JP2006186028A - 露光装置 - Google Patents

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【課題】 本発明は、半導体集積回路等のリソグラフィーに使用される露光装置に関し、照明光を分岐するためのハーフミラーを設置することなく露光量制御の為の光強度検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 ウエハ等の感応基板上に照射される露光光の露光領域を規定する露光領域規定部材を備え、レチクルに形成されたパターンを前記感応基板上に転写する露光装置において、前記露光領域規定部材に光を検出する受光素子を配置したことを特徴とする。また、前記露光領域規定部材は前記露光領域を任意に変更する可動ブラインドを有することを特徴とする。
【選択図】 図2

Description

本発明は、半導体集積回路等のリソグラフィーに使用される露光装置に関する。
従来、パルス光源を使用した走査型露光装置では、照明光学系とレチクルとの間に半透過型のミラーを設置して照明光の一部を分岐し、レチクル面と共約な位置に配置される受光素子によりパルス毎の光量をモニターすることが行われている。そして、このモニターされた値に基づいてパルス光源のパルス強度を制御し、ウエハ等の感応基板に照射される露光光の強度が安定に保たれるように露光量制御することが行われている。
特開平6−181160号公報
しかしながら、EUV光(極端紫外線)を用いるリソグラフィーでは、EUV光を半透過する光学素子が存在しないため、照明光を分岐することが困難である。従って、レチクル面と共役な位置に受光素子を設置することが困難であり、リアルタイムでパルス強度をモニターすることが困難であるという問題があった。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、照明光を分岐するためのハーフミラーを設置することなく露光量制御の為の光強度検出を行うことができる露光装置を提供することを目的とする。
請求項1の露光装置は、ウエハ等の感応基板上に照射される露光光の露光領域を規定する露光領域規定部材を備え、レチクルに形成されたパターンを前記感応基板上に転写する露光装置において、前記露光領域規定部材に光を検出する受光素子を配置したことを特徴とする。
請求項2の露光装置は、請求項1に記載の露光装置において、前記露光領域規定部材は前記露光領域を任意に変更する可動ブラインドを有することを特徴とする。
請求項3の露光装置は、請求項2記載の露光装置において、前記可動ブラインドは前記感応基板の非走査方向の前記露光領域を制限する非走査方向遮光部材と、走査方向の前記露光領域を制限する走査方向遮光部材とを有し、前記非走査方向遮光部材に前記受光素子を配置したことを特徴とする。
請求項4の露光装置は、請求項3記載の露光装置において、前記露光領域が円弧形状をしており、前記非走査方向遮光部材が前記円弧形状の露光領域内を移動することを特徴とする。
請求項5の露光装置は、請求項4記載の露光装置において、前記非走査方向遮光部材は、前記円弧形状の露光領域内を直線上に移動することを特徴とする。
請求項6の露光装置は、請求項3ないし5のいずれか1項記載の露光装置において、前記非走査方向遮光部材は、前記レチクルに対して前記走査方向遮光部材より遠い位置に配置されていることを特徴とする。
請求項7の露光装置は、請求項1ないし6のいずれか1項記載の露光装置において、前記検出器は前記レチクルに入射する光を検出することを特徴とする。
請求項8の露光装置は、請求項1ないし7のいずれか1項記載の露光装置において、感応基板ステージ上に配置される第2の受光素子と、レチクルステージ上に配置される基準反射面と、前記露光領域規定部材に配置される前記受光素子と、前記第2の受光素子間の校正を行う校正手段とを有することを特徴とする。
請求項9の露光装置は、請求項8記載の露光装置において、前記校正手設は、照明条件または前記露光領域の設定が変更された時に前記受光素子間の校正を行うことを特徴とする。
本発明の露光装置では、ウエハ等の感応基板に照射される露光光の露光領域を定める露光領域規定部材に、光を検出する受光素子を配置したので、照明光を分岐することなく露光量制御の為の光の強度検出を行うことができる。
図1は本発明の露光装置の第1の実施形態を示している。
この露光装置は、光源部11、照明光学系13、レチクルステージ15、投影光学系17およびウエハステージ19を有している。
光源部11はターゲット材料をプラズマ化しEUV光からなるパルス光を発生させる。
この光源部11では、ノズル21の先端から、ガスあるいは液体状のターゲット材料が間歇的に噴出される。レーザ装置25から射出したレーザ光27は、レンズ29を介してターゲット材料上に集光し、ターゲット材料をプラズマ化する。これにより、パルス光からなるEUV光31が発生する。
