JP2005252155A - 構造体、構造体の製造方法、及び、プリント配線板、プリント配線板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 位置決めマークに不具合が起きにくく、万が一不具合が起きたとしても、位置決めマーク自体認識をすることができる位置決めマークを提供する。
【解決手段】 位置決めマーク４６を分割したドット４６ａで構成する。位置決めマーク４６内に、レジスト５０が埋まり難くなる。また、例え、２個のドット４６ａがレジスト５０により埋まっても、残りのドット４６ａから水平線Ｘ、垂直線Ｙを算出し、この交点から位置決めマーク４６の中心Ｃを正確に求めることができる。
【選択図】 図９

Description

本願発明は、少なくとも１層以上の絶縁層を有する構造体において、分割された位置決めマークを有する構造体および構造体の製造方法を用いることにより精度よく位置合わせをすることができるものである。プリント配線板もしくは半導体素子のいずれかで構造体の内、プリント配線板に用いることにより、その効果を奏するものである。

近年、ビルドアップ多層配線板などの多層プリント配線板の分野もしくは半導体の分野において、よりファインな、微細な幅のパターン形成することの要望が高まっている。その要望に応えるために透過式、又は、反射式位置決めマークを用いて、配線が描画されたマスクとプリント配線板との位置合わせを行っている。透過式では、図１８（Ａ）に示すようにプリント配線板３３０の下方に照明器１０２を配置し、プリント配線板３３０に設けられた位置決めマーク３４６を透過してカメラ１００にて撮影する。反射式では、カメラ１００の下方に、中央に開口を設けた照明器１０２を配置し、プリント配線板３３０に設けられた位置決めマーク３４６を反射光にてカメラ１００により撮影する。

反射式の位置決めマークの一例として、特開平１１−１０３１６６号や特開２００１−２５１０５１号で提案された技術がある。それにはプリント配線板の層間絶縁層上にレーザもしくはフォトエッチングにより二重リングで形成された位置決めマークを形成し、その後、基板全面にめっきを施した層間絶縁層上にドライフィルムレジストを貼り付ける。ドライフィルムを貼り付けたプリント配線板に反射式による二値化処理での画像処理により、位置決めマークとマスクの描画された位置決めマークとの位置合わせを行い、露光、現像を経て、ドライフィルムの非形成部が形成される。その非形成部に、めっきを施す。めっきを施した後、レジスト剥離、エッチングを経ることによりプリント配線板上に導体回路が形成されるのである。それにより、位置決め精度よく、導体回路が形成されるのである。
特開平１１−１０３１６６号 特開２００１−２５１０５１号

従来の方法は、基板の位置決めマークとマスクの位置決めマークとの位置合わせにより位置決めを行っている。基板の位置決めマーク内に収まることで、位置決めが完了していることから、その精度には限界がある。ファイン化された配線などを形成するには、より高精度な位置決めできるようにしないといけない。

しかしながら、画像認識をより高精度な感度で検知させれば、より高精度な位置合わせを行うことができるが、それに伴い、画像認識に要する時間も増えてしまうために、基板形成のためのタクト時間が掛かり過ぎてしまう。画像認識の感度を下げれば、タクト時間は掛からないが、位置精度が下がってしまうことが懸念される。
また、ファイン化の要望により、Ｌ／Ｓ（ライン／スペース）が２５μｍ／２５μｍ以下にさせるためには、プリント配線板などで形成される配線のＺ方向も薄くしないといけない。そのためにドライフィルムの厚みを薄くした。ドライフィルムを薄くするとフィルム自体が薄くなるために軟らかくなり、更に、密着性を上げるために物理的圧力を加えることで、形成された位置決めマーク（二重リング円状）内に、ドライフィルムが埋まりやすくなった。そのために、CCDなどのカメラによる撮像を行っても基板側の位置決めマークの画像認識が行い難くなるために、位置合わせすることために時間が掛かってしまう。ドライフィルムに変えて、液体レジストを用いた場合でも同様に埋まり易くなった。

また、レジスト材（ドライフィルムと液体レジストの２つ合わせたものを指す。）の密着性や露光性を向上させるためにレジストの特性等を変更した。そのために、レジスト材自体の粘性が低下したり、チクソ性が低下してしまったりした。そのために、従来、形成された位置決めマーク（二重リング円状）内に、レジスト材が埋まりやすい傾向になった。そのために、同様にCCDなどのカメラによる撮像を行っても基板側の位置決めマークの画像認識が行うことができないために、位置合わせすることために時間が掛かってしまう。また、位置合わせができたとしても、位置ズレを引き起こしてしまうのである。そのために、所望の配線位置よりも大幅にずれてしまいことや露光自体を行えないこともあり、プリント配線板の導体回路形成あるいはその製造をすることが阻害されてしまうこともある。それで形成された回路は、所定の位置よりもズレが大きいために、電気接続性が低下してしまったり、信頼性が低下してしまったりした。

このレジストによる埋まりについて、図１７を参照して更に詳細に説明する。
図１７（Ａ１）は上記反射式のリング状位置決めマーク４６Ｒの平面図であり、図１７（Ａ２）は図１７（Ａ１）中のＡ１−Ａ１断面図であり、図１７（Ａ３）はレジスト３５０が入り込んだリング状位置決めマーク４６Ｒの説明図である。図１７（Ａ３）に示すように、リング状位置決めマーク４６Ｒ内にレジスト３５０が埋まり込むことで、位置決めマークの画像認識に時間が掛かるのに加えて、画像認識される円が図中の例では左上側にずれ、リングの中心Ｃがずれて、Ｃ’を中心として認識するようになり、位置決め精度が下がっていた。

かかる問題は、透過式でも発生した。図１７（Ｂ１）は透過式の十字状位置決めマークの平面図であり、図１７（Ｂ２）は図１７（Ｂ１）中のＢ１−Ｂ１断面図であり、図１７（Ｂ３）はレジスト３５０が入り込んだ十字状位置決めマーク４６Ｃの説明図である。透過式においてもレジストで埋まることは望ましいことではないが、反射式の場合には、画像認識が透過式より難しいため、重大な問題となる。

一方、例え位置決めマーク自体に不具合が生じたとしても画像認識時間を要しないことも必要となっている。
さらに、マスク露光以外にも直接描画タイプの露光、もしくはそれら以外でも位置合わせを用いるレーザでのバイアホールの開口、ソルダーレジスト層の開口パッドの形成などにも用いられる位置決めマークを創出する必要もある。

上述した課題を解決するため本発明の目的は、画像認識の精度が下がることなく、タクト時間も掛からない、さらに位置決めマークに不具合が起きにくく、万が一不具合が起きたとしても、位置決めマーク自体認識をすることができる位置決めマークとその位置決めマークを用いる製造方法を提案することにある。
また、位置決めマークの大きさにより精度を上げることができるようにすることを目的とする。

本願発明の構造体は、少なくとも１層以上の絶縁樹脂層を有する構造体において、分割された位置決めマークを有することを技術的特徴とする。

また、本願発明は、少なくても１〜３工程を経る構造体の製造方法を技術的特徴とする。
１）絶縁層を有する構造体であり、該構造体上に分割された位置決めマークを形成する工程−
２）前記構造体上に樹脂層を形成する工程−
３）該分割された位置決めで画像認識により位置合わせし、前記樹脂層に開口する工程−

本願発明は分割された位置決めマークに特徴がある。該位置決めマーク上に形成される樹脂層の特性に関わらず、位置決めマーク内に、樹脂層が埋まり難くなるのである。形成される樹脂層としては、層間絶縁層、配線を保護するソルダーレジスト層、配線を形成するレジスト層等が該当する。それらがフィルム、液体あるいはその２つのいずれかであっても位置決めマークに埋まり難くなるからである。さらに絶縁樹脂層上において、該樹脂層の開口して、かつ分割された位置決めマークを用いることが望ましい。それであれば、位置決めマークの形成位置の自由度があり、かつ、位置決めマークとして役目を果たすのである。

また、分割された位置決めマークとは、位置決めマーク全体としては一つであるが、個々には連続で繋がっていないものを指す。その個数は、２つ以上であってもよいし、ドットなどのように点状で配置して、その形成された領域全体で位置決めマークとして認識させてもよい。また、中心となる点とその回りに少なくとも一つ以上の点を配して形成した位置決めマークでもよい。すべてが同じ形状（例えば、円、楕円、三角形、四角形以上の多角形、星型、十字などの形状）、同じ大きさであってもよいし、逆にすべての異なる形状、異なる大きさであってもよい。その形成された位置決めマークの一部だけ光沢を変える等の他の形成と異なる様にしてもよい。故に、位置決めマークとして形成された領域において連続で繋がっていないものすべてが本願の位置決めマークに該当する。

本願発明で指す構造体とは、位置決め合わせにより、配線などの導体層を形成する構造体、樹脂層などを貫通もしくは非貫通を形成される構造体などであり、電気的な接続をして、駆動や起動させることができるものすべて構造体を指す。その具体的な例としては、プリント配線板もしくは半導体素子などである。プリント配線板としては、サブトラ方式によるプリント配線板、アディティブ方式によるプリント配線板と通常プリント配線板と呼ばれるものすべてを指す。また、半導体としては、シリコンウエハーなどの半導体材料を起点して、形成されるものであり、例えば、ＩＣチップ、ＭＰＵ等の始めとする電子部品全般を指す。

また、本願発明のプリント配線板は、少なくとも１層以上の層間絶縁層を有するプリント配線板において、前記層間絶縁層上に分割されたドットから成る位置決めマークを有することを技術的特徴とする。

本願発明は、分割されたドットから成る位置決めマークに特徴がある。該位置決めマーク上に形成される樹脂層の特性に関わらず、位置決めマーク内に、樹脂層が埋まり難くなるのである。形成される樹脂層としては、層間絶縁層、配線を保護するソルダーレジスト層、配線を形成するレジスト層等が該当する。それらがフィルム、液体あるいはその２つのいずれかであっても位置決めマークに埋まり難くなるからである。

