JP2006179661A - 半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体パッケージ - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体装置のバンプ表面に形成される凹部を浅くする。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板1の上方に第1の絶縁膜11を形成する工程と、第1の絶縁膜11上にパッド12bを形成する工程と、第1の絶縁膜11上及びパッド12b上に、第2の絶縁膜13を形成する工程と、第2の絶縁膜13に、パッド12b上に位置する第1の開口部13aを形成する工程と、第2の絶縁膜13上及び第1の開口部13a内に、第3の絶縁膜14を形成する工程と、第3の絶縁膜14に、第1の開口部13a内に位置する第2の開口部14aを形成する工程と、第2の開口部14a内及び第3の絶縁膜14上にバンプを形成する工程とを具備する。
【選択図】 図1
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板1の上方に第1の絶縁膜11を形成する工程と、第1の絶縁膜11上にパッド12bを形成する工程と、第1の絶縁膜11上及びパッド12b上に、第2の絶縁膜13を形成する工程と、第2の絶縁膜13に、パッド12b上に位置する第1の開口部13aを形成する工程と、第2の絶縁膜13上及び第1の開口部13a内に、第3の絶縁膜14を形成する工程と、第3の絶縁膜14に、第1の開口部13a内に位置する第2の開口部14aを形成する工程と、第2の開口部14a内及び第3の絶縁膜14上にバンプを形成する工程とを具備する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体パッケージに関する。特に本発明は、バンプの表面に形成される凹部を浅くした半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体パッケージに関する。
図9は、従来の半導体装置の構成を説明する為の断面図である。この半導体装置において、シリコン基板101にはトランジスタ(図示せず)が形成されている。トランジスタ上には、配線及び層間絶縁膜を交互に積層した配線層102が形成されている。配線層102の最上層には、複数のAl合金配線103a及びAl合金パッド103bが形成されている。複数のAl合金配線103aは、互いに略平行に形成されている。
配線層102上には、パッシベーション膜106が形成されている。パッシベーション膜106は、酸化シリコン膜104および窒化シリコン膜105をこの順に積層したものである。酸化シリコン膜104は、Al合金配線103aの相互間を埋めるための層であり、窒化シリコン膜105は、配線層102及びトランジスタを湿気等から保護するための層である。
パッシベーション膜106には、Al合金パッド103b上に位置する開口部106aが形成されている。開口部106a上には、バンプ107が形成されている。バンプ107は、一部が開口部106aに埋め込まれることにより、Al合金パッド103bに接続している(例えば特許文献1参照)。
特公昭62−49819号公報(図1)
図10の各図は、図9に示した半導体装置と配線基板の接続構造を説明する為の断面図である。これらの各図において、配線層102及びパッシベーション膜106は省略されている。
図10(A)において、配線基板にはガラス基板110が用いられている。ガラス基板110上には配線111が形成されており、この配線111上に半導体装置のバンプ107が、異方性導電樹脂112によって固定されている。異方性導電樹脂112には導電性の粒子112aが混合されており、この粒子112aがバンプ107と配線111の間で押しつぶされることにより、バンプ107と配線111とが導通する。
図10(B)において、配線基板にはポリイミド製の樹脂フィルム120が用いられている。樹脂フィルム120には配線121が形成されており、この配線121上に半導体装置のバンプ107が熱圧着されている。
図10(C)において、配線基板にはポリイミド製の樹脂フィルム130が用いられている。樹脂フィルム130からはリード線131が延伸しており、このリード線131上に半導体装置のバンプ107が熱圧着されている。
上記した半導体装置では、バンプの一部がパッシベーション膜の開口部に埋め込まれているため、バンプの表面には、開口部の上方に位置する凹部(例えば図9の符号107aで示す部分)が形成される。凹部の深さは、例えばパッシベーション膜の厚さの1.4倍である。このため、図10(B)及び(C)で示した接続構造において、バンプの表面の凹部は、バンプ−配線間の接続に寄与しない構造となる。この場合、バンプと配線の接触面積を広くして熱圧着を確実にするためには、高温及び高荷重が必要になり、バンプが変形する可能性が生じるとともに、バンプの下方に位置する配線やトランジスタにダメージが加わる可能性が生じる。また、熱圧着装置への負荷が大きくなる。
