JP2006184512A - 画像形成装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 かぶりのない良好な画像を得ることのできる画像形成装置を提供すること。
【解決手段】 直接転写方式の画像形成装置であって、導電性支持体上に、少なくとも導電性金属酸化物と少なくともアクセプター性化合物とを含有する下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層が順次積層されてなる像担持体であり、前記下引き層の体積抵抗は、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を前記下引き層に印可したとき、１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下であり、前記像担持体における被転写媒体が接する領域をＡ、接しない領域をＢとしたとき、前記像担持体に帯電、露光、現像、及び転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後における領域Ａの像担持体の電位（Ｖ）をＶ1、領域Ｂの像担持体の電位（Ｖ）をＶ2とした場合、下記式（ｉ）を満たすことを特徴とする画像形成装置。
式（ｉ）； ０＜｜Ｖ1−Ｖ2｜＜１５０
【選択図】 なし
【解決手段】 直接転写方式の画像形成装置であって、導電性支持体上に、少なくとも導電性金属酸化物と少なくともアクセプター性化合物とを含有する下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層が順次積層されてなる像担持体であり、前記下引き層の体積抵抗は、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を前記下引き層に印可したとき、１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下であり、前記像担持体における被転写媒体が接する領域をＡ、接しない領域をＢとしたとき、前記像担持体に帯電、露光、現像、及び転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後における領域Ａの像担持体の電位（Ｖ）をＶ1、領域Ｂの像担持体の電位（Ｖ）をＶ2とした場合、下記式（ｉ）を満たすことを特徴とする画像形成装置。
式（ｉ）； ０＜｜Ｖ1−Ｖ2｜＜１５０
【選択図】 なし
Description
かぶりのない良好な画像が得られる像担持体を用いた画像形成装置に関する。
電子写真方式の電子写真装置は、高速で高品質の印字が可能であることから、複写機、レーザービームプリンター等の電子写真装置において利用されている。
このような電子写真装置に用いられる像担持体としては、光導電性の有機材料を用い、像担持体の構成を電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離させた有機像担持体が主流となっている。
一方、電子写真装置に用いられる転写手段として、感光体ドラム等の像担持体上に形成されたナー像をベルト状の搬送体で搬送される被転写媒体（記録媒体）に直接転写する方式と、像担持体上に形成されたトナー像を一旦ドラム状あるいは無端フィルム状のベルト部材からなる中間転写体上に一次転写した後、前記中間転写体上のトナー像を改めて被転写媒体上へ二次転写して複写画像を得る方式などが用いられている。
転写の工程で中間転写媒体を用いると直接記憶媒体に転写するのに比べ、排トナー量が増え転写効率が低下する。直接記憶媒体に転写する電子写真装置を用いた場合、無駄なくトナーが転写され優れた画像が得られる。
このような電子写真装置に用いられる像担持体としては、光導電性の有機材料を用い、像担持体の構成を電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離させた有機像担持体が主流となっている。
一方、電子写真装置に用いられる転写手段として、感光体ドラム等の像担持体上に形成されたナー像をベルト状の搬送体で搬送される被転写媒体（記録媒体）に直接転写する方式と、像担持体上に形成されたトナー像を一旦ドラム状あるいは無端フィルム状のベルト部材からなる中間転写体上に一次転写した後、前記中間転写体上のトナー像を改めて被転写媒体上へ二次転写して複写画像を得る方式などが用いられている。
転写の工程で中間転写媒体を用いると直接記憶媒体に転写するのに比べ、排トナー量が増え転写効率が低下する。直接記憶媒体に転写する電子写真装置を用いた場合、無駄なくトナーが転写され優れた画像が得られる。
また、近年、長期間において安定した転写電位を保ち、転写画像を良好にするため、感光層にアクセプター性化合物を添加する電子写真装置も提示されている（例えば、特許文献１参照。）。
しかしながら、直接像担持体上の潜像を紙などの記憶媒体に直接転写する手段を用いた場合、潜像可能領域を広くし様々な記憶媒体のサイズに対応できるように設計されたときには、像担持体の端部において帯電性不良によるかぶりが生じることがある。補助帯電装置を採用することでかぶりは改善されるが、多くの電力が必要となりコストがかかること、また、オゾンや放電生成物が生じ環境負荷が大きくなることなどから像担持体の帯電性を改善する技術の開発が望まれていた。
特開平９−２４４２７６号公報
しかしながら、直接像担持体上の潜像を紙などの記憶媒体に直接転写する手段を用いた場合、潜像可能領域を広くし様々な記憶媒体のサイズに対応できるように設計されたときには、像担持体の端部において帯電性不良によるかぶりが生じることがある。補助帯電装置を採用することでかぶりは改善されるが、多くの電力が必要となりコストがかかること、また、オゾンや放電生成物が生じ環境負荷が大きくなることなどから像担持体の帯電性を改善する技術の開発が望まれていた。
本発明の目的は、様々な記憶媒体に対応したかぶりのない優れた画像を得ることのできる画像形成装置を提供することにある。
様々なサイズの記憶媒体を用いた場合に発生する上記かぶりの現象について、原因は明らかにされていないが、以下のように推測される。
通常用いられる記憶媒体が像担持体の潜像可能領域の幅より充分少ないと、記憶媒体の接しない領域が生じる。像担持体の潜像可能領域全体には一定の電流がかけられるため、記憶媒体が通過しない領域は、記憶媒体が通過する領域よりも転写の電流が集中して流れる。このため、転写時に逆極の影響が顕著となって、記憶媒体が通過しない領域に履歴が生じる。この履歴に起因して、次の帯電において像担持体端部の帯電不良が発生し、前履歴より幅の広い記憶媒体を用いるとかぶりが生じることになる。
通常用いられる記憶媒体が像担持体の潜像可能領域の幅より充分少ないと、記憶媒体の接しない領域が生じる。像担持体の潜像可能領域全体には一定の電流がかけられるため、記憶媒体が通過しない領域は、記憶媒体が通過する領域よりも転写の電流が集中して流れる。このため、転写時に逆極の影響が顕著となって、記憶媒体が通過しない領域に履歴が生じる。この履歴に起因して、次の帯電において像担持体端部の帯電不良が発生し、前履歴より幅の広い記憶媒体を用いるとかぶりが生じることになる。
また、かぶりと下引き層の体積抵抗値との関係は明らかとなっていないが、以下のように推測される。
像担持体上に規定値以上の体積抵抗値の下引き層を用いた場合、被転写媒体が接しない領域では転写工程後に像担持体表面電位が逆極性となる。連続使用すると、その転写履歴によって帯電性が悪化する。従って、小さいサイズの記憶媒体に引き続いて大きいサイズの記憶媒体に出力すると、転写工程時に小さいサイズの被転写媒体と像担持体との非接触部領域の履歴がかぶりとして現れる。
また、規定値以下の体積抵抗値の下引き層を用いると、原因は定かではないが、被転写媒体と像担持体との接しない領域において、転写工程後に帯電時と逆極のイオンが局在し、その履歴によって帯電性が低下することでかぶりが生じると考えられている。
像担持体上に規定値以上の体積抵抗値の下引き層を用いた場合、被転写媒体が接しない領域では転写工程後に像担持体表面電位が逆極性となる。連続使用すると、その転写履歴によって帯電性が悪化する。従って、小さいサイズの記憶媒体に引き続いて大きいサイズの記憶媒体に出力すると、転写工程時に小さいサイズの被転写媒体と像担持体との非接触部領域の履歴がかぶりとして現れる。
また、規定値以下の体積抵抗値の下引き層を用いると、原因は定かではないが、被転写媒体と像担持体との接しない領域において、転写工程後に帯電時と逆極のイオンが局在し、その履歴によって帯電性が低下することでかぶりが生じると考えられている。
本発明者らは、上記状況を踏まえ鋭意研究を重ねた結果、少なくとも該像担持体上に形成されたトナー画像を紙などの記憶媒体に直接転写する機構を有する画像形成装置において、導電性支持体上に導電性金属酸化物とアクセプター化合物とを含有し、体積抵抗値を制御した下引き層を設けた像担持体を用い、該像担持体に被転写媒体が接する領域をＡ、接しない領域をＢとしたとき、該像担持体に帯電、露光、現像、及び転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後のＡ領域における像担持体の電位（Ｖ）をＶ1、Ｂ領域における像担持体の電位（Ｖ）をＶ2としたとき、｜Ｖ1−Ｖ2｜を所定の値とすることで、かぶりを発生させない優れた電子写真装置が得られることを見出し、下記に示す本発明に至った。
＜１＞ 像担持体と、該像担持体を帯電させる帯電装置と、前記像担持体を露光して静電潜像を形成する露光装置と、前記静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を被転写媒体に直接転写する転写装置とを有する画像形成装置であって、
前記像担持体は、導電性支持体上に、少なくとも導電性金属酸化物とアクセプター性化合物とを含有する下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層が順次積層されてなり、
前記下引き層の体積抵抗は、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を前記下引き層に印可したとき、１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下であり、