さらに絶縁樹脂層上において、該樹脂層の開口して、かつ分割された位置決めマークを用いることが望ましい。それであれば、位置決めマークの形成位置の自由度があり、かつ、例え一部の位置決めマークが埋まったとしても、位置決めマークとして役目を果たすのである。

分割された位置決めマークにおける分割された距離間は、７５〜２５００μｍであることが望ましい。
分割された距離間が７５μｍ未満であるとＣＣＤなどのカメラによる画像認識では連続として認識されてしまう。また、位置決めマーク内に埋まりやすくなる。位置決めマークの形成自体も難しいことがある。

逆に、２５００μｍ未満であると、ＣＣＤなどのカメラによる画像認識で、認識できないことがあるし、認識時間が掛かってしまうことがある。また、位置決めマーク自体も大きくなりすぎてしまい、形成領域が増えたり、画像認識にも時間を要たりしてしまう。

分割された位置決めマークにおいて、分割された位置決めマークの大きさは、直径４０〜３００μｍであることが望ましい。
位置決めマークの大きさの直径が４０μｍ未満であると、ＣＤなどのカメラによる画像認識ができないことがあるし、形成自体も難しいことがある。
逆に、直径が３００μｍを超えると個別の分割体の中にレジストが埋まり易くなるからである。

また、本願発明は、少なくても１〜３工程を経るプリント配線板の製造方法を技術的特徴とする。
１）少なくとも１層以上である層間絶縁層を有するプリント配線板であり、該層間絶縁層上に分割されたドットから成る位置決めマークを形成する工程−
２）前記プリント配線板上にドライフィルムもしくは液状レジスト層を形成する工程−
３）該分割された位置決めマークと位置合わせし、露光、現像する工程

また、本願発明は、少なくても１〜３工程を経るプリント配線板の製造方法を技術的特徴とする。
１）少なくとも１層以上である層間絶縁層を有するプリント配線板であり、該層間絶縁層上に分割されたドットから成る位置決めマークを形成する工程−
２）前記プリント配線板上にレジスト層もしくはソルダーレジスト層を形成する工程−
３）該分割された位置決めマークと位置合わせし、露光、現像する工程

本願発明は、分割されたドットから成る位置決めマークに特徴がある。該位置決めマーク上に形成される樹脂層の特性に関わらず、位置決めマーク内に、樹脂層が埋まり難くなるのである。形成される樹脂層としては、層間絶縁層、配線を保護するソルダーレジスト層、配線を形成するレジスト層等が該当する。それらがフィルム、液体あるいはその２つのいずれかであっても位置決めマークに埋まり難くなるからである。
さらに絶縁樹脂層上において、該樹脂層の開口して、かつ分割された位置決めマークを用いることが望ましい。それであれば、位置決めマークの形成位置の自由度があり、かつ、例え一部の位置決めマークが埋まったとしても、位置決めマークとして役目を果たすのである。

また、本願発明は、少なくても１〜３工程を経るプリント配線板の製造方法を技術的特徴とする。
１）少なくとも１層以上である層間絶縁層を有するプリント配線板であり、該層間絶縁層上に分割されたドットから成る位置決めマークを形成する工程−
２）前記プリント配線板上にレジスト層もしくはソルダーレジスト層を形成する工程−
３）該分割された位置決めマークと位置合わせし、露光、現像する工程

本願発明は分割されたドットから成る位置決めマークに特徴がある。該位置決めマーク上に形成される樹脂層の特性に関わらず、位置決めマーク内に、樹脂層が埋まり難くなるのである。形成される樹脂層としては、層間絶縁層、配線を保護するソルダーレジスト層、配線を形成するレジスト層等が該当する。それらがフィルム、液体あるいはその２つのいずれかであっても位置決めマークに埋まり難くなるからである。
さらに絶縁樹脂層上において、該樹脂層の開口して、かつ分割された位置決めマークを用いることが望ましい。それであれば、位置決めマークの形成位置の自由度があり、かつ、例え一部の位置決めマークが埋まったとしても、位置決めマークとして役目を果たすのである。

分割された位置決めマークにおける分割されたドット間の距離は、７５〜２５００μｍであることが望ましい。
分割された距離間が７５μｍ未満であるとＣＣＤなどのカメラによる画像認識では連続として認識されてしまう。また、位置決めマーク内に埋まりやすくなる。位置決めマークの形成自体も難しいことがある。
逆に、２５００μｍを超えると、ＣＣＤなどのカメラによる画像認識で、認識できないことがあるし、認識時間が掛かってしまうことがある。また、位置決めマーク自体も大きくなりすぎてしまい、形成領域が増えたり、画像認識にも時間を要したりしてしまう。

分割された位置決めマークにおいて、分割された位置決めマークの大きさは、４０〜３００μｍであることが望ましい。
分割された位置決めマークにおいて、分割された位置決めマークの大きさは、直径４０〜３００μｍであることが望ましい。
位置決めマークの大きさの直径が４０μｍ未満であると、ＣＣＤなどのカメラによる画像認識ができないことがあるし、形成自体も難しいことがある。
逆に、直径が３００μｍを超えると個別の分割体の中にレジストが埋まり易くなるからである。

分割された位置決めマークの形成には、レーザ、フォトエッチング、パンチングのいずれかで行われることが望ましい。
レーザであれば、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＵＶレーザなどを用いることができる。個別にレーザを照射して形成する方法でも、マスクを介して、一括で形成する方法などを用いることができる。
フォトエッチング（露光、現像を経る工程）であれば、感光性を有する樹脂上に、予め分割された位置決めマークが描画されたマスクを載置して、露光、現像を経て、形成させる方法である。
パンチングとは、位置決めマークをくり抜くことにより、開口を形成して、分割された位置決めマークを形成する方法である。

本願は、微細配線やファインピッチ化した配線もしくはパッドなどを形成するための構造体あるいはプリント配線板に用いることが望ましいのである。

分割された位置決めマークでは、位置決めマーク内に樹脂層が埋まりにくい。そのために、画像認識において位置決めマーク自体が認識されにくいということが発生しにくくなる。
また、万が一位置決めマーク内に、樹脂層が埋まったとしても画像認識ができるために、配線などの形成が阻害されないのである。
さらに、構造体やプリント配線板配線などの位置決め精度が向上されつつも、画像認識でのタクト時間が長くならないのである。

分割された位置決めマークとは、一つの位置決めマークであるが、個別に分割されて形成されていて、連続で繋がっていないものを指す。
例えば十字で説明を行う。従来技術によって形成した位置決めマークでは、図１７（Ｂ１）のような十字での位置決めマーク４６Ｃになってしまう。それに対して、本願発明の位置決めマークは、図９（Ａ）のような分割された個別のドット４６ａなどで十字が形成された位置決めマーク４６である。図１７（Ｂ１）のＢ１−Ｂ１断面を図１７（Ｂ２）に示す。一方、図９（Ａ）のＡ２−Ａ２断面を図９（Ｂ）に示す。ここで、図１７（Ｂ１）の十字位置決めマーク４６Ｃの径Φ２と、図９（Ａ）に示す分割された位置決めマーク４６の径Φとは共に７０μｍであるが、分割された位置決めマーク４６では連続する部分がないため、レジスト５０が埋まり難い。図１７（Ａ１）に示すリング状位置決めマーク４６Ｒは、径Φ１が７０μｍであっても、連続する形状のためレジストが埋まり易い。本願発明では、位置決めマークがレジストに埋まり難く常に存在するので、画像認識上でも判定することができる。また、例え、図９（Ａ）中で２個のドット４６ａがレジスト５０により埋まっても、残りのドット４６ａから水平線Ｘ、垂直線Ｙを算出し、この交点から位置決めマーク４６の中心Ｃを正確に求めることができる。
そのために、形成された配線や開口などは、所望の大きさや位置に形成されるのである。また、画像認識自体も行えるため位置精度を低下させることはなく、画像認識に要する時間も長くならないのである。

分割された位置決めマークでは、主として構造体あるいはプリント配線板上に樹脂層が形成されて、その樹脂層を貫通する開口され、かつ、個々の点で形成されたものであることが望ましいのである。その理由として、位置決めマークの位置の自由度が高いことと形成されたマークは、コントラストがつきやすく画像認識が行いやすいからである。それ以外でも導体層の一部を分割した位置決めマークなどでもよい。

また、分割された位置決めマークでは、予め導体層が形成された構造体あるいはプリント配線板上に樹脂層が形成されて、その樹脂層を貫通する開口され、かつ、個々の点で形成されたものであることがもっとも望ましいのである。その理由としても位置決めマークを形成する際の構造体あるいはプリント配線板の損傷を抑えることができる。
レーザあるいはパンチングで位置決めマークを形成した場合には、レーザの熱の影響や工程時の衝撃などを導体層により緩和させることができ、位置決めマークを所望の大きさや形状を形成させることができる。フォトエッチング（露光、現像を経る工程）で位置決めマークを形成した場合では、現像液、剥離液などの薬液から構造体あるいはプリント配線板から守ることができ、位置決めマークを所望の大きさや形状を形成させることができる。

図９（Ａ）に示す分割された位置決めマーク４６における分割されたドット４６ａ−４６ａ間の距離Ｄは、７５〜２５００μｍであることが望ましい。
分割された距離間が７５μｍ未満であるとＣＣＤなどのカメラによる画像認識では連続として認識されてしまう。また、位置決めマーク内に埋まりやすくなる。位置決めマークの形成自体も難しいことがある。
逆に、２５００μｍを超えると、ＣＣＤなどのカメラによる画像認識で、認識できないことがあるし、認識時間が掛かってしまうことがある。また、位置決めマーク自体も大きくなりすぎてしまい、形成領域が増えたり、画像認識にも時間を要してしまう。

