JP2006173122A - X線管の高電圧絶縁体の電気応力緩和の方法及び設計 - Google Patents

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Abstract

【課題】X線管の電気応力を管理する。
【解決手段】X線管(46)は、X線ビームを放出するように構成されているアノード・アセンブリ(50)と、アノード・アセンブリ(50)に向けて電子を放出するように構成されているカソード・アセンブリ(48)とを含んでいる。カソード・アセンブリ(48)は、絶縁体(68)及びカソード柱(70)を含んでいる。絶縁体(68)は側面を含んでおり、この側面は陥凹部を含んでいる。カソード柱(70)は、内面を有する中空の内部領域を含んでおり、この内面は絶縁体(68)の側面と係合するように構成されている。カソード柱(70)はまた、カソード柱(70)の端部に、内面から離隔するように延在する足部を備えている。絶縁体(68)の陥凹部に隣接するカソード柱(70)は、三重点を遮蔽して三重点の電気応力を低減するように構成されている。
【選択図】 図1

Description

本発明は一般的には、高電圧印加のためにX線管の電気応力を管理するシステムに関し、さらに具体的には、X線管の三重点において電気応力を管理する高電圧絶縁体を有するカソード・アセンブリに関する。
X線システムは一般的には、医療分野及び非医療分野の撮像の様々な応用に利用されている。例えば、放射線システム、計算機式断層写真法(CT)システム及びトモシンセシス・システムのようなX線システムを用いて、患者を透過したX線ビームの減弱に基づいて、患者の体内画像又は体内ビューを形成する。これらのX線ビームに基づいて患者のプロファイルが形成される。代替的には、X線システムは、装置若しくは構造の微小な欠陥を検出する及び/又は空港で手荷物を走査する等の非医療応用にも利用することができる。
典型的には、X線システムは、検出器又はフィルムに向かって照射されるX線ビームの線源として利用されるX線管を含んでいる。X線管は、カソード・アセンブリ及びアノード・アセンブリを含んでおり、両アセンブリとも排気された管の内部に収容されていてよい。カソード・アセンブリは負電極を含み、アノード・アセンブリは正電極を含む。カソード・アセンブリは典型的には、熱せられて電子を放出し、電子は真空のような空間を極めて高速で横断してアノード・アセンブリの正電極と衝突し、これによりX線ビームを発生する。上述のように、これらのX線ビームは所望の画像を形成するために利用される。
米国特許第6816574号
X線システムは高電圧及び高温で動作し得るため、X線管の推定耐用年数に影響を与える。例えば、アノードに向かう電子の放出及び加速を促進するために、カソード・アセンブリの電極とアノード・アセンブリの電極との間に約140キロボルトの電圧が印加され得る。さらに、カソード・アセンブリは電気的断路のための絶縁体と、電子をアノード・アセンブリの特定の位置に向けて集束させるカソード・カップとを含んでいてよい。これらの絶縁体及びカソード・カップのような構成要素の各々が約140キロボルトの電圧で動作し得る。X線管の内部が高電圧となるため、X線管内部の構成要素の幾つかが200℃超の温度にも晒され得る。このように、X線管の動作に関わる温度及び電圧がX線管の推定耐用年数に影響を与え得る。
関係する電圧及び温度のため、X線管の故障を引き起こす様々な問題が起こる虞がある。これらの故障には、高電圧不安定、表面フラッシュオーバー及びX線管の推定耐用年数を縮めるその他の絶縁障害のような電気応力が含まれ得る。すなわち、X線管の絶縁体は電気応力によって故障し得る。一例として、電気応力はX線管の三重点又は三重接点を起点として故障を引き起こす場合がある。三重点とは、カソードの材料、空気(すなわち真空)及び絶縁体の材料が出合う位置である。高電圧及び高温による電気応力は三重点では極めて大きく、フラッシュオーバーを引き起こして絶縁体の経年劣化を速め、X線管の故障を招く場合がある。
このように、X線管の電気応力を管理する新たなシステムが必要とされている。具体的には、X線管の三重点での電気応力を克服する新たな手法が必要とされている。