また、図10(A)で示した接続構造において、バンプ表面の凹部の深さが異方性導電樹脂の粒子の直径より大きい場合、凹部と配線の間では粒子が押しつぶされない。このため、バンプの凹部以外の部分のみが、粒子を介して配線と導通する構造になる。この場合、接続不良が生じる可能性がある。特に近年は、バンプの高集積化が進んでおり、これに伴って異方性導電樹脂に混合されている粒子の径が小さくなっている(例えば直径が3μm)。このため、上記した問題が生じやすくなってきている。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、バンプの表面に形成される凹部を浅くした半導体装置、半導体装置の製造方法、及び半導体パッケージを提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明に係る半導体装置は、半導体基板の上方に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第1の絶縁膜上及び前記パッド上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に形成され、前記パッド上に位置する第1の開口部と、
前記第2の絶縁膜上及び前記第1の開口部内に形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜に形成され、前記第1の開口部の内部に位置する第2の開口部と、
前記第2の開口部内及び前記第3の絶縁膜上に形成されたバンプとを具備する。
前記第1の絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第1の絶縁膜上及び前記パッド上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に形成され、前記パッド上に位置する第1の開口部と、
前記第2の絶縁膜上及び前記第1の開口部内に形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜に形成され、前記第1の開口部の内部に位置する第2の開口部と、
前記第2の開口部内及び前記第3の絶縁膜上に形成されたバンプとを具備する。
この半導体装置によれば、パッド上に形成されている膜は、第3の絶縁膜のみである。このため、バンプとパッドとを接続する第2の開口部の深さを、従来と比べて浅くすることができる。従って、バンプの表面に形成される凹部を、従来と比べて浅くすることができる。
バンプの側面は、第1の開口部の内側面より内側に配置されているのが好ましい。第1の開口部は、パッドより大きく形成されていてもよいし、パッドより小さく形成されていてもよい。
第2の絶縁膜は、例えば酸化シリコン膜であり、第3の絶縁膜は、例えば窒化シリコン膜である。第1の絶縁膜上に複数並んで形成された配線を更に具備している場合、酸化シリコン膜は、複数の配線間を埋めているのが好ましい。
第1の絶縁膜上に形成されたヒューズと、第3の絶縁膜に形成され、ヒューズ上に位置する第3の開口部を更に具備し、第2の絶縁膜は、ヒューズ上を覆っていてもよい。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の上方に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上及び前記パッド上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に、前記パッド上に位置する第1の開口部を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上及び前記第1の開口部内に、第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜に、前記第1の開口部内に位置する第2の開口部を形成する工程と、
前記第2の開口部内及び前記第3の絶縁膜上にバンプを形成する工程とを具備する。
前記第1の絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上及び前記パッド上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に、前記パッド上に位置する第1の開口部を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上及び前記第1の開口部内に、第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜に、前記第1の開口部内に位置する第2の開口部を形成する工程と、
前記第2の開口部内及び前記第3の絶縁膜上にバンプを形成する工程とを具備する。
前記パッドを形成する工程において、前記第1の絶縁膜上に、更にヒューズを形成し、第3の絶縁膜を形成する工程と、前記バンプを形成する工程の間に、前記第3の絶縁膜に、前記ヒューズの上方に位置する第3の開口部を形成する工程を具備してもよい。