分割された位置決めマークにおいて、分割された位置決めマークの大きさ（径Φ）は、４０〜３００μｍであることが望ましい。
位置決めマークの大きさの直径が４０μｍ未満であると、ＣＤなどのカメラによる画像認識ができないことがあるし、形成自体も難しいことがある。
逆に、直径が３００μｍを超えると個別の分割体の中にレジストが埋まり易くなるからである。

分割された位置決めマークは、十字だけでなく、図１４（Ｄ）、図１４（Ｅ）に示す４角形、図１４（Ｆ）に示す８角形、図１４（Ｇ）に示す３角形等の多角形、図１４（Ｈ）、図１４（Ｉ）に示す円形、星型などの様々な形状を用いることができる。分割されているものであれば形状は問われない。

また、分割された位置決めマークは、同じ大きさのものだけ形成するのでも、個々にすべて異なる大きさで形成したものでもよい。個別の大きさにはなんら関係はなく、分割されていればよい。場合によっては、位置決めマークの中心となる点を決めて、その中心点を画像認識のための中心として認識させることを行ってもよい。図１４（Ｂ）に示すように中心となる点を小さくして、回りの点を大きくしてもよく、図１４（Ｃ）に示すようにその逆の組み合わせであってもよい。更に、図１４（Ａ）に示すように１０個以上のドットで形成してもよいし、９個未満のドットから構成してもよい。但し、十字の場合には、図９（Ａ）を参照して上述したように、９個以上のドットから構成することで、幾つかのドットがレジストに埋まっても正確に中心Ｃを求めることができる。

位置決めマークの形成位置は、構造体あるいはプリント配線板の四隅に形成されるのがよい。その形成数は、３つ以上であることが望ましい。その理由としては、３つ以上であれば、位置合わせを行っても精度よく位置合わせを行うことができ、位置ズレが出にくいからである。
また、構造体あるいはプリント配線板の中心に形成してもよい。その場合であっても構造体あるいはプリント配線板には他に２つの位置決めマークを形成することが望ましい。その理由としては、３つ以上であれば、位置合わせを行っても精度よく位置合わせを行うことができ、位置ズレが出にくいからである。
複数の位置決めマークを形成するのであれば、すべて同じ大きさ、同一形状であってもよいし、大きさが異なるあるいは形状が異なってもよいのである。形成された位置決めマークが分割された位置決めマークであることが最優先されるのである。

構造体あるいはプリント配線板上にレジスト層を形成する。レジスト層としては、ドライフィルムあるいは液状レジストを用いるのである。用いられる樹脂としては、熱硬化性樹脂、感光性樹脂、紫外線硬化樹脂、熱硬化性樹脂の一部が（メタ）アクリル基が付加された樹脂、熱硬化性樹脂と感光性樹脂の樹脂複合体、熱硬化性樹脂と紫外線硬化樹脂の樹脂複合体、熱硬化性樹脂と熱硬化性樹脂の一部が（メタ）アクリル基が付加された樹脂の樹脂複合体などを用いることができる。その具体例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などを用いることができる。
この形成されるレジスト層は、厚さ１〜３０μｍで形成される。そもそもＬ／Ｓ＝２５μｍ以下／２５μｍ以下の微細配線用のレジストである。そのためにレジスト層の厚みは、薄くなるために、軟らかいものである。また、レジスト密着性や露光性を向上させるためにレジストの特性等を変更した。そのために、レジスト材自体の粘性が低下したり、チクソ性が低下してしまったりした。そのために、位置決めマークに埋まりやすくなっていた。それ故に、本願のような分割された位置決めマークを用いることにより、位置決めマークが埋まり難くなるのであり、万が一埋まったとしても位置決めマークとしての役目を果たすことができる。

構造体あるいはプリント配線板の位置決めマークと位置合わせを行うのは、主として露光、現像を経て形成される方法である。それ以外にも炭酸ガス、ＵＶレーザ、エキシマレーザなどをレーザ照射して樹脂層に非貫通孔であるバイアホールや開口を形成する方法
配線や開口などが予め描画されたマスクと位置合わせを行う露光（以下「マスク露光」と称する）やパターンデータに基づいて電子線を偏向器で走査し、または、レーザをミラーで反射させ、構造体あるいはプリント配線板にパターンや開口等を形成する直接描画による技術に用いられるのである（以下「直描技術」と称する）。

マスク露光とは、ガラス等からなる材料に、配線や開口等が描画されたマスクを構造体あるいはプリント配線板上に直接接して、光により露光、現像を経ることにより、配線、開口もしくはパッドなどを形成する方法である。
そのマスク上に、金属（例えばクロム）や樹脂により配線やパッドが描画され、マスクの一部に構造体あるいはプリント配線板との位置合わせ用の位置決めマークが形成されている。構造体あるいはプリント配線板上には半硬化であるＢステージ状である樹脂層が形成されている。その樹脂層上に直接載置させて、マスクの位置決めマークと分割された位置決めマークとで位置合わせを行う。場合によっては、マスクや構造体あるいはプリント配線板上に保護フィルムを形成してもよい。その保護フィルムにより、マスクへの樹脂層の付着などを防止するのである。

位置合わせには、まずマスクの位置決めマークをＣＣＤなどの撮像用のカメラで撮像し、その撮像した画像をデジタルな処理をする「二値化処理」あるいはアナログな処理をする「グレー処理」によって画像に変換して、画像認識をさせる。このときに位置決めマークには、位置合わせマークに光源を当てる。その光源の照射方法としては、カメラ−構造体あるいはプリント配線板という位置関係に対して、図１８（Ａ）を参照して前述したように構造体あるいはプリント配線板の下部から光源を当てて、それにより透過した位置決めマークを撮像する透過式による位置決めマーク認識方法、あるいは、図１８（Ｂ）を参照して上述したようにカメラと同一方向から光源を当てて、構造体あるいはプリント配線板に反射した位置決めマークを撮像する反射式による位置決めマーク認識方法がある。いずれかの方法どちらを用いてもよい。使用する位置決めマークの大きさや形状、使用される樹脂層の特性や組成、色合い、構造体やプリント配線板の色などの様々な要因によって、適時使用することができる。

撮像された画像の処理方法は、デジタル処理による「二値化処理」または、アナログ処理による「グレー処理」と呼ばれる方法で行うことができる。「二値化処理」と呼ばれるものは、位置決めするマークとそのマーク以外の部分とのコントラストの差を二値化（白／黒）することにより、画像処理で認識して、基板とマスクとの位置決めを行うものである。具体的には、位置決めマークを上部から光を照射すると共に画像認識用のカメラによって撮像し、反射量の多い位置決めマーク（凹部分）を白と、その他のドライフィルムで覆われた反射量の少ないめっき部分（凹部部分以外）を黒と判定することにより、位置決めマーク（白）を認識し、基板とマスクとを位置合わせする。

一方、「グレー処理」と呼ばれるものは、位置決めするマークとそのマーク以外の部分とのコントラストの差を明るさの変化率（変位点）の差として判定することにより、画像処理で認識して、基板とマスクとの位置決めを行うものである。認識方法として、パターンマッチングすることや位置決めマークの外形の重心を認識することなどで行う。具体的には、位置決めマークを上部から画像認識用のカメラによって撮像し、位置決めマーク（凹部分）と、その他のドライフィルムで覆われためっき部分との明るさの差をコントラストの差として判定することにより、位置決めマークを認識し、基板とマスクとの位置を合わせる。

反射式の画像処理は、二値化処理、グレー処理のどちらを用いてもよく、その選択は、形成する凹部の形状、大きさ、深さといった位置決めマークを形成する要因、使用するドライフィルムの色、厚み、層間絶縁層の色、厚み、粗度といった画像認識する際の要因によって異なる。二値化処理は、画像処理が容易であり、処理時間が短縮できる利点がある。一方、リングの形状の不具合（欠け、ドライフィルムの溶出）、コントラストの差が比較的不明瞭な場合といった認識の変化に対しては、明るさの変化率で判定するグレー処理の方が適している。

この撮像時に、位置ズレが生じた場合は、位置ずれした距離、角度を演算し、演算された距離、角度のデータを元に機械的に補正をする。
この位置合わせの認識を経て、マスクの位置決めマークと構造体あるいはプリント配線板との分割された位置決めマークを重ねて位置合わせをする。このときも前述の方法により行い、所望の位置決めマークの範囲に入っているか否かを判断し、必要であれば、機械的な補正を行う。その必要がなければ、減圧下もしくは真空下で密着させて、再度カメラで撮像して、位置ズレの有無の確認を経て、露光を行う。

露光層にによる露光は以下の手順で行う。
ドライフィルム圧着工程−めっき膜上に感光性ドライフィルムを圧着する。
位置決合わせ工程−反射式による画像処理による基板、基板とマスクとの位置合わせを行い、露光してめっきレジストパターンを形成させる。その反射式の画像処理は、上述した二値化処理、又は、グレー処理で行われる。その画像処理及び露光の方法は後述する［１］〜［７］の順序で行われる。

［１］〜［７］の工程は露光装置により行われる。該露光装置は、位置決めマークを基板上部から光を照射するランプ、光の照射された基板の位置決めマーク、またはマスクの黒円を撮像するための画像認識用カメラ、カメラの撮像した位置決めマークを画像処理して映し出すモニター、撮像した位置決めマークから基板又はマスクの位置補正距離を演算する演算装置、演算装置の演算した位置補正距離に従い基板または、基板とマスクの位置を機械的に補正する装置を少なくとも１台は有してしている。装置によっては、位置決めマーク毎に、光源用ランプとカメラとを備えることもできる。

導体回路形成工程一反射式による画像処理を行って露光・現像されためっきレジストにて回路パターンが形成された基板に、電解めっきを施す。その後、アルカリ溶夜でドライフィルムを剥離し、めっき膜をエッチングによって除去して、導体回路を形成させる。なお、必要に応じてエッチング後、酸や酸化力のある過マンガン酸塩、クロム酸などでＰｄ触媒を除去してもよい。