照明光学系13は、レチクルステージ15の下側に配置されるレチクル33の下面に照明光を導く。
この照明光学系13では、光源部11からのEUV光31が、コリメータミラーとして作用する凹面反射鏡35を介して略平行光束となり、第1のフライアイミラー37および第2のフライアイミラー39からなるオプティカルインテグレータ41に入射する。これにより、第2のフライアイミラー39の反射面の近傍に、所定の形状(本例では円弧状であるがこの形状に限られるものではない)を有する実質的な面光源が形成される。実質的な面光源からのEUV光31は、反射鏡43,45により反射された後、平面反射鏡47により偏向される。
レチクルステージ15は、X,Y,Z方向に移動可能とされている。レチクルステージ15の下側には静電チャック49が固定され、静電チャック49の下面にレチクル33が吸着保持されている。レチクル33の下方には、固定ブラインド(固定遮光羽)51および可動ブラインド(可動遮光羽)53が配置されている。そして、平面反射鏡47により偏向されたEUV光31は、可動ブラインド53および固定ブラインド51の開口部を通り、レチクル33の下面に細長い円弧状の照明領域を形成する。尚、説明の便宜上、固定ブラインド51及び可動ブラインド53はレチクル33に入射する照明光を遮光しているが、レチクル33から反射してきた光束を遮光する構成としても良いし、入射側、反射側の両方で光束を遮光する構成にしても良い。つまり、最終的にウエハ上における露光領域の形状が規定できるように配置されていれば良い。固定ブラインド51は図2に示す円弧形状の上下方向の形状を定め、可動ブラインド53の非走査方向遮光部材63は円弧形状の横方向の幅を定めている。レチクル33は、EUV光31を反射する多層膜とパターンを形成するための吸収体パターン層を有しており、レチクル33でEUV光31が反射されることによりEUV光31はパターン化される。
投影光学系17は、4つの反射ミラーを有しており、各ミラー17a〜17dにはEUV光31を反射する多層膜が備えられている。レチクル33により反射されパターン化されたEUV光31は第1ミラー17aから第4ミラー17dまで順次反射されて、レチクルパターンの縮小された像をウエハ55上に形成する。
ウエハステージ19は、X,Y,Z方向に移動可能とされている。ウエハステージ19の上側には静電チャック57が固定され、静電チャック57の上面にウエハ55が吸着保持されている。ウエハ55上のダイを露光するときには、EUV光31がレチクル33の所定の領域に照射され、レチクル33とウエハ55は投影光学系17に対して投影光学系17の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、レチクルパターンはウエハ55上の所定の露光範囲(ダイに対して)に露光される。
図2は、可動ブラインド53を下側から見た時の詳細を示している。
可動ブラインド53は、一対の走査方向遮光部材61(走査方向遮光羽)と一対の非走査方向遮光部材63(非走査方向遮光羽)とを有している。なお、図2では、走査方向遮光部材61と非走査方向遮光部材63の一部のみを示している。
図2において太い実線L1で囲まれた部分は、レチクル33のパターン面に照射される円弧状の照明領域A1を示している。この円弧状の照明領域A1の中心を径方向に通る直線の方向(図2の上下方向)がレチクル33の走査方向とされている。そして、照明領域A1の走査方向の両側となる位置にレチクル33の走査方向を制限する一対の走査方向遮光部材61が配置されている。この走査方向遮光部材61は、走査方向に移動可能とされ、走査前後での露光エリアのはみ出しを防止するものであり、マスクブラインド、同期ブラインドと呼ばれることもある。
また、円弧状の照明領域A1の走査方向に垂直な方向(照明領域A1の両端が位置する方向)の両側に、レチクル33の非走査方向を制限する一対の非走査方向遮光部材63が配置されている。この非走査方向遮光部材63は、走査幅を決定する。
そして、一対の非走査方向遮光部材63の内側(対向側)の端部の下面には、照明領域A1に入射する照明光の強度をパルス毎に検出する受光素子65が配置されている。この受光素子65は、非走査方向遮光部材63の高さ位置における照明範囲A2において、照明光のボケが少ない円弧状の検出領域A3内に位置するように配置されている。
すなわち、図1に示したように、レチクル33のパターン面の下方に間隔を置いて可動ブラインド53が配置されるため、非走査方向遮光部材63の高さ位置では円弧状の照明範囲A2の径方向の幅R2が、照明領域A1の径方向の幅R1より大きくなっており幅R2方向の両側及びR2に垂直な方向がボケている。従って、この実施形態では、ボケの少ない中央領域を検出領域A3とし、この検出領域A3の位置に受光素子65が配置される。また、照明光の照明範囲A2が、本来露光に必要な照明領域A1よりも拡大されている。