本発明に係る半導体パッケージは、半導体装置と、
前記半導体装置に接続された配線と、
前記配線が形成された配線基板と
を具備し、
前記半導体装置は、
半導体基板の上方に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第1の絶縁膜上及び前記パッド上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に形成され、前記パッド上に位置する第1の開口部と、
前記第2の絶縁膜上及び前記第1の開口部内に形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜に形成され、前記第1の開口部の内部に位置する第2の開口部と、
前記第2の開口部内及び前記第3の絶縁膜上に形成され、前記配線に接続されたバンプとを具備する。
前記半導体装置に接続された配線と、
前記配線が形成された配線基板と
を具備し、
前記半導体装置は、
半導体基板の上方に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第1の絶縁膜上及び前記パッド上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に形成され、前記パッド上に位置する第1の開口部と、
前記第2の絶縁膜上及び前記第1の開口部内に形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜に形成され、前記第1の開口部の内部に位置する第2の開口部と、
前記第2の開口部内及び前記第3の絶縁膜上に形成され、前記配線に接続されたバンプとを具備する。
この半導体パッケージによれば、半導体装置のバンプの表面に形成される凹部が浅くなるため、バンプを容易且つ確実に配線に接続することができる。
配線基板は、絶縁フィルム又はガラス基板を用いて形成されていてもよい。また、配線基板が絶縁フィルムである場合、配線は、絶縁フィルムの外部に延伸したリード線であってもよい。
配線基板は、絶縁フィルム又はガラス基板を用いて形成されていてもよい。また、配線基板が絶縁フィルムである場合、配線は、絶縁フィルムの外部に延伸したリード線であってもよい。
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図1及び図2の各図は、第1の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。図3は、半導体装置が有するAl合金パッド、パッシベーション膜の開口部、及びAl合金パッドに接続するバンプの位置関係を説明する為の平面図である。
まず、図1(A)に示すように、シリコン基板1に素子分離膜2を形成し、素子領域を互いに分離する。素子分離膜2は、例えばトレンチアイソレーション法によりシリコン基板1に埋め込まれるが、LOCOS法により形成されてもよい。
次いで、シリコン基板1を熱酸化する。これにより、素子領域に位置するシリコン基板1の表面には、ゲート酸化膜3が形成される。次いで、ゲート酸化膜3上を含む全面上にポリシリコン膜を形成し、このポリシリコン膜をパターニングする。これにより、ゲート酸化膜3上にはゲート電極4が形成される。次いで、ゲート電極4及び素子分離膜2をマスクとして、シリコン基板1に不純物イオンを注入する。これにより、素子領域に位置するシリコン基板1には低濃度不純物領域6a,6bが形成される。
次いで、ゲート電極4上を含む全面上に、酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜をエッチバックする。これにより、ゲート電極4の側壁はサイドウォール5で覆われる。次いで、ゲート電極4、サイドウォール5、及び素子分離膜2をマスクとして、シリコン基板1に不純物イオンを注入する。これにより、素子領域に位置するシリコン基板1には、ドレイン及びソースとなる不純物領域7a,7bが形成される。このようにして、シリコン基板1にはトランジスタが形成される。
次いで、トランジスタ上を含む全面上に、酸化シリコンを主成分とする層間絶縁膜8を、例えばCVD法により形成する。次いで、層間絶縁膜8上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、層間絶縁膜8上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとして層間絶縁膜8をエッチングする。これにより、層間絶縁膜8には、ゲート電極4上に位置する接続孔8a、及び不純物領域7a,7bそれぞれ上に位置する接続孔(図示せず)が形成される。その後、レジストパターンを除去する。
次いで、接続孔それぞれの中及び層間絶縁膜8上に、バリアメタルとなるTi膜、TiN膜をこの順に、スパッタリング法を用いて連続堆積し、さらに、タングステン膜をCVD法により堆積する。次いで、層間絶縁膜8上のタングステン膜、TiN膜及びTi膜を、CMP法又はエッチバックにより除去する。これにより、接続孔8aにはWプラグ9が埋め込まれる。また、不純物領域7a,7bそれぞれ上の接続孔にもWプラグ(図示せず)が埋め込まれる。