簡潔に述べると、一実施形態によれば、本発明の手法はX線管を提供する。X線管は、X線ビームを放出するように構成されているアノード・アセンブリと、アノード・アセンブリに向けて電子を放出するように構成されているカソード・アセンブリとを含んでいる。カソード・アセンブリは絶縁体及びカソード柱(ポスト)を含んでいる。絶縁体は上面及び側面を含み、側面は陥凹部を含んでいる。カソード柱は中空の内部領域及び内面を含んでおり、内面は絶縁体の側面と係合するように構成されている。
もう一つの観点によれば、本発明の手法はX線管を製造する方法を提供する。X線管を製造する方法は、カソード・アセンブリを製造するステップを含んでいる。カソード・アセンブリを製造する方法は、内面を有する中空の内部領域と、内面から延在する周辺足とを有するカソード柱を作製するステップを含んでいる。カソード・アセンブリを製造する方法はまた、上面と、半径方向陥凹部を設けた側面とを有する絶縁体を作製するステップを含んでいる。側面の半径方向陥凹部は、カソード柱の内面と絶縁体との間に空隙を形成するように構成されている。カソード・アセンブリを製造する方法はさらに、絶縁体の側面をカソード柱の中空の内部領域に挿入して結合するステップを含んでいる。
本発明のこれらの特徴、観点及び利点並びに他の特徴、観点及び利点は、添付の図面を参照して以下の詳細な説明を精読するとさらに十分に理解されよう。図面全体を通して、類似の符号は類似の部品を表わしている。
予備的事項として、以下の議論及び特許請求の範囲の目的での「又は」との用語の定義は、包含的な「又は」であるものとする。すなわち、「又は」との用語は、二つの相互に排他的な代替物を区別するものではない。寧ろ、「又は」との用語は、二つの要素の間の接続詞として用いられる場合には、単独の一要素、単独の他要素、並びに両要素の順列及び組み合わせを含むものとして定義される。例えば、「A」又は「B」との術語を用いた議論又は記載は、単独の「A」、単独の「B」、並びに「AB」及び/又は「BA」のようなあらゆる組み合わせを含む。
本発明の手法は一般的には、高電圧印加のためにX線管の電気応力を管理することを目的とする。当業者には理解されるように、本発明の手法は様々な医療応用及び非医療応用に適用することができる。しかしながら、本発明の手法の説明を容易にするために、本書ではX線システムの医用の具現化形態について論じる。但し、非医用の具現化形態も本発明の手法の範囲に含まれることを理解されたい。
図面について説明する。図1は、本発明の手法に従って用いられるX線イメージング・システム10の実施形態の一例である。図示のように、X線イメージング・システム10はX線源12を含んでいる。X線源12は、筐体内部のX線管と、X線源12からのX線ビーム14を特定の方向に向けるコリメータとを含んでいる。X線源12は、患者16の特定の関心領域を包含する撮像空間内に配置された患者16に向けてX線ビーム14を放出するように構成されている。X線イメージング・システム10はさらに、患者配置システム18を含んでおり、撮像のために患者16に対してX線源を配置することができる。X線源12は、手動又は自動システムによって一次元、二次元又は三次元で様々な位置に移動して、特定の関心領域に目標変更することが可能である。
関心領域を検出するために、X線イメージング・システム10はまた、X線検出器20のようなX線ビーム14を検出する検出サーキットリを含んでいる。X線検出器20は一般的には、X線源12に対して撮像空間を挟んで位置し、X線ビーム14を検出するように構成されている。すなわち、X線源12は、上述のように患者16を透過してX線検出器20に向かうようにX線ビーム14を放出する。X線検出器20は、これらのX線ビーム14を受光して、X線フィルムに画像を形成するか、又はX線ビーム14に応答して信号を発生するように構成されている。X線フィルムは放出されたX線ビーム14を検出する一つの可能性であるが、アナログ又はディジタル検出器を用いて、放出されたX線ビーム14を検出してもよい。従って、X線検出器20は、X線フィルム又はディジタル検出器若しくはアナログ検出器と共に、X線フィルムの筐体を含んでいてよい。さらに、X線検出器20は静止位置に固定されていてもよいし、X線源12と協調して移動する又はX線源12とは独立に移動するように構成されていてもよい。