図2は、フルフィールド露光時の非走査方向遮光部材63の位置を示しており、フィールドが小さくなるに従って、例えば図3に示すように、一対の非走査方向遮光部材63の間隔が小さくなる。従って、一対の非走査方向遮光部材63を単に走査方向に垂直な方向に移動すると、移動により受光素子65の位置が検出領域A3から外れることになる。
そこで、この実施形態では、図3に示すように、非走査方向遮光部材63を、走査方向に垂直な方向に対して所定の角度θで、直線的に、直線L2と直線L3との間を移動させる。これにより、検出領域A3内に受光素子65を位置させた状態で非走査方向遮光部材63を移動することが可能になる。そして、非走査方向遮光部材63を直線的に移動するため、2次元的に移動させる場合に比較して非走査方向遮光部材63の駆動機構を簡易なものにすることができる。もちろん、照明領域A3に入れば遮光部材63を曲線的に動かすことも可能である。
この実施形態では、図3に示すように、非走査方向遮光部材63は、レチクル33に対して走査方向遮光部材61より遠い位置(図3において走査方向遮光部材61を隠す位置)に配置されている。すなわち、走査方向遮光部材61の下方に非走査方向遮光部材63が配置されている。これにより、走査方向遮光部材61により非走査方向遮光部材63の受光素子65の下方が遮られることを確実に回避することができる。
上述した露光装置では、レチクル33に照射される照明光の照明範囲A2を定める非走査方向遮光部材63に、照明光を検出する受光素子65を配置したので、照明光を分岐することなく照明光の強度をモニターすることができる。
(第2の実施形態)
図4は本発明の露光装置の第2の実施形態を示している。
なお、この実施形態において第1の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
この実施形態では、レチクルステージ15にパターンの形成されない基準反射面71が形成されている。また、ウエハステージ19に第2の受光素子73が配置されている。そして、非走査方向遮光部材63に配置される受光素子65と、ウエハステージ19に配置される第2の受光素子73との校正(キャリブレーション)を行う校正手段75が配置されている。露光量の制御はウエハ55上における露光量を制御して行われるが露光時にウエハ55上で光量を検出できないので、露光時は受光素子65の検出結果を用いて制御が行われる。従って、受光素子65の検出値とその時の実際のウエハステージ19上における光量値の関係を測定してキャリブレーションを行う必要がある。
この校正手段75は、レチクルステージ15に配置される基準反射面71に照明光学系13からの照明光を照射し、この時の照明光の強度を非走査方向遮光部材63に配置される受光素子65により検出する。また、基準反射面71で反射した照明光の強度を第2の受光素子73により検出する。そして、受光素子65で検出される照明光の強度と第2の受光素子73で検出される照明光の強度を比較することにより受光素子65の校正を行う。この校正は、例えば照明条件(露光量や照明光学系のNA絞りを変更した時等)または露光領域の設定が変更された時に行われる。
また、この実施形態では、照明光学系13の凹面反射鏡35と第1のフライアイミラー37との間には、減光フィルタ77が配置されている。この減光フィルタ77は、図5に示すように、中心軸79の周りに回転可能な円板81を有している。円板81には、4つの円形穴81a,81b,81c,81dが形成されている。1つの円形穴81aは空洞になっており、他の3つの円形穴81b,81c,81dには、厚さの異なるSiNx等からなる薄膜83,84,85が配置されている。これにより、それぞれの円形穴81a,81b,81c,81dを透過するEUV光31の減衰率が異なっている。従って、円板81を回転させて、どの円形穴81a,81b,81c,81dをEUV光31の通過する部分に位置させるかにより、レチクル33を照射するEUV光31の強さを4段階に切り換えることができる。
そして、図4に示すように、減光フィルタ77を回転駆動して露光量の制御を行う露光量制御手段87が配置されている。この露光量制御手段87は、非走査方向遮光部材63に配置される受光素子65の信号から照明光の強度を検出し、強度に対応する円形穴81a,81b,81c,81dをEUV光31の通過する部分に位置させ露光量の制御を行う。
この実施形態では、校正手段75により、非走査方向遮光部材63に配置される受光素子65と、ウエハステージ19に配置される第2の受光素子73との校正を容易,確実に行うことができる。