直描技術とは、パターンデータに基づいて電子線を偏向器で走査、又は、レーザをミラーで反射させて、構造体あるいはプリント配線板にパターンや開口等を形成する直接描画による技術に用いられるのである。構造体あるいはプリント配線板描画時にパターンを形成しているのでパターン生成に関わる装置の制御回路や実際に電子線、レーザを制御するための装置が必要となる。それらの動きを一括管理するためのコンピュータが必要となる。その電子線、レーザを制御することにより微細な配線や小径の開口を形成することが可能となるのである。

そのパターンデータと構造体あるいはプリント配線板の分割された位置決めマークとの位置合わせは、予めデータ上で形成されたパターンデータ用位置決めマークと構造体あるいはプリント配線板の分割された位置決めマークをカメラにより撮像された画像処理されたものとを位置合わせを行う。このとき同時に行ってもいいが、２回以上の分けて行ってもよい。このとき、位置ズレが生じた場合は、構造体あるいはプリント配線板の位置ズレの距離、角度を演算して、演算された結果のデータを元に距離、角度を機械的に補正した後、再度位置合わせを行う。位置合わせが終わったときに、パターンデータを元に構造体あるいはプリント配線板上に直接描画させるのである。この描画には、一括して描画させる方法でも、部分的に描画させて、逐次ずらしつつ描画を行う方法のいずれかでもよい。個片で同一パターンを繰り返し描画させるのであれば、逐次ずらしつつ描画を行う方法を用いることがよい。それにより、パターンのデータ量が小さくすることから、形成されるパターンの誤差が小さいからである。

その後、アルカリなどに溶液により現像させることにより、樹脂層に配線、開港などを形成させることができる。

続いて、本発明の位置決めマークを用いたプリント配線板の製造方法について、説明をする。少なくとも以下の粗化面形成工程〜導体回路形成工程を経て一層が形成されるが、導体回路形成工程後に、層間樹脂絶縁層形成工程〜導体回路形成工程を繰り返すことにより、更に上層を形成することもできる。

粗化面形成工程−まず、予め回路が形成された基板を用意する。基板としては、両面銅張積層板にスルーホールを施してランド及び導体回路を形成した基板を用いるとよい。また銅張積層板以外にも、セラミック基板、アルミナ基板、窒化アルミ基板を用いてもよい。次に、基板の金属層（導体回路）に粗化面を形成する。粗化面の形成方法としては、例えば、酸化（黒化）−還元処理、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｐからなる合金などの無電解めっき膜、あるいは、第二銅錯体と有機酸塩からなるエッチング液などのエッチング処理などがある。

層間樹脂絶縁層工程−基板上に層間樹脂絶縁層を形成する。層間樹脂絶縁層の厚みは、１５〜６０μｍの範囲で形成するのがよい。層間絶縁樹脂層の形成には、塗布、あるいは半硬化の樹脂フィルムを圧着して形成させてもよい。形成される樹脂としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂或いはそれらの複合体でもよい。その樹脂としては、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等を用いることができる。その中に、酸あるいは酸化剤によって溶解あるいは脱落させて粗化面を形成することができるものを用いてもよい。

バイアホール形成工程−層間樹脂絶縁層にバイアホールを形成する。バイアホールの形成としては、露光現像処理あるいはレーザよって行う。

位置決めマーク形成工程−層間樹脂絶縁層に位置決めマークを形成する。位置決めマークの形成は、バイアホール形成と同時あるいは、バイアホール形成前後にレーザによって形成する。位置決めマークをレーザで形成することにより、露出した凹部の金属層に形成されていた粗化面を除去し、金属層に光沢面を形成することができる。使用されるレーザとしては、炭酸ガスレーザ、エキシマレーザ、ＹＡＧレーザ、ＵＶレーザ等を用いることができる。レーザによって形成された位置決めマークの金属層を光沢度計で測定した光沢度としては、０．１０〜０．７０の範囲であることがよい。その範囲であれば、層間絶縁樹脂層および位置決めマークの凹部内に金属膜を形成したとしても位置決めマーク部分の光沢面によって、コントラストが明確になるために、ドライフィルムを貼り付けた後でも反射式による画像処理で画像認識することができる。特に、光沢度としては、０．３〜０．６にすることが望ましい。その理由は、層間樹脂絶縁層の厚みによらず位置合わせが正確に行えるからである。

金属膜形成工程−層間樹脂絶縁層表面、バイアホール及び位置決めマークの凹部に金属膜を施す。金属層を形成する前に、酸あるいは酸化剤などによって層間樹脂絶縁層の表層に粗化層を設けてもよい。形成する金属膜は、無電解めっき、スパッタ、蒸着などによって行う。また、それらの複合体でもよい。銅、ニッケル、亜鉛、スズ、鉄などで厚み０．０１〜３μｍの範囲で形成するのがよい。その中でも、銅で厚み０．１〜２μｍの間で形成するのがよい。その範囲で有れば、粗化面の有無に関係なく一面に一様に金属膜を形成することができる。

ドライフィルム圧着工程−金属膜上に感光性ドライフィルムを圧着する。ドライフィルムの厚みは５〜２０μｍの範囲のものを用いることがよい。

（マスク露光のプロセス）
位置合わせ工程−画像処理による、基板とマスクとの位置合わせを行い、露光してめっきレジストパターンを形成させる。その反射式の画像処理は、上述した二値化処理、又は、グレー処理で行われる。その画像処理及び露光の方法は以下の［１］〜［７］の順序で行われる。

［１］金属膜を施しドライフィルムを貼り付けた基板に形成された分割された位置決めマーク用の正面から照明を当てて、反射光をカメラによって撮像する。その際、カメラに固定されたリング状の照明器にて凹部の照明を当てて撮像してもよい（一回目の撮像粗位置合わせ）。撮像は、一台のカメラで複数の位置決めマークを順次行って行くことも、複数のカメラで各位置決めマークを同時に撮像することも可能である。もしくは透過光によってカメラによって撮像しても良い。

［２］マスクを介して基板の該位置決めマークを撮像し、撮影した映像をテレビモニターに映し出す。

［３］位置決めマークの位置ずれ距離、角度を演算して、その演算された距離、角度のデータを基板、マスクまたは、基板保持側とマスク保持側の両方へ送信して、機械的に位置補正をする。

［４］次に、照明が当てられた基板の位置決めマークとマスクに印刷された黒円とを同時にカメラによって撮像する（２回目の撮像位置合わせ）。

［５］［２］、［３］と同様に行い、基板とマスクとの位置合わせを行う。

［６］［５］で位置合わせが終わった基板をマスクへ密着させた後、基板の位置決めマークとマスクの黒円とをカメラで再び撮像して、モニターに映し出して位置決めマークとマスクとの位置を確認する（３回目の撮像位置確認）。

［７］必要に応じて、照明、カメラなどをずらした後、露光を行う。次いで、マスクと基板とを離して、その後、アルカリ溶液などによって現像を行うことより、配線形成用のめっきレジストパターンが基板に施される。

（直描のプロセス）
位置合わせ工程−画像処理による、基板とマスクとの位置合わせを行い、露光してめっきレジストパターンを形成させる。その反射式の画像処理は、上述した二値化処理、又は、グレー処理で行われる。その画像処理及び露光の方法は以下の［i］〜［v］の順序で行われる。

［i］直接描画装置内のデータ収納部に納められている複数の描画データから基板の描画をするデータを呼び出して（例えば、配線描画データを受取りハードディスクが読み取ることを指す。）描画データを作成する。

［ii］［i］で選択された描画データをデータ収納部からの描画転写部に転送する。
このとき転送されたデータは、一括ですべてのデータを転送してもよいし、一部分の描画データを転送してもよい。

［iii］反射式あるいは透過式による光源を基板の分割された位置決めマークに当てる。
光源の当てられた位置決めマークをＣＣＤなどのカメラにより撮像する。撮像された画像を「ニ値化」もしくは「グレー処理」などによりデータ化させた後、位置決めマークにおける位置ズレ量を検出する。位置ズレが検知された場合には、基板のＸ軸、Ｙ軸あるいは角度方向でのズレ量を機械的な位置補正により、位置ズレを矯正する。その矯正には、一度に矯正あるいは複数回に分けて矯正してもよい。

［iv］位置合わせが完了した基板上に、描画転写部に収納されたデータを元にミラー、レンズなどを用いて、基板へ照射させる。このとき、照射する面積は基板の描画する面積全部でもよいし、描画する面積の一部分だけであってもよい。個片化した同じ製品で複数より集まった基板であれば、その個片ごとの描画データを照射させて、次に隣の個片の描画データを照射させるということをおこなってもよい。あるいは複数台の電子線、レーザの照射装置を用いて、基板内を分割させて、それ分割したデータをそれぞれ基板に照射させてもよい。分割されたデータの場合は複数化に分けて露光を行う。

［v］その後、描画が完了した基板をアルカリ溶液などによって現像を行うことより、配線形成用のめっきレジストパターンが基板に施される。

導体回路形成工程一反射式による画像処理を行って露光・現像されためっきレジストにて回路パターンが形成された基板に、電解めっきを施す。その後、アルカリ溶夜でドライフィルムを剥離し、めっき膜をエッチングによって除去して、導体回路を形成させる。なお、必要に応じてエッチング後、酸や酸化力のある過マンガン酸塩、クロム酸などでＰｄ触媒を除去してもよい。

続いて、本発明のプリント配線板及びプリント配線板の製造方法において層間樹脂絶縁層を形成するために使用する樹脂フィルムについて説明する。該樹脂フィルムは、難溶性樹脂、可溶性粒子、硬化剤、その他の成分が含有されている。それぞれについて以下に説明する。