前記像担持体に被転写媒体が接する領域をＡ、接しない領域をＢとしたとき、前記帯電装置、露光装置、現像装置、及び転写装置によって、前記像担持体に帯電、露光、現像、及び転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後における前記Ａの領域での像担持体の電位（Ｖ）をＶ1、前記Ｂの領域での像担持体の電位（Ｖ）をＶ2とした場合、下記式（ｉ）を満たすことを特徴とする画像形成装置。
式（ｉ）； ０＜｜Ｖ1−Ｖ2｜＜１５０
前記像担持体は、導電性支持体上に、少なくとも導電性金属酸化物とアクセプター性化合物とを含有する下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層が順次積層されてなり、
前記下引き層の体積抵抗は、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を前記下引き層に印可したとき、１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下であり、
前記像担持体に被転写媒体が接する領域をＡ、接しない領域をＢとしたとき、前記帯電装置、露光装置、現像装置、及び転写装置によって、前記像担持体に帯電、露光、現像、及び転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後における前記Ａの領域での像担持体の電位（Ｖ）をＶ1、前記Ｂの領域での像担持体の電位（Ｖ）をＶ2とした場合、下記式（ｉ）を満たすことを特徴とする画像形成装置。
式（ｉ）； ０＜｜Ｖ1−Ｖ2｜＜１５０
＜２＞ 前記アクセプター性化合物が、前記導電性金属酸化物と反応可能な基を有することを特徴とする前記＜１＞に記載の画像形成装置。
＜３＞ 前記アクセプター性化合物が、キノン基を有する化合物であることを特徴とする前記＜１＞又は＜２＞に記載の画像形成装置。
＜４＞ 前記キノン基を有する化合物が、アントラキノン構造を有する化合物であることを特徴とする前記＜３＞に記載の画像形成装置。
＜５＞ 前記アントラキノン構造を有する化合物が、アントラキノン、ヒドロキシアントラキノン、アミノアントラキノン、及びアミノヒドロキシアントラキノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であることを特徴とする前記＜４＞に記載の画像形成装置。
＜６＞ 前記転写工程の後に補助帯電工程を有し、該補助帯電工程における電流値Ｉ（μＡ）が下記式（ｉｉ）を満たすことを特徴とする前記＜１＞〜＜５＞のいずれか１項に記載の電子写真装置。
式（ｉｉ）； ｜Ｉ｜＜５００
式（ｉｉ）； ｜Ｉ｜＜５００
＜７＞ 前記転写工程の後に補助帯電工程を有さないことを特徴とする前記＜１＞〜＜５＞のいずれかに記載の電子写真装置。
＜８＞ 前記下引き層が、酸化亜鉛を含有していることを特徴とする前記＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の画像形成装置。
様々な記憶媒体に対応して、かぶりのない良好な画像が得られる電子写真装置を提供することができる。
まず、本発明の画像形成装置の好適な実施形態について説明する。
図１は、本発明の画像形成装置の基本構成を概略的に示す断面図である。図１に示す画像形成装置１００は、像担持体１０と、像担持体１０を帯電させる帯電装置１１と、帯電装置１１に接続された電源１２と、帯電装置１１により帯電される像担持体１０を露光して静電潜像を形成する露光装置１３と、露光装置１３により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置１４と、現像装置１４により形成されたトナー像を被転写媒体（画像出力媒体、記録媒体）１に転写する転写装置１５と、転写後の残留トナーを帯電させる補助帯電装置１６と、クリーニング装置１７と、像担持体１０の残存電荷を消去するイレーズ装置１８と、定着装置１９とを備える。これらの装置は目的に応じて適宜選択することができる。
クリーニング装置１７、イレーズ装置１８は必要に応じて備えられるものであり、省かれても良い。
図１は、本発明の画像形成装置の基本構成を概略的に示す断面図である。図１に示す画像形成装置１００は、像担持体１０と、像担持体１０を帯電させる帯電装置１１と、帯電装置１１に接続された電源１２と、帯電装置１１により帯電される像担持体１０を露光して静電潜像を形成する露光装置１３と、露光装置１３により形成された静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置１４と、現像装置１４により形成されたトナー像を被転写媒体（画像出力媒体、記録媒体）１に転写する転写装置１５と、転写後の残留トナーを帯電させる補助帯電装置１６と、クリーニング装置１７と、像担持体１０の残存電荷を消去するイレーズ装置１８と、定着装置１９とを備える。これらの装置は目的に応じて適宜選択することができる。
クリーニング装置１７、イレーズ装置１８は必要に応じて備えられるものであり、省かれても良い。
帯電装置１１としては、特に制限はなく、例えば、導電性又は半導電性のローラ、ブラシ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器などのそれ自体公知の帯電器が挙げられる。
露光装置１３としては、特に制限はなく、例えば、前記像担持体表面に、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光源を、所望の像様に露光できる光学系機器などが挙げられる。
現像装置１４としては、特に制限はなく、例えば、一成分系、二成分系の正規又は反転現像剤を用いる公知の現像器などが挙げられる。
転写装置１５としては、特に制限はなく、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器やコロトロン転写帯電器などのそれ自体公知の転写帯電器などが挙げられる。
転写部材としては、その構造、形状、材料等について特に制限はなく、公知のものを使用できる。前記構造としては、例えば、導電性支持体上に、少なくともゴム、エラストマー、樹脂等から形成される弾性層と、少なくとも１層の被覆層とを設けてなる構造などが挙げられる。また、前記形状としては、例えば、ローラ形状、ベルト形状などが挙げられる。また、前記材料としては、例えば、ポリウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリオレフィン系樹脂、ポリブタジエン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、フッ素系樹脂等に対して、導電性のカーボン粒子や金属粉等を分散混合させたものなどが挙げられる。
補助帯電装置１６としては、特に制限はなく、例えば、導電性又は半導電性のローラ、ブラシ、フィルム、ゴムブレード等を用いた接触型帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器などのそれ自体公知の帯電器が挙げられる。
補助帯電装置１６には定電流制御が用いられ、この補助帯電電流値は所定の範囲内であることが好ましい。また、当該補助帯電電流は帯電工程時と同極であることが必要である。補助帯電電流と帯電電流とが同極の電流の場合、像担持体に帯電、露光、現像、転写、及び補助帯電を順次行った次の帯電において、帯電が容易になる。ただし、補助帯電電流が所定の値より大きくなると、理由は定かではないが、クリーニング不良になり、かぶりが生じる。よって、補助帯電電流（μＡ）は、下記式（ｉｉ）を満たすことが好ましい。
式（ｉｉ）； ｜Ｉ｜＜５００
なお、本発明の画像形成装置では帯電性が優れるため、補助帯電装置１６は省いても良い。
補助帯電装置１６には定電流制御が用いられ、この補助帯電電流値は所定の範囲内であることが好ましい。また、当該補助帯電電流は帯電工程時と同極であることが必要である。補助帯電電流と帯電電流とが同極の電流の場合、像担持体に帯電、露光、現像、転写、及び補助帯電を順次行った次の帯電において、帯電が容易になる。ただし、補助帯電電流が所定の値より大きくなると、理由は定かではないが、クリーニング不良になり、かぶりが生じる。よって、補助帯電電流（μＡ）は、下記式（ｉｉ）を満たすことが好ましい。
式（ｉｉ）； ｜Ｉ｜＜５００
なお、本発明の画像形成装置では帯電性が優れるため、補助帯電装置１６は省いても良い。
図２〜５は、像担持体１０の断面図である。像担持体は、導電性基材２０と、導電性基材２０上に形成された下引き層２１と、下引き層２１の上に形成された感光層２２とを有する。さらに感光層２２は、電荷発生層２４と電荷輸送層２５との２層構造でも良く、また、感光層２２上に保護層２３を設けてもよい。
本発明の像担持体１０において、導電性基材２０としては、アルミニウム、銅、鉄、ニッケルなどの金属ドラム、及びガラス、プラスチック製の筒状基体上にアルミニウム、銅、金、銀、白金、パラジウム、チタン、ニッケル−クロム、ステンレス鋼、胴−インジウム等の金属を蒸着するか、酸化インジウム、酸化錫などの導電性金属化合物を蒸着するか、金属箔をラミネートすることによって導電処理されたドラム状の公知の材料を用いることができる。
本発明の下引き層２１は少なくとも導電性金属酸化物とアクセプター性化合物とを含有させて形成される。
本発明に用いられる導電性金属酸化物としては、１０2〜１０11Ω・ｃｍ程度の抵抗が必要である。導電性金属酸化物の抵抗として好ましくは、１０4〜１０10Ω・ｃｍであり、より好ましくは１０7〜１０10Ω・ｃｍである。リーク耐性獲得のために適切な抵抗が下引き層に求められるため、前記抵抗値を有する導電性酸化物を用いることが好ましい。
中でも上記抵抗値を有する酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を用いるのが好ましい。特に酸化亜鉛は好ましく用いられる。尚、上記範囲の下限よりも導電性金属酸化物の抵抗値が低いと十分なリーク耐性が得られず、この範囲の上限よりも高いと残留電位上昇を引き起こしてしまう懸念がある。