加えて、X線検出器20と相互作用する他の構成要素を利用することができる。一実施形態では、X線イメージング・システム10は、X線源12の動作を制御するシステム制御器22を含み得る。具体的には、システム制御器22は、X線制御器24を介して、コリメーション及びタイミングを含めたX線源12の起動及び動作を制御する。システム制御器22はまた、検出器取得サーキットリ26を介して、X線検出器20からの情報の操作及び読み出しを制御することができる。検出器取得サーキットリ26は、X線ビーム14に応答してディジタル信号を発生して処理サーキットリ28のような他の構成要素へ供給し、画像に関連する信号を処理することができる。
処理サーキットリ28は典型的には、検出器取得サーキットリ26からのデータを処理して再構成し、1又は複数の画像を形成して表示するのに利用される。処理サーキットリ28は、データ処理の前後にデータを記憶するメモリ・サーキットリ(図示されていない)を含んでいてもよい。メモリ・サーキットリはまた、画像に関連する信号を処理するのに利用される処理パラメータ及び/又はコンピュータ・プログラムを記憶することができる。
処理サーキットリ28は、操作者ワークステーション30、表示器32及びプリンタ34のような他装置と接続されて、操作者と相互作用(対話)を行なうことができる。例えば、処理サーキットリ28によって形成された画像を操作者ワークステーション30に送信し、表示器32で操作者に表示することができる。処理サーキットリ28はまた、処理又は画像又は画像データに関する命令又は処理パラメータを、操作者ワークステーション30を用いて操作者から受け取るように構成することができる。命令は、操作者ワークステーション30の一部であるキーボード、マウス、及び他の利用者対話装置(図示されていない)のような入力装置を介して入力することができる。操作者ワークステーション30をシステム制御器22に接続して、操作者がX線源12及び/又は検出器20の動作に関する命令及び走査パラメータを供給し得るようにすることもできる。従って、操作者は、操作者ワークステーション30を介してX線イメージング・システム10の様々な部分の動作を制御することができる。
加えて、操作者ワークステーション30は他のシステム及び構成要素に接続されていてよい。例えば、操作者ワークステーション30は画像保管通信システム(PACS)36に結合され得る。後に改めて説明するように、PACS36を利用して、取り込んだX線画像を保管し、またネットワークを介して外部又は内部データベースと通信することができる。従って、操作者ワークステーション30は、PACS36を介してアクセス可能な画像又はデータにアクセスし、処理サーキットリ28による処理、表示器32での表示、又はプリンタ34による印刷を行なうことができる。また、PACS36を内部ワークステーション38及び/又は外部ワークステーション40に結合して、他の場所からのX線画像へのアクセスを提供することができる。内部ワークステーションは、内部データベース42と結合されてX線画像を記憶するコンピュータであってよい。同様に、外部ワークステーション40は外部データベース44と結合することができる。このように、PACS36はワークステーション38及び40を介して、データベース42及び44へデータを送り、且つデータベース42及び44からデータを受け取ることができる。
上述のようなX線源は、X線管を用いてX線ビームを発生する。図2は、本発明の手法の実施形態の一例に従って図1のX線源12の内部で利用され得るX線管46の部分断面図である。X線管46はカソード・アセンブリ48及びアノード・アセンブリ50を含んでいる。カソード・アセンブリ48及びアノード・アセンブリ50は、筐体又はケーシング52の内部に配置されている。ケーシング52は、X線管46の様々な構成要素を密封するために利用されるガラス製又は金属材料製であってよい。動作時には、カソード・アセンブリの電極とアノード・アセンブリの電極とに跨がって電圧が印加される。この電圧は、カソード・アセンブリ48によるアノード・アセンブリ50への電子の放出を容易にする。放出された電子がアノード・アセンブリ50のアノードに衝突するとX線ビームが発生する。