本発明の製造方法において使用する樹脂フィルムは、酸または酸化剤に可溶性の粒子（以下、可溶性粒子という）が酸または酸化剤に難溶性の樹脂（以下、難溶性樹脂という）中に分散したものである。なお、本発明で使用する「難溶性」「可溶性」という語は、同一の酸または酸化剤からなる溶液に同一時間浸漬した場合に、相対的に溶解速度の早いものを便宜上「可溶性」と呼び、相対的に溶解速度の遅いものを便宜上「難溶性」と呼ぶ。

上記可溶性粒子としては、例えば、酸または酸化剤に可溶性の樹脂粒子（以下、可溶性樹脂粒子）、酸または酸化剤に可溶性の無機粒子（以下、可溶性無機粒子）、酸または酸化剤に可溶性の金属粒子（以下、可溶性金属粒子）等が挙げられる。これらの可溶性粒子は、単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

上記可溶性粒子の形状は特に限定されず、球状、破砕状等が挙げられる。また、上記可溶性粒子の形状は、一様な形状であることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができるからである。

上記可溶性粒子の平均粒径としては、０．１〜１０μｍが望ましい。この粒径の範囲であれば、２種類以上の異なる粒径のものを含有してもよい。すなわち、平均粒径が０．１〜０．５μｍの可溶性粒子と平均粒径が１〜３μｍの可溶性粒子とを含有する等である。これにより、より複雑な粗化面を形成することができ、導体回路との密着性にも優れる。なお、本発明において、可溶性粒子の粒径とは、可溶性粒子の一番長い部分の長さである。

上記可溶性樹脂粒子としては、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等からなるものが挙げられ、酸あるいは酸化剤からなる溶液に浸漬した場合に、上記難溶性樹脂よりも溶解速度が速いものであれば特に限定されない。上記可溶性樹脂粒子の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等からなるものが挙げられ、これらの樹脂の一種からなるものであってもよいし、２種以上の樹脂の混合物からなるものであってもよい。

また、上記可溶性樹脂粒子としては、ゴムからなる樹脂粒子を用いることもできる。上記ゴムとしては、例えば、ポリブタジエンゴム、エポキシ変性、ウレタン変性、（メタ）アクリロニトリル変性等の各種変性ポリブタジエンゴム、カルボキシル基を含有した（メタ）アクリロニトリル・ブタジエンゴム等が挙げられる。これらのゴムを使用することにより、可溶性樹脂粒子が酸あるいは酸化剤に溶解しやすくなる。つまり、酸を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、強酸以外の酸でも溶解することができ、酸化剤を用いて可溶性樹脂粒子を溶解する際には、比較的酸化力の弱い過マンガン酸塩でも溶解することができる。また、クロム酸を用いた場合でも、低濃度で溶解することができる。そのため、酸や酸化剤が樹脂表面に残留することがなく、後述するように、粗化面形成後、塩化パラジウム等の触媒を付与する際に、触媒が付与されなかったり、触媒が酸化されたりすることがない。

上記可溶性無機粒子としては、例えば、アルミニウム化合物、カルシウム化合物、カリウム化合物、マグネシウム化合物およびケイ素化合物からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。

上記アルミニウム化合物としては、例えば、アルミナ、水酸化アルミニウム等が挙げられ、上記カルシウム化合物としては、例えば、炭酸カルシウム、水酸化カルシウム等が挙げられ、上記カリウム化合物としては、炭酸カリウム等が挙げられ、上記マグネシウム化合物としては、マグネシア、ドロマイト、塩基性炭酸マグネシウム等が挙げられ、上記ケイ素化合物としては、シリカ、ゼオライト等が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用してもよい。

上記可溶性金属粒子としては、例えば、銅、ニッケル、鉄、亜鉛、鉛、金、銀、アルミニウム、マグネシウム、カルシウムおよびケイ素からなる群より選択される少なくとも一種からなる粒子等が挙げられる。また、これらの可溶性金属粒子は、絶縁性を確保するために、表層が樹脂等により被覆されていてもよい。

上記可溶性粒子を、２種以上混合して用いる場合、混合する２種の可溶性粒子の組み合わせとしては、樹脂粒子と無機粒子との組み合わせが望ましい。両者とも導電性が低くいため樹脂フィルムの絶縁性を確保することができるとともに、難溶性樹脂との間で熱膨張の調整が図りやすく、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層にクラックが発生せず、層間樹脂絶縁層と導体回路との間で剥離が発生しないからである。

上記難溶性樹脂としては、層間樹脂絶縁層に酸または酸化剤を用いて粗化面を形成する際に、粗化面の形状を保持できるものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、これらの複合体等が挙げられる。また、これらの樹脂に感光性を付与した感光性樹脂であってもよい。感光性樹脂を用いることにより、層間樹脂絶縁層に露光、現像処理を用いてバイアホール用開口を形成することできる。これらのなかでは、熱硬化性樹脂を含有しているものが望ましい。それにより、めっき液あるいは種々の加熱処理によっても粗化面の形状を保持することができるからである。

上記難溶性樹脂の具体例としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、ポリオレフィン樹脂、フッ素樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。さらには、１分子中に、２個以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂がより望ましい。前述の粗化面を形成することができるばかりでなく、耐熱性等にも優れてるため、ヒートサイクル条件下においても、金属層に応力の集中が発生せず、金属層の剥離などが起きにくいからである。

上記エポキシ樹脂としては、例えば、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性水酸基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ化物、トリグリシジルイソシアヌレート、脂環式エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは、単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。それにより、耐熱性等に優れるものとなる。

本発明で用いる樹脂フィルムにおいて、上記可溶性粒子は、上記難溶性樹脂中にほぼ均一に分散されていることが望ましい。均一な粗さの凹凸を有する粗化面を形成することができ、樹脂フィルムにバイアホールやスルーホールを形成しても、その上に形成する導体回路の金属層の密着性を確保することができるからである。また、粗化面を形成する表層部だけに可溶性粒子を含有する樹脂フィルムを用いてもよい。それによって、樹脂フィルムの表層部以外は酸または酸化剤にさらされることがないため、層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性が確実に保たれる。

上記樹脂フィルムにおいて、難溶性樹脂中に分散している可溶性粒子の配合量は、樹脂フィルムに対して、３〜４０重量％が望ましい。可溶性粒子の配合量が３重量％未満では、所望の凹凸を有する粗化面を形成することができない場合があり、４０重量％を超えると、酸または酸化剤を用いて可溶性粒子を溶解した際に、樹脂フィルムの深部まで溶解してしまい、樹脂フィルムからなる層間樹脂絶縁層を介した導体回路間の絶縁性を維持できず、短絡の原因となる場合がある。

上記樹脂フィルムは、上記可溶性粒子、上記難溶性樹脂以外に、硬化剤、その他の成分等を含有していることが望ましい。上記硬化剤としては、例えば、イミダゾール系硬化剤、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、これらの硬化剤のエポキシアダクトやこれらの硬化剤をマイクロカプセル化したもの、トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスフォニウム・テトラフェニルボレート等の有機ホスフィン系化合物等が挙げられる。

上記硬化剤の含有量は、樹脂フィルムに対して０．０５〜１０重量％であることが望ましい。０．０５重量％未満では、樹脂フィルムの硬化が不十分であるため、酸や酸化剤が樹脂フィルムに侵入する度合いが大きくなり、樹脂フィルムの絶縁性が損なわれることがある。一方、１０重量％を超えると、過剰な硬化剤成分が樹脂の組成を変性させることがあり、信頼性の低下を招いたりしてしまうことがある。

上記その他の成分としては、例えば、粗化面の形成に影響しない無機化合物あるいは樹脂等のフィラーが挙げられる。上記無機化合物としては、例えば、シリカ、アルミナ、ドロマイト等が挙げられ、上記樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアクリル樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレン樹脂、メラニン樹脂、オレフィン系樹脂等が挙げられる。これらのフィラーを含有させることによって、熱膨脹係数の整合や耐熱性、耐薬品性の向上などを図りプリント配線板の性能を向上させることができる。

また、上記樹脂フィルムは、溶剤を含有していてもよい。上記溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン類、酢酸エチル、酢酸ブチル、セロソルブアセテートやトルエン、キシレン等の芳香族炭化水素等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種類以上併用してもよい。

[実施例１]
引き続き、実施例１の多層プリント配線板について説明する。実施例１では、マスク露光を行いドライフィルムでレジスト膜を形成する。位置決めマークは、十字で９分割させたものを用いる。
先ず、本発明の実施例１に係るプリント配線板の構成について、断面図である図６を参照して説明する。プリント配線板１０では、コア基板３０内にスルーホール３６が形成され、該コア基板３０の両面には導体回路３４が形成されている。また、該導体回路３４の上には、バイアホール６０及び導体回路５８の形成された層間樹脂絶縁層４０が配設されている。該層間樹脂絶縁層４０の上には、バイアホール１６０及び導体回路１５８が形成された層間樹脂絶縁層１４０が配設されている。層間樹脂絶縁層１４０の上には、ソルダーレジスト層７０が配設されている。該ソルダーレジスト層７０には、開口７１Ｕ、７１Ｄが形成され、上面側の該開口７１Ｕには、半田バンプ７６が配設されている。また、底面側の該開口７１Ｄには、導電性接続ピン９６が、導電性接着剤９７によって接続固定されている。

ここで、プリント配線板１０の４隅（図中２カ所のみ示す）には、位置決めマーク４６が配置されている。

次に、本発明の実施例１に係るプリント配線板の製造方法について説明する。先ず、製造に用いるＡ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルム、Ｂ．樹脂充填剤について説明する。