また、露光量制御手段87により、照明光学系13内に設置された減光フィルタ77を制御して照明光の強度の安定化を行うことができる。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。
(1)上述した第2の実施形態では、減光フィルタ77を制御して照明光の強度の安定化を行った例について述べたが、例えば受光素子65の信号から照明光強度のパルス毎の揺らぎを検出し照明光強度の安定化を行うようにしても良い。また、照明光の光源出力を制御して照明光強度の安定化を行うようにしても良い。さらに、ウエハステージ19の走査速度を制御して照明光の強度の安定化を行うようにしても良い。
(2)上述した実施形態では、EUV光31の光源にレーザ生成プラズマ光源を用いた例について説明したが、例えば、間歇的にターゲット材料を電極間に供給し、それに合わせて放電を行ってEUV光を発生する放電プラズマエックス線源であっても良い。
(3)上述した実施形態では、EUV光31を用いた露光装置に本発明を適用した例について説明したが、本発明は、レチクルに照射される照明光の照明範囲を定めるブラインドを備えた露光装置に広く適用することができる。例えば、透過型のレチクル(マスク)を用いた場合にも適用可能である。
(4)上述した実施形態では、レチクルに入射する照明光を検出するように露光領域規定部材であるブラインド上に検出器を配置しているが、レチクルから反射或いはレチクルを透過してきた光束の強度を検出するようにブラインド上に配置することも可能である。例えば、上述の実施形態ではブラインドの下面に検出器65を配置しているが、ブラインドの上面に配置すればよい。
(5)上述した実施形態では可動ブラインドに検出器を配置したが、固定ブラインドに配置することも可能である。この場合、可動ブラインドによって遮光されない領域に検出器を配置する必要がある。例えば、図2で示す円弧形状の上下方向(紙面の上下方向)に検出器を配置すれば良い。特に、円弧の中央付近に検出器を配置すると、可動ブラインドによって円弧の横方向の幅が変更されても検出可能である。また、検出器を一つではなく複数個アレイ状に配置し、用いる検出器を可動ブラインドの位置に応じて選択することも可能である。
(6)上述した実施形態では、可動ブラインドが固定ブラインドよりもレチクルから遠い位置に配置されているが、逆に配置することも可能である。
本発明の露光装置の第1の実施形態を示す説明図である。 図1の可動ブラインドの詳細を示す説明図である。 図2の非走査方向遮光部材を移動した状態を示す説明図である。 本発明の露光装置の第2の実施形態を示す説明図である。 図4の減光フィルタの詳細を示す説明図である。
符号の説明
11 光源部
13 照明光学系
15 レチクルステージ
17 投影光学系
19 ウエハステージ
33 レチクル
53 可動ブラインド
55 ウエハ
61 走査方向遮光部材
63 非走査方向遮光部材
65 受光素子
71 基準反射面
73 第2の受光素子
75 校正手段
77 減光フィルタ
87 露光量制御手段
A1 照明領域
A2 照明範囲
A3 検出領域

Claims (9)

  1. ウエハ等の感応基板上に照射される露光光の露光領域を規定する露光領域規定部材を備え、レチクルに形成されたパターンを前記感応基板上に転写する露光装置において、
    前記露光領域規定部材に光を検出する受光素子を配置したことを特徴とする露光装置。
  2. 請求項1に記載の露光装置において、
    前記露光領域規定部材は前記露光領域を任意に変更する可動ブラインドを有することを特徴とする露光装置。
  3. 請求項2記載の露光装置において、
    前記可動ブラインドは前記感応基板の非走査方向の前記露光領域を制限する非走査方向遮光部材と、走査方向の前記露光領域を制限する走査方向遮光部材とを有し、前記非走査方向遮光部材に前記受光素子を配置したことを特徴とする露光装置。
  4. 請求項3記載の露光装置において、
    前記露光領域が円弧形状をしており、前記非走査方向遮光部材が前記円弧形状の露光領域内を移動することを特徴とする露光装置。
  5. 請求項4記載の露光装置において、
    前記非走査方向遮光部材は、前記円弧形状の露光領域内を直線上に移動することを特徴とする露光装置。
  6. 請求項3ないし5のいずれか1項記載の露光装置において、
    前記非走査方向遮光部材は、前記レチクルに対して前記走査方向遮光部材より遠い位置に配置されていることを特徴とする露光装置。
  7. 請求項1ないし6のいずれか1項記載の露光装置において、
    前記検出器は前記レチクルに入射する光を検出することを特徴とする露光装置。
  8. 請求項1ないし7のいずれか1項記載の露光装置において、
    感応基板ステージ上に配置される第2の受光素子と、
    レチクルステージ上に配置される基準反射面と、