次いで、Wプラグそれぞれ上及び層間絶縁膜8上を含む全面上に、Al合金膜をスパッタリング法により形成する。次いで、このAl合金膜上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Al合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてAl合金膜をエッチングする。これにより、層間絶縁膜8上にはAl合金配線10a,10b,10cが形成される。Al合金配線10aは、Wプラグ9を介してゲート電極4に接続する。Al合金配線10b,10cそれぞれは、図示しないWプラグを介して不純物領域7a,7bに接続する。その後、レジストパターンを除去する。
次いで、層間絶縁膜8上及びAl合金配線10a,10b,10cそれぞれ上を含む全面上に、層間絶縁膜11を形成し、さらに、層間絶縁膜11に、Al合金配線10a,10b,10c上に位置する複数の接続孔(図示せず)を形成し、これら接続孔にWプラグ(図示せず)を埋め込む。これら接続孔及びWプラグの形成方法は、接続孔8a及びWプラグ9の形成方法と同一である。
次いで、Wプラグ上及び層間絶縁膜11上にAl合金膜を形成する。次いで、Al合金膜上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Al合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてAl合金膜をエッチングする。これにより、層間絶縁膜11上には複数のAl合金配線12a及びAl合金パッド12bが形成される。複数のAl合金配線12aは互いに並んでいる。その後、レジストパターンを除去する。
次いで、層間絶縁膜11上、Al合金配線12a上及びAl合金パッド12b上を含む全面上に、酸化シリコン膜13をCVD法により形成する。これにより、Al合金配線12aの相互間は埋まり、且つ、Al合金配線12a及びAl合金パッド12bは酸化シリコン膜13で被覆される。
次いで、酸化シリコン膜13上にフォトレジスト膜21を塗布し、フォトレジスト膜21を露光及び現像する。これにより、フォトレジスト膜21には、Al合金パッド12bの上方に位置する開口部が形成される。次いで、フォトレジスト膜21をマスクとして酸化シリコン膜13をエッチングする。これにより、酸化シリコン膜13には、Al合金パッド12b上に位置する第1の開口部13aが形成される。図1(A)及び図3に示すように、第1の開口部13aは、Al合金パッド12bより小さく、且つ、平面配置においてAl合金パッド12bの内部に位置している。
その後、図1(B)に示すように、フォトレジスト膜21を除去する。次いで、酸化シリコン膜13上及び第1の開口部13a内に、窒化シリコン膜14をCVD法により形成する。このようにして、酸化シリコン膜13及び窒化シリコン膜14からなるパッシベーション膜15が形成される。
次いで、図2(A)に示すように、パッシベーション膜15上にフォトレジスト膜22を塗布し、フォトレジスト膜22を露光及び現像する。これにより、フォトレジスト膜22には、Al合金パッド12bの上方に位置する開口部が形成される。開口部は、平面配置において第1の開口部13aの内部に位置する。次いで、フォトレジスト膜22をマスクとして、パッシベーション膜15の窒化シリコン膜14をエッチングする。これにより、窒化シリコン膜14には第2の開口部14aが形成される。図2(A)及び図3に示すように、第2の開口部14aは、第1の開口部13aの内部に配置されている。
その後、図2(B)に示すように、フォトレジスト膜22を除去する。次いで、パッシベーション膜15上、第2の開口部14a内及び第1の開口部13a内に、バリア膜としてのTiW膜(図示せず)を形成し、更にTiW膜上に、密着金属膜としてのAu膜(図示せず)を形成する。次いで、Au膜上にフォトレジスト膜(図示せず)を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び後現像する。これにより、Au膜上には、開口部を有するレジストパターンが形成される。レジストパターンの開口部は、平面配置において第1の開口部13aの内部に位置しており、且つ、第2の開口部14aを内部に含んでいる。
次いで、Au膜を電極として電解メッキを行う。これにより、レジストパターンの開口部内には、Auが析出、成長し、バンプ16が形成される。バンプ16の表面は、パッシベーション膜15の上方に出ている。また、バンプ16は、底部の一部が第2の開口部14aに埋め込まれることにより、Al合金パッド12bに接続している。なお、図2(B)及び図3に示すように、バンプ16は、第1の開口部13aの内側に配置されており、その側面は、第1の開口部13aの内側面より内側に位置している。