Ａ．層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムの作製ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量４６９、油化シェルエポキシ社製エピコート１００１）３０重量部、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（エポキシ当量２１５、大日本インキ化学工業社製 エピクロンＮ−６７３）４０重量部、トリアジン構造含有フェノールノボラック樹脂（フェノール性水酸基当量１２０、大日本インキ化学工業社製 フェノライトＫＡ−７０５２）３０重量部をエチルジグリコールアセテート２０重量部、ソルベントナフサ２０重量部に攪拌しながら加熱溶解させ、そこへ末端エポキシ化ポリブタジエンゴム（ナガセ化成工業社製 デナレックスＲ−４５ＥＰＴ）１５重量部と２−フェニル−４、５−ビス（ヒドロキシメチル）イミダゾール粉砕品１．５重量部、微粉砕シリカ２重量部、シリコン系消泡剤０．５重量部を添加しエポキシ樹脂組成物を調製する。得られたエポキシ樹脂組成物を厚さ３８μｍのＰＥＴフィルム上に乾燥後の厚さが５０μｍとなるようにロールコーターを用いて塗布した後、８０〜１２０℃で１０分間乾燥させることにより、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを作製する。

Ｂ．樹脂充填剤の調製ビスフェノールＦ型エポキシモノマー（油化シェル社製、分子量：３１０、ＹＬ９８３Ｕ）１００重量部、表面にシランカップリング剤がコーティングされた平均粒径が１．６μｍで、最大粒子の直径が１５μｍ以下のＳｉＯ₂ 球状粒子（アドテック社製、ＣＲＳ １１０１−ＣＥ）１７０重量部およびレベリング剤（サンノプコ社製 ペレノールＳ４）１．５重量部を容器にとり、攪拌混合することにより、その粘度が２３±１℃で４５〜４９Ｐａ・ｓの樹脂充填剤を調製する。なお、硬化剤として、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）６．５重量部を用いる。

（１）厚さ０．８ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる基板３０の両面に１８μｍの銅箔３２がラミネートされている銅張積層板３０Ａを出発材料とする（図１（Ａ））。まず、この銅貼積層板３０Ａをドリル削孔し、無電解めっき処理を施し、パターン状にエッチングすることにより、基板３０の両面に下層導体回路３４とスルーホール３６を形成する（図１（Ｂ））。

（２）スルーホール３６および下層導体回路３４を形成した基板３０を水洗いし、乾燥した後、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＣｌＯ₂ （４０ｇ／ｌ）、Ｎａ₃ＰＯ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を黒化浴（酸化浴）とする黒化処理、および、ＮａＯＨ（１０ｇ／ｌ）、ＮａＢＨ₄ （６ｇ／ｌ）を含む水溶液を還元浴とする還元処理を行い、スルーホール３６を含む下層導体回路３４の全表面に粗化面３４αを形成する（図１（Ｃ））。

（３）上記Ｂに記載した樹脂充填剤を調製した後、下記の方法により調製後２４時間以内に、スルーホール３６内、および、基板３０の片面の下層導体回路３４非形成部に樹脂充填剤３８の層を形成する。すなわち、まず、スキージを用いてスルーホール３６内に樹脂充填剤３８を押し込んだ後、１００℃、２０分の条件で乾燥させる。次に、下層導体回路３４非形成部に相当する部分が開口したマスクを基板３０上に載置し、スキージを用いて凹部となっている下層導体回路３４非形成部に樹脂充填剤３８の層を形成し、１００℃、２０分の条件で乾燥させる（図１（Ｄ））。

（４）上記（３）の処理を終えた基板３０の片面を、＃６００のベルト研磨紙（三共理化学製）を用いたベルトサンダー研磨により、下層導体回路３４の表面やスルーホール３６のランド３６ａ表面に樹脂充填剤３８が残らないように研磨し、次いで、上記ベルトサンダー研磨による傷を取り除くためのバフ研磨を行う。このような一連の研磨を基板３０の他方の面についても同様に行う。次いで、１００℃で１時間、１５０℃で１時間の加熱処理を行って樹脂充填剤３８を硬化させる（図１（Ｅ））。

このようにして、スルーホール３６や導体回路３４非形成部に形成された樹脂充填材３８の表層部および下層導体回路３４の表面を平坦化し、樹脂充填材３８と下層導体回路３４及びスルーホール３６とが粗化面３４αを介して強固に密着した絶縁性基板を得る。すなわち、この工程により、樹脂充填剤３８の表面と下層導体回路３４の表面とが同一平面となる。

（５）上記基板３０を水洗、酸性脱脂した後、ソフトエッチングし、次いで、エッチング液を基板３０の両面にスプレイで吹きつけて、下層導体回路３４の表面とスルーホール３６のランド表面とをエッチングすることにより、下層導体回路３４の全表面に粗化面３４βを形成する（図２（Ａ））。エッチング液としては、イミダゾール銅（ＩＩ）錯体１０重量部、グリコール酸７重量部、塩化カリウム５重量部からなるエッチング液（メック社製、メックエッチボンド）を使用する。

（６）基板３０の両面に、上記Ａで作製した基板３０より少し大きめの層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に載置し、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間１０秒の条件で仮圧着して裁断した後、さらに、以下の方法により真空ラミネーター装置を用いて貼り付けることにより層間樹脂絶縁層４０を形成する（図２（Ｂ））。すなわち、層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムを基板３０上に、真空度０．５Ｔｏｒｒ、圧力４ｋｇｆ／ｃｍ² 、温度８０℃、圧着時間６０秒の条件で本圧着し、その後、１７０℃で３０分間熱硬化させる。樹脂フィルムを基板に圧着させることにより、後述する工程で、レーザによる位置決めマークの形成がし易く、なおかつ、位置決めマークの画像認識を精度よく行うことが可能となる。

（７）次に、層間樹脂絶縁層４０上に、厚さ１．２ｍｍの貫通孔４４ａが形成されたマスクを４２介して、波長１０．４μｍのＣＯ₂ ガスレーザにて、ビーム径４．０ｍｍ、トップハットモード、パルス幅８．０μ秒、マスクの貫通孔の径１．０ｍｍ、１ショットの条件で層間樹脂絶縁層４０に、直径８０μｍのバイアホール用開口４４を形成する（図２（Ｃ））。

（８）さらに、層間樹脂絶縁層４０上に、上記（７）の工程と同じＣＯ２ガスレーザを用いて、パルス幅６．０μ秒の条件で、１〜３ショットで位置決めマーク４６を形成した（図２（Ｄ））。図２（Ｄ）の平面図を図７（Ａ）に示す。図２（Ｄ）は、図７（Ａ）中のＡ−Ａ断面に相当する。位置決めマーク４６としては十字状であり、中心となる点として、円形で開口径７０μｍ、その回りに２個ずつ配置した点は、円形で開口径７０μｍで計９個の点を形成させ、それぞれの開口の距離は、１００μｍである。この位置決めマークを拡大して図９（Ａ）に示す。分割された位置決めマーク４６は、基板の四隅の４ヶ所に形成する。この位置決めマーク４６の下部には、金属層（導体回路）３４が露出している。金属層３４の露出部を以下、露出面３４ａとして参照する。
また、位置決めマーク４６の形状は、円、楕円、三角形、四角形以上の多角形、星形、または、前述の形状を二重線で形成してもよい。位置決めマーク４６の形成に用いるレーザとしては、炭酸、エキシマ、ＹＡＧ、ＵＶのレーザ処理の中から選ばれる少なくとも１種類以上を用いる。場合によってはフォトエッチングやパンチングによって形成してもよい。なお、この工程は、上記（７）の工程と同時もしくは前後でもよい。

（９）バイアホール用開口４４を形成した基板３０を、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬し、層間樹脂絶縁層４０の表面に存在するエポキシ樹脂粒子を溶解除去することにより、バイアホール用開口４４の内壁を含む層間樹脂絶縁層４０の表面に粗化面４０αを形成する（図３（Ａ））。

（１０）次に、上記処理を終えた基板３０を、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬してから水洗いする。さらに、粗面化処理（粗化深さ３μｍ）した該基板３０の表面に、パラジウム触媒を付与することにより、層間樹脂絶縁層４０の表面およびバイアホール用開口４４の内壁面に触媒核を付着させる。

（１１）次に、以下の組成の無電解銅めっき水溶液中に基板３０を浸漬して、粗化面４０α全体に厚さ０．６〜３．０μｍの無電解銅めっき膜４８を形成する（図３（Ｂ））。
〔無電解めっき水溶液〕
ＮｉＳＯ₄ ０．００３ ｍｏｌ／ｌ
酒石酸 ０．２００ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．０３０ ｍｏｌ／ｌ
ＨＣＨＯ ０．０５０ ｍｏｌ／ｌ
ＮａＯＨ ０．１００ ｍｏｌ／ｌ
α、α′−ビピリジル ４０ ｍｇ／ｌ
ポリエチレングリコール（ＰＥＧ） ０．１０ ｇ／ｌ
〔無電解めっき条件〕
３５℃の液温度で４０分

（１２）微細配線用の感光性ドライフィルム５０を無電解銅めっき膜４８に貼り付ける。その後、感光性ドライフィルム５０上にパターン５２ａ及び位置決めマスク（十字）５２ｂの描かれたマスク５２を位置合わせして載置する（図３（Ｃ））。図３（Ｃ）中の円Ｃを拡大して図９（Ｂ）に示す。図中のようにレジスト５０は位置決めマーク４６中に埋まっていない。
位置合わせの状態の斜視図を図１０に示す。この位置合わせは、上方から光りを照射しながらカメラ１００にて、コア基板３０上の分割された位置決めマーク４６と、マスクの位置決めマーク５２ｂとを撮像し、撮像したデータを二値化処理を行い、分割された位置決めマークが入るよう調整する。よって、感光性ドライフィルムを貼り付けて反射式による画像処理を行っても、分割された位置決めマークの認識を確実、正確に行え、マスク５２を正確に位置合わせできる。次いで、１００ｍＪ／ｃｍ² で露光し、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト５４を設ける（図３（Ｄ））。それによりＬ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ〜１５μｍ／１５μｍの間での配線を形成した。

