JP2006173218A - 半導体ウェハ並びに半導体ウェハの位置決め方法及びレーザートリミング方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
位置決め専用のアライメントマークを用いることなく、半導体ウェハの位置決めを行なう。
【解決手段】
半導体ウェハ２では、チップ領域４におけるパッド開口部８の近傍に、位置決め用レーザー光がＸ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターン１０が１本だけＹ軸方向に形成されているＸ軸方向スキャン領域Ａと、位置決め用レーザー光がＹ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターン１０が１本だけＸ軸方向に形成されているＹ軸方向スキャン領域Ｂとを備えている。
【選択図】図１

Description

本発明は、少なくともＸ軸方向とＹ軸方向に配線パターンを備えている複数のチップ領域がスクライブラインを挟んでマトリクス状に配置されている半導体ウェハと、その半導体ウェハに対して位置決め用レーザー光を照射して基準位置を設定するための半導体ウェハの位置決め方法と、その位置決め方法を用いたレーザートリミング方法に関するものである。

半導体ウェハ上のチップ領域に形成されている抵抗素子の抵抗値を、レーザートリミングを用いて調整する技術がある。レーザートリミングを行なう際には、トリミング位置を決定するために、例えば図６に示すように、半導体ウェハ３０のチップ領域３２間に形成されたスクライブライン３４上に位置決め用のアライメントマーク３６を形成し、アライメントマーク３６を利用して位置決めを行なう方法がある。

この方法では、スクライブライン３４上に例えば長方形等の特定の形状に形成されたアライメントマーク３６にレーザー光を照射し、レーザー光をアライメントマーク３６と相対的に移動させてアライメントマーク３６からの反射光を検出し、そのコントラストから絶対位置を認識してトリミングを行なう相対位置を決定する（例えば、特許文献１参照。）。
特開平５−１２９１７６号公報 特許第３１７１１３４号公報

スクライブライン上にアライメントマークを形成し、そのアライメントマークを利用してレーザートリミングを行なう場合、スクライブラインはチップ領域を多数配置するために微細に形成されているので、チップ領域周辺の、例えばアルミニウムなどの配線パターンを誤認識する可能性や、反射コントラストの悪影響による認識不良を生じる可能性がある。

そこで本発明は、位置決め専用のアライメントマークを用いることなく位置決めを行なうことができる半導体ウェハ並びに半導体ウェハの位置決め方法及びレーザートリミング方法を提供することを目的とするものである。

本発明にかかる半導体ウェハは、少なくともＸ軸方向とＹ軸方向に配線パターンが形成されている複数のチップ領域がスクライブラインを挟んでマトリクス状に配置されている半導体ウェハであって、上記チップ領域は、位置決め用レーザー光がＸ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターンが１本だけＹ軸方向に形成されているＸ軸方向スキャン領域と、位置決め用レーザー光がＹ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターンが１本だけＸ軸方向に形成されているＹ軸方向スキャン領域とを備えているものである。
これにより、位置決め専用のアライメントマークを用いることなく、チップ領域内に設けられたＸ軸方向スキャン領域及びＹ軸方向スキャン領域を用いて基準位置を設定することができる。

また、スクライブライン上にアライメントマークを形成する方法に代えて、例えばアライメントマークをスクライブライン上ではなくチップ領域内に形成されたキャパシタ上に形成し、アライメントマークが形成されているキャパシタ形成領域に対してレーザー光を照射して、反射光のコントラストから絶対位置を認識してトリミングを行なう相対位置を決定する方法がある（例えば、特許文献２参照。）。しかし、アライメントマークをチップ領域内のキャパシタ形成領域上に形成した場合、レーザートリミングを行なう際に、位置決め用レーザー光の照射によりキャパシタにダメージを与えるという問題があった。

そこで本発明の半導体ウェハにおいて、上記Ｘ軸方向スキャン領域及び上記Ｙ軸方向スキャン領域に配線パターン以外の素子が形成されていないようにすることが好ましい。
これにより、キャパシタなどの素子に対して位置決め用レーザー光を照射することをなくすことができ、素子への位置決め用レーザー光照射によるダメージを抑えることができる。