アノード・アセンブリ50は一般的には、X線を発生するために利用される様々な構成要素を含んでいる。例えば、アノード・アセンブリ50は、X線管46の長手軸58の周囲を回転するように構成されているアノード円板54及びアノード支持体56を含み得る。アノード円板54は、タングステン合金又は他の適当な材料で構成され得る。アノード支持体56とアノード円板54の回転とによって、アノード円板54の熱条件の改善を促し、すなわち動作による熱を消散させることを容易にする。アノード・アセンブリ50はまた、アノード円板54を支持する軸(図示されていない)、及びアノード円板54の回転を容易にする軸受け付き回転子(図示されていない)のような他の構成要素も含んでいる。
一般的には、カソード・アセンブリ48は、電子をアノード円板54に向けて放出するために利用される様々な構成要素を含んでいる。例えば、カソード・アセンブリ48は、集束カップ60と、1又は複数のタングステン・フィラメント62とを含んでいる。タングステン・フィラメント62は電子を放出するように構成されており、電子は集束カップ60によってアノード・アセンブリ50に向けて方向付けされる。さらに、カソード・アセンブリ48は、1又は複数のケーブル(図示されていない)を介してタングステン・フィラメント62に電圧を印加するのに利用される1又は複数のピン64を含んでいる。具体的には、ピン64はケーブルを介して、タングステン・フィラメント62への高電圧の印加を容易にする。最後に、カソード・アセンブリ48は絶縁体68及びカソード柱70を含み得る。カソード柱70は、カソード構造及びカソード・フィラメント62の取り付けを容易にする。
前述のように、動作時には、カソード柱、絶縁体及び真空がカソード・アセンブリにおいて出合う位置である三重点は大きい電気応力を受ける。この電気応力は、X線管の故障を招き得る。図3は、本発明の手法の実施形態による図2のカソード柱及び絶縁体の部分アセンブリ72の実施形態の一例の断面図である。具体的には、部分アセンブリ72は絶縁体68及びカソード柱70を含んでいる。絶縁体68は陥凹部82を含み、またカソード柱70は三重点シールド90を周辺足92と共に含んで、これら三重点シールド90及び周辺足92を用いて三重点に加わる応力を低減することができる。
絶縁体68は、カソード柱70及びピン64の支持を提供するために利用される様々な観点及び構造を含み得る。絶縁体68は、セラミックのような電気的に絶縁された材料で製造される。絶縁体68は、底部74、及び絶縁体68の中央にカソード柱70と係合するために利用され得る延長部76を含んでいる。このことについては後に改めて説明する。絶縁体68の延長部76は、上面78、側面80、及び側面80に隣接した陥凹部82を含んでいる。絶縁体68の側面80はカソード柱70と係合するように構成されている。このことについては後に改めて説明する。延長部76の断面の形状は、円形、多角形、及び/又はカソード柱70と係合するように構成されたその他類似の形状であってよい。絶縁体68はさらに、ピン64への接触を可能にする複数の孔84を含んでいる。上述のように、ピン64はタングステン・フィラメントへの電圧の印加を容易にする。
カソード柱70は、カソード・カップ及びフィラメントに支持を与えるために利用され得る。カソード柱70は、ニッケル−鉄合金若しくは米国材料試験協会(ASTM)F15合金、又は熱膨張率が低く高温に耐え得るその他適当な導体で作製されていてよい。カソード柱70は、カソード柱70の内面88の内側に形成された中空の内部又は内部領域86を含んでいる。さらに、カソード柱70は、カソード柱70の端部に形成された三重点シールド90を含んでいる。三重点シールド90は三重点の遮蔽を容易にし、これにより三重点の電気応力を低減する。このことについては後にあらためて説明する。中空の内部領域86の断面は、円形、多角形、又は絶縁体68の延長部76に係合し且つろう付けされるのに適したその他の形状であってよい。さらに、カソード柱70は、カソード柱70の端部に周辺足92を含んでいる。周辺足92は、カソード柱の三重点シールドの剛性を高め、カソード柱の基部の電気応力を減じるために利用することができる。周辺足92の断面は、半円形、多角形、又は他の適当な形状であってよい。