導電性金属酸化物は、所望の下引き層用塗布液の特性を得る為に、微粒子であることが好ましい。かかる一次平均粒径は、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１０〜２００ｎｍである。所定の値以上であると、分散性が低下するため所望の下引き層用塗布液が得られず、所定値以下になると下引き層用塗布液がゲル化してしまうことから塗布液として適さない。
中でも上記抵抗値を有する酸化錫、酸化チタン、酸化亜鉛等の導電性金属酸化物を用いるのが好ましい。特に酸化亜鉛は好ましく用いられる。尚、上記範囲の下限よりも導電性金属酸化物の抵抗値が低いと十分なリーク耐性が得られず、この範囲の上限よりも高いと残留電位上昇を引き起こしてしまう懸念がある。
導電性金属酸化物は、所望の下引き層用塗布液の特性を得る為に、微粒子であることが好ましい。かかる一次平均粒径は、５００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは１０〜２００ｎｍである。所定の値以上であると、分散性が低下するため所望の下引き層用塗布液が得られず、所定値以下になると下引き層用塗布液がゲル化してしまうことから塗布液として適さない。
また、導電性金属酸化物微粒子は、表面処理の異なるものあるいは粒子径の異なるものなど２種以上混合して用いることもできる。
さらに、下引き層の体積抵抗が、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可したときに１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下となる範囲であれば、導電性金属酸化物含有量は制限されない。好ましくは１０〜９０ｖｏｌ％であり、より好ましくは２０〜７０ｖｏｌ％である。
さらに、下引き層の体積抵抗が、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可したときに１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下となる範囲であれば、導電性金属酸化物含有量は制限されない。好ましくは１０〜９０ｖｏｌ％であり、より好ましくは２０〜７０ｖｏｌ％である。
導電性金属酸化物は表面処理を施すことができる。表面処理剤としてはシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤など所望の特性が得られるものであれば公知の材料から選択することができる。特にシランカップリング剤は良好な電子写真特性を与えるため好ましく用いられる。さらにアミノ基を有するシランカップリング剤は下引き層に良好なブロッキング性を与えるため好ましく用いられる。
アミノ基を有するシランカップリング剤としては所望の像担持体特性を得られるものであればいかなる物でも用いることができるが、具体的例としてはγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシランなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。また、シランカップリング剤は２種以上混合して使用することもできる。前記アミノ基を有するシランカップリング剤と併用して用いることができるシランカップリング剤の例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシランなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
表面処理剤として、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤を単独で使用したり、あるいは２種以上を併用することもできる。
表面処理剤として、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤を単独で使用したり、あるいは２種以上を併用することもできる。
表面処理方法は公知の方法であればいかなる方法でも使用可能であるが、乾式法あるいは湿式法を用いることができる。
乾式法にて表面処理を施す場合には導電性金属酸化物微粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接あるいは有機溶媒まに溶解させたシランカップリング剤を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって均一に処理される。添加あるいは噴霧する際には溶剤の沸点以下の温度で行われることが好ましい。溶剤の沸点以上の温度で噴霧すると、均一に攪拌される前に溶剤が蒸発し、シランカップリング剤が局部的にかたまってしまい均一な処理ができにくい欠点があり、好ましくない。添加あるいは噴霧した後、さらに１００℃以上で焼き付けを行うことができる。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施できる。
湿式法としては、導電性金属酸化物微粒子を溶剤中で攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミルなどを用いて分散し、シランカップリング剤溶液を添加し攪拌あるいは分散したのち、溶剤除去することで均一に処理される。溶剤除去方法はろ過あるいは蒸留により留去される。溶剤除去後にはさらに１００℃以上で焼き付けを行うことができる。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施できる。湿式法においては表面処理剤を添加する前に導電性金属酸化物微粒子含有水分を除去することもでき、その例として表面処理に用いる溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法を用いることもできる。
以上、シランカップリング剤における表面処理方法を記載したが、チタネート系カップリング剤やアルミニウム系カップリング剤等の表面処理剤についても同様の方法で導電性金属酸化物の表面処理を施すことができる。
乾式法にて表面処理を施す場合には導電性金属酸化物微粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接あるいは有機溶媒まに溶解させたシランカップリング剤を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させることによって均一に処理される。添加あるいは噴霧する際には溶剤の沸点以下の温度で行われることが好ましい。溶剤の沸点以上の温度で噴霧すると、均一に攪拌される前に溶剤が蒸発し、シランカップリング剤が局部的にかたまってしまい均一な処理ができにくい欠点があり、好ましくない。添加あるいは噴霧した後、さらに１００℃以上で焼き付けを行うことができる。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施できる。
湿式法としては、導電性金属酸化物微粒子を溶剤中で攪拌、超音波、サンドミルやアトライター、ボールミルなどを用いて分散し、シランカップリング剤溶液を添加し攪拌あるいは分散したのち、溶剤除去することで均一に処理される。溶剤除去方法はろ過あるいは蒸留により留去される。溶剤除去後にはさらに１００℃以上で焼き付けを行うことができる。焼き付けは所望の電子写真特性が得られる温度、時間であれば任意の範囲で実施できる。湿式法においては表面処理剤を添加する前に導電性金属酸化物微粒子含有水分を除去することもでき、その例として表面処理に用いる溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法を用いることもできる。
以上、シランカップリング剤における表面処理方法を記載したが、チタネート系カップリング剤やアルミニウム系カップリング剤等の表面処理剤についても同様の方法で導電性金属酸化物の表面処理を施すことができる。
下引き層２１中の導電性金属酸化物に対するシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤やアルミニウム系カップリング剤の量は所望の電子写真特性が得られる量であれば任意に設定できる。
本発明において、アクセプター性化合物とは、電子吸引性の構造を有し、光照射により電荷発生顔料で発生した正孔と電子のうち電子を引き抜く性質を有する化合物である。
アクセプター性化合物としては所望の特性が得られるものならばいかなるものでも使用可能であるが、導電性金属酸化物と反応可能な基を有することが好ましい。導電性金属酸化物と反応可能な基としては、水酸基やキノン基を有する化合物が好ましく、キノン基としてはアントラキノン構造を有する化合物であることがより好ましい。さらに水酸基を有するアントラキノン構造を有するアクセプター性化合物が好ましく用いられる。水酸基を有するアントラキノン構造を有する化合物としては、ヒドロキシアントラキノン系化合物、アミノヒドロキシアントラキノン系化合物などがあげられ、いずれも好ましく用いることができる。アントラキノン構造を有する化合物としては、アントラキノン、ヒドロキシアントラキノン、アミノアントラキノン、又はアミノヒドロキシアントラキノンが好ましく、さらに具体的にはアリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリンなどが特に好ましく用いられる。
アクセプター性化合物としては所望の特性が得られるものならばいかなるものでも使用可能であるが、導電性金属酸化物と反応可能な基を有することが好ましい。導電性金属酸化物と反応可能な基としては、水酸基やキノン基を有する化合物が好ましく、キノン基としてはアントラキノン構造を有する化合物であることがより好ましい。さらに水酸基を有するアントラキノン構造を有するアクセプター性化合物が好ましく用いられる。水酸基を有するアントラキノン構造を有する化合物としては、ヒドロキシアントラキノン系化合物、アミノヒドロキシアントラキノン系化合物などがあげられ、いずれも好ましく用いることができる。アントラキノン構造を有する化合物としては、アントラキノン、ヒドロキシアントラキノン、アミノアントラキノン、又はアミノヒドロキシアントラキノンが好ましく、さらに具体的にはアリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリンなどが特に好ましく用いられる。