また、アライメントマークをスクライブライン上に形成した場合、ダイシングの際にダイシングカッターがアライメントマークを切断しなければならいことから、アルミニウムなどの金属膜からなるアライメントマークがダイシングカッターの磨耗や破損の原因となっていた。さらに、ダイシングの際にダイシングカッターにアルミニウムが付着してしまい、ダイシングカッターの切断能力が低下して基板表面の酸化膜にクラックが生じるという問題があった。

そこで本発明の半導体ウェハにおいて、スクライブライン上にはアライメントマークが形成されていないようにすることが好ましい。
その結果、アライメントマークを切断することなくダイシングを行なうことができるので、ダイシングカッターの磨耗や破損を抑えることができる。

本発明の半導体ウェハにおいて、配線パターンの材料の例として、金属材料、ポリシリコン又はポリサイドを挙げることができる。

また、上記チップ領域内に、抵抗値を調節するためのヒューズ素子又は薄膜抵抗体を備えているようにしてもよい。
チップ領域内に、抵抗値を調節するためのヒューズ素子又は薄膜抵抗体を備えているようにすれば、トリミング用レーザー光をヒューズ素子又は薄膜抵抗体に照射して切断するレーザートリミングを用いた抵抗値の調整を行なうことができる。

本発明にかかる半導体ウェハの位置決め方法は、少なくともＸ軸方向とＹ軸方向に配線パターンが形成されている複数のチップ領域がスクライブラインを挟んでマトリクス状に配置されている半導体ウェハに対し、位置決め用レーザー光を照射して半導体ウェハにおける基準位置を決定する半導体ウェハの位置決め方法であって、上記チップ領域内の、位置決め用レーザー光がＸ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターンが１本だけＹ軸方向に形成されているＸ軸方向スキャン領域と、位置決め用レーザー光がＹ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターンが１本だけＸ軸方向に形成されているＹ軸方向スキャン領域を用い、上記Ｘ軸方向スキャン領域及び上記Ｙ軸方向スキャン領域で位置決め用レーザー光を走査させて上記半導体ウェハの基準位置の決定を行なう。
これにより、位置決め専用のアライメントマークを用いることなく半導体ウェハの基準位置を決定することができる。

本発明の位置決め方法において、本発明の半導体ウェハを用いることができる。

本発明にかかるレーザートリミング方法は、チップ領域内に、少なくとも抵抗値調整用のヒューズ素子又は薄膜抵抗体が形成された半導体ウェハに対して位置決め用レーザー光を照射して基準位置を決定し、上記基準位置との相対位置関係からトリミング用レーザー光を照射すべきヒューズ素子又は薄膜抵抗体の位置を設定し、トリミング用レーザー光を照射してヒューズ素子又は薄膜抵抗体の所定の位置を切断して抵抗値を調整するレーザートリミング方法であって、本発明の半導体ウェハの位置決め方法を用いて半導体ウェハの基準位置を決定する。
これにより、専用のアライメントマークを用いることなく半導体ウェハの基準位置を決定してレーザートリミングを行なうことができる。

本発明の半導体ウェハでは、チップ領域において、位置決め用レーザー光がＸ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターンが１本だけＹ軸方向に形成されているＸ軸方向スキャン領域と、位置決め用レーザー光がＹ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターンが１本だけＸ軸方向に形成されているＹ軸方向スキャン領域とを備えているようにしたので、アライメントマークを用いることなく、チップ領域内に設けられたＸ軸方向スキャン領域及びＹ軸方向スキャン領域を用いて基準位置を設定することができる。

さらに、Ｘ軸方向スキャン領域及びＹ軸方向スキャン領域に配線パターン以外の素子が形成されていないようにすれば、キャパシタなど配線パターン以外の素子に位置決め用レーザー光を照射することなく位置決めを行なうことができるので、位置決めの際に半導体ウェハに形成された配線パターン以外の素子が位置決め用レーザー光によってダメージを受けることを防止することができる。

さらに、スクライブライン上に位置決め用のアライメントマークが形成されていないようにすれば、ダイシングの際にアライメントマークを切断することがないので、ダイシングカッターの磨耗や破損を抑えることができる。