（１３）ついで、基板３０を５０度の水で洗浄して脱脂し、２５℃の水で水洗後、さらに硫酸で洗浄してから、以下の条件で電解銅めっきを施し、厚さ２０μｍの電解銅めっき膜５６を形成する（図４（Ａ））。
〔電解めっき水溶液〕
硫酸 ２．２４ ｍｏｌ／ｌ
硫酸銅 ０．２６ ｍｏｌ／ｌ
添加剤 １９．５ ｍｌ／ｌ（アトテックジャパン社製、カパラシドＨＬ）
〔電解めっき条件〕
電流密度 １ Ａ／ｄｍ²時間 ６５ 分温度 ２２±２度

（１４）めっきレジスト５４を５％ＮａＯＨで剥離除去した後、そのめっきレジスト５４下の無電解めっき膜４８を硫酸と過酸化水素の混合液でエッチング処理して溶解除去し、無電解銅めっき膜４８と電解銅めっき膜５６からなる厚さ１８μｍ、線幅１５〜２０μｍの導体回路５８（バイアホール６０を含む）を形成する（図４（Ｂ）：図４（Ｂ）の平面図を図７（Ｂ）に示す：図７中のＢ−Ｂ断面が図４（Ｂ）に相当する）。

（１５）上記（５）と同様の処理を行い、第二銅錯体と有機酸とを含有するエッチング液によって、粗化面５８αを形成する（図４（Ｃ））。

（１６）上記（６）〜（１５）の工程を繰り返すことにより、さらに上層に、層間樹脂絶縁層１４０及び導体回路１５８（バイアホール１６０を含む）を形成し、多層配線板を得る（図４（Ｄ））。
なお、層間樹脂絶縁層１４０を形成する際には、層間樹脂絶縁層１４０上の導体回路５８上に図示しない位置決めマークをレーザで同様に形成して行う。

（１７）次に、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＤＭＤＧ）に６０重量％の濃度になるように溶解させた、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製）のエポキシ基５０％をアクリル化した感光性付与のオリゴマー（分子量：４０００）４６．６７重量部、メチルエチルケトンに溶解させた８０重量％のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（油化シェル社製、商品名：エピコート１００１）１５．０重量部、イミダゾール硬化剤（四国化成社製、商品名：２Ｅ４ＭＺ−ＣＮ）１．６重量部、感光性モノマーである２官能アクリルモノマー（日本化薬社製、商品名：Ｒ６０４）４．５重量部、同じく多価アクリルモノマー（共栄化学社製、商品名：ＤＰＥ６Ａ）１．５重量部、分散系消泡剤（サンノプコ社製、Ｓ−６５）０．７１重量部を容器にとり、攪拌、混合して混合組成物を調製し、この混合組成物に対して光重合開始剤としてベンゾフェノン（関東化学社製）２．０重量部、光増感剤としてのミヒラーケトン（関東化学社製）０．２重量部、を加えることにより、粘度を２５℃で２．０Ｐａ・ｓに調整したソルダーレジスト組成物を得る。なお、粘度測定は、Ｂ型粘度計（東京計器社製、ＤＶＬ−Ｂ型）で６０ｒｐｍの場合はローターＮｏ．４、６ｒｐｍの場合はローターＮｏ．３によった。

（１８）次に、多層配線基板の両面に、上記ソルダーレジスト組成物を２０μｍの厚さで塗布し、７０℃で２０分間、７０℃で３０分間の条件で乾燥処理を行った後、ソルダーレジスト開口部７１Ｕ、７１Ｄのパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクをソルダーレジスト層７０に密着させて１０００ｍＪ／ｃｍ²の紫外線で露光し、ＤＭＴＧ溶液で現像処理し、２００μｍの直径の開口部７１Ｕ、７１Ｄを形成する。そして、さらに、８０℃で１時間、１００℃で１時間、１２０℃で１時間、１５０℃で３時間の条件でそれぞれ加熱処理を行ってソルダーレジスト層を硬化させ、開口部７１Ｕ、７１Ｄを有し、その厚さが２０μｍのソルダーレジスト層７０を形成する（図５（Ａ））。上記ソルダーレジスト組成物としては、市販のソルダーレジスト組成物を使用することもできる。

（１９）次に、ソルダーレジスト層７０を形成した基板を、塩化ニッケル（２．３×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（２．８×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．６×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含むｐＨ＝４．５の無電解ニッケルめっき液に２０分間浸漬して、開口部７１Ｕ、７１Ｄに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２を形成する。さらに、その基板をシアン化金カリウム（７．６×１０^-3ｍｏｌ／ｌ）、塩化アンモニウム（１．９×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、クエン酸ナトリウム（１．２×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）、次亜リン酸ナトリウム（１．７×１０^-1ｍｏｌ／ｌ）を含む無電解金めっき液に８０℃の条件で７．５分間浸漬して、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４を形成する（図５（Ｂ））。

（２０）この後、基板３０のソルダーレジスト層７０の開口７１Ｕにスズ−鉛を含有する半田ペーストを印刷する。さらに、他方の面の開口部７１Ｄ内に導電性接着剤９７として半田ペーストを印刷する。次に、導電性接続ピン９６を適当なピン保持装置に取り付けて支持し、導電性接続ピン９６の固定部９８を開口部７１Ｄ内の導電性接着剤９７に当接させる。そして、２００℃でリフローを行い、開口部７１Ｕに半田バンプ７６を形成し、開口部７１Ｄの導電性接続ピン９６を導電性接着剤９７に固定する（図６）。

図１〜図６を参照して上述した製造方法では、個片のプリント配線板を製造する場合について説明したが、図８に示すように個片のプリント配線板５９を多数個（この例では９個）製造するためにワークシート（コア基板）３０上に回路パターン５８、バイアホール６０を形成する場合に、多数個取り用のプリント配線板の４隅に位置決めマーク４６を形成して行うこともできる。

以下、実施例１のプリント配線板を試験するための改変例及び参考例として、実施例１と同じ製造方法で、位置決めマーク４６のドット６４ａの開口径Φとドット間の距離Ｄとを変えて製造した。
実施例１改変例１：十字の開口径： ７０μｍ、開口の距離： ７５μｍ
実施例１改変例２：十字の開口径： ７０μｍ、開口の距離：２５００μｍ
実施例１改変例３：十字の開口径：３００μｍ、開口の距離： ７５μｍ
実施例１改変例４：十字の開口径：３００μｍ、開口の距離： １００μｍ
実施例１改変例５：十字の開口径：３００μｍ、開口の距離：２５００μｍ
実施例１改変例６：十字の開口径： ４０μｍ、開口の距離： ７５μｍ
実施例１改変例７：十字の開口径： ４０μｍ、開口の距離： １００μｍ
実施例１改変例８：十字の開口径： ４０μｍ、開口の距離：２５００μｍ
実施例１参考例１：十字の開口径： ７０μｍ、開口の距離： ５０μｍ
実施例１参考例２：十字の開口径： ７０μｍ、開口の距離：３０００μｍ
実施例１参考例３：十字の開口径： ３０μｍ、開口の距離： １００μｍ
実施例１参考例４：十字の開口径：３２０μｍ、開口の距離： １００μｍ

[実施例２]
実施例２では、直描方式で露光を行う。先ず、直描露光装置の構成を図１１を参照して説明する。
レーザ２２２からのレーザ光は、ミラー２２２で反射され、レンズ２２４、レンズ２２６を透過してミラー２２８で反射され、レンズ２３２を介してプリント配線板２３０上に照射される。プリント配線板２３０は、テーブル２３４上にＸ−Ｙ方向に送られる。

コンピュータ２００は、ＣＡＤ等により描画データを作成し、その情報を補助記憶装置２０２に一時記憶しておき、レジストパターン描画時には、描画パターン情報を補助記憶装置２０２から読み出し、露光インターフェイス２０４へ送り込む。露光インターフェイス２０４は、入力した情報に従って、画素データを選択し、そのデータの状態（１又は０）によってミラー２２２、２２８を揺動させる駆動電圧を発生させれるように、駆動信号をミラー駆動装置２０６へ入力する。ミラー駆動装置２０６は、駆動信号に応じてミラー２２２、２２８を揺動させる。同時に、露光インターフェイス２０４は、テーブル駆動装置２０８へ搬送信号を送り、テーブル駆動装置２０８は、搬送信号に基づきテーブル２３４をＸ−Ｙ方向へ移動させる。

実施例２では、直描露光を行いドライフィルムによりレジスト膜を形成した。位置決めマークは、実施例１と同様に図９（Ａ）に示す十字、９分割させた位置決めマーク４６を用いた。直接描画による露光で配線を形成した以外はほぼ実施例１と同じである。
その直接描画によるプロセスは以下のようである。

（１２）図１２に示すように微細配線用の感光性ドライフィルム５０を無電解銅めっき膜４８上に貼り付ける。その後、感光性ドライフィルムを貼り付けた基板の位置決めマスク（十字）４６を撮像し、直描露光装置のデータで形成されている仮想の位置決めマーク（十字）と位置合わせを行った。この位置合わせは、上方から光りを照射しながらカメラ１００にて、コア基板３０上の分割された位置決めマーク４６を撮像し、撮像したデータの二値化処理を行い、分割された位置決めマークが入るよう調整する。よって、感光性ドライフィルムを貼り付けて反射式による画像処理を行っても、分割された位置決めマークの認識を確実、正確に行え、正確に位置合わせできる。次いで、ミラーの反射を用いて、ドライフィルム５０上にレーザを照射して露光した。その後、０．８％炭酸ナトリウム水溶液で現像処理することにより、厚さ２０μｍのめっきレジスト５４を設ける（図３（Ｄ）参照）。それによりＬ／Ｓ＝２０μｍ／２０μｍ〜１５μｍ／１５μｍの間での配線を形成した。

上述した製造方法では、個片のプリント配線板を製造する場合について説明したが、図１３に示すように個片のプリント配線板５９を多数個（この例では９個）製造するためにワークシート（コア基板）３０上に回路パターン５８、バイアホール６０を形成する場合に、多数個取り用のプリント配線板の４隅に位置決めマーク４６を形成することもできる。更に、個片のプリント配線板５９にそれぞれ位置決めマーク４６ｃを設け、位置決めマーク４６ｃを用いて個片のプリント配線板５９毎に位置を微調整して直描露光を行う。これにより、効率よく、高精度に配線を形成することが可能になる。