本発明に用いられる下引き層のアクセプター性化合物の含有量は所望の特性が得られる範囲であれば任意に設定できるが、好ましくは導電性金属酸化物に対して０．０１〜２０質量％の範囲で用いられる。さらに好ましくは導電性金属酸化物に対して０．０５〜１０質量％の範囲で用いられる。０．０１質量％以下では下引き層内の電荷蓄積改善に寄与するだけの十分なアクセプター性を付与できないため、繰り返し使用時に残留電位の上昇など維持性の悪化を招きやすい。また２０質量％以上では金属酸化物同士の凝集を引き起こしやすく、その為下引き層形成時に下引き層内で金属酸化物が良好な導電路を形成することが出来ず、繰り返し使用時に残留電位の上昇など維持性の悪化を招きやすくなるだけでなく、黒点などの画質欠陥も引き起こしやすくなる。
下引き層２１に含有されるバインダー樹脂としては、良好な膜を形成できるもので、かつ所望の特性が得られるものであれば公知のいかなるものでも使用可能であるが、例えばポリビニルブチラール等のアセタール樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、カゼイン、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン−アルキッド樹脂、フェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂等の公知の高分子樹脂化合物、また電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂やポリアニリン等の導電性樹脂等を用いることができる。中でも上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好ましく用いられ、特にフェノール樹脂、フェノール−ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。
下引き層２１形成用塗布液中のアクセプター性化合物と導電性金属酸化物とバインダー樹脂との比率は、所望する像担持体特性を得られる範囲で任意に設定できる。
下引き層２１形成用塗布液中のアクセプター性化合物と導電性金属酸化物とバインダー樹脂との比率は、所望する像担持体特性を得られる範囲で任意に設定できる。
下引き層２１形成用塗布液には電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加物を用いることができる。
添加物としては、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物等の電子輸送性物質、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いることができる。シランカップリング剤は酸化亜鉛の表面処理に用いられるが、添加剤としてさらに塗布液に添加して用いることもできる。
添加物としては、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物、テトラシアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、２−（４−ビフェニル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾールや２，５−ビス（４−ナフチル）−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（４−ジエチルアミノフェニル）１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物、３，３’，５，５’テトラ−ｔ−ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物等の電子輸送性物質、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料を用いることができる。シランカップリング剤は酸化亜鉛の表面処理に用いられるが、添加剤としてさらに塗布液に添加して用いることもできる。
ここで用いられるシランカップリング剤の具体例としてはビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピル−トリス（β−メトキシエトキシ）シラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルメチルメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ビス（β−ヒドロキシエチル）−γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−クロルプロピルトリメトキシシラン等である。
ジルコニウムキレート化合物の例として、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。
チタニウムキレート化合物の例としてはテトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２−エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。
アルミニウムキレート化合物の例としてはアルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いることができる。
これらの化合物は単独にあるいは複数の化合物の混合物あるいは重縮合物として用いることができる。
下引き層形成用塗布液を調整するための溶媒としては公知の有機溶剤、例えばアルコール系、芳香族系、ハロゲン化炭化水素系、ケトン系、ケトンアルコール系、エーテル系、エステル系等から任意で選択することができる。例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉｓｏ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を用いることができる。
また、これらの分散に用いる溶剤は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤としてバインダー樹脂を溶かす事ができる溶剤であれば、いかなるものでも使用することが可能である。
また、これらの分散に用いる溶剤は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。混合する際、使用される溶剤としては、混合溶剤としてバインダー樹脂を溶かす事ができる溶剤であれば、いかなるものでも使用することが可能である。
下引き層２１形成用塗布液は、上記溶剤にバインダーを溶解させ、さらに導電性金属酸化物とアクセプター化合物を添加・分散して調製する。
導電性金属酸化物を分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法を用いることができる。さらにこの下引き層２１を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の通常の方法を用いることができる。
導電性金属酸化物を分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法を用いることができる。さらにこの下引き層２１を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、ワイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の通常の方法を用いることができる。
このようにして得られた下引き層２１形成用塗布液を用い、導電性基材２０上に下引き層２１が成膜される。
下引き層２１の厚さは、所望の特性が得られる範囲で任意に設定できるが、１５μｍ以上が好ましく、さらに好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とされていることが好ましい。下引き層２１の厚さが１５μｍ未満であるときには、充分な耐リーク性能を得ることができず、また５０μｍ以上であるときには長期使用時に残留電位が残りやすくなるため画像濃度異常を招きやすい欠点がある。
また、下引き層２１の表面粗さはモアレ像防止のために、使用される露光用レーザー波長λの１／４ｎ（ｎは上層の屈折率）〜１／２λに調整される。表面粗さ調整のために下引き層２１中に樹脂等の粒子を添加することもできる。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ＰＭＭＡ樹脂粒子等を用いることができる。
また、表面粗さ調整のために下引き層２１を研磨することもできる。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、ウエットホーニング、研削処理等を用いることもできる。
また、表面粗さ調整のために下引き層２１を研磨することもできる。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、ウエットホーニング、研削処理等を用いることもできる。
下引き層の体積抵抗率は、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可したとき、１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下である。このような体積抵抗率とするためには、導電性金属酸化物の種類及び添加量、アクセプター性化合物の種類及び添加量、下引き層の膜厚、有機金属酸化物等の添加、あるいは下引き層塗布液の分散状態等によって決定され、更にこれらの組み合わせによって調整することができるが、以上の方法に限定されない。