また、チップ領域内に、抵抗値を調節するためのヒューズ素子又は薄膜抵抗体を備えているようにすれば、トリミング用レーザー光をヒューズ素子又は薄膜抵抗体に照射して切断するレーザートリミングを用いて抵抗値の調整を行なうことができる。

本発明の半導体ウェハの位置決め方法では、少なくともＸ軸方向とＹ軸方向に配線パターンが形成されている複数のチップ領域がスクライブラインを挟んでマトリクス状に配置されている半導体ウェハに対し、位置決め用レーザー光を照射して半導体ウェハにおける基準位置を決定する半導体ウェハの位置決め方法において、チップ領域内の、位置決め用レーザー光がＸ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターンが１本だけＹ軸方向に形成されているＸ軸方向スキャン領域と、位置決め用レーザー光がＹ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターンが１本だけＸ軸方向に形成されているＹ軸方向スキャン領域を用い、Ｘ軸方向スキャン領域及びＹ軸方向スキャン領域で位置決め用レーザー光を走査させて半導体ウェハの基準位置の決定を行なうようにしたので、アライメントマークを用いることなく半導体ウェハの基準位置を決定することができる。

本発明のレーザートリミング方法では、チップ領域内に、少なくとも抵抗値調整用のヒューズ素子又は薄膜抵抗体が形成された半導体ウェハに対して位置決め用レーザー光を照射して基準位置を決定し、上記基準位置との相対位置関係からトリミング用レーザー光を照射すべきヒューズ素子又は薄膜抵抗体の位置を設定し、トリミング用レーザー光を照射してヒューズ素子又は薄膜抵抗体の所定の位置を切断して抵抗値を調整するレーザートリミング方法において、本発明の位置決め方法を用いて半導体ウェハの位置決めを行なうようにしたので、専用のアライメントマークを用いることなく半導体ウェハの基準位置を決定してレーザートリミングを行なうことができる。

以下に本発明の好適な実施形態の一例を図面を参照して説明する。以下に挙げる実施例は本発明の実施形態の一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。

本発明の半導体ウェハを図１及び図２を参照しながら説明する。図１は本発明の半導体ウェハの一実施例を説明するための図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はチップ領域の拡大図、（Ｃ）は（Ｂ）の端部の接続端子周辺の拡大図である。

半導体ウェハ２は、複数のチップ領域４がマトリクス状に形成されており、隣り合うチップ領域４の間にはそれぞれのチップ領域４に分割するためのスクライブライン６が形成されている。
チップ領域４には、（Ｂ）に示すように、外部との電気的接続を行なうためのパッド開口部８がチップ領域４の周縁に沿うように形成され、さらにヒューズ切断の複数のトリミング窓開口部９が設けられており、パッド開口部８とトリミング窓開口部９以外の領域はパッシベーション膜７で被われている。

図２は半導体ウェハ２の断面を示したものであり、（Ａ）は図１（Ｃ）のＷ−Ｗ位置での断面図、（Ｂ）は同図のＸ−Ｘでの断面図、（Ｃ）は図１（Ｂ）のＹ−Ｙ位置での断面図、（Ｄ）は同図のＺ−Ｚ位置での断面図である。
半導体ウェハ２は、ソース領域，ドレイン領域，ウェル領域などが形成されている半導体基板１２上にシリコン酸化膜からなる素子分離絶縁膜１４やゲート絶縁膜（図示は省略）が形成されており、素子分離絶縁膜１４上にポリシリコンからなるヒューズ２２が形成され、ゲート酸化膜上にポリシリコンからなるゲート電極（図示は省略）が形成されている。ヒューズ２２上及びゲート電極上を含んで素子分離絶縁膜１４上全面に層間絶縁膜１６が形成されている。層間絶縁膜上１６上に、例えばアルミニウムなどの金属材料からなる配線パターン１０と電極パッド２０が形成されている。配線パターン１０上を含んで層間絶縁膜１６上にパッシベーション膜７が形成されている。電極パッド２０は配線パターン１０を形成するのと同時に同じ材料で形成されている。