    前記露光領域規定部材に配置される前記受光素子と、前記第2の受光素子間の校正を行う校正手段と、
    を有することを特徴とする露光装置。
  9. 請求項8記載の露光装置において、
    前記校正手設は、照明条件または前記露光領域の設定が変更された時に前記受光素子間の校正を行うことを特徴とする露光装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303270A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Nikon Corp 露光装置
JP2013026621A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Asml Netherlands Bv 放射源、放射源を制御する方法、リソグラフィ装置およびデバイスを製造する方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06181160A (ja) * 1992-12-14 1994-06-28 Nikon Corp 露光装置
JPH0737774A (ja) * 1993-07-16 1995-02-07 Canon Inc 走査型露光装置
JPH0817713A (ja) * 1994-07-01 1996-01-19 Nikon Corp 投影露光装置
JP2000277413A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Canon Inc 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP2000286191A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法
JP2001237169A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Canon Inc 露光量制御方法、デバイス製造方法および露光装置
JP2002353088A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び位置検出装置
JP2003142363A (ja) * 2001-10-30 2003-05-16 Canon Inc 位置合わせ装置、位置合わせ装置の制御方法、その位置合わせ装置を用いた投影露光装置、半導体デバイスの製造方法
JP2004356291A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Nikon Corp 走査露光装置及び走査露光方法

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06181160A (ja) * 1992-12-14 1994-06-28 Nikon Corp 露光装置
JPH0737774A (ja) * 1993-07-16 1995-02-07 Canon Inc 走査型露光装置
JPH0817713A (ja) * 1994-07-01 1996-01-19 Nikon Corp 投影露光装置
JP2000277413A (ja) * 1999-03-24 2000-10-06 Canon Inc 露光量制御方法、露光装置およびデバイス製造方法
JP2000286191A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Nikon Corp 露光装置および露光方法ならびにデバイス製造方法
JP2001237169A (ja) * 2000-02-24 2001-08-31 Canon Inc 露光量制御方法、デバイス製造方法および露光装置
JP2002353088A (ja) * 2001-05-22 2002-12-06 Canon Inc 位置検出方法及び位置検出装置
JP2003142363A (ja) * 2001-10-30 2003-05-16 Canon Inc 位置合わせ装置、位置合わせ装置の制御方法、その位置合わせ装置を用いた投影露光装置、半導体デバイスの製造方法
JP2004356291A (ja) * 2003-05-28 2004-12-16 Nikon Corp 走査露光装置及び走査露光方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303270A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Nikon Corp 露光装置
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