また、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可したときの下引き層の体積抵抗の測定は、対抗電極としてφ１ｍｍの金電極を用い像担持体に接触させ、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可して行われる。
かかる下引き層を用いることで、記憶媒体の接していない像担持体領域は、転写工程における逆極性の影響や、＋イオンの影響を受けにくい。また帯電性も優れるため、次の帯電工程の際も充分な表面電位が維持でき、かぶりのない良好な画質が得られる。
また、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可したときの下引き層の体積抵抗の測定は、対抗電極としてφ１ｍｍの金電極を用い像担持体に接触させ、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可して行われる。
かかる下引き層を用いることで、記憶媒体の接していない像担持体領域は、転写工程における逆極性の影響や、＋イオンの影響を受けにくい。また帯電性も優れるため、次の帯電工程の際も充分な表面電位が維持でき、かぶりのない良好な画質が得られる。
次に電荷発生層２４について説明する。電荷発生層２４は既知の電荷発生材料及び結着樹脂から構成される。電荷発生材料は、金属フタロシアニン顔料、特にその中でも以下に説明している特定の結晶を有するヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。本発明に用いるヒドロキシガリウムフタロシアニンは、特開平５−２６３００７号公報及び、特開平５−２７９５９１号公報に開示されるように、公知の方法で製造されるクロロガリウムフタロシアニン結晶を、酸又はアルカリ性溶液中での加水分解又はアシッドペースティングを行って、ヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を合成し、直接溶剤処理を行うか、或るいは、合成によって得られたヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶を溶剤と共にボールミル、乳鉢、サンドミル、ニーダー等を用いて湿式粉砕処理を行うか、溶剤を用いずに乾式粉砕処理を行った後に溶剤処理することによって製造することができる。上記の処理において使用される溶剤は、芳香族類（トルエン、クロロベンゼン等）、アミド類（ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン等）、脂肪族アルコール類（メタノール、エタノール、ブタノール等）、脂肪族多価アルコール類（エチレングリコール、グリセリン、ポリエチレングリコール等）、芳香族アルコール類（ベンジルアルコール、フェネチルアルコール等）、エステル類（酢酸エステル、酢酸ブチル等）、ケトン類（アセトン、メチルエチルケトン等）、ジメチルスルホキサイド、エーテル類（ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン等）、さらには数種の混合系、水とこれら有機溶剤の混合系などである。使用される溶剤は、ヒドロキシガリウムフタロシアニンに対して、１〜２００部、好ましくは１０〜１００部の範囲で用いる。処理温度は、０〜１５０℃、好ましくは室温〜１００℃の範囲で行う。また、粉砕の際に食塩、ぼう硝等の磨砕助剤を用いることもできる。磨砕助剤は顔料に対し０．５〜２０倍、好ましくは１〜１０倍用いる。
結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択することができる、また、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシランなどの有機光導電性ポリマーから選択することもできる。好ましい結着樹脂としては、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノールＡとフタル酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等の絶縁性樹脂をあげることができるが、これらに限定されるものではない。これらの結着樹脂は単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
電荷発生材料と結着樹脂の配合比は（重量比）は１０：１〜１：１０の範囲が好ましい。またこれらを分散させる方法としてはボールミル分散法、アトライター分散法、サンドミル分散法等の通常の方法を用いることができるが、この際、分散によって該の結晶型が変化しない条件が必要とされる。ちなみに本発明で実施した前記の分散法のいずれについても分散前と結晶型が変化していないことが確認されている。さらにこの分散の際、粒子を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、さらに好ましくは０．１５μｍ以下の粒子サイズにすることが有効である。またこれらの分散に用いる溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロルベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
また、本発明で用いる電荷発生層２４の厚みは一般的には、０．１〜５μｍ、好ましくは０．２〜２．０μｍが適当である。電荷発生層２４を設けるときに用いる塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の通常の方法を用いることができる。さらに、顔料の分散安定性や、光感度を増す目的、あるいは、電気特性を安定化させる目的で、顔料を処理したものを用いても良い。
次いで、電荷輸送層２５について説明する。電荷輸送層としては、公知の技術によって形成されたものを使用できる。それらの電荷輸送層は、電荷輸送材料と結着樹脂を含有して形成されるか、あるいは高分子電荷輸送材を含有して形成される。
本発明ではフッ素系樹脂を含有する電荷輸送層を用いることができる。本発明のフッ素系樹脂を含有する電荷輸送層におけるフッ素系樹脂の電荷輸送層中含量は、電荷輸送層全量に対し、０．１〜４０質量％が適当であり、特に１〜３０質量％が好ましい。含量が１質量％未満ではフッ素系樹脂粒子の分散による改質効果が十分でなく、一方、４０質量％を越えると光通過性が低下し、かつ、繰返し使用による残留電位の上昇が生じてくる。
本発明で用いるフッ素系樹脂粒子としては、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン樹脂及びそれらの共重合体の中から１種あるいは２種以上を適宜選択するのが望ましいが、特に、４フッ化エチレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂が好ましい。
前記フッ素系樹脂の一次粒径は０．０５−１μｍが良く、更に好ましくは０．１−０．５μｍが好ましい。一次粒径が０．０５μｍを下回ると分散時の凝集が進みやすくなる。又、１μｍを上回ると画質欠陥が発生し易くなる。
本発明で用いるフッ素系樹脂粒子としては、４フッ化エチレン樹脂、３フッ化塩化エチレン樹脂、６フッ化プロピレン樹脂、フッ化ビニル樹脂、フッ化ビニリデン樹脂、２フッ化２塩化エチレン樹脂及びそれらの共重合体の中から１種あるいは２種以上を適宜選択するのが望ましいが、特に、４フッ化エチレン樹脂、フッ化ビニリデン樹脂が好ましい。
前記フッ素系樹脂の一次粒径は０．０５−１μｍが良く、更に好ましくは０．１−０．５μｍが好ましい。一次粒径が０．０５μｍを下回ると分散時の凝集が進みやすくなる。又、１μｍを上回ると画質欠陥が発生し易くなる。
本発明で使用する電荷輸送材料としては、例えば、２，５−ビス（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール等のオキサジアゾール誘導体、１，３，５−トリフェニル−ピラゾリン、１−［ピリジル−（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−５−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）ピラゾリン等のピラゾリン誘導体、トリフェニルアミン、トリ（ｐ−メチルフェニル）アミニル−４−アミン、ジベンジルアニリン等の芳香族第３級アミノ化合物、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン等の芳香族第３級ジアミノ化合物、３−（４’−ジメチルアミノフェニル）−５，６−ジ−（４’−メトキシフェニル）−１，２，４−トリアジン等の１，２，４−トリアジン誘導体、４−ジエチルアミノベンズアルデヒド−１，１−ジフェニルヒドラゾン等のヒドラゾン誘導体、２−フェニル−４−スチリル−キナゾリン等のキナゾリン誘導体、６−ヒドロキシ−２，３−ジ（ｐ−メトキシフェニル）ベンゾフラン等のベンゾフラン誘導体、ｐ−（２，２−ジフェニルビニル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアニリン等のα−スチルベン誘導体、エナミン誘導体、Ｎ−エチルカルバゾール等のカルバゾール誘導体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール及びその誘導体などの正孔輸送物質、クロラニル、ブロアントラキノン等のキノン系化合物、テトラアノキノジメタン系化合物、２，４，７−トリニトロフルオレノン、２，４，５，７−テトラニトロ−９−フルオレノン等のフルオレノン化合物、キサントン系化合物、チオフェン化合物等の電子輸送物質、及び上記した化合物からなる基を主鎖又は側鎖に有する重合体などがあげられる。これらの電荷輸送材料は、１種又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明で使用する結着樹脂としては、例えば、アクリル樹脂、ポリアリレート、ポリエステル樹脂、ビスフェノールＡタイプ或いはビスフェノールＺタイプ等のポリカーボネート樹脂、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、ポリビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素ゴム等の絶縁性樹脂、及びポリビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン等の有機光導電性ポリマー等があげられる。電荷輸送層は、上に示した電荷輸送物質及び結着樹脂とを適当な溶媒に溶解させた溶液を塗布し乾燥することによって形成することができる。電荷輸送層の形成に使用される溶媒としては、例えば、トルエン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素系溶剤、メタノール、エタノール、ｎ―ブタノール等の脂肪族アルコール系溶剤、アセトン、シクロヘキサノン、２−ブタノン等のケトン系溶剤、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素溶剤、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコール、ジエチルエーテル等の環状或いは直鎖状エーテル系溶剤、或いはこれらの混合溶剤などを用いることができる。