電極パッド２０上のパッシベーション膜７にパッド開口部８が形成されている。また、ヒューズ２２上のパッシベーション膜７にトリミング窓開口部９が形成されている。トリミング窓開口部９の底部には、層間絶縁膜１６が所定の膜厚だけを残されている。
尚、図示されていないが、配線パターン１０と、ヒューズ２２やゲート電極などのポリシリコンパターンは、層間絶縁膜１６に形成されたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。

半導体ウェハ２は、チップ領域４のパッド開口部８の近傍に、位置決め用レーザー光がＸ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターン１０が１本だけＹ軸方向に形成されているＸ軸方向スキャン領域Ａと、位置決め用レーザー光がＹ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ配線パターン１０が１本だけＸ軸方向に形成されているＹ軸方向スキャン領域Ｂとを備えている（図１（Ｃ）を参照。）。

ここで、例えばレーザートリミングを行なう際に用いる位置決め用レーザー径が例えば７〜８μｍ程度、レーザー光の走査幅が例えば２０μｍ程度である場合には、Ｘ軸方向スキャン領域Ａの寸法は、Ｘ軸方向に２０μｍ以上、ここでは２５μｍ、Ｙ軸方向に７〜８μｍ程度の幅寸法であり、またＹ軸方向スキャン領域Ｂの寸法は、Ｘ軸方向に７〜８μｍ程度、Ｙ軸方向に２０μｍ以上、ここでは２５μｍの幅寸法である。また、Ｘ軸方向スキャン領域Ａ及びＹ軸方向スキャン領域Ｂ内に形成されている配線パターン１０の幅寸法は位置決め用レーザー光径以下に形成されており、ここでは７μｍである。

この実施例の半導体ウェハ２には、スクライブライン６やチップ領域４内に位置決め専用のアライメントマークが形成されていない。さらに、Ｘ軸方向スキャン領域Ａ及びＹ軸方向スキャン領域Ｂにおいて、１本の配線パターン１０以外の素子は形成されていない。

次に、図１及び図２を参照して説明した半導体ウェハ２を用いて行なう半導体ウェハの位置決め方法とその位置決め方法を用いたレーザートリミング方法の実施例を説明する。
図３は半導体ウェハの位置決め方法の実施例を説明するための概略構成図である。この実施例では、半導体ウェハ２の位置決めにＸ軸方向スキャン領域Ａ及びＹ軸方向スキャン領域Ｂを用いる。

半導体ウェハ２をチップ領域４が上面となるように配置し、位置決め用レーザー光を上方から半導体ウェハ２に対して鉛直下向きに照射する。位置決め用レーザー光としては、例えばヒューズトリミング用レーザー光を分光したものであってもよいし、位置決め専用の光源を設けてもよい。位置決め用レーザー光の光源（位置決め用レーザー光がトリミング用レーザー光の分光である場合には分光器）２４と半導体ウェハ２との間に、ハーフミラー２６を配置し、ハーフミラー２６の側方に検出器２８を配置する。ハーフミラー２６は半導体ウェハ２に対して照射される位置決め用レーザー光を透過させ、半導体ウェハ２からの反射光を反射させて側方に配置された検出器２８に導くようになっている。

ここで、位置決め用レーザー径は、例えば７〜８μｍであり、検出器２８で信号強度を正確に検出するために必要な位置決め用レーザー光の走査幅は、例えば２０μｍである。但し、ここでのレーザー径及び走査幅は位置決め方法をより具体的に説明するために用いた一例であり、本発明はこれに限定されるものではない。

位置決め用レーザー光をスキャン領域Ａ及びＢに対して順に照射して信号を検出器２８で検出する。ここでは、まずスキャン領域Ａに対して位置決め用レーザー光を照射する。スキャン領域Ａ内に形成されている１本の配線パターン１０に対して直交するように、位置決め用レーザー光を例えば２０μｍだけ走査させる。スキャン領域Ａ及びＢ内に形成されている配線パターン１０の幅寸法は、ここでは７μｍである。

スキャン領域Ａ内に形成されている配線パターン１０の幅寸法は位置決め用レーザー径以下であるので、位置決め用レーザー径を走査させてその反射光を検出することにより、例えば図４に示すような波形の検出信号を得ることができる。このサイン波状の検出信号のピーク位置を正確に検出することで、Ｘ軸方向の基準位置を決定することができる。
スキャン領域Ａについて反射光を検出した後、スキャン領域Ｂについても同様に配線パターン１０に対して直交するように位置決め用レーザー光を走査させてその反射光を検出し、ピーク位置を検出する。