このとき、バンプ16の表面には、第2の開口部14aに起因して凹部が形成される。しかし、Al合金パッド12b上では、パッシベーション膜15は窒化シリコン膜14の一層構造になっている。このため、第2の開口部14aの深さは従来と比べて浅い。従って、バンプ16の表面に形成される凹部16aは、従来と比べて浅くなる。
その後、レジストパターンを除去する。次いで、バンプ16をマスクとしたエッチングを行う。これにより、密着金属膜としてのAu膜及びバリア膜としてのTiW膜のうち、露出している部分が除去される。
図4の各図は、図1を用いて説明した方法により形成された半導体装置と、配線基板の接続構造を説明する為の断面図である。これらの各図において、半導体装置のうち、シリコン基板1及びバンプ16以外の構成は省略されている。
図4(A)において、配線基板にはガラス基板50が用いられている。ガラス基板50上には配線51が形成されており、この配線51上に半導体装置のバンプ16が、異方性導電樹脂52によって固定されている。
異方性導電樹脂52には導電性の粒子52aが混合されており、この粒子52aがバンプ16と配線51の間で押しつぶされることにより、バンプ16と配線51とが導通する。バンプ16の表面の凹部16aは従来と比べて浅い。このため、粒子52aの直径を小さくしても、凹部16aと配線51の間で粒子52aが押しつぶされるため、バンプ16の表面全体が粒子52aを介して配線51に導通する。従って、半導体装置のチップサイズを小さくするためにバンプ16を小型化しても、バンプ16と配線51の導通を良好にすることができる。
図4(B)において、配線基板にはポリイミド製の樹脂フィルム60が用いられている。樹脂フィルム60には配線61が形成されており、この配線61上に半導体装置のバンプ16が熱圧着されている。配線61の表面にAu膜が形成されている場合、バンプ16と配線61は熱圧着によりAu−Au接続する。また、配線61の表面にSn膜が形成されている場合、バンプ16と配線61は、熱圧着時にAu−Sn合金が形成されることにより、接続する。これらのいずれの場合においても、バンプ16の表面の凹部16aが従来と比べて浅いため、従来と比べて熱圧着時の条件を低圧力・低温にしても、バンプ16と配線61の接触面積を広くすることができる。このため、熱圧着時に、半導体装置のトランジスタにダメージが加わることを抑制できる。
図4(C)において、配線基板にはポリイミド製の樹脂フィルム70が用いられている。樹脂フィルム70からはリード線71が延伸しており、このリード線71上に半導体装置のバンプ16が熱圧着されている。バンプ16の表面の凹部16aが従来と比べて浅いため、図4(B)の場合と同様の作用により、従来と比べて熱圧着時の圧力を小さくすることができ、また、圧着時の温度を低くすることができる。このため、熱圧着時に、半導体装置のトランジスタにダメージが加わることを抑制できる。
以上、第1の実施形態によれば、バンプ16の下において、パッシベーション膜15は窒化シリコン膜14の一層構造になる。そして、バンプ16の下に形成されている第2の開口部14aの深さは、パッシベーション膜15全体の厚さではなく窒化シリコン膜14の厚さに等しくなるため、従来と比べて浅くなる。このため、バンプ16の表面の凹部16aは従来と比べて小さくなる。
これにより、バンプ16と配線基板を確実に接続することができる。また、バンプ16と配線基板を熱圧着するときの条件を、従来と比べて低圧力、低温にすることができる。
これにより、バンプ16と配線基板を確実に接続することができる。また、バンプ16と配線基板を熱圧着するときの条件を、従来と比べて低圧力、低温にすることができる。
図5及び図6の各図は、第2の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する為の断面図である。図7は、第2の実施形態に係る半導体装置が有するAl合金パッド、パッシベーション膜の開口部、及びAl合金パッドに接続するバンプの位置関係を説明する為の平面図である。本実施形態において、第1の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
まず、図5(A)に示すように、シリコン基板1に素子分離膜2を埋め込み、ゲート酸化膜3、ゲート電極4、サイドウォール5、低濃度不純物領域6a,6b、及び不純物領域7a,7bを形成することにより、トランジスタを形成する。次いで、層間絶縁膜8、接続孔8a及び不純物領域7a,7b上の接続孔、Wプラグ9及び前記した接続孔中のWプラグ、Al合金配線10a,10b,10c、ならびに層間絶縁膜11を形成する。次いで、層間絶縁膜11上にAl合金膜を形成する。これらの形成方法は、第1の実施形態と同一である。
次いで、Al合金膜上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、Al合金膜上にはレジストパターンが形成される。次いで、このレジストパターンをマスクとしてAl合金膜をエッチングする。これにより、層間絶縁膜11上には、複数のAl合金配線12a、Al合金パッド12b、及びAl合金ヒューズ12cが形成される。