電荷輸送材料と上記結着樹脂との配合比は１０：１〜１：５が好ましい。本発明の電荷輸送層２４中にフッ素系樹脂を分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機、コロイドミル、衝突式メディアレス分散機、貫通式メディアレス分散機等の方法を用いることができる。
電荷輸送材料と上記結着樹脂との配合比は１０：１〜１：５が好ましい。本発明の電荷輸送層２４中にフッ素系樹脂を分散させる方法としては、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機、コロイドミル、衝突式メディアレス分散機、貫通式メディアレス分散機等の方法を用いることができる。
本発明の電荷輸送層を形成する塗布液の分散例としては、溶媒に溶解した結着樹脂、電荷輸送材料などの溶液中にフッ素系樹脂粒子を分散する方法が挙げられる。
塗工液製造工程での塗工液の温度を０℃〜５０℃に制御する方法として、水で冷やす、風で冷やす、冷媒で冷やす、製造工程の室温を調節する、温水で暖める、熱風で温める、ヒーターで暖める、発熱しにくい材料で塗工液製造設備を作る、放熱しやすい材料で塗工液製造設備を作る、蓄熱しやすい材料で塗工液製造設備を作るなどの方法が利用できる。塗工液前混合方法として、スターラー、攪拌羽による攪拌、ロールミル、サンドミル、アトライター、ボールミル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機、等の方法が利用できる。分散方法として、サンドミル、アトライター、ボールミル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機、ロールミル等の方法が利用できる。
塗工液製造工程での塗工液の温度を０℃〜５０℃に制御する方法として、水で冷やす、風で冷やす、冷媒で冷やす、製造工程の室温を調節する、温水で暖める、熱風で温める、ヒーターで暖める、発熱しにくい材料で塗工液製造設備を作る、放熱しやすい材料で塗工液製造設備を作る、蓄熱しやすい材料で塗工液製造設備を作るなどの方法が利用できる。塗工液前混合方法として、スターラー、攪拌羽による攪拌、ロールミル、サンドミル、アトライター、ボールミル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機、等の方法が利用できる。分散方法として、サンドミル、アトライター、ボールミル、高圧ホモジナイザー、超音波分散機、ロールミル等の方法が利用できる。
また、本発明において分散液の分散安定性を向上させるため、及び塗膜形成時の凝集を防止するために分散助剤を少量添加することも有効である。分散助剤として、フッ素系界面活性剤、フッ素系ポリマー、シリコーン系ポリマー、シリコーンオイル等が挙げられる。
電荷輸送層２５の膜厚は、一般的には、５〜５０μｍ、好ましくは１０〜４０μｍである。塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の通常の方法を用いることができる。さらに電荷輸送層を設けるときに用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロンゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いることができる。また、複写機中で発生するオゾンや酸化性ガス、あるいは光、熱による像担持体の劣化を防止する目的で、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加剤を添加することができる。例えば、酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等があげられる。光安定剤の例としては、ベンゾフェノン、ベンゾトリアゾール、ジチオカルバメート、テトラメチルピペリジン等の誘導体があげられる。また、感度の向上、残留電位の低減、繰り返し使用時の疲労低減等を目的として、少なくとも１種の電子受容性物質を含有させることができる。本発明の像担持体に使用可能な電子受容物質としては、例えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、フタル酸等をあげることができる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系やＣｌ，ＣＮ，ＮＯ2等の電子吸引性置換基を有するベンゼン誘導体が特に好ましい。
電荷輸送層２５の膜厚は、一般的には、５〜５０μｍ、好ましくは１０〜４０μｍである。塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の通常の方法を用いることができる。さらに電荷輸送層を設けるときに用いる溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロルベンゼン等の芳香族炭化水素類、アセトン、２−ブタノン等のケトン類、塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロンゲン化脂肪族炭化水素類、テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いることができる。また、複写機中で発生するオゾンや酸化性ガス、あるいは光、熱による像担持体の劣化を防止する目的で、感光層中に酸化防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加剤を添加することができる。例えば、酸化防止剤としては、ヒンダードフェノール、ヒンダードアミン、パラフェニレンジアミン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマン、スピロインダノン及びそれらの誘導体、有機硫黄化合物、有機燐化合物等があげられる。光安定剤の例としては、ベンゾフェノン、ベンゾトリアゾール、ジチオカルバメート、テトラメチルピペリジン等の誘導体があげられる。また、感度の向上、残留電位の低減、繰り返し使用時の疲労低減等を目的として、少なくとも１種の電子受容性物質を含有させることができる。本発明の像担持体に使用可能な電子受容物質としては、例えば、無水コハク酸、無水マレイン酸、ジブロム無水マレイン酸、無水フタル酸、テトラブロム無水フタル酸、テトラシアノエチレン、テトラシアノキノジメタン、ｏ−ジニトロベンゼン、ｍ−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニトロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン酸、ｏ−ニトロ安息香酸、ｐ−ニトロ安息香酸、フタル酸等をあげることができる。これらのうち、フルオレノン系、キノン系やＣｌ，ＣＮ，ＮＯ2等の電子吸引性置換基を有するベンゼン誘導体が特に好ましい。
電荷輸送層２５の上に、さらに保護層２３を設けることもできる。保護層２３は、積層構造からなる像担持体１０では帯電時の電荷輸送層の化学的変化を防止し、また感光層の機械的強度をさらに改善する為に用いられる。
この保護層２３は、硬化性樹脂、電荷輸送性化合物を有する樹脂硬化膜、導電性材料を適当な結着樹脂中に含有させて形成された膜などから成る。硬化性樹脂としては公地の樹脂であれば何でも使用できるが、例えばフェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シロキサン樹脂等が挙げられる。電荷輸送性樹脂硬化膜としては公知の電荷輸送性化合物から誘導される有機機を有する樹脂硬化膜であればいかなるものも使用できる。導電性材料としては、酸化亜鉛、酸化錫、酸化チタンなどの導電性金属酸化物が挙げられる。
この保護層２３は、硬化性樹脂、電荷輸送性化合物を有する樹脂硬化膜、導電性材料を適当な結着樹脂中に含有させて形成された膜などから成る。硬化性樹脂としては公地の樹脂であれば何でも使用できるが、例えばフェノール樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シロキサン樹脂等が挙げられる。電荷輸送性樹脂硬化膜としては公知の電荷輸送性化合物から誘導される有機機を有する樹脂硬化膜であればいかなるものも使用できる。導電性材料としては、酸化亜鉛、酸化錫、酸化チタンなどの導電性金属酸化物が挙げられる。
前記保護層には、塗布を容易にするため、必要に応じて溶剤を添加して用いることができる。具体的には、水、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ−ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、ジメチルエーテル、ジブチルエーテル、等の通常の有機溶剤を単独あるいは２種以上混合して用いることができる。