以下、実施例２のプリント配線板を試験するための改変例及び参考例として、実施例２と同じ製造方法で、位置決めマーク４６のドット６４ａの開口径Φとドット間の距離Ｄとを変えて製造した。
実施例２改変例１：十字の開口径： ７０μｍ、開口の距離： ７５μｍ
実施例２改変例２：十字の開口径： ７０μｍ、開口の距離：２５００μｍ
実施例２改変例３：十字の開口径：３００μｍ、開口の距離： ７５μｍ
実施例２改変例４：十字の開口径：３００μｍ、開口の距離： １００μｍ
実施例２改変例５：十字の開口径：３００μｍ、開口の距離：２５００μｍ
実施例２改変例６：十字の開口径： ４０μｍ、開口の距離： ７５μｍ
実施例２改変例７：十字の開口径： ４０μｍ、開口の距離： １００μｍ
実施例２改変例８：十字の開口径： ４０μｍ、開口の距離：２５００μｍ
実施例２参考例１：十字の開口径： ４０μｍ、開口の距離： ５０μｍ
実施例２参考例２：十字の開口径： ４０μｍ、開口の距離：３０００μｍ
実施例２参考例３：十字の開口径： ３０μｍ、開口の距離： ７５μｍ
実施例２参考例４：十字の開口径：３２０μｍ、開口の距離： ７５μｍ

[実施例３]
実施例３では、実施例１と同様にマスク露光した。但し、実施例１では、レジストフィルムを用いたが、実施例３では液状レジストによりレジスト膜を形成した。位置決めマークは、実施例１と同じく図９（Ａ）に示す十字、９分割させた位置決めマーク４６を用いた。

［実施例３−１］
実施例３−１では、実施例２と同様に直描露光した。但し、実施例１では、レジストフィルムを用いたが、実施例３では液状レジストによりレジスト膜を形成した。位置決めマークは、実施例１と同じく図９（Ａ）に示す十字、９分割させた位置決めマーク４６を用いた。

（比較例１）
実施例１とほぼ同様であるが、位置決めマークを層間絶縁樹脂層の下部に設けた。即ち、導体回路に直接レーザを照射し、図１７（Ａ１）に示すリング状位置決めマーク４６Ｒ（径Φ２：７０μｍ）を形成した後、層間樹脂絶縁層を配設した。

（比較例２）
実施例１とほぼ同様であるが、位置決めマークを層間絶縁樹脂層の下部に設けた。即ち、導体回路に直接レーザを照射し、図１７（Ｂ）に示す十字状位置決めマーク４６Ｃ（径Φ１：７０μｍ）を形成した後、層間樹脂絶縁層を配設した。

実施例１、実施例２、比較例１，比較例２のプリント配線板を試験した結果を図１５及び図１６中の図表に示す。図１５中に、レジストの詰まり有無と、画像認識に要した時間を示す。図１６中に配線の位置ずれ、導通試験の結果、ビアでの断線の有無、短絡試験の結果を示す。
比較例１，比較例２のプリント配線板では、レジストの詰まりが生じ、また、画像認識に長時間を要した。更に、配線の位置ずれ量が大きく、配線がずれる結果、導通試験での導通不要、短絡が生じ、更に、バイアホールの開口位置のずれからバイアホールでの断線が生じた。

一方、実施例１、実施例２では、係る問題が生じなかった。分割された位置決めマークにおける分割された距離間は、７５〜２５００μｍであることが望ましいことが分かった。分割された距離間が７５μｍ未満であるとＣＣＤなどのカメラによる画像認識では連続として認識されてしまう。また、位置決めマーク内にレジストが埋まりやすくなる。位置決めマークの形成自体も難しいことがある。逆に、２５００μｍ未満であると、ＣＣＤなどのカメラによる画像認識で、認識できないことがあるし、認識時間が掛かってしまうことがある。また、位置決めマーク自体も大きくなりすぎてしまい、形成領域が増えたり、画像認識にも時間を要たりしてしまうためである。

更に、分割された位置決めマークの大きさは、直径４０〜３００μｍであることが望ましいことが分かった。これは、位置決めマークの大きさの直径が４０μｍ未満であると、ＣＤなどのカメラによる画像認識ができないことがあるし、形成自体も難しいことがある。逆に、直径が３００μｍを超えると個別の分割体の中にレジストが埋まり易くなるからである。

図１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｅ）は、本発明の実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 図４（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 図５（Ａ）、（Ｂ）は、実施例１に係るプリント配線板の製造工程図である。 本発明の実施例１に係るプリント配線板の断面図である。 図７（Ａ）は、図２（Ｄ）のプリント配線板を上方から見た平面図であり、図７（Ｂ）は、図４（Ｂ）のプリント配線板を上方から見た平面図である。 本発明の実施例１に係るプリント配線板の製造工程中における平面図である。 図９（Ａ）は位置決めマークの説明図であり、図９（Ｂ）は、図３（Ｃ）中のサークルＣ部の拡大図である。 マスクの位置合わせを示す説明図である。 直描露光装置の構成を示すブロック図である。 実施例２に係るプリント配線板の製造工程図である。 実施例２の改変例に係る多層プリント配線板の平面図である。 図１４（Ａ）〜図１４（Ｉ）は、種々の位置決めマークの説明図である。 実施例１〜実施例２及び比較例の試験結果を示す図表である。 実施例１〜実施例２及び比較例の試験結果を示す図表である。 図１７は従来技術に係る位置決めの説明図であって、（Ａ１）はリング状位置決めマークの平面図であり、（Ａ２）は（Ａ１）中のＡ１−Ａ１断面図であり、（Ａ３）はレジストが入り込んだリング状位置決めマークの説明図である。（Ｂ１）は十字状位置決めマークの平面図であり、（Ｂ２）は（Ｂ１）中のＢ１−Ｂ１断面図であり、（Ｂ３）はレジストが入り込んだ十字状位置決めマークの説明図である。 図１８（Ａ）は従来技術に係る透過式位置決めの説明図であり、図１８（Ｂ）は反射式位置決めの説明図である。

符号の説明

３０ コア基板
３４ 導体回路
３４ａ 金属層
３４β 粗化面
４０ 層間樹脂絶縁層
４６ 位置決めマーク
４６ａ ドット
４８ 無電解めっき膜
４９ Ｎｉ／Ｃｕ金属層
５０ 感光性ドライフィルム
５２ マスク
５８ 導体回路
６０ バイアホール
７０ ソルダーレジスト層
７１Ｕ、７１Ｄ 開口部
７２ ニッケルめっき層
７４ 金めっき層
７６ 半田バンプ
９６ 導電性接続ピン
９７ 導電性接着剤
９８ 固定部
１４０ 層間樹脂絶縁層
１５８ 導体回路
１６０ バイアホール

Claims (13)

1. 少なくとも１層以上の絶縁層を有する構造体において、分割された位置決めマークを有する構造体。
2. 少なくても１〜３工程を経る構造体の製造方法：
   １）絶縁層を有する構造体であり、該構造体上に分割された位置決めマークを形成する工程；
   ２）前記構造体上に樹脂層を形成する工程；
   ３）該分割された位置決めで画像認識により位置合わせし、前記樹脂層に開口する工程。
3. 少なくとも１層以上の層間絶縁層を有するプリント配線板において、前記層間絶縁層上に分割されたドットからなる位置決めマークを有するプリント配線板。
4. 前記位置決めマークにおいて、分割されたドット間の距離間は、７５〜２５００μｍである請求項３に記載のプリント配線板。
5. 前記位置決めマークにおいて、前記ドットの大きさは、４０〜３００μｍである請求項３に記載のプリント配線板。
6. 前記分割された位置決めマークの前記ドットは十字状に配置されている請求項３に記載のプリント配線板。
7. 前記プリント配線板は、複数個の個片プリント基板を構成する回路パターン群を設けてなる多数個取り用であって、各個片プリント基板を構成する回路パターン群にそれぞれ対応させて前記分割されたドットから成る位置決めマークを設けた請求項３に記載のプリント配線板。
8. 少なくても１〜３工程を経るプリント配線板の製造方法：
   １）少なくとも１層以上である層間絶縁層を有するプリント配線板であり、該層間絶縁層上に分割されたドットから成る位置決めマークを形成する工程；
   ２）前記プリント配線板上にドライフィルムもしくは液状レジスト層を形成する工程；
   ３）該分割された位置決めと位置合わせし、露光、現像する工程。
9. 少なくても１〜３工程を経るプリント配線板の製造方法：
   １）少なくとも１層以上である層間絶縁層を有するプリント配線板であり、該層間絶縁層上に分割されたドットから成る位置決めマークを形成する工程；
   ２）前記プリント配線板上にレジスト層もしくはソルダーレジスト層を形成する工程；
   ３）該分割された位置決めと位置合わせし、露光、現像する工程。
10. 少なくても１〜３工程を経るプリント配線板の製造方法：
    １）少なくとも１層以上である層間絶縁層を有するプリント配線板であり、該層間絶縁層上に分割されたドットから成る位置決めマークを形成する工程；
    ２）前記プリント配線板上にレジスト層もしくはソルダーレジスト層を形成する工程；
    ３）該分割された位置決めマークと位置合わせし、露光、現像する工程。
11. 前記位置決めマークにおいて、分割されたドット間の距離間は、７５〜２５００μｍである請求項８〜請求項１０のいずれか１のプリント配線板の製造方法。
12. 前記位置決めマークにおいて、前記ドットの大きさは、４０〜３００μｍである請求項８〜請求項１０のいずれか１のプリント配線板の製造方法。
13. 前記位置決めマークの形成は、レーザ、フォトエッチング、パンチングのいずれかで行われる請求項８〜請求項１０のいずれか１のプリント配線板の製造方法。
    

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