次いで、層間絶縁膜11、Al合金配線12a、Al合金パッド12b、及びAl合金ヒューズ12cそれぞれ上を含む全面上に、酸化シリコン膜13を形成し、酸化シリコン膜13に、Al合金パッド12b上に位置する第1の開口部13aを形成する。これらの形成方法は第1の実施形態と同一である。
次いで、酸化シリコン膜13上及び第1の開口部13aの内部に窒化シリコン膜14を形成する。このようにして、パッシベーション膜15が形成される。
次いで、酸化シリコン膜13上及び第1の開口部13aの内部に窒化シリコン膜14を形成する。このようにして、パッシベーション膜15が形成される。
次いで、図5(B)に示すように、窒化シリコン膜14上にフォトレジスト膜23を塗布し、フォトレジスト膜23を露光及び現像する。これにより、フォトレジスト膜23には、Al合金ヒューズ12cの上方に位置する開口部が形成される。次いで、フォトレジスト膜23をマスクとして、窒化シリコン膜14をエッチングする。これにより、窒化シリコン膜14には、Al合金ヒューズ12cの上方に位置する第3の開口部14bが形成される。第3の開口部14bをエッチングするとき、オーバーエッチングは行われないか、行われてもその量はわずかである。なお、図5(B)及び図7に示すように、第3の開口部14bは、Al合金ヒューズ12cより大きく、平面配置においてAl合金ヒューズ12cを内部に含んでいる。
その後、図6(A)に示すように、フォトレジスト膜23を除去する。次いで、窒化シリコン膜14上及び第3の開口部14bの中に、フォトレジスト膜24を塗布し、フォトレジスト膜24を露光及び現像する。これにより、フォトレジスト膜24には、Al合金パッド12b上に位置する開口部が形成される。次いで、フォトレジスト膜24をマスクとして窒化シリコン膜14をエッチングする。これにより、窒化シリコン膜14には、第2の開口部14aが形成される。第2の開口部14aを形成するとき、窒化シリコン14を確実に開口するため、オーバーエッチングを行う。
次いで、図6(B)に示すように、フォトレジスト膜24を除去する。次いで、バンプ16を形成する。バンプ16の形成方法は第1の実施形態と同一である。
この第2の実施形態においても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
この第2の実施形態においても、第1の実施形態と同一の効果を得ることができる。
図8は、第3の実施形態に係る半導体装置の構成を説明する為の断面図である。本実施形態は、第1の開口部13aの大きさが第1の実施形態と異なることを除いて、第2の実施形態と同一である。すなわち、本実施形態において、第1の開口部13aはAl合金パッド12bより大きく、平面配置においてAl合金パッド12bを内部に含んでいる。以下、第2の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施形態に係る半導体装置は、以下のようにして形成される。まず、シリコン基板1に素子分離膜2を埋め込み、ゲート酸化膜3、ゲート電極4、サイドウォール5、低濃度不純物領域6a,6b、及び不純物領域7a,7bを形成することにより、トランジスタを形成する。次いで、層間絶縁膜8、接続孔8a及び不純物領域7a,7b上の接続孔、Wプラグ9及び前記した接続孔中のWプラグ、Al合金配線10a,10b,10c、層間絶縁膜11、Al合金配線12a、Al合金パッド12b、Al合金ヒューズ12c、及び酸化シリコン膜13を形成する。これらの形成方法は、第2の実施形態と同一である。
次いで、酸化シリコン膜13上にフォトレジスト膜を塗布し、このフォトレジスト膜を露光及び現像する。これにより、フォトレジスト膜にはAl合金パッド12bの上方に位置する開口部が形成される。この開口部は、Al合金パッド12bより大きく、平面配置においてAl合金パッド12bを内部に含んでいる。
次いで、このフォトレジスト膜をマスクとして、酸化シリコン膜13をエッチングする。これにより、第1の開口部13aが形成される。第1の開口部13aは、Al合金パッド12bより大きく、平面配置においてAl合金パッド12bを内部に含んでいる。その後、フォトレジスト膜を除去する。
これ以降の工程は、第2の実施形態と同一である。
これ以降の工程は、第2の実施形態と同一である。
本実施形態においても、第2の実施形態と同一の効果を得ることができる。 また、バンプ16は平面配置において第1の開口部13aの内部に位置しているが、第1の開口部13aをAl合金パッド12bより大きく形成しているため、Al合金パッド12bを小さくしても、バンプ16を小さくしなくて済む。従って、Al合金パッド12bを小さくして、Al合金パッド12bを高集積化することができる。
尚、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。例えば、第1の実施形態において、第1の開口部13aを大きくして、平面配置においてAl合金パッド12bを内部に含むようにしてもよい。また、第2及び第3の実施形態それぞれにおいて、第2の開口部14aを形成した後に、第3の開口部14bを形成してもよい。