前記保護層の形成において、塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の通常の方法を用いることができる。
前記保護層の膜厚は０．５〜２０μｍ、特に２〜１０μｍであることが望ましい。
本発明により得られた像担持体は高解像度を得るための電荷発生層より上層の機能層の膜厚は５０μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下が好ましく用いられる。機能層が薄膜の場合は本発明の粒子分散型下引き層と高強度な保護層の組み合わせが特に有効に用いられる。
前記保護層の膜厚は０．５〜２０μｍ、特に２〜１０μｍであることが望ましい。
本発明により得られた像担持体は高解像度を得るための電荷発生層より上層の機能層の膜厚は５０μｍ以下、好ましくは４０μｍ以下が好ましく用いられる。機能層が薄膜の場合は本発明の粒子分散型下引き層と高強度な保護層の組み合わせが特に有効に用いられる。
また、転写工程時において像担持体１０と被転写媒体１とが接している領域と、接していない領域が存在する様子を模式図として図６に示す。
図６では、被転写媒体１の接している領域をＡとし、被転写媒体１の接していない領域をＢとする。前記帯電装置、露光装置、現像装置、及び転写装置を用いて、像担持体に対して帯電、露光（潜像形成）、現像、及び転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後において、領域Ａにおける像担持体の電位をＶ1とし、領域Ｂにおける像担持体の電位をＶ2とする場合、下記式（ｉ）を満たすと、かぶりのない良好な画像を得ることができる。
式（ｉ）； ０＜｜Ｖ1−Ｖ2｜＜１５０
図６では、被転写媒体１の接している領域をＡとし、被転写媒体１の接していない領域をＢとする。前記帯電装置、露光装置、現像装置、及び転写装置を用いて、像担持体に対して帯電、露光（潜像形成）、現像、及び転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後において、領域Ａにおける像担持体の電位をＶ1とし、領域Ｂにおける像担持体の電位をＶ2とする場合、下記式（ｉ）を満たすと、かぶりのない良好な画像を得ることができる。
式（ｉ）； ０＜｜Ｖ1−Ｖ2｜＜１５０
Ｖ1とＶ2との差が、１５０以上の場合、像担持体上の表面電位の均一性が保たれず、被転写媒体が接していない領域が充分帯電しないため、１５０未満とすることが重要である。好ましくは、Ｖ1とＶ2との差は、０〜８０（Ｖ）であり、より好ましくは、０〜５０（Ｖ）である。
Ｖ1とＶ2の測定方法は、現像位置に表面電位計（Ｍｏｄｅｌ ５５５Ｐ−４：ＴＲＥＣ製）を装着し、プリント中に像担持体と用紙の接触部と非接触部の像担持体上の表面電位を測定する。
一枚印字した次の帯電工程直後において、像担持体電位が式（ｉ）を満たすためには、本発明にかかる像担持体を用いるほか、転写装置の電流を調整したり、転写装置や像担持体における結着樹脂等の組成物の種類等を適宜選択したり、組成物の分散状態を調整したり、転写装置と像担持体との接触面積を調節したりすることが好ましい。該接触面積の調整としては、例えば、ニップ幅の調整、ロールの曲率の設定、転写装置と像担持体の回転速度の調整等を挙げることができるが、これらに限定されない。
すなわち、かぶりのない良好な画像を得るためには、本発明の画像形成装置では、少なくとも次の３つの条件が必要である。
（１）少なくとも導電性金属酸化物とアクセプター性化合物とを含有する下引き層を用いること、
（２）前記下引き層に、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可したとき、下引き層の体積抵抗を１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下となるように調製すること、
（３）該像担持体において被転写媒体が接する領域をＡ、接しない領域をＢとしたとき、該像担持体に帯電、露光、現像、転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後のＡの電位（Ｖ）をＶ1、Ｂの電位（Ｖ）をＶ2としたとき上記式（ｉ）を満たすこと、である。
（１）少なくとも導電性金属酸化物とアクセプター性化合物とを含有する下引き層を用いること、
（２）前記下引き層に、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可したとき、下引き層の体積抵抗を１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下となるように調製すること、
（３）該像担持体において被転写媒体が接する領域をＡ、接しない領域をＢとしたとき、該像担持体に帯電、露光、現像、転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後のＡの電位（Ｖ）をＶ1、Ｂの電位（Ｖ）をＶ2としたとき上記式（ｉ）を満たすこと、である。
上記の条件を満たすことで、様々な被転写媒体に対応したかぶりのない優れた画像を得ることのできる画像形成装置を提供できる。
以下に本発明を実施例によって具体的に説明するが、本発明がこれらの実施例によって限定されるものではない。
＜実施例１＞
酸化亜鉛：（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製試作品：比表面積値１５ｍ2／ｇ）１００重量部をトルエン４８０重量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ６０３：信越化学工業社製）１．２５重量部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛顔料を得た。
前記表面処理を施した酸化亜鉛６０重量部とアリザリン０．７重量部と硬化剤｛ブロック化イソシアネート スミジュール３１７５（住友バイエルンウレタン社製）｝１３．５重量部とブチラール樹脂｛ＢＭ−１（積水化学社製）｝１５重量部をメチルエチルケトン８５重量部に溶解した溶液４０重量部とメチルエチルケトン２５重量部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて、光透過率が４０％になるように分散を行った。
得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５重量部、シリコーン樹脂粒子｛トスパール１４５（ＧＥ東芝シリコーン社製）｝４．０重量部を添加し、下引き層塗布用液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にて直径８４ｍｍ、長さ３４０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１７０℃、４０分の乾燥硬化を行い厚さ２５μｍの下引き層を得た。
酸化亜鉛：（平均粒子径７０ｎｍ：テイカ社製試作品：比表面積値１５ｍ2／ｇ）１００重量部をトルエン４８０重量部と攪拌混合し、シランカップリング剤（ＫＢＭ６０３：信越化学工業社製）１．２５重量部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧蒸留にて留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤表面処理酸化亜鉛顔料を得た。
前記表面処理を施した酸化亜鉛６０重量部とアリザリン０．７重量部と硬化剤｛ブロック化イソシアネート スミジュール３１７５（住友バイエルンウレタン社製）｝１３．５重量部とブチラール樹脂｛ＢＭ−１（積水化学社製）｝１５重量部をメチルエチルケトン８５重量部に溶解した溶液４０重量部とメチルエチルケトン２５重量部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて、光透過率が４０％になるように分散を行った。
得られた分散液に触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５重量部、シリコーン樹脂粒子｛トスパール１４５（ＧＥ東芝シリコーン社製）｝４．０重量部を添加し、下引き層塗布用液を得た。この塗布液を浸漬塗布法にて直径８４ｍｍ、長さ３４０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム基材上に塗布し、１７０℃、４０分の乾燥硬化を行い厚さ２５μｍの下引き層を得た。
このとき、環境が温度１０℃、湿度１５％ＲＨのもと対抗電極としてφ１ｍｍの金電極を用い、１０6Ｖ／ｍの電場を印可したときの体積抵抗を測定した。
次に、下引き層上に感光層を形成した。まず、電荷発生物質としてのＣｕｋα線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜，１６．０゜，２４．９゜，２８．０゜の位置に回折ピークを有するヒドロキシガリウムフタロシアニン１５部、結着樹脂としての塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（ＶＭＣＨ、ユニオンカーバイト社製）１０部、ｎ−酢酸ブチル２００部からなる混合物を、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。
得られた分散液にｎ−酢酸ブチル１７５部、メチルエチルケトン１８０部を添加し、攪拌して電荷発生層用の塗布液を得た。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、常温で乾燥して、厚みが０．２μｍの電荷発生層を形成した。
得られた分散液にｎ−酢酸ブチル１７５部、メチルエチルケトン１８０部を添加し、攪拌して電荷発生層用の塗布液を得た。この電荷発生層用塗布液を下引き層上に浸漬塗布し、常温で乾燥して、厚みが０．２μｍの電荷発生層を形成した。
さらに、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−［１、１’］ビフェニル−４，４’−ジアミン４部とビスフェノールＺポリカーボネート樹脂（分子量４万）６重量部とをテトラフドロフラン８０重量部を加えて溶解した塗布液を電荷発生層上に形成し、１１５℃、４０分の乾燥を行うことにより膜厚３０μｍの電荷輸送層を形成し、像担持体を得た。