ここで、スキャン領域Ａ，Ｂからの反射光強度のピークを検出する手段としては、検出器２８で得たサイン波状の信号強度のピークを検出する方法以外にも、例えば検出した信号強度を時間微分した値からピーク位置を検出する方法であってもよい。

半導体ウェハ２での基準位置が決定すると、その基準位置に基づいてレーザートリミングを行なう。ヒューズ２２の位置は、基準位置に対して予め設定されている。したがって、検出器２８で得た信号強度のピーク位置より基準位置を決定することで、ヒューズ２２の位置を正確に割り出すことができる。そして、切断すべきヒューズ２２の位置に相当するトリミング窓開口部９に対してトリミング用レーザー光を照射して、ヒューズ２２を図５に示すように切断する。

この実施例では、位置決め用レーザー光を半導体ウェハ２のチップ領域中に設けられたスキャン領域Ａ，Ｂで走査させて半導体ウェハ２の位置決めを行なうようにしたので、アライメントマークを用いることなく位置決めを行なうことができ、スクライブライン６上にアライメントマークを形成する必要をなくすことができる。スクライブライン６上にアライメントマークが存在しないようにすることで、ダイシングの際にダイシングカッターがアライメントマークを切断することをなくして、ダイシングカッターの磨耗や損傷を防止することができる。さらに、スキャン領域Ａ，Ｂには配線パターン１０以外の素子が形成されていないので、位置決め用レーザー光をスキャン領域Ａ，Ｂ内で走査させても素子に対してダメージを与えることがない。

この実施例の半導体ウェハ２において、配線パターン１０はアルミニウムにより形成されているが、Ｘ軸方向スキャン領域及びＹ軸方向スキャン領域に配置される配線パターン１０の材料としてアルミニウムの他、アルミニウム合金、銅、銅合金などの金属材料や、ポリシリコン、ポリサイドなどを用いることができる。また、抵抗値調整用のヒューズ２２はポリシリコン以外の材料、例えば金属材料で形成されているものであってもよい。また、半導体ウェハ２のヒューズ２２に代えて、薄膜抵抗体を抵抗値調整用の素子として用いてもよい。
この実施例において、半導体ウェハ２は配線パターン１０が１層に形成されているが、本発明は、位置決め用レーザー光を走査させるスキャン領域を除く領域において２層以上に配線パターンが形成されているものに対しても適用することができる。

本発明の半導体ウェハ並びに半導体ウェハの位置決め方法及びレーザートリミング方法は、この実施例のようにスクライブライン上にアライメントマークが形成されていないことが好ましいが、スクライブライン上にアライメントマークが形成されていても適用することができる。
この実施例の半導体ウェハ２において、Ｘ軸方向スキャン領域Ａ及びＹ軸方向スキャン領域Ｂはパッド開口部８近傍に設けられているが、本発明の半導体ウェハはこれに限定されるものではなく、これらのスキャン領域Ａ及びＢがパッド開口部８近傍の領域以外の領域に設けられているものであってもよい。また、本発明の位置決め方法及びその位置決め方法を用いたレーザートリミング方法は、スキャン領域Ａ及びＢがパッド開口部８近傍の領域以外の領域に存在しているものに対しても適用することができる。

この実施例で示した、スキャン領域Ａ及びＢの寸法やスキャン領域Ａ及びＢ内に形成されている配線パターンの幅寸法は、この実施例で用いた位置決め用レーザー光源２８や検出器３２に対応するために挙げた数値例であって、本発明はこれに限定されるものではなく、位置決めに用いるレーザー光径や検出器等の周辺機器の変更に伴ないこれらの数値を変更することができる。
この実施例においては、配線パターン１０を用いた位置決め方法をレーザートリミングに用いているが、本発明の位置決め方法は、レーザートリミング以外においても用いることができる。

