．を１サイクルとして、
導通が不通となるまでのサイクル数まで繰り返して行った。

＜ソルダーレジスト層の評価＞
タクト時間 １枚辺りに露光開始から露光終了までに要した時間。
この場合には、加熱時間も含む。
樹脂特性 Ｔｇ点と架橋性ということで数値にて評価をした。
Ｔｇ点は温度が高いほど硬化が進行する。
架橋性とはエポキシ当量で表示された数値である。
接続抵抗測定値 半田バッドでの接続抵抗値を測定した。
１０×１０^-11以下であれば、導通に問題なし。
１０×１０^-7以上であれば、導通に問題有り。
信頼性試験 ヒートサイクル試験
−５５℃／３ｍｉｎ．⇔１２５℃／３ｍｉｎ．を１サイクルとして、
導通が不通となるサイクル数まで繰り返して行った。

実施例１−５で行われたものは、タクト時間、樹脂特性でも問題がなく、開口部付近の変形などもなく、所望の開口形状となった。電気接続性や信頼性でも問題はなかった。
それに対して、比較例１では、信頼性において劣化するのが早まった。比較例２では、樹脂特性が劣化しているため、開口部付近の変形も見られた。また、電気接続性や信頼性でも比較例と比べて低下していることが明らかになった。

図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 図５（Ａ）、（Ｂ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 本発明の実施例１に係るプリント配線板の断面図である。 第１実施形態に係る直描露光装置の構成を示すブロック図である。 第１実施形態に係る加熱装置の構成を示すブロック図である。 図１０（Ａ）は、第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法でのソルダーレジスト層の露光工程の説明図で、図１０（Ｂ）は加熱工程の説明図で、図１０（Ｃ）は現像工程の説明図で、図１０（Ｄ）は、開口に配置した半田バンプの説明図である。 図１１（Ａ）は、第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法での露光工程の説明図で、図１１（Ｂ）は加熱工程の説明図で、図１１（Ｃ）は現像工程の説明図で、図１１（Ｄ）は、層間絶縁層への無電解めっき形成工程の説明図である。 図１２（Ａ）は、第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法でのレジスト形成工程の説明図で、図１２（Ｂ）は電解めっき膜形成工程の説明図で、図１２（Ｃ）はレジスト剥離工程の説明図である。 図１３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は従来技術でのプリント配線板の製造工程図である。 実施例と比較例との評価結果を示す図表である。 多数個取り用のプリント配線板の平面図である。

符号の説明

３０ コア基板
３４ 導体回路
５０ 層間樹脂絶縁層
５１ 開口
５８ 導体回路
６０ バイアホール
７０ ソルダーレジスト層
７１ 開口部
７６、７８ 半田バンプ
１５０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路
１６０ バイアホール
２２０ レーザ照射器
３００ 加熱炉

Claims (7)

1. 基板上に回路を形成した上に樹脂絶縁層に形成した開口を介して当該樹脂絶縁層のバイアホールを形成するプリント配線板の製造方法において：
   樹脂絶縁層の開口形成部以外を露光するステップと；
   前記樹脂絶縁層を露光後もしくは露光と同時に加熱するステップと；
   前記樹脂絶縁層を現像して、露光されていない前記開口形成部に開口を形成するステップと；
   前記樹脂絶縁層を硬化するステップと；
   を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
2. 最外層にソルダーレジスト層を形成し、該樹脂絶縁層を開口して、導体回路を露出し開口パッドを形成するプリント配線板の製造方法において：
   樹脂絶縁層の開口形成部以外を露光するステップと；
   前記樹脂絶縁層を露光後もしくは露光と同時に加熱するステップと；
   前記樹脂絶縁層を現像して、露光されていない前記開口形成部に開口を形成するステップと；
   前記樹脂絶縁層を硬化するステップと；
   を備えることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
3. 前記露光では、前記樹脂絶縁層の開口形成部以外を現像に耐え得ないレベルまで硬化し、
   前記加熱では、前記樹脂絶縁層の開口形成部以外を少なくとも現像に耐え得るレベルまで硬化し、且つ、前記開口形成部を現像で除去できる硬化レベルにすることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント配線板の製造方法。
4. 前記露光は、光又は電子線を走査して行う直描方式を用いることを特徴とする請求項３のプリント配線板の製造方法。
5. 前記樹脂は、光硬化性及び熱硬化性を備えることを特徴とする請求項４のプリント配線板の製造方法。
6. 前記加熱に、熱風炉、ＩＲ炉、レーザ、熱源となる機構を備えた装置の何れかを用いることを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１のプリント配線板の製造方法。
7. 樹脂絶縁層に形成した開口を介して当該樹脂絶縁層の下層と上層との導通を取るプリント配線板もしくはソルダーレジスト層に開口パッドを形成するプリント配線板の製造装置において：
   樹脂絶縁層に開口形成部を避けて露光する露光装置と；
   前記樹脂絶縁層を露光と同時もしくは露光後に加熱する加熱装置と；
   前記樹脂絶縁層を現像して、露光されていない前記開口形成部に開口を形成する現像装置と；を備えることを特徴とするプリント配線板の製造装置。

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