上記のように作製した像担持体を用い、直接転写システム、補助帯電装置を有するＤｏｃｕＣｅｎｔｒｅ７０５で、帯電後の像担持体表面電位を測定できるように改造した。
表１における「初期状態での像担持体表面電位」は、１枚目にＡ４の横向き３０ｍｍカット紙を搬送し、一枚印字した次の帯電直後における像担持体の表面電位Ｖ1及びＶ2を測定した。かぶりの評価は、１枚目にＡ４の横向き３０ｍｍカット紙を搬送し、２枚目に横方向にＡ４紙を搬送させて出力し、２枚目のプリント画像を目視によって評価した。
表１における「１０，０００枚プリント後の像担持体表面電位」は、横方向にＡ４紙を１０，０００枚プリントした後、Ａ４の横向き３０ｍｍカット紙を１枚搬送し（即ち１０，００１枚目）、一枚印字した次の帯電直後における像担持体の表面電位Ｖ1及びＶ2を測定した。かぶりの評価は、横方向にＡ４紙を１０，０００枚プリントした後、Ａ４の横向き３０ｍｍカット紙を１枚搬送し（即ち１０，００１枚目）、次に横方向にＡ４紙を搬送させて（１０，００２枚目）出力し、最後（１０，００２枚目）に横方向に出力したＡ４紙のプリント画像を目視によって評価した。
本実施例の結果を表１に示した。
表１における「初期状態での像担持体表面電位」は、１枚目にＡ４の横向き３０ｍｍカット紙を搬送し、一枚印字した次の帯電直後における像担持体の表面電位Ｖ1及びＶ2を測定した。かぶりの評価は、１枚目にＡ４の横向き３０ｍｍカット紙を搬送し、２枚目に横方向にＡ４紙を搬送させて出力し、２枚目のプリント画像を目視によって評価した。
表１における「１０，０００枚プリント後の像担持体表面電位」は、横方向にＡ４紙を１０，０００枚プリントした後、Ａ４の横向き３０ｍｍカット紙を１枚搬送し（即ち１０，００１枚目）、一枚印字した次の帯電直後における像担持体の表面電位Ｖ1及びＶ2を測定した。かぶりの評価は、横方向にＡ４紙を１０，０００枚プリントした後、Ａ４の横向き３０ｍｍカット紙を１枚搬送し（即ち１０，００１枚目）、次に横方向にＡ４紙を搬送させて（１０，００２枚目）出力し、最後（１０，００２枚目）に横方向に出力したＡ４紙のプリント画像を目視によって評価した。
本実施例の結果を表１に示した。
＜実施例２＞
実施例１において補助帯電の出力させないこと以外は同様の方法で実施した。
実施例１において補助帯電の出力させないこと以外は同様の方法で実施した。
＜実施例３〜４，比較例１〜２＞
実施例１において、表面処理を施した酸化亜鉛６０重量部とアリザリン０．７重量部を用いたところを、それぞれの添加量を表１に示すように変更した以外は同様にして電子写真像担持体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
実施例１において、表面処理を施した酸化亜鉛６０重量部とアリザリン０．７重量部を用いたところを、それぞれの添加量を表１に示すように変更した以外は同様にして電子写真像担持体を作製し、実施例１と同様の評価を行った。
＜比較例３＞
実施例１において光透過率が９０％になるように分散させた下引き層用塗布液を用いた以外は同様の方法で実施した。
＜比較例４＞
実施例１においてアリザリンを含有させないこと以外は同様の方法で実施した。
実施例１において光透過率が９０％になるように分散させた下引き層用塗布液を用いた以外は同様の方法で実施した。
＜比較例４＞
実施例１においてアリザリンを含有させないこと以外は同様の方法で実施した。
＜比較例５＞
実施例２においてアリザリンを含有させないこと以外は同様の方法で実施した。
実施例２においてアリザリンを含有させないこと以外は同様の方法で実施した。
＜比較例６＞
（下引き層の作成）
４重量部のポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）を溶解したｎ−ブチルアルコール１７０重量部に、有機ジルコニウム化合物（アセチルアセトンジルコニウムブチレート）３０重量部及び有機シラン化合物（γ−アミノプロピルトリメトキシシラン）３重量部を添加、混合撹拌して下引き層形成用の塗布液を得た。この塗布液を、ホーニング処理により粗面化された３０ｍｍφのアルミニウム支持体の上に浸漬塗布し、室温で５分間風乾を行った後、支持体を１０分間で５０℃に昇温し、５０℃、８５％ＲＨ（露点４７℃）の恒温恒湿槽中に入れて、２０分間加湿硬化促進処理を行った。その後、熱風乾燥機に入れて１７０℃で１０分間乾燥を行った。
この下引き層を用いた以外は、実施例１と同様の方法で評価を行った。
（下引き層の作成）
４重量部のポリビニルブチラール樹脂（エスレックＢＭ−Ｓ、積水化学社製）を溶解したｎ−ブチルアルコール１７０重量部に、有機ジルコニウム化合物（アセチルアセトンジルコニウムブチレート）３０重量部及び有機シラン化合物（γ−アミノプロピルトリメトキシシラン）３重量部を添加、混合撹拌して下引き層形成用の塗布液を得た。この塗布液を、ホーニング処理により粗面化された３０ｍｍφのアルミニウム支持体の上に浸漬塗布し、室温で５分間風乾を行った後、支持体を１０分間で５０℃に昇温し、５０℃、８５％ＲＨ（露点４７℃）の恒温恒湿槽中に入れて、２０分間加湿硬化促進処理を行った。その後、熱風乾燥機に入れて１７０℃で１０分間乾燥を行った。
この下引き層を用いた以外は、実施例１と同様の方法で評価を行った。
＜比較例７＞
実施例２において、下引き層を比較例５とした以外は同様の方法で実施した。
本実施例の結果を表１に示した。
実施例２において、下引き層を比較例５とした以外は同様の方法で実施した。
本実施例の結果を表１に示した。
表１の結果に示すように、少なくとも導電性金属酸化物とアクセプター性化合物とを含有する下引き層を用い、前記下引き層に温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を印可したとき下引き層の体積抵抗が１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下であり、該像担持体に帯電、露光、現像、及び転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後の像担持体における被転写媒体の接触部の電位Ｖ1と、非接触部の電位Ｖ2との差が一定の範囲を満たす場合には、用紙端部にかぶりが発生しない良好な画像が得られた。
また、このような条件を満たす場合には、１０，０００枚プリント後に小さいサイズの被転写媒体を搬送し、更にこれよりも大きいサイズの被転写媒体を搬送してプリントした場合であっても、小さいサイズの被転写媒体を搬送したことによる履歴が像担持体に残らず、用紙端部にかぶりが発生しない良好な画像を得ることができた。
また、このような条件を満たす場合には、１０，０００枚プリント後に小さいサイズの被転写媒体を搬送し、更にこれよりも大きいサイズの被転写媒体を搬送してプリントした場合であっても、小さいサイズの被転写媒体を搬送したことによる履歴が像担持体に残らず、用紙端部にかぶりが発生しない良好な画像を得ることができた。
１ 被転写媒体
１０ 像担持体
１１ 帯電装置
１２ 電源
１３ 露光装置
１４ 現像装置
１５ 転写装置
１６ 補助帯電装置
１７ クリーニング装置
１８ イレーズ装置
１９ 定着装置
２０ 導電性基材
２１ 下引き層
２２ 感光層
２３ 保護層
２４ 電荷発生層
２５ 電荷輸送層
１００ 画像形成装置
１０ 像担持体
１１ 帯電装置
１２ 電源
１３ 露光装置
１４ 現像装置
１５ 転写装置
１６ 補助帯電装置
１７ クリーニング装置
１８ イレーズ装置
１９ 定着装置
２０ 導電性基材
２１ 下引き層
２２ 感光層
２３ 保護層
２４ 電荷発生層
２５ 電荷輸送層
１００ 画像形成装置
Claims (6)
- 像担持体と、該像担持体を帯電させる帯電装置と、前記像担持体を露光して静電潜像を形成する露光装置と、前記静電潜像をトナーにより現像してトナー像を形成する現像装置と、前記トナー像を被転写媒体に直接転写する転写装置とを有する画像形成装置であって、
前記像担持体は、導電性支持体上に、少なくとも導電性金属酸化物とアクセプター性化合物とを含有する下引き層、電荷発生層、及び電荷輸送層が順次積層されてなり、
前記下引き層の体積抵抗は、温度１０℃湿度１５％ＲＨで１０6Ｖ／ｍの電場を前記下引き層に印可したとき、１０10Ω・ｃｍ以上１０13Ω・ｃｍ以下であり、
前記像担持体に被転写媒体が接する領域をＡ、接しない領域をＢとしたとき、前記帯電装置、露光装置、現像装置、及び転写装置によって、前記像担持体に帯電、露光、現像、及び転写を順次行い、一枚印字した次の帯電直後における前記Ａの領域での像担持体の電位（Ｖ）をＶ1、前記Ｂの領域での像担持体の電位（Ｖ）をＶ2とした場合、下記式（ｉ）を満たすことを特徴とする画像形成装置。
式（ｉ）； ０＜｜Ｖ1−Ｖ2｜＜１５０ - 前記アクセプター性化合物が、前記導電性金属酸化物と反応可能な基を有することを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
- 前記アクセプター性化合物が、キノン基を有する化合物であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の画像形成装置。
- 前記キノン基を有する化合物が、アントラキノン構造を有する化合物であることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
- 前記アントラキノン構造を有する化合物が、アントラキノン、ヒドロキシアントラキノン、アミノアントラキノン、及びアミノヒドロキシアントラキノンからなる群より選ばれる少なくとも１種の化合物であることを特徴とする請求項４に記載の画像形成装置。
- 前記転写工程の後に補助帯電工程を有し、該補助帯電工程における電流値Ｉ（μＡ）が下記式（ｉｉ）を満たすことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
式（ｉｉ）； ｜Ｉ｜＜５００
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