半導体ウェハの一実施例を説明するための図であり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はチップ領域の拡大図、（Ｃ）は（Ｂ）の破線で囲まれた領域Ａを詳細に示す拡大図である。 図１の断面を示す図であり、（Ａ）は図１（Ｃ）のＷ−Ｗ位置での断面図、（Ｂ）は同図のＸ−Ｘでの断面図、（Ｃ）は図１（Ｂ）のＹ−Ｙ位置での断面図、（Ｄ）は同図のＺ−Ｚ位置での断面図である。 半導体ウェハの位置決め方法の一実施例を説明するための図である。 検出器で得た検出信号の一例を示す図である。 レーザートリミングにより切断されたヒューズを示す図である。 従来の半導体ウェハの一例を示す平面拡大図である。

符号の説明

２ 半導体ウェハ
４ チップ領域
６ スクライブライン
７ パッシベーション膜
８ パッド開口部
９ トリミング窓開口部
１０ 配線パターン
１２ 半導体基板
１４ 素子分離絶縁膜
１６ 層間絶縁膜
２０ 電極パッド
２２ ヒューズ
２４ 位置決め用レーザー光源
２６ レンズ
２８ 光検出器
Ａ，Ｂ スキャン領域

Claims (8)

1. 少なくともＸ軸方向とＹ軸方向に配線パターンを備えている複数のチップ領域がスクライブラインを挟んでマトリクス状に配置されている半導体ウェハにおいて、
   前記チップ領域は、位置決め用レーザー光がＸ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ前記配線パターンが１本だけＹ軸方向に形成されているＸ軸方向スキャン領域と、前記位置決め用レーザー光がＹ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ前記配線パターンが１本だけＸ軸方向に形成されているＹ軸方向スキャン領域とを備えていることを特徴とする半導体ウェハ。
2. 前記Ｘ軸方向スキャン領域及び前記Ｙ軸方向スキャン領域に、前記配線パターン以外の素子が形成されていない請求項１に記載の半導体ウェハ。
3. 前記スクライブライン上に、位置決め用のアライメントマークが形成されていない請求項１又は２に記載の半導体ウェハ。
4. 前記配線パターンは、金属材料、ポリシリコン又はポリサイドにより形成されている請求項１から３のいずれかに記載の半導体ウェハ。
5. 前記チップ領域内に、抵抗値を調節するためのヒューズ素子又は薄膜抵抗体を備えている請求項１から４のいずれかに記載の半導体ウェハ。
6. 少なくともＸ軸方向とＹ軸方向に配線パターンを備えている複数のチップ領域がスクライブラインを挟んでマトリクス状に配置されている半導体ウェハに対し、位置決め用レーザー光を照射して前記半導体ウェハにおける基準位置を決定する半導体ウェハの位置決め方法において、
   前記チップ領域内の、位置決め用レーザー光がＸ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ前記配線パターンが１本だけＹ軸方向に形成されているＸ軸方向スキャン領域と、前記位置決め用レーザー光がＹ軸方向に走査される範囲内に位置決め用レーザー径以下の幅寸法をもつ前記配線パターンが１本だけＸ軸方向に形成されているＹ軸方向スキャン領域を用い、前記Ｘ軸方向スキャン領域及び前記Ｙ軸方向スキャン領域で位置決め用レーザー光を走査させて前記半導体ウェハの基準位置の決定を行なうことを特徴とする半導体ウェハの位置決め方法。
7. 前記半導体ウェハとして、請求項１から５のいずれかに記載の半導体ウェハを用いる請求項６に記載の半導体ウェハの位置決め方法。
8. チップ領域内に少なくとも抵抗値調整用のヒューズ素子又は薄膜抵抗体が形成されている半導体ウェハに対して位置決め用レーザー光を照射して基準位置を決定し、前記基準位置との相対位置関係からトリミング用レーザー光を照射すべき前記ヒューズ素子又は前記薄膜抵抗体の位置を設定し、前記トリミング用レーザー光を照射して前記ヒューズ素子又は前記薄膜抵抗体の所定の位置を切断して抵抗値を調整するレーザートリミング方法において、
   請求項６又は７に記載の位置決め方法を用いて半導体ウェハの基準位置を決定することを特徴とするレーザートリミング方法。
   

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