絶縁体68とカソード柱70とを結合するために、ろう付け材料94を利用することができる。ろう付け材料94は、絶縁体68の陥凹部の上方すなわち領域80で、カソード柱70の三重点シールド90と絶縁体68との間に付着される。ろう付け材料は銀、銀−銅合金又は金−銅合金を含んでいてよい。
図4は、図3の部分アセンブリ72の分解断面図である。本実施形態では、カソード柱70は矢印96によって示される方向に移動することにより絶縁体68と係合する。明確に述べると、カソード柱70の内面88は、絶縁体68の側面80と係合する。カソード柱の中空の内部領域86の断面、及び絶縁体の延長部78の断面は、カソード柱と絶縁体の結合を容易にするように選択される。
図5は、本発明の手法の実施形態の一例による金属化を施したカソード・アセンブリの絶縁体68及びカソード柱70の部分断面図である。本実施形態では、カソード柱70及び絶縁体68は、カソード柱70の内面86が絶縁体68の側面80に隣接するようにして組み立てられている。当業者には理解されるように、カソード柱の表面88と絶縁体の表面80との間にろう付け接点が形成される。しかしながら、幾分かのろう付け材料が溢出して、金属層又は金属化97が非金属製の絶縁体68の陥凹部82の区画を越えて形成される場合がある。ろう付け工程のばらつきが上述のろう付けの溢出を引き起こし得る。従って、陥凹部82の表面を金属溢出領域とも呼ぶ。このように、陥凹部82、三重点シールド90及び周辺足92が三重点でのろう付け溢出の影響を抑えることを容易にし、従って電気応力を低減する。金属化97によって、三重点は参照番号98によって示される点に位置する。換言すると、ろう付け材料の溢出94と、絶縁体68の陥凹表面82と、空気又は真空とは、参照番号100によって示される点ではなく、点98で出合う。従って、ろう付け材料94が存在しなければ、三重接点は、カソード柱70の三重点シールド90と、絶縁体側面80と、空気又は真空とが出合う点100に位置し得る。当業者には理解されるように、三重接点98は大きい電気応力に晒される場合があり、これにより電界放出又は表面フラッシュオーバーを招き得る。上述のように、三重点シールド90は三重点98を遮蔽し、従って三重点98での電気応力を低減することを容易にする。
さらに、カソード柱70及び絶縁体68は間隙102と共に結合される。間隙102は、カソード柱70の周辺足92と、絶縁体68の下面104との間の少なくとも1mmの距離であってよい。間隙102が保たれない(すなわちカソード柱70の周辺足92が絶縁体68の表面104に接触する)と、三重点は周辺足92が絶縁体68に接触する位置に形成されて、シールド90の利点を損なう。周辺足92の外面の点106が真空内の点を示しており、点106での電気応力について以下でさらに議論する。
高電圧真空絶縁体を扱うための技術的実践が、R.V. Latham in High Voltage Vacuum Insulation - The Physical Basis, page 52, Academic Press (1981)で議論されている。これにより、三重点98における全電界は次式によって与えられる。
三重点での全電界強度=βEmacro
ここで、
βは電界増強ファクタであり、
Emacroは三重点での電界強度をkv/mmで表わしたものである。
また、三重点98での全電界強度(βEmacro)が3000kv/mmを超えると電界放出が生ずることが観察されている。従って、電界増強ファクタ(β)が75であると考えて、上の式(1)に基づいて三重点での電界強度(Emacro)について解くと、電界放出を回避するためには電界強度(Emacro)は40kv/mmを超えてはならない。三重点98での電界強度(Emacro)を40kv/mm未満に保つ方法について、図6を参照して以下でさらに説明する。