1,101…シリコン基板、2…素子分離膜、3…ゲート酸化膜、4…ゲート電極、5…サイドウォール、6a,6b…低濃度不純物領域、7a,7b…不純物領域、8,11…層間絶縁膜、8a…接続孔、9…Wプラグ、10a,10b,10c,12a…Al合金配線、12b,103…Al合金パッド、12c,103a…Al合金ヒューズ、13,104…酸化シリコン膜、13a…第1の開口部、14,105…窒化シリコン膜、14a…第2の開口部、14b…第3の開口部、15,106…パッシベーション膜、16,107…バンプ、16a,107a…凹部、21,22,23,24…フォトレジスト膜、50,110…ガラス基板、51,61,111,121…配線、52,112…異方性導電樹脂、52a,112a…粒子、60,70,120,130…樹脂フィルム、71,131…リード線、102…配線層、106a…開口部
Claims (12)
- 半導体基板の上方に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第1の絶縁膜上及び前記パッド上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に形成され、前記パッド上に位置する第1の開口部と、
前記第2の絶縁膜上及び前記第1の開口部内に形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜に形成され、前記第1の開口部の内部に位置する第2の開口部と、
前記第2の開口部内及び前記第3の絶縁膜上に形成されたバンプと、
を具備する半導体装置。 - 前記バンプの側面が、前記第1の開口部の内側面より内側に配置された請求項1に記載の半導体装置。
- 前記第1の開口部は、前記パッドより小さく形成されている請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第1の開口部は、前記パッドより大きく形成されている請求項1又は2に記載の半導体装置。
- 前記第2の絶縁膜は酸化シリコン膜であり、前記第3の絶縁膜は窒化シリコン膜である請求項1〜4のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の絶縁膜上に複数並んで形成された配線を更に具備し、
前記酸化シリコン膜は、前記複数の配線間を埋めている請求項5に記載の半導体装置。 - 前記第1の絶縁膜上に形成されたヒューズと、
前記第3の絶縁膜に形成され、前記ヒューズの上方に位置する第3の開口部を更に具備し、
前記第2の絶縁膜は、前記ヒューズ上を覆っている請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 半導体基板の上方に第1の絶縁膜を形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上にパッドを形成する工程と、
前記第1の絶縁膜上及び前記パッド上に、第2の絶縁膜を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜に、前記パッド上に位置する第1の開口部を形成する工程と、
前記第2の絶縁膜上及び前記第1の開口部内に、第3の絶縁膜を形成する工程と、
前記第3の絶縁膜に、前記第1の開口部内に位置する第2の開口部を形成する工程と、
前記第2の開口部内及び前記第3の絶縁膜上にバンプを形成する工程と、
を具備する半導体装置の製造方法。 - 前記パッドを形成する工程において、前記第1の絶縁膜上に、更にヒューズを形成し、
前記第3の絶縁膜を形成する工程と、前記バンプを形成する工程の間に、前記第3の絶縁膜に、前記ヒューズの上方に位置する第3の開口部を形成する工程を具備する請求項8に記載の半導体装置の製造方法。 - 半導体装置と、
前記半導体装置に接続された配線と、
前記配線が形成された配線基板と
を具備し、
前記半導体装置は、
半導体基板の上方に形成された第1の絶縁膜と、
前記第1の絶縁膜上に形成されたパッドと、
前記第1の絶縁膜上及び前記パッド上に形成された第2の絶縁膜と、
前記第2の絶縁膜に形成され、前記パッド上に位置する第1の開口部と、
前記第2の絶縁膜上及び前記第1の開口部内に形成された第3の絶縁膜と、
前記第3の絶縁膜に形成され、前記第1の開口部の内部に位置する第2の開口部と、
前記第2の開口部内及び前記第3の絶縁膜上に形成され、前記配線に接続されたバンプと、
を具備する半導体パッケージ。 - 前記配線基板は、絶縁フィルム又はガラス基板を用いて形成されている請求項10に記載の半導体パッケージ。
- 前記配線基板は、絶縁フィルムであり、
前記配線は、前記絶縁フィルムの外部に延伸したリード線である請求項10に記載の半導体パッケージ。
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