図6は、本発明の手法の幾つかの観点による電気応力対金属化の長さ、及びカソード柱70の三重接点シールド90(すなわち周辺足92)と絶縁体68との間の間隙102の変化を示すグラフ表示108である。X軸110は、点100と点98との間の金属化の長さをmm(ミリメートル)で表わしている。Y軸112は真空内での三重点98及び点106における電界強度をkv/mm(キロボルト毎ミリメートル)で表わしている。上述のように、本実施形態では、周辺足92と絶縁体68の表面104との間の間隙102の長さは約1mm〜1.5mmである。曲線114、116及び118はそれぞれ、間隙の長さの変化が−0.5mm、0mm、及び+0.5mmである場合の三重点98での電界強度対金属化の長さを表わす。同様に、曲線120、122及び124はそれぞれ、間隙の長さの変化が−0.5mm、0mm、及び+0.5mmである場合の真空点106での電界強度対金属化の長さを表わす。グラフ108から分かるように、−0.5mm〜+0.5mmの間隙の変化は、電界強度に実質的な影響を及ぼさない。一方、金属化の長さは電界強度に著しい影響を及ぼす。
上述のように、三重点98での電界強度は、電界放出を回避するためには40kv/mmを超えてはならない。再びグラフ108を参照すると、40kv/mmの電界強度を表わす横線126は、5.5mmの金属化の長さを示す縦線128の近くで曲線114、116及び118と交わっている。このように、金属化の長さを約5.5mmまでに制限することにより、三重点98の電界強度を約40kv/mmに保って電界放出を回避することができる。
図7は、本発明の手法の観点に従って、X線管46のようなX線管を製造する例示的な工程ブロックを示す流れ図である。図7は、図2、図3及び図5を同時に参照すると最もよく理解されよう。この工程は、ブロック130に示すように、カソード柱70を作製するステップを含んでおり、このステップは、中空の内部領域86、内面88及び周辺足92を機械加工するステップを含んでいる。また、この工程は、ブロック132に示すように、絶縁体68を作製するステップを含んでおり、このステップは、上面78、及び陥凹部82を設けた側面80を機械加工するステップと、側面80に金属層を施すステップとを含んでいる。次いで、ブロック134に示すように、カソード柱70及び絶縁体68を組み立てることができ、カソード柱70と絶縁体68との間にろう付け材料94を施す。次いで、ブロック136で、カソード柱70及び絶縁体68に、他のカソード構成要素を組み付ける。
同様に、ブロック138に示すように、アノード円板54を含めて全てのアノード構成要素を組み立ててアノード・アセンブリ50を完成する。次いで、ブロック140に示すように、カソード・アセンブリ48及びアノード・アセンブリ50をケーシング52と共に結合してX線管46を形成する。一旦、形成されたら、ブロック142に示すように、X線管46の内部の空気又はガスを排気し或いは脱ガスする。次のブロックは、ブロック144に示すように、X線管46を調整(season)するステップで、この間に、電圧が予め決められた電圧に達するまで段階的に印加される。次いで、ブロック146に示すように、X線管46を筐体に組み付ける。次いで、ブロック148に示すように、筐体の内部のガス又は空気を排気し或いは脱ガスする。一旦、空気が排気されたら、ブロック150に示すように筐体にオイルを充填する。オイルはX線管46を冷却するために利用され得る。最後に、ブロック152に示すように、X線管をX線撮像装置に組み付ける。
本書では発明の幾つかの特徴のみを図示して説明したが、当業者には多くの改変及び変形が想到されよう。従って、特許請求の範囲は、本発明の要旨に含まれるような全ての改変及び変形を含むものと理解されたい。また、図面の符号に対応する特許請求の範囲中の符号は、単に本願発明の理解をより容易にするために用いられているものであり、本願発明の範囲を狭める意図で用いられたものではない。そして、本願の特許請求の範囲に記載した事項は、明細書に組み込まれ、明細書の記載事項の一部となる。
本発明の手法の実施形態の一例によるX線イメージング・システムの線図である。 本発明の手法の実施形態の一例によるX線管の部分断面図である。 図2のカソード及び絶縁体のアセンブリの断面図である。 図3のカソード及び絶縁体の分解断面図である。 本発明の手法の実施形態の一例による金属化を施したカソード・アセンブリの絶縁体及びカソード柱の部分断面図である。 本発明の手法の幾つかの観点による図5のカソード柱及び絶縁体の三重接点シールドでの電気応力対金属化の長さをグラフで示す図である。 本発明の手法の一観点によるX線管を製造する工程の例を示す流れ図である。
符号の説明
10 X線イメージング・システム
12 X線源
14 X線ビーム
16 患者
18 患者配置システム
22 システム制御器
46 X線管
48 カソード・アセンブリ
50 アノード・アセンブリ
52 筐体
54 アノード円板
56 アノード支持体
58 長手軸
60 集束カップ
62 タングステン・フィラメント
64 ピン
68 絶縁体
70 カソード柱
72 部分アセンブリ
74 底部
76 延長部
78 上面
80 側面
82 陥凹部
84 孔
86 内部領域
88 内面
90 三重点シールド
92 周辺足
94 ろう付け材料
96 カソード柱の移動方向
97 金属層
98、100 三重点
102 間隙
104 下面
106 外面の点
108 電気応力対金属化の長さ、及び間隙102の変化のグラフ
110 X軸(金属化の長さ)
112 Y軸(電界強度)
114、116、118、120、122、124 曲線
126 横線
128 縦線

Claims (10)

  1. X線ビームを放出するように構成されているアノード(50)・アセンブリと、
    該アノード・アセンブリ(48)に向けて電子を放出するように構成されているカソード・アセンブリ(48)と、
    を備えたX線管(46)であって、
    前記カソード・アセンブリ(48)は、カソード柱(70)に部分的に挿入された絶縁体(68)を含んでおり、該絶縁体(68)は、前記カソード柱(70)と共に三重点シールドを形成する陥凹部を有している、X線管(46)。
  2. 前記三重点シールドは、三重点に加わる電気応力を低減する、請求項1に記載のX線管。
  3. 前記カソード柱(70)は、該カソード柱(70)の端部に、前記陥凹部から離隔するように延在する周辺足を含んでいる、請求項1に記載のX線管。
  4. 前記周辺足は半円形又は多角形の断面を含んでいる、請求項3に記載のX線管。
  5. 前記カソード・アセンブリ(48)の前記カソード柱(70)はニッケル−鉄合金を含んでいる、請求項1に記載のX線管。
  6. 前記カソード・アセンブリ(48)の前記絶縁体(68)はセラミック材料を含んでいる、請求項1に記載のX線管。
  7. カソード・アセンブリ(48)を製造するステップを備えたX線管(46)を製造する方法であって、カソード・アセンブリ(48)を製造する前記ステップは、
    内面を有する中空の内部領域、及び前記内面から延在する周辺足を含むカソード柱(70)を作製するステップと、
    上面、側面、及び該側面に設けられた半径方向陥凹を有する絶縁体(68)を作製するステップであって、前記半径方向陥凹は、前記絶縁体(68)の前記内面との間に空隙を形成するように構成されている、絶縁体(68)を作製するステップと、
    前記絶縁体(68)の前記側面を、前記カソード柱(70)の前記中空の内部領域に挿入して結合するステップとを含んでいる、X線管(46)を製造する方法。
  8. 前記カソード柱(70)の前記内面と前記絶縁体(68)との間に、前記絶縁体の前記半径方向陥凹に近接してろう付け材料を施すステップを含んでいる請求項7に記載の方法。
  9. 前記カソード柱(70)及び前記絶縁体(68)からガスを排気するステップを含んでいる請求項7に記載の方法。
  10. 前記カソード・アセンブリ(48)及びアノード・アセンブリ(50)をX線管筐体(52)に挿入して結合するステップを含んでいる請求項7に記載の方法。
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